JP2783250B2 - 露光用マスクパターンの補助パターン自動発生方法 - Google Patents
露光用マスクパターンの補助パターン自動発生方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造の
露光工程で使用する露光用マスクパターンの作成方法に
関し、特に補助パターンの自動発生方法に関する。
露光工程で使用する露光用マスクパターンの作成方法に
関し、特に補助パターンの自動発生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置製造工程の露光工程に
おいて、光露光装置によるフオトマスクパターンの解像
性能向上のためや、光近接効果によるフォトレジストパ
ターンの寸法誤差の改善のために、設計されたマスクパ
ターン（以下設計パターンという）の近傍に露光工程で
は解像されない微細な補助パターンを付加する方法が検
討されている。この方法によれば解像性能向上による露
光工程での製造歩留まりの向上やパターン寸法精度向上
による半導体装置の性能向上を図ることが可能となる。
おいて、光露光装置によるフオトマスクパターンの解像
性能向上のためや、光近接効果によるフォトレジストパ
ターンの寸法誤差の改善のために、設計されたマスクパ
ターン（以下設計パターンという）の近傍に露光工程で
は解像されない微細な補助パターンを付加する方法が検
討されている。この方法によれば解像性能向上による露
光工程での製造歩留まりの向上やパターン寸法精度向上
による半導体装置の性能向上を図ることが可能となる。
【０００３】設計パターンの近傍に補助パターンを付加
して解像性等を向上する手法を用いる場合には、その効
果を得るために設計パターンと補助パターンとの間隔及
び補助パターンの幅は一定範囲内となる必要があり、ま
た補助パターン同士の間隔も一定以上の幅を有すること
が必要となる。しかしながら、設計パターン間に補助パ
ターンを付加するための十分な余地が無い場合は補助パ
ターンを配置できないため、補助パターンを配置可能な
場合のみ配置することが必要となる。
して解像性等を向上する手法を用いる場合には、その効
果を得るために設計パターンと補助パターンとの間隔及
び補助パターンの幅は一定範囲内となる必要があり、ま
た補助パターン同士の間隔も一定以上の幅を有すること
が必要となる。しかしながら、設計パターン間に補助パ
ターンを付加するための十分な余地が無い場合は補助パ
ターンを配置できないため、補助パターンを配置可能な
場合のみ配置することが必要となる。
【０００４】従来、設計パターンの近傍にこのような補
助パターンを付加する場合には、設計パターン間に補助
パターンを付加できるかどうかを人が判断しながら、手
作業によって条件を満たす補助パターンを配置してい
た。
助パターンを付加する場合には、設計パターン間に補助
パターンを付加できるかどうかを人が判断しながら、手
作業によって条件を満たす補助パターンを配置してい
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】現在の主流である半導
体装置は、多数のトランジスタを有する大規模な回路と
なっており、その露光パターンも従って大規模になって
いる。現在製造されている０．５μｍの線幅単位で作ら
れる１０ｍｍ角規模程度の半導体装置では０．５μｍ角
の画素数で約４億画素程度となる。
体装置は、多数のトランジスタを有する大規模な回路と
なっており、その露光パターンも従って大規模になって
いる。現在製造されている０．５μｍの線幅単位で作ら
れる１０ｍｍ角規模程度の半導体装置では０．５μｍ角
の画素数で約４億画素程度となる。
【０００６】従来の人間の手作業による補助パターン配
置技術の問題点は、実用的なマスク設計コストと設計時
間の範囲内での補助パターンが配置可能な設計パターン
は、数千画素程度の小規模なものに限られることであ
る。従って、大規模な設計パターン全体に対しては補助
パターンを配置できず、半導体装置全体に対するパター
ンの解像性能向上やパターンの寸法精度向上効果を得る
ことが困難であるという問題がある。
置技術の問題点は、実用的なマスク設計コストと設計時
間の範囲内での補助パターンが配置可能な設計パターン
は、数千画素程度の小規模なものに限られることであ
る。従って、大規模な設計パターン全体に対しては補助
パターンを配置できず、半導体装置全体に対するパター
ンの解像性能向上やパターンの寸法精度向上効果を得る
ことが困難であるという問題がある。
【０００７】この理由は、従来の技術では設計パターン
に対する補助パターンの配置を、図面やＣＡＤ装置の画
面上の設計パターンを用いて、人が判断しながら補助パ
ターンを人手により付加していたため、現在の数億画素
以上を有するような大規模な回路パターンでは、その補
助パターン付加に必要な延ベ工数は数十年・人以上とな
り、マスクの設計コスト、設計時間が莫大となって実用
的でなくなるためである。
に対する補助パターンの配置を、図面やＣＡＤ装置の画
面上の設計パターンを用いて、人が判断しながら補助パ
ターンを人手により付加していたため、現在の数億画素
以上を有するような大規模な回路パターンでは、その補
助パターン付加に必要な延ベ工数は数十年・人以上とな
り、マスクの設計コスト、設計時間が莫大となって実用
的でなくなるためである。
【０００８】本発明の目的は、設計されたマスクパター
ンの近傍にコンピュータを用いて自動的に所定の条件の
補助パターンを発生させる方法を提供することである。
これにより大規模な設計パターンの全面にわたって実用
的な時間とコストで補助パターンの配置が可能となり、
現在主流の大規模な回路を有する半導体装置の露光工程
での製造歩留まりの向上やパターン寸法精度向上による
性能向上が可能となる。
ンの近傍にコンピュータを用いて自動的に所定の条件の
補助パターンを発生させる方法を提供することである。
これにより大規模な設計パターンの全面にわたって実用
的な時間とコストで補助パターンの配置が可能となり、
現在主流の大規模な回路を有する半導体装置の露光工程
での製造歩留まりの向上やパターン寸法精度向上による
性能向上が可能となる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の露光用マスクパ
ターンの補助パターン自動発生方法は、半導体装置製造
工程の露光用マスクパターンの補助パターン自動発生方
法であって、設計されたマスクパターン（設計パター
ン）の外側に、予め設定された間隔を隔てて予め設定さ
れた幅の補助パターンを発生させる手順と、設計パター
ンの外側に、予め設定された幅で補助パターンの配置禁
止領域を設定する手順と、補助パターンの配置禁止領域
内ヘの侵入部分を削除して補助パターンを更新する手順
と、補助パターンの外側に、他の補助パターンを排除す
る排他領域を予め設定された幅で設定する手順と、補助
パターンの他の補助パターン及び他の補助パターンの排
他領域ヘの侵入部分を削除して、補助パターンを更新す
る手順とを有する。
ターンの補助パターン自動発生方法は、半導体装置製造
工程の露光用マスクパターンの補助パターン自動発生方
法であって、設計されたマスクパターン（設計パター
ン）の外側に、予め設定された間隔を隔てて予め設定さ
れた幅の補助パターンを発生させる手順と、設計パター
ンの外側に、予め設定された幅で補助パターンの配置禁
止領域を設定する手順と、補助パターンの配置禁止領域
内ヘの侵入部分を削除して補助パターンを更新する手順
と、補助パターンの外側に、他の補助パターンを排除す
る排他領域を予め設定された幅で設定する手順と、補助
パターンの他の補助パターン及び他の補助パターンの排
他領域ヘの侵入部分を削除して、補助パターンを更新す
る手順とを有する。
【００１０】また、設計パターンの端部に、予め設定し
た基準で優先度を設定する手順と、設計パターンの外側
に、予め設定された間隔を隔てて予め設定された幅の補
助パターンを発生する手順と、設計パターン端部の優先
度に応じて、対応する補助パターンに優先度を設定する
手順と、設計パターンの外側に、予め設定された幅で補
助パターンの配置禁止領域を設定する手順と、補助パタ
ーンの配置禁止領域内ヘの侵入部分を削除して、補助パ
ターンを更新する手順と、補助パターンの外側に、他の
補助パターンを排除する排他領域を予め設定された幅で
設定する手順と、補助パターンの他の補助パターン及び
他の補助パターンの排他領域ヘの侵入部分と、被侵入部
の補助パターン部分及び被侵入部の排他領域部分が帰属
する補助パターンの対応部分とに対して、侵入側及び被
侵入側の両補助パターンの優先度と配置と削除すべき面
積との関係に応じて、予め設定した基準により侵入部及
び被侵入部の対応部の補助パターンの一方のみを削除す
るか、両方の補助パターンの一部を削除するか、両方の
補助パターンを削除して新たな補助パターンを発生させ
るかを選択して処理し、補助パターンを更新する手順と
を有していてもよい。
た基準で優先度を設定する手順と、設計パターンの外側
に、予め設定された間隔を隔てて予め設定された幅の補
助パターンを発生する手順と、設計パターン端部の優先
度に応じて、対応する補助パターンに優先度を設定する
手順と、設計パターンの外側に、予め設定された幅で補
助パターンの配置禁止領域を設定する手順と、補助パタ
ーンの配置禁止領域内ヘの侵入部分を削除して、補助パ
ターンを更新する手順と、補助パターンの外側に、他の
補助パターンを排除する排他領域を予め設定された幅で
設定する手順と、補助パターンの他の補助パターン及び
他の補助パターンの排他領域ヘの侵入部分と、被侵入部
の補助パターン部分及び被侵入部の排他領域部分が帰属
する補助パターンの対応部分とに対して、侵入側及び被
侵入側の両補助パターンの優先度と配置と削除すべき面
積との関係に応じて、予め設定した基準により侵入部及
び被侵入部の対応部の補助パターンの一方のみを削除す
るか、両方の補助パターンの一部を削除するか、両方の
補助パターンを削除して新たな補助パターンを発生させ
るかを選択して処理し、補助パターンを更新する手順と
を有していてもよい。
【００１１】補助パターンの一部を削除する時は、常に
補助パターンの削除すべき部分の幅を全幅にわたり削除
してもよく、設計パターンの端部に優先度を設定する手
順において、設計パターンのパターン幅寸法に応じて予
め設定した基準でパターン端部の優先度を決定してもよ
い。
補助パターンの削除すべき部分の幅を全幅にわたり削除
してもよく、設計パターンの端部に優先度を設定する手
順において、設計パターンのパターン幅寸法に応じて予
め設定した基準でパターン端部の優先度を決定してもよ
い。
【００１２】さらに、補助パターンの他の補助パターン
及び他の補助パターンの排他領域ヘの侵入部分を排除す
るために行なわれる削除すべき補助パターンの選択処理
において、侵入側と被侵入側の補助パターンの優先度が
異なるときは、配置の関係に関わらず、侵入部及び被侵
入部に対応する補助パターンの優先度が低い方のみの対
応部分を削除し、侵入側と被侵入側の補助パターンの優
先度が同じでかつ双方の位置が平行関係にあるときは、
侵入部及び被侵入部に対応する両方の補助パターンの対
応部分を削除し、削除された両方の補助パターンの対応
部分の中間位置に新たな補助パターンを発生させ、侵入
側と被侵入側の補助パターンの優先度が同じでかつ双方
の位置が平行関係にないときは、侵入部及び被侵入部に
対応する両方の補助パターンの削除すべき対応部分の、
削除すべき面積の小さい方のみを削除することが好まし
い。
及び他の補助パターンの排他領域ヘの侵入部分を排除す
るために行なわれる削除すべき補助パターンの選択処理
において、侵入側と被侵入側の補助パターンの優先度が
異なるときは、配置の関係に関わらず、侵入部及び被侵
入部に対応する補助パターンの優先度が低い方のみの対
応部分を削除し、侵入側と被侵入側の補助パターンの優
先度が同じでかつ双方の位置が平行関係にあるときは、
侵入部及び被侵入部に対応する両方の補助パターンの対
応部分を削除し、削除された両方の補助パターンの対応
部分の中間位置に新たな補助パターンを発生させ、侵入
側と被侵入側の補助パターンの優先度が同じでかつ双方
の位置が平行関係にないときは、侵入部及び被侵入部に
対応する両方の補助パターンの削除すべき対応部分の、
削除すべき面積の小さい方のみを削除することが好まし
い。
【００１３】始めに設計パターンの外側に予め設定され
た間隔を隔てて予め設定された幅の補助パターンを発生
させる手順により、一旦すべての設計パターンに補助パ
ターンが付加される。次に、設計パターンの外側に隣接
して予め設定された幅の配置禁止領域を設定する手順
と、配置禁止領域ヘの補助パターンの侵入部分の全幅を
削除して補助パターンを更新する手順により、付加され
た補助パターン中で他の設計パターンに対して近過ぎる
ために配置の望ましくない部分が削除されて補助パター
ンが更新される。次に、更新された補助パターンの外側
に隣接して予め設定された幅を有するの排他領域を設定
する手順と、補助パターンの他の補助パターン及び他の
補助パターンの排他領域パターンヘの侵入部分を削除し
補助パターンを更新する手順により補助パターン同士の
間隔が近すぎるために配置の望ましくない補助パターン
の部分が削除される。
た間隔を隔てて予め設定された幅の補助パターンを発生
させる手順により、一旦すべての設計パターンに補助パ
ターンが付加される。次に、設計パターンの外側に隣接
して予め設定された幅の配置禁止領域を設定する手順
と、配置禁止領域ヘの補助パターンの侵入部分の全幅を
削除して補助パターンを更新する手順により、付加され
た補助パターン中で他の設計パターンに対して近過ぎる
ために配置の望ましくない部分が削除されて補助パター
ンが更新される。次に、更新された補助パターンの外側
に隣接して予め設定された幅を有するの排他領域を設定
する手順と、補助パターンの他の補助パターン及び他の
補助パターンの排他領域パターンヘの侵入部分を削除し
補助パターンを更新する手順により補助パターン同士の
間隔が近すぎるために配置の望ましくない補助パターン
の部分が削除される。
【００１４】これらにより、設計パターンと補助パター
ンとの間隔、補助パターンの幅、及び補助パターン同士
の間隔の制限の全ての条件が満足される補助パターンの
みを自動的に発生させることが可能となる。
ンとの間隔、補助パターンの幅、及び補助パターン同士
の間隔の制限の全ての条件が満足される補助パターンの
みを自動的に発生させることが可能となる。
【００１５】また、補助パターン間の間隔制限により補
助パターンを削除する場合は、対向するどちらか一方を
削除すれば良いが、露光装置の解像性能や寸法精度がパ
ターン幅により異なること等の理由から、削除される補
助パターンは付加された設計パターンの幅等によって優
先順位を付ける方が望ましい。また設計パターンの配置
によっては両方の補助パターンを削除し新たな位置に補
助パターンを追加する方がより望ましい場合もある。こ
のため、前述の方法に、設計パターンの端部に優先度を
設定する手順と、設計パターン端部の優先度に応じてそ
の端部に対応する補助パターンに優先度を設定する手順
を加えることにより、前述の補助パターンの他の補助パ
ターン及び排他領域パターンヘの侵入部分の処理手順の
代わりに、補助パターンの他の補助パターン及び排他領
域ヘの侵入部分と、被侵入部分の補助パターン部分及び
被侵入部分の排他領域が帰属する補助パターンの対応部
分とに対して、侵入側及び被侵入側の両補助パターンの
優先度と配置の関係に応じて、侵入部及び被侵入部の対
応部の、一方のみを削除するか、両方の一部を削除する
か、または両方を削除し新たな補助パターンを発生する
かを選択処理して補助パターンを更新する手順にするこ
とで、設計パターンの幅などに応じて排他関係にある補
助パターンの削除に優先順位を付けたり、配置に応じて
新たな補助パターンを発生することが可能となる。
助パターンを削除する場合は、対向するどちらか一方を
削除すれば良いが、露光装置の解像性能や寸法精度がパ
ターン幅により異なること等の理由から、削除される補
助パターンは付加された設計パターンの幅等によって優
先順位を付ける方が望ましい。また設計パターンの配置
によっては両方の補助パターンを削除し新たな位置に補
助パターンを追加する方がより望ましい場合もある。こ
のため、前述の方法に、設計パターンの端部に優先度を
設定する手順と、設計パターン端部の優先度に応じてそ
の端部に対応する補助パターンに優先度を設定する手順
を加えることにより、前述の補助パターンの他の補助パ
ターン及び排他領域パターンヘの侵入部分の処理手順の
代わりに、補助パターンの他の補助パターン及び排他領
域ヘの侵入部分と、被侵入部分の補助パターン部分及び
被侵入部分の排他領域が帰属する補助パターンの対応部
分とに対して、侵入側及び被侵入側の両補助パターンの
優先度と配置の関係に応じて、侵入部及び被侵入部の対
応部の、一方のみを削除するか、両方の一部を削除する
か、または両方を削除し新たな補助パターンを発生する
かを選択処理して補助パターンを更新する手順にするこ
とで、設計パターンの幅などに応じて排他関係にある補
助パターンの削除に優先順位を付けたり、配置に応じて
新たな補助パターンを発生することが可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１
の実施の形態による半導体装置製造の露光工程で使用す
るフォトマスクの補助パターンの発生方法の手順を示す
フローチャートであり、図２はパターンデータの格納状
態と各データ間の関連付けを示した相関図であり、図３
は設計されたマスクパターン（設計パターン）を示す模
式的平面図であり、図４は設計パターンの外側に補助パ
ターンを発生させた状態を示す模式的平面図であり、図
５は設計パターンの外側に配置禁止領域を設定した状態
を示す模式的平面図であり、図６は補助パターンの配置
禁止領域への侵入部分の削除と補助パターン外側への排
他領域設定を行なった状態を示す模式的平面図であり、
図７は補助パターンの他の補助パターン及び排他領域侵
入部分の削除を行なって補助パターンを完成させた状態
を示す模式的平面図である。
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１
の実施の形態による半導体装置製造の露光工程で使用す
るフォトマスクの補助パターンの発生方法の手順を示す
フローチャートであり、図２はパターンデータの格納状
態と各データ間の関連付けを示した相関図であり、図３
は設計されたマスクパターン（設計パターン）を示す模
式的平面図であり、図４は設計パターンの外側に補助パ
ターンを発生させた状態を示す模式的平面図であり、図
５は設計パターンの外側に配置禁止領域を設定した状態
を示す模式的平面図であり、図６は補助パターンの配置
禁止領域への侵入部分の削除と補助パターン外側への排
他領域設定を行なった状態を示す模式的平面図であり、
図７は補助パターンの他の補助パターン及び排他領域侵
入部分の削除を行なって補助パターンを完成させた状態
を示す模式的平面図である。
【００１７】図中、符号２１、２２、２３は設計パター
ン、３１、３２、３３、３４、３５は補助パターン、４
１、４２、４３、４４は配置禁止領域パターン、４５、
４６は配置禁止領域パターンへの補助パターン侵入部
分、５１、５２、５３、５４は排他領域パターン、５
５、５６、５７は排他領域パターンへの補助パターン侵
入部分、６１、６２、６３は完成した補助パターンであ
る。
ン、３１、３２、３３、３４、３５は補助パターン、４
１、４２、４３、４４は配置禁止領域パターン、４５、
４６は配置禁止領域パターンへの補助パターン侵入部
分、５１、５２、５３、５４は排他領域パターン、５
５、５６、５７は排他領域パターンへの補助パターン侵
入部分、６１、６２、６３は完成した補助パターンであ
る。
【００１８】図３に示されるようなフォトマスク用の設
計パターン２１〜２３に対して補助パターンを発生させ
る例を図１のフローチャートを用いて説明する。始めに
手順１１で図４に示す様に、各設計パターン２１〜２３
から幅ａだけ離れた位置に幅ｂの各補助パターン３１〜
３５を設計パターン２１〜２３の各端部に平行に発生さ
せる。補助パターンの一部は重複している。幅ａ及び幅
ｂは補助パターン３１〜３５自体は解像されずに設計パ
ターン２１〜２３の解像性が向上するようにあらかじめ
決められた値であり、例えば光露光装置の露光波長が２
４８ｎｍ、投影レンズ開口数が０．５、光源のコヒーレ
ンスファクターが０．７の場合は、ウエハー上換算寸法
でａ＝０．２２μｍ、ｂ＝０．１２μｍ程度とする。
計パターン２１〜２３に対して補助パターンを発生させ
る例を図１のフローチャートを用いて説明する。始めに
手順１１で図４に示す様に、各設計パターン２１〜２３
から幅ａだけ離れた位置に幅ｂの各補助パターン３１〜
３５を設計パターン２１〜２３の各端部に平行に発生さ
せる。補助パターンの一部は重複している。幅ａ及び幅
ｂは補助パターン３１〜３５自体は解像されずに設計パ
ターン２１〜２３の解像性が向上するようにあらかじめ
決められた値であり、例えば光露光装置の露光波長が２
４８ｎｍ、投影レンズ開口数が０．５、光源のコヒーレ
ンスファクターが０．７の場合は、ウエハー上換算寸法
でａ＝０．２２μｍ、ｂ＝０．１２μｍ程度とする。
【００１９】次に手順１２で図５に示す様に、各設計パ
ターン外側の幅ａ以内の領域に対し、配置禁止領域パタ
ーン４１〜４４を設定する。
ターン外側の幅ａ以内の領域に対し、配置禁止領域パタ
ーン４１〜４４を設定する。
【００２０】次に手順１３で補助パターンと配置禁止領
域パターンとを比較し、配置禁止領域パターンヘの補助
パターン侵入部分４５〜４６を抽出し、侵入部分を補助
パターン全幅ｂに渡り削除し、補助パターンを更新す
る。
域パターンとを比較し、配置禁止領域パターンヘの補助
パターン侵入部分４５〜４６を抽出し、侵入部分を補助
パターン全幅ｂに渡り削除し、補助パターンを更新す
る。
【００２１】次に手順１４で図６に示す様に、設計パタ
ーンと反対側の補助パターンの端部から幅ｃ以内の領域
に他の補助パターンを排除するための排他領域パターン
５１〜５４を設定する。ｃは例えばａと同じ０．２２μ
ｍ程度とする。
ーンと反対側の補助パターンの端部から幅ｃ以内の領域
に他の補助パターンを排除するための排他領域パターン
５１〜５４を設定する。ｃは例えばａと同じ０．２２μ
ｍ程度とする。
【００２２】また図２に示す様に排他領域パターンを発
生させた補助パターンデータと排他領域パターンデータ
は関連付けられる。
生させた補助パターンデータと排他領域パターンデータ
は関連付けられる。
【００２３】次に手順１５で補助パターンと他の補助パ
ターン及び排他領域パターンを比較し、他の補助パター
ン及び排他領域パターンヘの補助パターン侵入部分５５
〜５７を抽出して、侵入部分の補助パターン全幅ｂにわ
たる削除と、補助パターン削除部分に合わせた関連する
排他領域パターン部分の削除、補助パターンと排他領域
パターン更新後の補助パターン侵入部分の再抽出を、補
助パターン侵入部分が無くなるまで繰り返し行う。以上
の手順により最終的に得られた補助パターンデータと設
計パターンデータを合成すれば、図７に示す様な設計パ
ターン２１、２２、２３に完成した補助パターン６１、
６２、６３が付加されたマスクパターンが完成する。
ターン及び排他領域パターンを比較し、他の補助パター
ン及び排他領域パターンヘの補助パターン侵入部分５５
〜５７を抽出して、侵入部分の補助パターン全幅ｂにわ
たる削除と、補助パターン削除部分に合わせた関連する
排他領域パターン部分の削除、補助パターンと排他領域
パターン更新後の補助パターン侵入部分の再抽出を、補
助パターン侵入部分が無くなるまで繰り返し行う。以上
の手順により最終的に得られた補助パターンデータと設
計パターンデータを合成すれば、図７に示す様な設計パ
ターン２１、２２、２３に完成した補助パターン６１、
６２、６３が付加されたマスクパターンが完成する。
【００２４】次に、本発明の第２の実施の形態について
図面を参照して詳細に説明する。図８は本発明の第２の
実施の形態による補助パターンの発生方法の手順を示す
フローチャトであり、図９は各パターンデータの格納状
態とデータ間の関連付けを示した相関図であり、図１０
は設計パターン端部にそれぞれの設計パターンに対応し
た優先度を設定した状態を示す模式的平面図であり、図
１１は設計パターン外側に補助パターンを発生させた状
態を示す模式的平面図であり、図１２は補助パターンの
他の補助パターン及び排他領域への侵入部分の補助パタ
ーン優先レベルと配置による選択処理を示す模式的平面
図であり、（ａ１）は２つの平行する補助パターンが干
渉している状態、（ａ２）は優先度の低い補助パターン
を削除した状態、（ａ３）は干渉部分の両方の補助パタ
ーンを削除して新しい補助パターンを発生させた状態、
（ｂ１）は平行でない２つの補助パターン同士が干渉し
ている状態、（ｂ２）は補助パターンの両方の一部の全
幅削除の状態であり、図１３は補助パターンの他の補助
パターン及び排他領域への侵入部分の補助パターン優先
レベルと配置による選択処理を示す模式的平面図であ
り、（ｃ１）、（ｄ１）は平行でない２つの補助パター
ンにおいて補助パターンと他の排他領域のみが干渉して
いる状態、（ｃ２）は被侵入部のみの全幅削除の状態、
（ｄ２）は侵入部のみの全幅削除の状態であり、図１４
は設計パターン端部優先度設定方法の説明のための模式
的平面図である。
図面を参照して詳細に説明する。図８は本発明の第２の
実施の形態による補助パターンの発生方法の手順を示す
フローチャトであり、図９は各パターンデータの格納状
態とデータ間の関連付けを示した相関図であり、図１０
は設計パターン端部にそれぞれの設計パターンに対応し
た優先度を設定した状態を示す模式的平面図であり、図
１１は設計パターン外側に補助パターンを発生させた状
態を示す模式的平面図であり、図１２は補助パターンの
他の補助パターン及び排他領域への侵入部分の補助パタ
ーン優先レベルと配置による選択処理を示す模式的平面
図であり、（ａ１）は２つの平行する補助パターンが干
渉している状態、（ａ２）は優先度の低い補助パターン
を削除した状態、（ａ３）は干渉部分の両方の補助パタ
ーンを削除して新しい補助パターンを発生させた状態、
（ｂ１）は平行でない２つの補助パターン同士が干渉し
ている状態、（ｂ２）は補助パターンの両方の一部の全
幅削除の状態であり、図１３は補助パターンの他の補助
パターン及び排他領域への侵入部分の補助パターン優先
レベルと配置による選択処理を示す模式的平面図であ
り、（ｃ１）、（ｄ１）は平行でない２つの補助パター
ンにおいて補助パターンと他の排他領域のみが干渉して
いる状態、（ｃ２）は被侵入部のみの全幅削除の状態、
（ｄ２）は侵入部のみの全幅削除の状態であり、図１４
は設計パターン端部優先度設定方法の説明のための模式
的平面図である。
【００２５】図中符号１０１、１０２、１０３、１０４
は設計パターン、１０５はパターン端部、１１１ａ、１
１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ、１１２ａ、１１２ｂ、１
１２ｃ、１１２ｄ、１２１、１２２、１２３、１２４、
１２５は補助パターン、１１３ａ、１１３ｂ、１１３
ｃ、１１３ｄ、１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ、１１４
ｄは排他領域パターン、１１５ａ、１１５ｂ、１１５
ｃ、１１５ｄ、１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６
ｄは補助パターン侵入部分及び排他領域パターン被侵入
部分、１１７ａ、１１７ｂ、１１７ｃ、１１７ｄは排他
領域パターン被侵入部分に対応する補助パターン部分、
１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１９ｄは補助パター
ン侵入部分の全幅部分、１１９ａは新たな補助パター
ン、１２０ｂは他の補助パターンへの補助パターン侵入
部分である。
は設計パターン、１０５はパターン端部、１１１ａ、１
１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ、１１２ａ、１１２ｂ、１
１２ｃ、１１２ｄ、１２１、１２２、１２３、１２４、
１２５は補助パターン、１１３ａ、１１３ｂ、１１３
ｃ、１１３ｄ、１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ、１１４
ｄは排他領域パターン、１１５ａ、１１５ｂ、１１５
ｃ、１１５ｄ、１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６
ｄは補助パターン侵入部分及び排他領域パターン被侵入
部分、１１７ａ、１１７ｂ、１１７ｃ、１１７ｄは排他
領域パターン被侵入部分に対応する補助パターン部分、
１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１９ｄは補助パター
ン侵入部分の全幅部分、１１９ａは新たな補助パター
ン、１２０ｂは他の補助パターンへの補助パターン侵入
部分である。
【００２６】始めに図８の手順２１で図１０に示す様
に、全ての設計パターン１０１〜１０３のパターン端部
に対して、露光装置の解像性能等に応じて、端部優先度
Ａ〜Ｃを設定する。端部優先度の設定方法は、例えば図
１４に示す様に設計パターン１０４の幅Ｗを基準として
パターン端部１０５の優先度を表１の基準により決める
方法を用いる。
に、全ての設計パターン１０１〜１０３のパターン端部
に対して、露光装置の解像性能等に応じて、端部優先度
Ａ〜Ｃを設定する。端部優先度の設定方法は、例えば図
１４に示す様に設計パターン１０４の幅Ｗを基準として
パターン端部１０５の優先度を表１の基準により決める
方法を用いる。
【００２７】
【表１】 次に第１の実施の形態と同様にして手順２２で図１１に
示した補助パターン１２１〜１２５を発生する。各補助
パターンデータは図９に示す様に各設計パターン端部と
関連付けられる。
示した補助パターン１２１〜１２５を発生する。各補助
パターンデータは図９に示す様に各設計パターン端部と
関連付けられる。
【００２８】次に手順２３で図１０に示した設計パター
ン１０１、１０２、１０３の端部優先度Ａ〜Ｃに応じて
図１１に示す様に関連付けられた補助パターンに対して
優先度Ａ〜Ｃを設定する。
ン１０１、１０２、１０３の端部優先度Ａ〜Ｃに応じて
図１１に示す様に関連付けられた補助パターンに対して
優先度Ａ〜Ｃを設定する。
【００２９】次に第１の実施の形態と同様にして、手順
２４で配置禁止領域パターンを設定し、手順２５で配置
禁止領域パターンヘの補助パターン侵入部分を削除し補
助パターンを更新した後に、手順２６で排他領域パター
ンを設定する。排他領域パターンデータは図９に示す様
に帰属する補助パターンデータと関連付けられている。
次に例えば図１２（ｂｌ）の例で示すように、補助パタ
ーン１１２ｂの他の補助パターン１１１ｂヘの侵入部分
１２０ｂおよび排他領域パターン１１３ｂヘの侵入部分
１１６ｂを抽出する。次に手順２７で侵人した補助パタ
ーン１１２ｂと侵入された補助パターン１１１ｂの配置
と優先度の関係に応じて処理を選択する。選択処理方法
の一例を図１２、図１３を参照して説明する。（ａｌ）
に示すように補助パターン１１２ａの一部１１６ａが補
助パターン１１１ａに帰属した排他領域パターン１１３
ａに侵入している場合に、両補助パターン１１１ａ、１
１２ａの優先度が異なる場合は配置に関わらず、侵入部
１１６ａまたは侵入された排他領域部（１１３ａの１１
６ａ部分）が帰属する補助パターン１１１ａの対応部１
１７ａの内、優先度が低い方のみ（例えば１１２ａ側）
を全幅ｂにわたり（１１８ａ）削除する（ａ２）。両補
助パターンの優先度が同じである場合はその配置に応じ
て、平行関係である場合（ａｌ）は（ａ３）に示す様に
侵入部（１１２ａの１１６ａ）と被侵入部の対応部１１
７ａを全幅ｂにわたり（１１８ａ、１１７ａ）削除し、
削除した両補助パターン部分（１１８ａ、１１７ａ）の
中央位置に新たな補助パターン１１９ａを発生させる。
２４で配置禁止領域パターンを設定し、手順２５で配置
禁止領域パターンヘの補助パターン侵入部分を削除し補
助パターンを更新した後に、手順２６で排他領域パター
ンを設定する。排他領域パターンデータは図９に示す様
に帰属する補助パターンデータと関連付けられている。
次に例えば図１２（ｂｌ）の例で示すように、補助パタ
ーン１１２ｂの他の補助パターン１１１ｂヘの侵入部分
１２０ｂおよび排他領域パターン１１３ｂヘの侵入部分
１１６ｂを抽出する。次に手順２７で侵人した補助パタ
ーン１１２ｂと侵入された補助パターン１１１ｂの配置
と優先度の関係に応じて処理を選択する。選択処理方法
の一例を図１２、図１３を参照して説明する。（ａｌ）
に示すように補助パターン１１２ａの一部１１６ａが補
助パターン１１１ａに帰属した排他領域パターン１１３
ａに侵入している場合に、両補助パターン１１１ａ、１
１２ａの優先度が異なる場合は配置に関わらず、侵入部
１１６ａまたは侵入された排他領域部（１１３ａの１１
６ａ部分）が帰属する補助パターン１１１ａの対応部１
１７ａの内、優先度が低い方のみ（例えば１１２ａ側）
を全幅ｂにわたり（１１８ａ）削除する（ａ２）。両補
助パターンの優先度が同じである場合はその配置に応じ
て、平行関係である場合（ａｌ）は（ａ３）に示す様に
侵入部（１１２ａの１１６ａ）と被侵入部の対応部１１
７ａを全幅ｂにわたり（１１８ａ、１１７ａ）削除し、
削除した両補助パターン部分（１１８ａ、１１７ａ）の
中央位置に新たな補助パターン１１９ａを発生させる。
【００３０】配置が平行でない場合（ｂｌ）、（ｃ
ｌ）、（ｄｌ）では配置に応じて（ｂ２）、（ｃ２）、
（ｄ２）の様に侵入部及び被侵入部の対応部の、両方の
一部の全幅削除（１１７ｂ、１１８ｂ）又は被侵入部の
みの全幅削除（１１７ｃ）、又は侵入部のみの全幅削除
（１１８ｄ）を選択して処理する。（ｂｌ）は補助パタ
ーン同士が重なっている場合の処理例で補助パターン同
士が重なっている部分を両補助パターンとも全幅削除し
ており、（ｃｌ）、（ｄｌ）は補助パターンと排他領域
のみが重なった場合の例で全幅にわたり削除するときの
面積が小さい方（１１７ｃと１１８ｃとを比較して小さ
い方の１１７ｃ、１１７ｄと１１８ｄとを比較して小さ
い方の１１８ｄ）を選択削除している。
ｌ）、（ｄｌ）では配置に応じて（ｂ２）、（ｃ２）、
（ｄ２）の様に侵入部及び被侵入部の対応部の、両方の
一部の全幅削除（１１７ｂ、１１８ｂ）又は被侵入部の
みの全幅削除（１１７ｃ）、又は侵入部のみの全幅削除
（１１８ｄ）を選択して処理する。（ｂｌ）は補助パタ
ーン同士が重なっている場合の処理例で補助パターン同
士が重なっている部分を両補助パターンとも全幅削除し
ており、（ｃｌ）、（ｄｌ）は補助パターンと排他領域
のみが重なった場合の例で全幅にわたり削除するときの
面積が小さい方（１１７ｃと１１８ｃとを比較して小さ
い方の１１７ｃ、１１７ｄと１１８ｄとを比較して小さ
い方の１１８ｄ）を選択削除している。
【００３１】以上の手順により最終的に得られた補助パ
ターンデータと設計パターンデータを合成すれば設計パ
ターンに補助パターンが付加されたマスクパターンが得
られる。
ターンデータと設計パターンデータを合成すれば設計パ
ターンに補助パターンが付加されたマスクパターンが得
られる。
【００３２】第２の実施の形態では、第１の実施の形態
に比ベて手順が多くなり処理速度が遅くなること、及び
半導体装置の特性に合わせたパターン端部優先度を決め
る基準及び補助パターンの配置に応じた排他処理の選択
基準を露光装置や半導体装置に合わせて準備しておく必
要があること等の問題があるが、露光装置の解像性能や
寸法精度がパターン幅により異なることや、パターン端
部の位置により寸法精度と半導体装置の性能や製造歩留
まりへの影響度の違いがあるため、第１の実施の形態に
比ベて半導体装置の性能や製造歩留まりをより向上する
ことが可能となる。
に比ベて手順が多くなり処理速度が遅くなること、及び
半導体装置の特性に合わせたパターン端部優先度を決め
る基準及び補助パターンの配置に応じた排他処理の選択
基準を露光装置や半導体装置に合わせて準備しておく必
要があること等の問題があるが、露光装置の解像性能や
寸法精度がパターン幅により異なることや、パターン端
部の位置により寸法精度と半導体装置の性能や製造歩留
まりへの影響度の違いがあるため、第１の実施の形態に
比ベて半導体装置の性能や製造歩留まりをより向上する
ことが可能となる。
【００３３】次に第３の実施の形態について説明する。
第１及び第２の実施の形態では、光露光装置で用いるフ
ォトマスク用設計パターンでの実施の形態について説明
したが、ＥＢ一括露光装置用の一括露光用アパチヤーパ
ターン、ＥＢ直描露光装置用の露光パターン、Ｘ線露光
装置用のＸ線露光透過型マスク及び反射型マスクパター
ン等においても近接効果補正等のために補助パターン法
を用いることができる。これらのパターンデータに対し
ても第１と第２の実施の形態と同様の手順により補助パ
ターンを発生させ、設計パターンに付加することができ
る。これらの場合には露光装置の解像度及び近接効果の
程度に応じて設計パターンと補助パターン間の間隔ａ、
補助パターンの幅ｂ、補助パターン間の排他領域幅ｃの
設定値を変更すればよい。
第１及び第２の実施の形態では、光露光装置で用いるフ
ォトマスク用設計パターンでの実施の形態について説明
したが、ＥＢ一括露光装置用の一括露光用アパチヤーパ
ターン、ＥＢ直描露光装置用の露光パターン、Ｘ線露光
装置用のＸ線露光透過型マスク及び反射型マスクパター
ン等においても近接効果補正等のために補助パターン法
を用いることができる。これらのパターンデータに対し
ても第１と第２の実施の形態と同様の手順により補助パ
ターンを発生させ、設計パターンに付加することができ
る。これらの場合には露光装置の解像度及び近接効果の
程度に応じて設計パターンと補助パターン間の間隔ａ、
補助パターンの幅ｂ、補助パターン間の排他領域幅ｃの
設定値を変更すればよい。
【００３４】
【発明の効果】本発明の効果は、現在主流の大規模な回
路を有する半導体装置の製造において、露光工程の露光
パターン全体にわたる解像性の向上が可能となり、これ
による製造歩留まりの向上、パターンの微細化による半
導体装置の小型化が可能となる。またパターン寸法精度
の向上による半導体装置の性能向上も可能となる。
路を有する半導体装置の製造において、露光工程の露光
パターン全体にわたる解像性の向上が可能となり、これ
による製造歩留まりの向上、パターンの微細化による半
導体装置の小型化が可能となる。またパターン寸法精度
の向上による半導体装置の性能向上も可能となる。
【００３５】その理由は、従来設計パターンに対する補
助パターンの付加は人手により行っており、現在の数億
画素以上を有するような大規模な回路パターン全体に対
しては補助パターン付加に要する延ベ工数が数十年・人
という莫大なものとなるために実用化不能であったもの
が、ワークステーシヨンレベルのコンピューターにより
数日以下の時間で自動的に処理可能となり、実用化が可
能になるためである。
助パターンの付加は人手により行っており、現在の数億
画素以上を有するような大規模な回路パターン全体に対
しては補助パターン付加に要する延ベ工数が数十年・人
という莫大なものとなるために実用化不能であったもの
が、ワークステーシヨンレベルのコンピューターにより
数日以下の時間で自動的に処理可能となり、実用化が可
能になるためである。
【図１】本発明の第１の実施の形態による半導体装置製
造の露光工程で使用するフォトマスクの補助パターンの
発生方法の手順を示すフローチャートである。
造の露光工程で使用するフォトマスクの補助パターンの
発生方法の手順を示すフローチャートである。
【図２】パターンデータの格納状態と各データ間の関連
付けを示した相関図である。
付けを示した相関図である。
【図３】設計されたマスクパターン（設計パターン）を
示す模式的平面図である。
示す模式的平面図である。
【図４】設計パターンの外側に補助パターンを発生させ
た状態を示す模式的平面図である。
た状態を示す模式的平面図である。
【図５】設計パターンの外側に配置禁止領域を設定した
状態を示す模式的平面図である。
状態を示す模式的平面図である。
【図６】補助パターンの配置禁止領域への侵入部分の削
除と補助パターン外側への排他領域設定を行なった状態
を示す模式的平面図である。
除と補助パターン外側への排他領域設定を行なった状態
を示す模式的平面図である。
【図７】補助パターンの他の補助パターン及び排他領域
侵入部分の削除を行なって補助パターンを完成させた状
態を示す模式的平面図である。
侵入部分の削除を行なって補助パターンを完成させた状
態を示す模式的平面図である。
【図８】本発明の第２の実施例による補助パターンの発
生方法の手順を示すフローチャトである。
生方法の手順を示すフローチャトである。
【図９】各パターンデータの格納状態とデータ間の関連
付けを示した相関図である。
付けを示した相関図である。
【図１０】設計パターン端部にそれぞれの設計パターン
に対応した優先度を設定した状態を示す模式的平面図で
ある。
に対応した優先度を設定した状態を示す模式的平面図で
ある。
【図１１】設計パターン外側に補助パターンを発生させ
た状態を示す模式的平面図である。
た状態を示す模式的平面図である。
【図１２】補助パターンの他の補助パターン及び排他領
域への侵入部分の補助パターン優先レベルと配置による
選択処理を示す模式的平面図である。（ａ１）は２つの
平行する補助パターンが干渉している状態を示す。（ａ
２）は優先度の低い補助パターンを削除した状態を示
す。（ａ３）は干渉部分の両方の補助パターンを削除し
て新しい補助パターンを発生させた状態を示す。（ｂ
１）は平行でない２つの補助パターン同士が干渉してい
る状態を示す。（ｂ２）は補助パターンの両方の一部の
全幅削除の状態を示す。
域への侵入部分の補助パターン優先レベルと配置による
選択処理を示す模式的平面図である。（ａ１）は２つの
平行する補助パターンが干渉している状態を示す。（ａ
２）は優先度の低い補助パターンを削除した状態を示
す。（ａ３）は干渉部分の両方の補助パターンを削除し
て新しい補助パターンを発生させた状態を示す。（ｂ
１）は平行でない２つの補助パターン同士が干渉してい
る状態を示す。（ｂ２）は補助パターンの両方の一部の
全幅削除の状態を示す。
【図１３】補助パターンの他の補助パターン及び排他領
域への侵入部分の補助パターン優先レベルと配置による
選択処理を示す模式的平面図である。（ｃ１）、（ｄ
１）は平行でない２つの補助パターンにおいて補助パタ
ーンと他の排他領域のみが干渉している状態を示す。
（ｃ２）は被侵入部のみの全幅削除の状態を示す。（ｄ
２）は侵入部のみの全幅削除の状態である。
域への侵入部分の補助パターン優先レベルと配置による
選択処理を示す模式的平面図である。（ｃ１）、（ｄ
１）は平行でない２つの補助パターンにおいて補助パタ
ーンと他の排他領域のみが干渉している状態を示す。
（ｃ２）は被侵入部のみの全幅削除の状態を示す。（ｄ
２）は侵入部のみの全幅削除の状態である。
【図１４】設計パターン端部優先度設定方法の説明のた
めの模式的平面図である。
めの模式的平面図である。
２１、２２、２３ 設計パターン ３１、３２、３３、３４、３５ 補助パターン ４１、４２、４３、４４ 配置禁止領域パターン ４５、４６ 配置禁止領域パターンへの補助パターン
侵入部分 ５１、５２、５３、５４ 排他領域パターン ５５、５６、５７ 排他領域パターンへの補助パター
ン侵入部分 ６１、６２、６３ 完成した補助パターン １０１、１０２、１０３、１０４ 設計パターン １０５ パターン端部 １１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ、１１２ａ、
１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ、１２１、１２２、１２
３、１２４、１２５ 補助パターン １１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ、１１３ｄ、１１４ａ、
１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄ 排他領域パターン １１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄ、１１６ａ、
１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ 補助パターン侵入部
分及び排他領域パターン被侵入部分 １１７ａ、１１７ｂ、１１７ｃ、１１７ｄ 排他領域
パターン被侵入部分に対応する補助パターン部分 １１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１９ｄ 補助パタ
ーン侵入部分の全幅部分 １１９ａ 新たな補助パターン １２０ｂ 他の補助パターンへの補助パターン侵入部
分
侵入部分 ５１、５２、５３、５４ 排他領域パターン ５５、５６、５７ 排他領域パターンへの補助パター
ン侵入部分 ６１、６２、６３ 完成した補助パターン １０１、１０２、１０３、１０４ 設計パターン １０５ パターン端部 １１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ、１１２ａ、
１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ、１２１、１２２、１２
３、１２４、１２５ 補助パターン １１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ、１１３ｄ、１１４ａ、
１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄ 排他領域パターン １１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄ、１１６ａ、
１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ 補助パターン侵入部
分及び排他領域パターン被侵入部分 １１７ａ、１１７ｂ、１１７ｃ、１１７ｄ 排他領域
パターン被侵入部分に対応する補助パターン部分 １１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１９ｄ 補助パタ
ーン侵入部分の全幅部分 １１９ａ 新たな補助パターン １２０ｂ 他の補助パターンへの補助パターン侵入部
分
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体装置製造工程の露光用マスクパタ
ーンの補助パターン自動発生方法であって、 設計された前記マスクパターン（設計パターン）の外側
に、予め設定された間隔を隔てて予め設定された幅の補
助パターンを発生させる手順と、 前記設計パターンの外側に、予め設定された幅で前記補
助パターンの配置禁止領域を設定する手順と、 前記補助パターンの前記配置禁止領域内ヘの侵入部分を
削除して前記補助パターンを更新する手順と、 前記補助パターンの外側に、他の補助パターンを排除す
る排他領域を予め設定された幅で設定する手順と、 前記補助パターンの他の補助パターン及び他の補助パタ
ーンの排他領域ヘの侵入部分を削除して、補助パターン
を更新する手順と、 を有することを特徴とする補助パターン自動発生方法。 - 【請求項２】 半導体装置製造工程の露光用マスクパタ
ーンの補助パターン自動発生方法であって、 設計パターンの端部に、予め設定した基準で優先度を設
定する手順と、 前記設計パターンの外側に、予め設定された間隔を隔て
て予め設定された幅の補助パターンを発生する手順と、 前記設計パターン端部の前記優先度に応じて、対応する
前記補助パターンに優先度を設定する手順と、 前記設計パターンの外側に、予め設定された幅で前記補
助パターンの配置禁止領域を設定する手順と、 前記補助パターンの前記配置禁止領域内ヘの侵入部分を
削除して、前記補助パターンを更新する手順と、 前記補助パターンの外側に、他の補助パターンを排除す
る排他領域を予め設定された幅で設定する手順と、 前記補助パターンの他の補助パターン及び他の補助パタ
ーンの排他領域ヘの侵入部分と、被侵入部の補助パター
ン部分及び被侵入部の排他領域部分が帰属する補助パタ
ーンの対応部分とに対して、侵入側及び被侵入側の両補
助パターンの前記優先度と配置と削除すべき面積との関
係に応じて、予め設定した基準により侵入部及び被侵入
部の対応部の補助パターンの一方のみを削除するか、両
方の補助パターンの一部を削除するか、両方の補助パタ
ーンを削除して新たな補助パターンを発生させるかを選
択して処理し、補助パターンを更新する手順と、 を有することを特徴とする補助パターン自動発生方法。 - 【請求項３】 前記補助パターンの一部を削除する時
は、常に前記補助パターンの削除すべき部分の幅を全幅
にわたり削除する、請求項ｌ又は請求項２に記載の補助
パターン自動発生方法。 - 【請求項４】 前記設計パターンの端部に前記優先度を
設定する手順において、 前記設計パターンのパターン幅寸法に応じて予め設定し
た基準で前記パターン端部の前記優先度を決定する、請
求項２に記載の補助パターン自動発生方法。 - 【請求項５】 前記補助パターンの他の補助パターン及
び他の補助パターンの排他領域ヘの侵入部分を排除する
ために行なわれる削除すべき補助パターンの選択処理に
おいて、 侵入側と被侵入側の補助パターンの優先度が異なるとき
は、配置の関係に関わらず、前記侵入部及び前記被侵入
部に対応する補助パターンの前記優先度が低い方のみの
対応部分を削除する、請求項２に記載の補助パターン自
動発生方法。 - 【請求項６】 前記補助パターンの他の補助パターン及
び他の補助パターンの排他領域ヘの侵入部分を排除する
ために行なわれる削除すべき補助パターンの選択処理に
おいて、 侵入側と被侵入側の補助パターンの優先度が同じでかつ
双方の位置が平行関係にあるときは、侵入部及び被侵入
部に対応する両方の補助パターンの対応部分を削除し、
削除された両方の補助パターンの対応部分の中間位置に
新たな補助パターンを発生させる、請求項２に記載の補
助パターン自動発生方法。 - 【請求項７】 前記補助パターンの他の補助パターン及
び他の補助パターンの排他領域ヘの侵入部分を排除する
ために行なわれる削除すべき補助パターンの選択処理に
おいて、 侵入側と被侵入側の補助パターンの優先度が同じでかつ
双方の位置が平行関係にないときは、侵入部及び被侵入
部に対応する両方の補助パターンの削除すべき対応部分
の、削除すべき面積の小さい方のみを削除する、請求項
２に記載の補助パターン自動発生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11079796A JP2783250B2 (ja) | 1996-05-01 | 1996-05-01 | 露光用マスクパターンの補助パターン自動発生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11079796A JP2783250B2 (ja) | 1996-05-01 | 1996-05-01 | 露光用マスクパターンの補助パターン自動発生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09297388A JPH09297388A (ja) | 1997-11-18 |
| JP2783250B2 true JP2783250B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=14544893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11079796A Expired - Fee Related JP2783250B2 (ja) | 1996-05-01 | 1996-05-01 | 露光用マスクパターンの補助パターン自動発生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2783250B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
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|---|---|---|---|---|
| KR100494683B1 (ko) * | 2000-05-31 | 2005-06-13 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 4-마스크를 이용한 박막 트랜지스터 액정표시장치의제조시에 사용하는 할프톤 노광 공정용 포토 마스크 |
| US6703167B2 (en) * | 2001-04-18 | 2004-03-09 | Lacour Patrick Joseph | Prioritizing the application of resolution enhancement techniques |
| JP4520787B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2010-08-11 | エーエスエムエル マスクツールズ ビー．ブイ． | 半波長以下リソグラフィ模様付けの改良型散乱バーｏｐｃ適用方法 |
| JP5407192B2 (ja) | 2008-06-20 | 2014-02-05 | 富士通セミコンダクター株式会社 | パターン形成方法及び半導体装置 |
| JP5169575B2 (ja) * | 2008-07-24 | 2013-03-27 | 富士通セミコンダクター株式会社 | フォトマスクパターンの作成方法 |
| JP5607348B2 (ja) * | 2009-01-19 | 2014-10-15 | キヤノン株式会社 | 原版データを生成する方法およびプログラム、ならびに、原版製作方法 |
| KR101113326B1 (ko) | 2009-07-01 | 2012-03-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토마스크의 보조패턴 형성방법 |
| JP5185235B2 (ja) * | 2009-09-18 | 2013-04-17 | 株式会社東芝 | フォトマスクの設計方法およびフォトマスクの設計プログラム |
| JP5606932B2 (ja) * | 2011-01-18 | 2014-10-15 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | マスクの製造方法ならびに光近接効果補正の補正方法および半導体装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-05-01 JP JP11079796A patent/JP2783250B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09297388A (ja) | 1997-11-18 |
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