JP2804836B2 - パッケージ型半導体装置の高強度放熱性構造部材 - Google Patents
パッケージ型半導体装置の高強度放熱性構造部材Info
- Publication number
- JP2804836B2 JP2804836B2 JP2232792A JP23279290A JP2804836B2 JP 2804836 B2 JP2804836 B2 JP 2804836B2 JP 2232792 A JP2232792 A JP 2232792A JP 23279290 A JP23279290 A JP 23279290A JP 2804836 B2 JP2804836 B2 JP 2804836B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- structural member
- semiconductor devices
- heat
- strength heat
- radiating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、高強度を有するMo基焼結合金で構成され
た、パッケージ型半導体装置におけるヒートシンク材や
基板材などの放熱性構造部材に関するものである。
た、パッケージ型半導体装置におけるヒートシンク材や
基板材などの放熱性構造部材に関するものである。
一般に、パッケージ型半導体装置としては、第１図に
縦断面図で示されるように、アルミナセラミック製枠体
１の上面に外部リード２を上方に向けて多数格子状に配
設し、前記枠体の底面には、枠体１の底面に形成したＷ
粉末などを焼結してなるメタライジング層５と、このメ
タライジング層の上のさらに形成したNiメッキ層などの
メッキ層６を介して、同じく表面にメッキ層６を形成し
た基板材３が銀ろうなどを用いてろう付けされ、かつ基
板材１の上面に半導体素子４が搭載された構造のPGA
（ピングリッドアレイ）パッケージ型のものや、第２図
に同じく縦断面図で示されるように、アルミナセラミッ
ク製枠体１の外周にそって外部リード２を水平に多数配
設し、この枠体の底面に、第１図の装置と同様にメタラ
イジング層５およびメッキ層６を介して基板材３をろう
付けし、半導体素子４が搭載されるヒートシンク材７が
同じく表面メッキ層６を介して前記基板材３の上面にろ
う付けされた構造のフラットパッケージ型のもの、また
第３図に同縦断面図で示されるように、有底のアルミナ
セラミック製枠体１の外周にそって外部リード２が水平
に多数配設され、枠体１の底面には、同様にメタライジ
ング層５およびメッキ層６を介して半導体素子４が搭載
されるヒートシンク材７がろう付けされた構造のもの
や、なお、第１〜３図の装置において、11は封着用のキ
ャップを示し、第４図に平面図で、第５図に縦断面図で
示されるように、金属製枠体８の側壁の一部に切削加工
により形成した凹部8aに、接続回路10を備えたアルミナ
セラミック製端子９が、また前記枠体８の底面には基板
材３が、それぞれメタライジング層５およびNiメッキ層
などのメッキ層６を介して銀ろうを用いて気密に嵌着さ
れ、前記端子９の接続回路のうちの外側に露出した接続
回路10には外部リード２が接続され、かつ前記端子９の
上面にはキャップ11による封着のための金属製シールリ
ング12がろう付けされた構造のメタルパッケージ型のも
の、さらに第６図に縦断面図で示されるように、鉄また
はコバール（Fe−Ni−Co合金）などの金属で構成された
基台13に、外部リード２が基台13を貫通した状態で、ガ
ラス封止材14で気密に固着され、かつ基台13の中央部上
面には、上部に半導体素子４が搭載されるヒートシンク
材７がメッキ層６を介してろう付けされ、これ全体をキ
ャップ11で気密に包囲した構造のガラス端子パッケージ
型のものなどが知られている。
縦断面図で示されるように、アルミナセラミック製枠体
１の上面に外部リード２を上方に向けて多数格子状に配
設し、前記枠体の底面には、枠体１の底面に形成したＷ
粉末などを焼結してなるメタライジング層５と、このメ
タライジング層の上のさらに形成したNiメッキ層などの
メッキ層６を介して、同じく表面にメッキ層６を形成し
た基板材３が銀ろうなどを用いてろう付けされ、かつ基
板材１の上面に半導体素子４が搭載された構造のPGA
（ピングリッドアレイ）パッケージ型のものや、第２図
に同じく縦断面図で示されるように、アルミナセラミッ
ク製枠体１の外周にそって外部リード２を水平に多数配
設し、この枠体の底面に、第１図の装置と同様にメタラ
イジング層５およびメッキ層６を介して基板材３をろう
付けし、半導体素子４が搭載されるヒートシンク材７が
同じく表面メッキ層６を介して前記基板材３の上面にろ
う付けされた構造のフラットパッケージ型のもの、また
第３図に同縦断面図で示されるように、有底のアルミナ
セラミック製枠体１の外周にそって外部リード２が水平
に多数配設され、枠体１の底面には、同様にメタライジ
ング層５およびメッキ層６を介して半導体素子４が搭載
されるヒートシンク材７がろう付けされた構造のもの
や、なお、第１〜３図の装置において、11は封着用のキ
ャップを示し、第４図に平面図で、第５図に縦断面図で
示されるように、金属製枠体８の側壁の一部に切削加工
により形成した凹部8aに、接続回路10を備えたアルミナ
セラミック製端子９が、また前記枠体８の底面には基板
材３が、それぞれメタライジング層５およびNiメッキ層
などのメッキ層６を介して銀ろうを用いて気密に嵌着さ
れ、前記端子９の接続回路のうちの外側に露出した接続
回路10には外部リード２が接続され、かつ前記端子９の
上面にはキャップ11による封着のための金属製シールリ
ング12がろう付けされた構造のメタルパッケージ型のも
の、さらに第６図に縦断面図で示されるように、鉄また
はコバール（Fe−Ni−Co合金）などの金属で構成された
基台13に、外部リード２が基台13を貫通した状態で、ガ
ラス封止材14で気密に固着され、かつ基台13の中央部上
面には、上部に半導体素子４が搭載されるヒートシンク
材７がメッキ層６を介してろう付けされ、これ全体をキ
ャップ11で気密に包囲した構造のガラス端子パッケージ
型のものなどが知られている。
これらの各種のパッケージ型半導体装置においては、
半導体素子４が発する熱は、それを搭載した基板材３や
ヒートシンク材７を介して、その外部に効率よく放散さ
れるので、これら部材間に発生した熱応力で半導体素子
４などが破損することがない。
半導体素子４が発する熱は、それを搭載した基板材３や
ヒートシンク材７を介して、その外部に効率よく放散さ
れるので、これら部材間に発生した熱応力で半導体素子
４などが破損することがない。
また、これら半導体装置の放熱性構造部材である基板
材やヒートシンク材などとしては、放熱性が要求され、
かつ剥離防止の目的から低熱膨張係数が要求されること
から、例えば特公昭63−27860号公報に記載されるよう
な多孔質Mo焼結体に１〜30重量％（以下％は重量％を示
す）のCuを溶浸してなる材料で構成されたものが用いら
れていることも良く知られるところである。
材やヒートシンク材などとしては、放熱性が要求され、
かつ剥離防止の目的から低熱膨張係数が要求されること
から、例えば特公昭63−27860号公報に記載されるよう
な多孔質Mo焼結体に１〜30重量％（以下％は重量％を示
す）のCuを溶浸してなる材料で構成されたものが用いら
れていることも良く知られるところである。
しかし、近年の半導体装置の高集積化に伴い、半導体
装置の放熱性構造部材である基板材やヒートシンク材な
どにも軽量化および薄肉化が要求され、この結果低熱膨
張係数を具備した状態で高強度を有する放熱性構造部材
の開発が強く望まれているが、上記の従来放熱性構造部
材はじめ、その他多くの材料で構成された放熱性構造部
材は、いずれも強度が十分でないために、これらの要求
に満足して対応することができないのが現状である。
装置の放熱性構造部材である基板材やヒートシンク材な
どにも軽量化および薄肉化が要求され、この結果低熱膨
張係数を具備した状態で高強度を有する放熱性構造部材
の開発が強く望まれているが、上記の従来放熱性構造部
材はじめ、その他多くの材料で構成された放熱性構造部
材は、いずれも強度が十分でないために、これらの要求
に満足して対応することができないのが現状である。
そこで、本発明者等は、上述のような観点から、高強
度を有する半導体装置の放熱性構造部材を開発すべく研
究を行なった結果、上記放熱性構造部材を、 Ni:2〜12％、Cu:1.5〜８％、 を含有し、残りがMoと不可避不純物からなる組成を有す
るMo基焼結合金で構成すると、この結果の放熱性構造部
材は、合金製なので放熱性を有し、かつ半導体素子であ
るSi素子の熱膨張係数3.5〜４×10-6/℃や、Ga−As素子
の熱膨張係数:5〜６×10-6/℃、さらに枠体などを構成
するアルミナセラミックの熱膨張係数：約７×10-6/℃
と同等の4.6〜8.3×10-6/℃の熱膨張係数をもつので、
これら構造部材間に剥離現象や破損現象などの発生がな
く、またCu含浸の多孔質Mo焼結体で構成された上記従来
放熱性構造部材に比して高い、引張強さで約80kg/mm2以
上の高強度をもつので、薄肉化および軽量化が可能であ
るという研究結果を得たのである。
度を有する半導体装置の放熱性構造部材を開発すべく研
究を行なった結果、上記放熱性構造部材を、 Ni:2〜12％、Cu:1.5〜８％、 を含有し、残りがMoと不可避不純物からなる組成を有す
るMo基焼結合金で構成すると、この結果の放熱性構造部
材は、合金製なので放熱性を有し、かつ半導体素子であ
るSi素子の熱膨張係数3.5〜４×10-6/℃や、Ga−As素子
の熱膨張係数:5〜６×10-6/℃、さらに枠体などを構成
するアルミナセラミックの熱膨張係数：約７×10-6/℃
と同等の4.6〜8.3×10-6/℃の熱膨張係数をもつので、
これら構造部材間に剥離現象や破損現象などの発生がな
く、またCu含浸の多孔質Mo焼結体で構成された上記従来
放熱性構造部材に比して高い、引張強さで約80kg/mm2以
上の高強度をもつので、薄肉化および軽量化が可能であ
るという研究結果を得たのである。
この発明は、上記研究結果にもとづいてなされたもの
であって、以下に放熱性構造部材を構成するMo基焼結合
金の成分組成を上記の通りに限定した理由を説明する。
であって、以下に放熱性構造部材を構成するMo基焼結合
金の成分組成を上記の通りに限定した理由を説明する。
（ａ） NiおよびCu これらの成分には、焼結時に結合して、1290〜1380℃
の温度で液相を形成し、もって焼結性を向上させること
により、強度と伸びを向上させると共に、理論密度比で
99％以上に高密度化する作用があるが、その含有量が、
それぞれNi:2％未満およびCu:1.5％未満では液相発生量
が不十分なために上記の作用に所望の効果が得られず、
一方その含有量がそれぞれNi:12％、Cu:8％を越える
と、熱膨張係数が急激に増大し、相手接合部材と剥離し
たり、これを破損したりするようになることから、その
含有量をNi:2〜12％、Cu1.5％〜８％と定めた。
の温度で液相を形成し、もって焼結性を向上させること
により、強度と伸びを向上させると共に、理論密度比で
99％以上に高密度化する作用があるが、その含有量が、
それぞれNi:2％未満およびCu:1.5％未満では液相発生量
が不十分なために上記の作用に所望の効果が得られず、
一方その含有量がそれぞれNi:12％、Cu:8％を越える
と、熱膨張係数が急激に増大し、相手接合部材と剥離し
たり、これを破損したりするようになることから、その
含有量をNi:2〜12％、Cu1.5％〜８％と定めた。
つぎに、この発明の構造部材を実施例により具体的に
説明する。
説明する。
原料粉末として、いずれも１〜６μｍの範囲内の平均
粒径を有するMo粉末、Ni粉末、およびCu粉末を用意し、
これら原料粉末を第１表に示される配合組成に配合し、
ボールミルにて72時間湿式混合した後、1ton/cm2の圧力
で圧粉体にプレス成形し、ついでこの圧粉体を1350〜14
00℃の範囲内の所定温度で焼結することにより実質的に
配合組成と同一の成分組成を有し、かつ平面:25mm×25m
m、厚さ:1mmの寸法をもった本発明構造部材１〜６およ
び比較構造部材1,2をそれぞれ製造した。
粒径を有するMo粉末、Ni粉末、およびCu粉末を用意し、
これら原料粉末を第１表に示される配合組成に配合し、
ボールミルにて72時間湿式混合した後、1ton/cm2の圧力
で圧粉体にプレス成形し、ついでこの圧粉体を1350〜14
00℃の範囲内の所定温度で焼結することにより実質的に
配合組成と同一の成分組成を有し、かつ平面:25mm×25m
m、厚さ:1mmの寸法をもった本発明構造部材１〜６およ
び比較構造部材1,2をそれぞれ製造した。
なお、比較構造部材1,2は、いずれもMo基焼結合金の
構成成分であるNiおよびCuの含有量（第１表に※印を付
す）がこの発明の範囲から外れたものである。
構成成分であるNiおよびCuの含有量（第１表に※印を付
す）がこの発明の範囲から外れたものである。
また、比較の目的で、原料粉末として平均粒径:4.2μ
ｍを有するMo粉末を用い、プレス圧力を違えることによ
り空孔率の異った３種の圧粉体を成形し、これらの圧粉
体を1400℃の温度で焼結してそれぞれ第１表に示される
空孔率を有する多孔質Mo焼結体を成形し、ついでこれに
Cu溶浸を施すことにより、同じく平面:25mm×25mm、厚
さ:1mmの寸法をもった従来構造部材１〜３を製造した。
ｍを有するMo粉末を用い、プレス圧力を違えることによ
り空孔率の異った３種の圧粉体を成形し、これらの圧粉
体を1400℃の温度で焼結してそれぞれ第１表に示される
空孔率を有する多孔質Mo焼結体を成形し、ついでこれに
Cu溶浸を施すことにより、同じく平面:25mm×25mm、厚
さ:1mmの寸法をもった従来構造部材１〜３を製造した。
つぎに、この結果から得られた各種の構造部材につい
て、理論密度比、熱膨張係数（20〜800℃）、引張強
さ、伸び、およびビッカース硬さ（荷重:10mkg）を測定
し、この測定結果を第１表に示した。
て、理論密度比、熱膨張係数（20〜800℃）、引張強
さ、伸び、およびビッカース硬さ（荷重:10mkg）を測定
し、この測定結果を第１表に示した。
〔発明の効果〕 第１表に示される結果から、本発明構造部材１〜６
は、いずれも従来構造部材１〜３と同等の低い熱膨張係
数を有し、かつこれより高い理論密度比を有し、さらに
これより一段と高い引張強さと伸びを示すことが明らか
であり、一方NiおよびFeの含有量がこの発明の範囲から
外れて低い比較構造部材１では所望の高強度および高伸
びが得られず、またNiおよびFeの含有量がこの発明の範
囲から外れて高い比較構造部材２では熱膨張係数が増大
したものになっている。
は、いずれも従来構造部材１〜３と同等の低い熱膨張係
数を有し、かつこれより高い理論密度比を有し、さらに
これより一段と高い引張強さと伸びを示すことが明らか
であり、一方NiおよびFeの含有量がこの発明の範囲から
外れて低い比較構造部材１では所望の高強度および高伸
びが得られず、またNiおよびFeの含有量がこの発明の範
囲から外れて高い比較構造部材２では熱膨張係数が増大
したものになっている。
上述のように、この発明の構造部材は、半導体装置を
構成する半導体素子や各種セラミック部材と同等の低い
熱膨張係数を有するので、相手接合部材との間に剥離現
象や、これら部材を破損することがなく、また高強度と
高伸びを有し、この値は引張強さで約80kg/mm2以上、伸
びで８％以上を示し、このことは放熱性構造部材である
基板材やヒートシンク材などの薄肉化および軽量化を可
能とし、半導体装置の高集積化に十分対応することがで
きるなど工業上有用な特性を有するものである。
構成する半導体素子や各種セラミック部材と同等の低い
熱膨張係数を有するので、相手接合部材との間に剥離現
象や、これら部材を破損することがなく、また高強度と
高伸びを有し、この値は引張強さで約80kg/mm2以上、伸
びで８％以上を示し、このことは放熱性構造部材である
基板材やヒートシンク材などの薄肉化および軽量化を可
能とし、半導体装置の高集積化に十分対応することがで
きるなど工業上有用な特性を有するものである。
【図面の簡単な説明】 第１〜６図は各種のパッケージ型半導体装置の構造を示
す図であって、第１〜３図および第5,6図が縦断面図、
第４図が第５図に示す装置の平面図である。 ３……基板材、４……半導体素子、 ７……ヒートシンク材。
す図であって、第１〜３図および第5,6図が縦断面図、
第４図が第５図に示す装置の平面図である。 ３……基板材、４……半導体素子、 ７……ヒートシンク材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮本 隆春 長野県長野市大字栗田字舎利田711番地 新光電気工業株式会社内 (72)発明者 宮川 文雄 長野県長野市大字栗田字舎利田711番地 新光電気工業株式会社内 (72)発明者 河野 通 埼玉県大宮市北袋町１―297 三菱金属 株式会社中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭59−21032（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−136938（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−141248（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−294147（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−226542（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/14,23/36 C22C 27/04
Claims (1)
- 【請求項１】Ni:2〜12％、Cu:1.5〜８％、 を含有し、残りがMoと不可避不純物からなる組成（以上
重量％）を有するMo基焼結合金で構成してなるパッケー
ジ型半導体装置の高強度放熱性構造部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2232792A JP2804836B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | パッケージ型半導体装置の高強度放熱性構造部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2232792A JP2804836B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | パッケージ型半導体装置の高強度放熱性構造部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04113656A JPH04113656A (ja) | 1992-04-15 |
| JP2804836B2 true JP2804836B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=16944828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2232792A Expired - Fee Related JP2804836B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | パッケージ型半導体装置の高強度放熱性構造部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2804836B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2657616B2 (ja) * | 1992-11-26 | 1997-09-24 | 東京タングステン株式会社 | Ｃｕ−Ｍｏ焼結体、これを用いた放熱用部材、及び、放熱用部材を備えた半導体装置 |
| US5410198A (en) * | 1993-07-30 | 1995-04-25 | Butka; Kemal | Propulsion system |
| JP6676079B2 (ja) * | 2016-02-16 | 2020-04-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-09-03 JP JP2232792A patent/JP2804836B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04113656A (ja) | 1992-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4651192A (en) | Ceramic packaged semiconductor device | |
| US6737168B1 (en) | Composite material and semiconductor device using the same | |
| US4715892A (en) | Cermet substrate with glass adhesion component | |
| US6238454B1 (en) | Isotropic carbon/copper composites | |
| US5086333A (en) | Substrate for semiconductor apparatus having a composite material | |
| US4788627A (en) | Heat sink device using composite metal alloy | |
| US8143717B2 (en) | Surface mount package with ceramic sidewalls | |
| CN101649400A (zh) | 电子封装用金刚石增强金属基复合材料及其制备方法 | |
| US8080872B2 (en) | Surface mount package with high thermal conductivity | |
| JPH054950B2 (ja) | ||
| US4793967A (en) | Cermet substrate with spinel adhesion component | |
| JPH06296084A (ja) | 高熱伝導体及びこれを備えた配線基板とこれらの製造方法 | |
| US4743299A (en) | Cermet substrate with spinel adhesion component | |
| JP2804836B2 (ja) | パッケージ型半導体装置の高強度放熱性構造部材 | |
| JP2815689B2 (ja) | パッケージ型半導体装置の高強度放熱性構造部材 | |
| JP2014132651A (ja) | マイクロ波電力素子用外囲器、マイクロ波電力素子及びそれらの製造方法 | |
| JP2815656B2 (ja) | パッケージ型半導体装置の高強度放熱性構造部材 | |
| JPH08279569A (ja) | パッケージ用セラミックスリッド | |
| JPH07105464B2 (ja) | 半導体素子搭載用半導体装置 | |
| JP3552587B2 (ja) | 複合材料及び半導体装置 | |
| JPH03226542A (ja) | パッケージ型半導体装置の高強度放熱性構造部材 | |
| JPH10284643A (ja) | 半導体装置用基板 | |
| JP2000311971A (ja) | 半導体装置とそのヒートシンク | |
| JP3559457B2 (ja) | ロウ材 | |
| JPH0116290B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |