JP2814167B2 - Processing equipment - Google Patents
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体ウエハ
等の被処理体を回転保持しつつ処理する処理装置に関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus for processing a workpiece such as a semiconductor wafer while rotating it.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のこの種の処理装置として、被処理
体例えば半導体ウエハ（以下にウエハという）を水平に
保持して回転させ、ウエハの表面に処理液（洗浄液）を
供給すると共に、例えばナイロンやモヘヤ等にて形成さ
れるブラシをウエハの表面に押し当てて表面の粒子汚染
物を除去する処理装置が知られている。2. Description of the Related Art As a conventional processing apparatus of this type, an object to be processed, for example, a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer) is horizontally held and rotated to supply a processing liquid (cleaning liquid) to the surface of the wafer. 2. Description of the Related Art There is known a processing apparatus for removing a particle contaminant on a surface of a wafer by pressing a brush made of nylon, mohair, or the like against the surface of the wafer.
【０００３】また、ウエハを保持する手段として、ウエ
ハの外周縁を３本以上の挾持爪で挾持するグリップチャ
ック方式のものが採用されており、このグリップチャッ
ク方式として、例えば特公平３−９６０７号公報に記載
の構造のものが知られている。この特公平３−９６０７
号公報に記載の技術は、処理室内に突設される回転軸を
筒状回転軸にて形成し、この筒状回転軸内に相対回転又
は相対移動可能に爪駆動軸を貫通し、この爪駆動軸の突
設側に可動爪操作リンクを介して可動爪を連結してな
る。そして、筒状駆動軸と爪駆動軸との間に付勢手段を
掛止すると共に、付勢手段に対向して設けられた可動爪
解除手段により爪駆動軸を介してウエハを挾持・解放す
るように構成されている。As a means for holding the wafer, a grip chuck system in which the outer peripheral edge of the wafer is clamped by three or more clamping claws is employed. As this grip chuck system, for example, Japanese Patent Publication No. 3-96007 The structure described in the official gazette is known. This Tokuhei 3-9607
In the technique described in Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. H10-260, a rotary shaft protruding into a processing chamber is formed by a cylindrical rotary shaft, and a pawl drive shaft is penetrated into the cylindrical rotary shaft so as to be relatively rotatable or relatively movable. A movable claw is connected to the projecting side of the drive shaft via a movable claw operation link. The urging means is hung between the cylindrical drive shaft and the claw drive shaft, and the wafer is held / released via the claw drive shaft by the movable claw release means provided opposite to the urging means. It is configured as follows.
【０００４】また、別のウエハの保持手段として、保持
されるウエハの回転中心方向へ可動するチャック部に錘
を連結し、スピンチャックの回転により錘が受ける遠心
力を利用してチャック部を移動して、ウエハを固定する
ものが知られている（実公昭６１−５２９７４号公報参
照）。Further, as another means for holding the wafer, a weight is connected to a chuck portion movable in the direction of the rotation center of the held wafer, and the chuck portion is moved by utilizing the centrifugal force received by the weight by the rotation of the spin chuck. Then, a device for fixing a wafer is known (see Japanese Utility Model Publication No. Sho 61-52974).
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者す
なわちグリップチャック方式のものでは、保持されるウ
エハの裏面に処理液侵入防止用の気体（例えば窒素（Ｎ
2 ）ガス）を供給して両面処理を可能とすることができ
るが、筒状駆動軸内に爪駆動軸を貫通する２重軸構造で
あり、しかも、筒状駆動軸と爪駆動軸との間に付勢手段
を掛止すると共に、付勢手段に対向して設けられた可動
爪解除手段により爪駆動軸を介して半導体ウエハを挾持
・解放する構造であるため、構造が複雑になると共に、
２系統の駆動源が必要となるので、装置全体が大型にな
るという問題があった。However, in the former, that is, in the grip chuck type, a gas (for example, nitrogen (N
2) Gas can be supplied to enable double-sided processing, but it has a double shaft structure that penetrates the claw drive shaft into the cylindrical drive shaft, and furthermore, the cylindrical drive shaft and the claw drive shaft The urging means is interposed between the urging means and the semiconductor wafer is clamped / released by a movable claw releasing means provided opposed to the urging means via a claw drive shaft, which complicates the structure. ,
Since two driving sources are required, there is a problem that the entire apparatus becomes large.
【０００６】また、後者すなわち遠心力を利用する構造
のものにおいては、前者に比して構造を簡単にすること
ができるが、遠心力を利用するため、高速回転時におい
てはウエハを安定した状態で保持することができるが、
スピンチャックの始動加速時や停止減速時においては、
チャック部の移動量が少なくなりウエハを安定した状態
で保持することができないという問題があった。In the latter case, that is, in the structure using centrifugal force, the structure can be simplified as compared with the former. However, since the centrifugal force is used, the wafer is kept in a stable state during high-speed rotation. Can be held by
At the time of spin chuck start acceleration or stop deceleration,
There has been a problem that the amount of movement of the chuck portion is so small that the wafer cannot be held in a stable state.
【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、回転保持手段の始動加速時及び停止減速時において
も被処理体の保持を安定させ、かつ、被処理体の裏面へ
の処理液の侵入を防止するようにした処理装置を提供す
ることを目的とするものである。The present invention has been made in view of the above circumstances, and stabilizes the holding of a workpiece even when the rotation holding means starts and accelerates and stops and decelerates, and allows the processing liquid to enter the back surface of the workpiece. It is an object of the present invention to provide a processing apparatus which prevents the occurrence of the processing.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の処理装置は、被処理体を回転保持手段に
て保持すると共に、被処理体の表面に処理液を供給して
処理する処理装置を前提とし、上記回転保持手段に、上
記被処理体の保持面側に向って供給される気体による負
圧を利用して被処理体を保持する吸着保持機構と、回転
保持手段の始動加速時及び停止減速時に作動して上記被
処理体を保持する補助保持機構とを具備してなるもので
ある。In order to achieve the above object, a processing apparatus according to the present invention holds an object to be processed by a rotation holding means and supplies a processing liquid to the surface of the object to be processed. The suction holding mechanism for holding the object to be processed by utilizing the negative pressure of the gas supplied toward the holding surface side of the object to be processed, and the rotation holding means, An auxiliary holding mechanism that operates at the time of start acceleration and at the time of stop deceleration to hold the object to be processed is provided.
【０００９】この発明において、上記補助保持機構は上
記回転保持手段の始動加速時及び停止減速時に作動して
被処理体を保持するものであれば、その構造は任意のも
のでよいが、好ましくは補助保持機構を、回転保持手段
に対して回転可能に配設されると共に、正逆回転方向に
弾性力を付勢した回転体と、上記回転保持手段に揺動可
能に枢着されると共に、一端が上記回転体に回転及び摺
動可能に係合され、かつ、他端に被処理体の押圧部を有
する保持体とで構成する方がよい。In the present invention, the auxiliary holding mechanism may have any structure as long as it operates at the time of starting acceleration and stopping and deceleration of the rotation holding means to hold the object to be processed. The auxiliary holding mechanism is rotatably disposed with respect to the rotation holding means, and a rotating body that urges an elastic force in forward and reverse rotation directions, and is pivotally pivotally attached to the rotation holding means, It is preferable that one end is rotatably and slidably engaged with the rotating body, and the other end is a holding body having a pressing portion of the object to be processed.
【００１０】[0010]
【作用】上記のように構成されるこの発明の処理装置に
よれば、回転保持手段に、被処理体の保持面側に向って
供給される気体による負圧を利用して被処理体を保持す
る吸着保持機構と、回転保持手段の始動加速時及び停止
減速時に作動して被処理体を保持する補助保持機構とを
具備することにより、回転保持手段の始動時に補助保持
機構が作動して被処理体を保持することができ、一定の
速度で回転する低速回転時には吸着保持機構による負圧
吸着によって被処理体を保持することができると共に、
被処理体の裏面への処理液の侵入を防止することがで
き、そして、回転保持手段の停止時には、再び補助保持
機構が作動して被処理体を保持することができる。した
がって、被処理体は処理される際、常時安定した状態で
保持される。According to the processing apparatus of the present invention configured as described above, the object to be processed is held by the rotation holding means using the negative pressure of the gas supplied toward the holding surface of the object to be processed. And an auxiliary holding mechanism that operates at the time of starting acceleration and stopping and deceleration of the rotation holding means and holds the object to be processed. The workpiece can be held, and at the time of low-speed rotation rotating at a constant speed, the workpiece can be held by negative pressure suction by the suction holding mechanism,
It is possible to prevent the processing liquid from entering the back surface of the processing object, and when the rotation holding unit stops, the auxiliary holding mechanism can be operated again to hold the processing object. Therefore, the object to be processed is always kept in a stable state when being processed.
【００１１】また、補助保持機構を、回転保持手段に対
して回転可能に配設されると共に、正逆回転方向に弾性
力を付勢した回転体と、回転保持手段に揺動可能に枢着
されると共に、一端が回転体に回転及び摺動可能に係合
され、かつ、他端に被処理体の押圧部を有する保持体と
で構成することにより、回転保持手段の始動加速時及び
停止減速時における回転軸の速度変化が保持体に伝達さ
れて、保持体により被処理体を安定した状態で保持する
ことができる。In addition, the auxiliary holding mechanism is rotatably disposed with respect to the rotation holding means, and is rotatably pivotally attached to the rotation holding means with a rotating body biasing elastic force in forward and reverse rotation directions. And one end rotatably and slidably engaged with the rotating body and the other end having a pressing portion for pressing the object to be processed, so that the rotation holding means can be started and accelerated and stopped. The change in the speed of the rotating shaft at the time of deceleration is transmitted to the holder, and the object can be held in a stable state by the holder.
【００１２】[0012]
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基づいて
詳細に説明する。この実施例では、この発明の処理装置
を半導体ウエハの洗浄処理装置に適用した場合について
説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In this embodiment, a case where the processing apparatus of the present invention is applied to a semiconductor wafer cleaning processing apparatus will be described.
【００１３】上記半導体ウエハの洗浄処理装置は、図１
ないし図４に示すように、被処理体である半導体ウエハ
Ｗ（以下にウエハという）を水平状態に保持する回転保
持手段であるスピンチャック１と、このスピンチャック
１にて保持されるウエハＷの上面に向けて処理液すなわ
ち洗浄液を噴射してウエハＷの表面に付着する粒子汚染
物を洗浄除去するためのジェットノズル７と、洗浄液を
供給してウエハＷの表面を擦りながら付着する粒子汚染
物を洗浄除去するディスクブラシ２とで主要部が構成さ
れている。なお、更に超音波洗浄用ノズルをも付加して
もよい。The semiconductor wafer cleaning apparatus shown in FIG.
As shown in FIG. 4, a spin chuck 1 which is a rotation holding means for holding a semiconductor wafer W (hereinafter, referred to as a wafer) as an object to be processed in a horizontal state, and a wafer W held by the spin chuck 1 A jet nozzle 7 for spraying a processing liquid, that is, a cleaning liquid toward the upper surface, to wash and remove particle contaminants adhering to the surface of the wafer W; The main part is constituted by the disk brush 2 for cleaning and removing the toner. Note that an ultrasonic cleaning nozzle may be further added.
【００１４】スピンチャック１は、図示しない駆動モー
タによって回転される中空円筒状の回転軸４の上端部に
水平に連結する回転板５と、この回転板５上にウエハＷ
を水平状態に保持する吸着保持機構１０と、スピンチャ
ック１の始動加速時及び停止減速時にウエハＷを保持す
る補助保持機構１５とで構成されており、回転軸４の中
空部には、洗浄処理液侵入防止用気体（Ｎ2 ガス）の供
給通路３が設けられている。The spin chuck 1 includes a rotary plate 5 horizontally connected to an upper end of a hollow cylindrical rotary shaft 4 rotated by a drive motor (not shown), and a wafer W on the rotary plate 5.
Is held in a horizontal state, and an auxiliary holding mechanism 15 that holds the wafer W when the spin chuck 1 starts and accelerates and stops and decelerates. A supply passage 3 for a liquid intrusion prevention gas (N2 gas) is provided.
【００１５】上記吸着保持機構１０は、スピンチャック
１の定速回転時及び停止時にウエハＷを保持する機構
で、回転板５の周辺に適宜間隔をおいて立設される保持
爪１１上に載置されるウエハＷの裏面側に生じる負圧を
利用してウエハＷを水平保持するものである。すなわ
ち、Ｎ2 ガス供給通路３から回転板５に設けられた通路
５ａを介してＮ2 ガスを供給することにより生じる負圧
によってウエハＷを吸着保持するものである。The suction holding mechanism 10 is a mechanism for holding the wafer W when the spin chuck 1 is rotated at a constant speed and stopped, and is mounted on a holding claw 11 which is provided upright around the rotary plate 5 at appropriate intervals. The wafer W is horizontally held by using a negative pressure generated on the back side of the placed wafer W. That is, the wafer W is sucked and held by the negative pressure generated by supplying the N2 gas from the N2 gas supply passage 3 through the passage 5a provided in the rotary plate 5.
【００１６】上記補助保持機構１５は、回転軸４に固定
される回転部４ａの外周にベアリング４ｂを介在して回
転可能に配設される回転体１６と、この回転体１６を正
逆回転の中立位置に弾性力を付勢するスプリング１７
と、回転軸側に揺動可能に枢着されると共に、一端が回
転体１６に回転及び摺動可能に係合され、かつ、他端に
２つのウエハＷの押圧部１９ａ，１９ｂを有する保持体
１８とで構成されている。The auxiliary holding mechanism 15 includes a rotating body 16 rotatably disposed on the outer periphery of a rotating portion 4a fixed to the rotating shaft 4 with a bearing 4b interposed therebetween. Spring 17 biasing elastic force to neutral position
And a pivot having one end rotatably and slidably engaged with the rotating body 16 and the other end having pressing portions 19a and 19b for the two wafers W at the other end. And a body 18.
【００１７】この場合、回転板５の下部に配設される回
転体１６の上面には、回転中心と同心状の円弧状溝１６
ａが設けられており、この円弧状溝１６ａ内に、回転板
５を貫通する基点ピン１２が突入され、そして、基点ピ
ン１２の両側にスプリング１７が縮設されている。した
がって、スプリング１７の弾性力によって回転体１６の
正逆回転の中立位置が維持されている。In this case, an arc-shaped groove 16 concentric with the center of rotation is provided on the upper surface of the rotating body 16 disposed below the rotating plate 5.
The base pin 12 penetrating the rotary plate 5 is inserted into the arc-shaped groove 16a, and springs 17 are contracted on both sides of the base pin 12. Therefore, the neutral position of the forward / reverse rotation of the rotating body 16 is maintained by the elastic force of the spring 17.
【００１８】保持体１８は、回転板５に垂設される支点
ピン１３に枢着される水平方向に揺動可能な板部材にて
形成されている。この保持体１８の一端すなわち回転中
心側の端部にスリット１８ａが設けられており、このス
リット１８ａ内に回転体１６から突設されるピン１４が
回転及び摺動可能に係合されている。また、保持体１８
の外周側の他端部には、ウエハＷの側端面に当接係合す
る２つの押圧部１９ａ，１９ｂが起立されている。この
押圧部１９ａ，１９ｂは回転板５の外周部に設けられた
円弧状ガイド穴５ｂ内に遊嵌されている。このように構
成される保持体１８は、回転板５の周方向に１２０度の
間隔をおいて取付けられている。The holding body 18 is formed of a horizontally swingable plate member pivotally attached to a fulcrum pin 13 vertically provided on the rotating plate 5. A slit 18a is provided at one end of the holding body 18, that is, at the end on the rotation center side, and a pin 14 protruding from the rotating body 16 is engaged in the slit 18a so as to rotate and slide. The holding member 18
At the other end on the outer peripheral side, two pressing portions 19a and 19b that abut and engage with the side end surface of the wafer W are erected. The pressing portions 19a and 19b are loosely fitted in arcuate guide holes 5b provided on the outer peripheral portion of the rotary plate 5. The holding members 18 configured as described above are attached at intervals of 120 degrees in the circumferential direction of the rotating plate 5.
【００１９】上記ディスクブラシ２は、スピンチャック
１の側方に配設される操作アーム６の先端部の下面に回
転（自転及び公転）可能に装着される円盤２ａの下面に
多数植設される例えばナイロンあるいはモヘヤ等にて形
成されている。このディスクブラシ２は、図示しない駆
動手段によって駆動する操作アーム６によってスピンチ
ャック１の回転板５上に回転（θ）移動すると共に、垂
直方向（Ｚ）に移動するように構成されており、待機中
にブラシ洗浄器８によって洗浄されるようになってい
る。A large number of the disk brushes 2 are implanted on the lower surface of a disk 2a rotatably (rotating and revolving) mounted on the lower surface of the distal end of an operation arm 6 disposed on the side of the spin chuck 1. For example, it is formed of nylon or mohair. The disk brush 2 is configured to rotate (θ) on the rotating plate 5 of the spin chuck 1 and to move in the vertical direction (Z) by the operation arm 6 driven by a driving unit (not shown), and to stand by. The inside is washed by a brush washer 8.
【００２０】一方、ジェットノズル７は、図１に示すよ
うに、スピンチャック１に関してディスクブラシ２と対
向する側に配設されており、操作機構９によって垂直方
向（Ｚ）及び水平方向（Ｘ）に移動可能なアーム７ａの
先端部に装着されている。このジェットノズル７は、使
用時にウエハＷの上面に移動して図示しない洗浄液供給
源から供給される洗浄液をウエハＷ面に散布し得るよう
になっている。On the other hand, as shown in FIG. 1, the jet nozzle 7 is disposed on the side opposite to the disk brush 2 with respect to the spin chuck 1, and is operated by the operating mechanism 9 in the vertical direction (Z) and the horizontal direction (X). The arm 7a is mounted on the distal end of the arm 7a. The jet nozzle 7 can move to the upper surface of the wafer W during use and spray the cleaning liquid supplied from a cleaning liquid supply source (not shown) on the surface of the wafer W.
【００２１】上記のように構成されるこの発明の処理装
置において、ウエハＷを洗浄処理する場合には、まず、
図示しないフォーク状のウエハ搬送アームにて搬送され
るウエハＷを保持爪１１のフランジ部１１ａ上に仮載置
した後、ウエハ搬送アームを下方に移動させてスピンチ
ャック１から後退させる。次に、Ｎ2 ガス供給源から回
転軸４のＮ2 ガス供給通路３内にＮ2 ガスを供給する
と、Ｎ2 ガスはＮ2 ガス供給通路３から通路５ａを通っ
てウエハＷの裏面側に供給されて外周方向に流れるの
で、ウエハＷの裏面側にベルヌーイ効果によって負圧が
生じ、この負圧によってウエハＷはスピンチャック１側
に吸着保持される。この状態で、回転軸４を回転する
と、停止時には回転板５の半径方向に位置していた保持
体１８が、図２に示すように、保持体１８の回転軸側端
部が慣性により回転方向（反時計方向）と反対方向に移
動すると共に、反時計方向に回転して、一方の押圧部１
９ａがウエハＷの側端部に当接係合し、ウエハＷを保持
する。そして、回転軸４の回転速度が一定に達すると上
記慣性作用は減少し、スプリング１７の付勢力によって
保持体１８は中立位置に戻り、押圧部１９ａによるウエ
ハＷの保持は解かれるが、前述した吸着保持機構１０に
よってウエハＷは吸着保持されている。In the processing apparatus of the present invention configured as described above, when cleaning the wafer W, first,
After a wafer W transferred by a fork-shaped wafer transfer arm (not shown) is temporarily placed on the flange portion 11a of the holding claw 11, the wafer transfer arm is moved downward to retreat from the spin chuck 1. Next, when N2 gas is supplied from the N2 gas supply source into the N2 gas supply passage 3 of the rotating shaft 4, the N2 gas is supplied from the N2 gas supply passage 3 to the back surface side of the wafer W through the passage 5a, and the outer peripheral direction is supplied. , A negative pressure is generated on the back side of the wafer W by the Bernoulli effect, and the negative pressure causes the wafer W to be suction-held on the spin chuck 1 side. When the rotating shaft 4 is rotated in this state, the holding member 18 which was located in the radial direction of the rotating plate 5 at the time of stopping, the rotating shaft side end of the holding member 18 is rotated in the rotating direction by inertia as shown in FIG. (Counterclockwise), and rotates counterclockwise to form one pressing portion 1
9a abuts and engages the side end of the wafer W to hold the wafer W. When the rotation speed of the rotating shaft 4 reaches a constant value, the inertia action decreases, the holding member 18 returns to the neutral position by the urging force of the spring 17, and the holding of the wafer W by the pressing portion 19a is released. The wafer W is suction-held by the suction holding mechanism 10.
【００２２】上記のようにしてウエハＷを水平保持した
状態で、図示しない駆動モータが駆動して回転軸４を回
転してウエハＷを水平回転する。そして、ディスクブラ
シ２あるいはジェットノズル７をウエハＷの上方に移動
すると共に、ジェットノズル７からウエハＷの表面に洗
浄液を散布し、ディスクブラシ２によってウエハＷの表
面を擦りながら洗浄し表面に付着する粒子汚染物等を除
去する。この洗浄は、ジェットノズル７から洗浄液を散
布するジェット洗浄単独で行ってもよく、ディスクブラ
シ２近傍に洗浄液を供給しつつ洗浄するブラシ洗浄単独
で行ってもよく、また、両者を交互に行う、同時に行う
など、被処理体の種類や洗浄状態に応じて、種々変更設
定して行うようにしてもよい。このとき、ウエハＷの裏
面側にはＮ2 ガスが供給されており、しかも外周方向に
向って流れているので、洗浄液はウエハＷの裏面に回り
込む虞れはない。With the wafer W held horizontally as described above, a drive motor (not shown) is driven to rotate the rotating shaft 4 to horizontally rotate the wafer W. Then, while moving the disk brush 2 or the jet nozzle 7 above the wafer W, the cleaning liquid is sprayed from the jet nozzle 7 onto the surface of the wafer W, and the surface of the wafer W is cleaned while being rubbed by the disk brush 2 and adheres to the surface. Remove particle contaminants. This cleaning may be performed by jet cleaning alone in which the cleaning liquid is sprayed from the jet nozzle 7, may be performed by brush cleaning alone in which the cleaning liquid is supplied to the vicinity of the disk brush 2, and the cleaning may be performed alternately. For example, it may be performed at the same time as various changes and settings are performed according to the type of the object to be processed and the cleaning state. At this time, since the N2 gas is supplied to the back surface of the wafer W and flows toward the outer periphery, the cleaning liquid does not flow to the back surface of the wafer W.
【００２３】また、回転軸４を停止する際に回転軸４の
速度が減速すると、図３に示すように、保持体１８は慣
性により回転軸側端部が回転方向に移動すると共に、時
計方向に回転して、他方の押圧部１９ｂがウエハＷの側
端部に当接係合するので、ウエハＷを保持することがで
きる。When the speed of the rotating shaft 4 is reduced when the rotating shaft 4 is stopped, as shown in FIG. 3, the holding body 18 has its rotating shaft side end moved in the rotating direction due to inertia, and has a clockwise direction. , And the other pressing portion 19b is brought into contact with the side end of the wafer W, so that the wafer W can be held.
【００２４】上記のように、スピンチャック１の停止時
には、スプリングの付勢力によって保持体１８は中立位
置に維持され、スピンチャック１の始動加速時には、保
持体１８の回転軸側端部が回転方向と反対方向に移動し
て一方の押圧部１９ａによってウエハＷを保持すること
ができる。そして、スピンチャック１が定速回転状態に
あるときは、回転体１６がスプリングの付勢力によって
中立位置に戻り、保持体１８の押圧部＊による保持は解
除され、ウエハＷはＮ2 ガスによる負圧によって吸着保
持される。また、スピンチャック１の停止減速時には、
保持体１８の回転軸側端部が回転方向に移動して他方の
押圧部１９ｂによってウエハＷを保持することができ
る。したがって、スピンチャック１の始動加速時及び停
止減速時においてもウエハＷを確実に保持することがで
きるので、ウエハＷを常に安定した状態で保持すること
ができ、処理作業能率の向上を図ることができる。な
お、急激な加速・減速時においても、その時の慣性力は
より大きなものとなるので、確実にウエハＷを保持する
ことができる。As described above, when the spin chuck 1 is stopped, the holder 18 is maintained at the neutral position by the urging force of the spring, and when the spin chuck 1 is started and accelerated, the end of the holder 18 on the rotating shaft side is rotated in the rotation direction. And the wafer W can be held by the one pressing portion 19a. When the spin chuck 1 is rotating at a constant speed, the rotating body 16 returns to the neutral position by the urging force of the spring, the holding by the pressing portion * of the holding body 18 is released, and the wafer W is subjected to the negative pressure by N2 gas. Is held by suction. When the spin chuck 1 is stopped and decelerated,
The rotation shaft side end of the holder 18 moves in the rotation direction, and the other pressing part 19b can hold the wafer W. Therefore, the wafer W can be reliably held even when the spin chuck 1 is started and accelerated and when the spin chuck 1 is stopped and decelerated. Therefore, the wafer W can be always held in a stable state, and the processing operation efficiency can be improved. it can. In addition, even at the time of rapid acceleration / deceleration, the inertia force at that time becomes larger, so that the wafer W can be reliably held.
【００２５】なお、上記実施例では、保持体１８が３箇
所に配設される場合について説明したが、必ずしも保持
体１８の数は３個である必要はなく、少なくとも３箇所
に配設されていればよい。In the above embodiment, the case where the holders 18 are provided at three places has been described. However, the number of the holders 18 does not necessarily need to be three, and the holders 18 are provided at least at three places. Just do it.
【００２６】上記のように構成されるこの発明の処理装
置は、図１に示すような単独の半導体ウエハの洗浄装置
として使用される他、後述する半導体ウエハの塗布現像
装置等に組込まれて使用される。The processing apparatus of the present invention configured as described above can be used as a single semiconductor wafer cleaning apparatus as shown in FIG. Is done.
【００２７】上記半導体ウエハの塗布現像装置は、図５
に示すように、ウエハＷに種々の処理を施す処理機構が
配置された処理機構ユニット３０と、処理機構ユニット
３０にウエハＷを自動的に搬入・搬出する搬入・搬出機
構２０とで主要部が構成されている。The semiconductor wafer coating and developing apparatus is shown in FIG.
As shown in (1), the main parts are a processing mechanism unit 30 in which a processing mechanism for performing various processes on the wafer W is disposed, and a loading / unloading mechanism 20 for automatically loading / unloading the wafer W into / from the processing mechanism unit 30. It is configured.
【００２８】搬入・搬出機構２０は、処理前のウエハＷ
を収納するウエハキャリア２１と、処理後のウエハＷを
収納するウエハキャリア２２と、ウエハＷを吸着保持す
るア−ム２３と、このア−ム２３をＸ，Ｙ（水平），Ｚ
（垂直）及びθ（回転）方向に移動させる移動機構２４
と、ウエハＷがアライメントされかつ処理機構ユニット
３０との間でウエハＷの受け渡しがなされるアライメン
トステージ２５とを備えている。The loading / unloading mechanism 20 controls the wafer W before processing.
, A wafer carrier 22 for storing a processed wafer W, an arm 23 for holding the wafer W by suction, and an X, Y (horizontal), Z
Moving mechanism 24 for moving in (vertical) and θ (rotation) directions
And an alignment stage 25 on which the wafer W is aligned and the wafer W is transferred to and from the processing mechanism unit 30.
【００２９】処理機構ユニット３０には、アライメント
ステージ２５よりＸ方向に形成された搬送路３１に沿っ
て移動自在に搬送機構３２が設けられており、この搬送
機構３２にはＹ，Ｚ及びθ方向に移動自在にメインアー
ム３３が設けられている。搬送路３１の一方の側には、
ウエハＷとレジスト膜との密着性を向上させるためのア
ドヒージョン処理を行うアドヒージョン処理機構３４
と、ウエハＷに塗布されたレジスト中に残存する溶剤を
加熱蒸発させるためのプリベーク機構３５と、加熱処理
されたウエハＷを冷却する冷却機構３６とが配置されて
いる。搬送路３１の他方の側にはウエハＷの表面にレジ
ストを塗布する処理液塗布機構３７と、ウエハＷの表面
に付着する粒子汚染物等を洗浄処理する洗浄処理装置３
８（この発明の処理装置）とが配置されている。The processing mechanism unit 30 is provided with a transfer mechanism 32 movably along a transfer path 31 formed in the X direction from the alignment stage 25. The transfer mechanism 32 is provided in the Y, Z, and θ directions. A main arm 33 is provided so as to be movable. On one side of the transport path 31,
Adhesion processing mechanism 34 for performing adhesion processing for improving the adhesion between wafer W and the resist film
And a pre-bake mechanism 35 for heating and evaporating the solvent remaining in the resist applied to the wafer W, and a cooling mechanism 36 for cooling the heated wafer W. On the other side of the transfer path 31, a processing liquid application mechanism 37 for applying a resist on the surface of the wafer W, and a cleaning apparatus 3 for cleaning particle contaminants and the like adhering to the surface of the wafer W
8 (the processing device of the present invention).
【００３０】以上のように構成される半導体ウエハ塗布
現像装置において、まず、処理前のウエハＷは、搬入・
搬出機構２０のア−ム２３によってウエハキャリア２１
から搬出されてアライメントステージ２５上に載置され
る。次いで、アライメントステージ２５上のウエハＷ
は、搬送機構３２のメインアーム３３に保持されて、各
処理機構３４〜３８へと搬送されて適宜処理後に洗浄処
理が施される。そして、処理後のウエハＷはメインアー
ム３３によってアライメントステージ２５に戻され、更
にア−ム２３により搬送されてウエハキャリア２２に収
納される。In the semiconductor wafer coating and developing apparatus configured as described above, first, the unprocessed wafer W is loaded and loaded.
The wafer carrier 21 is moved by the arm 23 of the unloading mechanism 20.
And placed on the alignment stage 25. Next, the wafer W on the alignment stage 25
Is held by the main arm 33 of the transport mechanism 32, transported to each of the processing mechanisms 34 to 38, and subjected to a cleaning process after appropriate processing. Then, the processed wafer W is returned to the alignment stage 25 by the main arm 33, further transported by the arm 23, and stored in the wafer carrier 22.
【００３１】上記実施例では被処理体が半導体ウエハの
場合について説明したが、被処理体は必ずしも半導体ウ
エハに限られるものではなく、例えばＬＣＤ基板あるい
はプリント基板、フォトマスク、セラミック基板、コン
パクトディスクなどについて同様に洗浄等の処理を施す
ものについても適用できるものである。In the above embodiment, the case where the object to be processed is a semiconductor wafer has been described. However, the object to be processed is not necessarily limited to a semiconductor wafer. For example, an LCD substrate or a printed substrate, a photomask, a ceramic substrate, a compact disk, etc. Can also be applied to those subjected to a treatment such as washing.
【００３２】[0032]
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の処理
装置によれば、上記のように構成されているので、以下
のような効果が得られる。As described above, according to the processing apparatus of the present invention, since the configuration is as described above, the following effects can be obtained.
【００３３】１）請求項１記載の処理装置によれば、回
転保持手段に、被処理体の保持面側に向って供給される
気体による負圧を利用して被処理体を保持する吸着保持
機構と、回転保持手段の始動加速時及び停止減速時に作
動して被処理体を保持する補助保持機構とを具備するの
で、回転保持手段の定速回転時の他に、回転保持手段の
始動加速時及び停止減速時においても被処理体を確実に
保持することができ、被処理体の処理を安定した状態で
行うことができる。また、処理中に被処理体の裏面への
処理液の侵入を防止することができる。According to the first aspect of the present invention, the rotation holding means uses the negative pressure of the gas supplied toward the holding surface side of the processing object to hold the processing object by suction. A mechanism and an auxiliary holding mechanism that operates at the time of starting acceleration and stopping and deceleration of the rotation holding means to hold the object to be processed. The object to be processed can be reliably held even at the time of stop and deceleration, and the processing of the object to be processed can be performed in a stable state. Further, it is possible to prevent the processing liquid from entering the back surface of the object during processing.
【００３４】２）請求項２記載の処理装置によれば、補
助保持機構を、回転保持手段に対して回転可能に配設さ
れると共に、正逆回転方向に弾性力を付勢した回転体
と、回転保持手段に揺動可能に枢着されると共に、一端
が回転体に回転及び摺動可能に係合され、かつ、他端に
被処理体の押圧部を有する保持体とで構成するので、回
転保持手段の始動加速時及び停止減速時における回転軸
の速度変化を確実に保持体に伝達することができ、更に
被処理体の保持を確実にすることができる。According to a second aspect of the present invention, the auxiliary holding mechanism is provided rotatably with respect to the rotation holding means, and includes a rotating body which applies an elastic force in forward and reverse rotation directions. , Which is pivotally attached to the rotation holding means, is rotatably and slidably engaged at one end with the rotating body, and has a pressing part of the object to be processed at the other end. In addition, it is possible to reliably transmit the speed change of the rotating shaft at the time of starting acceleration and stopping and deceleration of the rotation holding means to the holding body, and further to ensure the holding of the object to be processed.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図１】この発明の処理装置の一例を示す概略斜視図で
ある。FIG. 1 is a schematic perspective view showing an example of a processing apparatus of the present invention.
【図２】この発明の処理装置の始動加速状態を示す概略
平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view showing a starting acceleration state of the processing apparatus of the present invention.
【図３】この発明の処理装置の停止減速状態を示す概略
平面図である。FIG. 3 is a schematic plan view showing a stop and deceleration state of the processing apparatus of the present invention.
【図４】この発明の処理装置の要部を示す断面側面図で
ある。FIG. 4 is a sectional side view showing a main part of the processing apparatus of the present invention.
【図５】この発明の処理装置を半導体ウエハ塗布現像装
置に適用した状態の全体を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing the entire state in which the processing apparatus of the present invention is applied to a semiconductor wafer coating and developing apparatus.
１ スピンチャック（回転保持手段） ３ Ｎ2 ガス供給通路 ４ 回転軸 １０ 吸着保持機構 １１ 保持爪 １２ 基点ピン １３ 支点ピン １４ ピン １５ 補助保持機構 １６ 回転体 １７ スプリング １８ 保持体 １８ａ スリット １９ａ，１９ｂ 押圧部 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Spin chuck (rotation holding means) 3 N2 gas supply passage 4 Rotating shaft 10 Suction holding mechanism 11 Holding claw 12 Base pin 13 Support pin 14 Pin 15 Auxiliary holding mechanism 16 Rotating body 17 Spring 18 Holding body 18a Slit 19a, 19b Pressing part W Semiconductor wafer (workpiece)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/304 H01L 21/027 H01L 21/68──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 21/304 H01L 21/027 H01L 21/68
Claims (2)
共に、被処理体の表面に処理液を供給して処理する処理
装置において、 上記回転保持手段に、上記被処理体の保持面側に向って
供給される気体による負圧を利用して被処理体を保持す
る吸着保持機構と、回転保持手段の始動加速時及び停止
減速時に作動して上記被処理体を保持する補助保持機構
とを具備してなることを特徴とする処理装置。1. A processing apparatus for holding an object to be processed by a rotation holding means and for supplying a processing liquid to the surface of the object to be processed, wherein the rotation holding means comprises: A suction holding mechanism for holding the object to be processed by utilizing a negative pressure of the gas supplied toward the head, and an auxiliary holding mechanism for holding the object to be processed by operating the rotation holding means at the time of start acceleration and stop deceleration. A processing apparatus comprising:
回転可能に配設されると共に、正逆回転方向に弾性力を
付勢した回転体と、上記回転保持手段に揺動可能に枢着
されると共に、一端が上記回転体に回転及び摺動可能に
係合され、かつ、他端に被処理体の押圧部を有する保持
体とで構成してなることを特徴とする請求項１記載の処
理装置。2. An auxiliary holding mechanism, which is rotatably disposed with respect to the rotation holding means, urges an elastic force in forward and reverse rotation directions, and pivotally pivots with respect to the rotation holding means. And a holding body having one end rotatably and slidably engaged with the rotating body and the other end having a pressing portion for pressing the object to be processed. The processing device according to the above.
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Family Applications (1)
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Families Citing this family (16)
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| KR100363326B1 (en) * | 2000-06-01 | 2002-11-30 | 한국디엔에스 주식회사 | Wafer chuck for spinning a wafer |
| KR100373549B1 (en) * | 2000-11-17 | 2003-02-26 | (주)케이.씨.텍 | Substrate fixing chuck and Substrate treating apparatus mounting the same |
| KR100513276B1 (en) * | 2003-05-23 | 2005-09-09 | 삼성전자주식회사 | Wafer Spin Chuck |
| JP4293366B2 (en) * | 2004-10-28 | 2009-07-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing equipment |
| JP5013400B2 (en) * | 2006-09-29 | 2012-08-29 | 国立大学法人東北大学 | Coating film coating equipment |
| JP4938560B2 (en) * | 2007-06-22 | 2012-05-23 | 日本電産サンキョー株式会社 | Industrial robot |
| JP4871912B2 (en) * | 2008-05-19 | 2012-02-08 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing equipment, brush cleaning equipment |
| KR101423050B1 (en) * | 2008-06-23 | 2014-07-25 | 주식회사 케이씨텍 | Apparatus for holding a substrate |
| KR101160172B1 (en) | 2008-11-26 | 2012-06-28 | 세메스 주식회사 | Spin head |
| JP6205159B2 (en) * | 2013-04-09 | 2017-09-27 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate gripping apparatus and substrate processing apparatus |
| KR102120066B1 (en) * | 2013-11-18 | 2020-06-09 | 주식회사 제우스 | Chuck table apparatus |
| JP6345838B2 (en) * | 2017-04-21 | 2018-06-20 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate gripping apparatus and substrate processing apparatus |
| JP6946151B2 (en) * | 2017-11-13 | 2021-10-06 | 株式会社荏原製作所 | A board processing device including a board holding device and a board holding device |
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