JP2833308B2 - 光ディスク記録装置 - Google Patents
光ディスク記録装置Info
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- JP2833308B2 JP2833308B2 JP3346126A JP34612691A JP2833308B2 JP 2833308 B2 JP2833308 B2 JP 2833308B2 JP 3346126 A JP3346126 A JP 3346126A JP 34612691 A JP34612691 A JP 34612691A JP 2833308 B2 JP2833308 B2 JP 2833308B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、周期的トラック変調が
施されている螺旋状あるいは同心円状の光学的に読み出
し可能であるサーボトラックを有し、前記サーボトラッ
クの変調の周期が位置同期信号および位置符号信号から
なる位置情報信号に応じて変調されている光ディスクに
対してデータを記録する光ディスク記録装置に関する。
施されている螺旋状あるいは同心円状の光学的に読み出
し可能であるサーボトラックを有し、前記サーボトラッ
クの変調の周期が位置同期信号および位置符号信号から
なる位置情報信号に応じて変調されている光ディスクに
対してデータを記録する光ディスク記録装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、相変化型記録材料を用いて透明な
基板上に記録層を形成して光ディスクを形成し、そのデ
ィスクを回転させておき、これにレーザ等の光を直径1
μm以下の微小径に絞って照射することによって前記デ
ィスクに結晶質領域および非晶質領域を形成して信号を
高密度に記録し再生することが行われている。相変化型
光ディスクに対するデータの記録は、光ビームを図5に
示すように変化させて行っている。すなわち、光ビーム
の強度を常時結晶化に適した光強度501に保ち記録層
を一度結晶質にすることによって消去し、新たに書き込
むデータに対して光強度をパルス状に上昇させ、記録層
を非晶質化に適した温度にして非晶質を作成し、データ
を記録するという方法である。この記録方法を実現する
ための光強度制御方法の一つとして特開平1−1073
35号公報によって開示されたものがある。ここに開示
されている方法は、あらかじめ光ビームを記録用(非晶
質化に適した光強度502)と消去用(結晶化に適した
光強度501)の光強度に発光させ、このときの制御電
圧をそれぞれホールドし、以降、このホールド値を用い
て光強度制御のループを開いて(開ループにして)光ビ
ームの変調を行うというものである。この方法ではサン
プルホールドを行ってからしばらくすると、半導体レー
ザの温度が上がり、温度特性により出力光の強度−電流
特性が変化して光強度が最適な値からずれることがあ
り、また、ホールドした電圧がリーク電流によって低く
なってしまうこと等の問題があり、これまでの光ディス
ク装置では、光ディスクを角速度一定で回転させ、所定
の回転角に相当する部分を用いて所定時間毎にサンプル
ホールドを行うことにより、前述の問題点を克服してき
た。
基板上に記録層を形成して光ディスクを形成し、そのデ
ィスクを回転させておき、これにレーザ等の光を直径1
μm以下の微小径に絞って照射することによって前記デ
ィスクに結晶質領域および非晶質領域を形成して信号を
高密度に記録し再生することが行われている。相変化型
光ディスクに対するデータの記録は、光ビームを図5に
示すように変化させて行っている。すなわち、光ビーム
の強度を常時結晶化に適した光強度501に保ち記録層
を一度結晶質にすることによって消去し、新たに書き込
むデータに対して光強度をパルス状に上昇させ、記録層
を非晶質化に適した温度にして非晶質を作成し、データ
を記録するという方法である。この記録方法を実現する
ための光強度制御方法の一つとして特開平1−1073
35号公報によって開示されたものがある。ここに開示
されている方法は、あらかじめ光ビームを記録用(非晶
質化に適した光強度502)と消去用(結晶化に適した
光強度501)の光強度に発光させ、このときの制御電
圧をそれぞれホールドし、以降、このホールド値を用い
て光強度制御のループを開いて(開ループにして)光ビ
ームの変調を行うというものである。この方法ではサン
プルホールドを行ってからしばらくすると、半導体レー
ザの温度が上がり、温度特性により出力光の強度−電流
特性が変化して光強度が最適な値からずれることがあ
り、また、ホールドした電圧がリーク電流によって低く
なってしまうこと等の問題があり、これまでの光ディス
ク装置では、光ディスクを角速度一定で回転させ、所定
の回転角に相当する部分を用いて所定時間毎にサンプル
ホールドを行うことにより、前述の問題点を克服してき
た。
【0003】角速度一定方式(CAV方式)は、円周方
向の位置決めを時間を用いて行うことができるため(角
速度×時間=円周方向の位置)、ディスクからの位置情
報がなくても正確にアクセスが可能であり、アクセス速
度が高速である反面、外周部ほどデータの記録密度が低
くなり、記憶容量を増やすことが困難であるという特徴
がある。このため、前記の光ディスク記録装置は比較的
扱うデータ量が少なくアクセス速度が重視されるコンピ
ュータの外部記録装置として用いられていた。
向の位置決めを時間を用いて行うことができるため(角
速度×時間=円周方向の位置)、ディスクからの位置情
報がなくても正確にアクセスが可能であり、アクセス速
度が高速である反面、外周部ほどデータの記録密度が低
くなり、記憶容量を増やすことが困難であるという特徴
がある。このため、前記の光ディスク記録装置は比較的
扱うデータ量が少なくアクセス速度が重視されるコンピ
ュータの外部記録装置として用いられていた。
【0004】これに対して、音声データや画像データな
どの大量のデータを光ディスクに記録するために、記録
型光ディスクを線速度一定方式(CLV方式)で回転さ
せようという試みがなされている。例えば、特開平1−
224929号公報において開示されているものも、そ
の一つである。
どの大量のデータを光ディスクに記録するために、記録
型光ディスクを線速度一定方式(CLV方式)で回転さ
せようという試みがなされている。例えば、特開平1−
224929号公報において開示されているものも、そ
の一つである。
【0005】以下、従来例として特開平1−22492
9号公報に開示されている光ディスクについて説明す
る。
9号公報に開示されている光ディスクについて説明す
る。
【0006】図6は従来例における光ディスクの平面
図、図7は図6のa−b線に沿う一部の断面図、図8は
図6の部分602の拡大図、図9は同従来例における位
置情報信号の波形図である。
図、図7は図6のa−b線に沿う一部の断面図、図8は
図6の部分602の拡大図、図9は同従来例における位
置情報信号の波形図である。
【0007】ここに開示されている光ディスクは、CD
−AudioやCD−ROMなどで用いられているEF
M信号を記録するに適し、かつ、EFM信号を記録する
前の状態でも、光ディスクから反射された光ビームから
光ディスクのどの部分が走査されているかを検出可能な
ものである。光ディスク601には螺旋状にサーボトラ
ック603が配されている。半径方向の断面図を図7に
示す。光ディスク601は透明な基材703と、その上
に形成された記録層702とその上に形成された保護層
701からなっている。光ビームは基材703側から照
射される。サーボトラック603は山あるいは谷の形で
形成されており、EFM信号はサーボトラック603上
に記録するようになっている。サーボトラック603
は、図8に示すように半径方向(図6のa−b方向)に
トラック変調が施されている。このような周期的トラッ
ク変調は一般にウォブルと呼ばれている。サーボトラッ
クの半径方向への振動は、トラッキングエラー信号の振
動として検出することができ、この振動の周波数を一定
の値に保つようにスピンドルモータの回転を制御するこ
とにより、データを記録していない部分でのCLVサー
ボが可能となる。さらにこの光ディスクでは、サーボト
ラックのトラック変調(ウォブル)の周波数を微妙に変
化させることによりFM変調を施し、位置情報を記録し
ている。この際の変調度は、前述のCLV制御に影響が
出ない程度に設定される。ここで、サーボトラック60
3に記録されている位置情報と、サーボトラックに記録
されるデータの関係に注目すると、以下のようになる。
サーボトラック603に記録されている位置情報は、図
9に示すように、84チャンネルビットで一つの位置を
示している。この位置情報で区切られる区間はフレーム
あるいはセクタとよばれ、データを記録再生する際の単
位となっている。これに対して、記録されるデータは、
1フレームあたり57624チャンネルビットであり、
位置情報と記録データの密度の比は、1:686となっ
ている。
−AudioやCD−ROMなどで用いられているEF
M信号を記録するに適し、かつ、EFM信号を記録する
前の状態でも、光ディスクから反射された光ビームから
光ディスクのどの部分が走査されているかを検出可能な
ものである。光ディスク601には螺旋状にサーボトラ
ック603が配されている。半径方向の断面図を図7に
示す。光ディスク601は透明な基材703と、その上
に形成された記録層702とその上に形成された保護層
701からなっている。光ビームは基材703側から照
射される。サーボトラック603は山あるいは谷の形で
形成されており、EFM信号はサーボトラック603上
に記録するようになっている。サーボトラック603
は、図8に示すように半径方向(図6のa−b方向)に
トラック変調が施されている。このような周期的トラッ
ク変調は一般にウォブルと呼ばれている。サーボトラッ
クの半径方向への振動は、トラッキングエラー信号の振
動として検出することができ、この振動の周波数を一定
の値に保つようにスピンドルモータの回転を制御するこ
とにより、データを記録していない部分でのCLVサー
ボが可能となる。さらにこの光ディスクでは、サーボト
ラックのトラック変調(ウォブル)の周波数を微妙に変
化させることによりFM変調を施し、位置情報を記録し
ている。この際の変調度は、前述のCLV制御に影響が
出ない程度に設定される。ここで、サーボトラック60
3に記録されている位置情報と、サーボトラックに記録
されるデータの関係に注目すると、以下のようになる。
サーボトラック603に記録されている位置情報は、図
9に示すように、84チャンネルビットで一つの位置を
示している。この位置情報で区切られる区間はフレーム
あるいはセクタとよばれ、データを記録再生する際の単
位となっている。これに対して、記録されるデータは、
1フレームあたり57624チャンネルビットであり、
位置情報と記録データの密度の比は、1:686となっ
ている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような光ディスクに対して前述のような光強度制御方法
を用いる場合、サンプルホールドを行う場所を確定する
ことが困難であった。前述のような光強度制御方法で
は、データを記録している間に生じる温度による半導体
レーザ特性の変化やリーク電流によるホールド電圧の低
下を補うために、データの記録の合間を縫って再度サン
プルホールドをやり直す必要がある。しかしながら、サ
ンプルホールドをやり直す際には、光ビームの強度を、
消去用および記録用にまで高めねばならず、測定中の光
ビームは光ディスクに照射されてしまうので、サンプル
ホールド中は、ディスクに記録されているデータを破壊
してしまうことになる。しかし、光ディスク601はC
LV方式のディスクであり、記録されている位置情報は
サーボトラック603中にFM変調された形態でアナロ
グ的に記録されているため、実際には位置情報とサンプ
ルホールドを実行する場所の位相関係を精度よく決める
ことは難しい。さらに、データ量の観点からみても、位
置情報は記録データの1/686のデータ量しかなく、
記録データのデータ密度に対応した精度での位置決めは
むずかしい。
ような光ディスクに対して前述のような光強度制御方法
を用いる場合、サンプルホールドを行う場所を確定する
ことが困難であった。前述のような光強度制御方法で
は、データを記録している間に生じる温度による半導体
レーザ特性の変化やリーク電流によるホールド電圧の低
下を補うために、データの記録の合間を縫って再度サン
プルホールドをやり直す必要がある。しかしながら、サ
ンプルホールドをやり直す際には、光ビームの強度を、
消去用および記録用にまで高めねばならず、測定中の光
ビームは光ディスクに照射されてしまうので、サンプル
ホールド中は、ディスクに記録されているデータを破壊
してしまうことになる。しかし、光ディスク601はC
LV方式のディスクであり、記録されている位置情報は
サーボトラック603中にFM変調された形態でアナロ
グ的に記録されているため、実際には位置情報とサンプ
ルホールドを実行する場所の位相関係を精度よく決める
ことは難しい。さらに、データ量の観点からみても、位
置情報は記録データの1/686のデータ量しかなく、
記録データのデータ密度に対応した精度での位置決めは
むずかしい。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体レーザ
の出力光を受光し光の強度を示す光強度モニタ電圧を出
力する光強度モニタ手段と、半導体レーザの光強度を第
1あるいは第2の光強度に設定するための第1およびの
第2の基準電圧を発生する第1の基準電圧発生手段およ
び第2の基準電圧発生手段と、前記光強度モニタ電圧と
第1の基準電圧を比較して得られる第1の制御電圧で半
導体レーザに流す電流を変化させ、前記半導体レーザを
第1の光強度で発光させる第1の閉ループ系制御手段
と、前記光強度モニタ電圧と第2の基準電圧を比較して
得られる第2の制御電圧で半導体レーザに流す電流を変
化させ、前記半導体レーザを第2の光強度で発光させる
第2の閉ループ系制御手段と、前記第1の閉ループ系制
御手段による光強度制御が安定した時点での第1の制御
電圧をホールドし、第1のホールド電圧を出力する第1
のサンプルホールド手段と、前記第2の閉ループ系制御
手段による光強度制御が安定した時点での第2の制御電
圧をホールドし、第2のホールド電圧を出力する第2の
サンプルホールド手段と、前記第1のホールド電圧で前
記半導体レーザに流れる電流を変化させ、出力光を前記
第1の光強度に制御する第1の開ループ系制御手段と、
前記第2のホールド電圧で前記半導体レーザに流れる電
流を変化させ、出力光を前記第2の光強度に制御する第
2の開ループ系制御手段と、前記第1の開ループ系制御
手段により制御された第1の光強度を光パルス波形のボ
トム値とし、前記第2の開ループ系制御手段により制御
された第1の光強度を前記光パルス波形のピーク値とし
て光パルス変調する光パルス変調手段と、前記サーボト
ラック上に、連続するmフレーム(m:1以上の整数)
からなる第1の領域とこれに連続するnフレーム(n:
1以上の整数)からなる第2の領域の対を1つ以上設
け、前記第1の領域に前記データを記録し、前記第2の
領域内に少なくとも前記第1のサンプルホールド手段お
よび第2のサンプルホールド手段を動作させないギャッ
プ領域を設ける記録管理手段とを備える光ディスク装置
である。
の出力光を受光し光の強度を示す光強度モニタ電圧を出
力する光強度モニタ手段と、半導体レーザの光強度を第
1あるいは第2の光強度に設定するための第1およびの
第2の基準電圧を発生する第1の基準電圧発生手段およ
び第2の基準電圧発生手段と、前記光強度モニタ電圧と
第1の基準電圧を比較して得られる第1の制御電圧で半
導体レーザに流す電流を変化させ、前記半導体レーザを
第1の光強度で発光させる第1の閉ループ系制御手段
と、前記光強度モニタ電圧と第2の基準電圧を比較して
得られる第2の制御電圧で半導体レーザに流す電流を変
化させ、前記半導体レーザを第2の光強度で発光させる
第2の閉ループ系制御手段と、前記第1の閉ループ系制
御手段による光強度制御が安定した時点での第1の制御
電圧をホールドし、第1のホールド電圧を出力する第1
のサンプルホールド手段と、前記第2の閉ループ系制御
手段による光強度制御が安定した時点での第2の制御電
圧をホールドし、第2のホールド電圧を出力する第2の
サンプルホールド手段と、前記第1のホールド電圧で前
記半導体レーザに流れる電流を変化させ、出力光を前記
第1の光強度に制御する第1の開ループ系制御手段と、
前記第2のホールド電圧で前記半導体レーザに流れる電
流を変化させ、出力光を前記第2の光強度に制御する第
2の開ループ系制御手段と、前記第1の開ループ系制御
手段により制御された第1の光強度を光パルス波形のボ
トム値とし、前記第2の開ループ系制御手段により制御
された第1の光強度を前記光パルス波形のピーク値とし
て光パルス変調する光パルス変調手段と、前記サーボト
ラック上に、連続するmフレーム(m:1以上の整数)
からなる第1の領域とこれに連続するnフレーム(n:
1以上の整数)からなる第2の領域の対を1つ以上設
け、前記第1の領域に前記データを記録し、前記第2の
領域内に少なくとも前記第1のサンプルホールド手段お
よび第2のサンプルホールド手段を動作させないギャッ
プ領域を設ける記録管理手段とを備える光ディスク装置
である。
【0010】
【作用】本発明は、上記の手段を具備することにより、
サンプルホールドを行う前、あるいは前後にギャップ領
域を設けることを可能とし、サンプルホールド処理によ
る記録データの破壊を防ぐことができる。
サンプルホールドを行う前、あるいは前後にギャップ領
域を設けることを可能とし、サンプルホールド処理によ
る記録データの破壊を防ぐことができる。
【0011】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【0012】図1は本発明の一実施例における光ディス
ク記録装置の構成を示すブロック図、図2は図1のLP
C回路106(光強度調整部)の内部構成を示すブロッ
ク図、図3は制御回路107の動作を示すフローチャー
ト、図4は各信号と記録状態との関係を示す波形図であ
る。
ク記録装置の構成を示すブロック図、図2は図1のLP
C回路106(光強度調整部)の内部構成を示すブロッ
ク図、図3は制御回路107の動作を示すフローチャー
ト、図4は各信号と記録状態との関係を示す波形図であ
る。
【0013】以下、本実施例の光ディスク記録装置の動
作を説明する。まず、制御回路107は回転制御部10
2に回転命令を送り、光ディスク101を回転させる。
ついでトラッキング制御部104を用いて光学ヘッド1
03を記録位置に移動させる(図3のステップ30
1)。次に、所定の時間だけサンプルホールド処理を遅
らせることにより光ディスクにギャップ領域401を形
成する(ステップ302)。次に、LPC(Laser
Power Control)回路106にサンプル
ホールド処理を実行させ、記録用光強度と消去用光強度
を保持させる(ステップ303)。
作を説明する。まず、制御回路107は回転制御部10
2に回転命令を送り、光ディスク101を回転させる。
ついでトラッキング制御部104を用いて光学ヘッド1
03を記録位置に移動させる(図3のステップ30
1)。次に、所定の時間だけサンプルホールド処理を遅
らせることにより光ディスクにギャップ領域401を形
成する(ステップ302)。次に、LPC(Laser
Power Control)回路106にサンプル
ホールド処理を実行させ、記録用光強度と消去用光強度
を保持させる(ステップ303)。
【0014】サンプルホールド処理による、消去用光強
度の設定および記録用光強度の設定の仕方を説明する。
各光強度の設定方法の概略は以下のようになる。第1
に、レーザダイオード210が出力する光の強度をモニ
タし、第2に、各光強度に対応した所定の基準値と前述
のモニタ結果を比較し、第3にレーザーダイオード20
1に供給するレーザ駆動電圧を変化させることにより光
強度を変化させ、第4に基準値とモニタ結果が一致した
状態でのレーザ駆動電圧をサンプルホールドすることに
より各光強度の設定を行う。以下、詳細に説明する。ま
ず、レーザダイオード210から出た光はフォトディテ
クタ201により受光され、オペアンプなどからなる電
流電圧変換回路202により電圧に変換される。この電
圧が光強度誤差信号となる。なお、フォトディテクタ2
01がレーザーダイオード210から出た光を受光する
際の形態は、本発明の主旨には関係なく、レーザダイオ
ード210が前方に出力する光を直接受光する形態(い
わゆる前光モニタ)、後方に出力する光を受光する形態
(いわゆる後光モニタ)、など、いずれの方法であって
もかまわない。この光強度誤差信号は、第1および第2
の閉ループ制御回路203,211に入る。消去用光強
度の設定を行う際、この第1の閉ループ制御回路203
は、消去基準電圧204と光強度誤差信号とを比較し、
差をなくするようにレーザ駆動電圧を出力する。レーザ
ダイオード210から出力される光の強度は、レーザ駆
動電圧に従って変化する。218は、第1の閉ループ制
御回路203に入力する基準電圧の切り換えを行うスイ
ッチである。スイッチ218はバイアスゲート信号BS
GTによって制御され、バイアスゲート信号BSGTが
Hレベルであれば再生基準電圧205側へ、Lレベルで
あれば消去基準電圧204側に倒れる。バイアスゲート
信号BSGTは、再生時はLレベル、それ以外はHレベ
ルに変化する。サンプルホールド処理中は、バイアスゲ
ート信号BSGTは常にHレベルとなり、第1の閉ルー
プ制御回路203に対して消去基準電圧204を供給す
る。これにより、第1の閉ループ制御回路203は光強
度誤差信号と消去基準電圧204の差をなくするように
にレーザ駆動電圧を出力する。スイッチ206は後述す
るライトゲート信号WTGTがHレベルの時オフ、Lレ
ベルの時オンといった動作をする。第1の閉ループ制御
回路203による光強度の制御が安定するとライトゲー
ト信号WTGTがHレベルとなり、スイッチ206をオ
フにする。この時点で制御ループは開かれる。第1のサ
ンプルホールド回路207はスイッチ206がオフにな
った時点のレーザ駆動電圧をホールドし、電圧電流変換
回路208に出力する。電圧電流変換手段208はレー
ザ駆動電圧をレーザ駆動電流に変換し、加算器209を
経由してレーザダイオード210に供給する。このとき
の光強度は図5の501に相当し、消去用光強度を得る
ための電圧がサンプルホールドされたことになる。
度の設定および記録用光強度の設定の仕方を説明する。
各光強度の設定方法の概略は以下のようになる。第1
に、レーザダイオード210が出力する光の強度をモニ
タし、第2に、各光強度に対応した所定の基準値と前述
のモニタ結果を比較し、第3にレーザーダイオード20
1に供給するレーザ駆動電圧を変化させることにより光
強度を変化させ、第4に基準値とモニタ結果が一致した
状態でのレーザ駆動電圧をサンプルホールドすることに
より各光強度の設定を行う。以下、詳細に説明する。ま
ず、レーザダイオード210から出た光はフォトディテ
クタ201により受光され、オペアンプなどからなる電
流電圧変換回路202により電圧に変換される。この電
圧が光強度誤差信号となる。なお、フォトディテクタ2
01がレーザーダイオード210から出た光を受光する
際の形態は、本発明の主旨には関係なく、レーザダイオ
ード210が前方に出力する光を直接受光する形態(い
わゆる前光モニタ)、後方に出力する光を受光する形態
(いわゆる後光モニタ)、など、いずれの方法であって
もかまわない。この光強度誤差信号は、第1および第2
の閉ループ制御回路203,211に入る。消去用光強
度の設定を行う際、この第1の閉ループ制御回路203
は、消去基準電圧204と光強度誤差信号とを比較し、
差をなくするようにレーザ駆動電圧を出力する。レーザ
ダイオード210から出力される光の強度は、レーザ駆
動電圧に従って変化する。218は、第1の閉ループ制
御回路203に入力する基準電圧の切り換えを行うスイ
ッチである。スイッチ218はバイアスゲート信号BS
GTによって制御され、バイアスゲート信号BSGTが
Hレベルであれば再生基準電圧205側へ、Lレベルで
あれば消去基準電圧204側に倒れる。バイアスゲート
信号BSGTは、再生時はLレベル、それ以外はHレベ
ルに変化する。サンプルホールド処理中は、バイアスゲ
ート信号BSGTは常にHレベルとなり、第1の閉ルー
プ制御回路203に対して消去基準電圧204を供給す
る。これにより、第1の閉ループ制御回路203は光強
度誤差信号と消去基準電圧204の差をなくするように
にレーザ駆動電圧を出力する。スイッチ206は後述す
るライトゲート信号WTGTがHレベルの時オフ、Lレ
ベルの時オンといった動作をする。第1の閉ループ制御
回路203による光強度の制御が安定するとライトゲー
ト信号WTGTがHレベルとなり、スイッチ206をオ
フにする。この時点で制御ループは開かれる。第1のサ
ンプルホールド回路207はスイッチ206がオフにな
った時点のレーザ駆動電圧をホールドし、電圧電流変換
回路208に出力する。電圧電流変換手段208はレー
ザ駆動電圧をレーザ駆動電流に変換し、加算器209を
経由してレーザダイオード210に供給する。このとき
の光強度は図5の501に相当し、消去用光強度を得る
ための電圧がサンプルホールドされたことになる。
【0015】消去用光強度の設定が終了すると、つぎに
記録用光強度の設定を行う。219は第2の閉ループ制
御回路211に入力する基準電圧を切り換えるスイッチ
で、ライトゲート信号WTGTによって制御される。ラ
イトゲート信号WTGTがLレベルの時はGND212
側、Hレベルの時は、記録用基準電圧213側にスイッ
チ219をオンする。消去用光強度の設定が終わると、
ライトゲート信号WTGTはHレベルになり、記録用基
準電圧213を第2の閉ループ制御回路211に供給
し、また、スイッチ206を開き消去用光強度の制御ル
ープを開く。第2の閉ループ制御回路211は光強度誤
差電圧と記録基準電圧213とを比較し、差がなくなる
ようなレーザ駆動電圧を出力する。スイッチ214はピ
ークホールド信号PKHDがHレベルのときオフ、Lレ
ベルのときオンといった動作をする。第2の閉ループ回
路211による光強度制御が安定するとピークホールド
信号PKHDはHレベルとなり、スイッチ214を開
く。この時点でのレーザ駆動電圧を第2のサンプルホー
ルド回路215はホールドし、電圧電流変換回路216
に出力する。電圧電流変換回路216はレーザ駆動電圧
をレーザ駆動電流に変換し、出力する。出力されたレー
ザ駆動電流は、加算器209によって消去側のレーザ駆
動電流と加算され、レーザダイオード210を駆動す
る。このときの光強度は図5の502に相当し、記録用
光強度を得るための電圧をホールドしたことになる。図
4の402はサンプルホールド処理に用いられる区間で
ある。
記録用光強度の設定を行う。219は第2の閉ループ制
御回路211に入力する基準電圧を切り換えるスイッチ
で、ライトゲート信号WTGTによって制御される。ラ
イトゲート信号WTGTがLレベルの時はGND212
側、Hレベルの時は、記録用基準電圧213側にスイッ
チ219をオンする。消去用光強度の設定が終わると、
ライトゲート信号WTGTはHレベルになり、記録用基
準電圧213を第2の閉ループ制御回路211に供給
し、また、スイッチ206を開き消去用光強度の制御ル
ープを開く。第2の閉ループ制御回路211は光強度誤
差電圧と記録基準電圧213とを比較し、差がなくなる
ようなレーザ駆動電圧を出力する。スイッチ214はピ
ークホールド信号PKHDがHレベルのときオフ、Lレ
ベルのときオンといった動作をする。第2の閉ループ回
路211による光強度制御が安定するとピークホールド
信号PKHDはHレベルとなり、スイッチ214を開
く。この時点でのレーザ駆動電圧を第2のサンプルホー
ルド回路215はホールドし、電圧電流変換回路216
に出力する。電圧電流変換回路216はレーザ駆動電圧
をレーザ駆動電流に変換し、出力する。出力されたレー
ザ駆動電流は、加算器209によって消去側のレーザ駆
動電流と加算され、レーザダイオード210を駆動す
る。このときの光強度は図5の502に相当し、記録用
光強度を得るための電圧をホールドしたことになる。図
4の402はサンプルホールド処理に用いられる区間で
ある。
【0016】さて、以上のようにしてサンプルホールド
処理が完了すると、本実施例の光ディスク記録装置はデ
ータの記録を行う。レーザダイオード215に常時消去
用光強度に相当する電流を流し、書き込みデータに従っ
てスイッチ213をオン、オフすることによりパルス的
に光強度を記録用に持ち上げることによりデータの記録
を行う(ステップ305、306)。
処理が完了すると、本実施例の光ディスク記録装置はデ
ータの記録を行う。レーザダイオード215に常時消去
用光強度に相当する電流を流し、書き込みデータに従っ
てスイッチ213をオン、オフすることによりパルス的
に光強度を記録用に持ち上げることによりデータの記録
を行う(ステップ305、306)。
【0017】図4は図2の構成における動作波形図であ
る。記録開始フレームへのアクセスが終了してから、一
定時間の後にバイアスゲート信号BSGTを立ち上げる
ことにより、ギャップ領域401を確保することができ
ている。各信号の波形に注目すると、バイアスゲート信
号BSGTは、光強度の設定と書き込みデータによるパ
ルス変調が終了するまで常にHレベルである。バイアス
ゲート信号BSGTの立ち上がりからライトゲート信号
WTGTの立ち上がりまでが、消去用光強度の設定のた
めに第1の閉ループ制御回路203が動作している期間
である。ライトゲート信号WTGTの立ち上がりからピ
ークホールド信号PKHDの立ち上がりまでが、記録用
光強度の設定のために第2の閉ループ制御回路211が
動作している期間である。PDはレーザダイオードが出
力している光強度を示している。消去用・記録用光強度
の設定において、閉ループ制御のため光強度がゆっくり
立ち上がって安定になった時点でサンプルホールドを行
い、サンプルホールドした電圧を用いて開ループ制御を
行うことにより、立ち上がりが急峻な、パルス変調波形
を得ることができる。
る。記録開始フレームへのアクセスが終了してから、一
定時間の後にバイアスゲート信号BSGTを立ち上げる
ことにより、ギャップ領域401を確保することができ
ている。各信号の波形に注目すると、バイアスゲート信
号BSGTは、光強度の設定と書き込みデータによるパ
ルス変調が終了するまで常にHレベルである。バイアス
ゲート信号BSGTの立ち上がりからライトゲート信号
WTGTの立ち上がりまでが、消去用光強度の設定のた
めに第1の閉ループ制御回路203が動作している期間
である。ライトゲート信号WTGTの立ち上がりからピ
ークホールド信号PKHDの立ち上がりまでが、記録用
光強度の設定のために第2の閉ループ制御回路211が
動作している期間である。PDはレーザダイオードが出
力している光強度を示している。消去用・記録用光強度
の設定において、閉ループ制御のため光強度がゆっくり
立ち上がって安定になった時点でサンプルホールドを行
い、サンプルホールドした電圧を用いて開ループ制御を
行うことにより、立ち上がりが急峻な、パルス変調波形
を得ることができる。
【0018】以上のように本実施例によれば、記録開始
位置へのアクセスが終了した後に、所定の時間だけサン
プルホールド処理を遅らせることにより、ウォブルドト
ラックに位置情報をFM変調したような、記録するデー
タに対して位置決めのための位置情報の量が極端に少な
いような光ディスクにおいても、他のデータを破壊する
ことなくサンプルホールド処理を行う事ができる。これ
により、レーザダイオードの温度特性や経年変化による
電流−光強度特性の変化に追従することが可能となり、
また、記録データの周波数が上がっても、閉ループ制御
でないために、追従が容易になる。
位置へのアクセスが終了した後に、所定の時間だけサン
プルホールド処理を遅らせることにより、ウォブルドト
ラックに位置情報をFM変調したような、記録するデー
タに対して位置決めのための位置情報の量が極端に少な
いような光ディスクにおいても、他のデータを破壊する
ことなくサンプルホールド処理を行う事ができる。これ
により、レーザダイオードの温度特性や経年変化による
電流−光強度特性の変化に追従することが可能となり、
また、記録データの周波数が上がっても、閉ループ制御
でないために、追従が容易になる。
【0019】なお、本実施例では、光ディスクの記録方
式として相変化型を用いたが、これ以外でも、2値の光
強度を記録に必要とする記録方式であれば、どのような
ものでも良い。
式として相変化型を用いたが、これ以外でも、2値の光
強度を記録に必要とする記録方式であれば、どのような
ものでも良い。
【0020】また、本実施例では、記録用と消去用の2
つのサンプルホールドをデータを記録する前の連続する
一つの領域内で行ったが、まず、記録用レーザ駆動電圧
のサンプルホールド処理を行ってデータを記録し、次の
データを記録する前に消去用レーザ駆動電圧のサンプル
ホールド処理を行うなど、一つの領域で片方だけを行っ
でもよい。
つのサンプルホールドをデータを記録する前の連続する
一つの領域内で行ったが、まず、記録用レーザ駆動電圧
のサンプルホールド処理を行ってデータを記録し、次の
データを記録する前に消去用レーザ駆動電圧のサンプル
ホールド処理を行うなど、一つの領域で片方だけを行っ
でもよい。
【0021】また、これまでの説明では、特開平1−2
24929号公報に開示されている光ディスクに対して
データを記録する場合を例にとって説明してきたが、周
期的トラック変調を施されたサーボトラックを有し、ト
ラック変調の周期を変動させることにより位置情報を記
録した光ディスクであれば、どのようなものに対して
も、適用できる。
24929号公報に開示されている光ディスクに対して
データを記録する場合を例にとって説明してきたが、周
期的トラック変調を施されたサーボトラックを有し、ト
ラック変調の周期を変動させることにより位置情報を記
録した光ディスクであれば、どのようなものに対して
も、適用できる。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
データ記録領域に連続して1フレーム以上のデータを記
録しない領域を設け、この部分を利用して、ギャップ形
成とサンプルホールド処理を行うことにより、周期的ト
ラック変調が施されているサーボトラックを有し、前記
サーボトラックの変調の周期が位置同期信号および位置
符号信号からなる位置情報信号に応じて変調されている
光ディスクのように、低いデータ密度で位置情報が記録
されている相変化型光ディスクにおいて、他のデータを
破壊することなくサンプルホールド処理が可能となる。
これにより、データを書き込む毎にサンプルホールド処
理を行うことが可能となり、レーザダイオードの電流−
光強度特性が温度特性や経年変化により変化しても、記
録用光強度および消去用光強度を精密に制御することが
可能となる。
データ記録領域に連続して1フレーム以上のデータを記
録しない領域を設け、この部分を利用して、ギャップ形
成とサンプルホールド処理を行うことにより、周期的ト
ラック変調が施されているサーボトラックを有し、前記
サーボトラックの変調の周期が位置同期信号および位置
符号信号からなる位置情報信号に応じて変調されている
光ディスクのように、低いデータ密度で位置情報が記録
されている相変化型光ディスクにおいて、他のデータを
破壊することなくサンプルホールド処理が可能となる。
これにより、データを書き込む毎にサンプルホールド処
理を行うことが可能となり、レーザダイオードの電流−
光強度特性が温度特性や経年変化により変化しても、記
録用光強度および消去用光強度を精密に制御することが
可能となる。
【図1】本発明の一実施例における光ディスク記録装置
の構成を示すブロック図
の構成を示すブロック図
【図2】同実施例におけるLPC回路106の内部構成
を示すブロック図
を示すブロック図
【図3】図1における制御回路107の動作を説明する
ためのフローチャート
ためのフローチャート
【図4】同実施例における各信号と記録状態を示す波形
図
図
【図5】従来の相変化型光ディスクの記録光強度を示す
特性図
特性図
【図6】従来の記録に用いる光ディスクの正面図
【図7】図6における光ディスクのa−b断面図
【図8】図6におけるサーボトラック603の部分60
2を示す部分拡大図
2を示す部分拡大図
【図9】従来例における光ディスクの位置情報信号と記
録データとの関係を示す模式図
録データとの関係を示す模式図
107 制御回路 106 LPC回路 203 第1の閉ループ制御回路 207 第1のサンプルホールド回路 211 第2の閉ループ制御回路 215 第2のサンプルホールド回路 401 ギャップ領域 402 サンプルホールド領域 403 データ記録領域 603 サーボトラック 901 位置同期信号 902 位置符号信号
Claims (1)
- 【請求項1】 周期的トラック変調が施されているサー
ボトラックを有し、前記サーボトラックの変調の周期が
位置同期信号および位置符号信号からなる位置情報信号
に応じて変調されている光ディスクに対してデータを記
録する光ディスク記録装置であって、 半導体レーザの出力光を受光し、光の強度を示す光強度
モニタ電圧を出力する光強度モニタ手段と、 半導体レーザの光強度を第1あるいは第2の光強度に設
定するための第1およびの第2の基準電圧を発生する第
1の基準電圧発生手段および第2の基準電圧発生手段
と、 前記光強度モニタ電圧と前記第1の基準電圧を比較して
得られる第1の制御電圧で前記半導体レーザに流す電流
を変化させ、前記半導体レーザを前記第1の光強度で発
光させる第1の閉ループ系制御手段と、 前記光強度モニタ電圧と前記第2の基準電圧を比較して
得られる第2の制御電圧で前記半導体レーザに流す電流
を変化させ、前記半導体レーザを第2の光強度で発光さ
せる第2の閉ループ系制御手段と、 前記第1の閉ループ系制御手段による光強度制御が安定
した時点での前記第1の制御電圧をホールドし、第1の
ホールド電圧を出力する第1のサンプルホールド手段
と、 前記第2の閉ループ系制御手段による光強度制御が安定
した時点での前記第2の制御電圧をホールドし、第2の
ホールド電圧を出力する第2のサンプルホールド手段
と、 前記第1のホールド電圧で前記半導体レーザに流れる電
流を変化させ、出力光を前記第1の光強度に制御する第
1の開ループ系制御手段と、 前記第2のホールド電圧で前記半導体レーザに流れる電
流を変化させ、出力光を前記第2の光強度に制御する第
2の開ループ系制御手段と、 前記第1の開ループ系制御手段により制御された前記第
1の光強度を光パルス波形のボトム値とし、前記第2の
開ループ系制御手段により制御された前記第1の光強度
を前記光パルス波形のピーク値として光パルス変調する
光パルス変調手段と、 前記サーボトラック上に、連続するmフレーム(m:1
以上の整数)からなる第1の領域とこれに連続するnフ
レーム(n:1以上の整数)からなる第2の領域の対を
1つ以上設け、前記第1の領域に前記データを記録し、
前記第2の領域内に少なくとも前記第1のサンプルホー
ルド手段および第2のサンプルホールド手段を動作させ
ないギャップ領域を設ける記録管理手段とを備え、 前記第2の領域の前記ギャップ領域を除く領域を走査し
ている際に第1および第2のサンプルホールドを行うこ
とを特徴とする光ディスク記録装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3346126A JP2833308B2 (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 光ディスク記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3346126A JP2833308B2 (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 光ディスク記録装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05182198A JPH05182198A (ja) | 1993-07-23 |
JP2833308B2 true JP2833308B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=18381311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3346126A Expired - Fee Related JP2833308B2 (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 光ディスク記録装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2833308B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5207559B2 (ja) * | 2010-12-15 | 2013-06-12 | パナソニック株式会社 | 光情報記録再生装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07111783B2 (ja) * | 1988-09-02 | 1995-11-29 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レーザ制御回路 |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP3346126A patent/JP2833308B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05182198A (ja) | 1993-07-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |