JP2844957B2 - 薄膜el発光装置の駆動方法 - Google Patents
薄膜el発光装置の駆動方法Info
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- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
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- Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブEL発光装
置、例えばアクティブマトリックスにしたEL表示装
置、あるいはパネル電子式印字装置の露光系に用いられ
るELイメージバー等の駆動方法に関する。
置、例えばアクティブマトリックスにしたEL表示装
置、あるいはパネル電子式印字装置の露光系に用いられ
るELイメージバー等の駆動方法に関する。
【0002】
【従来の技術】EL発光装置は1個以上のエレクトロル
ミネッセンス素子(以下、EL素子と言う)を一定の順
序で電気的に刺激し、所望の光学信号を発生させる発光
装置である。アクティブEL素子は高い精度で一枚のガ
ラス基板等の上に集積化できるので、多数の素子を面状
に配列したものは文字表示パネルとして利用され、又一
次元的に配列して電子式印字装置の露光系として利用で
きる。これらの発光装置は薄型軽量に製造できて空間利
用率が高いこと、又可搬型装置への組み込みが容易であ
ること、にじみのない見易い表示が得られることなどの
多くの利点を有するため、近年非常に研究が進められて
いる("A 6" ×6" in 240 lpi electroluminescent dis
play panel", F.C. Luo, et al., IEEE TRANSACTIONS O
N ELECTRONDEVICES, VOL. ED-22 (1975) 739)。
ミネッセンス素子(以下、EL素子と言う)を一定の順
序で電気的に刺激し、所望の光学信号を発生させる発光
装置である。アクティブEL素子は高い精度で一枚のガ
ラス基板等の上に集積化できるので、多数の素子を面状
に配列したものは文字表示パネルとして利用され、又一
次元的に配列して電子式印字装置の露光系として利用で
きる。これらの発光装置は薄型軽量に製造できて空間利
用率が高いこと、又可搬型装置への組み込みが容易であ
ること、にじみのない見易い表示が得られることなどの
多くの利点を有するため、近年非常に研究が進められて
いる("A 6" ×6" in 240 lpi electroluminescent dis
play panel", F.C. Luo, et al., IEEE TRANSACTIONS O
N ELECTRONDEVICES, VOL. ED-22 (1975) 739)。
【0003】このようなアクティブマトリックスEL発
光装置は図1に示す1ビットEL基本回路(以下、1ビ
ット回路という)の集合からなる。各1ビット回路はE
L素子CEL、a- Si:Hで形成されるスイッチング素
子QD 、駆動電源SおよびグラウンドGNDからなる直
列閉回路である。EL素子には振幅がEL発光素子の発
光しきい値電圧Vth(例えば160ボルト)より大きい
交流駆動電源Sから電圧Va (例えば190ボルト)
が印加されており、スイッチング素子QD がオン状態と
なり回路が閉じているときは駆動電源SによりEL素子
が発光する。このときのQD のドレイン電圧VD とドレ
イン電流ID は図2のVG (ON)曲線で示す一般的関
係を有する。EL素子駆動時のVD はVD <VDMの範囲
にある。ここにVDMはオン状態の素子QD が過負荷を受
けることなく作動できる最大定格電圧である。EL素子
にはVEL=Va ― VD が印加される。
光装置は図1に示す1ビットEL基本回路(以下、1ビ
ット回路という)の集合からなる。各1ビット回路はE
L素子CEL、a- Si:Hで形成されるスイッチング素
子QD 、駆動電源SおよびグラウンドGNDからなる直
列閉回路である。EL素子には振幅がEL発光素子の発
光しきい値電圧Vth(例えば160ボルト)より大きい
交流駆動電源Sから電圧Va (例えば190ボルト)
が印加されており、スイッチング素子QD がオン状態と
なり回路が閉じているときは駆動電源SによりEL素子
が発光する。このときのQD のドレイン電圧VD とドレ
イン電流ID は図2のVG (ON)曲線で示す一般的関
係を有する。EL素子駆動時のVD はVD <VDMの範囲
にある。ここにVDMはオン状態の素子QD が過負荷を受
けることなく作動できる最大定格電圧である。EL素子
にはVEL=Va ― VD が印加される。
【0004】印加電圧と発光輝度の具体的数量関係は個
々の発光素子により異なるが、一般的に図3に示すよう
な非線形の関係を有する。
々の発光素子により異なるが、一般的に図3に示すよう
な非線形の関係を有する。
【0005】スイッチング素子QD は薄膜トランジスタ
(以下、TFTという)で、この場合そのゲートGの電
圧VG を制御することによりオン/オフ制御される。す
なわち、ゲート電圧VG は接地されたコンデンサーCs
の非接地側の電極に接続されているので、VD はコンデ
ンサCsにかかる充電電圧に等しい。この充電電圧は信
号線からデータ信号DATA がコンデンサCsに入力され
たときの電位であり、高論理レベルのデータが入力され
たときは高電位(例えば15ボルト)であり、低論理レ
ベルの信号が入ると低電位(接地電位)となる。
(以下、TFTという)で、この場合そのゲートGの電
圧VG を制御することによりオン/オフ制御される。す
なわち、ゲート電圧VG は接地されたコンデンサーCs
の非接地側の電極に接続されているので、VD はコンデ
ンサCsにかかる充電電圧に等しい。この充電電圧は信
号線からデータ信号DATA がコンデンサCsに入力され
たときの電位であり、高論理レベルのデータが入力され
たときは高電位(例えば15ボルト)であり、低論理レ
ベルの信号が入ると低電位(接地電位)となる。
【0006】VG が高電位のときはドレイン電極の電位
が正電位および負電位のときスイッチング素子QD が導
通する。VG が低電位のときはドレイン電極の電位VD
が負のときのみ通電する。
が正電位および負電位のときスイッチング素子QD が導
通する。VG が低電位のときはドレイン電極の電位VD
が負のときのみ通電する。
【0007】データ信号の入出力、すなわち当該発光素
子を発光させるかいなかを表わすデータの書き込みは同
様のTFTのスイッチング素子Qwで行なわれる。すな
わちTFTのゲートに接続されたストローブ信号Stの
電位を所定しきい値以上にするとスイッチング素子Qw
が導通し、しきい値未満にすれば非導通状態となるの
で、スイッチング素子の導通時に高論理レベルのデータ
が入力されると高電位データが書き込まれ、低電位デー
タが書き込まれるとそれまで存在していた高論理データ
が消去される。
子を発光させるかいなかを表わすデータの書き込みは同
様のTFTのスイッチング素子Qwで行なわれる。すな
わちTFTのゲートに接続されたストローブ信号Stの
電位を所定しきい値以上にするとスイッチング素子Qw
が導通し、しきい値未満にすれば非導通状態となるの
で、スイッチング素子の導通時に高論理レベルのデータ
が入力されると高電位データが書き込まれ、低電位デー
タが書き込まれるとそれまで存在していた高論理データ
が消去される。
【0008】発光装置に組み込まれたこれらのEL素子
は、図7に示すように、共通の駆動電圧Vaが印加され
た状態で一定周期Tsのデータ信号DATAおよびストロー
ブ信号STROBEによって走査される。かくして各周期Ts
ごとに撰択されたEL素子のみが発光し、所望の発光パ
ターンを与える(図4参照)。
は、図7に示すように、共通の駆動電圧Vaが印加され
た状態で一定周期Tsのデータ信号DATAおよびストロー
ブ信号STROBEによって走査される。かくして各周期Ts
ごとに撰択されたEL素子のみが発光し、所望の発光パ
ターンを与える(図4参照)。
【0009】しかしながら、従来このような回路構成で
駆動されているEL素子にかかる駆動電圧は、ストロー
ブおよびデータ信号の入力と同期されていない。このた
めEL素子をオフ状態からオン状態にするときに以下の
問題が生ずる。説明の簡単のため、駆動電圧Vaは正弦
波を有し、オフ状態にあるEL素子CELに蓄積されてい
る電荷がゼロ、TFTのオフ時の電流は無視できるほど
小さいと仮定する。EL駆動用のスイッチング素子QD
がオフ状態であったときはその非接地側の電極(以下、
これをドレインと呼ぶ)の電位VD (OFF)が、駆動
電圧Vaが正のときは素子QD がオフなので、Vaと同
様に変化する(図5の時間TaからTcまでの期間)。
VaがゼロになるとVD もゼロに戻る。その後Vaが負
になると素子QD が導通するので、ドレイン電極の電位
はゼロに留まる。ただしこのときもEL素子は発光に必
要な電流が得られないからオフ状態にある。この状態は
駆動電圧VD (OFF)が減少する間続く(図5の時間
TcからTdまでの期間)。この期間においてはVaの
ピーク電圧の大きさをVpkとすると、EL素子CELは
容量性素子として存在しVpkに充電される。Vaが増
大し始めると、ドレイン電圧VD はVaに充電電圧Vp
kが重畳されたものとなり、Vaと共に増大し、Vaが
Vpkに達したときはVD =2Vpkとなる(図5のT
dからTfまでの期間)。以後、VD は0と2Vpkの
間で変化する。又仮にTaからTcの期間においてVa
が負極性であったとすると、VD の振舞いは上記のTc
以後のものと同じなる。(尚、この場合EL素子にはこ
のドレイン電圧と駆動電圧との間の差である一定電圧が
一方向に加わったままなので発光しない。)
駆動されているEL素子にかかる駆動電圧は、ストロー
ブおよびデータ信号の入力と同期されていない。このた
めEL素子をオフ状態からオン状態にするときに以下の
問題が生ずる。説明の簡単のため、駆動電圧Vaは正弦
波を有し、オフ状態にあるEL素子CELに蓄積されてい
る電荷がゼロ、TFTのオフ時の電流は無視できるほど
小さいと仮定する。EL駆動用のスイッチング素子QD
がオフ状態であったときはその非接地側の電極(以下、
これをドレインと呼ぶ)の電位VD (OFF)が、駆動
電圧Vaが正のときは素子QD がオフなので、Vaと同
様に変化する(図5の時間TaからTcまでの期間)。
VaがゼロになるとVD もゼロに戻る。その後Vaが負
になると素子QD が導通するので、ドレイン電極の電位
はゼロに留まる。ただしこのときもEL素子は発光に必
要な電流が得られないからオフ状態にある。この状態は
駆動電圧VD (OFF)が減少する間続く(図5の時間
TcからTdまでの期間)。この期間においてはVaの
ピーク電圧の大きさをVpkとすると、EL素子CELは
容量性素子として存在しVpkに充電される。Vaが増
大し始めると、ドレイン電圧VD はVaに充電電圧Vp
kが重畳されたものとなり、Vaと共に増大し、Vaが
Vpkに達したときはVD =2Vpkとなる(図5のT
dからTfまでの期間)。以後、VD は0と2Vpkの
間で変化する。又仮にTaからTcの期間においてVa
が負極性であったとすると、VD の振舞いは上記のTc
以後のものと同じなる。(尚、この場合EL素子にはこ
のドレイン電圧と駆動電圧との間の差である一定電圧が
一方向に加わったままなので発光しない。)
【0010】EL素子の初期電荷量が異なる場合はこの
電荷による電圧分だけ、上記のドレイン電圧から位相が
ずれる。
電荷による電圧分だけ、上記のドレイン電圧から位相が
ずれる。
【0011】このときのスイッチング素子QD における
ドレイン電圧とドレイン電流の関係は図2のVG (OF
F)曲線上、例えば点Aにあり、このときに素子QD が
オン状態になると同一ドレイン電圧下のVG (ON)曲
線上の点A’に遷移する。その結果、素子QDはオン状
態の定格値をはるかに超えた高電圧かつ高電流の負荷を
受けることとなる。これは素子QD に好ましからざるス
トレスを与えて劣化させ、場合によっては素子の破壊に
つながる。
ドレイン電圧とドレイン電流の関係は図2のVG (OF
F)曲線上、例えば点Aにあり、このときに素子QD が
オン状態になると同一ドレイン電圧下のVG (ON)曲
線上の点A’に遷移する。その結果、素子QDはオン状
態の定格値をはるかに超えた高電圧かつ高電流の負荷を
受けることとなる。これは素子QD に好ましからざるス
トレスを与えて劣化させ、場合によっては素子の破壊に
つながる。
【0012】素子QD が劣化するとそのVG (ON)曲
線は実線で示す本来の電流特性を失って破線で示す特性
に劣化する。このように素子QD の特性が劣化すると、
ドレイン電圧を初期設計電圧VDOに維持したのではドレ
イン電流は初期設計ドレイン電流IDOよりも相当に小さ
くなり、EL素子の駆動に必要なドレイン電流が得られ
ず、このため所定ドレイン電流を得るためには、IDOを
与えるドレイン電圧VD ’までドレイン電圧を上昇させ
て使用しなければならない。このことはそのドレイン電
圧上昇分だけEL素子にかかる印加電圧の降下を来たす
ことを意味する。すると図3に示したようにこの印加電
圧の降下に応じた発光輝度の低下が起こる。このような
発光輝度の低下があると発光装置の初期目的を達成する
ことができない。
線は実線で示す本来の電流特性を失って破線で示す特性
に劣化する。このように素子QD の特性が劣化すると、
ドレイン電圧を初期設計電圧VDOに維持したのではドレ
イン電流は初期設計ドレイン電流IDOよりも相当に小さ
くなり、EL素子の駆動に必要なドレイン電流が得られ
ず、このため所定ドレイン電流を得るためには、IDOを
与えるドレイン電圧VD ’までドレイン電圧を上昇させ
て使用しなければならない。このことはそのドレイン電
圧上昇分だけEL素子にかかる印加電圧の降下を来たす
ことを意味する。すると図3に示したようにこの印加電
圧の降下に応じた発光輝度の低下が起こる。このような
発光輝度の低下があると発光装置の初期目的を達成する
ことができない。
【0013】EL素子駆動電圧Vaとスイッチング素子
QD のオン/オフ動作が非同期的であると、さらにもう
一の不利益がある。すなわち各EL素子には不統一な印
加電圧がかかるから、多数のEL素子のうちのいくつか
が高電圧下に発光する一方、残りは低電圧下に発光し、
発光素子全体を均一に発光させることができない。
QD のオン/オフ動作が非同期的であると、さらにもう
一の不利益がある。すなわち各EL素子には不統一な印
加電圧がかかるから、多数のEL素子のうちのいくつか
が高電圧下に発光する一方、残りは低電圧下に発光し、
発光素子全体を均一に発光させることができない。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題に鑑
みてなされたものであって、EL素子の駆動電圧とEL
素子スイッチング素子の非同期性に基づくスイッチング
素子への過大なストレスを回避し発光装置の劣化を防止
することを目的とする。
みてなされたものであって、EL素子の駆動電圧とEL
素子スイッチング素子の非同期性に基づくスイッチング
素子への過大なストレスを回避し発光装置の劣化を防止
することを目的とする。
【0015】又、上記非同期性のあるために多数のEL
素子の発光輝度が不統一になることを回避し、すべての
EL素子についてほぼ一様な輝度が得られる発光装置を
与えることを目的とする。
素子の発光輝度が不統一になることを回避し、すべての
EL素子についてほぼ一様な輝度が得られる発光装置を
与えることを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、EL素子のオン・オフを司るTFTスイッチ
をオフからオンの状態にするときはそのドレイン電圧V
D がオン時の最大定格電圧VDMを超えないように行なう
方法を与える。具体的にはEL素子の発光/非発光を定
める信号とEL素子駆動電圧とを適切に同期化すること
により、TFTオフ時のドレイン電圧を上記最大定格電
圧以下にしたうえでEL駆動電圧Vaを印加する方法を
与える。
するため、EL素子のオン・オフを司るTFTスイッチ
をオフからオンの状態にするときはそのドレイン電圧V
D がオン時の最大定格電圧VDMを超えないように行なう
方法を与える。具体的にはEL素子の発光/非発光を定
める信号とEL素子駆動電圧とを適切に同期化すること
により、TFTオフ時のドレイン電圧を上記最大定格電
圧以下にしたうえでEL駆動電圧Vaを印加する方法を
与える。
【0017】
【実施例】図6を用いて本発明の一実施例を説明する。
図6は本発明による駆動電圧と発光/非発光信号(以
下、データ信号という)のタイミングチャートである。
図6は本発明による駆動電圧と発光/非発光信号(以
下、データ信号という)のタイミングチャートである。
【0018】この図から理解されるように、ある整数m
個にブロック化した1ビット回路に、順次にn個のデー
タ信号DATA1、DATA2、・・・、DATAnが一定の間隔T
mをおいて送られ、相応のストローブ信号(継続時間T
w)により各データ保持用コンデンサCs(図1)に書
き込まれる。すべての1ビット回路を走査するには走査
時間Tsがかかる。図7においてすべてのブロックに書
き込みが行なわれた後の期間tは走査を最初の1ビット
回路1に戻すための時間であり、所謂ELバー等では必
要でない。
個にブロック化した1ビット回路に、順次にn個のデー
タ信号DATA1、DATA2、・・・、DATAnが一定の間隔T
mをおいて送られ、相応のストローブ信号(継続時間T
w)により各データ保持用コンデンサCs(図1)に書
き込まれる。すべての1ビット回路を走査するには走査
時間Tsがかかる。図7においてすべてのブロックに書
き込みが行なわれた後の期間tは走査を最初の1ビット
回路1に戻すための時間であり、所謂ELバー等では必
要でない。
【0019】各EL素子には駆動電圧が印加されるが、
EL素子がオフ状態のときはそのドレイン電圧をオン時
定格最大電圧VDM未満にしておく。このためのもっとも
簡単な方法は、EL素子にデータ信号が書き込まれると
きは上記駆動電圧Vaをゼロボルトにしておくこと、例
えば適当なタイミング回路により書き込み期間中、EL
素子の駆動を止め、その電源側を接地することである。
EL素子がオフ状態のときはそのドレイン電圧をオン時
定格最大電圧VDM未満にしておく。このためのもっとも
簡単な方法は、EL素子にデータ信号が書き込まれると
きは上記駆動電圧Vaをゼロボルトにしておくこと、例
えば適当なタイミング回路により書き込み期間中、EL
素子の駆動を止め、その電源側を接地することである。
【0020】EL素子駆動には通常、共通駆動電源を用
いる。従ってシリアルデータ信号によりEL発光装置を
制御するときは1個のブロック(例えば最初のブロッ
ク)への書き込み期間が終了して次のブロック(この場
合第2のブロック)に書き込みが始まるまでの上記期間
Tmの間、駆動電圧Vaが印加される。このTmの期
間、オン状態に指定されたEL素子のみが発光する。期
間Tmの終了後、駆動電圧Vaは再びゼロに戻され、第
2のブロックについて上記の書き込みと駆動電圧の印加
が反復される。このようにして各ブロックについて同様
の過程が反復され、一回目の走査が終了する。
いる。従ってシリアルデータ信号によりEL発光装置を
制御するときは1個のブロック(例えば最初のブロッ
ク)への書き込み期間が終了して次のブロック(この場
合第2のブロック)に書き込みが始まるまでの上記期間
Tmの間、駆動電圧Vaが印加される。このTmの期
間、オン状態に指定されたEL素子のみが発光する。期
間Tmの終了後、駆動電圧Vaは再びゼロに戻され、第
2のブロックについて上記の書き込みと駆動電圧の印加
が反復される。このようにして各ブロックについて同様
の過程が反復され、一回目の走査が終了する。
【0021】尚、共通駆動電圧で各EL素子を駆動する
場合にドレイン電圧の位相が異なることがありうる。こ
れは、スイッチング素子がオフ時のドレイン電圧とEL
素子への印加電圧との関係において前述したように、同
一の駆動電圧Vaの下でもスイッチング素子がオン状態
からオフ状態になったときのEL素子の帯電電荷量によ
りドレイン電圧の位相が定まるからである。ドレイン電
圧の位相が異なると各EL素子の発光輝度がそろわない
こととなる。それゆえ発光輝度をそろえるためには、オ
フ時のドレイン電圧の位相をそろえる必要がある。EL
発光装置の電源投入時においてドレイン電圧をそろえる
には、例えば第一走査期間は駆動電圧をゼロにしてお
き、各位EL素子にオフ信号を書き込む初期化を行なえ
ばよい。すぐ上に述べた図6の駆動方法、すなわち、各
データ信号書き込み期間は駆動電圧をゼロにしておく方
法は、各駆動電圧印加前のドレイン電圧の位相をそろえ
るにも都合がよいことに注目されたい。
場合にドレイン電圧の位相が異なることがありうる。こ
れは、スイッチング素子がオフ時のドレイン電圧とEL
素子への印加電圧との関係において前述したように、同
一の駆動電圧Vaの下でもスイッチング素子がオン状態
からオフ状態になったときのEL素子の帯電電荷量によ
りドレイン電圧の位相が定まるからである。ドレイン電
圧の位相が異なると各EL素子の発光輝度がそろわない
こととなる。それゆえ発光輝度をそろえるためには、オ
フ時のドレイン電圧の位相をそろえる必要がある。EL
発光装置の電源投入時においてドレイン電圧をそろえる
には、例えば第一走査期間は駆動電圧をゼロにしてお
き、各位EL素子にオフ信号を書き込む初期化を行なえ
ばよい。すぐ上に述べた図6の駆動方法、すなわち、各
データ信号書き込み期間は駆動電圧をゼロにしておく方
法は、各駆動電圧印加前のドレイン電圧の位相をそろえ
るにも都合がよいことに注目されたい。
【0022】共通駆動電圧Vaは任意の波形で良いが図
6には正弦波で駆動する場合と矩形波で駆動する場合の
タイミングを例示する。このように所望のタイミングを
取って周期的にパルスを印加する方法は本技術分野で良
く知られているのでこれ以上述べない。
6には正弦波で駆動する場合と矩形波で駆動する場合の
タイミングを例示する。このように所望のタイミングを
取って周期的にパルスを印加する方法は本技術分野で良
く知られているのでこれ以上述べない。
【0023】上の例では各1ビット回路に対するデータ
書き込みがシリアルデータ信号である場合を例示した
が、データ信号がパラレルであって同時に各1ビット回
路に書き込みが行なわれる場合も、当該書き込み期間中
は駆動電圧をゼロにしておけば、TFTのオンと駆動電
圧との間の上記の同期性が得られることは明らかであろ
う。
書き込みがシリアルデータ信号である場合を例示した
が、データ信号がパラレルであって同時に各1ビット回
路に書き込みが行なわれる場合も、当該書き込み期間中
は駆動電圧をゼロにしておけば、TFTのオンと駆動電
圧との間の上記の同期性が得られることは明らかであろ
う。
【0024】又発光表示板のように発光素子が複数のブ
ロックないし走査線に分けられ、ブロックないし走査線
ごとにデータの書き込み、駆動が行われる場合は、少な
くとも各ブロックごとに上記位相合わせを行なえばよ
い。又電力投入時の初期化は電力投入後の第1フレーム
(1フレームとは全ブロックの走査に必要な信号区間)
に行なってもよい。
ロックないし走査線に分けられ、ブロックないし走査線
ごとにデータの書き込み、駆動が行われる場合は、少な
くとも各ブロックごとに上記位相合わせを行なえばよ
い。又電力投入時の初期化は電力投入後の第1フレーム
(1フレームとは全ブロックの走査に必要な信号区間)
に行なってもよい。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように、本発明はEL発光
素子の発光を制御する薄膜トランジスタスイッチング素
子のオンとオフのスイッチングに対してEL素子駆動電
圧の位相を制御して印加することにより該薄膜トランジ
スタスイッチング素子のドレイン電圧が常にそのオン状
態時の最大定格電圧未満となるように該駆動電圧を印加
するようにしたので、スイッチング素子に過大なストレ
スを与えることがない。従ってこのような駆動方法を用
いたEL発光装置の所定発光輝度の維持、装置の耐久性
を高めることができる。
素子の発光を制御する薄膜トランジスタスイッチング素
子のオンとオフのスイッチングに対してEL素子駆動電
圧の位相を制御して印加することにより該薄膜トランジ
スタスイッチング素子のドレイン電圧が常にそのオン状
態時の最大定格電圧未満となるように該駆動電圧を印加
するようにしたので、スイッチング素子に過大なストレ
スを与えることがない。従ってこのような駆動方法を用
いたEL発光装置の所定発光輝度の維持、装置の耐久性
を高めることができる。
【0026】又、以上のように発光素子が駆動される結
果、不必要な電力が該スイッチング素子等に消費される
ことがなく、無用の発熱や無駄な電力の消費が回避でき
る。さらに又、すべてのEL発光素子に同一条件の印加
電圧を加えることができるので、発光素子間における輝
度のバラツキがない表示パネルやELイメージバーとう
の発光装置が実現できる。
果、不必要な電力が該スイッチング素子等に消費される
ことがなく、無用の発熱や無駄な電力の消費が回避でき
る。さらに又、すべてのEL発光素子に同一条件の印加
電圧を加えることができるので、発光素子間における輝
度のバラツキがない表示パネルやELイメージバーとう
の発光装置が実現できる。
【図1】図1はEL発光素子を含む1ビット回路の回路
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図2】図2は薄膜TFTのドレイン電流・電圧特性を
示す図である。
示す図である。
【図3】図3はELの輝度と印加電圧との関係を示す図
である。
である。
【図4】図4は従来技術に基づいて図1の1ビット回路
を駆動するときのデータ信号、ストローブ信号、および
駆動電圧のタイミングチャートである。
を駆動するときのデータ信号、ストローブ信号、および
駆動電圧のタイミングチャートである。
【図5】図5は図1の1ビット回路をを駆動するときの
駆動電圧の変化に対するドレイン電圧の振舞いを示す図
である。
駆動電圧の変化に対するドレイン電圧の振舞いを示す図
である。
【図6】図6は本発明にに基づいて図1の1ビット回路
を複数含んだ発光装置を駆動するときの駆動タイミング
チャートである。
を複数含んだ発光装置を駆動するときの駆動タイミング
チャートである。
【図7】図7は従来技術に基づいて図1の1ビット回路
を複数含んだ発光装置を駆動するときの駆動タイミング
チャートである。
を複数含んだ発光装置を駆動するときの駆動タイミング
チャートである。
CEL EL素子 S EL
素子駆動電源 QD EL素子駆動用TFT Qw デー
タ書き込み用TFT Cs データ保持用コンデンサ DATA デ
ータ信号 STROBE ストローブ信号 VaEL素子
駆動印加電圧 VD TFTドレイン電圧
素子駆動電源 QD EL素子駆動用TFT Qw デー
タ書き込み用TFT Cs データ保持用コンデンサ DATA デ
ータ信号 STROBE ストローブ信号 VaEL素子
駆動印加電圧 VD TFTドレイン電圧
Claims (1)
- 【請求項1】 駆動電源によって駆動する少なくとも1
個以上のEL発光素子の発光を薄膜トランジスタスイッ
チング素子のオン状態とオフ状態のスイッチングにより
制御する薄膜EL発光装置の駆動方法において、該薄膜
トランジスタスイッチング素子のスイッチングに対して
該駆動電源の電圧を位相制御することにより該薄膜トラ
ンジスタスイッチング素子のドレイン電圧がそのオン状
態時の最大定格電圧未満となるように該駆動電圧を印加
することを特徴とする薄膜EL発光装置駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3124542A JP2844957B2 (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 薄膜el発光装置の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3124542A JP2844957B2 (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 薄膜el発光装置の駆動方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04328792A JPH04328792A (ja) | 1992-11-17 |
JP2844957B2 true JP2844957B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=14888059
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3124542A Expired - Fee Related JP2844957B2 (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 薄膜el発光装置の駆動方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2844957B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW591584B (en) * | 1999-10-21 | 2004-06-11 | Semiconductor Energy Lab | Active matrix type display device |
-
1991
- 1991-04-30 JP JP3124542A patent/JP2844957B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04328792A (ja) | 1992-11-17 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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