JP2803984B2 - 基板光照射処理装置 - Google Patents
基板光照射処理装置Info
- Publication number
- JP2803984B2 JP2803984B2 JP26585193A JP26585193A JP2803984B2 JP 2803984 B2 JP2803984 B2 JP 2803984B2 JP 26585193 A JP26585193 A JP 26585193A JP 26585193 A JP26585193 A JP 26585193A JP 2803984 B2 JP2803984 B2 JP 2803984B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- light irradiation
- heating plate
- heating
- cooling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ、フォト
マスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、
光ディスク用の基板等の基板を、加熱手段を有する加熱
プレートに支持することで所要温度にした状態で、基板
の上方に配備した光照射手段で、基板に所要の光照射処
理を施すようにした基板光照射処理装置に関し、とく
に、光照射手段が不可避的に発熱を伴う基板光照射処理
装置に関する。
マスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、
光ディスク用の基板等の基板を、加熱手段を有する加熱
プレートに支持することで所要温度にした状態で、基板
の上方に配備した光照射手段で、基板に所要の光照射処
理を施すようにした基板光照射処理装置に関し、とく
に、光照射手段が不可避的に発熱を伴う基板光照射処理
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の基板光照射処理装置としては、
例えば、特開昭62−215265号公報のように、光
照射手段として基板の上方に高圧水銀灯からなる紫外線
ランプを備え、フォトレジストが塗布された基板を加熱
プレートで所要温度まで加熱した状態で、紫外線を照射
することで、フォトレジスト膜を強化するものが知られ
ている。
例えば、特開昭62−215265号公報のように、光
照射手段として基板の上方に高圧水銀灯からなる紫外線
ランプを備え、フォトレジストが塗布された基板を加熱
プレートで所要温度まで加熱した状態で、紫外線を照射
することで、フォトレジスト膜を強化するものが知られ
ている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな基板光照射処理装置では、紫外線ランプ等の光照射
手段から熱線が発生することを避けることができず、基
板と、基板の周囲を加熱する。このような望ましくない
現象は、熱線を生じずに所要の光線だけを発する光源を
入手することが現実的には無理なことに原因し、さら
に、光照射手段からの光を、基板と全く同じ大きさの照
射エリアに絞り込むことが容易でないため、基板より大
きめの範囲を照射エリアとして、光照射することに一因
する。
うな基板光照射処理装置では、紫外線ランプ等の光照射
手段から熱線が発生することを避けることができず、基
板と、基板の周囲を加熱する。このような望ましくない
現象は、熱線を生じずに所要の光線だけを発する光源を
入手することが現実的には無理なことに原因し、さら
に、光照射手段からの光を、基板と全く同じ大きさの照
射エリアに絞り込むことが容易でないため、基板より大
きめの範囲を照射エリアとして、光照射することに一因
する。
【0004】このように、基板と、基板の周囲を加熱す
る望ましくない現象のうち、基板が加熱されるのは、そ
の分を見込んで加熱プレートを加熱制御する等の対処で
解消できるのは、特段支障を来すものではないが、しか
し、基板の周囲を加熱する現象は、次のように、処理の
均一性に支障を来す。すなわち、基板の外周近傍部が熱
くなると、そこからの熱を加熱プレートは受けて温度分
布が不均一となり、処理の面内均一性が損なわれるとの
問題がある。
る望ましくない現象のうち、基板が加熱されるのは、そ
の分を見込んで加熱プレートを加熱制御する等の対処で
解消できるのは、特段支障を来すものではないが、しか
し、基板の周囲を加熱する現象は、次のように、処理の
均一性に支障を来す。すなわち、基板の外周近傍部が熱
くなると、そこからの熱を加熱プレートは受けて温度分
布が不均一となり、処理の面内均一性が損なわれるとの
問題がある。
【0005】また、複数枚の基板を連続して光照射処理
する場合、加熱プレートの上面の基板の下となる部位
は、処理される各々の基板が光照射手段からの加熱を受
けとめるが、基板の周囲は、毎度の処理ごとに光照射手
段からの加熱を受けて蓄熱するので、処理枚数の増加に
応じて熱くなり、前述したような温度分布の不均一さは
基板ごとに激しくなり、基板ごとに熱履歴が異なる。
する場合、加熱プレートの上面の基板の下となる部位
は、処理される各々の基板が光照射手段からの加熱を受
けとめるが、基板の周囲は、毎度の処理ごとに光照射手
段からの加熱を受けて蓄熱するので、処理枚数の増加に
応じて熱くなり、前述したような温度分布の不均一さは
基板ごとに激しくなり、基板ごとに熱履歴が異なる。
【0006】とくに、基板の周囲の温度が、処理に必要
な温度に加熱されている加熱プレートの温度を越えてま
で熱くなると、基板は基板周囲からも加熱され、基板の
縁に近い部位では過剰に加熱されるまでの状態となり、
処理の面内均一性も、基板相互間での均一性も、極端に
阻害される。
な温度に加熱されている加熱プレートの温度を越えてま
で熱くなると、基板は基板周囲からも加熱され、基板の
縁に近い部位では過剰に加熱されるまでの状態となり、
処理の面内均一性も、基板相互間での均一性も、極端に
阻害される。
【0007】なお、これらの問題を解決するために、例
えば、前記特開昭62−215265号公報のように、
加熱プレートの内部に冷却手段を内蔵することも本件発
明者らは検討したが、このような技法では、基板を所要
の温度に加熱維持することを妨げずに、光照射手段から
熱線で基板の周囲が加熱されることだけを解消するのは
難しく、処理均一性を高めることは困難であった。
えば、前記特開昭62−215265号公報のように、
加熱プレートの内部に冷却手段を内蔵することも本件発
明者らは検討したが、このような技法では、基板を所要
の温度に加熱維持することを妨げずに、光照射手段から
熱線で基板の周囲が加熱されることだけを解消するのは
難しく、処理均一性を高めることは困難であった。
【0008】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、加熱プレートにより基板を所要の温度に
加熱維持することを妨げずに、基板周囲が光照射手段で
加熱されることを解消することで、連続して光照射処理
される基板相互間の処理の均一性、および、個々の基板
における処理の面内均一性を高めることを目的とする。
たものであり、加熱プレートにより基板を所要の温度に
加熱維持することを妨げずに、基板周囲が光照射手段で
加熱されることを解消することで、連続して光照射処理
される基板相互間の処理の均一性、および、個々の基板
における処理の面内均一性を高めることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述のような
目的を達成するために、加熱手段を有し、上端面が基板
を支持して加熱する加熱面をなす加熱プレートと、基板
の上方に配置された光照射手段を備え、基板を加熱プレ
ートで所要温度にした状態で、光照射手段からの光を基
板に照射するようにした基板光照射処理装置において、
加熱プレートの加熱面を囲む環状の冷却面を有する冷却
手段を、加熱プレートとの間を離して設けて構成する。
目的を達成するために、加熱手段を有し、上端面が基板
を支持して加熱する加熱面をなす加熱プレートと、基板
の上方に配置された光照射手段を備え、基板を加熱プレ
ートで所要温度にした状態で、光照射手段からの光を基
板に照射するようにした基板光照射処理装置において、
加熱プレートの加熱面を囲む環状の冷却面を有する冷却
手段を、加熱プレートとの間を離して設けて構成する。
【0010】
【作用】本発明の基板光照射処理装置の構成によれば、
加熱プレートによる基板の加熱に際して、光照射手段か
ら発生する不要な熱線による熱を基板の周囲に設けられ
た冷却手段の環状の冷却面で吸収する。これによって、
基板の周囲が光照射手段から受けた熱線で加熱されて加
熱プレートの温度分布が不均一となることが解消され
る。このため、加熱プレートの温度を均一な温度分布
で、所望の温度に保つことができる。
加熱プレートによる基板の加熱に際して、光照射手段か
ら発生する不要な熱線による熱を基板の周囲に設けられ
た冷却手段の環状の冷却面で吸収する。これによって、
基板の周囲が光照射手段から受けた熱線で加熱されて加
熱プレートの温度分布が不均一となることが解消され
る。このため、加熱プレートの温度を均一な温度分布
で、所望の温度に保つことができる。
【0011】また、複数枚の基板を連続処理しても、基
板の周囲は冷却手段で冷却されているので、基板の周囲
にて光照射手段からの熱線による熱が蓄熱することはな
く、最初に処理した基板と途中の基板とで同じ状態で加
熱できる。このため、基板相互間での熱履歴が一定し、
基板相互間での処理の均一性も高い。
板の周囲は冷却手段で冷却されているので、基板の周囲
にて光照射手段からの熱線による熱が蓄熱することはな
く、最初に処理した基板と途中の基板とで同じ状態で加
熱できる。このため、基板相互間での熱履歴が一定し、
基板相互間での処理の均一性も高い。
【0012】さらに、冷却手段を加熱プレートとの間を
離して設けたので、冷却手段が加熱プレートから熱伝導
で熱を奪うことがないから、基板の周囲を冷却するにも
かかわらず、加熱プレートの温度分布の均熱性を損なわ
ずに基板を加熱することができる。
離して設けたので、冷却手段が加熱プレートから熱伝導
で熱を奪うことがないから、基板の周囲を冷却するにも
かかわらず、加熱プレートの温度分布の均熱性を損なわ
ずに基板を加熱することができる。
【0013】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【0014】図1は、本発明に係る基板光照射処理装置
の第1実施例を示す全体縦断面図であり、ハウジング1
内の下方に基板冷却装置2が設けられ、その上方に基板
光照射処理装置3が設けられている。
の第1実施例を示す全体縦断面図であり、ハウジング1
内の下方に基板冷却装置2が設けられ、その上方に基板
光照射処理装置3が設けられている。
【0015】基板冷却装置2は、処理室4内に冷却プレ
ート5を設けるとともに、その冷却プレート5に形成し
た貫通孔6を通じて基板支持ピン7を昇降可能に設けて
構成され、基板支持ピン7を上昇させた状態で基板搬送
ロボット(図示せず)により基板Wの搬入・搬出を行
い、そして、基板支持ピン7を下降させることにより、
基板Wを冷却プレート5上に載置して支持できるように
なっている。図示しないが、基板支持ピン7…を一体的
に保持した支持部材8にエアシリンダが連動連結され、
そのエアシリンダの伸縮によって基板支持ピン7…を昇
降するように構成されている。
ート5を設けるとともに、その冷却プレート5に形成し
た貫通孔6を通じて基板支持ピン7を昇降可能に設けて
構成され、基板支持ピン7を上昇させた状態で基板搬送
ロボット(図示せず)により基板Wの搬入・搬出を行
い、そして、基板支持ピン7を下降させることにより、
基板Wを冷却プレート5上に載置して支持できるように
なっている。図示しないが、基板支持ピン7…を一体的
に保持した支持部材8にエアシリンダが連動連結され、
そのエアシリンダの伸縮によって基板支持ピン7…を昇
降するように構成されている。
【0016】基板光照射処理装置3は、処理室9内に、
板状ヒータ10などの加熱手段をアルミ製の伝熱プレー
ト11aと断熱プレート11bとで挟んだ加熱プレート
12を設けて構成されるとともに、基板冷却装置2にお
けると同様に、加熱プレート12に形成した貫通孔13
を通じて基板支持ピン14を昇降可能に設けて構成さ
れ、基板支持ピン14を上昇させた状態で基板搬送ロボ
ット(図示せず)により基板Wの搬入・搬出を行い、そ
して、基板支持ピン14を下降させることにより、搬入
した基板Wを加熱プレート12上に載置して支持し、高
温(例えば、 300℃〜350 ℃)で加熱処理するようにな
っている。図示しないが、基板支持ピン14…を一体的
に保持した支持部材15にエアシリンダが連動連結さ
れ、そのエアシリンダの伸縮によって基板支持ピン14
…を昇降するように構成されている。
板状ヒータ10などの加熱手段をアルミ製の伝熱プレー
ト11aと断熱プレート11bとで挟んだ加熱プレート
12を設けて構成されるとともに、基板冷却装置2にお
けると同様に、加熱プレート12に形成した貫通孔13
を通じて基板支持ピン14を昇降可能に設けて構成さ
れ、基板支持ピン14を上昇させた状態で基板搬送ロボ
ット(図示せず)により基板Wの搬入・搬出を行い、そ
して、基板支持ピン14を下降させることにより、搬入
した基板Wを加熱プレート12上に載置して支持し、高
温(例えば、 300℃〜350 ℃)で加熱処理するようにな
っている。図示しないが、基板支持ピン14…を一体的
に保持した支持部材15にエアシリンダが連動連結さ
れ、そのエアシリンダの伸縮によって基板支持ピン14
…を昇降するように構成されている。
【0017】また、加熱プレート12の上方に、熱源と
もなる紫外線ランプ16とレンズ17とシャッター18
とが設けられ、加熱プレート12によって基板Wを所要
温度に加熱した状態で基板Wに紫外線を照射し、レジス
ト硬化などの反応を生ずるように構成されている。紫外
線ランプ16が請求項1に記載するところの「光照射手
段」に相当する。
もなる紫外線ランプ16とレンズ17とシャッター18
とが設けられ、加熱プレート12によって基板Wを所要
温度に加熱した状態で基板Wに紫外線を照射し、レジス
ト硬化などの反応を生ずるように構成されている。紫外
線ランプ16が請求項1に記載するところの「光照射手
段」に相当する。
【0018】伝熱プレート11aは、図2の平面図、お
よび、図3の分解斜視図それぞれに示すように、平面視
において、四角形で、かつ、その上部側が円柱状に突出
され、円柱状部12aの上面が、基板Wと同等ないし僅
かに大きな面積で加熱面Hに形成されている。円柱状部
12aの下端側の周囲の台座部Bに周方向に所定間隔を
隔てて、微小量突出した突起19…が付設され、加熱プ
レート12の加熱面Hを囲む環状の冷却面Cを有する冷
却手段としての水冷ジャケット20が前記突起19…上
に台座部Bの上面と間隙を有した状態で載置されてい
る。
よび、図3の分解斜視図それぞれに示すように、平面視
において、四角形で、かつ、その上部側が円柱状に突出
され、円柱状部12aの上面が、基板Wと同等ないし僅
かに大きな面積で加熱面Hに形成されている。円柱状部
12aの下端側の周囲の台座部Bに周方向に所定間隔を
隔てて、微小量突出した突起19…が付設され、加熱プ
レート12の加熱面Hを囲む環状の冷却面Cを有する冷
却手段としての水冷ジャケット20が前記突起19…上
に台座部Bの上面と間隙を有した状態で載置されてい
る。
【0019】直径6インチの半導体ウエハ用の装置にお
いて、加熱面Hの直径は 160mmに形成され、加熱面Hが
形成された前記円柱状部がはめ込まれるべき水冷ジャケ
ット20の円筒状穴20aの内径は 162mmに形成され、
加熱プレート12の円筒状部12aの横外周面と円筒状
穴20aの内周面とは1mmの間隔を保って設けられる。
突起19の高さは約1mmに形成され、水冷ジャケット2
0には、例えば、水温25℃の水を毎分 0.5〜 1.5リット
ル流すようにすれば良い。
いて、加熱面Hの直径は 160mmに形成され、加熱面Hが
形成された前記円柱状部がはめ込まれるべき水冷ジャケ
ット20の円筒状穴20aの内径は 162mmに形成され、
加熱プレート12の円筒状部12aの横外周面と円筒状
穴20aの内周面とは1mmの間隔を保って設けられる。
突起19の高さは約1mmに形成され、水冷ジャケット2
0には、例えば、水温25℃の水を毎分 0.5〜 1.5リット
ル流すようにすれば良い。
【0020】以上の構成により、加熱プレート12によ
る基板Wの加熱に際して、紫外線ランプ16から基板W
に紫外線を照射するとともに、それと同時に水冷ジャケ
ット20による冷却を行い、紫外線ランプ16から発生
する不要な熱線による熱を環状の冷却面Cで直接吸収す
るので、紫外線ランプ16から発せられる熱線で基板W
の周囲が昇温することが解消される。また、加熱プレー
ト12は基板Wとほぼ同等の大きさであるから、紫外線
ランプ16から発せられる熱線をほとんど受けなくてす
み、余分な熱量を受けないので、加熱プレート12の温
度は基板Wを加熱したい所望の温度に保たれる。
る基板Wの加熱に際して、紫外線ランプ16から基板W
に紫外線を照射するとともに、それと同時に水冷ジャケ
ット20による冷却を行い、紫外線ランプ16から発生
する不要な熱線による熱を環状の冷却面Cで直接吸収す
るので、紫外線ランプ16から発せられる熱線で基板W
の周囲が昇温することが解消される。また、加熱プレー
ト12は基板Wとほぼ同等の大きさであるから、紫外線
ランプ16から発せられる熱線をほとんど受けなくてす
み、余分な熱量を受けないので、加熱プレート12の温
度は基板Wを加熱したい所望の温度に保たれる。
【0021】以上のようにして、基板Wの周囲が高温に
加熱されるのを解消したり、加熱プレート12が紫外線
ランプ16にて加熱されるのを防止することができるの
で、各基板Wを均一性高い面内分布で加熱でき、しか
も、複数枚の基板Wを連続して加熱処理するような場合
にも、基板相互間の熱履歴を一定にすることができ、個
々の基板Wを面内分布の均一性高く処理でき、基板相互
間でも均一に処理できる。
加熱されるのを解消したり、加熱プレート12が紫外線
ランプ16にて加熱されるのを防止することができるの
で、各基板Wを均一性高い面内分布で加熱でき、しか
も、複数枚の基板Wを連続して加熱処理するような場合
にも、基板相互間の熱履歴を一定にすることができ、個
々の基板Wを面内分布の均一性高く処理でき、基板相互
間でも均一に処理できる。
【0022】さらに、水冷ジャケット20を加熱プレー
ト12との間を離して、間隙を有して設けたので、水冷
ジャケット20が加熱プレート12に冷却効果を与えず
にすみ、加熱プレート12の均熱性を損なわずに基板W
を加熱することができる。したがって、基板Wの面内の
温度分布の均一性を阻害しないようにして、基板周囲を
冷却することができる。
ト12との間を離して、間隙を有して設けたので、水冷
ジャケット20が加熱プレート12に冷却効果を与えず
にすみ、加熱プレート12の均熱性を損なわずに基板W
を加熱することができる。したがって、基板Wの面内の
温度分布の均一性を阻害しないようにして、基板周囲を
冷却することができる。
【0023】上述のようにして基板光照射処理装置3で
高温処理した基板Wは、その後に基板冷却装置2で目標
温度まで冷却するようになっている。
高温処理した基板Wは、その後に基板冷却装置2で目標
温度まで冷却するようになっている。
【0024】図4は、第2実施例を示す分解斜視図であ
り、加熱プレート12の、伝熱プレート11aの台座部
Bよりも下方の部分が円柱形状に構成され、そして、水
冷ジャケット20もドーナツ状に構成されている。他の
構成は第1実施例と同じである。
り、加熱プレート12の、伝熱プレート11aの台座部
Bよりも下方の部分が円柱形状に構成され、そして、水
冷ジャケット20もドーナツ状に構成されている。他の
構成は第1実施例と同じである。
【0025】図5は、第3実施例を示す縦断面図であ
り、第1および第2実施例における伝熱プレート11a
の台座部Bが無く、加熱プレート12が全体的に円柱形
状に構成され、そして、水冷ジャケット20も平面視ド
ーナツ形状の柱状に構成されている。他の構成は第1実
施例と同じである。
り、第1および第2実施例における伝熱プレート11a
の台座部Bが無く、加熱プレート12が全体的に円柱形
状に構成され、そして、水冷ジャケット20も平面視ド
ーナツ形状の柱状に構成されている。他の構成は第1実
施例と同じである。
【0026】図6は、第4実施例を示す概略平面図であ
り、水冷ジャケット20内にシリコンオイルがポンプP
を介して循環流動され、その循環配管21の途中箇所に
熱交換器22が介装されるとともに、熱交換器22に冷
却水供給用の配管23が接続されている。
り、水冷ジャケット20内にシリコンオイルがポンプP
を介して循環流動され、その循環配管21の途中箇所に
熱交換器22が介装されるとともに、熱交換器22に冷
却水供給用の配管23が接続されている。
【0027】上記第4実施例による場合、シリコンオイ
ルの方が水よりも沸点が高いために、その冷却に際して
の沸騰の虞が無く、また、例えば、熱交換器22から供
給するシリコンオイルの温度を 200℃にするなどによ
り、冷却速度を遅くするといったように除去する熱量を
調整しやすい利点がある。一方、第1ないし第3実施例
のように水を流して冷却する場合であれば、第4実施例
におけるような熱交換器22が不用で構成が簡単になる
利点が有る。
ルの方が水よりも沸点が高いために、その冷却に際して
の沸騰の虞が無く、また、例えば、熱交換器22から供
給するシリコンオイルの温度を 200℃にするなどによ
り、冷却速度を遅くするといったように除去する熱量を
調整しやすい利点がある。一方、第1ないし第3実施例
のように水を流して冷却する場合であれば、第4実施例
におけるような熱交換器22が不用で構成が簡単になる
利点が有る。
【0028】上述した冷却用の媒体としては、水やシリ
コンオイルに限らず、各種の液体や気体あるいは気液の
相変化を生じる冷媒など、各種のものを適用できる。
コンオイルに限らず、各種の液体や気体あるいは気液の
相変化を生じる冷媒など、各種のものを適用できる。
【0029】また、上記実施例では、加熱面Hと冷却面
Cとがほぼ面一になるように構成しているが、基板Wの
搬入・搬出に支障をきたさなければ、冷却面Cが加熱面
Hよりも高くなるようにしても良く、また、逆に冷却面
Cが加熱面Hよりもやや低くなるようにしても良い。
Cとがほぼ面一になるように構成しているが、基板Wの
搬入・搬出に支障をきたさなければ、冷却面Cが加熱面
Hよりも高くなるようにしても良く、また、逆に冷却面
Cが加熱面Hよりもやや低くなるようにしても良い。
【0030】また、上記実施例では、基板光照射処理装
置3を基板冷却装置2の上方に設けたものを示したが、
基板光照射処理装置3専用のもの、または、それら基板
光照射処理装置3を多段に設けたものなど各種のものに
適用できる。
置3を基板冷却装置2の上方に設けたものを示したが、
基板光照射処理装置3専用のもの、または、それら基板
光照射処理装置3を多段に設けたものなど各種のものに
適用できる。
【0031】また、上記実施例では、基板Wを加熱プレ
ート12上に直接載置して支持するようにしたが、例え
ば、加熱プレート12の加熱面Hに所定の深さの有底の
穴を複数形成し、この穴に穴の深さより大径の直径数百
ミクロンのセラミックボールを嵌入し、そのセラミック
ボールの上に基板Wを載せ、加熱プレート12と基板W
との間に所定の微小な隙間、いわゆるプロキシミティギ
ャップを保った状態で基板Wを支持するようにしても良
い。
ート12上に直接載置して支持するようにしたが、例え
ば、加熱プレート12の加熱面Hに所定の深さの有底の
穴を複数形成し、この穴に穴の深さより大径の直径数百
ミクロンのセラミックボールを嵌入し、そのセラミック
ボールの上に基板Wを載せ、加熱プレート12と基板W
との間に所定の微小な隙間、いわゆるプロキシミティギ
ャップを保った状態で基板Wを支持するようにしても良
い。
【0032】また、上記実施例では、基板の上方に紫外
線ランプ16を備え、フォトレジストが塗布された基板
を加熱プレート12で所要温度まで加熱した状態で、紫
外線を照射することで、フォトレジスト膜を強化する基
板光照射処理装置にて本件発明を適用した場合を説明し
たが、本件発明は、このようなフォトレジスト膜を強化
の処理に供する処理装置に限定されるものではない。ま
た、紫外線ランプに限らず、可視光ランプのようなその
他の光照射手段を使用した処理装置にも適用できる。ま
た、処理対象とする基板Wも、上記実施例のようにフォ
トレジストを塗布した半導体ウエハに限定しない。
線ランプ16を備え、フォトレジストが塗布された基板
を加熱プレート12で所要温度まで加熱した状態で、紫
外線を照射することで、フォトレジスト膜を強化する基
板光照射処理装置にて本件発明を適用した場合を説明し
たが、本件発明は、このようなフォトレジスト膜を強化
の処理に供する処理装置に限定されるものではない。ま
た、紫外線ランプに限らず、可視光ランプのようなその
他の光照射手段を使用した処理装置にも適用できる。ま
た、処理対象とする基板Wも、上記実施例のようにフォ
トレジストを塗布した半導体ウエハに限定しない。
【0033】本発明の基板光照射処理装置は、上述のよ
うな円形の基板Wに限らず、角形の基板を加熱処理する
ものにも適用できる。
うな円形の基板Wに限らず、角形の基板を加熱処理する
ものにも適用できる。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る基板
光照射処理装置によれば、加熱プレートで基板を所要温
度に加熱した状態で、上方に配置した光照射手段からの
光で基板を光照射処理するに際し、加熱プレートの上端
面の加熱面を囲むように、環状の冷却面を有する冷却手
段を設けたので、基板の周囲が、光照射手段から発せら
れる熱線による熱で加熱されることは無く、基板周囲か
らの熱を受けて加熱プレートが不均一な温度分布になる
ことを無くし、加熱プレートは基板を均一性高い面内分
布で加熱でき、個々の基板における処理の面内均一性が
高い。
光照射処理装置によれば、加熱プレートで基板を所要温
度に加熱した状態で、上方に配置した光照射手段からの
光で基板を光照射処理するに際し、加熱プレートの上端
面の加熱面を囲むように、環状の冷却面を有する冷却手
段を設けたので、基板の周囲が、光照射手段から発せら
れる熱線による熱で加熱されることは無く、基板周囲か
らの熱を受けて加熱プレートが不均一な温度分布になる
ことを無くし、加熱プレートは基板を均一性高い面内分
布で加熱でき、個々の基板における処理の面内均一性が
高い。
【0035】また、複数枚の基板を連続処理しても、基
板の周囲は冷却手段で冷却されているので、基板の周囲
にて光照射手段からの熱線による熱が蓄熱することはな
く、最初に処理した基板と途中の基板とを同じ状態で加
熱できる。このため、基板相互間での熱履歴が一定し、
基板相互間での処理の均一性も高い。
板の周囲は冷却手段で冷却されているので、基板の周囲
にて光照射手段からの熱線による熱が蓄熱することはな
く、最初に処理した基板と途中の基板とを同じ状態で加
熱できる。このため、基板相互間での熱履歴が一定し、
基板相互間での処理の均一性も高い。
【0036】さらに、冷却手段を加熱プレートとの間を
離して設けたので、冷却手段が加熱プレートから熱伝導
で熱を奪うことがないから、基板の周囲を冷却するにも
かかわらず、加熱プレートの温度分布の均熱性を損なわ
ずに基板を加熱することができる。
離して設けたので、冷却手段が加熱プレートから熱伝導
で熱を奪うことがないから、基板の周囲を冷却するにも
かかわらず、加熱プレートの温度分布の均熱性を損なわ
ずに基板を加熱することができる。
【図1】本発明に係る基板光照射処理装置の第1実施例
を示す全体縦断面図である。
を示す全体縦断面図である。
【図2】要部の平面図である。
【図3】分解斜視図である。
【図4】第2実施例を示す分解斜視図である。
【図5】第3実施例を示す概略縦断面図である。
【図6】第4実施例を示す概略平面図である。
10…加熱手段としての板状ヒータ 12…加熱プレート 16…光照射手段としての紫外線ランプ 18…冷却手段としての水冷ジャケット C…冷却面 H…加熱面 W…基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三橋 毅 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大 日本スクリーン製造株式会社 洛西工場 内 (56)参考文献 特開 平4−321217(JP,A) 特開 平3−228312(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/027 H01L 21/324
Claims (1)
- 【請求項1】 加熱手段を有し、上端面が基板を支持し
て加熱する加熱面をなす加熱プレートと、前記基板の上
方に配置された光照射手段を備え、基板を前記加熱プレ
ートで所要温度にした状態で、前記光照射手段からの光
を基板に照射するようにした基板光照射処理装置におい
て、 前記加熱プレートの加熱面を囲む環状の冷却面を有する
冷却手段を、前記加熱プレートとの間を離して設けたこ
とを特徴とする基板光照射処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26585193A JP2803984B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 基板光照射処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26585193A JP2803984B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 基板光照射処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0799167A JPH0799167A (ja) | 1995-04-11 |
JP2803984B2 true JP2803984B2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=17422960
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26585193A Expired - Fee Related JP2803984B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 基板光照射処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2803984B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000306978A (ja) | 1999-02-15 | 2000-11-02 | Kokusai Electric Co Ltd | 基板処理装置、基板搬送装置、および基板処理方法 |
JP2008546203A (ja) * | 2005-06-01 | 2008-12-18 | マットソン テクノロジー インコーポレイテッド | パルス化された加熱処理の間に熱収支を最適化する方法 |
JP7117923B2 (ja) * | 2018-07-13 | 2022-08-15 | 株式会社Screenホールディングス | 塗布処理装置および塗布処理方法 |
-
1993
- 1993-09-28 JP JP26585193A patent/JP2803984B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0799167A (ja) | 1995-04-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5411076A (en) | Substrate cooling device and substrate heat-treating apparatus | |
US7772527B2 (en) | Heat reflector and substrate processing apparatus comprising the same | |
KR100886023B1 (ko) | 가열처리장치 | |
GB2317497A (en) | Semiconductor wafer thermal processing apparatus | |
JP2803984B2 (ja) | 基板光照射処理装置 | |
JPH11168056A (ja) | ウェハ保持装置 | |
KR100699738B1 (ko) | 열 보상 히터 모듈을 구비한 레이저 열처리 척 | |
JPH11111823A (ja) | 基板熱処理装置 | |
JPH0718323A (ja) | 熱処理装置 | |
US7384595B2 (en) | Heat-treating apparatus and heat-treating method | |
JP2000003843A (ja) | 基板熱処理装置 | |
JPS59178718A (ja) | 半導体基体の処理装置 | |
JP2004047911A (ja) | 熱処理装置 | |
JPH07254557A (ja) | 半導体ウェハの加熱・冷却方法及び加熱・冷却装置 | |
JPH06283493A (ja) | 基板冷却装置 | |
JP2005150696A (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
JP2000173946A (ja) | 基板熱処理方法および基板熱処理装置 | |
JP2000114151A (ja) | 基板加熱装置 | |
KR101537215B1 (ko) | 기판처리장치 | |
JP2003264157A (ja) | ウェハー加熱装置 | |
JP2003282558A (ja) | 熱処理装置 | |
JPH03204618A (ja) | バックライト装置 | |
US8724078B2 (en) | Device and method for drying a photomask | |
JP2006222214A (ja) | 熱処理装置 | |
JPS61260624A (ja) | 赤外線ランプ熱処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |