JP2839003B2 - Vacuum deposition equipment - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は真空蒸着装置に関
し、特にメタルマスクを用いて導電性の膜を有する硝子
基板上に選択的に物質を蒸着させる真空蒸着装置に関す
る。The present invention relates to a vacuum deposition apparatus, and more particularly to a vacuum deposition apparatus for selectively depositing a substance on a glass substrate having a conductive film using a metal mask.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のメタルマスクを密着させる方法と
しては、図４に示すように、強磁性体からなるメタルマ
スク１６を半導体ウェハ１７の下面に設置し、このウェ
ハの上面に電磁石あるいは、永久磁石を設置しこの磁化
部材１８によってメタルマスク１６を基板に密着させる
手段が開示されている（特開平７−４５６６２）「メタ
ルマスクの接着構造」。2. Description of the Related Art As a conventional method of adhering a metal mask, as shown in FIG. 4, a metal mask 16 made of a ferromagnetic material is placed on the lower surface of a semiconductor wafer 17, and an electromagnet or permanent Means for disposing a magnet and bringing the metal mask 16 into close contact with the substrate by the magnetized member 18 is disclosed (Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-45662).
【０００３】また、電子線描画装置において、マスク基
板をステージに密着固定する方法については、図５に示
すようにステージ１９上に誘電体層２０を設け、この誘
電体層２０上に載置したマスク基板や半導体ウェハ等の
描画試料２１とステージ１９間に電源６により電圧を印
加し静電吸着を用いる方法、あるいは、ステージ１９の
表面部に誘電体層と導電層と誘電体層の３層構造のシー
トを設けて被描画試料を載置し、上記被描画試料と電極
間層に電圧を印加するなどの方法が開示されている（特
開平６−４５２３８）「電子線描画装置」。In the electron beam lithography apparatus, a method of fixing a mask substrate to a stage in close contact is as shown in FIG. 5 in which a dielectric layer 20 is provided on a stage 19 and placed on the dielectric layer 20. A method in which a voltage is applied between the drawing sample 21 such as a mask substrate or a semiconductor wafer and the stage 19 by the power supply 6 and electrostatic attraction is used, or a three-layer of a dielectric layer, a conductive layer and a dielectric layer is provided on the surface of the stage 19. A method is disclosed in which a sample having a structure is provided, a sample to be drawn is placed, and a voltage is applied between the sample to be drawn and a layer between electrodes (Japanese Patent Laid-Open No. 6-45238).
【０００４】また、Ｘ線露光においては、図６のよう
に、レジスト２２を塗布したウェハ１７上に、ポリイミ
ドからなるマスク基板２３、Ｘ線吸収材料２４とこれを
保護する誘電体層２０を備えたマスクパターンを設けた
マスク１００を配置し、このマスク１００の表面を導電
体層２５で覆い、マスク１００を介しＸ線２６をレジス
トに照射してマスクパターンを転写する方式において、
導電層とウェハとの間に電源６により電圧を印加するこ
とにより吸引力を発生させマスクをウェハに吸着させる
方法が開示されている（特開昭６２−２８２４３２）
「Ｘ線露光用マスクおよび露光装置」。In the X-ray exposure, as shown in FIG. 6, a mask substrate 23 made of polyimide, an X-ray absorbing material 24, and a dielectric layer 20 for protecting the mask substrate 23 are provided on a wafer 17 coated with a resist 22. A mask 100 provided with a mask pattern provided thereon, the surface of the mask 100 is covered with a conductive layer 25, and the mask pattern is transferred by irradiating the resist with X-rays 26 through the mask 100.
A method is disclosed in which a voltage is applied between a conductive layer and a wafer by a power supply 6 to generate a suction force to attract a mask to a wafer (Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-282432).
"X-ray exposure mask and exposure apparatus".
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した磁化
部材により強磁性体からなるマスクを基板に吸着させる
場合には磁化部材を基板の成膜面と反対側に設置する必
要がある。蒸着時に基板の加熱をランプヒータで行う場
合、このヒータは蒸着の障害にならないように磁化部材
側に設置する必要があり、結果的にこの磁化部材は基板
を加熱するための輻射を妨害することになる。However, in the case where a mask made of a ferromagnetic material is attracted to a substrate by the above-mentioned magnetized member, it is necessary to dispose the magnetized member on the side opposite to the film formation surface of the substrate. If the substrate is heated by a lamp heater during vapor deposition, this heater must be installed on the magnetized member side so as not to hinder the vapor deposition, and as a result, this magnetized member will obstruct radiation for heating the substrate. become.
【０００６】さらに、蒸着においては、成膜物質が基板
面内で均一な膜厚にするために基板を自転、あるいは公
転させながら蒸着を行なうのが一般的であり、この際、
磁化部材も基板とともに自転あるいは公転させる必要が
ある。たとえば磁化部材に電磁石を用いた場合、電磁石
用の電源は、ブラシを用いて給電したりあるいは基板と
ともに回転させる必要があり、回転機構が複雑になった
り大きな負荷を負うことになる。また、回転機構に対す
る負荷の点では永久磁石を用いた場合でも同様である。Further, in the vapor deposition, the vapor deposition is generally performed while rotating or revolving the substrate so that the film-forming substance has a uniform film thickness in the plane of the substrate.
The magnetized member also needs to rotate or revolve with the substrate. For example, when an electromagnet is used for the magnetizing member, the power source for the electromagnet needs to be supplied with a brush or rotated together with the substrate, so that the rotating mechanism becomes complicated or a large load is imposed. Further, the load on the rotating mechanism is the same even when a permanent magnet is used.
【０００７】真空蒸着において用いられるマスクは、所
望のパターンと同様な開口部があり、蒸発源からの蒸発
物質はこの開口部を通して基板に到達する。従って、静
電吸着を得るためにマスクと基板間に設けられる導電層
や誘電体層は、マスクと同様の開口部を有した形状のも
のが必要であり、かつ、この導電層あるいは誘電体層と
マスクとの位置合わせも必要となる。[0007] A mask used in vacuum deposition has an opening similar to a desired pattern, and an evaporating substance from an evaporation source reaches the substrate through this opening. Therefore, the conductive layer and the dielectric layer provided between the mask and the substrate in order to obtain the electrostatic attraction need to have a shape having the same opening as the mask. It is necessary to align the mask with the mask.
【０００８】また、導電層を有する硝子基板の導電層側
に、開口部を有する、誘電体層とメタルマスクを順に設
置した構成において、静電吸着をするために、導電層と
メタルマスク間に電圧を印加すると、誘電体層の開口部
側面に沿って、メタルマスクと導電層間に沿面放電が発
生する危険が伴う。さらにこの構成において金属物質を
蒸着すると、この蒸着金属によりメタルマスクと導電層
とが電気的に接続され静電吸着を行うための構成を維持
できなくなる。Further, in a configuration in which a dielectric layer and a metal mask having an opening are sequentially provided on the conductive layer side of a glass substrate having a conductive layer, a space between the conductive layer and the metal mask is provided for electrostatic attraction. When a voltage is applied, there is a danger that creeping discharge occurs between the metal mask and the conductive layer along the side surface of the opening of the dielectric layer. Further, when a metal substance is vapor-deposited in this configuration, the metal mask and the conductive layer are electrically connected by the vapor-deposited metal, and the configuration for performing electrostatic attraction cannot be maintained.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の蒸着用マスク
は、マスクの全表面が絶縁膜で覆われていることを特徴
とする。The mask for vapor deposition according to the present invention is characterized in that the entire surface of the mask is covered with an insulating film.
【００１０】また、本発明の蒸着装置は、メタルマスク
と導電層間との電源に電気的且つ機械的に接続の開閉が
可能なスイッチを有することを特徴とする。[0010] Further, the vapor deposition apparatus of the present invention is characterized in that it has a switch capable of electrically and mechanically opening and closing a power supply between the metal mask and the conductive layer.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】本発明の発明の実施の形態につい
て図１（ａ）、（ｂ）、及び図２を参照して説明する。
図１（ａ）は、基板近傍の断面図、図１（ｂ）は、マス
クの平面図、図２は、本発明の構成を示す断面図であ
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 (a), 1 (b) and 2. FIG.
1A is a cross-sectional view near the substrate, FIG. 1B is a plan view of a mask, and FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the present invention.
【００１２】図１（ａ）において、硝子基板１の表面に
は透明導電膜２が成膜されている。この透明導電膜２
は、基板ホルダ７を介して、電源６に電気的に接続され
ている。また、メタルマスク３は図１（ｂ）に示すよう
に硝子基板１上に成膜するパターンと同様の形状に開口
部４を有しており、さらにその表面は、接続部２８と接
続する一部を除き絶縁物５で覆われている。In FIG. 1A, a transparent conductive film 2 is formed on the surface of a glass substrate 1. This transparent conductive film 2
Are electrically connected to a power supply 6 via a substrate holder 7. The metal mask 3 has an opening 4 in the same shape as the pattern formed on the glass substrate 1 as shown in FIG. Except for the part, it is covered with the insulator 5.
【００１３】また、メタルマスク３を保持するマスクホ
ルダ８は、メタルマスク３と接続する接続部２８を除き
その表面が絶縁物５で覆われている。メタルマスク３と
マスクホルダ８とは接続部２８で電気的に導通が得られ
ているため、メタルマスク３はマスクホルダ８を介して
電源６に電気的に接続されている。さらに、メタルマス
ク３と硝子基板１上の透明導電膜２との間には電源６に
より直流電圧の印加が可能である。The surface of the mask holder 8 holding the metal mask 3 is covered with the insulator 5 except for a connection portion 28 connected to the metal mask 3. Since the metal mask 3 and the mask holder 8 are electrically connected at the connecting portion 28, the metal mask 3 is electrically connected to the power source 6 via the mask holder 8. Further, a DC voltage can be applied between the metal mask 3 and the transparent conductive film 2 on the glass substrate 1 by the power supply 6.
【００１４】図２において、硝子基板１の外周部を保持
した基板ホルダ７と、メタルマスク３の外周部を保持し
たマスクホルダ８とは、硝子基板とメタルマスクとの相
対位置を確保するために、位置決め治具９に設置され
る。位置決め治具９が基板ホルダ７とマスクホルダ８そ
れぞれの外周を保持固定することにより、硝子基板１と
メタルマスク３は水平方向の相対位置が確保され、垂直
方向においても近接した位置が確保される。In FIG. 2, a substrate holder 7 holding an outer peripheral portion of the glass substrate 1 and a mask holder 8 holding an outer peripheral portion of the metal mask 3 are used to secure a relative position between the glass substrate and the metal mask. Is set on the positioning jig 9. The positioning jig 9 holds and fixes the outer peripheries of the substrate holder 7 and the mask holder 8 so that the glass substrate 1 and the metal mask 3 are secured in a horizontal relative position and also in a close proximity in the vertical direction. .
【００１５】また、ランプヒータ１０は、その輻射熱を
利用して硝子基板を加熱するために設けられている。ラ
ンプヒータ１０は、蒸着中の成膜の妨げにならないよう
に硝子基板の成膜面とは逆の硝子基板１の上部に設置さ
れているため、蒸着中でも硝子基板を加熱できる。蒸着
物質１１は加熱部１２に設置されており、抵抗加熱方式
により加熱され蒸発する。The lamp heater 10 is provided to heat the glass substrate by using the radiant heat. The lamp heater 10 is installed on the upper part of the glass substrate 1 opposite to the film forming surface of the glass substrate so as not to hinder the film formation during the vapor deposition, so that the glass substrate can be heated even during the vapor deposition. The deposition material 11 is provided in the heating unit 12, and is heated and evaporated by a resistance heating method.
【００１６】以上の各部は隔壁１３により外気と遮断さ
れており蒸着時には、隔壁に接続された、真空ポンプ
（図示せず）等により真空が確保される。Each of the above components is isolated from the outside air by a partition wall 13. At the time of vapor deposition, a vacuum is secured by a vacuum pump (not shown) or the like connected to the partition wall.
【００１７】次に、本発明の動作について説明する。図
１（ａ）の電源６を用いて、基板ホルダ７を介して接続
された硝子基板１の表面の透明導電膜２と、接続部２８
によりマスクホルダ８を介して接続されたメタルマスク
３との間に直流電圧を印加することにより、マスク３と
硝子基板１とを静電吸着により密着させる。Next, the operation of the present invention will be described. The transparent conductive film 2 on the surface of the glass substrate 1 connected via the substrate holder 7 using the power source 6 shown in FIG.
By applying a DC voltage between the mask 3 and the metal mask 3 connected via the mask holder 8, the mask 3 and the glass substrate 1 are brought into close contact with each other by electrostatic attraction.
【００１８】[0018]
【実施例１】本発明の第１の実施例について、図１
（ａ）、（ｂ）及び図２を用いて説明する。図１（ａ）
において硝子基板１はその表面に蒸着により形成される
発光物質を駆動するための電極が成膜されている。この
電極は発光物質の発光を遮らないように透明である必要
からＩＴＯ（インジュウム・チン・オキサイド）からな
る透明導電膜２が用いられる。また、この導電膜２は導
体からなる基板ホルダ７を介して、電源６に接続されて
いる。Embodiment 1 FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
This will be described with reference to (a) and (b) and FIG. FIG. 1 (a)
In the glass substrate 1, an electrode for driving a luminescent substance formed by vapor deposition is formed on the surface of the glass substrate 1. Since this electrode needs to be transparent so as not to block light emission of the light emitting substance, a transparent conductive film 2 made of ITO (indium tin oxide) is used. The conductive film 2 is connected to a power source 6 via a substrate holder 7 made of a conductor.
【００１９】メタルマスク３は、発光物質を所望のパタ
ーンに成膜するために、図１（ｂ）に示すような幅数１
００μｍ、長さ数１００ｍｍの開口部４が設けられてお
り、さらに、硝子基板１に斜めに入射した蒸発源からの
蒸着物質が開口部４のマスク近傍で遮られないように数
１００μｍの薄さのものを用いている。また、メタルマ
スク３はマスクホルダ８と電気的に接続が必要な接続部
２８以外の表面は、マスク開口部の大きさに対して十分
に小さく、かつ、静電吸着力が得られるように、ディッ
プコーティング等で形成された厚さ１０分の数μｍのシ
リコン酸化膜の絶縁物５で覆われている。The metal mask 3 has a width of 1 as shown in FIG. 1B in order to form a luminescent substance in a desired pattern.
An opening 4 having a thickness of 100 μm and a length of several hundreds mm is provided. Is used. The surface of the metal mask 3 other than the connection portion 28 that needs to be electrically connected to the mask holder 8 is sufficiently small with respect to the size of the mask opening, and an electrostatic attraction force is obtained. It is covered with an insulator 5 of a silicon oxide film having a thickness of several tenths of micrometers formed by dip coating or the like.
【００２０】また、金属製のマスクホルダ８も、接続部
２８以外は、絶縁物５により覆われており、且つマスク
ホルダ８は電源６に接続されている。マスクホルダ８に
設置されたメタルマスク３は接続部２８によりマスクホ
ルダ８と電気的導通が得られており、且つマスクホルダ
８を介して電源６と電気的に接続される。The metal mask holder 8 is also covered with the insulator 5 except for the connection portion 28, and the mask holder 8 is connected to the power supply 6. The metal mask 3 installed on the mask holder 8 is electrically connected to the mask holder 8 by the connection part 28 and is electrically connected to the power source 6 via the mask holder 8.
【００２１】図２において、基板ホルダ７およびマスク
ホルダ８は硝子基板１およびメタルマスク３の外周をそ
れぞれ保持しており、基板ホルダ７とマスクホルダ８が
位置決め治具９に設置されることにより、硝子基板１と
メタルマスク３は、それぞれの相対位置と蒸発源からの
距離とが固定される。基板ホルダ７の上部には、硝子基
板１を加熱させるためのランプヒータ１０が設置されて
おり、基板ホルダ７の下部には、蒸着物質１１とこれを
抵抗加熱するための加熱部１２が設置されている。本装
置は外周を隔壁１３で覆うことにより隔壁１３に接続し
た真空ポンプ（図示せず）により室内を減圧することが
可能である。In FIG. 2, the substrate holder 7 and the mask holder 8 hold the outer circumferences of the glass substrate 1 and the metal mask 3, respectively. When the substrate holder 7 and the mask holder 8 are set on the positioning jig 9, The relative position of the glass substrate 1 and the metal mask 3 and the distance from the evaporation source are fixed. A lamp heater 10 for heating the glass substrate 1 is installed on the upper part of the substrate holder 7, and a deposition material 11 and a heating unit 12 for resistively heating the deposition material 11 are installed on the lower part of the substrate holder 7. ing. In this device, the inside of the room can be depressurized by a vacuum pump (not shown) connected to the partition 13 by covering the outer periphery with the partition 13.
【００２２】次に、本実施例の動作について説明する。
図１（ａ）において、基板ホルダ７を介して電源６に接
続された硝子基板１の表面の導電膜２と、電源６に接続
されたマスクホルダ８を介して接続部２８により電気的
導通のとれたメタルマスク３との間に、電源６を用いて
およそ１５０Ｖの直流電圧を印加することにより、メタ
ルマスク３と硝子基板１とは硝子基板１の表面の導電膜
２とメタルマスク３との間に働く静電吸着力により密着
する。Next, the operation of this embodiment will be described.
In FIG. 1A, the conductive film 2 on the surface of the glass substrate 1 connected to the power supply 6 via the substrate holder 7 and the connection portion 28 via the mask holder 8 connected to the power supply 6 establishes electrical continuity. By applying a DC voltage of about 150 V using the power supply 6 between the metal mask 3 and the removed metal mask 3, the metal mask 3 and the glass substrate 1 are separated from the conductive film 2 on the surface of the glass substrate 1 and the metal mask 3. Adhering due to electrostatic attraction acting between them.
【００２３】図２において、真空ポンプ（図示せず）に
よって隔壁１３内を真空に保持し、基板加熱用のランプ
ヒータ１０により硝子基板１を蒸着に必要な温度に加熱
し、蒸着物質１１を加熱部１２により抵抗加熱方式によ
って加熱し蒸着を行う。基板方向へ蒸発した蒸着物質の
うち、一部は図１に示すマスク表面の絶縁膜５に、これ
以外はマスク開口部４により露出した硝子基板１の導電
膜２に到達し、硝子基板上に成膜される。In FIG. 2, the inside of the partition 13 is kept at a vacuum by a vacuum pump (not shown), and the glass substrate 1 is heated to a temperature required for vapor deposition by a lamp heater 10 for substrate heating, and the vapor deposition material 11 is heated. The heating is performed by the resistance heating method by the unit 12 to perform vapor deposition. A part of the vaporized material evaporated toward the substrate reaches the insulating film 5 on the mask surface shown in FIG. 1 and the other reaches the conductive film 2 of the glass substrate 1 exposed through the mask opening 4 and is formed on the glass substrate. A film is formed.
【００２４】本実施例によれば、静電吸着を行っていて
も、硝子基板１とランプヒータ１０との間にランプヒー
タの輻射熱を遮るものがないため効率的に硝子基板を加
熱することができ、且つ成膜位置精度は吸着機構を持た
ない場合と比較して、数１０μｍ程度精度が向上でき
る。According to the present embodiment, even if electrostatic attraction is performed, there is nothing between the glass substrate 1 and the lamp heater 10 that blocks the radiant heat of the lamp heater, so that the glass substrate can be efficiently heated. In addition, the accuracy of the film formation position can be improved by about several tens of μm as compared with the case where no suction mechanism is provided.
【００２５】[0025]
【実施例２】さらに、基板を回転させながら蒸着を行う
場合などの本発明の第２の実施例を図３（ａ）（ｂ）を
用いて説明する。図３（ａ）はメタルマスク近傍の断面
図、図３（ｂ）は、基板ホルダ７、マスクホルダ８を設
置した位置決め治具９の回転部の斜視図である。[Embodiment 2] A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 (a) and 3 (b). FIG. 3A is a cross-sectional view near the metal mask, and FIG. 3B is a perspective view of a rotating part of a positioning jig 9 on which the substrate holder 7 and the mask holder 8 are installed.
【００２６】図３（ａ）において、メタルマスク３と電
気的導通の得られたマスクホルダ８と電源６との間、並
びに導電膜２と電気的導通の得られた基板ホルダ７と電
源６との間にそれぞれスイッチ１４が設置してある。In FIG. 3 (a), the metal holder 3 is electrically connected to the mask holder 8 and the power source 6, and the conductive film 2 is electrically connected to the substrate holder 7 and the power source 6. A switch 14 is provided between the two.
【００２７】また、基板ホルダ７とマスクホルダ８を設
置した位置決め治具９は図３（ｂ）の回転部１５により
例えば、矢印２９の方向に回転可能な構造である。これ
ら以外の構成は図２と同一である。The positioning jig 9 on which the substrate holder 7 and the mask holder 8 are installed has a structure that can be rotated, for example, in the direction of an arrow 29 by the rotating part 15 in FIG. Other configurations are the same as those in FIG.
【００２８】スイッチ１４を閉じ電源６からメタルマス
ク３と導電膜２間に直流電圧を印加することにより硝子
基板１とメタルマスク３とを静電吸着により密着させた
後、スイッチ１４を解放する。スイッチを解放しても静
電吸着力は維持されているため硝子基板とメタルマスク
は密着した状態を保持している。After the switch 14 is closed and a DC voltage is applied between the metal mask 3 and the conductive film 2 from the power source 6, the glass substrate 1 and the metal mask 3 are brought into close contact by electrostatic attraction, and then the switch 14 is released. Since the electrostatic attraction force is maintained even when the switch is released, the glass substrate and the metal mask are kept in close contact with each other.
【００２９】また、スイッチ１４を解放することで、基
板ホルダ７とマスクホルダ８とを保持した位置決め治具
９と、その他電源部等の固定部が機械的に切り離され、
基板ホルダ７、マスクホルダ８を保持したまま位置決め
治具９を回転させることが可能になる。回転部１５によ
り位置決めホルダを回転させること以外は実施例１と同
一の方法で蒸着を行う。When the switch 14 is released, the positioning jig 9 holding the substrate holder 7 and the mask holder 8 and other fixed parts such as a power supply part are mechanically cut off.
The positioning jig 9 can be rotated while holding the substrate holder 7 and the mask holder 8. The vapor deposition is performed in the same manner as in the first embodiment except that the positioning holder is rotated by the rotating unit 15.
【００３０】本実施例によれば、例えば、電源部のよう
な回転を阻害するような新たな負荷を回転部に負わすこ
となく吸着が可能となり、硝子基板とメタルマスクを吸
着したまま蒸着中に硝子基板を回転させることが可能で
ある。According to the present embodiment, for example, it is possible to perform adsorption without applying a new load such as a power supply unit that hinders rotation to the rotating unit, and to perform vapor deposition while adsorbing the glass substrate and the metal mask. It is possible to rotate the glass substrate.
【００３１】[0031]
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので以下に記載する効果を持つ。The present invention is configured as described above and has the following effects.
【００３２】第１の効果は、硝子基板の加熱のための、
ランプヒータの輻射熱を遮蔽しないことである。The first effect is that the heating of the glass substrate
That is, the radiation heat of the lamp heater is not blocked.
【００３３】その理由は、吸着のための構造が、硝子基
板の上部に無いためである。The reason is that there is no structure for adsorption on the upper part of the glass substrate.
【００３４】第２の効果は、所望した成膜パターンを得
るにあたり、従来のメタルマスクを用いたまま、メタル
マスクの開口パターンによって選択的に成膜する従来の
蒸着の方法が採用できることである。The second effect is that, in obtaining a desired film formation pattern, a conventional vapor deposition method of selectively forming a film by an opening pattern of a metal mask while using a conventional metal mask can be employed.
【００３５】その理由は、メタルマスクの表面を絶縁膜
で覆うことにより吸着が可能な構成を得ているためであ
る。The reason for this is that a structure capable of adsorbing by covering the surface of the metal mask with an insulating film is obtained.
【００３６】第３の効果は、硝子基板とメタルマスクを
密着させたまま基板を回転させることが可能なことであ
る。A third effect is that the substrate can be rotated while keeping the glass substrate and the metal mask in close contact.
【００３７】その理由は、導電膜及びマスク部と電源と
の間にスイッチを設けたことにより、回転部と固定部が
機械的に切り離せることと、静電力の維持には給電が不
要なためである。The reason is that the switch is provided between the conductive film and the mask portion and the power supply, so that the rotating portion and the fixed portion can be mechanically separated from each other, and no power supply is required for maintaining the electrostatic force. It is.
【００３８】第４の効果は、静電吸着を行ったまま、金
属の蒸着が可能なことである。A fourth effect is that metal deposition can be performed while electrostatic adsorption is performed.
【００３９】その理由は、メタルマスクの全表面を絶縁
膜で覆っているため、導電膜とメタルマスクが電気的に
接続されることがないためである。The reason is that since the entire surface of the metal mask is covered with the insulating film, the conductive film and the metal mask are not electrically connected.
【図１】（ａ）は本発明の実施形態による蒸着用メタル
マスクの近傍断面図。（ｂ）は（ａ）に示す蒸着用マス
クの平面図。FIG. 1A is a cross-sectional view showing the vicinity of a metal mask for vapor deposition according to an embodiment of the present invention. (B) is a plan view of the evaporation mask shown in (a).
【図２】本発明の実施形態による、蒸着装置の構成を示
した断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a vapor deposition apparatus according to the embodiment of the present invention.
【図３】（ａ）は本発明による第２の実施例のマスク近
傍を示す断面図。（ｂ）は本発明による第２の実施例の
回転部を示す斜視図。FIG. 3A is a sectional view showing the vicinity of a mask according to a second embodiment of the present invention. (B) is a perspective view showing a rotating unit of a second embodiment according to the present invention.
【図４】従来の磁化部材を用いたマスク近傍の断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view near a mask using a conventional magnetized member.
【図５】従来の電子線描画装置のマスク吸着部の断面
図。FIG. 5 is a cross-sectional view of a mask suction unit of a conventional electron beam writing apparatus.
【図６】従来のＸ線露光装置のマスク部近傍を示した断
面図。FIG. 6 is a sectional view showing the vicinity of a mask portion of a conventional X-ray exposure apparatus.
１ 硝子基板 ２ 導電膜 ３ メタルマスク ４ 開口部 ５ 絶縁物 ６ 電源 １１ 蒸着物質 １４ スイッチ １５ 回転部 ２８ 接続部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate 2 Conductive film 3 Metal mask 4 Opening 5 Insulator 6 Power supply 11 Evaporation substance 14 Switch 15 Rotating part 28 Connection part
フロントページの続き (72)発明者 益村 和敬 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−45238（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 14/50 C23C 14/04 C23C 14/24 H01L 21/203 H05K 3/14Continuation of the front page (72) Inventor Kazutaka Masmura 5-7-1 Shiba, Minato-ku, Tokyo Within NEC Corporation (56) References JP-A-6-45238 (JP, A) (58) Fields surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) C23C 14/50 C23C 14/04 C23C 14/24 H01L 21/203 H05K 3/14
Claims (4)
設けられた蒸着材料の蒸発源と、前記蒸発源の上部に位
置し、表面に導電体薄膜が形成された基板を前記導電体
薄膜が前記蒸発源を向くように保持する基板ホルダー
と、前記基板ホルダーの下部に位置し、基板表面に形成
するパターンと同一の開口部を有し、表面が絶縁物で被
覆された金属製マスクを支持するマスクホルダーとを有
し、かつ前記基板ホルダーに支持された基板と該マスク
ホルダーに支持された金属製マスクとの間に電圧を印加
する手段を有する真空蒸着装置。An evaporation source for a vapor deposition material provided in a lower part of a vacuum vessel provided with a vacuum evacuation system, and a substrate having a conductive thin film formed on the surface thereof, the substrate being located above the evaporation source.
A substrate holder that holds the thin film so as to face the evaporation source, and a metal mask that is located below the substrate holder and that has the same opening as the pattern formed on the substrate surface and whose surface is covered with an insulator And a mask holder for supporting the substrate, and means for applying a voltage between the substrate supported by the substrate holder and the metal mask supported by the mask holder.
板の表面に形成された導電体薄膜と電気的導通が得られ
る構造であるとともに、前記金属製マスクを支持するマ
スクホルダーは、前記基板ホルダーとは電気的に絶縁さ
れ、且つ表面が絶縁物で被われた金属製マスクの金属部
に電気的導通が得られる構造を有する請求項１記載の真
空蒸着装置。2. The substrate holder supporting the substrate has a structure capable of obtaining electrical continuity with a conductive thin film formed on the surface of the substrate, and the mask holder supporting the metal mask includes the substrate holder. 2. The vacuum evaporation apparatus according to claim 1, wherein the vacuum evaporation apparatus has a structure in which the metal part of the metal mask whose surface is covered with an insulator is electrically insulated from the metal mask.
たは電子ビーム加熱方式である請求項１記載の真空蒸着
装置。3. The vacuum evaporation apparatus according to claim 1, wherein the heating means of the evaporation source is a resistance heating method or an electron beam heating method.
び該金属製マスクに前記電圧を印加する手段との間にス
イッチを設けた請求項１記載の真空蒸着装置。4. The vacuum deposition apparatus according to claim 1, wherein a switch is provided between said substrate and said metal mask and means for applying said voltage to said substrate and said metal mask.
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