JP2840699B2 - 被膜形成装置及び被膜形成方法 - Google Patents
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Description
することのできる被膜形成方法と装置に関するものであ
る。それにより、真空ポンプ等の排気装置を必要としな
い低コストの被膜形成装置を提供することができる。被
膜は硬質炭素、窒化珪素、酸化珪素等の被膜を成膜する
ことができ、これらの被膜はプラスチック、ガラス、有
機感光体等の表面硬質化、表面改質、反射防止等に応用
することができ、その応用範囲は多岐にわたる。本発明
はこれらの被膜を安価に、大量に生産する方法と装置を
提供するものである。
の新機能材料被膜はプラズマCVD(化学気相合成法)
法を利用して作成される場合が多く、これらの方法のほ
とんどは減圧状態を利用する。減圧状態を用いることの
主な利点としては大気中に含まれる酸素等の不純物の
影響が取り除かれるプラズマの場合、安定なグロー放
電が広い領域で得られ易い平均自由行程が長いため膜
厚均一性やステップガバレッジを向上させ易い等があげ
られる。しかし、減圧状態を得るには高価な真空排気装
置と真空状態に耐える充分な強度を有した真空容器が必
要である。
野では性能を達成する必要があり、また付加価値の高い
製品の価格に高価な設備償却費を転嫁させやすい事情も
あるため、これら被膜は前述の如くプラズマCVD法に
より作成されていた。一方、プラスチック、ガラス、有
機感光体等の表面硬質化、表面改質、反射防止等の目的
に薄膜を形成する場合にはさほどの高純度は要求され
ず、むしろ高価な設備を使用することによるコスト高が
問題となる。即ち、性能とコストを最適化する必要があ
る。
マ処理は一部知られており、エッチングに応用したもの
には特願平2−286883がある。これは、送流状態
にあるヘリウムを主成分とするガスがほぼ大気圧に等し
い圧力で充満された空間に交流の電界を印加し、前記ガ
スと前記ガス中に添加されたハロゲン系エッチングガス
を電離して励起子を生成し、エッチングに供するもので
ある。また、ヘリウムを主成分とするガスの放電を薄膜
堆積に応用しようとするものが知られている。(第37
回応用物理学関係連合講演会講演予稿集第2分冊28p
−ZH−10)しかしながらこの研究は反応空間にヘリ
ウムを主成分とするガスで置換する必要があるため、反
応空間を一度真空に排気する行程を経ねばならない。
チック、ガラス、有機感光体等の表面硬質化のためだけ
の処理または膜形成等の目的には高価であり、より安価
な方法が求められていた。そこで、安価な成膜方法とし
て大気圧での放電を利用した成膜方法が考えられてい
る。この方法を用いれば以下のような利点がある。真
空排気の必要が無いため、高価な排気装置を必要としな
い。従来真空排気に要した時間を省くことができるた
め、タクトタイムを短縮することができる。高い圧力
での成膜のため衝突時間が短く反応速度が速いため、成
膜時間を短くすることができる。これらは何れも成膜装
置を安価にし、タクトタイムを短縮できる要素であり、
よって、成膜コストを下げることへの寄与が大きい。
膜では以下のような3つの問題が存在する。
は、放電空間に発生したイオン、ラジカル等が基体表面
まで輸送されるまでの間に大気中の不純物、特に酸素と
化合して、被膜に影響を及ぼす問題である。また、被膜
の形成されつつある表面は活性であり、該表面に付着し
た酸素等の不純物は被膜の性能を低下させる原因とな
る。
ることである。一般に被膜を基体上に成膜する場合は広
い面積に均一に成膜したいという要求がある。そのため
にはプラズマを広範囲に生成させねばならないが、大気
圧での放電は粒子の平均自由行程が1μm以下と短く、
電子とイオンの空間中での衝突による再結合(体積再結
合)が多くなり、場合にもよるが放電領域は通常は数m
m以上に広がらなくなる。
る。即ち、イオン、ラジカル等の衝突確率が高いために
基体表面で被膜として成長する前に空間中で反応してし
まい、粉となって基体上に析出してしまうことである。
解決するために、放電空間をパージガスで包むように覆
い、該放電空間と基体の間にスパッタを生じるようなバ
イアスを印加し、さらに、プラズマ中の各種粒子が基体
の方向に引き出されるように磁場を印加したものであ
る。
によりコストの低減を計るものであり、排気装置を有し
ないことを特徴としている。大気圧下での放電に必要な
条件は、放電空間をヘリウムで充満する、放電経路
の少なくとも一ヶ所に絶縁体を挿入する、放電励起用
電源の周波数は数十kHz以上とする、の3つが挙げら
れる。
あり、該ガスに形成されるべき被膜の原料ガスが混合さ
れる。原料ガス濃度はヘリウムに対して5%以下、好ま
しくは1%以下がよい。原料ガス濃度が5%を越えると
放電は不安定となり、1%を越えると粉の発生が多くな
る。
択され、硬質炭素膜を形成する場合はメタン、エチレ
ン、アセチレン、ベンゼン、メチルベンゼン等の炭化水
素系ガス、及び4弗化炭素、4塩化炭素、フロロベンゼ
ン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭素、ハロゲン化炭
化水素系ガス、エタノール、メタノール等アルコール類
等炭素を含み、室温1気圧においてある程度の蒸気圧を
有するものであれば原則的には何でもよい。但し、該原
料ガスの未反応分は大気中に放出されるのでアセチレ
ン、ベンゼン等有毒物よりはメチルベンゼン、クロロベ
ンゼン、エタノール等無害のものの方が望ましい。ま
た、一分子中の炭素原子の多いものほど反応速度が速い
という傾向があるので、メタンよりはエチレン、エチレ
ンよりはアセチレンの方が望ましく、ベンゼン等芳香族
系分子がより望ましい。さらに、成膜速度の有利性は原
料ガスにハロゲン系元素が含まれる場合大きくなる。こ
れは、ハロゲン系元素例えば弗素が、触媒的に作用し、
炭化水素分子の水素をHFの形で引き抜き、よって、炭
化水素分子が活性化されやすくなるためである。ハロゲ
ン系元素は4弗化炭素、4塩化炭素、フロロベンゼン、
クロロベンゼン等の炭素化合分子として供給されても、
また、3弗化窒素、6弗化硫黄、6弗化タングステン、
弗素ガス等の状態で供給されてもよい。尚、原料ガス中
に窒素、ボロン、リン等のIIIV族元素を含んだガス
を添加すると、硬質炭素膜は若干の導電性を示すように
なり、静電気対策に有用な被膜を得ることができる。例
えば、エチレン、メチルベンゼン等炭化水素ガスに3弗
化窒素を添加すると成膜速度の高い、半絶縁体の(即ち
静電対策の施された)硬質炭素膜を得ることができる。
また、原料ガス中に水素を混合すると硬質炭素膜中の未
結合手に水素がターミネートされ、また、未反応のs
p、sp2結合が水素の作用によりsp3結合になり易
く、そのため硬質炭素膜はより硬く、透明度も高くな
る。
としてシラン、ジシラン等シラン系ガス及び窒素ガス、
アンモニアガス等窒素源を用いることができる。酸化珪
素の場合はシラン系ガス及び酸素、N2O等を用いるこ
とがきる。
下させ、これにより粉の発生を抑制する目的で原料ガス
にヘリウム、アルゴン、キセノン等の希ガス及び水素ガ
スを緩衝ガスとして混合することもできる。
若干高く調圧され、同様に調圧されたヘリウムと混合さ
れた後、反応空間に導入される。反応空間は1個もしく
は複数個の電極が存在し、該電極と外側に配置されたシ
ールドとの間には絶縁体が配置された構成となってい
る。前記電極にはシールドとの間に20kHz以上の交
流電界を印加し、前記電極と絶縁体を介したシールドと
の間にプラズマを発生させる。このプラズマはグロー放
電もしくはコロナ放電により発生する。前記絶縁体と2
0kHz以上の周波数はアーク放電防止の為である。低
い周波数で電力を多く投入しようとするとアーク放電が
発生する。アーク放電が発生すると電極及び絶縁体が損
傷し、また、電子温度が低下する。よって、正常な被膜
形成ができなくなる。アーク放電に移行させず電力を投
入しようとすると電源周波数を上げる方法がある。これ
は高周波コロナにおいて高い電力が投入されることと同
じ原理である。即ち、空間の静電容量を通して高周波電
流が流れ、等価回路的には直列に接続された抵抗体であ
るプラズマにおいて損失が発生(実効電力が消費)する
ことに相当する。ちなみに13.56MHzの周波数に
おいては約100Wの実効電力が安定に投入できる。こ
の時の放電空間の容積は約20立方ミリメートルであ
る。マイクロ波の領域まで周波数を高くすると更に効率
よく電力が投入されるが、波長が数十から数センチメー
トルと短くなると、もはや電波として取り扱わねばなら
ず、導波路や電極に工夫をする必要がある。この場合、
放電空間自体を損失の存在する導波路とみなし、各接続
点で反射が発生しない様にインピーダンスの整合をとる
ような形状、材質等を選ばねばならない。
は矩形波変調された高周波であってもかまわない。デュ
ーティーが50%以下であると、放電開始初期のプラズ
マとアフターグローの影響が大きくなって、連続放電時
とは違った性質を発生する。放電開始初期はプラズマの
インピーダンスが高く、(放電開始初期の過渡期はまだ
プラズマと言えるかどうか確かではないが、ここでは暗
流以上の放電電流か流れたときよりプラズマ化するとし
ている。)よって、空間中に掛かる電圧は高くなる。即
ち、プラズマ中の電子1個当りの得るエネルギーが太き
く、電子温度は高くなる。この時プラズマ空間中に存在
する原料ガスは効率よく励起される。次に、印加電力が
停止したときよりプラズマはアフターグローとなるが、
この時、空間に印加される外部電界は存在せず、空間内
に存在する内部電界のみとなる。この内部電界もアフタ
ーグロー中のイオンと電子の再結合により急速に消滅し
てしまう。連続放電では基体表面の微小な突部の電界集
中により、選択的に膜成長が起こり、ピンホールやボイ
ドの原因となっていたのがアフターグロー放電において
は基体表面の微小な突部への電界集中は起こらず、よっ
て、ピンホールやボイドのない良質な被膜が形成され
る。即ち、パルスもしくは矩形波変調された高周波を用
いると効率よく活性化されたクラスター等成膜前駆体が
均一に基体表面に付着するため、成膜速度の高い良質な
被膜を得ることができる。尚、パルス周期はアフターグ
ローの消滅する時間に等しい数ミリ秒程度が適当であ
る。
で同心円筒状とすることができる。これは円筒状の接地
された外側電極と該円筒電極の中心に配置された円柱電
極の間に円筒状絶縁体を配し、前記中心部の円柱電極と
前記接地された外側電極の間に交流電界を印加して、前
記円筒状絶縁体と前記中心円柱電極間の隙間にプラズマ
を発生させるものである。前記円筒状絶縁体と前記中心
円柱電極間の隙間は5mm以下、好ましくは1mm以下
とするのがよい。同心円筒状は例えて言えば点光源の如
きもので、移動させなければ基体表面上に点状に被膜が
形成される。よって広い面積の基体に被膜を均一に成膜
しようとすれば、基体もしくは被膜形成装置を移動させ
る必要がある。基体が平面の場合は2軸駆動装置(X−
Yテーブル)を組み合わせればよい。更にあと1軸追加
して(X−Y−Zテーブル)、コンピューター等で制御
すれば任意の曲面に成膜することが可能である。
ある。直線伏放電装置は前記同心円筒状(点状)装置を
アレイ状に配置しても良いし、また、直線状電極に5m
m以下、好ましくは1mm以下の隙間を絶縁体および外
側電極(接地電位)の間に設け、該隙間を直線状放電空
間としても良い。基体が平面の場合、直線状放電装置で
あれば基体もしくは被膜作成装置の移動は一軸のみでよ
い。基体がドラム状態の場合はドーナツ状被膜形成装置
が都合がよい。ドーナツ状被膜形成装置は前記直線状放
電装置の両端を閉じて構成される。
気体が使用される。例えば、窒素、アルゴン、ヘリウ
ム、クリプトン等が代表的である。これら気体の役目は
放電領域と大気成分の遮蔽であり、大気成分の内、特に
酸素と反応空間を遮断し、これら大気成分が放電によっ
て形成される被膜中に混人することを防止するものであ
る。このパージガスの導入方法としては放電領域を取り
囲むように例えば前述の点状の膜の形成の場合では、外
側電極を取り囲むようにその外側に導出用のノズルまた
は導出口を設け、放電領域を取り囲むようにパージガス
を導入する。この際、パージガスの量は放電雰囲気ガス
より相当多く導入され、かつパージガス自身が放電しな
いように、高めの圧力で導入することがよい。
膜前駆体(クラスター)が基体表面に輸送される以前
に、空間中で成長し、大きくなりすぎたものである。こ
れを防止するには空間中での反応速度を落とす、イオ
ン、ラジカル、膜前駆体等を被膜表面に積極的に輸送す
る、基板表面の反応速度を上げる、等の対策をこうじる
必要がある。これら、対策の方法として磁場効果の利
用、基板へのバイアスの印加がある。
プラズマ中の活性種を被膜形成用基体まで確実に輸送す
る為の工夫として、本発明では基体へのバイアス電界の
印加と放電プラズマへの磁界の印加を行う。プラズマに
対して磁界を印加する手段としては種々の方法がある。
例えば、放電装置に対抗した位置の被膜形成用基体の背
面に一般に知られている永久磁石を設置したり、放電装
置の放電領域近傍にソレノイドコイルを設け磁界を印加
すること、およびそれらの組み合わせがある。いずれの
場合にも、印加される磁界の方向は常圧放電によりでき
た放電雰囲気ガスのプラズマ中の活性種を被膜形成用基
体まで確実に輸送するようにこれらの磁場発生手段が設
けられる。このプラズマへの磁場の印加は主として、ス
ピンを持ったラジカル種、電子およびイオン化した活性
種を基体の被膜形成面にまで到達させる作用として機能
する。これにより、基体表面付近の活性種の密度が高め
られる。磁場の強さは強い方が良く、200ガウス以
上、好ましくは500ガウス以上が良い。
しては、基体と放電電極間に直流または高周波の電源に
よりバイアスを印加することがある。このバイアス電界
によりプラズマ中のイオン活性種が基体側に引き寄せら
れ、基体付近では高エネルギーのイオンの密度が高めら
れる。このイオンより原料ガスがエネルギーを受取りラ
ジカル種の密度が基体付近で高められることになる。
基体に衝突する。この衝突によりイオンより基体にエネ
ルギーが渡され、基体のごく表面に近い部分の温度が高
くなり、被膜の基体との密着性が向上し、基体表面での
膜形成の反応が促進される。即ち、バイアス電界により
基体に移動されたイオンによって、基体加熱と同じ効果
を実現することができる。尚、バイアス電界は基体と放
電電極間の距離が変化すると基体に加わる電界の効果は
著しく変化する。その為、基体と放電電極間の距離は常
に一定に保たれる必要があり、よって距離測定装置及び
距離制御機構が必要である。
ン密度で決まるイオンプラズマ周波数より低い周波数で
ある必要がある。イオンプラズマ周波数より低い周波数
であればバイアス電界によりイオンは振動し、その運動
エネルギーを基板に伝えられるからである。一般に1M
Hz以下が適当である。
カルは基板表面に確実に輸送され、また、基板表面での
反応は促進されるため、粉の少ない(即ちピンホールの
ない)緻密な被膜が高い製膜速度で製膜されることにな
る。
形成方法について述べる。図1に装置断面図およびガス
系、電気系の系統図を同時に示す。中心導体(1)、円
筒絶縁体(2)、パージガスノズル(3)は同軸に配置
され、中心導体(1)は絶縁支持体(4)に支持されて
いる。中心導体(1)、パージガスノズル(3)はステ
ンレス、円筒絶縁体(2)は石英ガラス、絶縁支持体
(4)はテフロンで構成されている。パージガスノズル
(3)は外側電極を兼ねており、同軸円筒2重構造にな
っており、2重構造の間にパージガスを約1気圧で導入
し、吹き出し口(6)よりパージガスを噴出させる。吹
き出し口(6)は外周方向に吹き出すように外向きにな
っている。中心導体(1)とパージノズル(3)の間に
交流電界を印加することにより、中心導体(1)と円筒
絶縁体(2)の間で放電が発生し、ラジカルを生成す
る。発生したラジカルは基板(71)の方向にガス流に
よって運ばれるが、本発明では更にソレノイド(61)
及び永久磁石(62)を各々装置外周及び基板ホルダー
(70)裏側に配し、ラジカルを磁束に沿って基板(7
1)の方向に引き出している。中心導体(1)の外径は
1mm、円筒絶縁体(2)の内径及び外径は各々1.7
mm、2.5mmである。また、放電空間の長さは20
mmとした。基板(71)はポリカーボネートを用い、
常磁性体であるステンレス製の基板ホルダー(70)の
上に設置した。基板(71)は積極的に加熱していな
い。放電空間端から基板表面までの距離は1mmとし
た。
ンベ(11)より調圧器(21)により調圧され、スト
ップバルブ(31)を介して流量制御器(41)により
流量を制御された原料ガスと、同様にヘリウムガスボン
べ(12)より調圧器(22)により調圧され、ストッ
プバルブ(32)を介して流量性制御器(42)により
流量を制御されたヘリウムガスが混合され、放電空間内
に導入される。原料ガスボンベ(11)には水素ガスで
バランスされた10%メタンガスが充填されている。ヘ
リウムと原料ガスの混合比は99対1とした(原料ガス
1%)。ヘリウムと原料ガスの総流量は100sccm
である。
キングコンデンサ(53)を介して高周波電源(51)
より供給される。電源周波数は13.56MHz、実効
投入電力は20Wとした。また、本発明の特徴であるバ
イアス電圧をバイアス電源(52)より高周波阻止コイ
ル1(55)、高周波阻止コイル2(56)を介して印
加した。バイパスコンデンサ(54)は高周波阻止コイ
ル1(55)を通過した高周波電力を逃がし、バイアス
電源(52)を保護する役割を持っている。本実施例で
は印加したバイアスは直流とし、電圧は基板ホルダーに
対して−100Vとした。
(23)により調圧され、ストップバルブ(33)を介
して流量制御器(43)により流量を制御されてパージ
ガスノズルに供給される。本実施例ではパージガスは窒
素を用いた。流量は1000sccmである。
ネート基板上に硬質炭素膜が成膜された。被膜の成膜速
度は放電領域開口部の直下で0.2μm/minと大変
高い値でありながら、粉の発生は殆ど無く、ピンホール
の少ない良質な膜であった。尚、微小押し込み硬度計に
よる硬度測定値は約3000kgf/mm2であり、分
光透過率測定における可視域での透過率は90%以上と
ほぼ透明に近いものであった。また、FT−IR、ラマ
ン分光測定等によれば、sp3結合とsp2結合の比は
1.6対1とダイヤモンドに近い構造を有していること
が分かった。
ることはしなかったが、平面上を等速度で走査させれ
ば、大面積の基板にも均一に被膜を形成できることは言
うまでもない。
場合について述べる。成膜等の条件は磁場のないことを
除き実施例1と同じである。この方法による形成された
被膜は比較例1と比べて硬度測定値、透過率は殆ど変わ
らないものの、成膜速度は若干小さくなり、粉の発生が
多く見られた。
ない場合について述べる。成膜等の条件はバイアスのな
いことを除き実施例1と同じである。この方法による形
成された被膜は比較例1と比べて硬度は減少し、透過率
は向上した。また、粉の発生は『比較例1』同様多く見
られた。成膜速度の変化は見られなかった。
のない場合について述べる。成膜等の条件はパージガス
のないことを除き実施例1と同じである。この方法によ
る形成された被膜は放電領域開口部の直下に僅かに被膜
が形成されたのみで、成膜速度は10分の1程度に低下
した。これは酸素の混入により外周部近傍の被膜がエッ
チングされたものと思われる。尚、硬度、透過率に変化
は見られなかった。
成する場合を述べる。図2に装置の外観を図示する。架
台(4)に固定された上下機構(3)に被膜形成装置
(2)が取りつけられ、被膜形成装置(2)の内側に円
筒状基体(1)が設置されている。被膜形成装置内部の
放電開口部は内周に向かっており、よって、基体表面に
被膜が形成される。上下機構(3)は成膜速度に応じた
速度で等速度に上下に運動する。図3に基体と被膜形成
装置の断面図を示す。放電電極(1)、絶縁体(2)、
パージノズル(3)及び電極支持対(4)を有した構造
となっており、基本的には実施例1と同じである。磁石
(61)によりラジカルを基板(70)の表面に輸送す
る。ガス比、ガス流量、電源周波数、バイアス電圧を実
施例1と同じにし、投入電力を2W/mm(円周40m
mの場合は80W)とした。得られた被膜の硬度、透過
率、sp3対sp2比、成膜速度等の被膜特性は実施例
1とほぼ同じであり、また、粉の発生も見られなかっ
た。
ガスを放電せしめ、該ガス中に原料となるガス(硬質炭
素膜の場合はメタン、水素等)を混合し、同時に該放電
を包むように窒素等でパージを行い、磁場とバイアス電
圧を加えることにより、従来粉の発生が著しくまた成膜
速度が遅かったのが、粉の発生もなく、成膜速度の高い
良質の被膜を形成することが可能となった。
気系の系統図を示す。
Claims (6)
- 【請求項1】 中心電極と該中心電極を取り囲む外側電
極との間に形成される放電空間と、被膜の形成されるべ
き基体と、前記放電空間を包むように配置したパージガ
スノズルと、前記放電空間に磁場を印加する手段と、前
記中心電極と前記基体間に電界を形成する手段とを有す
る被膜形成装置であって、 前記パージノズルガスから吹き出したパージガスが実質
的に前記放電空間を大気雰囲気より遮断することを特徴
とする被膜形成装置。 - 【請求項2】 パージガスノズルと、 反応空間に設けられた中心電極と、 該中心電極の周囲に設けられた外側電極と、 前記中心電極と前記外側電極との間に設けられた絶縁体
と、 グロー放電又はコロナ放電用の電磁エネルギを前記反応
空間に供給するための第1の電源と、 前記中心電極と前記基体間に電界を形成するための第2
の電源と、 前記放電空間に磁場を印加する手段と、 を有することを特徴とする被膜形成装置。 - 【請求項3】 請求項2において、前記外側電極は前記
パージガスノズルと一体であり、前記外側電極はパージ
ガスが導入される空隙と、前記空隙に接続された前記パ
ージガスの吹き出し口を有することを特徴とする被膜形
成装置。 - 【請求項4】 中心電極と、 該中心電極を同軸に取り囲む外側電極と、 前記中心電極と前記外側電極との間に設けられた絶縁体
と、 該絶縁体と前記中心電極との間に形成された放電空間
と、 前記放電空間に反応ガスを供給する手段と、 前記反応ガスをグロー放電又はコロナ放電によってプラ
ズマ化するために、前記中心電極と前記外側電極間に高
周波電圧を供給する手段と、 前記プラズマが大気雰囲気に直接接触することを防止す
るためのパージガスを導入する手段と、 前記プラズマ化された反応ガスに磁界を印加するための
手段と、 前記中心電極と基体間に電界を印加するための手段と、 を有する被膜形成装置であって、 前記基体に対してプラズマ処理を施すために、前記基体
を前記放電空間の端部に近接して配置することを特徴と
する被膜形成装置。 - 【請求項5】 反応空間を形成するために、反応空間と
該反応空間外側の大気雰囲気との間にパージガスを導入
する工程と、 前記反応空間内にキャリアガスと反応ガスとを導入する
工程と、 前記反応空間において、電磁エネルギを用いたグロー放
電又はコロナ放電によって前記反応ガスを活性化する工
程と、 活性化された被膜材料を基体に堆積する工程と、 を有し前記活性化した反応ガスに磁場を印加しつつ、前
記基体にバイアス電界を印加することにより、前記活性
化した反応ガスを前記基体表面に輸送することを特徴と
する被膜形成方法。 - 【請求項6】 円柱状中心電極と、該中心電極を同軸に
取り囲む外側電極との間に絶縁体が設けられ、前記中心
電極と前記外側電極との間に放電空間を形成し、前記放
電空間の一端から反応ガスを導入し、前記中心電極と前
記外側電極との間に印加された高周波電圧によって、前
記反応ガスをグロー放電又はコロナ放電によりプラズマ
化して、前記放電空間の他端からプラズマを基体に表面
に輸送して、前記基体にプラズマ処理を施す被膜形成方
法であって、 前記プラズマ処理において、 前記プラズマを前記基体表面に輸送するために、前記放
電空間に磁場を印加しつつ、前記基体にバイアス電界を
印加し、 前記プラズマが大気に直接接することを防止するため
に、パージガスを供給することを特徴とする被膜形成方
法。
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