JP2782877B2 - 光放射の検出及び処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 （発明の属する技術分野） 本発明は光放射の検出用デバイスに関する。
（従来の技術） 長波長光検出器（５マイクロメートル以上）は２つの
デバイスのグループに大別される： （１）光電効果半導体検出器 （２）ホトサーミック（photothermic）検出器 １番目の場合、これらの検出器は低温でのみ動作す
る。実際、これらのデバイスの動作原理は、２つのエネ
ルギーレベルE1とE2の間の光遷移による自由キャリアの
発生に基づいている。応用の種類により： ア 外来光伝導体の場合、エネルギーレベルE1はトラッ
プレベルであり、E2は伝導帯である。
デバイスのグループに大別される： （１）光電効果半導体検出器 （２）ホトサーミック（photothermic）検出器 １番目の場合、これらの検出器は低温でのみ動作す
る。実際、これらのデバイスの動作原理は、２つのエネ
ルギーレベルE1とE2の間の光遷移による自由キャリアの
発生に基づいている。応用の種類により： ア 外来光伝導体の場合、エネルギーレベルE1はトラッ
プレベルであり、E2は伝導帯である。
イ 真性光伝導体、光起電力等の場合、エネルギーレベ
ルE1は価電子帯であり、E2は伝導帯である。
ルE1は価電子帯であり、E2は伝導帯である。
ウ ショットキー検出器において（E2−E1）は障壁の高
さである。
さである。
もし電磁波によりエネルギーの低い（例えば110meV）
遷移が生ずるならば、周囲温度でのフォノン（Phonon
s）はエネルギーが十分高く（25meV）、この遷移の発生
が非常に多い。言い換えれば、暗電流はデバイス内では
周囲温度において非常に大きく、光検出器の検出率（イ
ンピーダンスに類似）は極端に低い ２番目の場合、すなわちホトサーミック検出器の場
合、電磁波の吸収による温度の増加により、焦電材料の
誘電率が変化する。１番目のグループのデバイス（光電
効果半導体検出器）に比較しこれらの検出器は周囲温度
で動作する。関連したレベルの間に光遷移が含まれてい
るので、これらの材料の導電率は変らないが、容量性構
造のインピーダンスは非常に大きな値のままで、高い増
幅度を示す。
遷移が生ずるならば、周囲温度でのフォノン（Phonon
s）はエネルギーが十分高く（25meV）、この遷移の発生
が非常に多い。言い換えれば、暗電流はデバイス内では
周囲温度において非常に大きく、光検出器の検出率（イ
ンピーダンスに類似）は極端に低い ２番目の場合、すなわちホトサーミック検出器の場
合、電磁波の吸収による温度の増加により、焦電材料の
誘電率が変化する。１番目のグループのデバイス（光電
効果半導体検出器）に比較しこれらの検出器は周囲温度
で動作する。関連したレベルの間に光遷移が含まれてい
るので、これらの材料の導電率は変らないが、容量性構
造のインピーダンスは非常に大きな値のままで、高い増
幅度を示す。
（発明の主題） 本発明は周囲温度で動作する半導体技術により製造可
能な光検出器を提供することを目的とする。
能な光検出器を提供することを目的とする。
本発明の主題は非対称量子井戸内にある関連したレベ
ルの間の遷移を利用した容量性検出構造についてであ
る。これらの検出器の利点を示すと次の通りである： （１）周囲温度においても非常に高いインピーダンスが
得られることで、これにより増幅度が高く周囲温度にお
いて検出器として利用できる。
ルの間の遷移を利用した容量性検出構造についてであ
る。これらの検出器の利点を示すと次の通りである： （１）周囲温度においても非常に高いインピーダンスが
得られることで、これにより増幅度が高く周囲温度にお
いて検出器として利用できる。
（２）半導体技術により製造できることと、半導体シス
テム内に集積の実現性があること。
テム内に集積の実現性があること。
従って、本発明の主題は光放射の検出用デバイスであ
り、前記デバイスが非対称合成体の量子井戸を少なくと
も１つ有する非直線結晶体からなることを特徴としてお
り、前記井戸は材料に異なるギャップを有した層スタッ
ク（stack）からなる。
り、前記デバイスが非対称合成体の量子井戸を少なくと
も１つ有する非直線結晶体からなることを特徴としてお
り、前記井戸は材料に異なるギャップを有した層スタッ
ク（stack）からなる。
本発明の主題は更に、前述のような検出デバイスを製
造する過程であり、非対称量子井戸のスタックを構成し
ている材料の種々の層がエピタキシーで組み立てられて
いることを特徴としている。
造する過程であり、非対称量子井戸のスタックを構成し
ている材料の種々の層がエピタキシーで組み立てられて
いることを特徴としている。
（図面の簡単な説明） 第１図は本発明による構造の例を示し、 第２図は本発明によるエネルギー図を示し、 第３図は本発明による量子井戸スタック図を示し、 第４図は入射波長の関数である光整流の係数の変化を
示す曲線を示し、 第５図は第１図のデバイスに電界効果トランジスタを
有する集積構造を示し、 第６図は構造が分極することを示す量子井戸スタック
図を示し、 第７図は周波数ダブリング（doubling）係数の変化曲
線を示し、 第８図はヘテロダインによる光検出装置を示してい
る。
示す曲線を示し、 第５図は第１図のデバイスに電界効果トランジスタを
有する集積構造を示し、 第６図は構造が分極することを示す量子井戸スタック
図を示し、 第７図は周波数ダブリング（doubling）係数の変化曲
線を示し、 第８図はヘテロダインによる光検出装置を示してい
る。
（発明の実施の形態） 以下図面に基づき本発明を更に詳しく説明する。
第１図は本発明による検出器の単純化した構造を示し
ており、第２図はこの検出器のエネルギー図を示してい
る。この検出器には基板１の上に、ある半導体材料とそ
れと同じ半導体材料の２つの層２、５の間にクランプさ
れた異なる半導体材料３、４の２つの層がある。これら
の種々の層の材料は、層３、４が第２図に示す非対称量
子井戸を構成するように選択されている。このため、層
３、４の材料には異なる伝導ポテンシャルがある。
ており、第２図はこの検出器のエネルギー図を示してい
る。この検出器には基板１の上に、ある半導体材料とそ
れと同じ半導体材料の２つの層２、５の間にクランプさ
れた異なる半導体材料３、４の２つの層がある。これら
の種々の層の材料は、層３、４が第２図に示す非対称量
子井戸を構成するように選択されている。このため、層
３、４の材料には異なる伝導ポテンシャルがある。
例として、次のような材料が選択される： 基板１として：不純物および半導体をドーピングされ
たGaAs及びn+でドーピングされたGaAsの緩衝層１′； 層２として:Xが０と１の間のAlxGa1-xAs； 層３として:GaAs; 層４として:yが０とＸの間のAlyGa1-yAs； 層５として:Xが０と１の間のAlxGa1-xAs（Ｘは層２と
同じ）； 層６として：n+タイプ不純物でドーピングされたGaA
s. 電荷ポテンシャル測定装置Ｖを接続するように層１と
６の上に接触がある。
たGaAs及びn+でドーピングされたGaAsの緩衝層１′； 層２として:Xが０と１の間のAlxGa1-xAs； 層３として:GaAs; 層４として:yが０とＸの間のAlyGa1-yAs； 層５として:Xが０と１の間のAlxGa1-xAs（Ｘは層２と
同じ）； 層６として：n+タイプ不純物でドーピングされたGaA
s. 電荷ポテンシャル測定装置Ｖを接続するように層１と
６の上に接触がある。
Si/SiGeまたはInGaAs/InAlAs等によるヘテロ構造のよ
うなその他のヘテロ構造が想像されることに注意すべき
である。
うなその他のヘテロ構造が想像されることに注意すべき
である。
必要不可欠な事は、第２図に示すように非対称量子井
戸を取り入れたデバイスを形成することである。
戸を取り入れたデバイスを形成することである。
第２図には接地状態E0と励起状態E1の位置を示してお
り、それは各状態の電子の存在確率と同じである。合成
体と量子井戸の幅は、E1−E0が検出しようとする波長に
対応するように最適化されている。各状態の電荷のバリ
センタ（bary centre）も示されている。照射のもとで
は、２つの状態の遷移により、一番深い井戸の固定され
た電荷と状態E1の電界の間に、電子的に検出可能なダイ
ポール（dipole）が生ずる。更に、この非対称により光
整流や光ヘテロダインのような光の非直線現象が生ず
る。
り、それは各状態の電子の存在確率と同じである。合成
体と量子井戸の幅は、E1−E0が検出しようとする波長に
対応するように最適化されている。各状態の電荷のバリ
センタ（bary centre）も示されている。照射のもとで
は、２つの状態の遷移により、一番深い井戸の固定され
た電荷と状態E1の電界の間に、電子的に検出可能なダイ
ポール（dipole）が生ずる。更に、この非対称により光
整流や光ヘテロダインのような光の非直線現象が生ず
る。
第３図には、第１図と第２図の非対称合成体の量子井
戸スタックのような量子井戸スタックからなる構造を示
している。
戸スタックのような量子井戸スタックからなる構造を示
している。
前述のようなGaAsやAlGaAsによる構造を周囲温度に置
くと、E1−E0の値が120meVならば２つの状態のポピュレ
ーションレシオ（population ratio）はn1／n0＝１％で
ある。状態E0は第３図の全ての状態に対し絶縁されるよ
うに十分深く取られている。
くと、E1−E0の値が120meVならば２つの状態のポピュレ
ーションレシオ（population ratio）はn1／n0＝１％で
ある。状態E0は第３図の全ての状態に対し絶縁されるよ
うに十分深く取られている。
ダイポールの検出は、本発明に基づき第１図の装置Ｖ
を用いて表面電荷ポテンシャルを検出することにより行
われる。
を用いて表面電荷ポテンシャルを検出することにより行
われる。
表面ポテンシャルは２つの効果に起因している： （１）検出されるべき放射によって生ずる熱から発生す
る焦電（パイロ）効果； （２）検出されるべき放射の光整流効果。
る焦電（パイロ）効果； （２）検出されるべき放射の光整流効果。
焦電効果に関し、井戸のドーピングのオーダーが1011
cm-2、寿命が0.14psならば、厚さが１μｍの容量性ダイ
オードの感度は周囲温度で10μV/W・cm-2であり、この
検出は可能ということが計算により示されている。
cm-2、寿命が0.14psならば、厚さが１μｍの容量性ダイ
オードの感度は周囲温度で10μV/W・cm-2であり、この
検出は可能ということが計算により示されている。
光整流効果に関し、第４図は入射波長の関数である検
出媒質（量子井戸の窓）の光整流係数D0=W-Wの変化を示
している（アムノン ヤリブ（AMNON YARIV）著、ジョ
ン ウィリー アンド サン インコーポレーション
（John Wiley and Sons Inc.）出版、ニューヨーク、の
文献で“クオンタム エレクトロニクス（Quantum Elec
tronics）"16章−イントロダクション ツー ノンリニ
ヤー オプティクス（Introduction to Nonlinear Opti
cs）−セカンド ハーモニック ゼネレーション（Seco
nd Harmonic Generation）、407頁から409頁を参照）。
例として、波長が10.6マイクロメータの場合、コンデン
サの端子で、１ワット、１平方センチメートル当たり、
ほぼ1.6マイクロボルトのポテンシャルが検出される。
ｈ＝E1−E0に対し感度があることがよく判る。
出媒質（量子井戸の窓）の光整流係数D0=W-Wの変化を示
している（アムノン ヤリブ（AMNON YARIV）著、ジョ
ン ウィリー アンド サン インコーポレーション
（John Wiley and Sons Inc.）出版、ニューヨーク、の
文献で“クオンタム エレクトロニクス（Quantum Elec
tronics）"16章−イントロダクション ツー ノンリニ
ヤー オプティクス（Introduction to Nonlinear Opti
cs）−セカンド ハーモニック ゼネレーション（Seco
nd Harmonic Generation）、407頁から409頁を参照）。
例として、波長が10.6マイクロメータの場合、コンデン
サの端子で、１ワット、１平方センチメートル当たり、
ほぼ1.6マイクロボルトのポテンシャルが検出される。
ｈ＝E1−E0に対し感度があることがよく判る。
検出信号が焦電、光整流および光容量効果による検出
からなることを再び述べる。
からなることを再び述べる。
更に、第１図または第３図のデバイスで受信される放
射には、媒質の実効指数の変化も示す。実際、ダイポー
ルが発生することにより、第６図に示すように媒質の静
分極が変化する。この図において、矢印はダイポールの
容量を測定するため、交番電界の影響のもとでのダイポ
ールの動きを示している。この分極はホイーストンブリ
ッジ、または誘導器、抵抗器、コンデンサを組合せた同
調回路によりすばやく検出できる。
射には、媒質の実効指数の変化も示す。実際、ダイポー
ルが発生することにより、第６図に示すように媒質の静
分極が変化する。この図において、矢印はダイポールの
容量を測定するため、交番電界の影響のもとでのダイポ
ールの動きを示している。この分極はホイーストンブリ
ッジ、または誘導器、抵抗器、コンデンサを組合せた同
調回路によりすばやく検出できる。
感度を上げるために、機械的変調器または電気光学変
調器により光を変調することができる。
調器により光を変調することができる。
デバイスの表面でポテンシャルを検出することにより
得られる検出デバイスの動作は、本発明に基づき、非対
称量子井戸からなる検出構造により行われているが、そ
の検出デバイスは電界効果トランジスタのソースまたは
ゲートの所にまとめられている。
得られる検出デバイスの動作は、本発明に基づき、非対
称量子井戸からなる検出構造により行われているが、そ
の検出デバイスは電界効果トランジスタのソースまたは
ゲートの所にまとめられている。
第５図には集積デバイスのように示してあり、その中
で検出デバイスDETは非対称量子井戸スタックを構成し
ており、電界効果トランジスタのソースにまとめられて
いる。
で検出デバイスDETは非対称量子井戸スタックを構成し
ており、電界効果トランジスタのソースにまとめられて
いる。
第５図によると、本発明に基づく構造は例としてヒ化
ガリウムで構成され、次のものから成っている： （１）半絶縁GaAs基板上には、ｎドーピングされてお
り、ソースとドレインから構成されたn+ドーピングの２
つの領域からなるGaAsの層； （２）トランジスタのゲートを構成し、２つのn+ドーピ
ング領域の間にある金属層； （３）非対称量子井戸スタックから構成され、トランジ
スタのソースのn+ドーピング領域の上にある検出デバイ
スDET; （４）トランジスタの接続の他に検出デバイスの側面も
絶縁させる絶縁層ISO; （５）デバイスDETの上面をトランジスタのゲートに接
続する金属接続部CX1; （６）トランジスタのドレインに接続し出力信号を供給
する金属接続部CX0。
ガリウムで構成され、次のものから成っている： （１）半絶縁GaAs基板上には、ｎドーピングされてお
り、ソースとドレインから構成されたn+ドーピングの２
つの領域からなるGaAsの層； （２）トランジスタのゲートを構成し、２つのn+ドーピ
ング領域の間にある金属層； （３）非対称量子井戸スタックから構成され、トランジ
スタのソースのn+ドーピング領域の上にある検出デバイ
スDET; （４）トランジスタの接続の他に検出デバイスの側面も
絶縁させる絶縁層ISO; （５）デバイスDETの上面をトランジスタのゲートに接
続する金属接続部CX1; （６）トランジスタのドレインに接続し出力信号を供給
する金属接続部CX0。
デバイスDETの上面には窓FEがあり、前記窓には絶縁
体と金属接続部がないが、デバイスDET上で放射を行
う。放射は、第５図に示すようにメカニカルまたは電気
光学変調器によりデバイスDETに伝送される。
体と金属接続部がないが、デバイスDET上で放射を行
う。放射は、第５図に示すようにメカニカルまたは電気
光学変調器によりデバイスDETに伝送される。
このように、デバイスDETによりソースとゲートの間
にポテンシャルが生ずる。ドレイン接続部CX0の上で、
デバイスDETに供給される放射密度に比例した出力信号
が検出される。
にポテンシャルが生ずる。ドレイン接続部CX0の上で、
デバイスDETに供給される放射密度に比例した出力信号
が検出される。
本発明の装置は、さらにヘテロダインによる光検出装
置に適用される。
置に適用される。
すでに示した様に、状態E0と状態E1の中の波動関数の
非対称により非直線光係数d2W=W+Wが非常に大きくなる
（前述のアノンヤリブの文献とジャーニック（GURNIC
K）他著、IEEE ジャーナル オブ クオンタム エレ
クトロニクス（Journal of Quantum Electronics）NO
5、1983年５月発刊の“シンセティック ノンリニア
セミコンダクタ（Synthetic Nonlinear Semiconductor
s）、およびL.サング（TSANG）著、アプライドフィジッ
ク（Applied Physic）（原文のまま）レター52（９）、
1988年２月29日発刊の“エレクトリック フィールド
コントロール オブ オプティカル セカンド ハーモ
ニック ジェネレーション イン ア クオンタム ウ
ェル（Electric field control of optical second har
monic generation in a quantum well）”の文献を参
照）。第７図には、第１図で取扱った例に対する構造の
光ダブリング係数d2W=W+Wの計算値を示している。波長
が10.6μｍの場合には、純粋なGaAs（同じユニット）の
場合の非直線係数が72であるのに比較して、非直線係数
が17.000（1/910-22M K SA）である。これにより、検出
される信号とポンプビーム（pump beam）の間のヘテロ
ダイン検出器に対し非対称量子多重井戸を利用できる。
非対称により非直線光係数d2W=W+Wが非常に大きくなる
（前述のアノンヤリブの文献とジャーニック（GURNIC
K）他著、IEEE ジャーナル オブ クオンタム エレ
クトロニクス（Journal of Quantum Electronics）NO
5、1983年５月発刊の“シンセティック ノンリニア
セミコンダクタ（Synthetic Nonlinear Semiconductor
s）、およびL.サング（TSANG）著、アプライドフィジッ
ク（Applied Physic）（原文のまま）レター52（９）、
1988年２月29日発刊の“エレクトリック フィールド
コントロール オブ オプティカル セカンド ハーモ
ニック ジェネレーション イン ア クオンタム ウ
ェル（Electric field control of optical second har
monic generation in a quantum well）”の文献を参
照）。第７図には、第１図で取扱った例に対する構造の
光ダブリング係数d2W=W+Wの計算値を示している。波長
が10.6μｍの場合には、純粋なGaAs（同じユニット）の
場合の非直線係数が72であるのに比較して、非直線係数
が17.000（1/910-22M K SA）である。これにより、検出
される信号とポンプビーム（pump beam）の間のヘテロ
ダイン検出器に対し非対称量子多重井戸を利用できる。
第８図には、その様な検出器の装置を示している。こ
の装置は、再伝送する半反射板の方向にレーザービーム
を放射するレーザー源と、一方では検出される物体に向
かう検出ビームFdと、他方では量子井戸スタックからな
る検出デバイスDETに向かうポンプビームFpから構成さ
れている。
の装置は、再伝送する半反射板の方向にレーザービーム
を放射するレーザー源と、一方では検出される物体に向
かう検出ビームFdと、他方では量子井戸スタックからな
る検出デバイスDETに向かうポンプビームFpから構成さ
れている。
デバイスDETは、Fdが検出される物体から反射される
ことにより発生するビームF1を受ける。ビームF1はポン
プビームFpによりデバイスDET内で増幅される。増幅さ
れたビームはこのようにデバイスDETによって与えられ
容易に検出される。
ことにより発生するビームF1を受ける。ビームF1はポン
プビームFpによりデバイスDET内で増幅される。増幅さ
れたビームはこのようにデバイスDETによって与えられ
容易に検出される。
前述の記述が例から得られることは明らかである。本
発明の範囲を越えることなく他の変形が予測される。特
に数値例は記述を説明する目的のみのため与えられてい
る。
発明の範囲を越えることなく他の変形が予測される。特
に数値例は記述を説明する目的のみのため与えられてい
る。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−182850（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−212619（ＪＰ，Ａ) 米国特許4745452（ＵＳ，Ａ) 米国特許4716449（ＵＳ，Ａ) Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ ｅｔｔｅｒｓ Ｖｏｌ．47 Ｎｏ．12 Ｐ．1257−1259 （1985) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 31/00
Claims (6)
- 【請求項１】少なくとも２つの層（３、４）のスタック
をふくむ非直線結晶体を有し、 前記層は非対称構造をもつ少なくともひとつの量子井戸
を構成する異なる禁止帯幅をもつ材料から作られ、 前記スタックは、スタックの層よりも大きな禁止帯幅を
もつ材料によるバリア層（２、５）によりはさまれ、 前記井戸は井戸の深い部分の第１エネルギーレベル（E
0）とそれより浅い部分の第２エネルギーレベル（E1）
とをふくみ、 光の検出と処理は電子のこれら２つのレベルの間の遷移
により行われ、 電圧測定装置に接続される電極（１、６）が前記バリア
層にもうけられることを特徴とする光放射の検出用デバ
イス。 - 【請求項２】検出装置が非対称合成体を有する多数の量
子井戸のスタックから成ることを特徴とする請求項１記
載の検出装置。 - 【請求項３】種々の量子井戸が実質的に等しい特性であ
ることを特徴とする請求項１記載の検出装置。 - 【請求項４】検出装置が量子井戸のスタックの端に接続
されているポテンシャル測定装置を有することを特徴と
する請求項２または３のいずれか１つに記載の検出装
置。 - 【請求項５】検出装置が電界効果トランジスタからな
り、量子井戸のスタックの一番端の２つの層の間に生ず
る電圧により電界効果トランジスタが制御されるよう
に、多数の量子井戸のスタックが電界効果トランジスタ
のドレインまたはゲートの所に集められていることを特
徴とする請求項４記載の検出装置。 - 【請求項６】非対称量子井戸のスタックを構成する材料
の種々の層がエピタキシーから組み立てられることを特
徴とする前述の請求項のいずれか１つに記載の検出装置
を構成する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8815956A FR2640044B1 (fr) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | Dispositif de detection de rayonnements optiques |
| FR88/15956 | 1988-12-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03505390A JPH03505390A (ja) | 1991-11-21 |
| JP2782877B2 true JP2782877B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=9372610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1506157A Expired - Fee Related JP2782877B2 (ja) | 1988-12-06 | 1989-05-26 | 光放射の検出及び処理装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5869844A (ja) |
| EP (1) | EP0407470B1 (ja) |
| JP (1) | JP2782877B2 (ja) |
| CA (1) | CA1320558C (ja) |
| DE (1) | DE68917131T2 (ja) |
| FR (1) | FR2640044B1 (ja) |
| WO (1) | WO1990006596A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2640044B1 (fr) * | 1988-12-06 | 1993-02-12 | Thomson Csf | Dispositif de detection de rayonnements optiques |
| GB2231969B (en) * | 1989-05-12 | 1993-11-03 | Stc Plc | Optical modulator |
| FR2663787B1 (fr) * | 1990-06-26 | 1997-01-31 | Thomson Csf | Detecteur d'ondes electromagnetiques. |
| FR2682477B1 (fr) * | 1991-10-11 | 1994-04-15 | Thomson Csf | Spectrometre. |
| FR2686431A1 (fr) * | 1992-01-21 | 1993-07-23 | Thomson Csf | Doubleur de frequence optique utilisant des structures quantiques semiconductrices. |
| SE505753C3 (sv) * | 1996-01-11 | 1997-10-06 | Imc Ind Mikroelektronikcentrum | Strukturer foer temperatursensorer och infraroeddetektorer |
| FR2761537B1 (fr) | 1997-04-01 | 1999-06-11 | Thomson Csf | Laser comprenant un empilement de diodes laser epitaxiees compris entre deux miroirs de bragg |
| FR2772919B1 (fr) | 1997-12-23 | 2000-03-17 | Thomson Csf | Imageur infrarouge a structure quantique fonctionnant a temperature ambiante |
| FR2780203B1 (fr) | 1998-06-23 | 2003-07-04 | Thomson Csf | Detecteur a puits quantique avec couche de stockage des electrons photoexcites |
| FR2808926B1 (fr) * | 2000-05-12 | 2003-08-01 | Thomson Csf | Detecteur optique polarimetrique |
| FR2808925B1 (fr) | 2000-05-12 | 2003-08-08 | Thomson Csf | Detecteur optique bi-spectral |
| FR2811808B1 (fr) | 2000-07-11 | 2002-10-25 | Thomson Csf | Dispositif d'auto-compensation pour detecteurs soustractifs |
| US6563185B2 (en) * | 2001-05-21 | 2003-05-13 | The Regents Of The University Of Colorado | High speed electron tunneling device and applications |
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| FR2855653B1 (fr) * | 2003-05-27 | 2005-10-21 | Thales Sa | Structure amorphe de couplage optique pour detecteur d'ondes electromagnetiques et detecteur associe |
| FR2863774B1 (fr) * | 2003-12-16 | 2006-03-03 | Thales Sa | Photodetecteur a concentration de champ proche |
| FR2937792B1 (fr) * | 2008-10-24 | 2011-03-18 | Thales Sa | Dispositif d'imagerie multispectral a base de multi-puits quantiques |
| FR2937791B1 (fr) * | 2008-10-24 | 2010-11-26 | Thales Sa | Dispositif d'imagerie polarimetrique optimise par rapport au contraste de polarisation |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4447746A (en) * | 1981-12-31 | 1984-05-08 | International Business Machines Corporation | Digital photodetectors |
| US4546244A (en) * | 1984-03-14 | 1985-10-08 | At&T Bell Laboratories | Nonlinear and bistable optical device |
| US4590507A (en) * | 1984-07-31 | 1986-05-20 | At&T Bell Laboratories | Variable gap devices |
| US4745452A (en) * | 1984-09-24 | 1988-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Tunneling transfer devices |
| FR2595509B1 (fr) * | 1986-03-07 | 1988-05-13 | Thomson Csf | Composant en materiau semiconducteur epitaxie sur un substrat a parametre de maille different et application a divers composants en semiconducteurs |
| JPH0650770B2 (ja) * | 1987-01-24 | 1994-06-29 | 工業技術院長 | 光半導体装置の製造方法 |
| US5010517A (en) * | 1987-11-18 | 1991-04-23 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor optical apparatus |
| FR2640044B1 (fr) * | 1988-12-06 | 1993-02-12 | Thomson Csf | Dispositif de detection de rayonnements optiques |
-
1988
- 1988-12-06 FR FR8815956A patent/FR2640044B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-05-26 WO PCT/FR1989/000253 patent/WO1990006596A1/fr active IP Right Grant
- 1989-05-26 DE DE68917131T patent/DE68917131T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-05-26 JP JP1506157A patent/JP2782877B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-05-26 EP EP89906377A patent/EP0407470B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-29 CA CA000600976A patent/CA1320558C/fr not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-01-17 US US08/373,889 patent/US5869844A/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
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|---|
| Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ Ｖｏｌ．４７ Ｎｏ．１２ Ｐ．１２５７−１２５９ （１９８５） |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5869844A (en) | 1999-02-09 |
| JPH03505390A (ja) | 1991-11-21 |
| EP0407470A1 (fr) | 1991-01-16 |
| EP0407470B1 (fr) | 1994-07-27 |
| FR2640044A1 (fr) | 1990-06-08 |
| DE68917131T2 (de) | 1994-11-10 |
| CA1320558C (fr) | 1993-07-20 |
| FR2640044B1 (fr) | 1993-02-12 |
| WO1990006596A1 (fr) | 1990-06-14 |
| DE68917131D1 (de) | 1994-09-01 |
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