JP2814061B2 - Semiconductor device manufacturing method - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【産業上の利用分野】この発明は、熱、光化学反応を用
いた気相反応方法（以下CVD 法という）により窒化アル
ミニュ−ムを例えば半導体エレクトロニクス用のパッシ
ベイション被膜またはファイナルコ−ティング用の絶縁
膜として作製する方法に関する。 【０００２】この発明は有機アルミニュ−ムと窒化物気
体との光化学反応を行わしめることにより、従来公知の
SiH₄とNH₃ により作製された窒化珪素に比べて光学的エ
ネルギバンド巾を大きく（窒化珪素は約5.0eV)約7eV を
有せしめた窒化アルミニュ−ムを作製し、この窒化アル
ミニュ−ムをアクティブ素子の保護膜（パッシベイショ
ン膜）またはファイナルコ−ティング膜として形成せし
めたものである。 【０００３】この発明はアルミニュ−ムの有機化合物例
えばトリメチルアルミニュ−ム((CH₃)₃Al), またはトリ
エチルアルミニュ−ム((C₂H₅)₃Al) を用い、アンモニア
(NH₃),ヒドラジン(N₂H₄), 窒化弗素(NF₃, N₂F₄) を加え
ることにより、窒化アルミニュ−ム（以下AlN とも略記
する) を900 ℃以下の温度好ましくは100 〜500 ℃例え
ば300 ℃で形成する方法に関する。 【０００４】 【従来の技術】従来、ファイナルコ−ティングの被膜と
して窒化珪素膜が用いられていた。この被膜は、グロ−
放電法を用いたプラズマ気相反応方法によりシラン(SiH
₄)とアンモニア(NH₃）とを反応せしめ、200 〜400 ℃の
基板温度にて被膜を作製していた。しかしかかる窒化珪
素膜は、その膜内に珪素の不対結合手、珪素のクラスタ
が残存することにより、電気的絶縁性に対しバラツキを
有し、耐圧低下を生ずる。さらに光学的エネルギ−バン
ド巾が５eVと小さく、例えば不揮発性メモリ( 紫外線消
去型) のパッシベイション膜としての適用は不可能であ
った。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】このため、Egが約7eV
を有し、紫外光の透光性に優れ、かつナトリュ−ムイオ
ンに関し優れたバリア作用を有する被膜が求められてい
た。このため、本発明においては、この被膜として窒化
アルミニュ−ムを適用したものである。 【０００６】本発明はかかる課題を解決するために、ア
ルミニュームの有機化合物と窒化物気体との混合反応性
気体に電気エネルギーを加えることにより、基板上に設
けられたアクティブ素子上に窒化アルミニューム被膜を
形成して、前記素子の保護またはファイナルコーティン
グ被膜として機能せしめることを特徴とする半導体装置
作製方法。他方、即ち有機アルミニュ−ム特に好ましく
はAl(CH₃)₃(TMAという) とアンモニア(NH₃）を用い、特
に300nm 以下の波長の紫外光を照射した光気相反応法を
用いることにより窒化アルミニュ−ムのパッシベイショ
ン膜を作製せんとするものである。 【０００７】その主たる反応式は Al(CH₃)₃＋NH₃ ─→ AlN ＋４CH₄ である。このTMA は東洋ストファ社製を用いた。その基
礎物性は以下の如くである。 分子量 72.09 純度 99.9998%(Alとして) 密度 0.752g/ml (20 ℃) 融点 15.3 ℃ 【０００８】以下に図面に従って本発明を記す。図１
は、本発明に用いられた光CVD または熱CVD 装置の概要
を示す。図面において、反応容器または真空容器(1) は
石英からなっている。基板(2)はハロゲンヒ−タ(3) で
下側から加熱されたホルダ（22）上に配設され、室温〜
900℃好ましくは200 〜500 ℃例えば350 ℃に加熱され
ている。ド−ピング系は流量計(6),(26), バルブ(7) よ
りなり、アンモニアおよび窒素はそれぞれ(9),(10)より
供給される。さらにこの窒化物気体は分解反応をしても
気体であるため、反応室の窓の内側にノズルより吹きつ
け、紫外光照射による光励起がなされた気体を下側の基
板表面に(16)に示されるようにふき下ろすようにした。
加えて分解反応をした時固体となるTMA またはその反応
物が石英窓の表面に至らないようにするための効果をも
有せしめた。 【０００９】またTMA(Al(CH₃)₃(MP 15.3℃))は室温で液
体であるため、バブラ(20)に充填されている。このTMA
に対し窒素を(11)よりバブルさせた。このバブラ(20)に
より反応室(1) に至るまでは100 ℃に流量計(26)を含め
加熱させ、配管内壁へのTMAの吸着を防いだ。さらにこ
のTMA はノズルより(17)に示されるように基板(2) 側に
吹きつけるようにした。かくしてTMA とアンモニアは反
応室にて初めて混合し、光励起をして反応をさせた。さ
らに排気口(8) より圧力調整バルブ(12), ストップバル
ブ(13)をへて、真空ポンプ(14)より排気させた。光化学
反応させるため、300nm 以下の波長の発生ランプ（低圧
水銀ランプ, ウシオ電機製,UL1−45EL2 −Ｎ−1)(4) を
16本及びそれに伴う電源系(5) を用いた。さらにこのラ
ンプ室(28)を排気系に連結し、真空引きした。このラン
プ室に反応性気体の逆流を防ぐため、(24)より窒素ガス
を若干導入し、ヒ−タ(25)にて600 ℃に加熱し分解し
た。さらにランプ室(28)は反応室(1) と同じ圧力として
窓の石英ガラス(26)が破損しないようにバルブ(27)にて
調整した。さらに加えて、かくすると発生源より反応室
に至る前に大気中の水蒸気により184 nmの短波長光の吸
収損を防ぐことができた。さらに基板(2),ホルダ(22)の
加熱用のハロゲン加熱ヒ−タ(3) が反応空間(1) の下側
に設けられている。 【００１０】以下にその実施例を示す。 【実施例】 実施例１ この実施例はTMA とアンモニアとの光化学反応によりAl
N 被膜を作製せんとしたものである。図１において、ヒ
−タ(3) にて基板を500 ℃以下( 例えば350 ℃) に加熱
してAlN 膜を形成するための半導体ICが形成されたファ
イナルコ−ティング用にアクティブ素子例えば図２(A)
に示す絶縁ゲイト型電界効果半導体装置が珪素基板(2)
に設けられている。かかる基板(2) をヒ−タ上方のホル
ダ(22)上に配設している。さらに、バルブ(7) を開にし
て、アンモニアを導入した。さらにTMA をTMA/NH₃ ≒1/
５として導入した。反応容器内圧力は、0.1 〜20torrの
範囲例えば10torrとした。すると反応管内にAlN を184n
m および254nm の紫外光の照射による光CVD 法において
水銀増感を用いることなく0.1 Å／秒の成長速度で得る
ことができた。この被膜成長速度は3torr とすると0.04
Å／秒と減少した。 【００１１】この反応生成物を0.2 μｍの厚さとしてIR
（赤外線吸収スペクトル）で調べたところ、900cm ^-1に
巾広の大きな吸収が見られ、AlN 膜であることが判明し
た。さらに本発明方法において重要なことは、かかるAl
N の作製に対してはTMA もアンモニアも300nm 以下の光
で励起されるため、水銀を用いる必要がない。さらにこ
のAlN は熱伝導率が窒化珪素より約５倍も優れているた
め、ICにおいてICチップ内の局部加熱を防ぐことができ
る。さらにその光学的エネルギバンド巾が約7eV(177nm)
もあるため、紫外光(184nmおよび 254nm) を透過させる
ことができる。このため、窓にたとえAlN が付着して
も、紫外光を反応性気体に到達させないいわゆるバリア
にならないという特長を有する。またAlN は窒化物であ
るため、ナトリュ−ム等のアルカリイオンに対するバリ
ア効果を同時に期待でき、IC等の半導体素子のファイナ
ルコ−ティング材料として理想的であった。 【００１２】実施例２ この実施例は、TMA とアンモニアとのプラズマCVD 法に
より窒化アルミニュ−ム被膜を単結晶珪素基板またはそ
の基板に図２(B) に示す如きバイポ−ラ素子またはSIT
素子等のアクティブ素子が１ケまたは複数ケ設けられた
基板上に作製した。実施例１と同様の装置を用いた。基
板温度は350 ℃、圧力0.２torr、TMA/NH₃ ≒1/8 とし
た。高周波電源より13.56MHzを反応性気体の導入後30W
で加えた。すると、この保護膜はきわめて緻密であり、
かつ耐アルカリ特性に優れたものであった。そのため、
図２(B) に示す(17)のリ−ド(40),(41'), (44'')の下側
の保護膜として電圧をファイナルコ−ティング(35)とし
ても優れていた。加えてこのAlN はその熱伝導率が窒化
珪素の５倍もあるためIC中で電力用素子に見られるごと
く、発熱作用をしても、１つのチップ中てその発熱が大
きい領域と小さな領域との間をより均一に動作させるこ
とが可能である。 【００１３】即ち、ICの特徴である同一プロセスで作ら
れるため、特性にブラツキがない。また、作製後の局部
的な発熱による動作不良に対しても、このアクティブ素
子の上面に密接してAlN が設けられているため、ICの動
作による発熱がチップ全体へ分散させ、より高温での動
作用として優れたものであった。本発明において、アル
ミニュ−ム膜としてAlF₃(AlF,AlF₂ を含む) またはAlCl
₃ を用いてもよい。図２(B) においては、ファイナルコ
−ティング(19)としては、実施例１に示されるごとく、
光CVD 法さらにこの上に連結してプラズマCVD 法を行う
多層膜を用いてよいことはいうまでもない。 【００１４】実施例３ この実施例は図２に示された絶縁ゲ−ト型電界効果半導
体装置(A) およびパイポ−ラ型半導体装置(B) に対し信
頼性テストを行ったものである。図２(A) において、MI
S-FET 素子を用いたロジックICを試料として、素子構造
はシリコン基板(2),フィ−ルド絶縁物(21), ゲイト(3
0), ソ−ス(31), ドレイン(32), リ−ド(33),(34),層間
絶縁物(29), ファイナルコ−ティングのAlN 膜(35)厚さ
2000Åである。これらをプレッシャ−クッカ−テスト
120 ℃10気圧、湿度100%とした。するとこのAlN であっ
てもまた従来より公知の窒化珪素膜にあっても、100 時
間を経て、不良が0/30であった。またこれらの信頼性テ
ストに加えて、その動作上限温度は窒化珪素膜が70℃ま
では動作できた。しかしAlN を用いたICにおいては、さ
らに電源電圧を上昇せしめ、電流をさらに20% も多く加
えても、即ち発熱がさらに20℃も高い90℃になっても、
不良がみられず、これまでの窒化珪素にかわる優れた特
性を有していた。 【００１５】本発明において、さらに図２(B) にリ−ド
下側の絶縁膜(37)として熱CVD 法を用いたAlN とするこ
とは可能である。その場合はTEA とNH₃,TMA とNH₃ また
はN₂H₄の反応を500 〜900 ℃の温度で用いることにより
成就させる。また、300 nm以下の光エネルギの照射によ
る光CVD 法としてエキシマ（波長500 〜100 nm）レ−ザ
を用いてもよいことはいうまでもない。本発明におい
て、光化学反応の励起用に水銀を同時に混入し、水銀励
起法を用いることも可能である。しかし水銀バブラを用
いた方法は排気物中に水銀が残りやすく、公害問題が発
生しやすい。本発明における窒化物気体として非酸素化
物の弗化窒素（NF₃,N₂F₄) またはその他の非酸化物のヒ
ドラジン塩を用いてもよい。 【００１６】 【発明の効果】本発明はアルミニュームの有機化合物と
窒化物気体との混合反応性気体に電気エネルギーを加え
ることにより、基板上に設けられたアクティブ素子上に
窒化アルミニューム被膜を形成して、前記素子の保護ま
たはファイナルコーティング被膜として機能せしめるこ
ととしたため、作製後の局部的な発熱による動作不良に
対しても、このアクティブ素子の上面に密接してAlN が
設けられているため、ICの動作による発熱がチップ全体
へ分散させ、より高温での動作用として優れたものとす
ることができた。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [0001] BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention uses a thermal or photochemical reaction.
Alnitride by the gas phase reaction method (hereinafter referred to as CVD method)
Minumum for example for passives for semiconductor electronics
Insulation for basin coating or final coating
The present invention relates to a method for manufacturing a film. [0002] The present invention relates to organic aluminum and nitride gas.
By performing a photochemical reaction with the body, conventionally known
SiH_FourAnd NH_ThreeOptical energy compared to silicon nitride produced by
Increase the energy band width (about 5.0 eV for silicon nitride) to about 7 eV
An aluminum nitride film was prepared, and this aluminum nitride
Using the protection film (passive protection) for the active element
Film) or as a final coating film
It is something. The present invention relates to an example of an organic compound of aluminum.
For example, trimethyl aluminum ((CH_Three)_ThreeAl), or bird
Ethyl aluminum ((C_TwoH_Five)_ThreeAl)
(NH_Three), Hydrazine (N_TwoH_Four), Fluorine nitride (NF_Three, N_TwoF_Four)
In this way, aluminum nitride (hereinafter abbreviated as AlN)
To 900 ° C or less, preferably 100 to 500 ° C.
For example, it relates to a method of forming at 300 ° C. [0004] 2. Description of the Related Art Conventionally, a final coating film and
Thus, a silicon nitride film has been used. This coating is
Silane (SiH) by a plasma gas phase reaction method using a discharge method
_Four) And ammonia (NH_Three) And react at 200 ~ 400 ℃
The coating was formed at the substrate temperature. But such silicon nitride
The elementary film consists of silicon dangling bonds and silicon clusters in the film.
Remains, causing variations in electrical insulation.
And a decrease in withstand voltage occurs. Further optical energy van
The memory width is as small as 5 eV.
Application as a passivation film is not possible.
Was. [0005] Therefore, Eg is about 7 eV
With excellent ultraviolet light transmission and
There is a demand for coatings with excellent barrier action
Was. For this reason, in the present invention, this film is nitrided.
This is an application of aluminum. The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problem.
Mixed Reactivity of Organic Compounds of Luminum with Nitride Gas
By applying electric energy to the gas,
Aluminum nitride coating on the active element
Forming and protecting the device or final coating
Semiconductor device characterized by functioning as a coating film
Production method. On the other hand, organic aluminum is particularly preferred.
Is Al (CH_Three)_Three(Called TMA) and ammonia (NH_Three)
Gas-phase reaction method in which UV light of
Passive protection of aluminum nitride by using
It is intended to produce a membrane. The main reaction formula is Al (CH_Three)_Three+ NH_Three─ → AlN + 4CH_Four It is. This TMA was manufactured by Toyo Stofa. That group
The basic properties are as follows. Molecular weight 72.09 Purity 99.9998% (as Al) Density 0.752g / ml (20 ℃) Melting point 15.3 ℃ The present invention will be described below with reference to the drawings. FIG.
Is an overview of the photo-CVD or thermal CVD equipment used in the present invention.
Is shown. In the drawing, the reaction vessel or vacuum vessel (1)
It is made of quartz. Substrate (2) is a halogen heater (3)
Arranged on the holder (22) heated from below,
900 ° C, preferably 200-500 ° C, e.g. 350 ° C
ing. The doping system consists of flowmeters (6), (26) and valve (7).
Ammonia and nitrogen from (9) and (10) respectively.
Supplied. Furthermore, even if this nitride gas undergoes a decomposition reaction,
Because it is a gas, blow it from the nozzle inside the reaction chamber window.
Gas that has been photoexcited by UV light irradiation
It was wiped down on the board surface as shown in (16).
In addition, TMA or its reaction that becomes solid when it undergoes a decomposition reaction
It also has the effect of preventing objects from reaching the surface of the quartz window.
I got it. Further, TMA (Al (CH_Three)_Three(MP 15.3 ° C)) at room temperature
Because it is a body, it is filled in the bubbler (20). This TMA
Then, nitrogen was bubbled from (11). In this bubbler (20)
Including the flow meter (26) at 100 ° C until reaching the reaction chamber (1)
Heat was applied to prevent TMA from adsorbing to the inner wall of the pipe. More
The TMA of the nozzle is on the substrate (2) side as shown in (17) from the nozzle.
I sprayed it. Thus, TMA and ammonia
Mixing was performed for the first time in the reaction room, and the reaction was performed by photoexcitation. Sa
In addition, pressure adjustment valve (12), stop valve from exhaust port (8)
The pump (13) was evacuated and evacuated from the vacuum pump (14). Photochemistry
In order to react, a lamp with a wavelength of 300 nm or less (low pressure
Mercury lamp, Ushio, UL1-45EL2-N-1) (4)
Sixteen and the associated power supply system (5) were used. Furthermore this la
The pump chamber (28) was connected to an exhaust system and evacuated. This run
Nitrogen gas from (24) to prevent the reactive gas from flowing back into the
And heated at 600 ° C with a heater (25) to decompose.
Was. Further, the pressure in the lamp chamber (28) is the same as that in the reaction chamber (1).
Use the bulb (27) to prevent the quartz glass (26) in the window from being damaged.
It was adjusted. In addition, the reaction chamber is now more
Absorb short-wavelength light of 184 nm by atmospheric water vapor before reaching
We were able to prevent income loss. In addition, the board (2) and holder (22)
Halogen heating heater (3) for heating is below reaction space (1)
It is provided in. An embodiment will be described below. 【Example】 Example 1 In this example, the photochemical reaction between TMA and ammonia
N coating was prepared. In FIG.
Heat the substrate to 500 ° C or less (for example, 350 ° C)
On which a semiconductor IC for forming an AlN film is formed.
Active element for inner coating, for example, FIG.
The insulating gate type field effect semiconductor device shown in the figure is a silicon substrate (2)
It is provided in. The substrate (2) is placed in the hole above the heater.
It is located on the da (22). Then open valve (7).
Then, ammonia was introduced. TMA is added to TMA / NH_Three≒ 1 /
5 was introduced. The pressure inside the reaction vessel is 0.1-20 torr
The range was, for example, 10 torr. Then 184n AlN in the reaction tube
m and 254nm UV irradiation
Obtain at a growth rate of 0.10.1 / sec without using mercury sensitization
I was able to. This film growth rate is 0.04 assuming 3 torr.
Å / sec. The reaction product is made to have a thickness of 0.2 μm by IR
(Infrared absorption spectrum) 900cm^-1To
Wide broad absorption was observed, and it was found that the film was an AlN film.
Was. Further important in the method of the present invention is that such Al
For the production of N, both TMA and ammonia emit light of 300 nm or less.
, It is not necessary to use mercury. More
AlN has about 5 times better thermal conductivity than silicon nitride
Local heating in the IC chip
You. Furthermore, its optical energy bandwidth is about 7 eV (177 nm)
To transmit UV light (184 nm and 254 nm)
be able to. Therefore, even if AlN adheres to the window,
So-called barrier that does not allow ultraviolet light to reach the reactive gas
It has the feature that it does not become. AlN is a nitride.
For this reason, burr against alkali ions such as sodium
Effect can be expected at the same time.
It was ideal as a coating material. Embodiment 2 This example is applied to a plasma CVD method of TMA and ammonia.
From a single-crystal silicon substrate or
A bipolar element or SIT as shown in FIG.
One or more active elements such as elements are provided
It was fabricated on a substrate. The same device as in Example 1 was used. Base
Plate temperature 350 ° C, pressure 0.2 torr, TMA / NH_Three≒ 1/8
Was. 13.56MHz from high frequency power supply 30W after introduction of reactive gas
Added in. Then, this protective film is very dense,
And it was excellent in alkali resistance. for that reason,
The lower side of leads (40), (41 ') and (44' ') of (17) shown in Fig. 2 (B)
Voltage as final coating (35)
Even better. In addition, the thermal conductivity of this AlN
Because it is five times larger than silicon, it can be found in power devices in ICs
Even if it generates heat, it generates a large amount of heat in one chip.
Move more evenly between critical and small areas.
And it is possible. That is, it is manufactured by the same process which is a feature of IC.
There is no variation in characteristics. Also, the local parts after fabrication
This active element also protects against malfunctions due to
Because the AlN is provided close to the upper surface of the
The heat generated by the operation is dispersed throughout the chip,
The effect was excellent. In the present invention,
AlF as a minimum film_Three(AlF, AlF_TwoOr AlCl
_ThreeMay be used. In FIG. 2 (B), the final
-As the ting (19), as shown in Example 1,
Photo CVD method and plasma CVD method on top
It goes without saying that a multilayer film may be used. Embodiment 3 This embodiment uses the insulated gate type field effect semiconductor shown in FIG.
To the body device (A) and the bipolar semiconductor device (B).
A reliability test was performed. In FIG. 2 (A), MI
Using a logic IC using S-FET devices as a sample, the device structure
Is silicon substrate (2), field insulator (21), gate (3
0), source (31), drain (32), lead (33), (34), interlayer
Insulator (29), AlN film (35) thickness of final coating
2000Å. These are pressure cooker tests
120 ° C, 10 atm, humidity 100%. Then this AlN
Even in the case of a conventionally known silicon nitride film,
After a while, the defect was 0/30. In addition, these reliability tests
In addition to the cost, the maximum operating temperature of silicon nitride
It worked. However, in ICs using AlN,
Then, increase the power supply voltage and increase the current by 20% more.
That is, even if the exotherm reaches 90 ° C, which is even higher by 20 ° C,
No defects and excellent features that replace silicon nitride
Had the nature. In the present invention, FIG.
The lower insulating film (37) is made of AlN using thermal CVD.
Is possible. In that case TEA and NH_Three, TMA and NH_ThreeAlso
Is N_TwoH_FourBy using the reaction at a temperature of 500 to 900 ° C.
To fulfill. In addition, irradiation with light energy of 300 nm or less
Excimer (wavelength 500-100 nm) laser
It is needless to say that may be used. In the present invention
Mixed with mercury to excite the photochemical reaction,
It is also possible to use the rooting method. But use a mercury bubbler
In the previous method, mercury easily remained in the exhaust gas, causing pollution problems.
Easy to grow. Non-oxygenated as nitride gas in the present invention
Nitrogen fluoride (NF_Three, N_TwoF_Four) Or other non-oxide
A drazine salt may be used. [0016] The present invention relates to an organic compound of aluminum.
Add electric energy to reactive gas mixed with nitride gas
In this way, the active element provided on the substrate
An aluminum nitride film is formed to protect the device.
Or function as a final coating film
As a result, operation failure due to local heat generation after fabrication
On the other hand, AlN
Heat generated by IC operation
Dispersed for better operation at higher temperatures.
I was able to.

【図面の簡単な説明】 【図１】窒化アルミニュ−ム膜を作製するためのCVD 装
置の概要を示す。 【図２】図２は本発明の半導体装置のー例を示す。 【符号の説明】 １ 反応室 ２ 基板 ３ 加熱ヒータ ４ ランプ ５ 電源系 ６ 流量計 ７ バルブ ８ 排気口 １４ 真空ポンプBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 shows an outline of a CVD apparatus for producing an aluminum nitride film. FIG. 2 shows an example of a semiconductor device of the present invention. [Description of Signs] 1 Reaction chamber 2 Substrate 3 Heater 4 Lamp 5 Power supply system 6 Flow meter 7 Valve 8 Exhaust port 14 Vacuum pump

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 １．アルミニュームの有機化合物と窒化物気体との混合
反応性気体に電気エネルギーを加えることにより、基板
上に設けられたアクティブ素子の半導体層を覆い、かつ
前記アクティブ素子の配線に接して窒化アルミニューム
被膜を形成することを特徴とする半導体装置作製方法。 ２．アルミニュームの有機化合物と窒化物気体との混合
反応性気体に電気エネルギーを加えることにより、基板
上に設けられたアクティブ素子上面に密接し、かつ前記
アクティブ素子の配線に接して窒化アルミニューム被膜
を形成して、前記素子の保護またはファイナルコーティ
ング被膜として機能せしめることを特徴とする半導体装
置作製方法。 ３．基板上に設けられたアクティブ素子が、電力用素子
である特許請求の範囲第１項または第２項記載の半導体
装置作製方法。(57) [Claims] By applying electric energy to a mixed reactive gas of an organic compound of aluminum and a nitride gas, the semiconductor layer of the active element provided on the substrate is covered, and
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising forming an aluminum nitride film in contact with the wiring of the active element . 2. By applying electrical energy to the mixed reactive gas of an organic compound and nitride gas aluminum, in close contact with the upper surface active element provided on a substrate, and wherein
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising forming an aluminum nitride film in contact with a wiring of an active element to function as a protection or final coating film for the element. 3. Active element provided on the substrate, a semiconductor device manufacturing method of Claims first term or second term, wherein the power device.