JP2804378B2 - プラズマト−チのセンタリングスト−ン - Google Patents
プラズマト−チのセンタリングスト−ンInfo
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- JP2804378B2 JP2804378B2 JP3014186A JP1418691A JP2804378B2 JP 2804378 B2 JP2804378 B2 JP 2804378B2 JP 3014186 A JP3014186 A JP 3014186A JP 1418691 A JP1418691 A JP 1418691A JP 2804378 B2 JP2804378 B2 JP 2804378B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマト−チに関
し、特にプラズマト−チ内のセンタリングスト−ンの構
造に関する。
し、特にプラズマト−チ内のセンタリングスト−ンの構
造に関する。
【0002】
【従来の技術】図4に、従来のプラズマト−チ5の外観
とその先端部の縦断面を示す。インサ−トチップ13に
は、絶縁耐火物製のセンタリングスト−ン10が挿入さ
れており、センタリングスト−ン10の中心軸部の穴を
タングステン電極棒4が貫通している。このセンタリン
グスト−ン10により、タングステン電極棒4は、イン
サ−トチップ13の中心軸位置に位置決めされている。
タングステン電極棒4は丸鉛筆のように細長くその下端
は尖って、インサ−トチップ13のノズルに対向し、セ
ンタリングスト−ン10が、その外径以上ノズルから離
れた位置においてタングステン電極棒4を支持し、ノズ
ルとセンタリングスト−ン10の間に、長い、タングス
テン電極棒4が通る作動ガス通流空間がある。
とその先端部の縦断面を示す。インサ−トチップ13に
は、絶縁耐火物製のセンタリングスト−ン10が挿入さ
れており、センタリングスト−ン10の中心軸部の穴を
タングステン電極棒4が貫通している。このセンタリン
グスト−ン10により、タングステン電極棒4は、イン
サ−トチップ13の中心軸位置に位置決めされている。
タングステン電極棒4は丸鉛筆のように細長くその下端
は尖って、インサ−トチップ13のノズルに対向し、セ
ンタリングスト−ン10が、その外径以上ノズルから離
れた位置においてタングステン電極棒4を支持し、ノズ
ルとセンタリングスト−ン10の間に、長い、タングス
テン電極棒4が通る作動ガス通流空間がある。
【0003】パイロットア−クの着火手順を述べると、
まず、タングステン棒4とインサ−トチップ13との間
に作動ガス(例えばAr)を流す。次に高周波発生器1
5により、タングステン電極棒4とインサ−トチップ1
3との間に高周波電圧(3000〜4000V、1〜2MHz)
を印加する。この印加と同時に、パイロットア−ク電源
16より、タングステン電極棒4とインサ−トチップ1
3との間にパイロット電流(DC10〜20A)を印加
する。タングステン電極棒4の先端部より、高圧高周波
による放電(絶縁破壊)が発生し作動ガス(Ar)がイ
オン化し、パイロット電流によるパイロットア−クが発
生し、作動ガスのモ−メンタム(運動エネルギ)によっ
て、インサ−トチップ13のノズルよりア−クが放出さ
れる。プラズマア−ク電源17よりタングステン電極棒
4と加工対象材18の間にプラズマア−ク電流を流すこ
とにより、タングステン電極棒4と加工対象材18との
間にア−クが生じ、加工対象材18に向けてインサ−ト
チップ13のノズルよりプラズマが噴射する。
まず、タングステン棒4とインサ−トチップ13との間
に作動ガス(例えばAr)を流す。次に高周波発生器1
5により、タングステン電極棒4とインサ−トチップ1
3との間に高周波電圧(3000〜4000V、1〜2MHz)
を印加する。この印加と同時に、パイロットア−ク電源
16より、タングステン電極棒4とインサ−トチップ1
3との間にパイロット電流(DC10〜20A)を印加
する。タングステン電極棒4の先端部より、高圧高周波
による放電(絶縁破壊)が発生し作動ガス(Ar)がイ
オン化し、パイロット電流によるパイロットア−クが発
生し、作動ガスのモ−メンタム(運動エネルギ)によっ
て、インサ−トチップ13のノズルよりア−クが放出さ
れる。プラズマア−ク電源17よりタングステン電極棒
4と加工対象材18の間にプラズマア−ク電流を流すこ
とにより、タングステン電極棒4と加工対象材18との
間にア−クが生じ、加工対象材18に向けてインサ−ト
チップ13のノズルよりプラズマが噴射する。
【0004】センタリングスト−ン10の従来例の数種
を、図5,第6図および第7図のそれぞれに示す。これ
らの図面において(A)はセンタリングスト−ンの上面
図であり、(B)は縦断面図、(C)は下面図である。
を、図5,第6図および第7図のそれぞれに示す。これ
らの図面において(A)はセンタリングスト−ンの上面
図であり、(B)は縦断面図、(C)は下面図である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】パイロットア−クの着
火のために、上述のように、タングステン電極棒4とイ
ンサ−トチップ13との間に作動ガスを流し、タングス
テン電極棒4とインサ−トチップ13との間に高周波電
圧を印加しこれと同時に、タングステン電極棒4とイン
サ−トチップ13との間にパイロット電流を流すための
電圧を印加しても、ア−クがインサ−トチップ13の内
部の、センタリングスト−ン10の下端面近傍の空間2
0(図4)に発生したまま、インサ−トチップ13のノ
ズルからア−クが出ないこと(ミス着火)がある。この
状態が継続するとインサ−トチップ13,センタリング
スト−ン10およびタングステン電極棒4がト−チ5内
部で過熱し、センタ−リングストン10が溶損し、場合
によってはインサ−トチップ13まで溶損することがあ
る。
火のために、上述のように、タングステン電極棒4とイ
ンサ−トチップ13との間に作動ガスを流し、タングス
テン電極棒4とインサ−トチップ13との間に高周波電
圧を印加しこれと同時に、タングステン電極棒4とイン
サ−トチップ13との間にパイロット電流を流すための
電圧を印加しても、ア−クがインサ−トチップ13の内
部の、センタリングスト−ン10の下端面近傍の空間2
0(図4)に発生したまま、インサ−トチップ13のノ
ズルからア−クが出ないこと(ミス着火)がある。この
状態が継続するとインサ−トチップ13,センタリング
スト−ン10およびタングステン電極棒4がト−チ5内
部で過熱し、センタ−リングストン10が溶損し、場合
によってはインサ−トチップ13まで溶損することがあ
る。
【0006】本発明はミス着火の確率を低減することを
目的とする。
目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】図4を参照すると、パイ
ロットア−クの着火時やプラズマ噴射中に、センタリン
グスト−ン10の下端面近傍の空間20に作動ガスのよ
どみがあると、そこの作動ガス温度が上昇してイオン化
し易い状態にあるので、そこに放電を生じ易い。放電が
生ずるとセンタリングスト−ン10の下端面に炭化痕
(煤汚れ)が生ずる。パイロットア−クの着火時に通常
は、タングステン電極棒4の、先端(尖った下端)に高
周波電界の集中を生じてそことインサ−トチップ13の
ノズルのエッジとの間に放電(絶縁破壊)を生ずるが、
炭化痕があるとそこに沿う放電(沿面放電)を生じ易
く、特に、タングステン電極棒4の先端が消耗して先端
が丸くなるにつれてそこでの電界集中が弱くなり、セン
タリングスト−ン10の下端面の炭化痕に沿ってタング
ステン電極棒4とインサ−トチップ13の間に放電(ミ
ス着火)を生じ易い。溶接を行なう場合、作動ガスの流
量が0.2〜1.0 l(リットル)/minと低いため
パイロットア−ク着火時、ト−チ内のよどみのある領域
でリ−クア−クすると、結果的にパイロットア−クのミ
ス着火となる。
ロットア−クの着火時やプラズマ噴射中に、センタリン
グスト−ン10の下端面近傍の空間20に作動ガスのよ
どみがあると、そこの作動ガス温度が上昇してイオン化
し易い状態にあるので、そこに放電を生じ易い。放電が
生ずるとセンタリングスト−ン10の下端面に炭化痕
(煤汚れ)が生ずる。パイロットア−クの着火時に通常
は、タングステン電極棒4の、先端(尖った下端)に高
周波電界の集中を生じてそことインサ−トチップ13の
ノズルのエッジとの間に放電(絶縁破壊)を生ずるが、
炭化痕があるとそこに沿う放電(沿面放電)を生じ易
く、特に、タングステン電極棒4の先端が消耗して先端
が丸くなるにつれてそこでの電界集中が弱くなり、セン
タリングスト−ン10の下端面の炭化痕に沿ってタング
ステン電極棒4とインサ−トチップ13の間に放電(ミ
ス着火)を生じ易い。溶接を行なう場合、作動ガスの流
量が0.2〜1.0 l(リットル)/minと低いため
パイロットア−ク着火時、ト−チ内のよどみのある領域
でリ−クア−クすると、結果的にパイロットア−クのミ
ス着火となる。
【0008】図5,6および7に示す従来のセンタリン
グスト−ンでは、その下端面直下に、それらの図面の
(C)に2点鎖線で示すような、作動ガスのよどみを生
ずることが分かった。
グスト−ンでは、その下端面直下に、それらの図面の
(C)に2点鎖線で示すような、作動ガスのよどみを生
ずることが分かった。
【0009】以上の検討より、パイロットア−クのミス
着火を低減するためには、作動ガスのよどみを生じない
ようにし、および、センタリングスト−ンの下面の、タ
ングステン電極棒4/インサ−トチップ13間の沿面距
離を長くするのが良い。
着火を低減するためには、作動ガスのよどみを生じない
ようにし、および、センタリングスト−ンの下面の、タ
ングステン電極棒4/インサ−トチップ13間の沿面距
離を長くするのが良い。
【0010】そこで本願の第1番の発明では、下端が尖
った細長い電極棒(4)の該下端がインサ−トチップ
(13)のノズルに対向し、センタリングスト−ンが、
その外径以上ノズルから離れた位置において電極棒
(4)を支持し、ノズルとセンタリングスト−ンの間
に、長い、電極棒が通る作動ガス通流空間があるプラズ
マト−チのセンタリングスト−ンであって、中心軸部
に、該中心軸の延びる方向に貫通した、電極棒を通すた
めの穴(103)を有する、プラズマト−チのセンタリ
ングスト−ンにおいて、センタリングスト−ン(10
a)を、その上端面に開き、電極棒を通すための前記穴
(103)と同心であってそれに連続しそれより大径の
上部穴(104);該上部穴に供給される作動ガスをセ
ンタリングスト−ンの側面に吹出すための、該上部穴
(104)と側面に開いた第1ガス案内路(106);
第1ガス案内路(106)を通ってセンタリングスト−
ン(10a)の側面に出た作動ガスを下方に案内するた
めの第2ガス案内路(102);電極棒(4)を通す穴
(103)と連続し該穴(103)よりも広い、センタ
リングスト−ン(10a)の下端面に開いた円形開口
(105);および、センタリングスト−ン(10a)
の側面に開くと共に該円形開口(105)の内周面に該
円形開口(105)の底面に接して開き円形開口(10
5)の接線方向にセンタリングスト−ン(10a)を貫
通し、第2ガス案内路(102)で案内された作動ガス
を円形開口(105)に案内する第3ガス案内路(10
7);を備えるものとする。
った細長い電極棒(4)の該下端がインサ−トチップ
(13)のノズルに対向し、センタリングスト−ンが、
その外径以上ノズルから離れた位置において電極棒
(4)を支持し、ノズルとセンタリングスト−ンの間
に、長い、電極棒が通る作動ガス通流空間があるプラズ
マト−チのセンタリングスト−ンであって、中心軸部
に、該中心軸の延びる方向に貫通した、電極棒を通すた
めの穴(103)を有する、プラズマト−チのセンタリ
ングスト−ンにおいて、センタリングスト−ン(10
a)を、その上端面に開き、電極棒を通すための前記穴
(103)と同心であってそれに連続しそれより大径の
上部穴(104);該上部穴に供給される作動ガスをセ
ンタリングスト−ンの側面に吹出すための、該上部穴
(104)と側面に開いた第1ガス案内路(106);
第1ガス案内路(106)を通ってセンタリングスト−
ン(10a)の側面に出た作動ガスを下方に案内するた
めの第2ガス案内路(102);電極棒(4)を通す穴
(103)と連続し該穴(103)よりも広い、センタ
リングスト−ン(10a)の下端面に開いた円形開口
(105);および、センタリングスト−ン(10a)
の側面に開くと共に該円形開口(105)の内周面に該
円形開口(105)の底面に接して開き円形開口(10
5)の接線方向にセンタリングスト−ン(10a)を貫
通し、第2ガス案内路(102)で案内された作動ガス
を円形開口(105)に案内する第3ガス案内路(10
7);を備えるものとする。
【0011】第2番の発明では、下端が尖った細長い電
極棒(4)の該下端がインサ−トチップ(13)のノズ
ルに対向し、センタリングスト−ンが、その外径以上ノ
ズルから離れた位置において電極棒(4)を支持し、ノ
ズルとセンタリングスト−ンの間に、長い、電極棒が通
る作動ガス通流空間があるプラズマト−チのセンタリン
グスト−ンであって、中心軸部に、該中心軸の延びる方
向に貫通した、電極棒を通すための穴(122)を有す
る、プラズマト−チのセンタリングスト−ンにおいて、
センタリングスト−ン(10b)を、その下端面にあっ
て前記作動ガス通流空間に開き、電極棒(4)を通すた
めの穴(122)よりも広い円形開口(123);セン
タリングスト−ン(10b)の上端面と円形開口(12
3)に開きセンタリングスト−ン(10b)の上端面に
供給される作動ガスを円形開口(123)に案内する第
1ガス案内路(124);および、電極棒(4)を通す
ための穴(122)を中心軸部に有し前記作動ガス通流
空間に開いた円形開口(123)に挿入された多孔セラ
ミックリング(125);を備えるものとする。
極棒(4)の該下端がインサ−トチップ(13)のノズ
ルに対向し、センタリングスト−ンが、その外径以上ノ
ズルから離れた位置において電極棒(4)を支持し、ノ
ズルとセンタリングスト−ンの間に、長い、電極棒が通
る作動ガス通流空間があるプラズマト−チのセンタリン
グスト−ンであって、中心軸部に、該中心軸の延びる方
向に貫通した、電極棒を通すための穴(122)を有す
る、プラズマト−チのセンタリングスト−ンにおいて、
センタリングスト−ン(10b)を、その下端面にあっ
て前記作動ガス通流空間に開き、電極棒(4)を通すた
めの穴(122)よりも広い円形開口(123);セン
タリングスト−ン(10b)の上端面と円形開口(12
3)に開きセンタリングスト−ン(10b)の上端面に
供給される作動ガスを円形開口(123)に案内する第
1ガス案内路(124);および、電極棒(4)を通す
ための穴(122)を中心軸部に有し前記作動ガス通流
空間に開いた円形開口(123)に挿入された多孔セラ
ミックリング(125);を備えるものとする。
【0012】第3番の発明では、下端が尖った細長い電
極棒(4)の該下端がインサ−トチップ(13)のノズ
ルに対向し、センタリングスト−ンが、その外径以上ノ
ズルから離れた位置において電極棒(4)を支持し、ノ
ズルとセンタリングスト−ンの間に、長い、電極棒が通
る作動ガス通流空間があるプラズマト−チのセンタリン
グスト−ンであって、中心軸部に、該中心軸の延びる方
向に貫通した、電極棒を通すための穴(142)を有す
る、プラズマト−チのセンタリングスト−ンにおいて、
センタリングスト−ン(10c)を、その下端面に、電
極棒(4)を通すための穴(142)を中心とする円周
上にR(R:図3の断面図(B)に表示)以下のピッチ
で開けられた、該下端面において直径Rの円状に、前記
作動ガス通流空間に開いた円錐状の、複数個の下端開口
(144);センタリングスト−ンの上端面に開けら
れ、前記電極棒を通すための穴(142)に連続し該上
端面で該穴(142)より大径の開口となった逆円錐状
の上端開口;および、該上端開口の円錐面に、電極棒
(4)を通すための穴(142)を中心とする円周上に
各開口を有し、それぞれ前記複数個の下端開口(14
4)に連なる複数個の第1ガス案内路(143);を備
えるものとする。
極棒(4)の該下端がインサ−トチップ(13)のノズ
ルに対向し、センタリングスト−ンが、その外径以上ノ
ズルから離れた位置において電極棒(4)を支持し、ノ
ズルとセンタリングスト−ンの間に、長い、電極棒が通
る作動ガス通流空間があるプラズマト−チのセンタリン
グスト−ンであって、中心軸部に、該中心軸の延びる方
向に貫通した、電極棒を通すための穴(142)を有す
る、プラズマト−チのセンタリングスト−ンにおいて、
センタリングスト−ン(10c)を、その下端面に、電
極棒(4)を通すための穴(142)を中心とする円周
上にR(R:図3の断面図(B)に表示)以下のピッチ
で開けられた、該下端面において直径Rの円状に、前記
作動ガス通流空間に開いた円錐状の、複数個の下端開口
(144);センタリングスト−ンの上端面に開けら
れ、前記電極棒を通すための穴(142)に連続し該上
端面で該穴(142)より大径の開口となった逆円錐状
の上端開口;および、該上端開口の円錐面に、電極棒
(4)を通すための穴(142)を中心とする円周上に
各開口を有し、それぞれ前記複数個の下端開口(14
4)に連なる複数個の第1ガス案内路(143);を備
えるものとする。
【0013】なお、カッコ内の記号は、図面に示し後述
する実施例の対応要素を示す。
する実施例の対応要素を示す。
【0014】
【作用】第1番の発明によれば、作動ガスが第1ガス案
内路(106)を通ってセンタリングスト−ン(10
a)の側面に吹出し、そして第2ガス案内路(102)
を通って下方に移動し、更に第3ガス案内路(107)
を通って、円形開口(105)内に、その内周面の接線
方向に吹出す。円形開口(105)の中心位置には電極
棒(4)があり、円形開口(105)に吹出した作動ガ
スは、電極棒(4)を周回しつつ下方に移動し、すなわ
ち電極棒(4)を廻わる螺旋運動をして、遂にはインサ
−トチップ(13)のノズルより噴射する。このよう
に、センタリングスト−ン(10a)の下端面の近傍の
空間(20)で作動ガスが周回運動をするので、作動ガ
スのよどみを実質上生じない。これによりセンタリング
スト−ン(10a)直下の作動ガスは過度の温度上昇を
しないので、イオン化しにくい。すなわち放電しにく
い。したがってセンタリングスト−ン(10a)の下端
面に放電による炭化痕を生じないので、パイロットア−
クのミス着火の確率が低減し、プラズマト−チ(5)の
使用寿命が長くなる。
内路(106)を通ってセンタリングスト−ン(10
a)の側面に吹出し、そして第2ガス案内路(102)
を通って下方に移動し、更に第3ガス案内路(107)
を通って、円形開口(105)内に、その内周面の接線
方向に吹出す。円形開口(105)の中心位置には電極
棒(4)があり、円形開口(105)に吹出した作動ガ
スは、電極棒(4)を周回しつつ下方に移動し、すなわ
ち電極棒(4)を廻わる螺旋運動をして、遂にはインサ
−トチップ(13)のノズルより噴射する。このよう
に、センタリングスト−ン(10a)の下端面の近傍の
空間(20)で作動ガスが周回運動をするので、作動ガ
スのよどみを実質上生じない。これによりセンタリング
スト−ン(10a)直下の作動ガスは過度の温度上昇を
しないので、イオン化しにくい。すなわち放電しにく
い。したがってセンタリングスト−ン(10a)の下端
面に放電による炭化痕を生じないので、パイロットア−
クのミス着火の確率が低減し、プラズマト−チ(5)の
使用寿命が長くなる。
【0015】第2番の発明によれば、センタリングスト
−ン(10b)の上端面に供給される作動ガスが第1ガ
ス案内路(124)を通って円形開口(123)に入る
が、そこには多孔セラミックリング(125)があるの
で、作動ガスはセラミックリング(125)の孔を通っ
て、センタリングスト−ン(10b)の下部の空間に出
る。この作動ガスはセラミックリング(125)の露出
表面のあらゆる位置から微細流となって実質上均等の速
度で出るので、センタリングスト−ン(10b)の下部
空間に作動ガスの部分的なよどみを実質上生じない。こ
れによりセンタリングスト−ン(10b)直下の作動ガ
スは過度の温度上昇をしないので、イオン化しにくい。
すなわち放電しにくい。更には、セラミックリング(1
25)は多孔であるのでその露出表面の沿面距離が円滑
平面の場合よりも格段に長く、沿面放電を生じにくい。
したがってセンタリングスト−ン(10b)の下端面に
放電による炭化痕を生じないので、パイロットア−クの
ミス着火の確率が低減し、プラズマト−チ(5)の使用
寿命が長くなる。
−ン(10b)の上端面に供給される作動ガスが第1ガ
ス案内路(124)を通って円形開口(123)に入る
が、そこには多孔セラミックリング(125)があるの
で、作動ガスはセラミックリング(125)の孔を通っ
て、センタリングスト−ン(10b)の下部の空間に出
る。この作動ガスはセラミックリング(125)の露出
表面のあらゆる位置から微細流となって実質上均等の速
度で出るので、センタリングスト−ン(10b)の下部
空間に作動ガスの部分的なよどみを実質上生じない。こ
れによりセンタリングスト−ン(10b)直下の作動ガ
スは過度の温度上昇をしないので、イオン化しにくい。
すなわち放電しにくい。更には、セラミックリング(1
25)は多孔であるのでその露出表面の沿面距離が円滑
平面の場合よりも格段に長く、沿面放電を生じにくい。
したがってセンタリングスト−ン(10b)の下端面に
放電による炭化痕を生じないので、パイロットア−クの
ミス着火の確率が低減し、プラズマト−チ(5)の使用
寿命が長くなる。
【0016】第3番の発明によれば、センタリングスト
−ン(10c)の上端面に供給される作動ガスは、第1
ガス案内路(143)を通って、センタリングスト−ン
(10c)の下端面の下端開口(144)より該下端面
直下の空間に吹出すが、下端開口(144)が、センタ
リングスト−ン(10c)の下端面の、電極棒(4)を
通すための穴(142)を中心とする円周上にR以下の
ピッチで開けられ、しかもそれぞれが直径Rの円状に開
いた円錐状であるので、1つの下端開口(144)より
センタリングスト−ン(10c)の下端面下に噴出する
作動ガスは、電極棒(4)を通すための穴(142)を
中心とする円周方向および該円周の半径方向に拡がると
共に、隣り合う下端開口(144)の開口縁の一部が重
なり合うので、センタリングスト−ン(10c)の下端
面直近の空間で作動ガスがよどむ領域がほとんどなくな
る。これにより該空間で放電を生じにくい。更には、下
端開口(144)のR以下のピッチ配列により、センタ
リングスト−ン(10c)の下端面に沿っての、電極棒
(4)からインサ−トチップ(13)までの距離(沿面
距離)が長くなっており、沿面放電を生じにくい。した
がってセンタリングスト−ン(10c)の下端面に放電
による炭化痕を生じないので、パイロットア−クのミス
着火の確率が低減し、プラズマト−チ(5)の使用寿命
が長くなる。本発明の他の目的および特徴は、図面を参
照した以下の実施例の説明より明らかになろう。
−ン(10c)の上端面に供給される作動ガスは、第1
ガス案内路(143)を通って、センタリングスト−ン
(10c)の下端面の下端開口(144)より該下端面
直下の空間に吹出すが、下端開口(144)が、センタ
リングスト−ン(10c)の下端面の、電極棒(4)を
通すための穴(142)を中心とする円周上にR以下の
ピッチで開けられ、しかもそれぞれが直径Rの円状に開
いた円錐状であるので、1つの下端開口(144)より
センタリングスト−ン(10c)の下端面下に噴出する
作動ガスは、電極棒(4)を通すための穴(142)を
中心とする円周方向および該円周の半径方向に拡がると
共に、隣り合う下端開口(144)の開口縁の一部が重
なり合うので、センタリングスト−ン(10c)の下端
面直近の空間で作動ガスがよどむ領域がほとんどなくな
る。これにより該空間で放電を生じにくい。更には、下
端開口(144)のR以下のピッチ配列により、センタ
リングスト−ン(10c)の下端面に沿っての、電極棒
(4)からインサ−トチップ(13)までの距離(沿面
距離)が長くなっており、沿面放電を生じにくい。した
がってセンタリングスト−ン(10c)の下端面に放電
による炭化痕を生じないので、パイロットア−クのミス
着火の確率が低減し、プラズマト−チ(5)の使用寿命
が長くなる。本発明の他の目的および特徴は、図面を参
照した以下の実施例の説明より明らかになろう。
【0017】
【第1実施例】図1に第1番の発明の一実施例を示す。
これは、作動ガス強制旋回型のセンタリングスト−ン1
0aである。図1の(A)はセンタリングスト−ン10
aの上面図を示し、(B)は(A)に示すセンタ−リン
グストン10aをA1−A2ラインで切断した断面図で
あり、(C)は(B)に示すセンタ−リングストン10
aをA3−A4ラインで切断した断面図である。このス
ト−ン10aには、アルミナ含有量99%のセラミック
部材を使用している。スト−ン10aは円柱状であり、
外周側面の最下部から任意の範囲において溝121を有
し、さらに外周側面の一部(中央部付近)に溝102を
有する外形である。スト−ン10aの中心軸部に、該中
心軸の延びる方向に、プラズマト−チのタングステン電
極棒4を通すための貫通穴103があり、この貫通穴1
03は上部104および下部105のそれぞれが貫通穴
より大きな径の円筒状の穴となっている。また、上部穴
104の内側面とスト−ン外周面の溝102とを貫通す
る複数の通路106および、下部穴105の内側面とス
ト−ン外周面の溝102とを貫通する複数の通路107
がある。なお、下部穴105の内側面と外周面の溝10
2とを貫通する複数の通路107のそれぞれは、外周面
の外接線方向にセンタリングスト−ンを貫通している。
これは、作動ガス強制旋回型のセンタリングスト−ン1
0aである。図1の(A)はセンタリングスト−ン10
aの上面図を示し、(B)は(A)に示すセンタ−リン
グストン10aをA1−A2ラインで切断した断面図で
あり、(C)は(B)に示すセンタ−リングストン10
aをA3−A4ラインで切断した断面図である。このス
ト−ン10aには、アルミナ含有量99%のセラミック
部材を使用している。スト−ン10aは円柱状であり、
外周側面の最下部から任意の範囲において溝121を有
し、さらに外周側面の一部(中央部付近)に溝102を
有する外形である。スト−ン10aの中心軸部に、該中
心軸の延びる方向に、プラズマト−チのタングステン電
極棒4を通すための貫通穴103があり、この貫通穴1
03は上部104および下部105のそれぞれが貫通穴
より大きな径の円筒状の穴となっている。また、上部穴
104の内側面とスト−ン外周面の溝102とを貫通す
る複数の通路106および、下部穴105の内側面とス
ト−ン外周面の溝102とを貫通する複数の通路107
がある。なお、下部穴105の内側面と外周面の溝10
2とを貫通する複数の通路107のそれぞれは、外周面
の外接線方向にセンタリングスト−ンを貫通している。
【0018】図1の(D)に、従来のプラズマト−チ5
にセンタリングスト−ン10aを用いた場合の作動ガス
の流れを示す。作動ガスは、上部穴104とタングステ
ン電極棒4の間より注入され、センタリングスト−ンの
通路106、溝102、通路107を経て、スト−ンの
下部穴105とタングステン電極棒4の間に排出され
る。この時に複数の下部通路107を通過しタングステ
ン電極棒4を中心として円形開口に吹出した作動ガス
は、電極棒4を周回しつつ下方に移動し、すなわち電極
棒4を廻わる螺旋運動をして、遂にはインサ−トチップ
13のノズルより噴射する。このように、センタリング
スト−ン10aの下端面の近傍の空間で作動ガスが周回
運動をするので、作動ガスのよどみを実質上生じない。
これによりセンタリングスト−ン10a直下の作動ガス
は過度の温度上昇をしないので、イオン化しにくい。す
なわち放電しにくい。したがってセンタリングスト−ン
10aの下端面に放電による炭化痕を生じないので、パ
イロットア−クのミス着火の確率が低減し、プラズマト
−チ5の使用寿命が長くなる。また、スト−ン外周面の
下部に溝101が設けられていることにより、センタリ
ングスト−ン10aの下端面に沿っての、電極棒4から
インサ−トチップ13までの距離(沿面距離)が長くな
っており、沿面放電を生じにくい。
にセンタリングスト−ン10aを用いた場合の作動ガス
の流れを示す。作動ガスは、上部穴104とタングステ
ン電極棒4の間より注入され、センタリングスト−ンの
通路106、溝102、通路107を経て、スト−ンの
下部穴105とタングステン電極棒4の間に排出され
る。この時に複数の下部通路107を通過しタングステ
ン電極棒4を中心として円形開口に吹出した作動ガス
は、電極棒4を周回しつつ下方に移動し、すなわち電極
棒4を廻わる螺旋運動をして、遂にはインサ−トチップ
13のノズルより噴射する。このように、センタリング
スト−ン10aの下端面の近傍の空間で作動ガスが周回
運動をするので、作動ガスのよどみを実質上生じない。
これによりセンタリングスト−ン10a直下の作動ガス
は過度の温度上昇をしないので、イオン化しにくい。す
なわち放電しにくい。したがってセンタリングスト−ン
10aの下端面に放電による炭化痕を生じないので、パ
イロットア−クのミス着火の確率が低減し、プラズマト
−チ5の使用寿命が長くなる。また、スト−ン外周面の
下部に溝101が設けられていることにより、センタリ
ングスト−ン10aの下端面に沿っての、電極棒4から
インサ−トチップ13までの距離(沿面距離)が長くな
っており、沿面放電を生じにくい。
【0019】
【第2実施例】図2に第2番の発明の一実施例を示す。
これは、多孔質セラミック型のセンタリングスト−ン1
0bである。図2において、(A)はセンタ−リングス
トン10bの上面図を示し、(B)は(A)に示すセン
タ−リングストン10bをB1−B2ラインで切断した
断面図であり、(C)は(B)に示すセンタ−リングス
トン10aをB3−B4ラインで切断した断面図であ
る。スト−ン10bには、アルミナ含有量99%のセラ
ミック部材を使用している。スト−ン10bは、円柱状
の外形である。スト−ン10bの中心軸部に、該中心軸
の延びる方向に、プラズマト−チのタングステン電極棒
4を通すための円筒状の貫通穴122があり、この穴は
下部が貫通穴より大きな径の下部穴123となってい
る。さらに貫通穴122に平行に、貫通穴を中心とした
円形状に、スト−ン上端面と下部穴123とを貫通する
複数の貫通穴124を有する。さらに下部穴123に
は、多孔質セラミックリング125が備わっている。多
孔質セラミックリング125は、下部穴123より中心
軸方向に少しだけ長くなっており、その下部がスト−ン
の外周面との間に溝121を形成する。なお、多孔質セ
ラミックリング125は、アルミナ含有量92%の多孔
質セラミックにより形成されており、気孔率29.6
%、平均細孔率260μm、通気率8.9(cm3・cm/sec
・cm2・(g/cm2))のフィルタである。
これは、多孔質セラミック型のセンタリングスト−ン1
0bである。図2において、(A)はセンタ−リングス
トン10bの上面図を示し、(B)は(A)に示すセン
タ−リングストン10bをB1−B2ラインで切断した
断面図であり、(C)は(B)に示すセンタ−リングス
トン10aをB3−B4ラインで切断した断面図であ
る。スト−ン10bには、アルミナ含有量99%のセラ
ミック部材を使用している。スト−ン10bは、円柱状
の外形である。スト−ン10bの中心軸部に、該中心軸
の延びる方向に、プラズマト−チのタングステン電極棒
4を通すための円筒状の貫通穴122があり、この穴は
下部が貫通穴より大きな径の下部穴123となってい
る。さらに貫通穴122に平行に、貫通穴を中心とした
円形状に、スト−ン上端面と下部穴123とを貫通する
複数の貫通穴124を有する。さらに下部穴123に
は、多孔質セラミックリング125が備わっている。多
孔質セラミックリング125は、下部穴123より中心
軸方向に少しだけ長くなっており、その下部がスト−ン
の外周面との間に溝121を形成する。なお、多孔質セ
ラミックリング125は、アルミナ含有量92%の多孔
質セラミックにより形成されており、気孔率29.6
%、平均細孔率260μm、通気率8.9(cm3・cm/sec
・cm2・(g/cm2))のフィルタである。
【0020】図2の(D)に、従来のプラズマト−チ5
にセンタリングスト−ン10bを用いた場合の作動ガス
の流れを示す。作動ガスは、通路124より注入され、
セラミックリング125に入る。作動ガスはセラミック
リング125の孔を通って、センタリングスト−ン10
bの下部の空間に出る。この作動ガスはセラミックリン
グ125の露出表面のあらゆる位置から微細流となって
実質上均等の速度で出るので、センタリングスト−ン1
0bの下部空間に作動ガスの部分的なよどみを実質上生
じない。これによりセンタリングスト−ン10b直下の
作動ガスは過度の温度上昇をしないので、イオン化しに
くい。すなわち放電しにくい。更には、セラミックリン
グ125は多孔であるのでその露出表面の沿面距離が円
滑平面の場合よりも格段に長く、沿面放電を生じにく
い。したがってセンタリングスト−ン10bの下端面に
放電による炭化痕を生じないので、パイロットア−クの
ミス着火の確率が低減し、プラズマト−チ5の使用寿命
が長くなる。また、セラミックリング125の下部とス
ト−ンの外周面との間に形成される溝121により、セ
ンタリングスト−ン10bの下端面に沿っての、電極棒
4からインサ−トチップ13までの距離(沿面距離)が
長くなっており、沿面放電を生じにくい。
にセンタリングスト−ン10bを用いた場合の作動ガス
の流れを示す。作動ガスは、通路124より注入され、
セラミックリング125に入る。作動ガスはセラミック
リング125の孔を通って、センタリングスト−ン10
bの下部の空間に出る。この作動ガスはセラミックリン
グ125の露出表面のあらゆる位置から微細流となって
実質上均等の速度で出るので、センタリングスト−ン1
0bの下部空間に作動ガスの部分的なよどみを実質上生
じない。これによりセンタリングスト−ン10b直下の
作動ガスは過度の温度上昇をしないので、イオン化しに
くい。すなわち放電しにくい。更には、セラミックリン
グ125は多孔であるのでその露出表面の沿面距離が円
滑平面の場合よりも格段に長く、沿面放電を生じにく
い。したがってセンタリングスト−ン10bの下端面に
放電による炭化痕を生じないので、パイロットア−クの
ミス着火の確率が低減し、プラズマト−チ5の使用寿命
が長くなる。また、セラミックリング125の下部とス
ト−ンの外周面との間に形成される溝121により、セ
ンタリングスト−ン10bの下端面に沿っての、電極棒
4からインサ−トチップ13までの距離(沿面距離)が
長くなっており、沿面放電を生じにくい。
【0021】
【第3実施例】図3に第3番の発明の一実施例を示す。
これは、ラッパ形状拡散型のセンタリングスト−ン10
cである。図3において、(A)はセンタ−リングスト
ン10cの上面図を示し、(B)は(A)に示すセンタ
−リングストン10cをC1−C2ラインで切断した断
面図であり、(C)は(A)に示すセンタ−リングスト
ン10cの下面図である。スト−ン10cには、アルミ
ナ含有量99%のセラミック部材を使用している。スト
−ン10cは、円柱状で、外周側面の最下部から任意の
範囲において溝141を有し、さらに上端面部は、上端
面部側で円状に開いた円錐状の溝を有する外形である。
スト−ン10cの中心軸部に、該中心軸の延びる方向
に、プラズマト−チのタングステン電極棒4を通すため
の円筒状の貫通穴142がある。また電極棒4を通すた
めの穴142を中心とする円周上にR以下のピッチで開
けられた、該下端面において直径Rの円状に開いた円錐
状の、複数個の下端開口144があり、センタリングス
ト−ン10cの上端面に設けられた、電極棒4を通すた
めの穴142を中心とする円周上に各開口を有する。さ
らに、それぞれ前記複数個の下端開口144に連なる複
数の通路143を備える。
これは、ラッパ形状拡散型のセンタリングスト−ン10
cである。図3において、(A)はセンタ−リングスト
ン10cの上面図を示し、(B)は(A)に示すセンタ
−リングストン10cをC1−C2ラインで切断した断
面図であり、(C)は(A)に示すセンタ−リングスト
ン10cの下面図である。スト−ン10cには、アルミ
ナ含有量99%のセラミック部材を使用している。スト
−ン10cは、円柱状で、外周側面の最下部から任意の
範囲において溝141を有し、さらに上端面部は、上端
面部側で円状に開いた円錐状の溝を有する外形である。
スト−ン10cの中心軸部に、該中心軸の延びる方向
に、プラズマト−チのタングステン電極棒4を通すため
の円筒状の貫通穴142がある。また電極棒4を通すた
めの穴142を中心とする円周上にR以下のピッチで開
けられた、該下端面において直径Rの円状に開いた円錐
状の、複数個の下端開口144があり、センタリングス
ト−ン10cの上端面に設けられた、電極棒4を通すた
めの穴142を中心とする円周上に各開口を有する。さ
らに、それぞれ前記複数個の下端開口144に連なる複
数の通路143を備える。
【0022】図3の(D)に、従来のプラズマト−チ5
にセンタリングスト−ン10cを用いた場合の作動ガス
の流れを示す。作動ガスは、通路143より注入され、
下端開口144を経て、スト−ン10cの下端面に排出
される。下端開口144は、センタリングスト−ン10
cの下端面の、電極棒4を通すための穴142を中心と
する円周上にR以下のピッチで開けられ、しかもそれぞ
れが直径Rの円状に開いた円錐状であるので、1つの下
端開口144よりセンタリングスト−ン10cの下端面
下に噴出する作動ガスは、電極棒4を通すための穴14
2を中心とする円周方向および該円周の半径方向に拡が
ると共に、隣り合う下端開口144の開口縁の一部が重
なり合うので、センタリングスト−ン10cの下端面直
近の空間で作動ガスがよどむ領域がほとんどなくなる。
これにより該空間で放電を生じにくい。更には、下端開
口144のR以下のピッチ配列により、また、スト−ン
外周面の下部に溝141が設けられていることにより、
センタリングスト−ン10cの下端面に沿っての、電極
棒4からインサ−トチップ13までの距離(沿面距離)
が長くなっており、沿面放電を生じにくい。したがって
センタリングスト−ン10cの下端面に放電による炭化
痕を生じないので、パイロットア−クのミス着火の確率
が低減し、プラズマト−チ5の使用寿命が長くなる。
にセンタリングスト−ン10cを用いた場合の作動ガス
の流れを示す。作動ガスは、通路143より注入され、
下端開口144を経て、スト−ン10cの下端面に排出
される。下端開口144は、センタリングスト−ン10
cの下端面の、電極棒4を通すための穴142を中心と
する円周上にR以下のピッチで開けられ、しかもそれぞ
れが直径Rの円状に開いた円錐状であるので、1つの下
端開口144よりセンタリングスト−ン10cの下端面
下に噴出する作動ガスは、電極棒4を通すための穴14
2を中心とする円周方向および該円周の半径方向に拡が
ると共に、隣り合う下端開口144の開口縁の一部が重
なり合うので、センタリングスト−ン10cの下端面直
近の空間で作動ガスがよどむ領域がほとんどなくなる。
これにより該空間で放電を生じにくい。更には、下端開
口144のR以下のピッチ配列により、また、スト−ン
外周面の下部に溝141が設けられていることにより、
センタリングスト−ン10cの下端面に沿っての、電極
棒4からインサ−トチップ13までの距離(沿面距離)
が長くなっており、沿面放電を生じにくい。したがって
センタリングスト−ン10cの下端面に放電による炭化
痕を生じないので、パイロットア−クのミス着火の確率
が低減し、プラズマト−チ5の使用寿命が長くなる。
【0023】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、動作ガス
流が排出時に拡散され、さらに作動ガス出口側の沿面距
離が延長され、ガス出口側においてのガス流のよどみ域
の発生を防止することができるので、リ−クア−クを防
ぎ、パイロットア−クのミス着火を防止することができ
る。
流が排出時に拡散され、さらに作動ガス出口側の沿面距
離が延長され、ガス出口側においてのガス流のよどみ域
の発生を防止することができるので、リ−クア−クを防
ぎ、パイロットア−クのミス着火を防止することができ
る。
【図1】 第1発明である、センタリングスト−ン10
aの概略を示し、(A)はセンタリングスト−ン10a
の上面図、(B)は(A)に示すA1−A2ラインで切
断したセンタリングスト−ン10aの断面図、(C)は
(B)に示すA3−A4ラインで切断したセンタリング
スト−ン10aの断面図、(D)は従来のト−チにセン
タリングスト−ン10aを装着したときのト−チの部分
断面図である。
aの概略を示し、(A)はセンタリングスト−ン10a
の上面図、(B)は(A)に示すA1−A2ラインで切
断したセンタリングスト−ン10aの断面図、(C)は
(B)に示すA3−A4ラインで切断したセンタリング
スト−ン10aの断面図、(D)は従来のト−チにセン
タリングスト−ン10aを装着したときのト−チの部分
断面図である。
【図2】 第2発明である、センタリングスト−ン10
bの概略を示し、(A)はセンタリングスト−ン10b
の上面図、(B)は(A)に示すB1−B2ラインで切
断したセンタリングスト−ン10bの断面図、(C)は
(B)に示すB3−B4ラインで切断したセンタリング
スト−ン10bの断面図、(D)は従来のト−チにセン
タリングスト−ン10bを装着したときのト−チの部分
断面図である。
bの概略を示し、(A)はセンタリングスト−ン10b
の上面図、(B)は(A)に示すB1−B2ラインで切
断したセンタリングスト−ン10bの断面図、(C)は
(B)に示すB3−B4ラインで切断したセンタリング
スト−ン10bの断面図、(D)は従来のト−チにセン
タリングスト−ン10bを装着したときのト−チの部分
断面図である。
【図3】 第3発明である、センタリングスト−ン10
cの概略を示し、(A)はセンタリングスト−ン10c
の上面図、(B)は(A)に示すC1−C2ラインで切
断したセンタリングスト−ン10cの断面図、(C)は
センタリングスト−ン10aの下面図、(D)は従来の
ト−チにセンタリングスト−ン10cを装着したときの
ト−チの部分断面図である。
cの概略を示し、(A)はセンタリングスト−ン10c
の上面図、(B)は(A)に示すC1−C2ラインで切
断したセンタリングスト−ン10cの断面図、(C)は
センタリングスト−ン10aの下面図、(D)は従来の
ト−チにセンタリングスト−ン10cを装着したときの
ト−チの部分断面図である。
【図4】 従来のプラズマト−チ5の構成概略を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
【図5】 従来のセンタリングスト−ン10の概略を示
し、(A)はセンタ−リングストン10の上面図、
(B)は図4に示すプラズマト−チ5にセンタ−リング
ストン10を装着したときのプラズマト−チの部分断面
図、(C)はセンタ−リングストン10の下面図をそれ
ぞれ示す。
し、(A)はセンタ−リングストン10の上面図、
(B)は図4に示すプラズマト−チ5にセンタ−リング
ストン10を装着したときのプラズマト−チの部分断面
図、(C)はセンタ−リングストン10の下面図をそれ
ぞれ示す。
【図6】 従来のセンタリングスト−ン10dの概略を
示し、(A)はセンタ−リングストン10dの上面図、
(B)は図4に示すプラズマト−チ5にセンタ−リング
ストン10dを装着したときのプラズマト−チの部分断
面図、(C)はセンタ−リングストン10dの下面図を
それぞれ示す。
示し、(A)はセンタ−リングストン10dの上面図、
(B)は図4に示すプラズマト−チ5にセンタ−リング
ストン10dを装着したときのプラズマト−チの部分断
面図、(C)はセンタ−リングストン10dの下面図を
それぞれ示す。
【図7】 従来のセンタリングスト−ン10eの概略を
示し、(A)はセンタ−リングストン10eの上面図、
(B)は図4に示すプラズマト−チにセンタ−リングス
トン10eを装着したときのプラズマト−チ5の部分断
面図、(C)はセンタ−リングストン10eの下面図を
それぞれ示す。
示し、(A)はセンタ−リングストン10eの上面図、
(B)は図4に示すプラズマト−チにセンタ−リングス
トン10eを装着したときのプラズマト−チ5の部分断
面図、(C)はセンタ−リングストン10eの下面図を
それぞれ示す。
4:タングステン電極棒(電極棒) 5:プラズマ
ト−チ 10,10d,10e:従来のセンタリングスト−ン 13:インサ−トチップ 14:シ−ルド
キャップ 15:高周波発生器 16:パイロッ
トア−ク電源 17:プラズマア−ク電源 18:加工対象
材 20:センタ−リングストンの下端面の近傍の空間 10a:強制旋回型センタリングスト−ン 101:溝 ,102:溝(第2ガ
ス案内路) 103:貫通穴(電極棒4を通す穴) 104:上部穴 105:下部穴(円形開口) 106:通路(第1ガス案内路) 107:通路(第3
ガス案内路) 10b:多孔質セラミック型センタリングスト−ン 121:溝 122:貫通穴(電
極棒4を通す穴) 123:下部穴(円形開口) 124:通路(第1ガス案内路) 125:セラミックリング(多孔セラミックリング) 10c:ラッパ形状拡散型センタリングスト−ン 141:溝 142:貫通穴(電
極棒4を通す穴) 143:通路(第1ガス案内路) 144:下端開口部
(複数個の下端開口)
ト−チ 10,10d,10e:従来のセンタリングスト−ン 13:インサ−トチップ 14:シ−ルド
キャップ 15:高周波発生器 16:パイロッ
トア−ク電源 17:プラズマア−ク電源 18:加工対象
材 20:センタ−リングストンの下端面の近傍の空間 10a:強制旋回型センタリングスト−ン 101:溝 ,102:溝(第2ガ
ス案内路) 103:貫通穴(電極棒4を通す穴) 104:上部穴 105:下部穴(円形開口) 106:通路(第1ガス案内路) 107:通路(第3
ガス案内路) 10b:多孔質セラミック型センタリングスト−ン 121:溝 122:貫通穴(電
極棒4を通す穴) 123:下部穴(円形開口) 124:通路(第1ガス案内路) 125:セラミックリング(多孔セラミックリング) 10c:ラッパ形状拡散型センタリングスト−ン 141:溝 142:貫通穴(電
極棒4を通す穴) 143:通路(第1ガス案内路) 144:下端開口部
(複数個の下端開口)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−138084(JP,A) 特開 平2−192699(JP,A) 実開 昭60−146577(JP,U) 実開 平1−135174(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H05H 1/34
Claims (3)
- 【請求項1】 下端が尖った細長い電極棒の該下端がイ
ンサ−トチップのノズルに対向し、センタリングスト−
ンが、その外径以上ノズルから離れた位置において電極
棒を支持し、ノズルとセンタリングスト−ンの間に、長
い、電極棒が通る作動ガス通流空間があるプラズマト−
チのセンタリングスト−ンであって、中心軸部に、該中
心軸の延びる方向に貫通した、電極棒を通すための穴を
有する、 プラズマト−チのセンタリングスト−ンにおいて、センタリングスト−ンの上端面に開き、電極棒を通すた
めの前記穴と同心であってそれに連続しそれより大径の
上部穴;該上部穴 に供給される作動ガスをセンタリング
スト−ンの側面に吹出すための、該上部穴と側面に開い
た第1ガス案内路;第1ガス案内路を通ってセンタリン
グスト−ンの側面に出た作動ガスを下方に案内するため
の第2ガス案内路;前記電極棒を通す穴と連続し該穴よ
りも広い、センタリングスト−ンの下端面に開いた円形
開口;および、センタリングスト−ンの側面に開くと共
に該円形開口の内周面に該円形開口の底面に接して開き
円形開口の接線方向にセンタリングスト−ンを貫通し、
第2ガス案内路で案内された作動ガスを円形開口に案内
する第3ガス案内路;を備えることを特徴とする、プラ
ズマト−チのセンタリングスト−ン。 - 【請求項2】 下端が尖った細長い電極棒の該下端がイ
ンサ−トチップのノズルに対向し、センタリングスト−
ンが、その外径以上ノズルから離れた位置において電極
棒を支持し、ノズルとセンタリングスト−ンの間に、長
い、電極棒が通る作動ガス通流空間があるプラズマト−
チのセンタリングスト−ンであって、中心軸部に、該中
心軸の延びる方向に貫通した、電極棒を通すための穴を
有する、プラズマト−チのセンタリングスト−ンにおい
て、 センタリングスト−ンの下端面にあって前記作動ガス通
流空間に開き、前記電極棒を通すための穴よりも広い円
形開口;センタリングスト−ンの上端面と該円形開口に
開きセンタリングスト−ンの上端面に供給される作動ガ
スを該円形開口に案内する第1ガス案内路;および、前
記電極棒を通すための穴を中心軸部に有し前記作動ガス
通流空間に開いた円形開口に挿入された多孔セラミック
リング;を備えることを特徴とする、プラズマト−チの
センタリングスト−ン。 - 【請求項3】 下端が尖った細長い電極棒の該下端がイ
ンサ−トチップのノズルに対向し、センタリングスト−
ンが、その外径以上ノズルから離れた位置において電極
棒を支持し、ノズルとセンタリングスト−ンの間に、長
い、電極棒が通る作動ガス通流空間があるプラズマト−
チのセンタリングスト−ンであって、中心軸部に、該中
心軸の延びる方向に貫通した、電極棒を通すための穴を
有する、プラズマト−チのセンタリングスト−ンにおい
て、 センタリングスト−ンの下端面に、前記電極棒を通すた
めの穴を中心とする円周上にR以下のピッチで開けられ
た、該下端面において直径Rの円状に、前記作動ガス通
流空間に開いた円錐状の、複数個の下端開口;センタリ
ングスト−ンの上端面に開けられ、前記電極棒を通すた
めの穴に連続し該上端面で該穴より大径の開口となった
逆円錐状の上端開口;および、該上端開口の円錐面に、
前記電極棒を通すための穴を中心とする円周上に各開口
を有し、それぞれ前記複数個の下端開口に連なる複数個
の第1ガス案内路;を備えることを特徴とする、プラズ
マト−チのセンタリングスト−ン。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3014186A JP2804378B2 (ja) | 1991-02-05 | 1991-02-05 | プラズマト−チのセンタリングスト−ン |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3014186A JP2804378B2 (ja) | 1991-02-05 | 1991-02-05 | プラズマト−チのセンタリングスト−ン |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04249096A JPH04249096A (ja) | 1992-09-04 |
JP2804378B2 true JP2804378B2 (ja) | 1998-09-24 |
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ID=11854097
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP3014186A Expired - Fee Related JP2804378B2 (ja) | 1991-02-05 | 1991-02-05 | プラズマト−チのセンタリングスト−ン |
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---|---|
JP (1) | JP2804378B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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FR2792492B1 (fr) * | 1999-04-14 | 2001-05-25 | Commissariat Energie Atomique | Cartouche pour torche a plasma et torche a plasma equipee |
JP4920029B2 (ja) * | 2008-12-14 | 2012-04-18 | 日鐵住金溶接工業株式会社 | インサートチップおよびプラズマトーチ |
JP5717141B2 (ja) * | 2011-08-30 | 2015-05-13 | 日鐵住金溶接工業株式会社 | プラズマトーチ |
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-
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- 1991-02-05 JP JP3014186A patent/JP2804378B2/ja not_active Expired - Fee Related
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WO2023127626A1 (ja) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 株式会社ダイヘン | 溶接トーチ |
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JPH04249096A (ja) | 1992-09-04 |
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