JP2803791B2 - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ワイドギャップ半導体
を使用した発光ダイオード、半導体レーザ等の半導体発
光素子の製造方法に関するものである。
を使用した発光ダイオード、半導体レーザ等の半導体発
光素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】青色ないし緑色領域にて発光し得る半導
体材料を用いて半導体発光素子を作製することが検討さ
れている。
体材料を用いて半導体発光素子を作製することが検討さ
れている。
【０００３】ＩｎＧａＡｌＮ系化合物半導体は、広いバ
ンドギャップを有し、直接遷移型バンド構造を有するこ
とから青色及び緑色発光素子への応用が期待されてい
る。
ンドギャップを有し、直接遷移型バンド構造を有するこ
とから青色及び緑色発光素子への応用が期待されてい
る。
【０００４】ＧａＮは、直接遷移型の半導体で、そのエ
ネルギーギャップが約３．３９ｅＶである。これを用い
ることにより約３６６ｎｍの紫外光の半導体発光素子を
作製し得る。このＧａＮに、II族原子をド−ピングする
と、青色領域に相当するエネルギーギャップの発光中心
を形成することが可能であり、これによって青色発光ダ
イオードを作製し得る。
ネルギーギャップが約３．３９ｅＶである。これを用い
ることにより約３６６ｎｍの紫外光の半導体発光素子を
作製し得る。このＧａＮに、II族原子をド−ピングする
と、青色領域に相当するエネルギーギャップの発光中心
を形成することが可能であり、これによって青色発光ダ
イオードを作製し得る。
【０００５】また、ＧａＮにＩｎを添加してなるＩｎＧ
ａＮは、直接遷移型の半導体で青色・緑色発光を得るこ
とが可能である。このＩｎＧａＮを用いることにより、
高効率の発光ダイオードおよび可視半導体レーザを得る
ことが期待されている。
ａＮは、直接遷移型の半導体で青色・緑色発光を得るこ
とが可能である。このＩｎＧａＮを用いることにより、
高効率の発光ダイオードおよび可視半導体レーザを得る
ことが期待されている。
【０００６】さらに、上記ＧａＮまたはＩｎＧａＮにお
いて、結晶中に含まれるＧａを一部あるいはすべてＡｌ
に置換することによって、結晶の格子定数をほとんど変
化させることなく結晶のエネルギーギャップを増大させ
ることができ、かつ結晶の屈折率を低くすることができ
る。このように上記ＧａがＡｌに置換された結晶と、Ｇ
ａＮあるいはＩｎＧａＮとを用いてヘテロ接合を形成す
ることにより、さらに高効率の発光ダイオードおよび半
導体レーザを実現にすることが可能である。
いて、結晶中に含まれるＧａを一部あるいはすべてＡｌ
に置換することによって、結晶の格子定数をほとんど変
化させることなく結晶のエネルギーギャップを増大させ
ることができ、かつ結晶の屈折率を低くすることができ
る。このように上記ＧａがＡｌに置換された結晶と、Ｇ
ａＮあるいはＩｎＧａＮとを用いてヘテロ接合を形成す
ることにより、さらに高効率の発光ダイオードおよび半
導体レーザを実現にすることが可能である。
【０００７】ところで、ＧａＮ層を基板上に成長させる
方法としては、ＭＯＶＰＥ（有機金属化合物気相成長
法）、ガスソースＭＢＥ（分子線成長法）が用いられて
いる。しかし、例えばＧａＮに、Ｍｇ等のアクセプター
となるべきドーパントをド−ピングすると、ＧａＮが高
抵抗化してしまい、ｐ型の導電性を示す低抵抗のＧａＮ
層を得ることができなかった。よって、ＧａＮを用いて
発光素子を作製する場合にｐｎ接合を形成することがで
きなかったので、量子効率に劣り、かつ駆動電圧の高い
ＭＩＳ（metal-insulator-semiconductor）構造を採用
しなければならなかった。
方法としては、ＭＯＶＰＥ（有機金属化合物気相成長
法）、ガスソースＭＢＥ（分子線成長法）が用いられて
いる。しかし、例えばＧａＮに、Ｍｇ等のアクセプター
となるべきドーパントをド−ピングすると、ＧａＮが高
抵抗化してしまい、ｐ型の導電性を示す低抵抗のＧａＮ
層を得ることができなかった。よって、ＧａＮを用いて
発光素子を作製する場合にｐｎ接合を形成することがで
きなかったので、量子効率に劣り、かつ駆動電圧の高い
ＭＩＳ（metal-insulator-semiconductor）構造を採用
しなければならなかった。
【０００８】最近、H.Amanoらにより、Japanese Journa
l of Applied Physics Vol.28 L2112(1989)において、
図６に示すような半導体発光素子が提案された。この半
導体発光素子は、サファイア基板６１上にＡｌＮバッフ
ァ層６２、アンドープｎ型ＧａＮ層６３およびＧａＮ層
６４が積層形成されている。上記ＧａＮ層６４にはＭｇ
がド−ピングされており、さらに、図中、斜線で示した
ＧａＮ層６４の中央部の領域６５には電子線６６が照射
されている。この電子線６６照射により、照射した部分
６５の電気的特性に変化が認められ、この照射部分６５
は比抵抗が数十Ω・ｃｍと抵抗が低減されたｐ型半導体
層となることが報告された。
l of Applied Physics Vol.28 L2112(1989)において、
図６に示すような半導体発光素子が提案された。この半
導体発光素子は、サファイア基板６１上にＡｌＮバッフ
ァ層６２、アンドープｎ型ＧａＮ層６３およびＧａＮ層
６４が積層形成されている。上記ＧａＮ層６４にはＭｇ
がド−ピングされており、さらに、図中、斜線で示した
ＧａＮ層６４の中央部の領域６５には電子線６６が照射
されている。この電子線６６照射により、照射した部分
６５の電気的特性に変化が認められ、この照射部分６５
は比抵抗が数十Ω・ｃｍと抵抗が低減されたｐ型半導体
層となることが報告された。
【０００９】この電気的特性の変化は、結晶中の格子間
位置にあった不活性Ｍｇ原子が、電子線照射により励起
されて結晶格子中のＧａ原子と置換され、Ｇａ原子の格
子位置に入りアクセプタとして活性化されたため生じた
と推測される。
位置にあった不活性Ｍｇ原子が、電子線照射により励起
されて結晶格子中のＧａ原子と置換され、Ｇａ原子の格
子位置に入りアクセプタとして活性化されたため生じた
と推測される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記電子線は
加速電圧が高いため、電子線を照射することにより結晶
中の他の原子にもその影響が及び、格子欠陥が生じると
いう欠点がある。形成するｐ型層の層厚が厚い場合に
は、さらに高加速電圧の電子線が必要となるため、上記
格子欠陥が増大する。それにより、発光効率が低下す
る。特に半導体レーザの場合は、光導波領域に欠陥が生
じると信頼性が低下するため格子欠陥の問題は大きい。
加速電圧が高いため、電子線を照射することにより結晶
中の他の原子にもその影響が及び、格子欠陥が生じると
いう欠点がある。形成するｐ型層の層厚が厚い場合に
は、さらに高加速電圧の電子線が必要となるため、上記
格子欠陥が増大する。それにより、発光効率が低下す
る。特に半導体レーザの場合は、光導波領域に欠陥が生
じると信頼性が低下するため格子欠陥の問題は大きい。
【００１１】さらに、上記半導体発光素子においては、
成長が完了し既にアクセプターがド−ピングされた層に
電子線を照射して低抵抗のｐ型層が作製されるため、製
造工程数が多くなる。しかも、ｐ型層の厚さを制御する
ことは困難である。特に、上記ｐ型層を厚くすること
は、電子線が届き得る層厚に限界があるため制限され
る。また、ｐ型層中のキャリア濃度の制御も困難であ
る。
成長が完了し既にアクセプターがド−ピングされた層に
電子線を照射して低抵抗のｐ型層が作製されるため、製
造工程数が多くなる。しかも、ｐ型層の厚さを制御する
ことは困難である。特に、上記ｐ型層を厚くすること
は、電子線が届き得る層厚に限界があるため制限され
る。また、ｐ型層中のキャリア濃度の制御も困難であ
る。
【００１２】本発明は上記欠点を解決しようとするもの
であり、ｐ型層において格子欠陥がなく、高効率で発光
でき、高信頼性を有しかつキャリア濃度およびｐ型層の
層厚の制御が容易である半導体発光素子の製造方法を提
供することを目的とする。
であり、ｐ型層において格子欠陥がなく、高効率で発光
でき、高信頼性を有しかつキャリア濃度およびｐ型層の
層厚の制御が容易である半導体発光素子の製造方法を提
供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、ｐ型Ｉｎ1-x
（ＧａyＡｌ1-y）xＮ層（ｘは０より大で１以下、ｙは
０以上１以下である）を備えた半導体素子の製造方法で
あって、Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y）xＮのうちの窒素原子
または該窒素原子を含有するガスと、III族原子または
該III族原子を含有するガスとを交互に成長面に供給
し、かつ、III族原子または該III族原子を含有するガス
とのいずれかとともにアクセプターとなるドーパントを
含有するガスを該成長面に供給して該ｐ型Ｉｎ1-x（Ｇ
ａyＡｌ1-y）xＮ層を成長させる工程を含み、そのこと
により、上記目的が達成される。
（ＧａyＡｌ1-y）xＮ層（ｘは０より大で１以下、ｙは
０以上１以下である）を備えた半導体素子の製造方法で
あって、Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y）xＮのうちの窒素原子
または該窒素原子を含有するガスと、III族原子または
該III族原子を含有するガスとを交互に成長面に供給
し、かつ、III族原子または該III族原子を含有するガス
とのいずれかとともにアクセプターとなるドーパントを
含有するガスを該成長面に供給して該ｐ型Ｉｎ1-x（Ｇ
ａyＡｌ1-y）xＮ層を成長させる工程を含み、そのこと
により、上記目的が達成される。
【００１４】さらに、前記成長面に光を照射しながらｐ
型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層を成長させると好まし
い。
型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層を成長させると好まし
い。
【００１５】
【作用】本発明にあっては、基板上の成長面に、Ｉｎ
1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎに含有される窒素原子とIII族
原子とを交互に供給してＩｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層
を成長させる。その際、窒素原子またはIII族原子のい
ずれかと同時にアクセプターを供給する。そのためドー
パントのマイグレーションが増大するため、このドーパ
ントはアクセプターとなり得る格子位置に確実に入るこ
とができる。成長と同時に上記Ｉｎ1-x（ＧａyＡ
ｌ1-y） x Ｎ層はｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層とな
るので、層厚およびキャリア濃度の制御が容易になる。
1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎに含有される窒素原子とIII族
原子とを交互に供給してＩｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層
を成長させる。その際、窒素原子またはIII族原子のい
ずれかと同時にアクセプターを供給する。そのためドー
パントのマイグレーションが増大するため、このドーパ
ントはアクセプターとなり得る格子位置に確実に入るこ
とができる。成長と同時に上記Ｉｎ1-x（ＧａyＡ
ｌ1-y） x Ｎ層はｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層とな
るので、層厚およびキャリア濃度の制御が容易になる。
【００１６】また、上記成長面に光を照射すると、その
エネルギーによって上記マイグレーションをさらに増大
することができる。
エネルギーによって上記マイグレーションをさらに増大
することができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【００１８】（実施例１） 図１は本発明の実施例１の半導体発光素子を示す縦断面
図である。
図である。
【００１９】この半導体素子は、サファイア基板１の
（０００１）面上に、ＡｌＮバッファ層２、ｎ型Ｉｎ
1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎ層３（ｗは０より大で１以下、
ｚは０以上１以下である）、ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ
1-y） x Ｎ層４（ｘは０より大で１以下、ｙは０以上１以
下である）が積層形成されている。該ｐ型Ｉｎ1-x（Ｇ
ａyＡｌ1-y） x Ｎ層４およびｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡ
ｌ1-z） w Ｎ層３は、ｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎ層
３が露出するように部分的に除去されており、露出され
たｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎ層３の上には、ｎ型
Ａｌ電極５が設けられ、残存するｐ型Ｉｎ1-xＧａyＡｌ
1-y） x Ｎ層４上にはｐ型Ａｌ電極６が設けられている。
（０００１）面上に、ＡｌＮバッファ層２、ｎ型Ｉｎ
1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎ層３（ｗは０より大で１以下、
ｚは０以上１以下である）、ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ
1-y） x Ｎ層４（ｘは０より大で１以下、ｙは０以上１以
下である）が積層形成されている。該ｐ型Ｉｎ1-x（Ｇ
ａyＡｌ1-y） x Ｎ層４およびｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡ
ｌ1-z） w Ｎ層３は、ｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎ層
３が露出するように部分的に除去されており、露出され
たｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎ層３の上には、ｎ型
Ａｌ電極５が設けられ、残存するｐ型Ｉｎ1-xＧａyＡｌ
1-y） x Ｎ層４上にはｐ型Ａｌ電極６が設けられている。
【００２０】この半導体発光素子は、以下のようにして
作製される。上記各半導体層の成長方法としては、ＭＯ
ＶＰＥ法またはガスソースＭＢＥ法が好ましい。上記各
半導体層を構成する原子のソースおよびドーパント原料
としては、以下の化合物を用いることができる。
作製される。上記各半導体層の成長方法としては、ＭＯ
ＶＰＥ法またはガスソースＭＢＥ法が好ましい。上記各
半導体層を構成する原子のソースおよびドーパント原料
としては、以下の化合物を用いることができる。
【００２１】Ｇａソース：トリメチルガリウム（ＴＭ
Ｇ）またはトリエチルガリウム（ＴＥＧ）等、 Ａｌソース：トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）または
トリエチルアルミニウム（ＴＥＡ）等、 Ｉｎソース：トリメチルインジウム（ＴＭＩ）またはト
リエチルインジウム（ＴＥＩ）等、 Ｎソース：アンモニア（ＮＨ3）等、 ドーパントガス：シラン（ＳｉＨ4）（ｎ型ドーパント
用）およびビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃ
ｐ2Ｍｇ）（ｐ型ドーパント用）等。
Ｇ）またはトリエチルガリウム（ＴＥＧ）等、 Ａｌソース：トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）または
トリエチルアルミニウム（ＴＥＡ）等、 Ｉｎソース：トリメチルインジウム（ＴＭＩ）またはト
リエチルインジウム（ＴＥＩ）等、 Ｎソース：アンモニア（ＮＨ3）等、 ドーパントガス：シラン（ＳｉＨ4）（ｎ型ドーパント
用）およびビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃ
ｐ2Ｍｇ）（ｐ型ドーパント用）等。
【００２２】まず、ウェハー状のサファイア基板１を基
板温度１１５０℃にてサーマルクリーニングする。その
後、基板温度を６００℃に下げ、基板１の（０００１）
面上ＡｌＮバッファ層２を成長させ、続いて、基板温度
を８００℃に上げてｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎ層
３を成長させる。上記バッファ層２、ｎ型Ｉｎ1-w（Ｇ
ａzＡｌ1-z） w Ｎ層３が積層された基板１上に、Ａｒレ
ーザを照射し、例えば、上記ＴＭＧ、ＴＭＩおよびＣｐ
2Ｍｇの供給とＮＨ3ガスの供給とを交互に行いながらｐ
型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層４を成長させる。
板温度１１５０℃にてサーマルクリーニングする。その
後、基板温度を６００℃に下げ、基板１の（０００１）
面上ＡｌＮバッファ層２を成長させ、続いて、基板温度
を８００℃に上げてｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎ層
３を成長させる。上記バッファ層２、ｎ型Ｉｎ1-w（Ｇ
ａzＡｌ1-z） w Ｎ層３が積層された基板１上に、Ａｒレ
ーザを照射し、例えば、上記ＴＭＧ、ＴＭＩおよびＣｐ
2Ｍｇの供給とＮＨ3ガスの供給とを交互に行いながらｐ
型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層４を成長させる。
【００２３】図５は、本発明において、ｐ型Ｉｎ
1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層４を構成する各原子が基板上
に供給されて層４が成長される状態を示す模式図であ
る。この図においては、III族原子５２の格子位置に配
された場合にアクセプターとして活性化されるドーパン
ト５１を用いた例を示す。このようなドーパント５１と
しては、例えば上記Ｍｇ等が挙げられる。
1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層４を構成する各原子が基板上
に供給されて層４が成長される状態を示す模式図であ
る。この図においては、III族原子５２の格子位置に配
された場合にアクセプターとして活性化されるドーパン
ト５１を用いた例を示す。このようなドーパント５１と
しては、例えば上記Ｍｇ等が挙げられる。
【００２４】Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層４中では、
上記ドーパント５１はＩｎ、Ｇａ、ＡｌのIII族原子５
２の位置に置換された場合にアクセプタとして活性化さ
れ、それによりＩｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層４の導電
型はｐ型となる。上記ドーパント５１が結晶中において
格子間位置に配されると、該ドーパント５１はアクセプ
タとして活性化されない。
上記ドーパント５１はＩｎ、Ｇａ、ＡｌのIII族原子５
２の位置に置換された場合にアクセプタとして活性化さ
れ、それによりＩｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層４の導電
型はｐ型となる。上記ドーパント５１が結晶中において
格子間位置に配されると、該ドーパント５１はアクセプ
タとして活性化されない。
【００２５】ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y）xＮ層４を成
長させる際に、III族原子５２と窒素原子５３とを成長
面に交互に供給する。その際、上記ドーパント５１を上
記III族原子５２と同時に該成長面に供給する。III族原
子５２と上記ドーパント５１を供給している間は、窒素
原子５３の供給は停止される。これにより、成長面にお
けるこれら原子のマイグレーションが増大し、上記ドー
パント５１はアクセプターとして機能し得る格子位置に
確実に取り込まれることができる。よって上記ドーパン
ト５１が格子間位置に入ることがなく、しかも、ｐ型Ｉ
ｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y）xＮ層４に、電子線照射を行った
場合に生じるような格子欠陥が生じない。
長させる際に、III族原子５２と窒素原子５３とを成長
面に交互に供給する。その際、上記ドーパント５１を上
記III族原子５２と同時に該成長面に供給する。III族原
子５２と上記ドーパント５１を供給している間は、窒素
原子５３の供給は停止される。これにより、成長面にお
けるこれら原子のマイグレーションが増大し、上記ドー
パント５１はアクセプターとして機能し得る格子位置に
確実に取り込まれることができる。よって上記ドーパン
ト５１が格子間位置に入ることがなく、しかも、ｐ型Ｉ
ｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y）xＮ層４に、電子線照射を行った
場合に生じるような格子欠陥が生じない。
【００２６】ところで、基板表面における吸着分子の拡
散および、ドーパントの格子位置への取り込みにおける
障壁は１〜数ｅＶであるので、このエネルギーに相当す
る帯域波長の光を照射すると、さらに原子のマイグレー
ションが促進される。すなわちドーパント５１が供給さ
れる際に、レーザ等の光照射が行われると上記マイグレ
ーションがさらに促進される。この実施例では波長５１
４〜５２８ｎｍのＡｒレーザを用いた。
散および、ドーパントの格子位置への取り込みにおける
障壁は１〜数ｅＶであるので、このエネルギーに相当す
る帯域波長の光を照射すると、さらに原子のマイグレー
ションが促進される。すなわちドーパント５１が供給さ
れる際に、レーザ等の光照射が行われると上記マイグレ
ーションがさらに促進される。この実施例では波長５１
４〜５２８ｎｍのＡｒレーザを用いた。
【００２７】ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層４形成
後、ドライエッチングによって、ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡ
ｌ1-y） x Ｎ層４をｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎ層３
の内部に達する深さまで部分的に除去する。露出された
ｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎ層３上に、ｎ型Ａｌ電
極５を蒸着し、残存するｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x
Ｎ層４上にｐ型Ａｌ電極６を蒸着する。各Ａｌ電極５、
６形成後、ウェハー状の該基板１はダイシングによって
チップに分割され半導体発光素子となる。
後、ドライエッチングによって、ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡ
ｌ1-y） x Ｎ層４をｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎ層３
の内部に達する深さまで部分的に除去する。露出された
ｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎ層３上に、ｎ型Ａｌ電
極５を蒸着し、残存するｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x
Ｎ層４上にｐ型Ａｌ電極６を蒸着する。各Ａｌ電極５、
６形成後、ウェハー状の該基板１はダイシングによって
チップに分割され半導体発光素子となる。
【００２８】本実施例における上記半導体層２、３およ
び４の詳細は以下の通りである。
び４の詳細は以下の通りである。
【００２９】バッファ層２：ＡｌＮ、厚さ５００オング
ストローム、 ｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎ層３：Ｉｎ0.4Ｇａ0.6
Ｎ、厚さ３μｍ、 ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層４：Ｉｎ0.4Ｇａ0.6
Ｎ、厚さ１μｍ、 ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層４中のｐ型のキャリ
ア濃度：５×１０17ｃｍ-3。
ストローム、 ｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎ層３：Ｉｎ0.4Ｇａ0.6
Ｎ、厚さ３μｍ、 ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層４：Ｉｎ0.4Ｇａ0.6
Ｎ、厚さ１μｍ、 ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層４中のｐ型のキャリ
ア濃度：５×１０17ｃｍ-3。
【００３０】チップの大きさは３００μｍ×３００μｍ
とした。
とした。
【００３１】本実施例の半導体発光素子は、波長４７０
ｎｍの青色の高効率の発光が得られた。
ｎｍの青色の高効率の発光が得られた。
【００３２】（実施例２） 図２は本発明の実施例２の半導体発光素子を示す縦断面
図である。
図である。
【００３３】この半導体素子は、基板２１上に、ＡｌＮ
バッファ層２２、ｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎ層２
３、ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層２４が積層形成
されている。基板２１側にはｎ型電極２５が全面に形成
され、該ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層２４上には
ｐ型Ａｌ電極２６が形成されている。
バッファ層２２、ｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎ層２
３、ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層２４が積層形成
されている。基板２１側にはｎ型電極２５が全面に形成
され、該ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層２４上には
ｐ型Ａｌ電極２６が形成されている。
【００３４】実施例２の半導体発光素子においては、実
施例１と同じソースを用い得、実施例１と同様にして、
Ａｒレーザを基板２１上の成長面に照射しながら該成長
面にIII族原子およびドーパントの供給と窒素原子の供
給とが交互に行われることにより、ｐ型Ｉｎ1-x（Ｇａy
Ａｌ1-y） x Ｎ層２４が成長される。ウェハー状の基板２
１は、電極２５、２６が形成された後、ダイシングによ
ってチップに分割され、半導体発光素子となる。
施例１と同じソースを用い得、実施例１と同様にして、
Ａｒレーザを基板２１上の成長面に照射しながら該成長
面にIII族原子およびドーパントの供給と窒素原子の供
給とが交互に行われることにより、ｐ型Ｉｎ1-x（Ｇａy
Ａｌ1-y） x Ｎ層２４が成長される。ウェハー状の基板２
１は、電極２５、２６が形成された後、ダイシングによ
ってチップに分割され、半導体発光素子となる。
【００３５】この実施例においては、基板２１としてｎ
型ＺｎＯ基板を用い、ｎ型電極２５としてＩｎを用い
た。基板２１に積層された各半導体層２２、２３および
２４の詳細は、以下の通りである。
型ＺｎＯ基板を用い、ｎ型電極２５としてＩｎを用い
た。基板２１に積層された各半導体層２２、２３および
２４の詳細は、以下の通りである。
【００３６】バッファ層２２：ｎ型ＡｌＮ、厚さ５００
オングストローム、 ｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎ層２３：Ｉｎ0.4Ｇａ
0.6Ｎ、厚さ３μｍ、 ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層２４：Ｉｎ0.4Ｇａ
0.6Ｎ、厚さ１μｍ、 ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層２４中のｐ型のキャ
リア濃度：５×１０17ｃｍ-3。
オングストローム、 ｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎ層２３：Ｉｎ0.4Ｇａ
0.6Ｎ、厚さ３μｍ、 ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層２４：Ｉｎ0.4Ｇａ
0.6Ｎ、厚さ１μｍ、 ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層２４中のｐ型のキャ
リア濃度：５×１０17ｃｍ-3。
【００３７】本実施例の半導体発光素子は、波長４７０
ｎｍの青色発光が得られ、実施例１よりさらに高効率の
発光が得られた。
ｎｍの青色発光が得られ、実施例１よりさらに高効率の
発光が得られた。
【００３８】（実施例３） 図３は本発明の実施例３の半導体発光素子を示す縦断面
図である。
図である。
【００３９】この半導体素子は、基板３１上に、ＡｌＮ
バッファ層３２、ｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎクラ
ッド層３７、アンドープＩｎ1-s（ＧａtＡｌ1-t） s Ｎ活
性層３８（ｓは０より大で１以下、ｔは０以上１以下で
ある）、ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎクラッド層３
９、ｐ型Ｉｎ1-u（ＧａvＡｌ1-v） u Ｎ層３１０（ｕは０
より大で１以下、ｖは０以上１以下である）およびＳｉ
Ｎ絶縁膜３１１が積層形成されている。上記組成比ｚお
よびｙはｔ未満である。ＳｉＮ絶縁膜３１１は、幅１０
μｍのストライプ溝３１３がｐ型Ｉｎ1-u（ＧａvＡｌ
1-v） u Ｎ層３１０の表面に達する深さで形成されてお
り、その上にｐ型Ａｌ電極３１２が形成され、基板３１
側にはｎ型電極３５が全面に形成されている。
バッファ層３２、ｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎクラ
ッド層３７、アンドープＩｎ1-s（ＧａtＡｌ1-t） s Ｎ活
性層３８（ｓは０より大で１以下、ｔは０以上１以下で
ある）、ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎクラッド層３
９、ｐ型Ｉｎ1-u（ＧａvＡｌ1-v） u Ｎ層３１０（ｕは０
より大で１以下、ｖは０以上１以下である）およびＳｉ
Ｎ絶縁膜３１１が積層形成されている。上記組成比ｚお
よびｙはｔ未満である。ＳｉＮ絶縁膜３１１は、幅１０
μｍのストライプ溝３１３がｐ型Ｉｎ1-u（ＧａvＡｌ
1-v） u Ｎ層３１０の表面に達する深さで形成されてお
り、その上にｐ型Ａｌ電極３１２が形成され、基板３１
側にはｎ型電極３５が全面に形成されている。
【００４０】実施例３の半導体発光素子においては、実
施例１と同じソースを用い得、実施例１と同様にして、
Ａｒレーザを成長面に照射しながら上記ＴＭＩ、ＴＭ
Ｇ、ＴＭＡ、およびＣｐ2Ｍｇの供給とＮＨ3の供給とが
交互に行われることにより、ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ
1-y） x Ｎクラッド層３９、ｐ型Ｉｎ1-u（ＧａvＡ
ｌ1-v） u Ｎ層３１０が成長される。ＳｉＮ絶縁膜３１１
は、プラズマＣＶＤにより形成され、フォトリソグラフ
ィーおよび選択エッチングによって上記ストライプ溝３
１３が形成される。ドライエッチングによって共振器が
形成される。共振器形成後、ウェハー状の基板３１はチ
ップに分割されて半導体レーザとなる。
施例１と同じソースを用い得、実施例１と同様にして、
Ａｒレーザを成長面に照射しながら上記ＴＭＩ、ＴＭ
Ｇ、ＴＭＡ、およびＣｐ2Ｍｇの供給とＮＨ3の供給とが
交互に行われることにより、ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ
1-y） x Ｎクラッド層３９、ｐ型Ｉｎ1-u（ＧａvＡ
ｌ1-v） u Ｎ層３１０が成長される。ＳｉＮ絶縁膜３１１
は、プラズマＣＶＤにより形成され、フォトリソグラフ
ィーおよび選択エッチングによって上記ストライプ溝３
１３が形成される。ドライエッチングによって共振器が
形成される。共振器形成後、ウェハー状の基板３１はチ
ップに分割されて半導体レーザとなる。
【００４１】この実施例においては、基板３１としてｎ
型ＺｎＯ基板を用い、ｎ型電極３５としてＩｎを用い
た。各半導体層３２、３７、３８、３９および３１０の
詳細は、以下の通りである。
型ＺｎＯ基板を用い、ｎ型電極３５としてＩｎを用い
た。各半導体層３２、３７、３８、３９および３１０の
詳細は、以下の通りである。
【００４２】バッファ層３２：ｎ型ＡｌＮ、厚さ５００
オングストローム、 ｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎクラッド層３７：ｎ型
Ｉｎ0.4Ａｌ0.6Ｎ、厚さ２μｍ、 アンドープＩｎ1-s（ＧａtＡｌ1-t） s Ｎ活性層３８：ア
ンドープＩｎ0.4Ｇａ0.6Ｎ、厚さ０．１μｍ、 ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎクラッド層３９：ｐ型
Ｉｎ0.4Ａｌ0.6Ｎ、厚さ１μｍ、 ｐ型Ｉｎ1-u（ＧａvＡｌ1-v） u Ｎ層３１０：ｐ型Ｉｎ
0.4Ｇａ0.6Ｎ、厚さ０．２μｍ、 ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎクラッド層３９、ｐ型
Ｉｎ1-u（ＧａvＡｌ1-v） u Ｎ層３１０中のｐ型のキャリ
ア濃度：５×１０17ｃｍ-3。
オングストローム、 ｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎクラッド層３７：ｎ型
Ｉｎ0.4Ａｌ0.6Ｎ、厚さ２μｍ、 アンドープＩｎ1-s（ＧａtＡｌ1-t） s Ｎ活性層３８：ア
ンドープＩｎ0.4Ｇａ0.6Ｎ、厚さ０．１μｍ、 ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎクラッド層３９：ｐ型
Ｉｎ0.4Ａｌ0.6Ｎ、厚さ１μｍ、 ｐ型Ｉｎ1-u（ＧａvＡｌ1-v） u Ｎ層３１０：ｐ型Ｉｎ
0.4Ｇａ0.6Ｎ、厚さ０．２μｍ、 ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎクラッド層３９、ｐ型
Ｉｎ1-u（ＧａvＡｌ1-v） u Ｎ層３１０中のｐ型のキャリ
ア濃度：５×１０17ｃｍ-3。
【００４３】チップの大きさは３００μｍ×１０００μ
ｍとした。
ｍとした。
【００４４】本実施例の半導体発光素子は、７７Ｋにお
いて、レーザ発振がパルス駆動で得られた。
いて、レーザ発振がパルス駆動で得られた。
【００４５】（実施例４） 図４は本発明の実施例４の半導体発光素子を示す縦断面
図である。
図である。
【００４６】この半導体素子は、基板４１上に、ＡｌＮ
バッファ層４２、ｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎクラ
ッド層４７、アンドープＩｎ1-s（ＧａtＡｌ1-t） s Ｎ層
４８、ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎクラッド層４９
およびｐ型Ｉｎ1-u（ＧａvＡｌ1-v） u Ｎ層４１０が積層
形成されている。上記組成比ｚおよびｙはｔ未満であ
る。ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎクラッド層４９お
よびｐ型Ｉｎ1-u（ＧａvＡｌ1-v） u Ｎ層４１０には、ス
トライプ状に突出する幅１０μｍのリッジ部４１５が形
成されており、該リッジ部４１５の両側にはｎ型ＧａＡ
ｓ層４１４が形成されている。ｐ型Ｉｎ1-u（ＧａvＡｌ
1-v） u Ｎ層４１０およびｎ型ＧａＡｓ層４１４を覆って
ｐ型Ａｌ電極４１２が形成され、基板４１側にはｎ型電
極４５がその全面に形成されている。
バッファ層４２、ｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎクラ
ッド層４７、アンドープＩｎ1-s（ＧａtＡｌ1-t） s Ｎ層
４８、ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎクラッド層４９
およびｐ型Ｉｎ1-u（ＧａvＡｌ1-v） u Ｎ層４１０が積層
形成されている。上記組成比ｚおよびｙはｔ未満であ
る。ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎクラッド層４９お
よびｐ型Ｉｎ1-u（ＧａvＡｌ1-v） u Ｎ層４１０には、ス
トライプ状に突出する幅１０μｍのリッジ部４１５が形
成されており、該リッジ部４１５の両側にはｎ型ＧａＡ
ｓ層４１４が形成されている。ｐ型Ｉｎ1-u（ＧａvＡｌ
1-v） u Ｎ層４１０およびｎ型ＧａＡｓ層４１４を覆って
ｐ型Ａｌ電極４１２が形成され、基板４１側にはｎ型電
極４５がその全面に形成されている。
【００４７】実施例４の半導体発光素子は、以下のよう
にして作製される。まず、基板４１上に、ＡｌＮバッフ
ァ層４２からｐ型Ｉｎ1-u（ＧａvＡｌ1-v） u Ｎ層４１０
までを実施例３と同様の方法で積層する。
にして作製される。まず、基板４１上に、ＡｌＮバッフ
ァ層４２からｐ型Ｉｎ1-u（ＧａvＡｌ1-v） u Ｎ層４１０
までを実施例３と同様の方法で積層する。
【００４８】ｐ型Ｉｎ1-u（ＧａvＡｌ1-v） u Ｎ層４１０
上に、さらにＡｌ2Ｏ3膜（図示せず）を形成し、フォト
リソグラフィーおよびドライエッチングによって幅１０
μｍのストライプを残す。ストライプ状に残存したＡｌ
2Ｏ3膜をマスクとし、ｐ型Ｉｎ1-u（ＧａvＡｌ1-v） u Ｎ
層４１０およびｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層４９
をエッチングし、リッジ部４１５を形成する。エッチン
グ後、ＭＢＥ法またはＭＯＶＰＥ法によってｎ型ＧａＡ
ｓ層４１４層を成長させ、リッジ部４１５の上面に残存
するＡｌ2Ｏ3膜およびｎ型ＧａＡｓ層４１４をフォトリ
ソグラフィーおよび選択エッチングによって除去する。
ドライエッチングにより共振器が作製される。共振器形
成後、ウェハー状の基板４１はチップに分割され、半導
体レーザとなる。
上に、さらにＡｌ2Ｏ3膜（図示せず）を形成し、フォト
リソグラフィーおよびドライエッチングによって幅１０
μｍのストライプを残す。ストライプ状に残存したＡｌ
2Ｏ3膜をマスクとし、ｐ型Ｉｎ1-u（ＧａvＡｌ1-v） u Ｎ
層４１０およびｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層４９
をエッチングし、リッジ部４１５を形成する。エッチン
グ後、ＭＢＥ法またはＭＯＶＰＥ法によってｎ型ＧａＡ
ｓ層４１４層を成長させ、リッジ部４１５の上面に残存
するＡｌ2Ｏ3膜およびｎ型ＧａＡｓ層４１４をフォトリ
ソグラフィーおよび選択エッチングによって除去する。
ドライエッチングにより共振器が作製される。共振器形
成後、ウェハー状の基板４１はチップに分割され、半導
体レーザとなる。
【００４９】この実施例においては、基板４１としてｎ
型ＺｎＯ基板を用い、ｎ型電極４５としてＩｎを用い
た。各半導体層４２、４７、４８、４９および４１０の
詳細は、以下の通りである。
型ＺｎＯ基板を用い、ｎ型電極４５としてＩｎを用い
た。各半導体層４２、４７、４８、４９および４１０の
詳細は、以下の通りである。
【００５０】バッファ層４２：ｎ型ＡｌＮ、厚さ５００
オングストローム、 ｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎクラッド層４７：ｎ型
Ｉｎ0.4Ａｌ0.6Ｎ、厚さ２μｍ、 アンドープＩｎ1-s（ＧａtＡｌ1-t） s Ｎ活性層４８：ア
ンドープＩｎ0.4Ｇａ0.6Ｎ、厚さ０．１μｍ、 ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎクラッド層４９：ｐ型
Ｉｎ0.4Ａｌ0.6Ｎ、厚さ１μｍ、 ｐ型Ｉｎ1-u（ＧａvＡｌ1-v） u Ｎ層４１０：ｐ型Ｉｎ
0.4Ｇａ0.6Ｎ、厚さ０．２μｍ、 ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎクラッド層４９、ｐ型
Ｉｎ1-u（ＧａvＡｌ1-v） u Ｎ層４１０中のｐ型のキャリ
ア濃度：５×１０17ｃｍ-3。
オングストローム、 ｎ型Ｉｎ1-w（ＧａzＡｌ1-z） w Ｎクラッド層４７：ｎ型
Ｉｎ0.4Ａｌ0.6Ｎ、厚さ２μｍ、 アンドープＩｎ1-s（ＧａtＡｌ1-t） s Ｎ活性層４８：ア
ンドープＩｎ0.4Ｇａ0.6Ｎ、厚さ０．１μｍ、 ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎクラッド層４９：ｐ型
Ｉｎ0.4Ａｌ0.6Ｎ、厚さ１μｍ、 ｐ型Ｉｎ1-u（ＧａvＡｌ1-v） u Ｎ層４１０：ｐ型Ｉｎ
0.4Ｇａ0.6Ｎ、厚さ０．２μｍ、 ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎクラッド層４９、ｐ型
Ｉｎ1-u（ＧａvＡｌ1-v） u Ｎ層４１０中のｐ型のキャリ
ア濃度：５×１０17ｃｍ-3。
【００５１】チップの大きさは３００μｍ×１０００μ
ｍとした。
ｍとした。
【００５２】本実施例の半導体発光素子は、７７Ｋにお
いて、レーザ発振がパルス駆動で得られた。
いて、レーザ発振がパルス駆動で得られた。
【００５３】なお、上記実施例２、実施例３および実施
例４においては、基板２１、３１および４１としてｎ型
ＺｎＯ基板を用いたが、それ以外にｎ型ＳｉＣ基板等を
用いることができる。ｎ型ＳｉＣ基板等を用いた場合
は、ｎ型電極２５、３５および４５としてｎ型Ｎｉ／Ａ
ｕ電極を用いると好適である。
例４においては、基板２１、３１および４１としてｎ型
ＺｎＯ基板を用いたが、それ以外にｎ型ＳｉＣ基板等を
用いることができる。ｎ型ＳｉＣ基板等を用いた場合
は、ｎ型電極２５、３５および４５としてｎ型Ｎｉ／Ａ
ｕ電極を用いると好適である。
【００５４】
【発明の効果】本発明によれば、ｐ型ＩｎＧａＡｌＮ層
に格子欠陥がなく、高効率高信頼性の半導体発光素子を
提供することができる。
に格子欠陥がなく、高効率高信頼性の半導体発光素子を
提供することができる。
【００５５】本発明の半導体発光素子は、少ない工程数
で作製でき、かつｐ型ＩｎＧａＡｌＮ層の厚さおよびキ
ャリア濃度を容易に制御することができる。
で作製でき、かつｐ型ＩｎＧａＡｌＮ層の厚さおよびキ
ャリア濃度を容易に制御することができる。
【図１】本発明の実施例１の半導体発光素子を示す縦断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の実施例２の半導体発光素子を示す縦断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の実施例３の半導体発光素子を示す縦断
面図である。
面図である。
【図４】本発明の実施例４の半導体発光素子を示す縦断
面図である。
面図である。
【図５】ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層の成長工程
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図６】従来の半導体発光素子を示す模式図である。
１ 基板 ４ ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層 ２１ 基板 ２４ ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎ層 ３１ 基板 ３９ ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎクラッド層 ４１ 基板 ４９ ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y） x Ｎクラッド層 ５１ ドーパント ５２ III族原子 ５３ 窒素原子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ▲吉▼田 智彦 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 大林 健 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 幡 俊雄 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 須山 尚宏 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 33/00
Claims (2)
- 【請求項１】 ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y）xＮ層（ｘ
は０より大で１以下、ｙは０以上１以下である）を備え
た半導体素子の製造方法であって、Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ
1-y）xＮのうちの窒素原子または該窒素原子を含有する
ガスと、III族原子または該III族原子を含有するガスと
を交互に成長面に供給し、かつ、III族原子または該III
族原子を含有するガスとのいずれかとともにアクセプタ
ーとなるドーパントを含有するガスを該成長面に供給し
て該ｐ型Ｉｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y）xＮ層を成長させる工
程を含む半導体素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記成長面に光を照射しながら、ｐ型Ｉ
ｎ1-x（ＧａyＡｌ1-y）xＮ層を成長させる工程を含む請
求項１記載の半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14770492A JP2803791B2 (ja) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14770492A JP2803791B2 (ja) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | 半導体素子の製造方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13248498A Division JP3486340B2 (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 半導体素子の製造方法 |
| JP13248398A Division JP3025760B2 (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343737A JPH05343737A (ja) | 1993-12-24 |
| JP2803791B2 true JP2803791B2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=15436358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14770492A Expired - Lifetime JP2803791B2 (ja) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2803791B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6346720B1 (en) * | 1995-02-03 | 2002-02-12 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Layered group III-V compound semiconductor, method of manufacturing the same, and light emitting element |
| JPH11297631A (ja) * | 1998-04-14 | 1999-10-29 | Matsushita Electron Corp | 窒化物系化合物半導体の成長方法 |
| JP4511006B2 (ja) * | 2000-09-01 | 2010-07-28 | 独立行政法人理化学研究所 | 半導体の不純物ドーピング方法 |
| JP4528489B2 (ja) | 2003-01-27 | 2010-08-18 | 独立行政法人理化学研究所 | ｐ型半導体を用いた紫外発光素子 |
| JP2011151422A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-08-04 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | ｐ型ＡｌＧａＮ層およびＩＩＩ族窒化物半導体発光素子 |
| KR102062382B1 (ko) * | 2012-04-19 | 2020-01-03 | 서울반도체 주식회사 | 반도체 장치 및 이를 제조하는 방법 |
| JP6453542B2 (ja) * | 2013-02-14 | 2019-01-16 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | 半導体装置及びこれの製造方法 |
-
1992
- 1992-06-08 JP JP14770492A patent/JP2803791B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05343737A (ja) | 1993-12-24 |
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