JP2790605B2 - ペンタフルオロフェニルマグネシウム誘導体を用いたテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の製造方法 - Google Patents
ペンタフルオロフェニルマグネシウム誘導体を用いたテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
- C07F5/02—Boron compounds
- C07F5/027—Organoboranes and organoborohydrides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はペンタフルオロフェニル
マグネシウム誘導体を用いたテトラキス（ペンタフルオ
ロフェニル）ボレート誘導体の新規な製造方法に関す
る。本発明で得られるホウ素誘導体はカチオン錯体重合
反応の助触媒の中間体として極めて重要な物質である。
マグネシウム誘導体を用いたテトラキス（ペンタフルオ
ロフェニル）ボレート誘導体の新規な製造方法に関す
る。本発明で得られるホウ素誘導体はカチオン錯体重合
反応の助触媒の中間体として極めて重要な物質である。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体
とシクロペンタジエニル遷移金属錯体いわゆるメタロセ
ン誘導体を使用してカチオン錯体を発生させ、これを触
媒とした重合反応の研究の学術文献あるいは特許が著し
く増えている。例えば、Macromol. Chem. Rapid Commu
n.,２, p.p.663 〜 667 (1991) 等がある。しかし、従
来テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導
体の製造にはペンタフルオロフェニル基源として臭化ペ
ンタフルオロベンゼンより誘導したペンタフルオロフェ
ニルリチウムを使用するプロセスで製造されていた。
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体
とシクロペンタジエニル遷移金属錯体いわゆるメタロセ
ン誘導体を使用してカチオン錯体を発生させ、これを触
媒とした重合反応の研究の学術文献あるいは特許が著し
く増えている。例えば、Macromol. Chem. Rapid Commu
n.,２, p.p.663 〜 667 (1991) 等がある。しかし、従
来テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導
体の製造にはペンタフルオロフェニル基源として臭化ペ
ンタフルオロベンゼンより誘導したペンタフルオロフェ
ニルリチウムを使用するプロセスで製造されていた。
【０００３】また、ペンタフルオロフェニルリチウムは
温度が高くなるほど分解しやすくさらに−20℃以上にな
ると爆発的に分解するため、通常は−70℃程度の非常に
低い温度で発生させて同温度で使用する。従って、低温
の設備が必要となるためコスト面で非常に問題がありさ
らに製造時の安全面においても問題があった。
温度が高くなるほど分解しやすくさらに−20℃以上にな
ると爆発的に分解するため、通常は−70℃程度の非常に
低い温度で発生させて同温度で使用する。従って、低温
の設備が必要となるためコスト面で非常に問題がありさ
らに製造時の安全面においても問題があった。
【０００４】一方、実験化学講座12巻“有機金属化学”
P.307 （昭和51年３月20日発行；編者社団法人日本化
学；発行所丸善株式会社）に記載されているテトラフェ
ニルホウ酸ナトリウムの製造方法と同様な方法でテトラ
キス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体を製造
しようとすると収率良く製造することはできなかった。
P.307 （昭和51年３月20日発行；編者社団法人日本化
学；発行所丸善株式会社）に記載されているテトラフェ
ニルホウ酸ナトリウムの製造方法と同様な方法でテトラ
キス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体を製造
しようとすると収率良く製造することはできなかった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の状況
に鑑み、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー
ト誘導体を製造する際に、ペンタフルオロフェニルマグ
ネシウム誘導体をペンタフルオロフェニル基源として使
用しかつ非常に低い温度を使用しなくてもよい製造方法
を種々検討することにより本発明に至ったものである。
に鑑み、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー
ト誘導体を製造する際に、ペンタフルオロフェニルマグ
ネシウム誘導体をペンタフルオロフェニル基源として使
用しかつ非常に低い温度を使用しなくてもよい製造方法
を種々検討することにより本発明に至ったものである。
【０００６】即ち本発明の要旨とするところは、次の一
般式［IV］ （Ｃ6 Ｆ5 ）2-n ＭｇＸn ［IV］ （式中、ｎは０または１の整数を示し、Ｘはハロゲンを
示す。）で表されるペンタフルオロフェニルマグネシウ
ム誘導体のみをペンタフルオロフェニル基源として用い
ることを特徴とする、テトラキス（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート誘導体の製造方法に関する。
般式［IV］ （Ｃ6 Ｆ5 ）2-n ＭｇＸn ［IV］ （式中、ｎは０または１の整数を示し、Ｘはハロゲンを
示す。）で表されるペンタフルオロフェニルマグネシウ
ム誘導体のみをペンタフルオロフェニル基源として用い
ることを特徴とする、テトラキス（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート誘導体の製造方法に関する。
【０００７】
【作用】以下に、本発明を具体的に説明する。製造の具
体的な方法として以下順次説明する。鎖状エーテル系溶
媒あるいは鎖状エーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混合
溶液中、１当量の式［Ｉ］ ＢＸ3 ［Ｉ］ ［式中、Ｘはハロゲンあるいは次の一般式［II］ ＯＲ ［II］ （式中、Ｒは炭素数が１〜10の炭化水素基を示し、該炭
化水素基には反応に影響を及ぼさない官能基を含んでい
ても良い。）で表される置換基あるいは次の一般式[II
I] ＮＲＲ′ ［III] （式中、ＲおよびＲ′は同一のあるいは相異なる水素あ
るいは炭素数が１〜20の炭化水素基を示し、該炭化水素
基には反応に影響を及ぼさない官能基を含んでいても良
く、ＲおよびＲ′がそれぞれ結合して環を形成していて
も良い。）で表される置換基を示し、エーテル系溶媒と
の１対１の錯体を形成していても良い。］で表されるホ
ウ素化合物と 3.7当量以上の前記式［IV］で表されるペ
ンタフルオロフェニルマグネシウム誘導体を−40〜250
℃の範囲で混合し、50〜200 ℃の範囲で１時間以上反応
させることにより式［Ｖ］ ［（Ｃ6 Ｆ5 ）4 Ｂ］2-n ＭｇＸn ［Ｖ］ （式中、ｎは０または１の整数を示し、Ｘはハロゲンを
示す。）で表されるテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート誘導体を製造する。
体的な方法として以下順次説明する。鎖状エーテル系溶
媒あるいは鎖状エーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混合
溶液中、１当量の式［Ｉ］ ＢＸ3 ［Ｉ］ ［式中、Ｘはハロゲンあるいは次の一般式［II］ ＯＲ ［II］ （式中、Ｒは炭素数が１〜10の炭化水素基を示し、該炭
化水素基には反応に影響を及ぼさない官能基を含んでい
ても良い。）で表される置換基あるいは次の一般式[II
I] ＮＲＲ′ ［III] （式中、ＲおよびＲ′は同一のあるいは相異なる水素あ
るいは炭素数が１〜20の炭化水素基を示し、該炭化水素
基には反応に影響を及ぼさない官能基を含んでいても良
く、ＲおよびＲ′がそれぞれ結合して環を形成していて
も良い。）で表される置換基を示し、エーテル系溶媒と
の１対１の錯体を形成していても良い。］で表されるホ
ウ素化合物と 3.7当量以上の前記式［IV］で表されるペ
ンタフルオロフェニルマグネシウム誘導体を−40〜250
℃の範囲で混合し、50〜200 ℃の範囲で１時間以上反応
させることにより式［Ｖ］ ［（Ｃ6 Ｆ5 ）4 Ｂ］2-n ＭｇＸn ［Ｖ］ （式中、ｎは０または１の整数を示し、Ｘはハロゲンを
示す。）で表されるテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート誘導体を製造する。
【０００８】ここでいう鎖状エーテル系溶媒とはジエチ
ルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエー
テル、ジブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジペ
ンチルエーテル及びジイソペンチルエーテル等の飽和炭
化水素基を２つ持つエーテル類を示し、炭化水素系溶媒
とは沸点が50℃以上の脂肪族及び芳香族炭化水素系溶媒
を示す。
ルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエー
テル、ジブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジペ
ンチルエーテル及びジイソペンチルエーテル等の飽和炭
化水素基を２つ持つエーテル類を示し、炭化水素系溶媒
とは沸点が50℃以上の脂肪族及び芳香族炭化水素系溶媒
を示す。
【０００９】ペンタフルオロフェニルマグネシウム誘導
体の使用量は、式［Ｉ］で表されるホウ素化合物を反応
に用いる場合理論量としては４当量であるがここに示し
た3.7 当量未満の場合テトラキス（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート誘導体の収率の低下が顕著なため 3.7当
量以上の使用が望ましい。
体の使用量は、式［Ｉ］で表されるホウ素化合物を反応
に用いる場合理論量としては４当量であるがここに示し
た3.7 当量未満の場合テトラキス（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート誘導体の収率の低下が顕著なため 3.7当
量以上の使用が望ましい。
【００１０】また、式［VI］ （Ｃ6 Ｆ5 ）3 Ｂ ［VI］ で表されるトリス（ペンタフルオロフェニル）ボランあ
るいはトリス（ペンタフルオロフェニル）ボランとエー
テル系溶媒との１対１の錯体をホウ素化合物として用
い、これを式［IV］で表されるペンタフルオロフェニル
マグネシウム誘導体と反応させて式［Ｖ］で表されるテ
トラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体を
製造する反応を行わせる場合理論量としては１当量であ
るが式［VI］で表されるトリス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボランの使用量が 0.7当量未満の場合テトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の収率の低
下が顕著なため 0.7当量以上の使用が望ましい。
るいはトリス（ペンタフルオロフェニル）ボランとエー
テル系溶媒との１対１の錯体をホウ素化合物として用
い、これを式［IV］で表されるペンタフルオロフェニル
マグネシウム誘導体と反応させて式［Ｖ］で表されるテ
トラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体を
製造する反応を行わせる場合理論量としては１当量であ
るが式［VI］で表されるトリス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボランの使用量が 0.7当量未満の場合テトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の収率の低
下が顕著なため 0.7当量以上の使用が望ましい。
【００１１】ペンタフルオロフェニルマグネシウム誘導
体とホウ素化合物の混合温度は−40℃より低い温度でペ
ンタフルオロフェニルマグネシウム誘導体の種類によっ
て結晶化する場合があるためこれ以上の温度が望まし
く、 250℃より高い温度ではペンタフルオロフェニルマ
グネシウム誘導体の分解が起こるためこれ以下の温度が
望ましい。
体とホウ素化合物の混合温度は−40℃より低い温度でペ
ンタフルオロフェニルマグネシウム誘導体の種類によっ
て結晶化する場合があるためこれ以上の温度が望まし
く、 250℃より高い温度ではペンタフルオロフェニルマ
グネシウム誘導体の分解が起こるためこれ以下の温度が
望ましい。
【００１２】また、反応温度は50℃より低いと反応の進
行が極めて遅く 200℃より高いと生成したテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体が分解する
ため50〜200 ℃で反応させるのが望ましい。
行が極めて遅く 200℃より高いと生成したテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体が分解する
ため50〜200 ℃で反応させるのが望ましい。
【００１３】
【発明の効果】本発明は、ホウ素誘導体はカチオン錯体
重合反応の助触媒の中間体として極めて重要な物質であ
るテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導
体を−70℃の低温での反応が必要なペンタフルオロフェ
ニルリチウムを用いることなくペンタフルオロフェニル
マグネシウム誘導体より１工程で高収率で製造する方法
を提供できる点で発明の効果は甚大である。
重合反応の助触媒の中間体として極めて重要な物質であ
るテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導
体を−70℃の低温での反応が必要なペンタフルオロフェ
ニルリチウムを用いることなくペンタフルオロフェニル
マグネシウム誘導体より１工程で高収率で製造する方法
を提供できる点で発明の効果は甚大である。
【００１４】
【実施例】以下実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明
するが本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例
により何等の限定も受けるものではない。
するが本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例
により何等の限定も受けるものではない。
【００１５】（実施例１）充分に窒素置換した 200mlの
３つ口フラスコに18.5wt％の臭化ペンタフルオロフェニ
ルマグネシウムのジエチルエーテル溶液（60.2ｇ，41.2
mmol）に三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（1.37
ｇ，9.65mmol）とトルエン（43.4ｇ，50ml）を25〜30℃
で混合した。反応混合物を85℃に加熱して３時間攪拌し
た後、反応溶液を19Ｆ−ＮＭＲによりペンタフルオロト
ルエンを内部標準物質に用いて定量したところテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の収率は
100％であった。
３つ口フラスコに18.5wt％の臭化ペンタフルオロフェニ
ルマグネシウムのジエチルエーテル溶液（60.2ｇ，41.2
mmol）に三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（1.37
ｇ，9.65mmol）とトルエン（43.4ｇ，50ml）を25〜30℃
で混合した。反応混合物を85℃に加熱して３時間攪拌し
た後、反応溶液を19Ｆ−ＮＭＲによりペンタフルオロト
ルエンを内部標準物質に用いて定量したところテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の収率は
100％であった。
【００１６】（実施例２）充分に窒素置換した 200mlの
３つ口フラスコに18.5wt％の臭化ペンタフルオロフェニ
ルマグネシウムのジエチルエーテル溶液（60.2ｇ，41.2
mmol）に三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（1.39
ｇ，9.79mmol）とイソプロピルエーテル（21.8ｇ，30m
l）を25〜30℃で混合した。反応混合物を69℃に加熱し
て２時間攪拌した後、反応溶液を19Ｆ−ＮＭＲによりペ
ンタフルオロトルエンを内部標準物質に用いて定量した
ところテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート
誘導体の収率は93.9％であった。
３つ口フラスコに18.5wt％の臭化ペンタフルオロフェニ
ルマグネシウムのジエチルエーテル溶液（60.2ｇ，41.2
mmol）に三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（1.39
ｇ，9.79mmol）とイソプロピルエーテル（21.8ｇ，30m
l）を25〜30℃で混合した。反応混合物を69℃に加熱し
て２時間攪拌した後、反応溶液を19Ｆ−ＮＭＲによりペ
ンタフルオロトルエンを内部標準物質に用いて定量した
ところテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート
誘導体の収率は93.9％であった。
【００１７】（実施例３）充分に窒素置換した 200mlの
３つ口フラスコに18.5wt％の臭化ペンタフルオロフェニ
ルマグネシウムのジエチルエーテル溶液（54.2ｇ，37.1
mmol）に三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（1.25
ｇ，8.8mmol)とジブチルエーテル（22.9ｇ，30ml）を25
〜30℃で混合した。反応混合物を 130℃に加熱して２時
間攪拌した後、反応溶液を19Ｆ−ＮＭＲによりペンタフ
ルオロトルエンを内部標準物質に用いて定量したところ
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体
の収率は93.6％であった。
３つ口フラスコに18.5wt％の臭化ペンタフルオロフェニ
ルマグネシウムのジエチルエーテル溶液（54.2ｇ，37.1
mmol）に三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（1.25
ｇ，8.8mmol)とジブチルエーテル（22.9ｇ，30ml）を25
〜30℃で混合した。反応混合物を 130℃に加熱して２時
間攪拌した後、反応溶液を19Ｆ−ＮＭＲによりペンタフ
ルオロトルエンを内部標準物質に用いて定量したところ
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体
の収率は93.6％であった。
【００１８】（実施例４）充分に窒素置換した 500mlの
３つ口フラスコに18.5wt％の臭化ペンタフルオロフェニ
ルマグネシウムのジエチルエーテル溶液（131.65ｇ，9
0.1mmol）に三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（3.0
5ｇ，21.5mmol）とキシレン（86.8ｇ， 100ml）を25〜3
0℃で混合した。反応混合物を 120℃に加熱して２時間
攪拌した後、反応溶液を19Ｆ−ＮＭＲによりペンタフル
オロトルエンを内部標準物質に用いて定量したところテ
トラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の
収率は96.9％であった。
３つ口フラスコに18.5wt％の臭化ペンタフルオロフェニ
ルマグネシウムのジエチルエーテル溶液（131.65ｇ，9
0.1mmol）に三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（3.0
5ｇ，21.5mmol）とキシレン（86.8ｇ， 100ml）を25〜3
0℃で混合した。反応混合物を 120℃に加熱して２時間
攪拌した後、反応溶液を19Ｆ−ＮＭＲによりペンタフル
オロトルエンを内部標準物質に用いて定量したところテ
トラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の
収率は96.9％であった。
【００１９】（実施例５）充分に窒素置換した 200mlの
３つ口フラスコに18.5wt％の臭化ペンタフルオロフェニ
ルマグネシウムのジエチルエーテル溶液（60.2ｇ，41.2
mmol）に三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（1.37
ｇ，9.65mmol）とヘキサン（33.0ｇ，50ml）を25〜30℃
で混合した。反応混合物を50℃に加熱して２時間攪拌し
た後、反応溶液を19Ｆ−ＮＭＲによりペンタフルオロト
ルエンを内部標準物質に用いて定量したところテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の収率は
78.7％であった。
３つ口フラスコに18.5wt％の臭化ペンタフルオロフェニ
ルマグネシウムのジエチルエーテル溶液（60.2ｇ，41.2
mmol）に三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（1.37
ｇ，9.65mmol）とヘキサン（33.0ｇ，50ml）を25〜30℃
で混合した。反応混合物を50℃に加熱して２時間攪拌し
た後、反応溶液を19Ｆ−ＮＭＲによりペンタフルオロト
ルエンを内部標準物質に用いて定量したところテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の収率は
78.7％であった。
【００２０】（実施例６）充分に窒素置換した 200mlの
３つ口フラスコに18.5wt％の臭化ペンタフルオロフェニ
ルマグネシウムのジエチルエーテル溶液（60.2ｇ，41.2
mmol）に三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（1.39
ｇ，9.79mmol）とヘキサン（39.0ｇ，50ml）を25〜30℃
で混合した。反応混合物を80℃に加熱して３時間攪拌し
た後、反応溶液を19Ｆ−ＮＭＲによりペンタフルオロト
ルエンを内部標準物質に用いて定量したところテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の収率は
100％であった。
３つ口フラスコに18.5wt％の臭化ペンタフルオロフェニ
ルマグネシウムのジエチルエーテル溶液（60.2ｇ，41.2
mmol）に三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（1.39
ｇ，9.79mmol）とヘキサン（39.0ｇ，50ml）を25〜30℃
で混合した。反応混合物を80℃に加熱して３時間攪拌し
た後、反応溶液を19Ｆ−ＮＭＲによりペンタフルオロト
ルエンを内部標準物質に用いて定量したところテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の収率は
100％であった。
【００２１】（実施例７）充分に窒素置換した 300mlの
３つ口フラスコに18.5wt％の臭化ペンタフルオロフェニ
ルマグネシウムのジエチルエーテル溶液（60.2ｇ，41.2
mmol）に20.0wt％のトリス（ペンタフルオロフェニル）
ボラン（104.96ｇ，41.0mmol）のトルエン溶液を25〜30
℃で混合した。反応混合物を85℃に加熱して３時間攪拌
した後、反応溶液を19Ｆ−ＮＭＲによりペンタフルオロ
トルエンを内部標準物質に用いて定量したところテトラ
キス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の収率
は99.7％であった。
３つ口フラスコに18.5wt％の臭化ペンタフルオロフェニ
ルマグネシウムのジエチルエーテル溶液（60.2ｇ，41.2
mmol）に20.0wt％のトリス（ペンタフルオロフェニル）
ボラン（104.96ｇ，41.0mmol）のトルエン溶液を25〜30
℃で混合した。反応混合物を85℃に加熱して３時間攪拌
した後、反応溶液を19Ｆ−ＮＭＲによりペンタフルオロ
トルエンを内部標準物質に用いて定量したところテトラ
キス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の収率
は99.7％であった。
【００２２】（実施例８） 充分に窒素置換した３００ｍｌの３つ口フラスコに１
８．５ｗｔ％の臭化ペンタフルオロフェニルマグネシウ
ムのジエチルエーテル溶液（６０．２ｇ，４１．２ｍｍ
ｏｌ）に１ｍｏｌ／Ｌの三塩化ホウ素のヘキサン溶液
（１０．０ｍＬ，１０．０ｍｍｏｌ）とトルエン（１０
０ｍＬ）を２５〜３０℃で混合した。反応混合物を８５
℃に加熱して３時間攪拌した後、反応溶液を１９Ｆ−Ｎ
ＭＲによりペンタフルオロトルエンを内部標準物質に用
いて定量したところテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート誘導体の収率は９４．１％であった。
８．５ｗｔ％の臭化ペンタフルオロフェニルマグネシウ
ムのジエチルエーテル溶液（６０．２ｇ，４１．２ｍｍ
ｏｌ）に１ｍｏｌ／Ｌの三塩化ホウ素のヘキサン溶液
（１０．０ｍＬ，１０．０ｍｍｏｌ）とトルエン（１０
０ｍＬ）を２５〜３０℃で混合した。反応混合物を８５
℃に加熱して３時間攪拌した後、反応溶液を１９Ｆ−Ｎ
ＭＲによりペンタフルオロトルエンを内部標準物質に用
いて定量したところテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート誘導体の収率は９４．１％であった。
【００２３】（実施例９） 充分に窒素置換した３００ｍｌの３つ口フラスコに１
８．５ｗｔ％の臭化ペンタフルオロフェニルマグネシウ
ムのジエチルエーテル溶液（６０．２ｇ，４１．２ｍｍ
ｏｌ）にトリメチルホウ酸（１．０４ｇ，１０．０ｍｍ
ｏｌ）とトルエン（１００ｍＬ）を２５〜３０℃で混合
した。反応混合物を８５℃に加熱して３時間攪拌した
後、反応溶液を１９Ｆ−ＮＭＲによりペンタフルオロト
ルエンを内部標準物質に用いて定量したところテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の収率は
９１．２％であった。
８．５ｗｔ％の臭化ペンタフルオロフェニルマグネシウ
ムのジエチルエーテル溶液（６０．２ｇ，４１．２ｍｍ
ｏｌ）にトリメチルホウ酸（１．０４ｇ，１０．０ｍｍ
ｏｌ）とトルエン（１００ｍＬ）を２５〜３０℃で混合
した。反応混合物を８５℃に加熱して３時間攪拌した
後、反応溶液を１９Ｆ−ＮＭＲによりペンタフルオロト
ルエンを内部標準物質に用いて定量したところテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の収率は
９１．２％であった。
【００２４】（比較例）充分に窒素置換した 200mlの３
つ口フラスコに20.0wt％の臭化ペンタフルオロフェニル
マグネシウムのテトラヒドロフラン溶液（55.9ｇ，41.2
mmol）を装入し、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体
（1.39ｇ，9.79mmol）を25〜30℃で混合した。反応混合
物を25℃で12時間攪拌した後、反応溶液を19Ｆ−ＮＭＲ
によりペンタフルオロトルエンを内部標準物質に用いて
定量したところテトラキス（ペンタフルオロフェニル）
ボレート誘導体の収率は約50％であった。
つ口フラスコに20.0wt％の臭化ペンタフルオロフェニル
マグネシウムのテトラヒドロフラン溶液（55.9ｇ，41.2
mmol）を装入し、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体
（1.39ｇ，9.79mmol）を25〜30℃で混合した。反応混合
物を25℃で12時間攪拌した後、反応溶液を19Ｆ−ＮＭＲ
によりペンタフルオロトルエンを内部標準物質に用いて
定量したところテトラキス（ペンタフルオロフェニル）
ボレート誘導体の収率は約50％であった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石丸 研二 山口県新南陽市宮の前１丁目１番地 一 心寮 (56)参考文献 特開 昭53−68732（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C07F 5/02 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (2)
- 【請求項１】 次の一般式［Ｉ］ ＢＸ3 ［Ｉ］ ［式中、Ｘはハロゲンあるいは次の一般式［II］ ＯＲ ［II］ （式中、Ｒは炭素数が１〜10の炭化水素基を示し、該炭
化水素基には反応に影響を及ぼさない官能基を含んでい
ても良い。）で表される置換基あるいは次の一般式[II
I] ＮＲＲ′ ［III] （式中、ＲおよびＲ′は同一のあるいは相異なる水素あ
るいは炭素数が１〜20の炭化水素基を示し、該炭化水素
基には反応に影響を及ぼさない官能基を含んでいても良
く、ＲおよびＲ′がそれぞれ結合して環を形成していて
も良い。）で表される置換基を示し、エーテル系溶媒と
の１対１の錯体を形成していても良い。］で表されるホ
ウ素化合物を１当量に対し、次の一般式［IV］ （Ｃ6 Ｆ5 ）2-n ＭｇＸn ［IV］ （式中、ｎは０または１の整数を示し、Ｘはハロゲンを
示す。）で表されるペンタフルオロフェニルマグネシウ
ム誘導体 3.7当量以上を反応させ、次の一般式［Ｖ］ ［（Ｃ6 Ｆ5 ）4 Ｂ］2-n ＭｇＸn ［Ｖ］ （式中、ｎは０または１の整数を示し、Ｘはハロゲンを
示す。）で表されるテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート誘導体を製造する方法。 - 【請求項２】 次の一般式［VI］ （Ｃ6 Ｆ5 ）3 Ｂ ［VI］ で表されるトリス（ペンタフルオロフェニル）ボランあ
るいはトリス（ペンタフルオロフェニル）ボランとエー
テル系溶媒との１対１の錯体１当量に対し、次の一般式
［IV］ （Ｃ6 Ｆ5 ）2-n ＭｇＸn ［IV］ （式中、ｎは０または１の整数を示し、Ｘはハロゲンを
示す。）で表されるペンタフルオロフェニルマグネシウ
ム誘導体 0.7当量以上を反応させ、次の一般式［Ｖ］ ［（Ｃ6 Ｆ5 ）4 Ｂ］2-n ＭｇＸn ［Ｖ］ （式中、ｎは０または１の整数を示し、Ｘはハロゲンを
示す。）で表されるテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート誘導体を製造する方法。
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|---|---|---|---|
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| US08/170,762 US5488169A (en) | 1992-12-28 | 1993-12-21 | Method of producing tetrakis(pentafluorophenyl)borate derivatives using pentafluorophenylmagnesium derivatives |
| EP93120977A EP0604961A3 (en) | 1992-12-28 | 1993-12-27 | Process for the preparation of tetrakis (pentafluorophenyl) borate derivatives using pentafluorophenyl magnesium derivatives. |
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| WO1998034938A1 (fr) * | 1997-02-06 | 1998-08-13 | Showa Denko K.K. | Procede de production de composes au bore |
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