JP2804762B2 - Plasma processing equipment - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、プラズマ処理装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a plasma processing apparatus.

（従来の技術） 文字・数字・図形・画像等を電気的手段を利用して表
示する表示装置として、軽量小型，低消費電力，長寿命
化等の見地から、例えばLCD（Liquid Crystal Display:
液晶表示）装置が実用されている。(Prior Art) As a display device for displaying characters, numbers, figures, images, and the like by using electric means, for example, an LCD (Liquid Crystal Display:
Liquid crystal display) devices are in practical use.

上記LCDの製造には、半導体ウエハ製造技術が用いら
れ、蒸着した透明導電膜を選択的にエッチングすること
により電極パターンが形成される。上記エッチングにお
いては、品質の安定性・生産性・経済性の面で優れてい
るウエットエッチングが行なわれている。しかし、セグ
メント表示するLCDの場合、上記電極パターンの精度は3
00〜500μｍ程度であるが、TV画像などをマトリクス表
示するLCDの場合は電極パターンの精度を10〜20μｍに
設定する場合がある。更に、近年上記電極パターンの微
細化が進み、上記ウエットエッチングでは上記電極パタ
ーンの微細化に対応することが困難となって来ており、
上記ウエットエッチングに代わりドライエッチングが注
目されている。このドライエッチングは、減圧処理室内
に対向配置された電極の一方に上記LCD用ガラス基板を
設置し、上記電極間に電力を印加することにより、導入
したエッチングガスをプラズマ化し、このプラズマ化し
たエッチングガスにより電極パターンを形成するもので
ある。In the manufacture of the LCD, a semiconductor wafer manufacturing technique is used, and an electrode pattern is formed by selectively etching a deposited transparent conductive film. In the above-mentioned etching, wet etching, which is excellent in terms of quality stability, productivity, and economy, is performed. However, for an LCD that displays segments, the accuracy of the above electrode pattern is 3
Although it is about 00 to 500 μm, the accuracy of the electrode pattern may be set to 10 to 20 μm in the case of an LCD that displays a TV image in a matrix. Furthermore, in recent years, the miniaturization of the electrode pattern has advanced, and it has become difficult to respond to the miniaturization of the electrode pattern in the wet etching.
Dry etching is attracting attention instead of the wet etching. In this dry etching, the above-mentioned glass substrate for LCD is installed on one of the electrodes opposed to each other in a reduced-pressure processing chamber, and by applying power between the electrodes, the introduced etching gas is turned into plasma, and the plasma-formed etching is performed. The electrode pattern is formed by gas.

（発明が解決しようとする課題） 上記エッチングガスをプラズマ化するためには、当然
上記電極間に放電を発生させるが、この放電は上記電極
間に限らず、一方の高圧電極と上記処理室内壁凸部との
間にも放電が発生する。この高圧電極と処理室内壁凸部
間の放電は、アーク放電となり、このアーク放電はエネ
ルギーが強いため、薄い絶縁膜程度のものは破壊して放
電が発生する。通常、上記処理室内壁には、耐腐食対策
のためアルマイト処理により絶縁膜が形成されている。
しかし、この絶縁膜が上記放電により破壊されて剥離
し、これが塵となって上記LCD基板を汚染してしまう
他、上記放電により絶縁膜が破壊されると、その部分が
エッチングガス等により腐食され、これも汚染の原因と
なる。(Problems to be Solved by the Invention) In order to convert the etching gas into plasma, a discharge is naturally generated between the electrodes. However, the discharge is not limited to between the electrodes, but one of the high-voltage electrodes and the inner wall of the processing chamber. Discharge also occurs between the protrusions. The discharge between the high-voltage electrode and the convex portion of the processing chamber wall becomes an arc discharge. Since the arc discharge has a high energy, a thin insulating film or the like is broken to generate a discharge. Usually, an insulating film is formed on the inner wall of the processing chamber by alumite processing for corrosion resistance.
However, the insulating film is destroyed by the discharge and peels off, which becomes dust and contaminates the LCD substrate.When the insulating film is destroyed by the discharge, the portion is corroded by an etching gas or the like. , Which also causes contamination.

又、エッチングに寄与する放電が不安定になったり、
不均一になってエッチング特性に悪影響をおよぼす。Also, the discharge that contributes to the etching becomes unstable,
It becomes non-uniform and adversely affects the etching characteristics.

本発明は上記点に対処してなされたもので、処理室内
壁凸部への放電の発生を抑止することにより、被処理体
の歩留まりの低下を防ぐことを可能としたプラズマ処理
装置を提供しようとするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and it is an object of the present invention to provide a plasma processing apparatus capable of preventing a reduction in the yield of an object to be processed by suppressing generation of discharge to a convex portion of a processing chamber wall. It is assumed that.

〔発明の構成〕[Configuration of the invention]

（課題を解決するための手段） 上記課題を解決するために，請求項１に記載の発明に
よれば，処理室内に配置された被処理体をプラズマ処理
する装置において，前記処理室に設けられた前記被処理
体を搬入或いは搬出する開口部の少なくとも前記処理室
側周囲には絶縁体が被覆されていることを特徴とするプ
ラズマ処理装置が提供される。(Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, according to the invention described in claim 1, in an apparatus for performing plasma processing on an object to be processed disposed in a processing chamber, the apparatus is provided in the processing chamber. In addition, there is provided a plasma processing apparatus characterized in that an insulator is coated on at least the periphery of the processing chamber side of the opening for loading or unloading the workpiece.

また，請求項２に記載の発明は，請求項１に記載のプ
ラズマ処理装置の絶縁体を前記開口部の処理室側周囲を
覆うことが可能な略リング形状から構成することを特徴
としている。The invention according to claim 2 is characterized in that the insulator of the plasma processing apparatus according to claim 1 has a substantially ring shape capable of covering the periphery of the opening on the processing chamber side.

また，請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記
載のプラズマ処理装置の絶縁体をセラミックスから構成
することを特徴としている。The invention according to a third aspect is characterized in that the insulator of the plasma processing apparatus according to the first or second aspect is made of ceramics.

（作用効果） かかる構成によれば，処理室に設けられた被処理体を
搬入或いは搬出する開口部の少なくとも処理室側周囲に
絶縁体を被覆して設けたため，電極と開口部との間の放
電を抑制すると共に，被処理体のプラズマ処理に寄与す
る放電の効率低下を防止して，この放電の安定化を図る
ことができる。さらに，電極と開口部との間で放電が生
じないため，その放電に伴う塵も発生せず，被処理体及
び処理室内の汚染を防止することができる。(Effects) According to this configuration, since the insulating material is provided at least around the processing chamber side of the opening for loading or unloading the processing object provided in the processing chamber, the gap between the electrode and the opening is provided. Discharge can be suppressed, and a reduction in discharge efficiency that contributes to plasma processing of the object can be prevented, thereby stabilizing the discharge. Further, since no discharge occurs between the electrode and the opening, no dust is generated due to the discharge, and contamination of the object to be processed and the processing chamber can be prevented.

（実施例） 以下、本発明装置をLCD基板のエッチング処理工程に
適用した一実施例につき、図面を参照して説明する。(Embodiment) An embodiment in which the device of the present invention is applied to an LCD substrate etching process will be described below with reference to the drawings.

まず、プラズマ処理装置の構成を説明する。 First, the configuration of the plasma processing apparatus will be described.

エッチング処理が行なわれる処理室（１）は、材質例
えばアルミニウム製で、耐腐食対策例えば表面にアルミ
ナの被膜が形成されている。この処理室（１）は、立方
体形状で、メンテナンスを容易にする等の理由から上記
処理室（１）上面が開閉可能とされている。更に、上記
処理室（１）の側壁には開口（２）が設けられており、
この開口（２）を開閉可能とする開閉機構（３）が、上
記処理室（１）側壁の外面に設けられている。この開閉
機構（３）が上記開口（２）を閉じることにより、上記
処理室（１）内を気密に設定可能としている。また、上
記処理室（１）内の下方には、昇降機構（４）に連設し
た下部電極（５）か昇降自在に設けられ、この昇降に対
応して材質例えばステンレススチール製のベローズ
（６）により気密が保たれている。上記下部電極（５）
は、例えばアルミニウム製で表面にアルマイト処理を施
してある平板状に形成されている。この下部電極（５）
の上面には、被処理体例えばLCD基板（７）を設置可能
となっており、このLCD基板の設置を容易とするため
に、上記下部電極（５）表面に出没自在なリフターピン
（図示せず）が設けられている。また、上記LCD基板を
プラズマ処理例えばプラズマエッチングする際に発生さ
せる放電即ちグロー放電を、上記LCD基板表面に集中さ
せるため、上記下部電極（５）の上面周縁部には、上記
LCD基板（７）の外周形状とほぼ同形状の開口を有する
絶縁材質からなるフォーカス体（８）が設けられてい
る。更に、上記下部電極（５）下面も絶縁体（９）で覆
われ、この下部電極（５）はアース（10）されている。The processing chamber (1) in which the etching process is performed is made of a material, for example, aluminum, and has a corrosion resistance measure, for example, an alumina film is formed on the surface. The processing chamber (1) has a cubic shape, and the upper surface of the processing chamber (1) can be opened and closed for reasons such as facilitating maintenance. Further, an opening (2) is provided in a side wall of the processing chamber (1),
An opening / closing mechanism (3) for opening and closing the opening (2) is provided on an outer surface of a side wall of the processing chamber (1). When the opening / closing mechanism (3) closes the opening (2), the inside of the processing chamber (1) can be set airtight. Below the processing chamber (1), a lower electrode (5) connected to an elevating mechanism (4) is provided so as to be capable of ascending and descending. ) Is kept airtight. The lower electrode (5)
Is made of, for example, aluminum and is formed into a flat plate whose surface is anodized. This lower electrode (5)
An object to be processed, for example, an LCD substrate (7) can be installed on the upper surface of the lower electrode (5). In order to facilitate the installation of the LCD substrate, lifter pins (shown in FIG. Z) is provided. Further, in order to concentrate a discharge, that is, a glow discharge, generated when the LCD substrate is subjected to plasma processing, for example, plasma etching, on the LCD substrate surface, the upper electrode peripheral portion of the lower electrode (5) is provided with:
A focus body (8) made of an insulating material and having an opening having substantially the same shape as the outer peripheral shape of the LCD substrate (7) is provided. Further, the lower surface of the lower electrode (5) is also covered with an insulator (9), and the lower electrode (5) is grounded (10).

また、上記処理室（１）内の上方即ち上記下部電極
（５）の対向位置には、導電性機質例えばグラファイト
製の上部電極（11）が設けられている。この上部電極
（11）は上記LCD基板（７）表面と同形状を露出させ、
それ以外の部分に絶縁体（12）を覆設して、上記上部電
極（11）の露出下面と上記下部電極（５）上面のみにグ
ロー放電が発生する如く構成されている。上記絶縁体
（12）は、上記上部電極（11）を支持し、上記処理室
（１）側壁上端に固定可能となっている。また、上記上
部電極（11）には電源（13）が接続しており、上記上部
電極（11）及び下部電極（５）間で放電可能とされてい
る。この場合、下部電極（５）側が接地され、この下部
電極（５）に上記LCD基板（７）を載置するため、ラジ
カルによりエッチングされるプラズマエッチングモード
に設定されているが、イオンによりエッチングされるRI
E（リアクティブ・イオン・エッチング）モードにも対
応する如く、下部電極（５）に電源（13）を接続し、上
部電極（11）を接地することもできる。また、上記上部
電極（11）には、所定の口径の孔（図示せず）が複数個
形成されており、この孔からプラズマ処理用反応ガス例
えばエッチングガスを流通可能としている。このエッチ
ングガスは、上記上部電極（11）上部に設けられた空間
（14）に接続したガス供給管（15）から供給される如く
構成されている。このガス供給管（15）は、図示しない
ガス供給源に連設し、上記空間（14）内へ所定の処理ガ
スを所定量で供給可能とされている。上記空間（14）内
に供給された処理ガスを上記LCD基板（７）表面に均一
に供給するために、上記空間（14）内には複数枚のバッ
フル（16）が設けられている。このバッフル（16）に
は、複数個の開孔が形成されており、上記処理ガスが上
記開孔を有するバッフル（16）を複数枚通過することに
より広面積に均一に拡散されるようになっている。An upper electrode (11) made of a conductive material such as graphite is provided above the processing chamber (1), that is, at a position facing the lower electrode (5). This upper electrode (11) exposes the same shape as the surface of the LCD substrate (7),
The insulator (12) is covered on the other portions, so that a glow discharge is generated only on the exposed lower surface of the upper electrode (11) and the upper surface of the lower electrode (5). The insulator (12) supports the upper electrode (11) and can be fixed to the upper end of the side wall of the processing chamber (1). Further, a power supply (13) is connected to the upper electrode (11), and discharge is possible between the upper electrode (11) and the lower electrode (5). In this case, although the lower electrode (5) side is grounded, and the LCD substrate (7) is mounted on the lower electrode (5), the plasma etching mode in which etching is performed by radicals is set. RI
To support the E (reactive ion etching) mode, a power supply (13) may be connected to the lower electrode (5) and the upper electrode (11) may be grounded. Further, a plurality of holes (not shown) having a predetermined diameter are formed in the upper electrode (11), and a reaction gas for plasma processing, for example, an etching gas can flow through the holes. The etching gas is configured to be supplied from a gas supply pipe (15) connected to a space (14) provided above the upper electrode (11). The gas supply pipe (15) is connected to a gas supply source (not shown) so that a predetermined amount of a processing gas can be supplied into the space (14). A plurality of baffles (16) are provided in the space (14) to uniformly supply the processing gas supplied in the space (14) to the surface of the LCD substrate (7). A plurality of openings are formed in the baffle (16), and the processing gas passes through a plurality of baffles (16) having the openings so that the processing gas is uniformly diffused over a wide area. ing.

また、上記処理室（１）の下方周縁部には、上記処理
室（１）内のガスが均一に排気される如く、各点で異な
る所定の開孔率に設定した整流体（17）が、取付台（1
8）に着脱自在に設けられている。このような整流体（1
7）を介して上記処理室（１）内のガスを排気する如く
排気管（19）が接続し、この排気管（19）は図示しない
排気機構例えばロータリーポンプやターボ分子ポンプ等
に連設している。A rectifier (17) having a predetermined different opening ratio at each point is provided on a lower peripheral portion of the processing chamber (1) so that gas in the processing chamber (1) is uniformly exhausted. , Mounting base (1
8) Removably provided. Such a rectifier (1
An exhaust pipe (19) is connected to exhaust the gas in the processing chamber (1) through 7), and the exhaust pipe (19) is connected to an exhaust mechanism (not shown) such as a rotary pump or a turbo molecular pump. ing.

また、上記上部電極（11）及び下部電極（５）間に放
電を発生させる場合、高圧電極である上記電極（11）と
接地電極である下部電極（５）との間のみならず、上記
上部電極（11）及び上記処理室（１）内壁の凸部間にも
放電が発生してしまう。そのため、上記処理室（１）内
壁の凸部例えば処理室（１）側壁に形成された開口
（２）のエッヂに着脱自在な絶縁体（20）が取着され、
上記エッヂを被覆している。この絶縁体（20）は、第２
図に示すように、上記開口（２）エッヂを覆うように断
面Ｌ字型の角型リング形状で、低誘電率の絶縁材質例え
ばテフロン或いはセラミックで形成されており、この絶
縁体（20）のＬ字型突出部を上記開口（２）に嵌合可能
となっている。このようにしてプラズマ処理装置が構成
されている。When a discharge is generated between the upper electrode (11) and the lower electrode (5), not only between the electrode (11), which is a high-voltage electrode, and the lower electrode (5), which is a ground electrode, but also between the upper electrode (11) and the lower electrode (5). Discharge also occurs between the electrode (11) and the protrusion on the inner wall of the processing chamber (1). For this reason, a detachable insulator (20) is attached to a convex portion of the inner wall of the processing chamber (1), for example, an edge of an opening (2) formed in a side wall of the processing chamber (1).
The edge is covered. This insulator (20)
As shown in the drawing, the opening (2) is formed of a low dielectric constant insulating material, for example, Teflon or ceramic, and has an L-shaped cross section so as to cover the edge of the opening (2). The L-shaped protrusion can be fitted into the opening (2). Thus, a plasma processing apparatus is configured.

次に、上述したプラズマ処理装置の動作作用を説明す
る。Next, the operation of the above-described plasma processing apparatus will be described.

まず、処理室（１）内を所定の減圧状態に設定し、処
理室（１）側壁に形成されている開口（２）を開閉機構
（３）の動作により開け、図示しない搬送機構例えばハ
ンドリングアームにより、被処理体例えばLCD基板
（７）を上記処理室（１）内へ搬入する。上記開閉機構
（３）により上記開口（２）を開けても、上記処理室
（１）の圧力を保持可能とするように、上記開口（２）
の外部空間をロードロック室としておく。そして、上記
LCD基板（７）を下部電極（５）表面の予め定められた
位置に設置する。この時、上記LCD基板の設置を容易に
行なえるように、リフターピン（図示せず）により中継
している。そして、上記ハンドリングアームを処理室
（１）内から搬出した後、上記開口（２）を閉じ、処理
室（１）内部を気密に設定する。そして、上記下部電極
（５）を昇降機構（４）により上昇させ、上記LCD基板
（７）表面と上部電極（11）表面との間隔を所定の間隔
に設定する。この後、上記上部電極（11）及び下部電極
（５）間に電源（13）により電力を印加し、グロー放電
を発生させる。これと同時に、ガス供給源（図示せず）
から所定の処理ガス即ちエッチングガスをガス供給管
（15）を介して空間（14）に流入する。そして、この空
間（14）内に流入されたガスは、上記空間（14）内に設
けられているバッフル（16）により広範囲に拡散され、
上記上部電極（11）に形成されている複数の開孔から上
LCD基板表面に供給する。ここで、この供給されたエッ
チングガスが上記グロー放電によりプラズマ化され、こ
れにより発生したラジカルにより、上記LCD基板（７）
表面に被着している例えば、α−Si膜、SiN_x膜、Al膜等
を選択的に除去する。この時、上記放電により上部電極
（11）及び下部電極（５）が加熱されてしまうため、上
記上部電極（11）及び下部電極（５）は夫々冷却されて
いる。これは、上部電極（11）が加熱されると、電極や
その他の電極部構成部品が破損してしまうことや、熱輻
射によりレジストにダメージを与えること等がある。ま
た、上記下部電極（５）が加熱されると、この下部電極
（５）表面に設定されたLCD基板（７）が加熱され、特
に、このLCD基板（７）表面に被着されたレジストが180
℃付近で変異し、必要以上にキュアリングしたり、選択
比が悪くなる等の問題があるため、夫々冷却を必要とし
ている。そして、エッチング廃ガス等は、上記処理室
（１）内下方縁部に設けられた整流体（17）を介して排
気管（19）より排気される。First, the inside of the processing chamber (1) is set to a predetermined reduced pressure state, the opening (2) formed in the side wall of the processing chamber (1) is opened by the operation of the opening / closing mechanism (3), and a transport mechanism (not shown) such as a handling arm Thereby, the object to be processed, for example, the LCD substrate (7) is carried into the processing chamber (1). Even if the opening (2) is opened by the opening / closing mechanism (3), the opening (2) is held so that the pressure of the processing chamber (1) can be maintained.
The outside space of is set as a load lock room. And the above
The LCD substrate (7) is placed at a predetermined position on the surface of the lower electrode (5). At this time, relay is performed by lifter pins (not shown) so that the LCD substrate can be easily installed. After the handling arm is carried out of the processing chamber (1), the opening (2) is closed, and the inside of the processing chamber (1) is set to be airtight. Then, the lower electrode (5) is raised by the lifting mechanism (4), and the distance between the surface of the LCD substrate (7) and the surface of the upper electrode (11) is set to a predetermined distance. Thereafter, power is applied between the upper electrode (11) and the lower electrode (5) by a power source (13) to generate glow discharge. At the same time, a gas supply source (not shown)
Then, a predetermined processing gas, that is, an etching gas flows into the space (14) through the gas supply pipe (15). The gas that has flowed into the space (14) is widely diffused by the baffle (16) provided in the space (14),
Up through multiple openings formed in the upper electrode (11)
Supply to the LCD substrate surface. Here, the supplied etching gas is converted into plasma by the glow discharge, and radicals generated by the glow discharge cause the LCD substrate (7) to generate plasma.
For example, an α-Si film, a SiN _x film, an Al film, and the like, which are adhered to the surface, are selectively removed. At this time, since the upper electrode (11) and the lower electrode (5) are heated by the discharge, the upper electrode (11) and the lower electrode (5) are cooled respectively. If the upper electrode (11) is heated, the electrode and other components of the electrode portion may be damaged, or the resist may be damaged by heat radiation. When the lower electrode (5) is heated, the LCD substrate (7) set on the surface of the lower electrode (5) is heated. In particular, the resist applied to the surface of the LCD substrate (7) is removed. 180
Each of them requires cooling because they are mutated at around ° C. and have problems such as excessive curing and poor selectivity. Then, the etching waste gas and the like are exhausted from the exhaust pipe (19) through the rectifier (17) provided at the lower edge inside the processing chamber (1).

このようにしてエッチング処理が行なわれるが、上記
エッチングの際には放電が行なわれる。通常、エッチン
グ処理に寄与する放電は、上記上部電極（11）及び下部
電極（５）間で均一に発生するグロー放電であるが、上
記上部電極（11）及び上記処理室（１）内壁凸部間にも
放電が発生する。この放電はアーク放電であり、このア
ーク放電はエネルギー密度が高く、薄い絶縁膜程度のも
のは破壊して放電が発生してしまう。これは、上記処理
室（１）内壁も接地されていることから、この処理室
（１）内壁と上記下部電極（５）が同電位となり、上記
放電が発生してしまう。特に、上記放電は、電界集中を
起こしやすい尖塔的形状をした凸部やエッヂ部に発生す
る場合が多い。この凸部やエッヂ部としては、例えば上
記LCD基板（７）を上記処理室（１）内へ搬入出する開
口（２）や、上記処理室（１）内壁に形成された図示し
ない目視窓の凸部や、更に、図示はしないが上記処理室
（１）内の圧力をモニターするための圧力計用に上記処
理室（１）内壁に形成された貫通穴の凸部等が考えられ
る。これらの凸部に、絶縁体を取着することにより、上
記アーク放電の発生を防止することができる。例えば、
上記LCD基板（７）を搬入出するための開口（２）の凸
部に、角型の絶縁体（20）を取着することで、上記開口
（２）凸部へのアーク放電を防止することができる。The etching process is performed in this manner, and a discharge is performed during the etching. Usually, the discharge that contributes to the etching process is a glow discharge that is uniformly generated between the upper electrode (11) and the lower electrode (5), but the upper electrode (11) and the inner wall convex portion of the processing chamber (1). Discharge occurs between them. This discharge is an arc discharge. The arc discharge has a high energy density, and a thin insulating film or the like is broken to generate a discharge. Since the inner wall of the processing chamber (1) is also grounded, the inner wall of the processing chamber (1) and the lower electrode (5) have the same potential, and the discharge occurs. In particular, the discharge is often generated in a spike-shaped convex portion or an edge portion where electric field concentration tends to occur. The convex portion and the edge portion include, for example, an opening (2) for carrying the LCD substrate (7) into and out of the processing chamber (1), and a viewing window (not shown) formed on an inner wall of the processing chamber (1). Although not shown, a convex portion and a convex portion of a through hole formed in the inner wall of the processing chamber (1) for monitoring a pressure in the processing chamber (1) may be used. By attaching an insulator to these projections, the occurrence of the arc discharge can be prevented. For example,
An arc-shaped insulator (20) is attached to the projection of the opening (2) for carrying in and out the LCD substrate (7), thereby preventing arc discharge to the projection of the opening (2). be able to.

上記実施例では、ラジカルによりエッチングするプラ
ズマエッチングモードで説明したが、RIEモードでも同
様であり、このRIEモードの場合、接地電極が異なるた
め、当然上記処理室（１）内壁凸部と放電する電極も異
なる。In the above embodiment, the description has been given of the plasma etching mode in which etching is performed by radicals. However, the same applies to the RIE mode. In the case of the RIE mode, the ground electrode is different. Is also different.

また、上記実施例では、被処理体としてLCD基板を例
に上げて説明したが、これに限定するものではなく、例
えば半導体ウエハでも同様な効果が得られる。更に、被
処理体のプラズマ処理としてエッチング処理について説
明したが、これに限定するものではなく、例えばCVD処
理・アッシング処理・スパッタ処理・クリーニング処理
等に適用しても同様な効果が得られる。Further, in the above-described embodiment, an LCD substrate is described as an example of the object to be processed, but the present invention is not limited to this. For example, a similar effect can be obtained with a semiconductor wafer. Furthermore, although the etching process has been described as the plasma process of the object to be processed, the present invention is not limited to this, and the same effect can be obtained by applying the process to, for example, a CVD process, an ashing process, a sputtering process, a cleaning process, or the like.

以上述べたようにこの実施例によれば、処理室内壁の
凸部を絶縁体により被覆することにより、電極及び処理
室内壁凸部間のアーク放電を抑止し、被処理体のプラズ
マ処理に寄与する放電の効率低下を防止すること及び放
電の安定性の向上を計ることができる。そのため、上記
電極及び処理室内壁凸部間の放電による塵の発生はな
く、上記被処理体及び処理室内の汚染を防止することが
でき、歩留まりの低下を抑止することが可能となる。As described above, according to this embodiment, by covering the convex portion of the processing chamber wall with the insulator, the arc discharge between the electrode and the convex portion of the processing chamber wall is suppressed, which contributes to the plasma processing of the target object. It is possible to prevent a decrease in discharge efficiency and improve the stability of discharge. Therefore, there is no generation of dust due to the discharge between the electrode and the convex portion of the processing chamber wall, the contamination of the object to be processed and the processing chamber can be prevented, and a reduction in yield can be suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第１図は本発明装置の一実施例を説明するためのプラズ
マ処理装置の構成図、第２図は第１図の絶縁体説明図で
ある。 １……処理室、２……開口 ５……下部電極、11……上部電極 20……絶縁体FIG. 1 is a block diagram of a plasma processing apparatus for explaining an embodiment of the apparatus of the present invention, and FIG. 2 is an explanatory view of an insulator of FIG. 1 processing chamber 2 opening 5 lower electrode 11 upper electrode 20 insulator

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】処理室内に配置された被処理体をプラズマ
処理する装置において，前記処理室に設けられた前記被
処理体を搬入或いは搬出する開口部の少なくとも前記処
理室側周囲には絶縁体が被覆されていることを特徴とす
る，プラズマ処理装置。An apparatus for performing plasma processing on an object to be processed disposed in a processing chamber is provided with an insulator at least around an opening provided in the processing chamber for loading or unloading the object to be processed. A plasma processing apparatus, characterized by being coated with. 【請求項２】前記絶縁体は，前記開口部の処理室側周囲
を覆うことが可能な略リング形状であることを特徴とす
る，請求項１に記載のプラズマ処理装置。2. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the insulator has a substantially ring shape capable of covering the periphery of the opening on the processing chamber side. 【請求項３】前記絶縁体は，セラミックスであることを
特徴とする，請求項１又は２に記載のプラズマ処理装
置。3. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the insulator is a ceramic.