JP2830215B2 - 電荷転送装置の製造方法 - Google Patents
電荷転送装置の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電荷転送装置の製造方法に関し、特に、転
送電極の材料として高融点金属を含む材料を用いた電荷
転送装置の製造に適用して好適なものである。
送電極の材料として高融点金属を含む材料を用いた電荷
転送装置の製造に適用して好適なものである。
本発明は、電荷転送装置の製造方法において、シリコ
ン基板上に形成された酸化シリコン膜上に少なくとも窒
化シリコン膜をその下部に含む第１の絶縁膜を形成する
工程と、第１の絶縁膜上に高融点金属を含む材料から成
る第１の転送電極を形成する工程と、第１の転送電極を
マスクとして第１の絶縁膜をエッチングする工程と、第
１の転送電極を覆うように少なくとも窒化シリコン膜を
その下部に含む第２の絶縁膜を形成する工程と、第１の
転送電極に隣接して第２の絶縁膜上に高融点金属を含む
材料から成る第２の転送電極を形成する工程とを具備す
ることによって、第１の転送電極と第２の転送電極との
間に層間絶縁膜の高耐圧化を図ることができるととも
に、第１の転送電極の下のゲート絶縁膜と第２の転送電
極の下のゲート絶縁膜とを同一構造とすることができる
ようにしたものである。
ン基板上に形成された酸化シリコン膜上に少なくとも窒
化シリコン膜をその下部に含む第１の絶縁膜を形成する
工程と、第１の絶縁膜上に高融点金属を含む材料から成
る第１の転送電極を形成する工程と、第１の転送電極を
マスクとして第１の絶縁膜をエッチングする工程と、第
１の転送電極を覆うように少なくとも窒化シリコン膜を
その下部に含む第２の絶縁膜を形成する工程と、第１の
転送電極に隣接して第２の絶縁膜上に高融点金属を含む
材料から成る第２の転送電極を形成する工程とを具備す
ることによって、第１の転送電極と第２の転送電極との
間に層間絶縁膜の高耐圧化を図ることができるととも
に、第１の転送電極の下のゲート絶縁膜と第２の転送電
極の下のゲート絶縁膜とを同一構造とすることができる
ようにしたものである。
電荷転送装置の一種にCCD（Charge Coupled Device）
撮像素子がある。従来、このCCD撮像素子の転送電極の
材料としては多結晶シリコン（Si）膜が用いられてお
り、リン（Ｐ）のドーピングや膜厚の最適化などにより
低抵抗化が達成されている。しかし、多結晶Si膜では10
Ω／□以下のシート抵抗を実現することは困難である。
このため、10Ω／□以下のシート抵抗が要求される場合
には、シート抵抗がより低い高融点金属膜や高融点金属
シリサイド膜を転送電極の材料として用いることが考え
られる。
撮像素子がある。従来、このCCD撮像素子の転送電極の
材料としては多結晶シリコン（Si）膜が用いられてお
り、リン（Ｐ）のドーピングや膜厚の最適化などにより
低抵抗化が達成されている。しかし、多結晶Si膜では10
Ω／□以下のシート抵抗を実現することは困難である。
このため、10Ω／□以下のシート抵抗が要求される場合
には、シート抵抗がより低い高融点金属膜や高融点金属
シリサイド膜を転送電極の材料として用いることが考え
られる。
このように転送電極の材料として高融点金属膜や高融
点金属シリサイド膜を用いる場合、一層目の転送電極と
二層目の転送電極との間の層間絶縁膜の形成方法として
は、次のような方法が考えられる。第１の方法は、高融
点金属膜または高融点金属シリサイド膜上にＰがドープ
された多結晶Si膜を重ねた二層構造の膜や、高融点金属
膜または高融点金属シリサイド膜の上下をＰがドープさ
れた多結晶Si膜ではさんだ三層構造の膜を用いて一層目
の転送電極を形成し、この二層構造または三層構造の膜
を直接熱酸化することにより層間絶縁膜を形成する方法
である。第２の方法は、一層目の転送電極を形成した後
にCVD法により全面に層間絶縁膜として二酸化シリコン
（SiO2）膜や窒化シリコン（Si3N4）膜を形成し、一層
目の転送電極の上方の部分におけるこの層間絶縁膜上の
レジストパターンを形成した後、このレジストパターン
をマスクとして層間絶縁膜をエッチングすることにより
一層目の転送電極よりもその両側にそれぞれ例えば0.2
μｍ程度だけ幅が広くなるように層間絶縁膜を残す方法
である。
点金属シリサイド膜を用いる場合、一層目の転送電極と
二層目の転送電極との間の層間絶縁膜の形成方法として
は、次のような方法が考えられる。第１の方法は、高融
点金属膜または高融点金属シリサイド膜上にＰがドープ
された多結晶Si膜を重ねた二層構造の膜や、高融点金属
膜または高融点金属シリサイド膜の上下をＰがドープさ
れた多結晶Si膜ではさんだ三層構造の膜を用いて一層目
の転送電極を形成し、この二層構造または三層構造の膜
を直接熱酸化することにより層間絶縁膜を形成する方法
である。第２の方法は、一層目の転送電極を形成した後
にCVD法により全面に層間絶縁膜として二酸化シリコン
（SiO2）膜や窒化シリコン（Si3N4）膜を形成し、一層
目の転送電極の上方の部分におけるこの層間絶縁膜上の
レジストパターンを形成した後、このレジストパターン
をマスクとして層間絶縁膜をエッチングすることにより
一層目の転送電極よりもその両側にそれぞれ例えば0.2
μｍ程度だけ幅が広くなるように層間絶縁膜を残す方法
である。
しかし、上述の第１の方法は、多結晶Si膜を熱酸化す
ることにより形成される層間絶縁膜に比べて耐圧の低い
層間絶縁膜しか形成することができないという問題があ
る。一方、上述の第２の方法は、層間絶縁膜をエッチン
グする際に用いるレジストパターンを一層目の転送電極
に対して自己整合的に形成することができないことか
ら、一層目の転送電極に対する層間絶縁膜の合わせ精度
が悪い。このような理由により、一層目の転送電極の下
のゲート絶縁膜と二層目の転送電極の下のゲート絶縁膜
とを同一構造とすることは困難である。
ることにより形成される層間絶縁膜に比べて耐圧の低い
層間絶縁膜しか形成することができないという問題があ
る。一方、上述の第２の方法は、層間絶縁膜をエッチン
グする際に用いるレジストパターンを一層目の転送電極
に対して自己整合的に形成することができないことか
ら、一層目の転送電極に対する層間絶縁膜の合わせ精度
が悪い。このような理由により、一層目の転送電極の下
のゲート絶縁膜と二層目の転送電極の下のゲート絶縁膜
とを同一構造とすることは困難である。
従って本発明の目的は、第１の転送電極と第２の転送
電極との間の層間絶縁膜の高耐圧化を図ることができる
電荷転送装置の製造方法を提供することにある。
電極との間の層間絶縁膜の高耐圧化を図ることができる
電荷転送装置の製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、第１の転送電極の下のゲート絶
縁膜と第２の転送電極の下のゲート絶縁膜とを同一構造
とすることができる電荷転送装置の製造方法を提供する
ことにある。
縁膜と第２の転送電極の下のゲート絶縁膜とを同一構造
とすることができる電荷転送装置の製造方法を提供する
ことにある。
上記目的を達成するために、本発明は、電荷転送装置
の製造方法において、シリコン基板（１）上に形成され
た酸化シリコン膜（２）上に少なくとも窒化シリコン膜
（３）をその下部に含む第１の絶縁膜を形成する工程
と、第１の絶縁膜上に高融点金属を含む材料から成る第
１の転送電極（７）を形成する工程と、第１の転送電極
（７）をマスクとして第１の絶縁膜をエッチングする工
程と、第１の転送電極（７）を覆うように少なくとも窒
化シリコン膜（８）をその下部に含む第２の絶縁膜を形
成する工程と、第１の転送電極（７）に隣接して第２の
絶縁膜上に高融点金属を含む材料から成る第２の転送電
極（９）を形成する工程とを具備する。
の製造方法において、シリコン基板（１）上に形成され
た酸化シリコン膜（２）上に少なくとも窒化シリコン膜
（３）をその下部に含む第１の絶縁膜を形成する工程
と、第１の絶縁膜上に高融点金属を含む材料から成る第
１の転送電極（７）を形成する工程と、第１の転送電極
（７）をマスクとして第１の絶縁膜をエッチングする工
程と、第１の転送電極（７）を覆うように少なくとも窒
化シリコン膜（８）をその下部に含む第２の絶縁膜を形
成する工程と、第１の転送電極（７）に隣接して第２の
絶縁膜上に高融点金属を含む材料から成る第２の転送電
極（９）を形成する工程とを具備する。
上述のように構成された本発明の電荷転送装置の製造
方法によれば、第１の転送電極（７）の下のゲート絶縁
膜は酸化シリコン膜（２）及び第１の絶縁膜により形成
され、第２の転送電極（９）の下のゲート絶縁膜は酸化
シリコン膜（２）及び第２の絶縁膜により形成されるの
で、第１の転送電極（７）の下のゲート絶縁膜と第２の
転送電極（９）の下のゲート絶縁膜とを同一構造とする
ことができる。一方、第１の転送電極（７）と第２の転
送電極（９）との間の層間絶縁膜は第２の絶縁膜により
形成される。この第２の絶縁膜は、CVD法などの方法に
より容易に形成することができる高耐圧の窒化シリコン
膜を含むので、転送電極の材料として高融点金属膜や高
融点金属シリサイド膜などの高融点金属を含む材料を用
いた場合においても、高耐圧の層間絶縁膜を得ることが
できる。
方法によれば、第１の転送電極（７）の下のゲート絶縁
膜は酸化シリコン膜（２）及び第１の絶縁膜により形成
され、第２の転送電極（９）の下のゲート絶縁膜は酸化
シリコン膜（２）及び第２の絶縁膜により形成されるの
で、第１の転送電極（７）の下のゲート絶縁膜と第２の
転送電極（９）の下のゲート絶縁膜とを同一構造とする
ことができる。一方、第１の転送電極（７）と第２の転
送電極（９）との間の層間絶縁膜は第２の絶縁膜により
形成される。この第２の絶縁膜は、CVD法などの方法に
より容易に形成することができる高耐圧の窒化シリコン
膜を含むので、転送電極の材料として高融点金属膜や高
融点金属シリサイド膜などの高融点金属を含む材料を用
いた場合においても、高耐圧の層間絶縁膜を得ることが
できる。
以上により、第１の転送電極（７）と第２の転送電極
（９）との間の層間絶縁膜の高耐圧化を図ることができ
るとともに、第１の転送電極（７）の下のゲート絶縁膜
と第２の転送電極（９）の下のゲート絶縁膜とを同一構
造とすることができる。
（９）との間の層間絶縁膜の高耐圧化を図ることができ
るとともに、第１の転送電極（７）の下のゲート絶縁膜
と第２の転送電極（９）の下のゲート絶縁膜とを同一構
造とすることができる。
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら
説明する。この実施例は、本発明を埋め込みチャネルCC
D（BCCD）の製造に適用した実施例である。なお、実施
例の全図において、同一の部分には同一の符号を付す。
説明する。この実施例は、本発明を埋め込みチャネルCC
D（BCCD）の製造に適用した実施例である。なお、実施
例の全図において、同一の部分には同一の符号を付す。
第１図Ａ〜第１図Ｅは本発明の一実施例によるBCCDの
製造方法を工程順に示し、第２図はこの実施例による製
造方法により製造されたBCCDの転送電極の平面図であ
る。ここで、第１図Ｅに示す断面は第２図のＸ−Ｘ線に
沿っての断面に対応する。
製造方法を工程順に示し、第２図はこの実施例による製
造方法により製造されたBCCDの転送電極の平面図であ
る。ここで、第１図Ｅに示す断面は第２図のＸ−Ｘ線に
沿っての断面に対応する。
この実施例によるBCCDの製造方法においては、第１図
Ａに示すように、まず例えばｐ型Si基板１上に例えば熱
酸化法によりSiO2膜２を形成した後、このSiO2膜２上に
例えば減圧CVD法によりSi3N4膜３を形成する。次に、こ
れらのSi3N4膜３及びSiO2膜２を介してｐ型Si基板１中
に例えばヒ素（As）のようなｎ型不純物を選択的にイオ
ン注入することにより、例えばn+型の半導体領域４を形
成する。次に、Si3N4膜３上に一層目の転送電極形成用
の材料として高融点金属を含む導体膜５を形成する。こ
の導体膜５としては、具体的には、例えばタングステン
（Ｗ）膜のような高融点金属膜、例えばタングステンシ
リサイド（WSi2）膜のような高融点金属シリサイド膜、
例えばＰのような不純物がドープされた多結晶Si膜上に
高融点金属膜または高融点金属シリサイド膜を形成した
膜などを用いる。この後、この導体膜５上に、形成すべ
き一層目の転送電極に対応した形状のレジストパターン
６をリソグラフィーにより形成する。
Ａに示すように、まず例えばｐ型Si基板１上に例えば熱
酸化法によりSiO2膜２を形成した後、このSiO2膜２上に
例えば減圧CVD法によりSi3N4膜３を形成する。次に、こ
れらのSi3N4膜３及びSiO2膜２を介してｐ型Si基板１中
に例えばヒ素（As）のようなｎ型不純物を選択的にイオ
ン注入することにより、例えばn+型の半導体領域４を形
成する。次に、Si3N4膜３上に一層目の転送電極形成用
の材料として高融点金属を含む導体膜５を形成する。こ
の導体膜５としては、具体的には、例えばタングステン
（Ｗ）膜のような高融点金属膜、例えばタングステンシ
リサイド（WSi2）膜のような高融点金属シリサイド膜、
例えばＰのような不純物がドープされた多結晶Si膜上に
高融点金属膜または高融点金属シリサイド膜を形成した
膜などを用いる。この後、この導体膜５上に、形成すべ
き一層目の転送電極に対応した形状のレジストパターン
６をリソグラフィーにより形成する。
次に、このレジストパターン６をマスクとして導体膜
５及びSi3N4膜３を順次エッチングした後、レジストパ
ターン６を除去する。これによって、第１図Ｂに示すよ
うに、高融点金属を含む導体膜から成る一層目の転送電
極７が形成されるとともに、この一層目の転送電極７の
下にSi3N4膜３がこの転送電極７と同一形状に残され
る。この一層目の転送電極７の下のSiO2膜２及びSi3N4
膜３によりこの一層目の転送電極７用のゲート絶縁膜が
形成される。
５及びSi3N4膜３を順次エッチングした後、レジストパ
ターン６を除去する。これによって、第１図Ｂに示すよ
うに、高融点金属を含む導体膜から成る一層目の転送電
極７が形成されるとともに、この一層目の転送電極７の
下にSi3N4膜３がこの転送電極７と同一形状に残され
る。この一層目の転送電極７の下のSiO2膜２及びSi3N4
膜３によりこの一層目の転送電極７用のゲート絶縁膜が
形成される。
次に、第１図Ｃに示すように、例えば減圧CVD法によ
り全面にSi3N4膜８を形成した後、このSi3N4膜８上に一
層目の転送電極７に隣接して二層目の転送電極９を形成
する。この二層目の転送電極９を形成するには、一層目
の転送電極７を形成した場合と同様に、Si3N4膜８上に
上述の導体膜５と同様な高融点金属を含む導体膜（図示
せず）を形成し、この導体膜をエッチングによりパター
ンニングすればよい。一層目の転送電極７の間における
この二層目の転送電極９の下のSiO2膜２及びSi3N4膜３
により、この二層目の転送電極９用のゲート絶縁膜が形
成される。また、一層目の転送電極７と二層目の転送電
極９との間のSi3N4膜８により、この一層目の転送電極
７と二層目の転送電極９との間の層間絶縁膜が形成され
る。
り全面にSi3N4膜８を形成した後、このSi3N4膜８上に一
層目の転送電極７に隣接して二層目の転送電極９を形成
する。この二層目の転送電極９を形成するには、一層目
の転送電極７を形成した場合と同様に、Si3N4膜８上に
上述の導体膜５と同様な高融点金属を含む導体膜（図示
せず）を形成し、この導体膜をエッチングによりパター
ンニングすればよい。一層目の転送電極７の間における
この二層目の転送電極９の下のSiO2膜２及びSi3N4膜３
により、この二層目の転送電極９用のゲート絶縁膜が形
成される。また、一層目の転送電極７と二層目の転送電
極９との間のSi3N4膜８により、この一層目の転送電極
７と二層目の転送電極９との間の層間絶縁膜が形成され
る。
次に、第１図Ｄに示すように、この二層目の転送電極
９上に例えば熱酸化法によりSiO2膜10を形成した後、こ
のSiO2膜10をマスクとしてSi3N4膜８をエッチングす
る。これによって、センサー部のSi3N4膜８がエッチン
グ除去される。次に、このセンサー部に例えばAsのよう
なｎ型不純物を選択的にイオン注入することによりｎ型
半導体領域11を形成する。このｎ型半導体領域11とｐ型
Si基板１とから成るpn接合によりセンサーが形成され
る。
９上に例えば熱酸化法によりSiO2膜10を形成した後、こ
のSiO2膜10をマスクとしてSi3N4膜８をエッチングす
る。これによって、センサー部のSi3N4膜８がエッチン
グ除去される。次に、このセンサー部に例えばAsのよう
なｎ型不純物を選択的にイオン注入することによりｎ型
半導体領域11を形成する。このｎ型半導体領域11とｐ型
Si基板１とから成るpn接合によりセンサーが形成され
る。
次に、第１図Ｅに示すように、例えばCVD法により全
面に層間絶縁膜12を形成し、この層間絶縁膜12上に例え
ばアルミニウム（Ar）配線13を形成した後、全面にパッ
シベーション膜14を形成して、目的とするBCCDを完成さ
せる。ここで、層間絶縁膜12としては、例えばSiO2膜及
びリンシリケートガラス（PSG）膜から成るものなどを
用いることができる。また、パッシベーション膜14とし
ては、例えばプラズマCVD形成されたSiN膜などを用いる
ことができる。
面に層間絶縁膜12を形成し、この層間絶縁膜12上に例え
ばアルミニウム（Ar）配線13を形成した後、全面にパッ
シベーション膜14を形成して、目的とするBCCDを完成さ
せる。ここで、層間絶縁膜12としては、例えばSiO2膜及
びリンシリケートガラス（PSG）膜から成るものなどを
用いることができる。また、パッシベーション膜14とし
ては、例えばプラズマCVD形成されたSiN膜などを用いる
ことができる。
この完成状態における一層目の転送電極７及び二層目
の転送電極９のパターンを第２図に示す。
の転送電極９のパターンを第２図に示す。
以上のように、この実施例によれば、一層目の転送電
極７と二層目の転送電極９との間に層間絶縁膜をCVD法
により形成された高耐圧のSi3N4膜８により形成してい
るので、転送電極の材料として高融点金属を含む材料を
用いた場合においても、一層目の転送電極７と二層目の
転送電極９との間の層間絶縁膜の耐圧を十分に大きくす
ることができる。また、一層目の転送電極７の下のゲー
ト絶縁膜はSiO2膜２及びSi3N4膜３により形成され、二
層目の転送電極９の下のゲート絶縁膜はSiO2膜２及びSi
3N4膜８により形成されるので、一層目の転送電極７の
下のゲート絶縁膜と二層目の転送電極９の下のゲート絶
縁膜とを同一構造とすることができる。これによって、
電荷転送時に一層目の転送電極７の下の部分のｐ型Si基
板１に形成されるポテンシャル井戸と二層目の転送電極
９の下の部分のｐ型Si基板１に形成されるポテンシャル
井戸との間にゲート絶縁膜の構造の違いによるポテンシ
ャル差が生じることがなく、従って電荷の転送が容易と
なる。さらに、一層目の転送電極７は、金属元素に対す
るバリアとなるSi3N4膜でその周囲のかなりの部分を囲
まれた構造となるので、この転送電極７中に含まれる金
属元素の外部への拡散を抑えることができ、従って転送
電極７からのセンサー部への金属元素の拡散を防止する
ことができる。これによって、この実施例によるBCCDを
撮像素子として用いた場合において、金属汚染による画
像欠陥の発生を防止することができる。なお、高融点金
属を含む材料の使用により転送電極7,9の低抵抗化を図
ることができることは言うまでもない。
極７と二層目の転送電極９との間に層間絶縁膜をCVD法
により形成された高耐圧のSi3N4膜８により形成してい
るので、転送電極の材料として高融点金属を含む材料を
用いた場合においても、一層目の転送電極７と二層目の
転送電極９との間の層間絶縁膜の耐圧を十分に大きくす
ることができる。また、一層目の転送電極７の下のゲー
ト絶縁膜はSiO2膜２及びSi3N4膜３により形成され、二
層目の転送電極９の下のゲート絶縁膜はSiO2膜２及びSi
3N4膜８により形成されるので、一層目の転送電極７の
下のゲート絶縁膜と二層目の転送電極９の下のゲート絶
縁膜とを同一構造とすることができる。これによって、
電荷転送時に一層目の転送電極７の下の部分のｐ型Si基
板１に形成されるポテンシャル井戸と二層目の転送電極
９の下の部分のｐ型Si基板１に形成されるポテンシャル
井戸との間にゲート絶縁膜の構造の違いによるポテンシ
ャル差が生じることがなく、従って電荷の転送が容易と
なる。さらに、一層目の転送電極７は、金属元素に対す
るバリアとなるSi3N4膜でその周囲のかなりの部分を囲
まれた構造となるので、この転送電極７中に含まれる金
属元素の外部への拡散を抑えることができ、従って転送
電極７からのセンサー部への金属元素の拡散を防止する
ことができる。これによって、この実施例によるBCCDを
撮像素子として用いた場合において、金属汚染による画
像欠陥の発生を防止することができる。なお、高融点金
属を含む材料の使用により転送電極7,9の低抵抗化を図
ることができることは言うまでもない。
以上、本発明の実施例につき具体的に説明したが、本
発明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発
明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
発明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発
明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施例におけるSi3N4膜3,8の上に熱酸
化法により薄いSiO2膜を形成することにより、一層目の
転送電極７の下のゲート絶縁膜及び二層目の転送電極９
の下のゲート絶縁膜をそれぞれSiO2／Si3N4／SiO2（ON
O）構造とすることも可能である。
化法により薄いSiO2膜を形成することにより、一層目の
転送電極７の下のゲート絶縁膜及び二層目の転送電極９
の下のゲート絶縁膜をそれぞれSiO2／Si3N4／SiO2（ON
O）構造とすることも可能である。
また、上述の実施例においては、SiO2膜10をマスクと
してSi3N4膜８をエッチングする際に一層目の転送電極
７も多少エッチングされる可能性があるが、この一層目
の転送電極７のエッチングを防止するためには、例えば
二層目の転送電極形成用の導体膜をエッチングして二層
目の転送電極９を形成した後にセンサー形成用のイオン
注入を行えばよい。
してSi3N4膜８をエッチングする際に一層目の転送電極
７も多少エッチングされる可能性があるが、この一層目
の転送電極７のエッチングを防止するためには、例えば
二層目の転送電極形成用の導体膜をエッチングして二層
目の転送電極９を形成した後にセンサー形成用のイオン
注入を行えばよい。
さらに、上述の実施例においては、本発明をBCCDの製
造に適用した場合について説明したが、本発明は、BCCD
以外の各種の電荷転送装置の製造に適用することが可能
である。
造に適用した場合について説明したが、本発明は、BCCD
以外の各種の電荷転送装置の製造に適用することが可能
である。
本発明は、以上説明したように構成されているので、
第１の転送電極と第２の転送電極との間の層間絶縁膜の
高耐圧化を図ることができるとともに、第１の転送電極
の下のゲート絶縁膜と第２の転送電極の下のゲート絶縁
膜とを同一構造とすることができる。
第１の転送電極と第２の転送電極との間の層間絶縁膜の
高耐圧化を図ることができるとともに、第１の転送電極
の下のゲート絶縁膜と第２の転送電極の下のゲート絶縁
膜とを同一構造とすることができる。
第１図Ａ〜第１図Ｅは本発明の一実施例によるBCCDの製
造方法を工程順に説明するための断面図、第２図は第１
図Ａ〜第１図Ｅに示す製造方法により製造されたBCCDの
平面図である。 図面における主要な符号の説明 1:p型Si基板、2:SiO2膜、3,8:Si3N4膜、5:導体膜、7:一
層目の転送電極、9:二層目の転送電極。
造方法を工程順に説明するための断面図、第２図は第１
図Ａ〜第１図Ｅに示す製造方法により製造されたBCCDの
平面図である。 図面における主要な符号の説明 1:p型Si基板、2:SiO2膜、3,8:Si3N4膜、5:導体膜、7:一
層目の転送電極、9:二層目の転送電極。
Claims (1)
- 【請求項１】シリコン基板上に形成された酸化シリコン
膜上に少なくとも窒化シリコン膜をその下部に含む第１
の絶縁膜を形成する工程と、 上記第１の絶縁膜上に高融点金属を含む材料から成る第
１の転送電極を形成する工程と、 上記第１の転送電極をマスクとして上記第１の絶縁膜を
エッチングする工程と、 上記第１の転送電極を覆うように少なくとも窒化シリコ
ン膜をその下部に含む第２の絶縁膜を形成する工程と、 上記第１の転送電極に隣接して上記第２の絶縁膜上に高
融点金属を含む材料から成る第２の転送電極を形成する
工程とを具備することを特徴とする電荷転送装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30236889A JP2830215B2 (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 電荷転送装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30236889A JP2830215B2 (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 電荷転送装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03161941A JPH03161941A (ja) | 1991-07-11 |
| JP2830215B2 true JP2830215B2 (ja) | 1998-12-02 |
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ID=17908060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30236889A Expired - Fee Related JP2830215B2 (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 電荷転送装置の製造方法 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP2830215B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
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| US5292680A (en) * | 1993-05-07 | 1994-03-08 | United Microelectronics Corporation | Method of forming a convex charge coupled device |
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-
1989
- 1989-11-21 JP JP30236889A patent/JP2830215B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH03161941A (ja) | 1991-07-11 |
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