JP2808640B2 - 光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録方法Info
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- JP2808640B2 JP2808640B2 JP1064170A JP6417089A JP2808640B2 JP 2808640 B2 JP2808640 B2 JP 2808640B2 JP 1064170 A JP1064170 A JP 1064170A JP 6417089 A JP6417089 A JP 6417089A JP 2808640 B2 JP2808640 B2 JP 2808640B2
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Description
【発明の詳細な説明】 Ａ産業上の利用分野 本発明は光磁気記録方法に関し、例えば光強度変調記
録方式で光磁気デイスク上に記録情報を記録する際に適
用して好適なものである。
録方式で光磁気デイスク上に記録情報を記録する際に適
用して好適なものである。
Ｂ発明の概要 本発明は、光強度変調記録方式の光磁気記録方法にお
いて、ハイレベルでなるレーザパワーを有するレーザ光
を照射した後、続く所定期間の間、レーザ光を消灯制御
するようにしたことにより、多層膜光磁気記録媒体の過
度の加熱を未然に防止し得る。
いて、ハイレベルでなるレーザパワーを有するレーザ光
を照射した後、続く所定期間の間、レーザ光を消灯制御
するようにしたことにより、多層膜光磁気記録媒体の過
度の加熱を未然に防止し得る。
Ｃ従来の技術 従来、垂直磁気異方性を有する第１膜及び第２膜を、
それぞれ記録再生層及び記録補助層とした多層膜光磁気
デイスクに対して、記録情報に応じてレベルの異なる光
強度でレーザ光を照射し、これにより１本のレーザ光で
光磁気デイスクに記録情報を重ね書き（オーバーライ
ト）し得るようになされたいわゆる光強度変調記録方式
の光磁気記録方法が提案されている（特開昭62−175948
号公報、特開昭63−52355号公報）。
それぞれ記録再生層及び記録補助層とした多層膜光磁気
デイスクに対して、記録情報に応じてレベルの異なる光
強度でレーザ光を照射し、これにより１本のレーザ光で
光磁気デイスクに記録情報を重ね書き（オーバーライ
ト）し得るようになされたいわゆる光強度変調記録方式
の光磁気記録方法が提案されている（特開昭62−175948
号公報、特開昭63−52355号公報）。
すなわち、第６図に示すように多層膜光磁気デイスク
１は、例えばガラス板等の透明基板２の一方の面に誘電
体膜３を介して、垂直磁気異方性を有する第１及び第２
の磁性薄膜でなる記録再生層４及び記録補助層５が順次
連続スパスタリング等によつて積層され、さらにその表
面に非磁性金属膜又は誘電体膜等でなる保護膜６が被着
形成されている。
１は、例えばガラス板等の透明基板２の一方の面に誘電
体膜３を介して、垂直磁気異方性を有する第１及び第２
の磁性薄膜でなる記録再生層４及び記録補助層５が順次
連続スパスタリング等によつて積層され、さらにその表
面に非磁性金属膜又は誘電体膜等でなる保護膜６が被着
形成されている。
この光磁気デイスク１の記録再生層４及び記録補助層
５は、第７図に示すように、例えば記録再生層４は常温
TR（−20〜60℃程度）における抵抗力HC1が大きく、キ
ユーリ温度TC1が低い希土類優勢膜（RE−rich）材料の
例えばTbFeCo等でなり、また記録補助層５は常温TRにお
け抗磁力HC2が小さく、キユーリ温度TC2が高い遷移金属
優勢膜（TM−rich）材料の例えばGdTbFeCo等で形成され
ている。
５は、第７図に示すように、例えば記録再生層４は常温
TR（−20〜60℃程度）における抵抗力HC1が大きく、キ
ユーリ温度TC1が低い希土類優勢膜（RE−rich）材料の
例えばTbFeCo等でなり、また記録補助層５は常温TRにお
け抗磁力HC2が小さく、キユーリ温度TC2が高い遷移金属
優勢膜（TM−rich）材料の例えばGdTbFeCo等で形成され
ている。
この光磁気デイスク１における記録情報は、それぞれ
の記録再生層４及び記録補助層５の磁化方向を矢印を用
いて表した第８図に示すように、常温TRにおいて上方向
に磁化された記録補助層５に対して、上又は下方向に磁
化された記録再生層４を組み合わせてなる第１及び第２
の状態STA及びSTBによつて、例えばそれぞれ値「０」及
び値「１」が記録される。
の記録再生層４及び記録補助層５の磁化方向を矢印を用
いて表した第８図に示すように、常温TRにおいて上方向
に磁化された記録補助層５に対して、上又は下方向に磁
化された記録再生層４を組み合わせてなる第１及び第２
の状態STA及びSTBによつて、例えばそれぞれ値「０」及
び値「１」が記録される。
ここで、この光磁気デイスク１に所望の記録情報を記
録する光磁気記録方法として、まず第１又は第２の状態
STA又はSTBの光磁気デイスク１に値「０」の記録情報を
記録する場合、記録再生層４のキユーリ温度TC1より高
く、かつ記録補助層５のキユーリ温度TC2より低い温度T
ERに制御するに十分な第１のレーザパワーPLOWでなるレ
ーザ光を所定時間照射して、記録再生層４の磁化方向を
不安定な第３の状態STCに制御する。
録する光磁気記録方法として、まず第１又は第２の状態
STA又はSTBの光磁気デイスク１に値「０」の記録情報を
記録する場合、記録再生層４のキユーリ温度TC1より高
く、かつ記録補助層５のキユーリ温度TC2より低い温度T
ERに制御するに十分な第１のレーザパワーPLOWでなるレ
ーザ光を所定時間照射して、記録再生層４の磁化方向を
不安定な第３の状態STCに制御する。
この後光磁気デイスク１が、自然冷却されることによ
り、記録再生層４及び記録補助層５の界面に働く交換結
合力によつて、記録再生層４の磁化方向は記録補助層５
の磁化方向と同一の上方向に配向され、かくして、光磁
気デイスク１を値「０」又は値「１」が記録された第１
又は第２の状態STA又はSTBから、値「０」の記録状態で
なる第１の状態STAに制御する。
り、記録再生層４及び記録補助層５の界面に働く交換結
合力によつて、記録再生層４の磁化方向は記録補助層５
の磁化方向と同一の上方向に配向され、かくして、光磁
気デイスク１を値「０」又は値「１」が記録された第１
又は第２の状態STA又はSTBから、値「０」の記録状態で
なる第１の状態STAに制御する。
またこれに対して、第１又は第２の状態STA又はSTBの
光磁気デイスク１に値「１」の記録情報を記録する場
合、まず記録補助層５のキユーリ温度TC2近傍の高い温
度TRECに制御するに十分な第１のレーザパワーPLOWより
高い第２のレーザパワーPHIGHでなるレーザ光を所定時
間照射すると共に、記録補助層５の温度TRECにおける抗
磁力HC2より大きく下向きでなる記録磁界HREC（例えば3
00〜500〔Oe〕程度でなる）を印加する。
光磁気デイスク１に値「１」の記録情報を記録する場
合、まず記録補助層５のキユーリ温度TC2近傍の高い温
度TRECに制御するに十分な第１のレーザパワーPLOWより
高い第２のレーザパワーPHIGHでなるレーザ光を所定時
間照射すると共に、記録補助層５の温度TRECにおける抗
磁力HC2より大きく下向きでなる記録磁界HREC（例えば3
00〜500〔Oe〕程度でなる）を印加する。
これにより、光磁気デイスク１は記録再生層４が不安
定でかつ記録補助層５が下向きに配向された第４の状態
STDに制御され、この後自然冷却されることにより、記
録再生層４及び記録補助層５の界面に働く交換結合力に
よつて、記録再生層４の磁化方法が記録補助層５の磁化
方向と同一の下方向でなる第５の状態STEに制御され
る。
定でかつ記録補助層５が下向きに配向された第４の状態
STDに制御され、この後自然冷却されることにより、記
録再生層４及び記録補助層５の界面に働く交換結合力に
よつて、記録再生層４の磁化方法が記録補助層５の磁化
方向と同一の下方向でなる第５の状態STEに制御され
る。
さらにこの後この光磁気デイスク１には、記録再生層
４の常温TRにおける抗磁力HC1より小さく、記録補助層
５の常温TRにおける抗磁力HC2より大きい上向きの補助
磁界HSUB（例えば３〜５〔KOe〕程度でなる）が印加さ
れることにより、記録補助層５の磁化方向のみが上向き
に配向され、かくして光磁気デイスク１を値「０」又は
値「１」が記録された第１又は第２の状態STA又はSTBか
ら、値「１」の記録状態でなる第２の状態STBに制御す
る。
４の常温TRにおける抗磁力HC1より小さく、記録補助層
５の常温TRにおける抗磁力HC2より大きい上向きの補助
磁界HSUB（例えば３〜５〔KOe〕程度でなる）が印加さ
れることにより、記録補助層５の磁化方向のみが上向き
に配向され、かくして光磁気デイスク１を値「０」又は
値「１」が記録された第１又は第２の状態STA又はSTBか
ら、値「１」の記録状態でなる第２の状態STBに制御す
る。
このようにして、この光磁気記録方法においては、レ
ーザパワーの強弱で磁化方向を上向きにも下向きにも制
御することができ、これにより１本のレーザ光を用い
て、予め記録されていた記録情報を消去することなく、
光磁気デイスク１上に新たな記録情報をオーバーライト
し得るようになされている。
ーザパワーの強弱で磁化方向を上向きにも下向きにも制
御することができ、これにより１本のレーザ光を用い
て、予め記録されていた記録情報を消去することなく、
光磁気デイスク１上に新たな記録情報をオーバーライト
し得るようになされている。
Ｄ発明が解決しようとする問題点 ところでかかる光磁気記録方法においては、光磁気デ
イスク１に第１のレーザパワーPLOW又は第２のレーザパ
ワーPHIGHでなるレーザ光が常時照射されており、この
ためレーザ光をパルス照射したときの光磁気デイスク１
の温度分布が、第２のレーザパワーPHIGHでなるレーザ
光のみをオンオフ制御するようになされた従来の光磁気
記録方法に比べてブロードになりやすい問題がある。
イスク１に第１のレーザパワーPLOW又は第２のレーザパ
ワーPHIGHでなるレーザ光が常時照射されており、この
ためレーザ光をパルス照射したときの光磁気デイスク１
の温度分布が、第２のレーザパワーPHIGHでなるレーザ
光のみをオンオフ制御するようになされた従来の光磁気
記録方法に比べてブロードになりやすい問題がある。
すなわち、例えば光磁気デイスク１に対して、第２の
レーザパワーPHIGHのレーザ光を照射して値「１」を記
録した後、続いて第１のレーザパワーPLOWのレーザ光を
照射して値「０」を記録しようとすると、第２のレーザ
パワーPHIGHのレーザ光で昇温された光磁気デイスク１
のピツト周辺が十分に冷却されていない状態で、第１の
レーザパワーPLOWのレーザ光が照射されることにより、
光磁気デイスク１が記録再生層４の磁化方向が不安定な
状態になるキユーリ温度TC1を越えて、記録補助層５の
キユーリ温度TC2付近まで昇温されるおそれがある。
レーザパワーPHIGHのレーザ光を照射して値「１」を記
録した後、続いて第１のレーザパワーPLOWのレーザ光を
照射して値「０」を記録しようとすると、第２のレーザ
パワーPHIGHのレーザ光で昇温された光磁気デイスク１
のピツト周辺が十分に冷却されていない状態で、第１の
レーザパワーPLOWのレーザ光が照射されることにより、
光磁気デイスク１が記録再生層４の磁化方向が不安定な
状態になるキユーリ温度TC1を越えて、記録補助層５の
キユーリ温度TC2付近まで昇温されるおそれがある。
このため、上述の光磁気記録方法によるオーバーライ
トでは、記録再生層４に形成されるピツトの形状が不揃
いになりやすく、C/Nが劣化することによりノイズが発
生したり、また隣接した２つのピツトの間隔が狭いとき
などは、２つのピツトを分離することが困難になり、エ
ラーレートが増加する問題があつた。
トでは、記録再生層４に形成されるピツトの形状が不揃
いになりやすく、C/Nが劣化することによりノイズが発
生したり、また隣接した２つのピツトの間隔が狭いとき
などは、２つのピツトを分離することが困難になり、エ
ラーレートが増加する問題があつた。
さらに、第２のレーザパワーPHIGHのレーザ光の照射
間隔の長短によつて、第１のレーザパワーPLOWのレーザ
光が照射される部分の熱影響の度合いが異なり、この影
響の変化に応じて第１のレーザパワーPLOWの最適なレン
ジが変動し、この結果種々のパルス間隔に対して最適と
なるような第１のレーザパワーPLOWの範囲が狭くなつて
しまう問題もあつた。
間隔の長短によつて、第１のレーザパワーPLOWのレーザ
光が照射される部分の熱影響の度合いが異なり、この影
響の変化に応じて第１のレーザパワーPLOWの最適なレン
ジが変動し、この結果種々のパルス間隔に対して最適と
なるような第１のレーザパワーPLOWの範囲が狭くなつて
しまう問題もあつた。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、正しい
形状かつ間隔でピツトを形成し得る光強度変調記録方式
の光磁気記録方法を提案しようとするものである。
形状かつ間隔でピツトを形成し得る光強度変調記録方式
の光磁気記録方法を提案しようとするものである。
Ｅ問題点を解決するための手段 かかる問題点を解決するため本発明においては、多層
膜光磁気記録媒体１の少なくとも第１膜４及び第２膜５
からなる記録層に、記録情報DTRECに応じてローレベル
でなる第１のレーザパワーPLOWを有するレーザ光Ｌを照
射して第１膜４及び第２膜５をその第１膜４の第１のキ
ユーリ温度TC1程度まで昇温させて磁化するようにして
記録情報DTRECを記録すると共に、記録情報DTRECに応じ
てハイレベルでなる第２のレーザパワーPHIGHを有する
レーザ光Ｌを照射して第１膜４及び第２膜５をその第２
膜５の第１のキユーリ温度TC1よりも高い第２のキユー
リ温度TC2程度まで昇温させて磁化するようにして記録
情報DTRECを記録する光強度変調記録方式の光磁気記録
方法であつて、第１及第２のレーザパワーPLOW及びP
HIGHを環境温度及び多層膜光磁気記録媒体１の線速度に
応じて個別に制御すると共に、多層膜光磁気記録媒体１
の記録層に、ハイレベルでなる第２のレーザパワーP
HIGHを有するレーザ光Ｌを照射した後、ローレベルでな
る第１のレーザパワーPLOWを有するレーザ光Ｌを照射す
る際に、第２のレーザパワーPHIGHを有するレーザ光Ｌ
と、第１のレーザパワーPLOWを有するレーザ光Ｌとの照
射の間に記録層の冷却期間をおくようにした。
膜光磁気記録媒体１の少なくとも第１膜４及び第２膜５
からなる記録層に、記録情報DTRECに応じてローレベル
でなる第１のレーザパワーPLOWを有するレーザ光Ｌを照
射して第１膜４及び第２膜５をその第１膜４の第１のキ
ユーリ温度TC1程度まで昇温させて磁化するようにして
記録情報DTRECを記録すると共に、記録情報DTRECに応じ
てハイレベルでなる第２のレーザパワーPHIGHを有する
レーザ光Ｌを照射して第１膜４及び第２膜５をその第２
膜５の第１のキユーリ温度TC1よりも高い第２のキユー
リ温度TC2程度まで昇温させて磁化するようにして記録
情報DTRECを記録する光強度変調記録方式の光磁気記録
方法であつて、第１及第２のレーザパワーPLOW及びP
HIGHを環境温度及び多層膜光磁気記録媒体１の線速度に
応じて個別に制御すると共に、多層膜光磁気記録媒体１
の記録層に、ハイレベルでなる第２のレーザパワーP
HIGHを有するレーザ光Ｌを照射した後、ローレベルでな
る第１のレーザパワーPLOWを有するレーザ光Ｌを照射す
る際に、第２のレーザパワーPHIGHを有するレーザ光Ｌ
と、第１のレーザパワーPLOWを有するレーザ光Ｌとの照
射の間に記録層の冷却期間をおくようにした。
Ｆ作用 多層膜光磁気記録媒体１の記録層に、記録情報DTREC
に応じて第１のレーザパワーPLOWを有するレーザ光Ｌを
照射して第１膜４及び第２膜５を第１膜４の第１のキユ
ーリ温度TC1程度まで昇温させて磁化するようにして記
録情報DTRECを記録すると共に、記録情報DTRECに応じて
第２のレーザパワーPHIGHを有するレーザ光Ｌを照射し
て第１膜４及び第２膜５を第２膜５の第２のキユーリ温
度TC2程度まで昇温させて磁化するようにして記録情報D
TRECを記録する光強度変調記録方式の光磁気記録方法で
あつて、第１及び第２のレーザパワーPLOW及びPHIGHを
環境温度及び線速度に応じて個別に制御すると共に、多
層膜光磁気記録媒体１の記録層に、第２のレーザパワー
PHIGHを有するレーザ光Ｌを照射した後、第１のレーザ
パワーPLOWを有するレーザ光Ｌを照射する際に、第２の
レーザパワーPHIGHを有するレーザ光Ｌと、第１のレー
ザパワーPLOWを有するレーザ光Ｌと照射の間に記録層の
冷却期間をおくようにしたことにより、常に第１膜４及
び第２膜５を最適な温度で磁化することができる。
に応じて第１のレーザパワーPLOWを有するレーザ光Ｌを
照射して第１膜４及び第２膜５を第１膜４の第１のキユ
ーリ温度TC1程度まで昇温させて磁化するようにして記
録情報DTRECを記録すると共に、記録情報DTRECに応じて
第２のレーザパワーPHIGHを有するレーザ光Ｌを照射し
て第１膜４及び第２膜５を第２膜５の第２のキユーリ温
度TC2程度まで昇温させて磁化するようにして記録情報D
TRECを記録する光強度変調記録方式の光磁気記録方法で
あつて、第１及び第２のレーザパワーPLOW及びPHIGHを
環境温度及び線速度に応じて個別に制御すると共に、多
層膜光磁気記録媒体１の記録層に、第２のレーザパワー
PHIGHを有するレーザ光Ｌを照射した後、第１のレーザ
パワーPLOWを有するレーザ光Ｌを照射する際に、第２の
レーザパワーPHIGHを有するレーザ光Ｌと、第１のレー
ザパワーPLOWを有するレーザ光Ｌと照射の間に記録層の
冷却期間をおくようにしたことにより、常に第１膜４及
び第２膜５を最適な温度で磁化することができる。
Ｇ実施例 以下図面について、本発明の一実施例を詳述する。
第６図との対応部分に同一符号を付して示す第１図に
おいて、10は全体として本発明による光磁気記録方法を
適用した光強度変調記録方式の光磁気デイスク装置に示
し、多層膜光磁気デイスク１に対して裏面から光ピツク
アツプ11によつて、レーザ光Ｌが照射される位置に対応
した表面側に、記録磁界HREC（第７図）を印加する記録
磁界発生用永久磁石12が配置されている。
おいて、10は全体として本発明による光磁気記録方法を
適用した光強度変調記録方式の光磁気デイスク装置に示
し、多層膜光磁気デイスク１に対して裏面から光ピツク
アツプ11によつて、レーザ光Ｌが照射される位置に対応
した表面側に、記録磁界HREC（第７図）を印加する記録
磁界発生用永久磁石12が配置されている。
これに加えて、光磁気デイスク１の同一表面側で略18
0゜の角間隔だけ離れた位置には、補助磁界HSUB（第７
図）を印加する補助磁界発生用永久磁石13が配置されて
いる。
0゜の角間隔だけ離れた位置には、補助磁界HSUB（第７
図）を印加する補助磁界発生用永久磁石13が配置されて
いる。
この光磁気デイスク装置10の場合、光ピツクアツプ11
は駆動増幅回路14を通じてレーザ発光制御回路15から入
力されるレーザ駆動信号DRVによつて発光駆動される。
は駆動増幅回路14を通じてレーザ発光制御回路15から入
力されるレーザ駆動信号DRVによつて発光駆動される。
このレーザ発光制御回路15は、入力される記録データ
DTREC（第２図（Ａ））が値「０」のとき、第１のレー
ザパワーPLOWでなるレーザ光Ｌを所定時間照射し得るレ
ーザ駆動信号DRV（第２図（Ｂ））を発生し、光磁気デ
イスク１を記録再生層４のキユーリ温度TC1より高くか
つ記録補助層５のキユーリ温度TC2より低い温度TERに制
御する。
DTREC（第２図（Ａ））が値「０」のとき、第１のレー
ザパワーPLOWでなるレーザ光Ｌを所定時間照射し得るレ
ーザ駆動信号DRV（第２図（Ｂ））を発生し、光磁気デ
イスク１を記録再生層４のキユーリ温度TC1より高くか
つ記録補助層５のキユーリ温度TC2より低い温度TERに制
御する。
これに対してレーザ発光制御回路15は、記録データDT
RECが値「１」のとき、第２のレーザパワーPHIGHでなる
レーザ光Ｌを所定時間照射し得るレーザ駆動信号DRVを
発生し、光磁気デイスク１を記録補助層５のキユーリ温
度TC2より高い温度TRECに制御する。
RECが値「１」のとき、第２のレーザパワーPHIGHでなる
レーザ光Ｌを所定時間照射し得るレーザ駆動信号DRVを
発生し、光磁気デイスク１を記録補助層５のキユーリ温
度TC2より高い温度TRECに制御する。
さらにこの実施例のレーザ発光制御回路15において
は、記録データDTRECの値「１」に応じて、第２のレー
ザパワーPHIGHでなるレーザ光Ｌを照射した後、記録デ
ータDTRECが値「０」に移行した際には、第１のレーザ
パワーPLOWでなるレーザ光Ｌを照射することに先立つ
て、所定期間τ１の間、第１のレーザパワーPLOWより低
い第３のレーザパワーPOFFでなるレーザ駆動信号DRVを
発生し、このようにして、実際上レーザ光Ｌを所定時間
τ１の間、消灯制御するようになされている。
は、記録データDTRECの値「１」に応じて、第２のレー
ザパワーPHIGHでなるレーザ光Ｌを照射した後、記録デ
ータDTRECが値「０」に移行した際には、第１のレーザ
パワーPLOWでなるレーザ光Ｌを照射することに先立つ
て、所定期間τ１の間、第１のレーザパワーPLOWより低
い第３のレーザパワーPOFFでなるレーザ駆動信号DRVを
発生し、このようにして、実際上レーザ光Ｌを所定時間
τ１の間、消灯制御するようになされている。
これにより、光磁気デイスク１に対して、第２のレー
ザパPHIGHのレーザ光Ｌを照射して値「１」を記録した
後、続いて第１のレーザパワーPLOWのレーザ光Ｌを照射
して値「０」を記録する場合にも、第２のレーザパワー
PHIGHのレーザ光Ｌで昇温された光磁気デイスク１のピ
ツト周辺を、記録再生層４の磁化方向が不安定な状態に
なるキユーリ温度TC1付近まで冷却した後に第１のレー
ザパワーPLOWのレーザ光Ｌを照射することができる。
ザパPHIGHのレーザ光Ｌを照射して値「１」を記録した
後、続いて第１のレーザパワーPLOWのレーザ光Ｌを照射
して値「０」を記録する場合にも、第２のレーザパワー
PHIGHのレーザ光Ｌで昇温された光磁気デイスク１のピ
ツト周辺を、記録再生層４の磁化方向が不安定な状態に
なるキユーリ温度TC1付近まで冷却した後に第１のレー
ザパワーPLOWのレーザ光Ｌを照射することができる。
かくして光磁気デイスク１が、記録再生層４の磁化方
向が不安定な状態になるキユーリ温度TC1を越え、かつ
記録補助層５のキユーリ温度TC2により低い温度TERに制
御できることにより、記録再生層４に正しい形状かつ間
隔でピツトを形成し得る。
向が不安定な状態になるキユーリ温度TC1を越え、かつ
記録補助層５のキユーリ温度TC2により低い温度TERに制
御できることにより、記録再生層４に正しい形状かつ間
隔でピツトを形成し得る。
また、第２のレーザパワーPHIGHのレーザ光Ｌの照射
間隔の長短によつて、第１のレーザパワーPLOWのレーザ
光Ｌが照射される部分の熱影響をほぼ均一に制御できる
ことにより、種々のパルス間隔に対して最適となるよう
な第１のレーザパワーPLOWの範囲を広くとることができ
る。
間隔の長短によつて、第１のレーザパワーPLOWのレーザ
光Ｌが照射される部分の熱影響をほぼ均一に制御できる
ことにより、種々のパルス間隔に対して最適となるよう
な第１のレーザパワーPLOWの範囲を広くとることができ
る。
以上の構成において、実験によれば、例えば上述のよ
うに第２のレーザパワーPHIGHのレーザ光Ｌを照射した
後、第３のレーザパワーPOFFを用いてレーザ光Ｌを消灯
制御した場合と、第２のレーザパワーPHIGHのレーザ光
Ｌを照射した後、直ちに第１のレーザパワーPLOWのレー
ザ光Ｌを照射する場合とにおける第１のレーザパワーP
LOWの取り得る最大値PLMAX及び最小値PLMINは、第３図
に示すように、第２のレーザパワーPHIGHのレーザ光の
照射間隔に対するパルス幅の比でなるデユーテイに応じ
て変化する特性を有する。
うに第２のレーザパワーPHIGHのレーザ光Ｌを照射した
後、第３のレーザパワーPOFFを用いてレーザ光Ｌを消灯
制御した場合と、第２のレーザパワーPHIGHのレーザ光
Ｌを照射した後、直ちに第１のレーザパワーPLOWのレー
ザ光Ｌを照射する場合とにおける第１のレーザパワーP
LOWの取り得る最大値PLMAX及び最小値PLMINは、第３図
に示すように、第２のレーザパワーPHIGHのレーザ光の
照射間隔に対するパルス幅の比でなるデユーテイに応じ
て変化する特性を有する。
なお、第１のレーザパワーPLOWの取り得る最大値P
LMAXは、記録補助層５を反転する直前まで光磁気デイス
ク１を昇温するレーザパワーを表し、最小値PLMINは記
録再生層４を反転するために最低限必要な温度まで光磁
気デイスク１を昇温するレーザパワーを表す。
LMAXは、記録補助層５を反転する直前まで光磁気デイス
ク１を昇温するレーザパワーを表し、最小値PLMINは記
録再生層４を反転するために最低限必要な温度まで光磁
気デイスク１を昇温するレーザパワーを表す。
また、この実験において、光磁気デイスク１の線速
度、第２のレーザパワーPHIGH及びその照射間隔は、そ
れぞれ一定の値８〔m/s〕、17〔mW〕、68〔nsec〕に設
定されている。
度、第２のレーザパワーPHIGH及びその照射間隔は、そ
れぞれ一定の値８〔m/s〕、17〔mW〕、68〔nsec〕に設
定されている。
因に、この実験によれば、第２のレーザパワーPHIGH
のレーザ光Ｌを照射した後、直ちに第１のレーザパワー
PLOWのレーザ光Ｌを照射する従来の光強度変調記録方式
の光磁気記録方法の場合、第１のレーザパワーPLOWの取
り得る最大値PLMAX1及び最小値PLMIN1は、第３図に実線
で示すように、デユーテイが10、20、30、40％と大きく
なるに従つて、徐々に下降する特性を有する。
のレーザ光Ｌを照射した後、直ちに第１のレーザパワー
PLOWのレーザ光Ｌを照射する従来の光強度変調記録方式
の光磁気記録方法の場合、第１のレーザパワーPLOWの取
り得る最大値PLMAX1及び最小値PLMIN1は、第３図に実線
で示すように、デユーテイが10、20、30、40％と大きく
なるに従つて、徐々に下降する特性を有する。
これに対して、第２のレーザパワーPHIGHのレーザ光
Ｌを照射した後、第３のレーザパワーPOFFを用いてレー
ザ光Ｌを消灯制御する本発明による光強度変調記録方式
の光磁気記録方法の場合、第１のレーザパワーPLOWの取
り得る最大値PLMAX2及び最小値PLMIN2は、第３図に破線
で示すように、デユーテイが10から30％付近の範囲まで
ほぼ一定の値を保持し、デユーテイが30％を越え、40、
50％と大きくなるに従つて、緩やかに下降する特性を有
する。
Ｌを照射した後、第３のレーザパワーPOFFを用いてレー
ザ光Ｌを消灯制御する本発明による光強度変調記録方式
の光磁気記録方法の場合、第１のレーザパワーPLOWの取
り得る最大値PLMAX2及び最小値PLMIN2は、第３図に破線
で示すように、デユーテイが10から30％付近の範囲まで
ほぼ一定の値を保持し、デユーテイが30％を越え、40、
50％と大きくなるに従つて、緩やかに下降する特性を有
する。
この結果、記録データDTRECを変調して、レーザ駆動
信号DRVを得る際に、例えばデユーテイの範囲が10〜33
％程度に限定される２−７変調方式を用いれば、第１の
レーザパワーPLOWの最大値PLMAX及び最小値PLMINの取り
得る範囲は、従来の光磁気記録方法の場合、第３図に１
点鎖線で示すように、レーザパワーとして6.6〜7.6〔m
W〕程度の範囲ΔＡを有するのに対して、本発明による
光磁気記録方法の場合、第３図に２点鎖線で示すよう
に、レーザパワーとして6.6〜8.4〔mW〕程度の範囲ΔＢ
を有し、従来のレーザパワーの範囲ΔＡに比較して格段
的に広い範囲を有することがわかる。
信号DRVを得る際に、例えばデユーテイの範囲が10〜33
％程度に限定される２−７変調方式を用いれば、第１の
レーザパワーPLOWの最大値PLMAX及び最小値PLMINの取り
得る範囲は、従来の光磁気記録方法の場合、第３図に１
点鎖線で示すように、レーザパワーとして6.6〜7.6〔m
W〕程度の範囲ΔＡを有するのに対して、本発明による
光磁気記録方法の場合、第３図に２点鎖線で示すよう
に、レーザパワーとして6.6〜8.4〔mW〕程度の範囲ΔＢ
を有し、従来のレーザパワーの範囲ΔＡに比較して格段
的に広い範囲を有することがわかる。
この結果、種々のパルス間隔に対して最適となるよう
な第１のレーザパワーPLOWの範囲が広がることになり、
第１のレーザパワーPLOWのパワーマージンを格段的に増
加し得る。
な第１のレーザパワーPLOWの範囲が広がることになり、
第１のレーザパワーPLOWのパワーマージンを格段的に増
加し得る。
実際上、光磁気デイスク１の記録再生層４及び記録補
助層５をそれぞれ第３の状態STC又は第４の状態STDに制
御するデイスク温度TER又はTRECまで昇温するために必
要な第１又は第２のレーザパワーPLOW又はPHIGHは、第
４図及び第５図にそれぞれ実線又は破線で示すように、
光磁気デイスク１の温度要因としての環境温度及びレー
ザ光Ｌの照射時間としての光磁気デイスク１の線速度に
応じて変化する特性を有する。
助層５をそれぞれ第３の状態STC又は第４の状態STDに制
御するデイスク温度TER又はTRECまで昇温するために必
要な第１又は第２のレーザパワーPLOW又はPHIGHは、第
４図及び第５図にそれぞれ実線又は破線で示すように、
光磁気デイスク１の温度要因としての環境温度及びレー
ザ光Ｌの照射時間としての光磁気デイスク１の線速度に
応じて変化する特性を有する。
従つてこの実施例の場合には、レーザ発光制御回路15
において、上述の光磁気デイスク１の環境温度及び線速
度に応じて、第１及び第２のレーザパワーPLOW及びP
HIGHを個別に制御して、常に光磁気デイスク１の記録再
生層４及び記録補助層５をそれぞれ第３の状態STC又は
第４の状態STDに制御するデイスク温度TER又はTRECまで
最適に昇温し得るようになされている。
において、上述の光磁気デイスク１の環境温度及び線速
度に応じて、第１及び第２のレーザパワーPLOW及びP
HIGHを個別に制御して、常に光磁気デイスク１の記録再
生層４及び記録補助層５をそれぞれ第３の状態STC又は
第４の状態STDに制御するデイスク温度TER又はTRECまで
最適に昇温し得るようになされている。
以上の方法によれば、第２のレーザパワーPHIGHのレ
ーザ光Ｌを照射した後、続く所定期間τ１の間、第３の
レーザパワーPOFFを供給して、レーザ光Ｌを消灯制御す
るようにしたことにより、光磁気デイスク１の過度の加
熱を未然に防止して、記録データDTRECに応じて正しい
形状かつ間隔でピツトを形成し得る。
ーザ光Ｌを照射した後、続く所定期間τ１の間、第３の
レーザパワーPOFFを供給して、レーザ光Ｌを消灯制御す
るようにしたことにより、光磁気デイスク１の過度の加
熱を未然に防止して、記録データDTRECに応じて正しい
形状かつ間隔でピツトを形成し得る。
なお上述の実施例においては、本発明を多層膜光磁気
デイスクに記録情報を記録する光磁気記録方法に適用し
た場合について述べたが、記録媒体の形状はデイスクに
限らず、例えばカード状又はテープ状の多層膜光磁気記
録媒体等にも広く適用し得る。
デイスクに記録情報を記録する光磁気記録方法に適用し
た場合について述べたが、記録媒体の形状はデイスクに
限らず、例えばカード状又はテープ状の多層膜光磁気記
録媒体等にも広く適用し得る。
Ｈ発明の効果 上述のように本発明によれば、多層膜光磁気記録媒体
の記録層に、記録情報に応じて第１のレーザパワーを有
するレーザ光を照射して第１膜及び第２膜を第２膜の第
１キユーリ温度程度まで昇温させて磁化するようにして
記録情報DTRECを記録すると共に、記録情報に応じて第
２のレーザパワーを有するレーザ光を照射して第１膜及
び第２膜を第２膜の第２のキユーリ温度程度まで昇温さ
せて磁化するようにして記録情報を記録する光強度変調
記録方式の光磁気記録方法であって、第１及び第２のレ
ーザパワーを環境温度及び線速度に応じて個別に制御す
ると共に、多層膜光磁気記録媒体の記録層に、第２のレ
ーザパワーを有するレーザ光を照射した後、第１のレー
ザパワーを有するレーザ光を照射する際に、第２のレー
ザパワーを有するレーザ光と、第１のレーザパワーを有
するレーザ光との照射の間に記録層の冷却期間をおくよ
うにしたことにより、常に第１膜及び第２膜を最適な温
度で磁化することができ、かくして記録情報に応じて正
しい形状及び間隔でそれぞれ磁化された第１膜及び第２
膜でなるピツトを形成し得る光磁気記録方法を実現する
ことができる。
の記録層に、記録情報に応じて第１のレーザパワーを有
するレーザ光を照射して第１膜及び第２膜を第２膜の第
１キユーリ温度程度まで昇温させて磁化するようにして
記録情報DTRECを記録すると共に、記録情報に応じて第
２のレーザパワーを有するレーザ光を照射して第１膜及
び第２膜を第２膜の第２のキユーリ温度程度まで昇温さ
せて磁化するようにして記録情報を記録する光強度変調
記録方式の光磁気記録方法であって、第１及び第２のレ
ーザパワーを環境温度及び線速度に応じて個別に制御す
ると共に、多層膜光磁気記録媒体の記録層に、第２のレ
ーザパワーを有するレーザ光を照射した後、第１のレー
ザパワーを有するレーザ光を照射する際に、第２のレー
ザパワーを有するレーザ光と、第１のレーザパワーを有
するレーザ光との照射の間に記録層の冷却期間をおくよ
うにしたことにより、常に第１膜及び第２膜を最適な温
度で磁化することができ、かくして記録情報に応じて正
しい形状及び間隔でそれぞれ磁化された第１膜及び第２
膜でなるピツトを形成し得る光磁気記録方法を実現する
ことができる。
また第１及び第２のレーザパワーを環境温度及び線速
度に応じて個別に制御するようにしたことにより、第１
膜及び第２膜を最適な温度まで昇温させることができ
る。
度に応じて個別に制御するようにしたことにより、第１
膜及び第２膜を最適な温度まで昇温させることができ
る。
さらに多層膜光磁気記録媒体の記録層に、第２のレー
ザパワーを有するレーザ光を照射した後、第１のレーザ
パワーを有するレーザ光を照射する際に、第２のレーザ
パワーを有するレーザ光と、第１のレーザパワーを有す
るレーザ光との照射の間に記録層の冷却期間をおくよう
にしたことにより、第２のレーザパワーを有するレーザ
光を照射した第１膜を、先に第１のレーザパワーを有す
るレーザ光を照射して昇温させたときの温度の影響を与
えずに最適な温度で的確に磁化することができる。
ザパワーを有するレーザ光を照射した後、第１のレーザ
パワーを有するレーザ光を照射する際に、第２のレーザ
パワーを有するレーザ光と、第１のレーザパワーを有す
るレーザ光との照射の間に記録層の冷却期間をおくよう
にしたことにより、第２のレーザパワーを有するレーザ
光を照射した第１膜を、先に第１のレーザパワーを有す
るレーザ光を照射して昇温させたときの温度の影響を与
えずに最適な温度で的確に磁化することができる。
第１図は本発明の一実施例による光磁気記録方法を適用
した光磁気デイスク装置を示す略線図、第２図はその動
作の説明に供する信号波形図、第３図はレーザパワー及
びデユーテイの関係を示す特性曲線図、第４図は光磁気
デイスクの温度変化及びレーザパワーの関係を示す特性
曲線図、第５図は光磁気デイスクの線速度及びレーザパ
ワーの関係を示す特性曲線図、第６図は多層膜光磁気デ
イスクを示す略線的断面図、第７図は多層膜光磁気デイ
スクの説明に供する特性曲線図、第８図はオーバライト
動作による多層膜光磁気デイスクの状態遷移を示す略線
図である。 １……多層膜光磁気デイスク、４……記録再生層、５…
…記録補助層、10……光磁気デイスク装置、11……光ピ
ツクアツプ、12……記録磁界発生用永久磁石、13……補
助磁界発生用永久磁石、14……駆動増幅回路、15……レ
ーザ発光制御回路。
した光磁気デイスク装置を示す略線図、第２図はその動
作の説明に供する信号波形図、第３図はレーザパワー及
びデユーテイの関係を示す特性曲線図、第４図は光磁気
デイスクの温度変化及びレーザパワーの関係を示す特性
曲線図、第５図は光磁気デイスクの線速度及びレーザパ
ワーの関係を示す特性曲線図、第６図は多層膜光磁気デ
イスクを示す略線的断面図、第７図は多層膜光磁気デイ
スクの説明に供する特性曲線図、第８図はオーバライト
動作による多層膜光磁気デイスクの状態遷移を示す略線
図である。 １……多層膜光磁気デイスク、４……記録再生層、５…
…記録補助層、10……光磁気デイスク装置、11……光ピ
ツクアツプ、12……記録磁界発生用永久磁石、13……補
助磁界発生用永久磁石、14……駆動増幅回路、15……レ
ーザ発光制御回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−43816（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−175230（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10
Claims (1)
- 【請求項１】多層膜光磁気記録媒体の少なくとも第１膜
及び第２膜からなる記録層に、記録情報に応じてローレ
ベルでなる第１のレーザパワーを有するレーザ光を照射
して上記第１膜及び上記第２膜を当該第１膜の第１のキ
ユーリ温度程度まで昇温させて磁化するようにして記録
情報を記録すると共に、上記記録情報に応じてハイレベ
ルでなる第２のレーザパワーを有するレーザ光を照射し
て上記第１膜及び上記第２膜を当該第２膜の上記第１の
キユーリ温度よりも高い第２のキユーリ温度程度まで昇
温させて磁化するようにして上記記録情報を記録する光
強度変調記録方式の光磁気記録方法であつて、 上記第１及び第２のレーザパワーを環境温度及び上記多
層膜光磁気記録媒体の線速度に応じて個別に制御すると
共に、 上記多層膜光磁気記録媒体の上記記録層に、上記ハイレ
ベルでなる上記第２のレーザパワーを有する上記レーザ
光を照射した後、上記ローレベルでなる上記第１のレー
ザパワーを有する上記レーザ光を照射する際に、上記第
２のレーザパワーを有する上記レーザ光と、上記第１の
レーザパワーを有する上記レーザ光との照射の間に上記
記録層の冷却期間をおく ことを特徴とする光磁気記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1064170A JP2808640B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 光磁気記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1064170A JP2808640B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 光磁気記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02244443A JPH02244443A (ja) | 1990-09-28 |
| JP2808640B2 true JP2808640B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=13250322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1064170A Expired - Fee Related JP2808640B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 光磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2808640B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06131722A (ja) * | 1992-10-16 | 1994-05-13 | Canon Inc | 光磁気記録媒体およびその記録方法 |
| US5487059A (en) * | 1992-10-20 | 1996-01-23 | Nikon Corporation | Heat shut off condition determination method and apparatus for optical recording, and optical recording method and apparatus |
| EP0594425A3 (en) * | 1992-10-21 | 1996-10-09 | Nippon Kogaku Kk | Pulse train condition/heat shut off condition determination method and apparatus for optical recording, and optical recording method and apparatus |
| JPH06267123A (ja) * | 1992-10-28 | 1994-09-22 | Nikon Corp | 光磁気ディスクに熱遮断方式及びパルストレイン方式で オーバーライトする場合における記録条件決定方法、 同記録条件決定装置、光磁気記録方法及び光磁気記録 装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2712159B2 (ja) * | 1987-01-16 | 1998-02-10 | 株式会社ニコン | 光媒体記録方法 |
| JPS6443816A (en) * | 1987-08-10 | 1989-02-16 | Nikon Corp | System for modulating laser power for recording |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP1064170A patent/JP2808640B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02244443A (ja) | 1990-09-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |