JP2823461B2 - 高周波帯ｉｃ用パッケージ - Google Patents

高周波帯ｉｃ用パッケージ

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は高周波帯、特に３０Ｇ
Ｈｚの以上のミリ波帯で動作するＩＣチップを実装する
高周波帯ＩＣ用パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１６は従来の高周波帯誘電体パッケー
ジの一例を示す平面及び断面図である。図において、１
はアルミナ，ガラス等の誘電体からなる１７ｍｍ×１０
ｍｍ角のパッケージ本体、２は該パッケージ本体１にチ
ップの厚みと同等な深さの凹部を設けて形成されたチッ
プ実装部である。３はスルーホールであり、チップ実装
部２とパッケージ本体１裏面側に金メッキ等で形成され
た接地面１１とを電気的に接続している。４は上記チッ
プ実装部２近傍まで形成された高周波伝送線路（この場
合はマイクロストリップライン）、１２はＤＣバイアス
線路、７は上記チップ実装部２を囲むように形成された
キャビティウォールである。
【０００３】次にパッケージ組立方法について説明す
る。図１７は誘電体からなるパッケージ本体１のチップ
実装部２に、２個の高周波帯ＩＣチップ８をハンダ，導
電性接着剤等を用いて固定した状態を示す平面及び側面
図であり、この後ＩＣチップ８に設けられた電極（図示
せず）と、パッケージ本体１に形成された高周波伝送線
路４及びＤＣバイアス線路１２，あるいはＩＣチップ８
の電極同士を、ウエッジブレード１０を用いてワイヤま
たはリボン１３等で接続し、その後、キャビティウォー
ル７上にパッケージ本体と同様の材質からなるキャップ
６を固定して気密封止を行なう（図１８参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の高周波帯ＩＣ用
パッケージは以上のように構成されており、パッケージ
本体に凹部を設け、ここにＩＣチップをボンディングす
ることで伝送線路とチップとを接続するワイヤ又はリボ
ンの長さを短くするようにしているが、一般的に周波数
が高くなり、特に３０ＧＨｚのミリ波帯領域となると、
インピーダンスの不整合による反射損失や、伝送線路長
に起因する導体損失が極めて大きくなるため、図１９に
示すように、キャビティウォール７′をチップ実装部２
に近接して設けワイヤ１３や伝送線路４の長さを短くす
る必要が生じる。ところが従来の高周波帯ＩＣ用パッケ
ージでは図１８に示すように、例えば試験生産及び少量
生産時等には手動ボンディング装置を用いて紙面左側の
矢印９の方向から観察光を照射するとともに作業者が目
視しながら、対向する紙面右側のキャビティウォール近
傍にてボンディング作業を行うため、キャビティウォー
ル７′をチップ実装部２に近接して設けると、結線時に
ワイヤボンダの先端部のウェッジブレード１０とキャビ
ティウォール７′とが接触するため、キャビティウォー
ルとチップ端部との間隔を０．７ｍｍ以下にすることが
できず、従ってキャビティ内でのワイヤや伝送線路の長
さを一定以下に短縮することが困難であるという問題点
がった。
【０００５】また、上述のような理由でチップ収納空間
が大きくなるため放射損失が大きくなったり、高周波信
号の入出力方向に対して直角方向のチップとキャビティ
ウォール間の間隔を小さくできないことから空洞共振が
生じて充分な高周波特性が得られないという問題点があ
った。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、キャビティウォールをチップ実
装部に近接して形成してもボンディングツールがキャビ
ティウォールと干渉することがなく、ワイヤ，伝送線路
の長さを大幅に短縮して反射損失，導体損失，放射損失
が小さく、さらに空洞共振の少ない高周波帯ＩＣ用パッ
ケージを得ることを目的とする。
【０００７】さらには複数のＩＣチップを同一パッケー
ジ内に実装する場合において、各ＩＣを収納するキャビ
ティ間のアイソレーションを強化することによって、さ
らに放射損失の小さい高周波帯ＩＣ用パッケージを得る
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる高周波
帯ＩＣ用パッケージは、キャビティウォールとキャップ
を一体化して導電性を持たせるとともに、パッケージ本
体裏面の接地導体とスルーホールを用いて接続するよう
にしたものである。また、複数のＩＣチップを同一パッ
ケージ内に収納する場合において、ＩＣチップ同士の間
に接地されたキャビティウォールを設けたものである。
【０００９】
【作用】この発明においては、キャビティウォールとキ
ャップが一体化されているため、パッケージ本体にＩＣ
チップを実装した後、チップ周辺部が平坦な状態でワイ
ヤボンディング作業を行うことができ、ワイヤ，伝送線
路の大幅な短縮が可能となり、また、ＩＣチップ周辺部
に強力な閉鎖接地空間が形成されるようになる。
【００１０】また同一パッケージ内に複数のＩＣチップ
を収納した際に、ＩＣチップ同士の間に仕切り片が設け
られているため、チップ間のアイソレーションをさらに
強化することができる。
【００１１】
【実施例】
実施例１．図１(a) は本発明の第１の実施例による高周
波帯ＩＣ用パッケージの本体を示す平面図であり、図１
(b) は同実施例による高周波帯ＩＣパッケージ本体のＡ
−Ａ線に沿った断面図である。図に示すように、パッケ
ージ本体１側にはキャビティウォールはなく、接地導体
パターン５がチップ実装部２の周囲に設けられており、
該接地導体パターン５はパッケージ本体１裏面の接地面
１１とスルーホール３を介して電気的に接続されてい
る。また４１は２つのＩＣチップ間に配置された高周波
伝送線路である。
【００１２】図３は上記実施例による高周波帯ＩＣ用パ
ッケージのキャップの裏面斜視図であり、図において、
２０はキャップを示し、２１はその天井部、２２は上記
天井部２１と一体形成されたキャビティウォールであ
る。またキャビティウォール２２は隔壁部材２３によっ
て２つのチップ収納室２５ａ，２５ｂに大きく区分され
ている。さらに隔壁部材２３の一部及びキャビティウォ
ール２２の所定箇所には誘電体部分２４が形成されてい
る。
【００１３】上記キャップ２０の材質としては金属、ま
たはプラスティック，セラミック等の誘電体の表面に金
属メッキを施したものが用いられ、キャップ２０として
金属を用いた場合には上記誘電体部分２４は、キャップ
２０にセラミック等を埋め込むことで形成され、またキ
ャップ２０としてプラスティック，セラミック等の誘電
体を用いた場合には、上記金属メッキを選択的に行うこ
とにより所定部分の誘電体を露出させることで得られ
る。
【００１４】次にパッケージの組立方法について説明す
る。図２は上記図１に示したパッケージ本体１のチップ
実装部２に高周波帯ＩＣチップ８を固定した後、ＩＣチ
ップ８表面の図示しない電極と高周波伝送線路またはＤ
Ｃバイアス線路とをワイヤまたはリボン等を用いて接続
する際の様子を示し、図に示すように、紙面左側の矢印
９の方向から観察光を照射するとともに作業者が目視し
ながら、紙面右側のチップ端面近傍にてボンディング作
業を行うこととなるが、ＩＣチップ８表面の電極と高周
波伝送線路またはＤＣバイアス線路を長さの短いワイヤ
またはリボン１３を用いて接続しても、従来のようにパ
ッケージ本体１側にキャビティウォールがないため、ウ
ェッジブレード１０がキャビティウォールに干渉するこ
とがない。
【００１５】図４は上述のようにして、パッケージ本体
１に固定された２つのＩＣチップ８の電極と高周波伝送
線路４，４１またはＤＣバイアス線路１２とをワイヤま
たはリボン１３で接続した後、上記ＩＣチップ８を図２
で示した構造のキャップで覆う前のパッケージ本体１と
キャップ２０との位置関係を示す図であり、パッケージ
本体１側の高周波伝送線路４，ＤＣバイアス線路１２と
当接するキャビティウォール２２の下端部周辺、及びチ
ップ間の信号伝送線路４１と当接する隔壁部材２３の下
端部に相当する領域には誘電体部分２４が位置し、該誘
電体部分２４を除く他の部分はパッケージ本体１表面に
形成された接地導体パターン５と当接するようになって
いる。なお５ａは上記キャップ２０の隔壁部材２３下端
部と当接する接地導体パターンを示す。
【００１６】図５は上記パッケージ本体１に実装された
ＩＣチップ８をキャップ２０で封止した際のパッケージ
全体の構造を示す図であり、２つのＩＣチップ８はそれ
ぞれキャップ２０のチップ収納室２５ａ，２５ｂによっ
て覆われて気密封止されている。以上のようにすること
でキャビティウォールとチップとの間隔を０．２〜０．
３ｍｍとすることができ、従来に比べてチップとキャビ
ティウォール間の間隔は大幅に小さくなっている。なお
実際にはチップ収納室２５ａ，２５ｂ内部には窒素やヘ
リウム等の不活性ガスが充填されている。
【００１７】このように本実施例によれば、キャップ２
０をキャビティウォール２２を有するものとし、これに
よりパッケージ本体１に実装されたＩＣチップ８を封止
するようにしたから、ワイヤボンディング時にウェッジ
ブレード１０とキャビティウォールとが干渉することが
なくなり、ＩＣチップ８と高周波伝送線路４及びＤＣバ
イアス線路１２とを短いワイヤまたはリボン等で結線す
ることができ、従って反射損失や導体損失並びに放射損
失を低減することができ、またＩＣチップ８とキャビテ
ィウォール２２を近接して配置できるため、空洞共振が
低減され高周波特性を向上させることができる。またキ
ャップ２０がパッケージ本体１表面に形成された接地導
体パターン５と接続しているため、高周波遮蔽効果を高
めることができる。
【００１８】ところで、特開昭６３−１４２８９７号に
は、モノリシックマイクロ波集積回路において、チップ
表面を金属膜で遮蔽し、かつ隣接する素子間に隔壁を設
けるようにしたものが開示されている。しかしながら、
この技術は樹脂モールド前のチップ処理に関するもので
あり、チップを気密封止するものではなく、本発明とは
直接関係のないものである。また、この従来例では、金
属膜はチップ表面と接地されておらず、しかも、金属膜
と回路とが非常に接近しているため、回路のインピーダ
ンスに悪影響を与えるおそれがある。 また、特開昭６３
−２００５４５号には、高周波用混成集積回路におい
て、略コ字型のキャップを用いて誘電体基板を封止する
とともに、基板表面に形成された線路導体と対向する上
記キャップ裏面に接地導体パターンを形成する技術が開
示されている。しかしながら、この従来例はキャップで
パッケージ周囲を覆うものであり、チップとキャビティ
ウォールとを近接して配置できないため、空洞共振が生
じて充分な高周波特性が得られないものである。 さら
に、実開昭６３−１１５２２８号には、マイクロ波集積
回路用パッケージにおいて、パッケージ本体に段部を設
け、段部にバイアス供給用線路を埋設したものが開示さ
れている。しかしながら、この従来例では、本発明のよ
うにキャップとキャビティーウォールとは一体化されて
おらず分離されているため、チップ収納空間が大きくな
り放射損失等の大きいものである。 実施例２． 次に本発明の第２の実施例による高周波帯ＩＣ用パッケ
ージについて説明する。この実施例では、隣接するＩＣ
チップ間を仕切る隔壁部材を２重にし、これら隔壁部材
間において、２つのＩＣチップ間を接続する高周波伝送
線路を屈曲させるようにしたものである。
【００１９】図６は本実施例のパッケージ本体の平面図
を示し、図において、４２は２つのＩＣチップ実装部間
を接続するための高周波伝送線路であり、２つの接地導
体パターン５ｂ，５ｃに挟まれた領域のパッケージ１表
面においてその両先端部分がＬ字型に曲げられている。
また図７に示すように、キャップ２０ａは２つの隔壁部
材２３ａ，２３ｂによって２つのチップ収納室２５ａ，
２５ｂに区分されるとともに、２つの隔壁部材２３ａ，
２３ｂ間によって挟まれた空間２５ｃが形成されてい
る。さらにキャビティウォール２２及び隔壁部材２３
ａ，２３ｂの所定部分には誘電体部分２４が形成されて
いる。
【００２０】図８はパッケージ本体１に固定された２つ
のＩＣチップ８の電極と高周波伝送線路４，４２または
ＤＣバイアス線路１２とをワイヤまたはリボン１３で接
続した後、上記２つのＩＣチップ８を図７で示した構造
のキャップで覆う前のパッケージ本体１とキャップ２０
ａとの位置関係を示す図であり、パッケージ本体１側の
高周波伝送線路４，ＤＣバイアス線路１２と当接するキ
ャビティウォール２２の下端部周辺、及び信号伝送線路
４２と当接する隔壁部材２３ａ，２３ｂの下端部に相当
する領域には誘電体部分２４が位置し、該誘電体部分２
４を除く他の部分はパッケージ本体１表面に形成された
接地導体パターン５，５ａ，５ｂと当接するようになっ
ている。
【００２１】以上のように構成することにより、ＩＣチ
ップ８同士の間に接地された隔壁部材２３ａ，２３ｂが
複数存在し、かつ伝送線路４２がクランク状になってい
るため、上記第１の実施例の効果に加えて個々のＩＣチ
ップ８のアイソレーションが一層強化され、その結果放
射損失の低減効果が大きくなる。
【００２２】実施例３． 次に本発明の第３の実施例による高周波体ＩＣ用パッケ
ージについて説明する。図９(a) ，(b) ，(c) に示すよ
うに、この実施例では、パッケージ本体１表面の大部分
にわたって接地導体パターン５１が形成され、この接地
導体パターン５１はチップ実装部２と同様にスルーホー
ル３を介してパッケージ本体１裏面側の接地面１１と接
続されている。また信号入出力用及びチップ間の高周波
伝送線路は、パッケージ本体１表面においてそれぞれ４
ａ，４ｂ、及び４３ａ，４３ｂの２つに分割され、これ
ら分割された伝送線路４ａ，４ｂ及び４３ａ，４３ｂは
パッケージ本体１に埋設された伝送線路４ｃ及びスルー
ホール３によって電気的に接続される構造となってい
る。また、ＤＣバイアス線路も高周波伝送線路と同様
に、パッケージ本体１表面においてそれぞれ１２ａ，１
２ｂに分割され、パッケージ本体１に埋設されたバイア
ス線路１２ｃ及びスルーホール３によって電気的に接続
されている。また５１ａは埋設された伝送線路４ｃをコ
プレーナ線路にするために、該線路４ｃの両側に形成さ
れた接地導体パターンである。以上のような構造を得る
ためには、例えば、図７(b) のＣ−Ｃ線に沿ってパッケ
ージ本体１を２分割し、埋設される伝送線路４ｃ，接地
導体パターン５１ａ及びバイアス線路１２ｃを形成した
後、再度張り合わせる方法が考えられる。
【００２３】図１０は上記実施例による高周波帯ＩＣ用
パッケージのキャップの裏面斜視図であり、図におい
て、２０ｂはキャップを示し、上記各実施例と同様に金
属、またはセラミック等の誘電体の表面に金属メッキを
施したものが用いられるが、隔壁部材２５及びキャビテ
ィーウォール２２の下端部には誘電体部分は見られな
い。
【００２４】図１１はパッケージ本体１に固定された２
つのＩＣチップ８の電極と高周波伝送線路４ａ，４３
ａ，４３ｂまたはＤＣバイアス線路１２ｂとをワイヤま
たはリボン１３で接続した後、上記２つのＩＣチップ８
を図１０で示した構造のキャップで覆う前のパッケージ
本体１とキャップ２０ｂとの位置関係を示す図であり、
パッケージ本体１表面の、キャップ２０ｂと当接する領
域には、高周波伝送線路及びＤＣバイアス線路は形成さ
れておらず、高周波伝送線路４ｃ及びＤＣバイアス線路
１２ｃによってパッケージ本体１内を迂回している。な
お図１１では説明を簡略化するために埋設されたＤＣバ
イアス線路１２ｃは省略され、また高周波伝送線路４ｃ
も部分的に省略されている。
【００２５】以上のような構造のキャップ２０ｂを用い
てＩＣチップ８を封止することにより、コプレーナ型の
高周波伝送線路を構成する接地導体パターン５１からキ
ャップ２０ｂに接地電位が供給され、ＩＣチップ８は電
磁的にシールドされる。以上のような構成とすることに
より、上記第１の実施例の効果に加え、キャップ２０ｂ
の構成を簡略化することができる。
【００２６】実施例４． 次に本発明の第４の実施例による高周波帯ＩＣ用パッケ
ージについて説明する。上記第１及び第２の実施例で
は、キャップの隔壁部材２３（２３ａ，２３ｂ）の、高
周波伝送線路４１，（４２）と当接する部分に誘電体部
分２４を形成することで接地電位と高周波信号とが短絡
するのを防止するようにしたが、この実施例では例えば
図１の構成のパッケージ本体１に搭載されたＩＣチップ
８を封止する際には、図１２に示すように、隔壁部材２
３の高周波伝送線路４１と当接する部分にスリット２６
を設けたキャップ２０ｃを用いることで接地電位と高周
波信号とが短絡するのを防止するようにしたものであ
る。
【００２７】図１３はパッケージ本体１に固定された２
つのＩＣチップ８の電極と、高周波伝送線路４，４１ま
たはＤＣバイアス線路１２とをワイヤまたはリボン１３
で接続した後、図１２で示した構造のキャップ２０ｃで
覆う前のパッケージ本体１とキャップ２０ｃとの位置関
係を示す図であり、また図１４は上記パッケージ本体１
に実装されたＩＣチップ８をキャップ２０ｃで封止した
際のパッケージ全体の構造を示す図であり、パッケージ
内の２つのＩＣチップ８はそれぞれキャップ２０ｃのチ
ップ収納室２５ａ，２５ｂによって覆われることとなる
が、隔壁部材２３にスリット２６が設けられているた
め、上記チップ収納室２５ａ，２５ｂ間は空間的に連通
している。このようにすることで上記第１の実施例と同
等の効果を得ることができる。
【００２８】なお上記第３の実施例ではパッケージ表面
に形成される伝送線路としてコプレーナ型のものを示し
たが、図１５(a) に示すように、伝送線路４ａ，４ｂ、
及び４３ａ，４３ｂの片側のみに接地導体パターン５１
を形成することによりスロット型の伝送線路としてもよ
い。なおこの場合、図１５(b) に示すように、パッケー
ジ本体１内に埋設された高周波伝送線路４ｃの片側のみ
に接地導体パターン５１ａを形成することとなる。
【００２９】また上記第１ないし第４の実施例では、パ
ッケージ本体１に２つの高周波用ＩＣチップを搭載する
ようにしたが、搭載されるチップの数には制限はなく、
さらに多くのチップを搭載する場合においても本発明を
適用することができる。さらに、上記第２の実施例を除
く他の実施例では、パッケージ本体１に１つの高周波用
ＩＣを搭載する場合であってもよい。
【００３０】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る高周波帯
ＩＣ用パッケージによれば、ＩＣチップ実装時にパッケ
ージ本体側にキャビティウォールがないため、ボンディ
ングツールの先端がキャビティウォールと干渉すること
がなく、ボンディングワイヤ，伝送線路の短縮が可能と
なり、反射損失，導体損失及び空洞共振が低減されると
いう効果が得られるのに加えて、ＩＣチップ周辺に強力
な閉鎖接地空間を形成して高い電気的シールド効果を得
ることができるという効果がある。
【００３１】またＩＣチップ同士の間に接地されたキャ
ビティウォールが存在するため、個々のＩＣチップのア
イソレーションが強化され放射損失が低減される効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施例による高周波帯ＩＣ用
パッケージのパッケージ本体を示す平面図及び断面図で
ある。
【図２】上記パッケージ本体にＩＣチップを実装する際
の様子を説明するための図である。
【図３】上記高周波帯ＩＣ用パッケージのキャップの裏
面斜視図である。
【図４】上記パッケージ本体に実装されたＩＣチップを
上記キャップで覆う前のパッケージ本体とキャップとの
位置関係を示す図である。
【図５】上記キャップで上記ＩＣチップを封止した際の
パッケージ全体を示す図である。
【図６】この発明の第２の実施例による高周波帯ＩＣ用
パッケージのパッケージ本体を示す平面図である。
【図７】上記高周波帯ＩＣ用パッケージのキャップの裏
面斜視図である。
【図８】上記パッケージ本体に実装されたＩＣチップを
上記キャップで覆う前のパッケージ本体とキャップとの
位置関係を示す図である。
【図９】この発明の第３の実施例による高周波帯ＩＣ用
パッケージのパッケージ本体を示す平面図及びＢ−Ｂ
線，Ｃ−Ｃ線に沿った断面図である。
【図１０】上記高周波帯ＩＣ用パッケージのキャップの
裏面斜視図である。
【図１１】上記パッケージ本体に実装されたＩＣチップ
を上記キャップで覆う前のパッケージ本体とキャップと
の位置関係を示す図である。
【図１２】この発明の第４の実施例による高周波帯ＩＣ
用パッケージのキャップの裏面斜視図である。
【図１３】上記パッケージ本体に実装されたＩＣチップ
を上記キャップで覆う前のパッケージ本体とキャップと
の位置関係を示す図である。
【図１４】上記キャップで上記ＩＣチップを封止した際
のパッケージ全体を示す図である。
【図１５】上記第３の実施例において、スロット型の高
周波伝送線路を構成した場合のパッケージ本体の平面図
及び断面図である。
【図１６】従来の高周波帯ＩＣ用パッケージのパッケー
ジ本体の平面図及び断面図である。
【図１７】従来の高周波帯ＩＣ用パッケージのパッケー
ジ本体にＩＣチップを固定した際の様子を示す平面図及
び断面図である。
【図１８】従来の高周波帯ＩＣ用パッケージのパッケー
ジ本体にＩＣチップを固定した後、ボンディングする際
の様子を示す図である。
【図１９】従来の高周波帯ＩＣ用パッケージの問題点を
説明するためのＩＣチップ周辺の部分拡大図である。
【符号の説明】
１ パッケージ本体の誘電体ボディ ２ チップ実装部 ３ スルーホール ４ 高周波伝送線路 ４ａ 分割された高周波伝送線路 ４ｂ 分割された高周波伝送線路 ４ｃ 埋設された高周波伝送線路 ５ 接地導体パターン ６ キャップ天井部 ７ キャビティウォール ８ キャップ誘電体部分 ９ 観察光又は視線を示す矢印 １０ ウェッジブレード（ワイヤボンダ先端部） １１ 接地面 １２ ＤＣバイアス線路 １２ａ 分割されたＤＣバイアス線路 １２ｂ 分割されたＤＣバイアス線路 １３ ボンディングワイヤ又はリボン ２０ キャップ ２０ａ キャップ ２０ｂ キャップ ２０ｃ キャップ ２１ キャップ天井部 ２２ キャビティウォール ２３ 隔壁部材 ２４ 誘電体部分 ２５ａ チップ収納部 ２５ｂ チップ収納部 ２６ スリット ４１ チップ間を接続する高周波伝送線路 ４２ 屈曲された高周波伝送線路 ４３ａ チップ間の分割された高周波伝送線路 ４３ｂ チップ間の分割された高周波伝送線路 ５１ 接地導体パターン ５１ａ 埋設された接地導体パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭55−150255（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−225854（ＪＰ，Ａ) 実開 昭54−16369（ＪＰ，Ｕ) 実開 平４−15245（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/04

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 誘電体からなるパッケージ本体と、該パ
    ッケージ裏面に形成された接地導体と、該パッケージ本
    体の表面に形成された高周波伝送線路及び電源線路と、
    上記パッケージ本体表面に実装され、かつ上記各線路と
    電気的に接続された高周波帯ＩＣチップを気密封止する
    ための蓋部材とを備えた高周波帯ＩＣ用パッケージにお
    いて、 上記蓋部材は、導電性を有し、 上記ＩＣチップ上面を覆う平面部と、上
    記ＩＣチップの周囲を囲むように前記平面部と連続的に
    形成された側壁部とを有し、 上記パッケージは、 該パッケージ裏面に形成された接地導体と、上記蓋部材
    の側壁部と上記パッケージ本体表面との当接部分とを電
    気的に接続するスルーホールとを備えた ことを特徴とす
    る高周波帯ＩＣ用パッケージ。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の高周波帯ＩＣ用パッケー
    ジにおいて、 上記パッケージ本体表面の上記蓋部材と当接する領域に
    は、上記スルーホールを介して接地された接地パターン
    が設けられていることを特徴とする高周波帯ＩＣ用パッ
    ケージ。
  3. 【請求項３】 請求項２記載の高周波帯ＩＣ用パッケー
    ジにおいて、 上記蓋部材により上記ＩＣチップを気密封止した際に上
    記パッケージ本体側に形成された高周波伝送線路及び電
    源線路と当接する上記蓋部材の側壁部には、絶縁部材が
    設けられていることを特徴とする高周波帯ＩＣ用パッケ
    ージ。
  4. 【請求項４】 請求項１記載の高周波帯ＩＣ用パッケー
    ジにおいて、 上記パッケージ本体には複数の高周波帯ＩＣチップが実
    装され、 上記蓋部材には、上記各ＩＣチップを覆う空間を仕切る
    ための仕切り片が設けられていることを特徴とする高周
    波帯ＩＣ用パッケージ。
  5. 【請求項５】 請求項４記載の高周波帯ＩＣ用パッケー
    ジにおいて、 上記仕切り片を二重に設けて隣接するＩＣチップ間に仕
    切られた空間を形成したことを特徴とする高周波帯ＩＣ
    用パッケージ。
  6. 【請求項６】 請求項４記載の高周波帯ＩＣ用パッケー
    ジにおいて、 上記パッケージ本体表面には上記複数のＩＣチップ間を
    接続する伝送線路が形成されており、 上記仕切り片の上記ＩＣチップ間を接続する伝送線路と
    当接する領域には絶縁部材もしくは溝部が形成されてい
    ることを特徴とする高周波帯用ＩＣパッケージ。
  7. 【請求項７】 請求項５記載の高周波帯ＩＣ用パッケー
    ジにおいて、 上記各ＩＣチップは、上記仕切り板により形成された空
    間内のパッケージ本体表面に形成された屈曲した伝送線
    路によって接続されていることを特徴とする高周波帯Ｉ
    Ｃ用パッケージ。
  8. 【請求項８】 請求項２記載の高周波帯ＩＣ用パッケー
    ジにおいて、 上記接地パターンは上記ＩＣチップ，高周波伝送線路，
    電源線路を囲むようにして上記パッケージ本体表面全面
    に形成されたものであり、 上記蓋部材が当接する領域の高周波伝送線路及び電源線
    路は、パッケージ本体内に埋設されていることを特徴と
    する高周波帯ＩＣ用パッケージ。
  9. 【請求項９】 請求項２記載の高周波帯ＩＣ用パッケー
    ジにおいて、 上記接地パターンは上記高周波伝送線路の片側におい
    て、上記ＩＣチップ，電源線路を囲むようにして上記パ
    ッケージ本体表面に形成されたものであり、 上記蓋部材が当接する領域の高周波伝送線路及び電源線
    路は、パッケージ本体内に埋設されていることを特徴と
    する高周波帯ＩＣ用パッケージ。
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