JP2783580B2 - Double hetero-type infrared light emitting device - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、GaAlAs層を用いた発光素子に関し、特に80
〜880nmの赤外光領域で高出力の発光素子として利用す
るものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial application field) The present invention relates to a light emitting device using a GaAlAs layer,
It is used as a high-output light emitting element in the infrared light range of 880880 nm.

（従来の技術） III−Ｖ族の化合物半導体結晶を利用する発光素子は
複数種類が実用化されており、その中でダブルヘテロ
（Double Hetero）構造のGaAlAsも開発を終えて市販さ
れている。この化合物半導体単結晶はいわゆる液相エピ
タキシャル（Epitaxial）成長法を利用する一方法に、
徐冷方式により成長させる方法が知られている。また、
発光波長が840±40nmの範囲にあるGaAlAs発光素子で
も、液相エピタキシャル成長を徐冷方式により施して製
造することも行われている。即ち、第５図ａに明らかな
ように、ｎ型GaAs基板50表面付近に両性不純物であるシ
リコンを添加してｎ型GaAs層51とｐ型GaAs層52を隣接し
て順次成長させて赤外光用発光素子を形成している。こ
のＰ型GaAs層52の露出表面部分には、Au−Be層からなる
電極53を、ｎ型GaAs基板50の露出表面全面にAu−Ge層か
らなる電極54を設置してホモ接合型発光素子を完成して
いる。また、第５図ｂにあるように、ｎ型GaAs基板（図
示せず）表面付近には、上記のようにシリコンなどの両
性不純物を導入してｎ型GaAlAs層55とｐ型GaAlAs層56を
隣接して順次成長させてからｎ型GaAs基板を除去し、電
極は第５図ａの例と同様に形成する。この結果、ｎ型Ga
AlAs層55から発光波長が840±40nmの赤外光を取出す型
も実用化されている。第６図a,bに従来素子の特性を明
らかにしたが、説明は後述する。(Prior Art) A plurality of types of light-emitting devices using III-V group compound semiconductor crystals have been put into practical use, and among them, GaAlAs having a double hetero structure has been developed and marketed. This compound semiconductor single crystal is used as one method utilizing a so-called liquid phase epitaxial (Epitaxial) growth method.
A method of growing by a slow cooling method is known. Also,
Some GaAlAs light emitting devices having an emission wavelength in the range of 840 ± 40 nm are also manufactured by performing liquid phase epitaxial growth by a slow cooling method. That is, as is apparent from FIG. 5A, silicon, which is an amphoteric impurity, is added to the vicinity of the surface of the n-type GaAs substrate 50, and the n-type GaAs layer 51 and the p-type GaAs layer 52 are successively grown adjacent to each other. A light emitting element for light is formed. An electrode 53 made of an Au-Be layer is provided on an exposed surface portion of the P-type GaAs layer 52, and an electrode 54 made of an Au-Ge layer is provided on the entire exposed surface of the n-type GaAs substrate 50. Has been completed. As shown in FIG. 5B, an n-type GaAlAs layer 55 and a p-type GaAlAs layer 56 are formed near the surface of an n-type GaAs substrate (not shown) by introducing an amphoteric impurity such as silicon as described above. After successively growing adjacently, the n-type GaAs substrate is removed, and electrodes are formed as in the example of FIG. 5A. As a result, n-type Ga
A type that extracts infrared light having an emission wavelength of 840 ± 40 nm from the AlAs layer 55 has also been put to practical use. 6a and 6b show the characteristics of the conventional device, and the description will be given later.

（発明が解決しようとする課題） このような発光素子の発光効率（Ｉ＝10mA）は、４〜
５％、GaAlAs素子の発光効率（Ｉ＝10mA）は、６〜７％
である。しかし、最近このような発光素子が利用されて
いるリモコン機器やフォトカプラなどにおける低電流駆
動では、発光出力不足のため単体で使用はできない。ま
た、高出力を得るため、２回目の発光素子による低電流
駆動を使う製品があるが、部品構造が複雑になる外に製
造工程が長い時間を要するなどの難点がある。(Problems to be Solved by the Invention) The luminous efficiency (I = 10 mA) of such a light emitting element is 4 to
5%, luminous efficiency (I = 10mA) of GaAlAs element is 6-7%
It is. However, low-current driving in a remote control device, a photocoupler, or the like in which such a light-emitting element is recently used cannot be used alone due to insufficient light-emission output. In addition, there is a product that uses a low-current drive by a second light emitting element in order to obtain a high output. However, there are disadvantages in that the component structure becomes complicated and the manufacturing process requires a long time.

同様に、高電流駆動すると高い発光出力が得られるも
のの、寿命が短く高発光出力を継続できない。Similarly, although high light emission output can be obtained by driving at a high current, the life is short and high light emission output cannot be continued.

本発明は、このような事情により成されたもので、発
光素子構造をＰ型GaAlAsクラッド層、Ｐ型GaAlAsアクテ
ィブ層及びＮ型GaAlAsクラッド層から成るダブルヘテロ
構造とし、更に、発光効率を向上して単体でもリモコン
（Remoto Controle）などへの適用を可能にすることを
目的とするものである。The present invention has been made under such circumstances, and the light emitting device structure has a double hetero structure including a P-type GaAlAs cladding layer, a P-type GaAlAs active layer and an N-type GaAlAs cladding layer, and further improves the luminous efficiency. It is intended to enable application to a remote control (Remoto Controle) or the like by itself.

〔発明の構成〕[Configuration of the invention]

（課題を解決するための手段） 本発明に係るダブルヘテロ型赤外光発光素子は、Ｐ型
GaAlAsクラッド層内に含有する不純物濃度が0.5×10¹⁷/
cm³以上、前記Ｐ型GaAlAsクラッド層に隣接するアクテ
ィブ層内の不純物濃度が１〜８×10¹⁷/cm³、Ｎ型GaAlAs
クラッド層内に含有する不純物濃度が0.5×10¹⁷/cm³以
上であり、各成長層厚さをＰ型クラッド層50〜200μ
ｍ、Ｐ型アクティブ層0.1〜２μｍ、Ｎ型クラッド層20
〜90μｍとする点に特徴がある。(Means for Solving the Problems) The double hetero type infrared light emitting device according to the present invention is a P-type infrared light emitting device.
The impurity concentration in the GaAlAs cladding layer is 0.5 × 10 ¹⁷ /
cm ³ or more, the impurity concentration in the active layer adjacent to the P-type GaAlAs cladding layer is 1 to 8 × 10 ¹⁷ / cm ³ , and the N-type GaAlAs
The impurity concentration in the cladding layer is 0.5 × 10 ¹⁷ / cm ³ or more, and the thickness of each growth layer is set to 50 to 200 μm for the P-type cladding layer.
m, P-type active layer 0.1 to 2 μm, N-type cladding layer 20
It is characterized in that the thickness is up to 90 μm.

（作 用） このダブルヘテロ型GaAlAs発光素子では徐冷法を利用
する液相エピタキシャル成長により、Ｐ型GaAs基板に亜
鉛を添加した高AlAs混晶比のＰ型GaAlAsクラッド層を形
成し、更に、発光波長を840±40nmとするのに必要なAlA
s混晶比を備えた亜鉛添加Ｐ型GaAlAsアクティブ層を設
け、これに隣接してテルル添加のＮ型GaAlAs層をＰ型Ga
AlAsクラッド層と同等のAlAs高混晶比に形成する。(Operation) In this double hetero-type GaAlAs light-emitting device, a P-type GaAlAs cladding layer having a high AlAs mixed crystal ratio, in which zinc is added, is formed on a P-type GaAs substrate by liquid phase epitaxial growth using a slow cooling method. AlA required for 840 ± 40nm
A zinc-doped P-type GaAlAs active layer having a mixed crystal ratio is provided, and a tellurium-doped N-type GaAlAs layer is formed adjacent to the zinc-doped P-type GaAlAs layer.
The AlAs cladding layer is formed to have the same high AlAs mixed crystal ratio.

混晶比について更に説明すると、本発明に係わるダブ
ルヘテロ型GaAlAs素子は、上記のように発光波長を840n
mとするようにアクティブ層を形成するために、GaAlAs
におけるAl混晶比は0.03程度にしており、発光波長が66
0nmのダブルヘテロ型GaAlAs発光素子におけるAl混晶比
0.35とは相違している。To further explain the mixed crystal ratio, the double hetero type GaAlAs device according to the present invention has an emission wavelength of 840 nm as described above.
GaAlAs to form the active layer
Is about 0.03, and the emission wavelength is 66
Al mixed crystal ratio in 0nm double hetero-type GaAlAs light emitting device
It is different from 0.35.

このAl混晶比を0.03程度にしたGaAlAs層を備えた発光
素子のダブルヘテロ構造は、高出力の赤外光発光素子が
得られるが、本発明では、各層の最適不純物濃度及び厚
さを見出だした事実を基に完成した。The double heterostructure of the light emitting device including the GaAlAs layer having the Al mixed crystal ratio of about 0.03 can provide a high-output infrared light emitting device. In the present invention, however, the optimum impurity concentration and thickness of each layer are determined. It was completed based on the facts that came out.

即ち、縦軸に不純物濃度/cm³、横軸に各層の厚さμｍ
を採った第１図ａに示すように、ハッチング（Hatchin
g）をした領域内に選定すると、従来のGaAsもしくはGaA
lAsからなり、しかも両性不純物であるSiを添加した発
光素子が得られる発光効率より優れたダブルヘテロ型Ga
AlAs発光素子が得られる。That is, the vertical axis represents the impurity concentration / cm ³ , and the horizontal axis represents the thickness μm of each layer.
As shown in FIG. 1a, the hatching (Hatchin
g), the conventional GaAs or GaAs
Double hetero-Ga with higher luminous efficiency than luminescence efficiency that can be obtained from a light emitting device made of lAs and doped with amphoteric impurity Si
An AlAs light emitting device is obtained.

このダブルヘテロ型GaAlAs発光素子は、上記のように
徐冷方式を利用する液相エピチキシャル成長法により形
成するが、冷却速度も発光効率と相関があることが判明
しており、第１表にこの相関と不純物濃度の調査結果を
明らかにするが、第６図a,bに従来素子、第１図a,bに本
発明素子における不純物濃度とPN接合との関係を示し
た。This double hetero-type GaAlAs light-emitting device is formed by the liquid phase epitaxial growth method using the slow cooling method as described above, and it has been found that the cooling rate also has a correlation with the luminous efficiency. 6a and 6b show the relationship between the impurity concentration and the PN junction in the device of the present invention, and FIGS. 6a and 6b show the relationship between the impurity concentration and the PN junction.

次に冷却速度（C.R.Cooling Rate:950℃〜780℃、ΔT
170℃）と発光効率の関係を第２表に示す。 Next, the cooling rate (CRC Cooling Rate: 950 ℃ ~ 780 ℃, ΔT
Table 2 shows the relationship between the luminous efficiency and 170 ° C.).

即ち、従来のGaAs LEDとGaAlAs LEDは、発光効率が平
均７％であるのに対して、本発明のように冷却速度0.5
℃／分で処理すると〜20％の発光効率が得られることが
判明した。 That is, while the conventional GaAs LED and GaAlAs LED have an average luminous efficiency of 7%, the cooling rate is 0.5% as in the present invention.
It has been found that a luminous efficiency of 2020% is obtained when the treatment is performed at a rate of ° C./min.

このように、従来技術より有利な発光効率を得るに
は、上記のように第１図の特殊な不純物領界に選定し、
それに厚さを絞ると良いことが判明し、従って、本発明
では、Ｐ型GaAlAsクラッド層内の亜鉛濃度を0.5×10¹⁷/
cm³以上、Ｐ型GaAlAsアクティブ層の亜鉛濃度を１〜８
×10¹⁷/cm³、Ｎ型GaAlAsクラッド層内のテルル濃度を0.
5×10¹⁷/cm³以上とし、更に、各々の厚さをＰ型GaAlAs
クラッド層を50〜200μｍ、Ｐ型GaAlAsアクティブ層を
0.1〜２μｍ、Ｎ型GaAlAsクラッド層を20〜90μｍに限
定する。As described above, in order to obtain a luminous efficiency more advantageous than the conventional technique, as described above, it is necessary to select a special impurity region in FIG.
It has been found that it is better to reduce the thickness, and therefore, in the present invention, the zinc concentration in the P-type GaAlAs cladding layer is set to 0.5 × 10 ¹⁷ /
cm ³ or more, the zinc concentration of the P-type GaAlAs active layer is 1 to 8
× 10 ¹⁷ / cm ³ , the tellurium concentration in the N-type GaAlAs cladding layer is set to 0.
5 × 10 ¹⁷ / cm ³ or more, and furthermore, P-type GaAlAs
50-200 μm cladding layer, P-type GaAlAs active layer
The thickness is limited to 0.1 to 2 μm, and the N-type GaAlAs cladding layer is limited to 20 to 90 μm.

（実施例） 第２図、第３図及び第４図を参照して本発明に係わる
一実施例を説明する。即ち、Ｐ型GaAs結晶基板に液相エ
ピタキシャル徐冷成長法により、Ｐ型Ga_1-xAl_xAsクラッ
ド成長層（x:0.6〜0.35）、Ｐ型Ga_0.965Al_0.035Asアク
ティブ成長層及びＮ型Ga_1-yAl_yAsクラッド成長層（y:0.
35〜0.16）のダブルヘテロ構造のエピタキシャルウエー
ハを得た。Ｐ型不純物に亜鉛、Ｎ型不純物にテルルを使
用して、第２図に明らかにしたようなＰ型Ga_1-xAl_xAsク
ラッド成長層１とＰ型Ga_0.965Al_0.035Asアクティブ成長
層２及びＮ型Ga_1-yAl_yAsクラッド成長層３を互いに隣接
して設け、電極は両クラッド層の露出面に従来技術と同
様に形成する。(Embodiment) An embodiment according to the present invention will be described with reference to FIGS. 2, 3, and 4. FIG. That is, a P-type Ga _1-x Al _x As clad growth layer (x: 0.6 to 0.35), a P-type Ga _0.965 Al _0.035 As active growth layer and an N-type Ga _1-y Al _y As clad growth layer (y: 0.
An epitaxial wafer having a double hetero structure of 35 to 0.16) was obtained. Using zinc as a P-type impurity and tellurium as an N-type impurity, a P-type Ga _1-x Al _x As clad growth layer 1 and a P-type Ga _0.965 Al _0.035 As active growth layer 2 as shown in FIG. An N-type Ga _1-y Al _y As clad growth layer 3 is provided adjacent to each other, and electrodes are formed on the exposed surfaces of both clad layers in the same manner as in the prior art.

この結晶成長には、アクティブ成長層及びクラッド成
長層用の両成長溶液溜が設置されている液相成長用ボー
ト（第３図参照）４を利用した。For this crystal growth, a liquid phase growth boat (see FIG. 3) 4 in which both growth solution reservoirs for the active growth layer and the clad growth layer were installed was used.

即ち、液相成長用ボートは、基板ホルダー５と溶液溜
6,7及び８で構成されており、基板ホルダー５は、石英
棒（図示せず）によりスライド（Slide）可能な基板溜
９と支持台10で作られている。固定状態に維持する溶液
溜6,7及び８頂面には、蓋11…を配置して収容され蒸気
圧の高いGa含有溶液の蒸発を防止して、Ga含有溶液の組
成変化を防止している。基板溜９に設置する被処理半導
体Ｐ型GaAs基板12は、石英棒の操作により各溶液溜6,7
及び８の位置に図示矢印方向に移動させて、所定の液相
成長層を形成する。That is, the boat for liquid phase growth comprises the substrate holder 5 and the solution reservoir.
The substrate holder 5 is made up of a substrate reservoir 9 and a support 10 that can be slid by a quartz rod (not shown). On the top surfaces of the solution reservoirs 6, 7, and 8, which are maintained in a fixed state, lids 11 are arranged and accommodated to prevent evaporation of the Ga-containing solution having a high vapor pressure, thereby preventing a change in the composition of the Ga-containing solution. I have. The semiconductor P-type GaAs substrate 12 to be processed placed in the substrate reservoir 9 is placed in each of the solution reservoirs 6, 7 by operating a quartz rod.
And 8 are moved in the direction of the arrow in the figure to form a predetermined liquid phase growth layer.

また、溶液溜6,7及び８の中間には、ストッパー（Sto
per）13を配置しまた、最初と最後には被処理GaAs基板1
2を保護する高純度カーボン製部材14,14を設置する。A stopper (Sto) is provided between the solution reservoirs 6, 7, and 8.
per) 13 and the first and last GaAs substrate 1
The high-purity carbon members 14, 14 for protecting 2 are installed.

Ｐ型GaAlAsクラッド層１用として溶液溜６に充填する
溶融液は、Al0.68g,多結晶GaAs13.65g,Ga150gにアクセ
プター濃度が0.5〜５×10¹⁷/cm³となるように亜鉛20〜1
20mgを添加する。Ｐ型GaAlAsアクティブ層２層用溶液溜
７には、発光波長が840nmになるようにAl0.22g,多結晶G
aAs22.06g,Ga150gと共に、アクセプタ濃度が１〜８×10
¹⁷/cm³に調整できるように亜鉛10〜100mgを添加する。The molten liquid to be filled in the solution reservoir 6 for the P-type GaAlAs cladding layer 1 is made of zinc 20-1 such that the acceptor concentration becomes 0.5-5 × 10 ¹⁷ / cm ^{3 in} 0.68 g of Al, 13.65 g of polycrystalline GaAs, and 150 g of Ga.
Add 20 mg. The solution reservoir 7 for the P-type GaAlAs active layer 2 layer contains 0.22 g of Al and polycrystalline G so that the emission wavelength becomes 840 nm.
a22.06g As and 150g of Ga together with acceptor concentration of 1-8 × 10
Adding zinc 10~100mg so it can be adjusted to ¹⁷ / cm ^3.

更に、Ｎ型GaAlAsクラッド層３用溶液溜８には、Al0.
68g,多結晶GaAs13.65g及びGa150gであり、液相成長層の
ドナー濃度が0.5〜４×10¹⁷/cm³になる量のテルル１〜4
mgを添加する。Further, the solution reservoir 8 for the N-type GaAlAs cladding layer 3 contains AlO.
68 g, 13.65 g of polycrystalline GaAs and 150 g of Ga, and an amount of tellurium 1-4 in which the donor concentration of the liquid phase growth layer is 0.5-4 × 10 ¹⁷ / cm ^3.
Add mg.

このような各溶液溜6,7,8には不純物と成長溶融液を
充填した液相成長用スライド式ボードを炉に設置後、95
0℃で２時間加熱してから、上記のように溶液溜６の位
置に、基板溜９に設置する被処理半導体GaAs基板12を石
英棒の操作により移動し、次に、第４図にあるように94
9℃から830℃に炉温度を下げて厚さ50μｍ〜200μｍの
Ｐ型GaAlAsクラッド層１を液相成長する。更に、Ｐ型Ga
AlAsクラッド層１を液相成長した被処理半導体GaAs基板
12は溶液溜７の位置に移動後830℃の炉温度を約60秒間
保持して、Ｐ型GaAlAsクラッド層３に隣接する厚さ0.1
μｍ〜２μｍのＰ型GaAlAsアクティブ層２を液相成長す
る。After installing a liquid phase growth slide board filled with impurities and a growth melt in each of these solution reservoirs 6, 7, and 8 in a furnace, 95
After heating at 0 ° C. for 2 hours, the semiconductor GaAs substrate 12 to be processed placed in the substrate reservoir 9 was moved to the position of the solution reservoir 6 by operating a quartz rod as described above, and then, as shown in FIG. As 94
The furnace temperature is lowered from 9 ° C. to 830 ° C., and a P-type GaAlAs cladding layer 1 having a thickness of 50 μm to 200 μm is grown in a liquid phase. Furthermore, P-type Ga
Semiconductor GaAs substrate to be processed in which AlAs cladding layer 1 is liquid phase grown
Reference numeral 12 denotes a thickness of 0.1 mm adjacent to the P-type GaAlAs clad layer 3 while maintaining the furnace temperature of 830 ° C. for about 60 seconds after moving to the position of the solution reservoir 7.
A P-type GaAlAs active layer 2 of 2 μm to 2 μm is grown in a liquid phase.

更に、溶液溜８に被処理半導体GaAs基板12を石英棒の
操作により再度移動すると共に炉温度を780℃に調整し
て厚さ20〜90μｍのＮ型GaAlAsクラッド層３を液相成長
する。Further, the semiconductor GaAs substrate 12 to be processed is again moved to the solution reservoir 8 by operating a quartz rod, and the furnace temperature is adjusted to 780 ° C. to grow the N-type GaAlAs cladding layer 3 having a thickness of 20 to 90 μm in the liquid phase.

この一連の液相成長操作を終え自然冷却により室温と
なった炉から、各液相成長層1,2,3を被覆した被処理半
導体Ｐ型GaAs基板12を取出してから、被処理半導体GaAs
基板12だけを除去する。After the series of liquid phase growth operations is completed, the semiconductor P-type GaAs substrate 12 covering the liquid phase growth layers 1, 2, and 3 is taken out of the furnace cooled to room temperature by natural cooling.
Only the substrate 12 is removed.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

ダブルヘテロ構造を採用した本発明に係わる発光素子
は、キャリァの充分な閉込め効果と、アクティブ層の亜
鉛濃度及びこの付近の両クラッド層における亜鉛とテル
ル濃度を最適に形成し更に、各々の成長層厚を制御する
ことにより、従来素子の発光効率の３〜４倍の発光特性
を発揮できる発光素子が再現性よく得られた。The light-emitting device according to the present invention employing the double hetero structure has a sufficient carrier confinement effect, an optimum zinc concentration in the active layer and zinc and tellurium concentrations in both cladding layers near the active layer, and furthermore, each growth By controlling the layer thickness, a light emitting device capable of exhibiting light emitting characteristics three to four times the light emitting efficiency of the conventional device was obtained with good reproducibility.

また、両クラッド層は、アクティブ層付近で発光出力
の最適値に設定でき、表面が良好なオーミック接触が可
能になる５×10¹⁷/cm³以上となる。従って、発光特性が
優れているばかりでなく、電気的特性も非常に安定して
いる。Further, both clad layers can be set to the optimum value of the light emission output in the vicinity of the active layer, and have a surface of 5 × 10 ¹⁷ / cm ³ or more at which good ohmic contact is possible. Therefore, not only the light emission characteristics are excellent, but also the electric characteristics are very stable.

上記実施例では、被処理半導体Ｐ型GaAs基板12を除去
する例を示したが、除去しなくても、従来素子より〜1.
5倍の素子が得られたことを付記する。In the above embodiment, the example in which the semiconductor P-type GaAs substrate 12 to be processed is removed has been described.
Note that a five-fold element was obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第１図は、縦軸に不純物濃度、横軸に距離を採ってプロ
ファイルを示す図、第２図は、本発明に係わる発光素子
の断面図、第３図は、その製造に利用する益相成長用ス
ライド式ボードを概略を示す断面図、第４図は、加熱炉
の温度プログラム、第５図a,bは、従来の発光素子の断
面図、第６図a,bは、従来素子の特性を示す図である。 1:P型GaAlAsクラッド層 2:P型GaAlAsアクティブ層 3:P型GaAlAsクラッド層 4:液相成長用ボード 5:基板ホルダー 6,7,8:溶液溜 9:基板溜 10:支持台 11:蓋 12:被処理GaAs基板 13:ストッパー 14:カーボン製部材FIG. 1 is a diagram showing the profile with the impurity concentration on the vertical axis and the distance on the horizontal axis, FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device according to the present invention, and FIG. FIG. 4 is a sectional view of a conventional light emitting device, and FIGS. 4A and 4B are sectional views of a conventional light emitting device. It is a figure showing a characteristic. 1: P-type GaAlAs cladding layer 2: P-type GaAlAs active layer 3: P-type GaAlAs cladding layer 4: liquid phase growth board 5: substrate holder 6, 7, 8: solution reservoir 9: substrate reservoir 10: support base 11: Lid 12: GaAs substrate to be processed 13: Stopper 14: Carbon member

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】Ｐ型GaAlAsクラッド層内に含有する不純物
濃度が0.5×10¹⁷/cm³以上、前記Ｐ型GaAlAsクラッド層
に隣接するアクティブ層内の不純物濃度が１〜８×10¹⁷
/cm³、Ｎ型GaAlAsクラッド層内に含有する不純物濃度が
0.5×10¹⁷/cm³以上であり、各成長層厚さをＰ型クラッ
ド層50〜200μｍ、Ｐ型アクティブ層0.1〜２μｍ、Ｎ型
クラッド層20〜90μｍとすることを特徴とするダブルヘ
テロ型赤外光発光素子An impurity concentration in a P-type GaAlAs cladding layer is 0.5 × 10 ¹⁷ / cm ³ or more, and an impurity concentration in an active layer adjacent to the P-type GaAlAs cladding layer is 1 to 8 × 10 ^17.
/ cm ³ , the impurity concentration in the N-type GaAlAs cladding layer is
0.5 × 10 ¹⁷ / cm ³ or more, and each growth layer has a P-type cladding layer of 50 to 200 μm, a P-type active layer of 0.1 to 2 μm, and an N-type cladding layer of 20 to 90 μm. Infrared light emitting device