JP2844957B2 - 薄膜ｅｌ発光装置の駆動方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ発光装置の駆動方法Info
- Publication number
- JP2844957B2 JP2844957B2 JP3124542A JP12454291A JP2844957B2 JP 2844957 B2 JP2844957 B2 JP 2844957B2 JP 3124542 A JP3124542 A JP 3124542A JP 12454291 A JP12454291 A JP 12454291A JP 2844957 B2 JP2844957 B2 JP 2844957B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- driving
- light emitting
- emitting device
- drain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
- Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブＥＬ発光装
置、例えばアクティブマトリックスにしたＥＬ表示装
置、あるいはパネル電子式印字装置の露光系に用いられ
るＥＬイメージバー等の駆動方法に関する。
置、例えばアクティブマトリックスにしたＥＬ表示装
置、あるいはパネル電子式印字装置の露光系に用いられ
るＥＬイメージバー等の駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＥＬ発光装置は１個以上のエレクトロル
ミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子と言う）を一定の順
序で電気的に刺激し、所望の光学信号を発生させる発光
装置である。アクティブＥＬ素子は高い精度で一枚のガ
ラス基板等の上に集積化できるので、多数の素子を面状
に配列したものは文字表示パネルとして利用され、又一
次元的に配列して電子式印字装置の露光系として利用で
きる。これらの発光装置は薄型軽量に製造できて空間利
用率が高いこと、又可搬型装置への組み込みが容易であ
ること、にじみのない見易い表示が得られることなどの
多くの利点を有するため、近年非常に研究が進められて
いる（"A 6" ×6" in 240 lpi electroluminescent dis
play panel", F.C. Luo, et al., IEEE TRANSACTIONS O
N ELECTRONDEVICES, VOL. ED-22 (1975) 739)。
ミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子と言う）を一定の順
序で電気的に刺激し、所望の光学信号を発生させる発光
装置である。アクティブＥＬ素子は高い精度で一枚のガ
ラス基板等の上に集積化できるので、多数の素子を面状
に配列したものは文字表示パネルとして利用され、又一
次元的に配列して電子式印字装置の露光系として利用で
きる。これらの発光装置は薄型軽量に製造できて空間利
用率が高いこと、又可搬型装置への組み込みが容易であ
ること、にじみのない見易い表示が得られることなどの
多くの利点を有するため、近年非常に研究が進められて
いる（"A 6" ×6" in 240 lpi electroluminescent dis
play panel", F.C. Luo, et al., IEEE TRANSACTIONS O
N ELECTRONDEVICES, VOL. ED-22 (1975) 739)。
【０００３】このようなアクティブマトリックスＥＬ発
光装置は図１に示す１ビットＥＬ基本回路（以下、１ビ
ット回路という）の集合からなる。各１ビット回路はＥ
Ｌ素子ＣEL、ａ- Ｓｉ：Ｈで形成されるスイッチング素
子ＱD 、駆動電源ＳおよびグラウンドＧＮＤからなる直
列閉回路である。ＥＬ素子には振幅がＥＬ発光素子の発
光しきい値電圧Ｖth（例えば１６０ボルト）より大きい
交流駆動電源Ｓから電圧Ｖa （例えば１９０ボルト）
が印加されており、スイッチング素子ＱD がオン状態と
なり回路が閉じているときは駆動電源ＳによりＥＬ素子
が発光する。このときのＱD のドレイン電圧ＶD とドレ
イン電流ＩD は図２のＶG （ＯＮ）曲線で示す一般的関
係を有する。ＥＬ素子駆動時のＶD はＶD ＜ＶDMの範囲
にある。ここにＶDMはオン状態の素子ＱD が過負荷を受
けることなく作動できる最大定格電圧である。ＥＬ素子
にはＶEL＝Ｖａ ― ＶD が印加される。
光装置は図１に示す１ビットＥＬ基本回路（以下、１ビ
ット回路という）の集合からなる。各１ビット回路はＥ
Ｌ素子ＣEL、ａ- Ｓｉ：Ｈで形成されるスイッチング素
子ＱD 、駆動電源ＳおよびグラウンドＧＮＤからなる直
列閉回路である。ＥＬ素子には振幅がＥＬ発光素子の発
光しきい値電圧Ｖth（例えば１６０ボルト）より大きい
交流駆動電源Ｓから電圧Ｖa （例えば１９０ボルト）
が印加されており、スイッチング素子ＱD がオン状態と
なり回路が閉じているときは駆動電源ＳによりＥＬ素子
が発光する。このときのＱD のドレイン電圧ＶD とドレ
イン電流ＩD は図２のＶG （ＯＮ）曲線で示す一般的関
係を有する。ＥＬ素子駆動時のＶD はＶD ＜ＶDMの範囲
にある。ここにＶDMはオン状態の素子ＱD が過負荷を受
けることなく作動できる最大定格電圧である。ＥＬ素子
にはＶEL＝Ｖａ ― ＶD が印加される。
【０００４】印加電圧と発光輝度の具体的数量関係は個
々の発光素子により異なるが、一般的に図３に示すよう
な非線形の関係を有する。
々の発光素子により異なるが、一般的に図３に示すよう
な非線形の関係を有する。
【０００５】スイッチング素子ＱD は薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴという）で、この場合そのゲートＧの電
圧ＶG を制御することによりオン／オフ制御される。す
なわち、ゲート電圧ＶG は接地されたコンデンサーＣｓ
の非接地側の電極に接続されているので、ＶD はコンデ
ンサＣｓにかかる充電電圧に等しい。この充電電圧は信
号線からデータ信号DATA がコンデンサＣｓに入力され
たときの電位であり、高論理レベルのデータが入力され
たときは高電位（例えば１５ボルト）であり、低論理レ
ベルの信号が入ると低電位（接地電位）となる。
（以下、ＴＦＴという）で、この場合そのゲートＧの電
圧ＶG を制御することによりオン／オフ制御される。す
なわち、ゲート電圧ＶG は接地されたコンデンサーＣｓ
の非接地側の電極に接続されているので、ＶD はコンデ
ンサＣｓにかかる充電電圧に等しい。この充電電圧は信
号線からデータ信号DATA がコンデンサＣｓに入力され
たときの電位であり、高論理レベルのデータが入力され
たときは高電位（例えば１５ボルト）であり、低論理レ
ベルの信号が入ると低電位（接地電位）となる。
【０００６】ＶG が高電位のときはドレイン電極の電位
が正電位および負電位のときスイッチング素子ＱD が導
通する。ＶG が低電位のときはドレイン電極の電位ＶD
が負のときのみ通電する。
が正電位および負電位のときスイッチング素子ＱD が導
通する。ＶG が低電位のときはドレイン電極の電位ＶD
が負のときのみ通電する。
【０００７】データ信号の入出力、すなわち当該発光素
子を発光させるかいなかを表わすデータの書き込みは同
様のＴＦＴのスイッチング素子Ｑｗで行なわれる。すな
わちＴＦＴのゲートに接続されたストローブ信号Ｓｔの
電位を所定しきい値以上にするとスイッチング素子Ｑｗ
が導通し、しきい値未満にすれば非導通状態となるの
で、スイッチング素子の導通時に高論理レベルのデータ
が入力されると高電位データが書き込まれ、低電位デー
タが書き込まれるとそれまで存在していた高論理データ
が消去される。
子を発光させるかいなかを表わすデータの書き込みは同
様のＴＦＴのスイッチング素子Ｑｗで行なわれる。すな
わちＴＦＴのゲートに接続されたストローブ信号Ｓｔの
電位を所定しきい値以上にするとスイッチング素子Ｑｗ
が導通し、しきい値未満にすれば非導通状態となるの
で、スイッチング素子の導通時に高論理レベルのデータ
が入力されると高電位データが書き込まれ、低電位デー
タが書き込まれるとそれまで存在していた高論理データ
が消去される。
【０００８】発光装置に組み込まれたこれらのＥＬ素子
は、図７に示すように、共通の駆動電圧Ｖａが印加され
た状態で一定周期Ｔｓのデータ信号DATAおよびストロー
ブ信号STROBEによって走査される。かくして各周期Ｔｓ
ごとに撰択されたＥＬ素子のみが発光し、所望の発光パ
ターンを与える（図４参照）。
は、図７に示すように、共通の駆動電圧Ｖａが印加され
た状態で一定周期Ｔｓのデータ信号DATAおよびストロー
ブ信号STROBEによって走査される。かくして各周期Ｔｓ
ごとに撰択されたＥＬ素子のみが発光し、所望の発光パ
ターンを与える（図４参照）。
【０００９】しかしながら、従来このような回路構成で
駆動されているＥＬ素子にかかる駆動電圧は、ストロー
ブおよびデータ信号の入力と同期されていない。このた
めＥＬ素子をオフ状態からオン状態にするときに以下の
問題が生ずる。説明の簡単のため、駆動電圧Ｖａは正弦
波を有し、オフ状態にあるＥＬ素子ＣELに蓄積されてい
る電荷がゼロ、ＴＦＴのオフ時の電流は無視できるほど
小さいと仮定する。ＥＬ駆動用のスイッチング素子ＱD
がオフ状態であったときはその非接地側の電極（以下、
これをドレインと呼ぶ）の電位ＶD （ＯＦＦ）が、駆動
電圧Ｖａが正のときは素子ＱD がオフなので、Ｖａと同
様に変化する（図５の時間ＴａからＴｃまでの期間）。
ＶａがゼロになるとＶD もゼロに戻る。その後Ｖａが負
になると素子ＱD が導通するので、ドレイン電極の電位
はゼロに留まる。ただしこのときもＥＬ素子は発光に必
要な電流が得られないからオフ状態にある。この状態は
駆動電圧ＶD （ＯＦＦ）が減少する間続く（図５の時間
ＴｃからＴｄまでの期間）。この期間においてはＶａの
ピーク電圧の大きさをＶｐｋとすると、ＥＬ素子ＣELは
容量性素子として存在しＶｐｋに充電される。Ｖａが増
大し始めると、ドレイン電圧ＶD はＶａに充電電圧Ｖｐ
ｋが重畳されたものとなり、Ｖａと共に増大し、Ｖａが
Ｖｐｋに達したときはＶD ＝２Ｖｐｋとなる（図５のＴ
ｄからＴｆまでの期間）。以後、ＶD は０と２Ｖｐｋの
間で変化する。又仮にＴａからＴｃの期間においてＶａ
が負極性であったとすると、ＶD の振舞いは上記のＴｃ
以後のものと同じなる。（尚、この場合ＥＬ素子にはこ
のドレイン電圧と駆動電圧との間の差である一定電圧が
一方向に加わったままなので発光しない。）
駆動されているＥＬ素子にかかる駆動電圧は、ストロー
ブおよびデータ信号の入力と同期されていない。このた
めＥＬ素子をオフ状態からオン状態にするときに以下の
問題が生ずる。説明の簡単のため、駆動電圧Ｖａは正弦
波を有し、オフ状態にあるＥＬ素子ＣELに蓄積されてい
る電荷がゼロ、ＴＦＴのオフ時の電流は無視できるほど
小さいと仮定する。ＥＬ駆動用のスイッチング素子ＱD
がオフ状態であったときはその非接地側の電極（以下、
これをドレインと呼ぶ）の電位ＶD （ＯＦＦ）が、駆動
電圧Ｖａが正のときは素子ＱD がオフなので、Ｖａと同
様に変化する（図５の時間ＴａからＴｃまでの期間）。
ＶａがゼロになるとＶD もゼロに戻る。その後Ｖａが負
になると素子ＱD が導通するので、ドレイン電極の電位
はゼロに留まる。ただしこのときもＥＬ素子は発光に必
要な電流が得られないからオフ状態にある。この状態は
駆動電圧ＶD （ＯＦＦ）が減少する間続く（図５の時間
ＴｃからＴｄまでの期間）。この期間においてはＶａの
ピーク電圧の大きさをＶｐｋとすると、ＥＬ素子ＣELは
容量性素子として存在しＶｐｋに充電される。Ｖａが増
大し始めると、ドレイン電圧ＶD はＶａに充電電圧Ｖｐ
ｋが重畳されたものとなり、Ｖａと共に増大し、Ｖａが
Ｖｐｋに達したときはＶD ＝２Ｖｐｋとなる（図５のＴ
ｄからＴｆまでの期間）。以後、ＶD は０と２Ｖｐｋの
間で変化する。又仮にＴａからＴｃの期間においてＶａ
が負極性であったとすると、ＶD の振舞いは上記のＴｃ
以後のものと同じなる。（尚、この場合ＥＬ素子にはこ
のドレイン電圧と駆動電圧との間の差である一定電圧が
一方向に加わったままなので発光しない。）
【００１０】ＥＬ素子の初期電荷量が異なる場合はこの
電荷による電圧分だけ、上記のドレイン電圧から位相が
ずれる。
電荷による電圧分だけ、上記のドレイン電圧から位相が
ずれる。
【００１１】このときのスイッチング素子ＱD における
ドレイン電圧とドレイン電流の関係は図２のＶG （ＯＦ
Ｆ）曲線上、例えば点Ａにあり、このときに素子ＱD が
オン状態になると同一ドレイン電圧下のＶG （ＯＮ）曲
線上の点Ａ’に遷移する。その結果、素子ＱDはオン状
態の定格値をはるかに超えた高電圧かつ高電流の負荷を
受けることとなる。これは素子ＱD に好ましからざるス
トレスを与えて劣化させ、場合によっては素子の破壊に
つながる。
ドレイン電圧とドレイン電流の関係は図２のＶG （ＯＦ
Ｆ）曲線上、例えば点Ａにあり、このときに素子ＱD が
オン状態になると同一ドレイン電圧下のＶG （ＯＮ）曲
線上の点Ａ’に遷移する。その結果、素子ＱDはオン状
態の定格値をはるかに超えた高電圧かつ高電流の負荷を
受けることとなる。これは素子ＱD に好ましからざるス
トレスを与えて劣化させ、場合によっては素子の破壊に
つながる。
【００１２】素子ＱD が劣化するとそのＶG （ＯＮ）曲
線は実線で示す本来の電流特性を失って破線で示す特性
に劣化する。このように素子ＱD の特性が劣化すると、
ドレイン電圧を初期設計電圧ＶDOに維持したのではドレ
イン電流は初期設計ドレイン電流ＩDOよりも相当に小さ
くなり、ＥＬ素子の駆動に必要なドレイン電流が得られ
ず、このため所定ドレイン電流を得るためには、ＩDOを
与えるドレイン電圧ＶD ’までドレイン電圧を上昇させ
て使用しなければならない。このことはそのドレイン電
圧上昇分だけＥＬ素子にかかる印加電圧の降下を来たす
ことを意味する。すると図３に示したようにこの印加電
圧の降下に応じた発光輝度の低下が起こる。このような
発光輝度の低下があると発光装置の初期目的を達成する
ことができない。
線は実線で示す本来の電流特性を失って破線で示す特性
に劣化する。このように素子ＱD の特性が劣化すると、
ドレイン電圧を初期設計電圧ＶDOに維持したのではドレ
イン電流は初期設計ドレイン電流ＩDOよりも相当に小さ
くなり、ＥＬ素子の駆動に必要なドレイン電流が得られ
ず、このため所定ドレイン電流を得るためには、ＩDOを
与えるドレイン電圧ＶD ’までドレイン電圧を上昇させ
て使用しなければならない。このことはそのドレイン電
圧上昇分だけＥＬ素子にかかる印加電圧の降下を来たす
ことを意味する。すると図３に示したようにこの印加電
圧の降下に応じた発光輝度の低下が起こる。このような
発光輝度の低下があると発光装置の初期目的を達成する
ことができない。
【００１３】ＥＬ素子駆動電圧Ｖａとスイッチング素子
ＱD のオン／オフ動作が非同期的であると、さらにもう
一の不利益がある。すなわち各ＥＬ素子には不統一な印
加電圧がかかるから、多数のＥＬ素子のうちのいくつか
が高電圧下に発光する一方、残りは低電圧下に発光し、
発光素子全体を均一に発光させることができない。
ＱD のオン／オフ動作が非同期的であると、さらにもう
一の不利益がある。すなわち各ＥＬ素子には不統一な印
加電圧がかかるから、多数のＥＬ素子のうちのいくつか
が高電圧下に発光する一方、残りは低電圧下に発光し、
発光素子全体を均一に発光させることができない。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題に鑑
みてなされたものであって、ＥＬ素子の駆動電圧とＥＬ
素子スイッチング素子の非同期性に基づくスイッチング
素子への過大なストレスを回避し発光装置の劣化を防止
することを目的とする。
みてなされたものであって、ＥＬ素子の駆動電圧とＥＬ
素子スイッチング素子の非同期性に基づくスイッチング
素子への過大なストレスを回避し発光装置の劣化を防止
することを目的とする。
【００１５】又、上記非同期性のあるために多数のＥＬ
素子の発光輝度が不統一になることを回避し、すべての
ＥＬ素子についてほぼ一様な輝度が得られる発光装置を
与えることを目的とする。
素子の発光輝度が不統一になることを回避し、すべての
ＥＬ素子についてほぼ一様な輝度が得られる発光装置を
与えることを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、ＥＬ素子のオン・オフを司るＴＦＴスイッチ
をオフからオンの状態にするときはそのドレイン電圧Ｖ
D がオン時の最大定格電圧ＶDMを超えないように行なう
方法を与える。具体的にはＥＬ素子の発光／非発光を定
める信号とＥＬ素子駆動電圧とを適切に同期化すること
により、ＴＦＴオフ時のドレイン電圧を上記最大定格電
圧以下にしたうえでＥＬ駆動電圧Ｖａを印加する方法を
与える。
するため、ＥＬ素子のオン・オフを司るＴＦＴスイッチ
をオフからオンの状態にするときはそのドレイン電圧Ｖ
D がオン時の最大定格電圧ＶDMを超えないように行なう
方法を与える。具体的にはＥＬ素子の発光／非発光を定
める信号とＥＬ素子駆動電圧とを適切に同期化すること
により、ＴＦＴオフ時のドレイン電圧を上記最大定格電
圧以下にしたうえでＥＬ駆動電圧Ｖａを印加する方法を
与える。
【００１７】
【実施例】図６を用いて本発明の一実施例を説明する。
図６は本発明による駆動電圧と発光／非発光信号（以
下、データ信号という）のタイミングチャートである。
図６は本発明による駆動電圧と発光／非発光信号（以
下、データ信号という）のタイミングチャートである。
【００１８】この図から理解されるように、ある整数ｍ
個にブロック化した１ビット回路に、順次にｎ個のデー
タ信号DATA１、DATA２、・・・、DATAｎが一定の間隔Ｔ
ｍをおいて送られ、相応のストローブ信号（継続時間Ｔ
ｗ）により各データ保持用コンデンサＣｓ（図１）に書
き込まれる。すべての１ビット回路を走査するには走査
時間Ｔｓがかかる。図７においてすべてのブロックに書
き込みが行なわれた後の期間ｔは走査を最初の１ビット
回路１に戻すための時間であり、所謂ＥＬバー等では必
要でない。
個にブロック化した１ビット回路に、順次にｎ個のデー
タ信号DATA１、DATA２、・・・、DATAｎが一定の間隔Ｔ
ｍをおいて送られ、相応のストローブ信号（継続時間Ｔ
ｗ）により各データ保持用コンデンサＣｓ（図１）に書
き込まれる。すべての１ビット回路を走査するには走査
時間Ｔｓがかかる。図７においてすべてのブロックに書
き込みが行なわれた後の期間ｔは走査を最初の１ビット
回路１に戻すための時間であり、所謂ＥＬバー等では必
要でない。
【００１９】各ＥＬ素子には駆動電圧が印加されるが、
ＥＬ素子がオフ状態のときはそのドレイン電圧をオン時
定格最大電圧ＶDM未満にしておく。このためのもっとも
簡単な方法は、ＥＬ素子にデータ信号が書き込まれると
きは上記駆動電圧Ｖａをゼロボルトにしておくこと、例
えば適当なタイミング回路により書き込み期間中、ＥＬ
素子の駆動を止め、その電源側を接地することである。
ＥＬ素子がオフ状態のときはそのドレイン電圧をオン時
定格最大電圧ＶDM未満にしておく。このためのもっとも
簡単な方法は、ＥＬ素子にデータ信号が書き込まれると
きは上記駆動電圧Ｖａをゼロボルトにしておくこと、例
えば適当なタイミング回路により書き込み期間中、ＥＬ
素子の駆動を止め、その電源側を接地することである。
【００２０】ＥＬ素子駆動には通常、共通駆動電源を用
いる。従ってシリアルデータ信号によりＥＬ発光装置を
制御するときは１個のブロック（例えば最初のブロッ
ク）への書き込み期間が終了して次のブロック（この場
合第２のブロック）に書き込みが始まるまでの上記期間
Ｔｍの間、駆動電圧Ｖａが印加される。このＴｍの期
間、オン状態に指定されたＥＬ素子のみが発光する。期
間Ｔｍの終了後、駆動電圧Ｖａは再びゼロに戻され、第
２のブロックについて上記の書き込みと駆動電圧の印加
が反復される。このようにして各ブロックについて同様
の過程が反復され、一回目の走査が終了する。
いる。従ってシリアルデータ信号によりＥＬ発光装置を
制御するときは１個のブロック（例えば最初のブロッ
ク）への書き込み期間が終了して次のブロック（この場
合第２のブロック）に書き込みが始まるまでの上記期間
Ｔｍの間、駆動電圧Ｖａが印加される。このＴｍの期
間、オン状態に指定されたＥＬ素子のみが発光する。期
間Ｔｍの終了後、駆動電圧Ｖａは再びゼロに戻され、第
２のブロックについて上記の書き込みと駆動電圧の印加
が反復される。このようにして各ブロックについて同様
の過程が反復され、一回目の走査が終了する。
【００２１】尚、共通駆動電圧で各ＥＬ素子を駆動する
場合にドレイン電圧の位相が異なることがありうる。こ
れは、スイッチング素子がオフ時のドレイン電圧とＥＬ
素子への印加電圧との関係において前述したように、同
一の駆動電圧Ｖａの下でもスイッチング素子がオン状態
からオフ状態になったときのＥＬ素子の帯電電荷量によ
りドレイン電圧の位相が定まるからである。ドレイン電
圧の位相が異なると各ＥＬ素子の発光輝度がそろわない
こととなる。それゆえ発光輝度をそろえるためには、オ
フ時のドレイン電圧の位相をそろえる必要がある。ＥＬ
発光装置の電源投入時においてドレイン電圧をそろえる
には、例えば第一走査期間は駆動電圧をゼロにしてお
き、各位ＥＬ素子にオフ信号を書き込む初期化を行なえ
ばよい。すぐ上に述べた図６の駆動方法、すなわち、各
データ信号書き込み期間は駆動電圧をゼロにしておく方
法は、各駆動電圧印加前のドレイン電圧の位相をそろえ
るにも都合がよいことに注目されたい。
場合にドレイン電圧の位相が異なることがありうる。こ
れは、スイッチング素子がオフ時のドレイン電圧とＥＬ
素子への印加電圧との関係において前述したように、同
一の駆動電圧Ｖａの下でもスイッチング素子がオン状態
からオフ状態になったときのＥＬ素子の帯電電荷量によ
りドレイン電圧の位相が定まるからである。ドレイン電
圧の位相が異なると各ＥＬ素子の発光輝度がそろわない
こととなる。それゆえ発光輝度をそろえるためには、オ
フ時のドレイン電圧の位相をそろえる必要がある。ＥＬ
発光装置の電源投入時においてドレイン電圧をそろえる
には、例えば第一走査期間は駆動電圧をゼロにしてお
き、各位ＥＬ素子にオフ信号を書き込む初期化を行なえ
ばよい。すぐ上に述べた図６の駆動方法、すなわち、各
データ信号書き込み期間は駆動電圧をゼロにしておく方
法は、各駆動電圧印加前のドレイン電圧の位相をそろえ
るにも都合がよいことに注目されたい。
【００２２】共通駆動電圧Ｖａは任意の波形で良いが図
６には正弦波で駆動する場合と矩形波で駆動する場合の
タイミングを例示する。このように所望のタイミングを
取って周期的にパルスを印加する方法は本技術分野で良
く知られているのでこれ以上述べない。
６には正弦波で駆動する場合と矩形波で駆動する場合の
タイミングを例示する。このように所望のタイミングを
取って周期的にパルスを印加する方法は本技術分野で良
く知られているのでこれ以上述べない。
【００２３】上の例では各１ビット回路に対するデータ
書き込みがシリアルデータ信号である場合を例示した
が、データ信号がパラレルであって同時に各１ビット回
路に書き込みが行なわれる場合も、当該書き込み期間中
は駆動電圧をゼロにしておけば、ＴＦＴのオンと駆動電
圧との間の上記の同期性が得られることは明らかであろ
う。
書き込みがシリアルデータ信号である場合を例示した
が、データ信号がパラレルであって同時に各１ビット回
路に書き込みが行なわれる場合も、当該書き込み期間中
は駆動電圧をゼロにしておけば、ＴＦＴのオンと駆動電
圧との間の上記の同期性が得られることは明らかであろ
う。
【００２４】又発光表示板のように発光素子が複数のブ
ロックないし走査線に分けられ、ブロックないし走査線
ごとにデータの書き込み、駆動が行われる場合は、少な
くとも各ブロックごとに上記位相合わせを行なえばよ
い。又電力投入時の初期化は電力投入後の第１フレーム
（１フレームとは全ブロックの走査に必要な信号区間）
に行なってもよい。
ロックないし走査線に分けられ、ブロックないし走査線
ごとにデータの書き込み、駆動が行われる場合は、少な
くとも各ブロックごとに上記位相合わせを行なえばよ
い。又電力投入時の初期化は電力投入後の第１フレーム
（１フレームとは全ブロックの走査に必要な信号区間）
に行なってもよい。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明はＥＬ発光
素子の発光を制御する薄膜トランジスタスイッチング素
子のオンとオフのスイッチングに対してＥＬ素子駆動電
圧の位相を制御して印加することにより該薄膜トランジ
スタスイッチング素子のドレイン電圧が常にそのオン状
態時の最大定格電圧未満となるように該駆動電圧を印加
するようにしたので、スイッチング素子に過大なストレ
スを与えることがない。従ってこのような駆動方法を用
いたＥＬ発光装置の所定発光輝度の維持、装置の耐久性
を高めることができる。
素子の発光を制御する薄膜トランジスタスイッチング素
子のオンとオフのスイッチングに対してＥＬ素子駆動電
圧の位相を制御して印加することにより該薄膜トランジ
スタスイッチング素子のドレイン電圧が常にそのオン状
態時の最大定格電圧未満となるように該駆動電圧を印加
するようにしたので、スイッチング素子に過大なストレ
スを与えることがない。従ってこのような駆動方法を用
いたＥＬ発光装置の所定発光輝度の維持、装置の耐久性
を高めることができる。
【００２６】又、以上のように発光素子が駆動される結
果、不必要な電力が該スイッチング素子等に消費される
ことがなく、無用の発熱や無駄な電力の消費が回避でき
る。さらに又、すべてのＥＬ発光素子に同一条件の印加
電圧を加えることができるので、発光素子間における輝
度のバラツキがない表示パネルやＥＬイメージバーとう
の発光装置が実現できる。
果、不必要な電力が該スイッチング素子等に消費される
ことがなく、無用の発熱や無駄な電力の消費が回避でき
る。さらに又、すべてのＥＬ発光素子に同一条件の印加
電圧を加えることができるので、発光素子間における輝
度のバラツキがない表示パネルやＥＬイメージバーとう
の発光装置が実現できる。
【図１】図１はＥＬ発光素子を含む１ビット回路の回路
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図２】図２は薄膜ＴＦＴのドレイン電流・電圧特性を
示す図である。
示す図である。
【図３】図３はＥＬの輝度と印加電圧との関係を示す図
である。
である。
【図４】図４は従来技術に基づいて図１の１ビット回路
を駆動するときのデータ信号、ストローブ信号、および
駆動電圧のタイミングチャートである。
を駆動するときのデータ信号、ストローブ信号、および
駆動電圧のタイミングチャートである。
【図５】図５は図１の１ビット回路をを駆動するときの
駆動電圧の変化に対するドレイン電圧の振舞いを示す図
である。
駆動電圧の変化に対するドレイン電圧の振舞いを示す図
である。
【図６】図６は本発明にに基づいて図１の１ビット回路
を複数含んだ発光装置を駆動するときの駆動タイミング
チャートである。
を複数含んだ発光装置を駆動するときの駆動タイミング
チャートである。
【図７】図７は従来技術に基づいて図１の１ビット回路
を複数含んだ発光装置を駆動するときの駆動タイミング
チャートである。
を複数含んだ発光装置を駆動するときの駆動タイミング
チャートである。
ＣEL ＥＬ素子 Ｓ ＥＬ
素子駆動電源 ＱD ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ Ｑｗ デー
タ書き込み用ＴＦＴ Ｃｓ データ保持用コンデンサ DATA デ
ータ信号 STROBE ストローブ信号 ＶａＥＬ素子
駆動印加電圧 ＶD ＴＦＴドレイン電圧
素子駆動電源 ＱD ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ Ｑｗ デー
タ書き込み用ＴＦＴ Ｃｓ データ保持用コンデンサ DATA デ
ータ信号 STROBE ストローブ信号 ＶａＥＬ素子
駆動印加電圧 ＶD ＴＦＴドレイン電圧
Claims (1)
- 【請求項１】 駆動電源によって駆動する少なくとも１
個以上のＥＬ発光素子の発光を薄膜トランジスタスイッ
チング素子のオン状態とオフ状態のスイッチングにより
制御する薄膜ＥＬ発光装置の駆動方法において、該薄膜
トランジスタスイッチング素子のスイッチングに対して
該駆動電源の電圧を位相制御することにより該薄膜トラ
ンジスタスイッチング素子のドレイン電圧がそのオン状
態時の最大定格電圧未満となるように該駆動電圧を印加
することを特徴とする薄膜ＥＬ発光装置駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124542A JP2844957B2 (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 薄膜ｅｌ発光装置の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124542A JP2844957B2 (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 薄膜ｅｌ発光装置の駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04328792A JPH04328792A (ja) | 1992-11-17 |
| JP2844957B2 true JP2844957B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=14888059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3124542A Expired - Fee Related JP2844957B2 (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 薄膜ｅｌ発光装置の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2844957B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW591584B (en) * | 1999-10-21 | 2004-06-11 | Semiconductor Energy Lab | Active matrix type display device |
-
1991
- 1991-04-30 JP JP3124542A patent/JP2844957B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04328792A (ja) | 1992-11-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3242941B2 (ja) | アクティブｅｌマトリックスおよびその駆動方法 | |
| US6806857B2 (en) | Display device | |
| TW466466B (en) | Driving circuit of thin film transistor light emitting display and the usage method thereof | |
| US6278423B1 (en) | Active matrix electroluminescent grey scale display | |
| JP3950167B2 (ja) | 同極性を有するｍｉｓトランジスタを使用するシフトレジスタ | |
| CN105336292B (zh) | Oled像素补偿电路和oled像素驱动方法 | |
| US6498438B1 (en) | Current source and display device using the same | |
| JPH08263026A (ja) | データ・ライン駆動回路 | |
| JPH08241057A (ja) | 画像表示装置 | |
| KR101652015B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 구동방법 | |
| JPH03165491A (ja) | Ｅｌ駆動回路 | |
| TWI438744B (zh) | 電子電路、電子裝置、該驅動方法及光電裝置 | |
| JP2003043998A (ja) | ディスプレイ装置 | |
| JP2000163015A (ja) | 組織的なスマ―ト画素を備えた表示装置 | |
| KR101710154B1 (ko) | 액정표시장치용 전원회로 및 이를 포함하는 액정표시장치 | |
| WO2003025894A2 (en) | Driving circuit for light emitting elements | |
| KR101025525B1 (ko) | 픽셀 행과 열 구동기 사이의 거리에 따라 신호 감쇠를보상하기 위해 행 스캐닝 시간을 변경시키는 디바이스와방법 | |
| US5235253A (en) | Thin-film electroluminescent device drive circuit | |
| JP2007518112A (ja) | 能動的なマトリックスディスプレイの有機発光ダイオードの電子制御セル、それの作動方法、そしてディスプレイ | |
| KR100717334B1 (ko) | 일렉트로루미네센스 표시소자의 구동방법 및 장치 | |
| KR100659622B1 (ko) | 표시 장치 | |
| JP2844957B2 (ja) | 薄膜ｅｌ発光装置の駆動方法 | |
| JP3866788B2 (ja) | データ・ライン駆動回路 | |
| JPH06230745A (ja) | Ｅｌ発光装置及びその駆動方法 | |
| CN114822369A (zh) | 一种像素补偿装置及其驱动方法、显示设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980929 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |