JP2819653B2 - Magnetic head - Google Patents
Magnetic headInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気ヘッドに係り、特にギャップ部が誘電体
酸化膜と金属膜とより形成された磁気ヘッドに関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic head, and more particularly, to a magnetic head having a gap portion formed of a dielectric oxide film and a metal film.
従来の技術 従来の磁気ヘッドとして、例えば第４図に示す構成の
ものがある。この磁気ヘッド１は消去ヘッドとして使用
されており、一対のコア半体2a,2bが突き合わされるギ
ャップ部2cに金属膜（例えばCr,Ti等）3,絶縁性の誘電
体酸化膜４が形成されている。この金属膜３はコア半体
2aに誘電体酸化膜４がスパッタリング等により形成され
た後、ガラス材を介して一対のコア半体2a,2bを接合す
る際誘電体酸化膜４が破損してしまうことを防止するた
め設けられている。2. Description of the Related Art As a conventional magnetic head, for example, there is one having a configuration shown in FIG. The magnetic head 1 is used as an erasing head, and a metal film (for example, Cr, Ti, etc.) 3 and an insulating dielectric oxide film 4 are formed in a gap 2c where a pair of core halves 2a, 2b abut. Have been. This metal film 3 is a core half
After the dielectric oxide film 4 is formed on 2a by sputtering or the like, the dielectric oxide film 4 is provided to prevent the dielectric oxide film 4 from being damaged when the pair of core halves 2a and 2b are joined via a glass material. ing.
発明が解決しようとする課題 しかるに、上記磁気ヘッドにおいては誘電体酸化膜４
と金属膜３とのなじみが悪く金属膜３が厚くなると金属
膜３が酸化膜４あるいはコア半体2bより剥離しやすいと
いった課題がある。However, in the above magnetic head, the dielectric oxide film 4
There is a problem that the metal film 3 is easily separated from the oxide film 4 or the core half 2b when the metal film 3 becomes thicker and the metal film 3 becomes thicker.
そこで、本発明は上記課題を解決した磁気ヘッドを提
供することを目的とする。Then, an object of the present invention is to provide a magnetic head which has solved the above-mentioned problems.
課題を解決するための手段 本発明は、上記磁気ヘッドにおいて、金属膜を酸化の
割合が異なる複数の薄膜により多層膜構造に形成し、複
数の薄膜は誘電体酸化膜より離間する薄膜ほど酸化の割
合を減少させてなる。Means for Solving the Problems According to the present invention, in the above magnetic head, the metal film is formed in a multilayer film structure by a plurality of thin films having different oxidation ratios, and the plurality of thin films are more oxidized as the distance from the dielectric oxide film increases. The proportion is reduced.
作用 誘電体酸化膜に接合される金属膜を薄膜の多層膜構造
にするとともに、誘電体酸化膜より離間する薄膜ほど酸
化の割合を減少させて誘電体酸化膜と金属膜との剥離を
防止する。The metal film to be bonded to the dielectric oxide film has a multilayer structure of thin films, and the thinner the film is further away from the dielectric oxide film, the lower the rate of oxidation is, thereby preventing the dielectric oxide film and the metal film from peeling. .
実施例 第１図及び第２図に本発明になる磁気ヘッドの一実施
例を示す。Embodiment FIGS. 1 and 2 show an embodiment of a magnetic head according to the present invention.
両図中、磁気ヘッド11は一対のコア半体12a,12bを突
き合わせてなり、その突き合わせ部分にはギャップ部13
が形成されている。ギャップ部13は多層膜構造となって
おり、スパッタリング等により形成される。In both figures, the magnetic head 11 is formed by butting a pair of core halves 12a and 12b.
Are formed. The gap portion 13 has a multilayer structure and is formed by sputtering or the like.
すなわち、ギャップ部13はコア半体12aに被覆された
例えばSiO2,Ta2O5等よりなる誘電体酸化膜13aと、誘電
体酸化膜13aより酸化の割合が減少されたCr,Ti等よりな
る金属薄膜13b〜13fとよりなる。金属薄膜13b〜13fは誘
電体酸化膜13aより離間する薄膜ほど、酸化の割合が減
少するように形成されている。従って、金属薄膜13bの
酸化の割合が最も多く、金属薄膜13fの酸化の割合が最
も少ない。That is, the gap portion 13 is made of a dielectric oxide film 13a made of, for example, SiO 2 , Ta 2 O 5 or the like coated on the core half 12a, Metal thin films 13b to 13f. The metal thin films 13b to 13f are formed such that the oxidization ratio decreases as the distance from the dielectric oxide film 13a increases. Therefore, the rate of oxidation of the metal thin film 13b is the highest, and the rate of oxidation of the metal thin film 13f is the lowest.
上記のように金属薄膜13b〜13fは一層当りの厚さが約
0.2〜３μｍ程度まで薄くでき、しかも誘電体酸化膜13a
と金属薄膜13bとの界面のなじみが良いので剥離しにく
い構成となっている。又、金属薄膜13b〜13fを化学的安
定な金属酸化物で挾むことにより、局所的な酸化，窒化
等の金属薄膜13b〜13fの劣化の進行を抑えることができ
る。そのため、金属薄膜13b〜13fは安定な薄膜になる。As described above, each of the metal thin films 13b to 13f has a thickness of about one layer.
The dielectric oxide film 13a can be thinned to about 0.2 to 3 μm.
Since the interface between the metal film 13b and the metal thin film 13b is well adapted, it is difficult to peel off. Further, by sandwiching the metal thin films 13b to 13f between chemically stable metal oxides, it is possible to suppress the progress of deterioration of the metal thin films 13b to 13f such as local oxidation and nitridation. Therefore, the metal thin films 13b to 13f become stable thin films.
ここで、上記多層膜構造とされたギャップ部13の形成
方法について説明する。Here, a method of forming the gap portion 13 having the above-mentioned multilayer structure will be described.
第３図（Ａ）〜（Ｃ）にその形成方法を示す。 3 (A) to 3 (C) show a method of forming the same.
チェンバー14の内部には誘電体酸化物の材料となるタ
ーゲット15と、コア半体12aを製作するための材料とな
る基板16が収納されている。基板16は基板ホルダー17に
保持されている。また、ターゲット15は電源18を介して
チェンバー14と接続される。また、チェンバー14に部は
チェンバー14内にアルゴン（Ar）等の不活性ガスを導入
するためのバルブ19,反応性スパッタリングを行なうた
めの酸素（O2）等のガスを導入するためのバルブ20,チ
ェンバー14内のガスを排気するための排気バルブ21が設
けられている。Inside the chamber 14, a target 15 that is a material of a dielectric oxide and a substrate 16 that is a material for manufacturing the core half 12a are housed. The substrate 16 is held by a substrate holder 17. The target 15 is connected to the chamber 14 via the power supply 18. The chamber 14 has a valve 19 for introducing an inert gas such as argon (Ar) into the chamber 14, and a valve 20 for introducing a gas such as oxygen (O 2 ) for performing reactive sputtering. An exhaust valve 21 for exhausting the gas in the chamber 14 is provided.
次に成膜の工程について説明する。まず、排気バルブ
21を開き、チェンバー14内を真空にする。チェンバー14
内が十分に真空状態になった後、排気バルブ21を少し開
いた状態とし、ガス導入バルブ19も少し開いてArガスを
導入し、Arガスを適当な圧力となるよう調整する。そし
て、バルブ19を開いてO2ガスを導入する。続いて電源18
を投入し、スパッタリングを開始させ、第３図（Ａ）に
示すようにする誘電体酸化物を基板16上に蒸着する。Next, a film forming process will be described. First, the exhaust valve
Open 21 and evacuate chamber 14. Chamber 14
After the inside is sufficiently evacuated, the exhaust valve 21 is slightly opened, the gas introduction valve 19 is also slightly opened to introduce Ar gas, and the Ar gas is adjusted to an appropriate pressure. Then, the valve 19 is opened to introduce O 2 gas. Then power supply 18
, And sputtering is started, and a dielectric oxide as shown in FIG. 3A is deposited on the substrate 16.
次に金属薄膜13b〜13fの材料となるターゲット15が設
けられたチェンバー14内に上記誘電体酸化膜13aが形成
された基板16を取付け、ターゲット15をスパッタリング
させたまま、ガス導入バルブ20を開いてO2ガスを導入し
第３図（Ｂ）に示すようにスパッタリングされた金属を
酸化させ基板16に付着し、ギャップ材である誘電体酸化
膜13aを形成する。Next, the substrate 16 on which the dielectric oxide film 13a is formed is mounted in the chamber 14 in which the target 15 which is a material of the metal thin films 13b to 13f is provided, and while the target 15 is being sputtered, the gas introduction valve 20 is opened. O 2 gas is introduced to oxidize the sputtered metal as shown in FIG. 3 (B) and adhere to the substrate 16 to form a dielectric oxide film 13a as a gap material.
次に、バルブ20を少しずつ閉じてO2ガス圧を徐々に減
圧させ、酸化する金属の量を徐々に減少させる。そのた
め、誘電体酸化膜13aよりも酸化の割合が減少した金属
薄膜13bが誘電体酸化膜13aに積層する。Next, the valve 20 is gradually closed to gradually reduce the O 2 gas pressure to gradually reduce the amount of oxidized metal. Therefore, the metal thin film 13b having a lower oxidation rate than the dielectric oxide film 13a is stacked on the dielectric oxide film 13a.
このようにして、チェンバー14内のO2ガス圧を減少さ
せながらスパッタを繰返し、金属薄膜13b〜13fを多層構
造に積層する。In this way, the sputtering is repeated while the O 2 gas pressure in the chamber 14 is reduced, and the metal thin films 13b to 13f are stacked in a multilayer structure.
そして、金属薄膜13fとコア半体12bとの間にガラス材
を介在させてコア半体12aと12bとを突き合わせて一体的
に接合する。Then, the core halves 12a and 12b are abutted and integrally joined with a glass material interposed between the metal thin film 13f and the core half 12b.
又、コア半体12aあるいは12b側から酸化が進行した場
合、その方向に向かって金属膜の酸化の割合を増加する
ように誘電体酸化膜13a及び金属薄膜13b〜13fを形成す
るようにすれば、多層構造とされたギャップ部13の各膜
の酸化を一様にすることができ、より安定なギャップ部
13を形成できる。Also, if oxidation proceeds from the core half 12a or 12b side, the dielectric oxide film 13a and the metal thin films 13b to 13f should be formed so as to increase the rate of oxidation of the metal film in that direction. Oxidation of each film of the gap portion 13 having a multilayer structure can be uniform, and a more stable gap portion can be obtained.
13 can be formed.
尚、上記実施例ではギャップ部13を６層構造とした
が、これに限らないのは言うまでもない。In the above embodiment, the gap 13 has a six-layer structure, but it is needless to say that the present invention is not limited to this.
発明の効果 上述の如く、本発明になる磁気ヘッドは、ギャップ部
の金属膜を酸化の割合が異なる複数の薄膜により多層膜
構造に形成し、一層当りの金属膜の厚さを薄くでき、し
かも誘電体酸化物より離間する薄膜ほど酸化の割合を減
少させてなるため、金属薄膜と誘電体酸化膜との結合を
強めて金属薄膜が剥離することを防止でき、さらに化学
的に安定な金属酸化膜を積層した多層構造とすることに
より、局所的な酸化，窒化等の金属薄膜の劣化の進行を
抑えることができ、より安定なギャップを形成すること
ができる等の特長を有する。As described above, in the magnetic head according to the present invention, the metal film in the gap portion is formed in a multilayer structure by a plurality of thin films having different oxidation ratios, and the thickness of the metal film per layer can be reduced. The thinner the thin film is farther away from the dielectric oxide, the lower the rate of oxidation. Therefore, the bond between the metal thin film and the dielectric oxide film can be strengthened to prevent the metal thin film from peeling off, and furthermore, the chemically stable metal oxide can be prevented. The multilayer structure in which the films are stacked has such features that the progress of deterioration of the metal thin film such as local oxidation and nitridation can be suppressed, and a more stable gap can be formed.
第１図及び第２図は本発明になる磁気ヘッドの一実施例
の正面図及び拡大図、第３図は金属薄膜を形成する工程
図、第４図は従来の磁気ヘッドを説明するための正面図
である。 11……磁気ヘッド、12a,12b……コア半体、13……ギャ
ップ部、13a……誘電体酸化膜、13b〜13f……金属薄
膜、14……チェンバー、15……ターゲット、16……基
板、19,20……バルブ、21……排気バルブ。1 and 2 are a front view and an enlarged view of an embodiment of a magnetic head according to the present invention, FIG. 3 is a process diagram for forming a metal thin film, and FIG. 4 is a view for explaining a conventional magnetic head. It is a front view. 11: Magnetic head, 12a, 12b: Core half, 13: Gap, 13a: Dielectric oxide film, 13b to 13f: Metal thin film, 14: Chamber, 15: Target, 16 ... Substrate, 19,20 …… Valve, 21 …… Exhaust valve.
Claims (1)
成されこれらを一対のコア半体を突き合わせて挾持して
なる磁気ヘッドにおいて、 前記金属膜を酸化の割合が異なる複数の薄膜により多層
膜構造に形成し、前記複数の薄膜は前記誘電体酸化膜よ
り離間する薄膜ほど酸化の割合を減少させてなることを
特徴とする磁気ヘッド。1. A magnetic head comprising a dielectric oxide film and a metal film formed in a gap portion and sandwiching a pair of core halves against each other, wherein said metal film is formed by a plurality of thin films having different oxidation ratios. The magnetic head according to claim 1, wherein the plurality of thin films are formed in a multilayer film structure, and the thinner the thin film is more distant from the dielectric oxide film, the lower the rate of oxidation.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22583189A JP2819653B2 (en) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | Magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22583189A JP2819653B2 (en) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | Magnetic head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0388110A JPH0388110A (en) | 1991-04-12 |
| JP2819653B2 true JP2819653B2 (en) | 1998-10-30 |
Family
ID=16835495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22583189A Expired - Fee Related JP2819653B2 (en) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | Magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2819653B2 (en) |
-
1989
- 1989-08-31 JP JP22583189A patent/JP2819653B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH0388110A (en) | 1991-04-12 |
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