JP2779526B2 - 複合薄膜磁気ヘッド - Google Patents
複合薄膜磁気ヘッドInfo
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- JP2779526B2 JP2779526B2 JP1245536A JP24553689A JP2779526B2 JP 2779526 B2 JP2779526 B2 JP 2779526B2 JP 1245536 A JP1245536 A JP 1245536A JP 24553689 A JP24553689 A JP 24553689A JP 2779526 B2 JP2779526 B2 JP 2779526B2
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- magnetic head
- recording
- magnetoresistive
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
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- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記録装置、VTR等に使用される薄膜磁気ヘ
ッドに係り、特に超高密度磁気記録及び再生に好適な記
録ヘッドと再生ヘッドが一体に形成された複合薄膜磁気
ヘッド及び磁気記録装置に関する。
ッドに係り、特に超高密度磁気記録及び再生に好適な記
録ヘッドと再生ヘッドが一体に形成された複合薄膜磁気
ヘッド及び磁気記録装置に関する。
従来誘導型薄膜磁気ヘッドと磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドとを複合化する方法の一つに、特開昭58−189818
号公報に記載のように上部磁性膜の上部表面に電気的絶
縁膜を介して磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを形成する
方法が提案され、更に上部磁性膜端部で断差が小さくな
る方法も提案されている。
ヘッドとを複合化する方法の一つに、特開昭58−189818
号公報に記載のように上部磁性膜の上部表面に電気的絶
縁膜を介して磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを形成する
方法が提案され、更に上部磁性膜端部で断差が小さくな
る方法も提案されている。
また、磁性膜を先端部と後部に分割して形成する方法
が特開昭60−10410号公報(米国優先権主張)に提案さ
れている。この方法を用いれば、磁性膜の先端部を高飽
和磁化合金で形成し、後部を高透磁率性材料で形成する
ことが出来る為、優れた記録特性を有する薄膜磁気ヘッ
ドが得られるとされている。
が特開昭60−10410号公報(米国優先権主張)に提案さ
れている。この方法を用いれば、磁性膜の先端部を高飽
和磁化合金で形成し、後部を高透磁率性材料で形成する
ことが出来る為、優れた記録特性を有する薄膜磁気ヘッ
ドが得られるとされている。
更に、特開昭60−10409号公報においてては、絶縁膜
を形成する前に上部磁性膜の先端部のみを形成し、その
後絶縁膜及び上部磁性膜後部を形成する方法が提案され
ている。この方法を用いれば殆ど段差の無い状態で上部
磁性膜の幅が決められる為、トラック幅方向の寸法精度
が向上する。
を形成する前に上部磁性膜の先端部のみを形成し、その
後絶縁膜及び上部磁性膜後部を形成する方法が提案され
ている。この方法を用いれば殆ど段差の無い状態で上部
磁性膜の幅が決められる為、トラック幅方向の寸法精度
が向上する。
そして、特開昭62−71006号公報及び特開昭63−16881
1号公報に於いては、最下層の絶縁膜を形成した後、上
部磁性膜の先端部のみを形成し、次いで絶縁膜の上層部
分及び上部磁性膜後部を形成する方法が提案されてい
る。この方法を用いれば段差の低い状態で上部磁性膜の
幅が決められる為、トラック幅方向の寸法精度が向上す
る。
1号公報に於いては、最下層の絶縁膜を形成した後、上
部磁性膜の先端部のみを形成し、次いで絶縁膜の上層部
分及び上部磁性膜後部を形成する方法が提案されてい
る。この方法を用いれば段差の低い状態で上部磁性膜の
幅が決められる為、トラック幅方向の寸法精度が向上す
る。
次に、特開昭58−19718号公報には磁気抵抗効果膜に
絶縁膜を介してスルーホールを設け、そこで磁気抵抗効
果膜と導体を接続し、磁気記録用磁気ヘッドとして用
い、記録情報を再生したところ大きな出力が得られたこ
とが記載されている。
絶縁膜を介してスルーホールを設け、そこで磁気抵抗効
果膜と導体を接続し、磁気記録用磁気ヘッドとして用
い、記録情報を再生したところ大きな出力が得られたこ
とが記載されている。
上記従来技術は、特開昭60−10409号公報、特開昭60
−10410号公報、特開昭62−71006号公報、特開昭63−16
8811号公報に於いて誘導型薄膜磁気ヘッドの上部磁性膜
を先端部と後部に分割して形成する方法を提案している
が、誘導型記録用薄膜磁気ヘッドと磁気抵抗効果型再生
用薄膜磁気ヘッドとを複合化する方法については何の提
案も認められない。
−10410号公報、特開昭62−71006号公報、特開昭63−16
8811号公報に於いて誘導型薄膜磁気ヘッドの上部磁性膜
を先端部と後部に分割して形成する方法を提案している
が、誘導型記録用薄膜磁気ヘッドと磁気抵抗効果型再生
用薄膜磁気ヘッドとを複合化する方法については何の提
案も認められない。
また、特開昭58−189818号公報に於いては、誘導型記
録用薄膜磁気ヘッドと磁気抵抗効果型再生用薄膜磁気ヘ
ッドとを複合化する方法についての提案はされているも
のの、両薄膜磁気ヘッドの位置合せについては何の提案
も認められない。記録用磁気ヘッドと再生用磁気ヘッド
とのトラック幅方向に位置ずれ(オフトラック)が有る
と記憶した磁気情報を再生する際に再生用磁気ヘッドは
トラック上で磁気情報の有る位置からずれてトレースす
るので再生出力は低下し、隣接するトラックの磁気情報
が混入するクロストークを起す。位置ずれと再生出力の
低下の関係については文献アイ・イー・イー・イー・ト
ランズアクション オン マグネチックス 25(1)
(1989)第710頁から第715頁(IEEE,Trans.Magnetics
25(1)1989p710〜715)に論じられており、複合化薄
膜磁気ヘッドにとって位置合せは重要な技術課題になっ
ている。
録用薄膜磁気ヘッドと磁気抵抗効果型再生用薄膜磁気ヘ
ッドとを複合化する方法についての提案はされているも
のの、両薄膜磁気ヘッドの位置合せについては何の提案
も認められない。記録用磁気ヘッドと再生用磁気ヘッド
とのトラック幅方向に位置ずれ(オフトラック)が有る
と記憶した磁気情報を再生する際に再生用磁気ヘッドは
トラック上で磁気情報の有る位置からずれてトレースす
るので再生出力は低下し、隣接するトラックの磁気情報
が混入するクロストークを起す。位置ずれと再生出力の
低下の関係については文献アイ・イー・イー・イー・ト
ランズアクション オン マグネチックス 25(1)
(1989)第710頁から第715頁(IEEE,Trans.Magnetics
25(1)1989p710〜715)に論じられており、複合化薄
膜磁気ヘッドにとって位置合せは重要な技術課題になっ
ている。
更に、磁気抵抗効果膜と導体を接続する為に磁気抵抗
効果膜を被覆する絶縁膜にスルーホールを設ける際、磁
気抵抗効果膜を損傷せずにトラック幅を精度よく加工す
る方法即ち磁気抵抗効果膜の端面形状を正確に保ちスル
ーホールの加工を行う方法について特開昭58−19718号
公報には何の提案も認められない。
効果膜を被覆する絶縁膜にスルーホールを設ける際、磁
気抵抗効果膜を損傷せずにトラック幅を精度よく加工す
る方法即ち磁気抵抗効果膜の端面形状を正確に保ちスル
ーホールの加工を行う方法について特開昭58−19718号
公報には何の提案も認められない。
トラック幅の寸法誤差は、トラック幅に対して±10%
以内でなければならず、トラック幅を5μmとするとそ
の値は±0.5μm以下となる。スルーホールを形成する
工程でトラック幅の寸法誤差を小さくしょうとすると、
磁気抵抗効果膜が損傷を受ける。スルーホールを形成す
る加工方法は、通常ウエットエッチング法や、イオンミ
リング法が用いられウエットエッチング法では磁気抵抗
効果膜の損傷は少ないが±0.5μmのトラック幅寸法誤
差に留めるのは上記磁気抵抗効果膜の端面が多少オーバ
ーエッチングされる為困難であり、イオンミリング法で
はトラック幅寸法誤差は少ないもののオーバーミリング
で磁気抵抗効果膜が損傷を受ける問題があった。
以内でなければならず、トラック幅を5μmとするとそ
の値は±0.5μm以下となる。スルーホールを形成する
工程でトラック幅の寸法誤差を小さくしょうとすると、
磁気抵抗効果膜が損傷を受ける。スルーホールを形成す
る加工方法は、通常ウエットエッチング法や、イオンミ
リング法が用いられウエットエッチング法では磁気抵抗
効果膜の損傷は少ないが±0.5μmのトラック幅寸法誤
差に留めるのは上記磁気抵抗効果膜の端面が多少オーバ
ーエッチングされる為困難であり、イオンミリング法で
はトラック幅寸法誤差は少ないもののオーバーミリング
で磁気抵抗効果膜が損傷を受ける問題があった。
本発明の目的は、複合薄膜磁気ヘッドにおける誘導型
記録用ヘッドと磁気抵抗効果型再生用ヘッドの位置ずれ
を防止して超高密度記録を行う薄膜磁気ヘッドとそれを
用いた磁気記録装置を提供することにある。
記録用ヘッドと磁気抵抗効果型再生用ヘッドの位置ずれ
を防止して超高密度記録を行う薄膜磁気ヘッドとそれを
用いた磁気記録装置を提供することにある。
上記目的は、下部磁性膜を凹状に形成し、該凹状部に
導体コイルと該導体コイルを被覆する絶縁材を配設して
該絶縁材表面を平坦に形成し、該絶縁材表面と前記下部
磁性膜の磁気記録面側表面に第1のギャップ材を形成
し、該第1のギャップ材と前記下部磁性膜の磁気記録面
と反対側の表面に先端部と後部からなる上部磁性膜をほ
ぼ平坦に形成し、電気信号を磁気情報として記録する記
録用薄膜磁気ヘッドと、前記上部磁性膜の先端部表面に
第2のギャップ材を形成し、該第2のギャップ材表面に
磁気抵抗効果膜を形成して磁気情報を再生する再生用薄
膜磁気ヘッドとを備え、前記上部磁性膜の先端部と前記
第2のギャップ材と前記磁気抵抗効果膜の形状がトラッ
ク幅方向と前記上部磁性膜の後部方向に対して同一であ
る複合薄膜磁気ヘッドを提供することにより達成され
る。
導体コイルと該導体コイルを被覆する絶縁材を配設して
該絶縁材表面を平坦に形成し、該絶縁材表面と前記下部
磁性膜の磁気記録面側表面に第1のギャップ材を形成
し、該第1のギャップ材と前記下部磁性膜の磁気記録面
と反対側の表面に先端部と後部からなる上部磁性膜をほ
ぼ平坦に形成し、電気信号を磁気情報として記録する記
録用薄膜磁気ヘッドと、前記上部磁性膜の先端部表面に
第2のギャップ材を形成し、該第2のギャップ材表面に
磁気抵抗効果膜を形成して磁気情報を再生する再生用薄
膜磁気ヘッドとを備え、前記上部磁性膜の先端部と前記
第2のギャップ材と前記磁気抵抗効果膜の形状がトラッ
ク幅方向と前記上部磁性膜の後部方向に対して同一であ
る複合薄膜磁気ヘッドを提供することにより達成され
る。
そして上記目的は、上記に記載の複合薄膜磁気ヘッド
を用いた磁気記録装置を提供することにより達成され
る。
を用いた磁気記録装置を提供することにより達成され
る。
上記構成によれば、下部磁性膜を深さ5〜10μmで凹
状に形成してその中に導体コイルとその導体コイルを被
覆する絶縁材とを配設し、その上に上部磁性膜を平坦に
形成し、更にその上部磁性膜表面にギャップ材、磁気抵
抗効果膜を順次形成していくので各々の膜の間にはトラ
ック幅方向の位置ずれが無く、トラック上で磁気情報の
有る位置からずれてトレースすることによる再生出力の
低下と、隣接するトラックの磁気情報が混入するクロス
トークを防止することが出来る。
状に形成してその中に導体コイルとその導体コイルを被
覆する絶縁材とを配設し、その上に上部磁性膜を平坦に
形成し、更にその上部磁性膜表面にギャップ材、磁気抵
抗効果膜を順次形成していくので各々の膜の間にはトラ
ック幅方向の位置ずれが無く、トラック上で磁気情報の
有る位置からずれてトレースすることによる再生出力の
低下と、隣接するトラックの磁気情報が混入するクロス
トークを防止することが出来る。
磁気抵抗効果膜に導体を接続すると、導体と導体の間
の部分が磁気抵抗効果膜として動作する為、上部磁性膜
と磁気抵抗効果膜をトラック幅方向で同じ幅に形成して
いるので実質的に磁気抵抗効果膜を用いた再生用磁気ヘ
ッドの方が両端の導体の寸法だけ狭くなり、トラック上
に幅広く書き込んで狭い部分から再生することが出来る
ので、再生時に再生用磁気ヘッドを駆動するサーボ機構
のずれがあっても記録用磁気ヘッドが書き込んだ部分か
ら逸脱することを防止出来る。
の部分が磁気抵抗効果膜として動作する為、上部磁性膜
と磁気抵抗効果膜をトラック幅方向で同じ幅に形成して
いるので実質的に磁気抵抗効果膜を用いた再生用磁気ヘ
ッドの方が両端の導体の寸法だけ狭くなり、トラック上
に幅広く書き込んで狭い部分から再生することが出来る
ので、再生時に再生用磁気ヘッドを駆動するサーボ機構
のずれがあっても記録用磁気ヘッドが書き込んだ部分か
ら逸脱することを防止出来る。
磁気抵抗効素子を被覆する絶縁材にスルーホールを設
けて導体を接続する時に、その絶縁材としてフォトレジ
ストを用いてスルーホールの形状を光線例えば紫外線を
照射してその後現像・ベーキング処理を経て形成し、磁
気抵抗効素子を損傷することが無いので磁気抵抗効素子
のトラック幅は確実に正確な所定寸法を保持出来る。
けて導体を接続する時に、その絶縁材としてフォトレジ
ストを用いてスルーホールの形状を光線例えば紫外線を
照射してその後現像・ベーキング処理を経て形成し、磁
気抵抗効素子を損傷することが無いので磁気抵抗効素子
のトラック幅は確実に正確な所定寸法を保持出来る。
本発明の実施例を図を用いて説明する。
第1図は第1実施例に用いた複合薄膜磁気ヘッドのト
ラック進行方向の断面を示したものである。セラミック
系基板10上にアルミナ20を7〜8μmスパッタリング
し、イオンミリング法により深さ5〜6μmの凹部を形
成する。その上に下部磁気コアとして下部磁性膜30を約
2μmスパッタリングし磁気コア状にパターニングす
る。下部磁性膜30の凹部に銅の導体でコイル50とそれを
被覆する絶縁材料40ここではフォトレジストを配設し、
その絶縁材料40と書込面側の下部磁性膜30の上にギャッ
プ材60としてアルミナを0.4μmスパッタリングし、そ
の上に上部磁性膜65を約2μmスパッタリングして次に
平坦にし、更にギャップ材90としてアルミナをその上に
0.1〜0.2μmスパッタリングし、そして磁気抵抗効果膜
100をスパッタリングする。上記アルミナ20の凹部深さ
は5〜6μmより浅いとコイル50及びそれを被覆する絶
縁材料40を配設出来ず、深くすることはその加工が困難
となる。次にトラック幅と平行方向に磁気抵抗効果膜10
0とギャップ材90をパターニングする。その後磁気抵抗
効果膜100とギャップ材90及び上部磁性膜65を同時にパ
ターニングする。また上部磁性膜65の磁気抵抗効果膜10
0側表面の凹凸を1μm以下にしないと磁気抵抗効果膜1
00の形成が困難となり、その特性も悪くなる。磁気抵抗
効果膜100の上にスルーホール用絶縁材110としてフォト
レジストを塗布し光学的処理を行ってスルーホールを形
成する。磁気抵抗効果膜100のスルーホール部分に導体1
20ここではCr/Cuを約0.03〜0.5μmスパッタリング及び
パターニングをしこの導体120により再生出力を取り出
す。それからギャップ材130としてアルミナを0.1〜0.2
μmスパッタリングし、その上に磁気シールド材140を
約2μmスパッタリングしパターニングする。最後に保
護膜150としてアルミナを10〜30μmスパッタリングし
て複合薄膜磁気ヘッドの形成を完了する。
ラック進行方向の断面を示したものである。セラミック
系基板10上にアルミナ20を7〜8μmスパッタリング
し、イオンミリング法により深さ5〜6μmの凹部を形
成する。その上に下部磁気コアとして下部磁性膜30を約
2μmスパッタリングし磁気コア状にパターニングす
る。下部磁性膜30の凹部に銅の導体でコイル50とそれを
被覆する絶縁材料40ここではフォトレジストを配設し、
その絶縁材料40と書込面側の下部磁性膜30の上にギャッ
プ材60としてアルミナを0.4μmスパッタリングし、そ
の上に上部磁性膜65を約2μmスパッタリングして次に
平坦にし、更にギャップ材90としてアルミナをその上に
0.1〜0.2μmスパッタリングし、そして磁気抵抗効果膜
100をスパッタリングする。上記アルミナ20の凹部深さ
は5〜6μmより浅いとコイル50及びそれを被覆する絶
縁材料40を配設出来ず、深くすることはその加工が困難
となる。次にトラック幅と平行方向に磁気抵抗効果膜10
0とギャップ材90をパターニングする。その後磁気抵抗
効果膜100とギャップ材90及び上部磁性膜65を同時にパ
ターニングする。また上部磁性膜65の磁気抵抗効果膜10
0側表面の凹凸を1μm以下にしないと磁気抵抗効果膜1
00の形成が困難となり、その特性も悪くなる。磁気抵抗
効果膜100の上にスルーホール用絶縁材110としてフォト
レジストを塗布し光学的処理を行ってスルーホールを形
成する。磁気抵抗効果膜100のスルーホール部分に導体1
20ここではCr/Cuを約0.03〜0.5μmスパッタリング及び
パターニングをしこの導体120により再生出力を取り出
す。それからギャップ材130としてアルミナを0.1〜0.2
μmスパッタリングし、その上に磁気シールド材140を
約2μmスパッタリングしパターニングする。最後に保
護膜150としてアルミナを10〜30μmスパッタリングし
て複合薄膜磁気ヘッドの形成を完了する。
第2図は第2実施例に用いた複合薄膜磁気ヘッドのト
ラック進行方向の断面を示したものである。セラミック
系基板10上にアルミナ20を7〜8μmスパッタリング
し、イオンミリング法により深さ5〜6μmの凹部を形
成する。その上に下部磁気コアとして下部磁性膜30を約
2μmスパッタリングし磁気コア状にパターニングす
る。下部磁性膜30の凹部に銅の導体でコイル50とそれを
被覆する絶縁材料40ここではフォトレジストを配設し、
その絶縁材料40と書込面側の下部磁性膜30の上にギャッ
プ材60としてアルミナを0.4μmスパッタリングし、そ
の上に上部磁性膜後部用として磁性膜70を約2μmスパ
ッタリングし、後部磁気コア形状にパターニングする。
その後上部磁性膜先端部用として上部磁性膜80を磁性膜
70に端面を密着させてスパッタリングする。更にギャッ
プ材90としてアルミナをその上に0.1〜0.2μmスパッタ
リングし、そして磁気抵抗効果膜100をスパッタリング
し磁気抵抗効ヘッド形状にパターニングする。この時磁
性膜70をギャップ材60に対して45゜〜70゜の角度で傾け
てパターニングすると上部磁性膜80と磁性膜70の境界面
で上部磁性膜80の盛り上がりがなだらかとなり上部磁性
膜80の上にスパッタリングするギャップ材90が良く密着
する。次に磁気抵抗効果膜100の上にスルーホール用絶
縁材110としてフォトレジストを塗布し光学的処理を行
ってスルーホールを形成する。磁気抵抗効果膜100のス
ルーホール部分に導体120ここではCr/Cuを約0.03〜0.5
μmスパッタリング及びパターニングをしこの導体120
により再生出力を取り出す。それからギャップ材130と
してアルミナ0.1〜0.2μmスパッタリングし、その上に
磁気シールド材140を約2μmスパッタリングしパター
ニングする。最後に保護膜150としてアルミナを10〜30
μmスパッタリグして複合薄膜磁気ヘッドの形成を完了
する。
ラック進行方向の断面を示したものである。セラミック
系基板10上にアルミナ20を7〜8μmスパッタリング
し、イオンミリング法により深さ5〜6μmの凹部を形
成する。その上に下部磁気コアとして下部磁性膜30を約
2μmスパッタリングし磁気コア状にパターニングす
る。下部磁性膜30の凹部に銅の導体でコイル50とそれを
被覆する絶縁材料40ここではフォトレジストを配設し、
その絶縁材料40と書込面側の下部磁性膜30の上にギャッ
プ材60としてアルミナを0.4μmスパッタリングし、そ
の上に上部磁性膜後部用として磁性膜70を約2μmスパ
ッタリングし、後部磁気コア形状にパターニングする。
その後上部磁性膜先端部用として上部磁性膜80を磁性膜
70に端面を密着させてスパッタリングする。更にギャッ
プ材90としてアルミナをその上に0.1〜0.2μmスパッタ
リングし、そして磁気抵抗効果膜100をスパッタリング
し磁気抵抗効ヘッド形状にパターニングする。この時磁
性膜70をギャップ材60に対して45゜〜70゜の角度で傾け
てパターニングすると上部磁性膜80と磁性膜70の境界面
で上部磁性膜80の盛り上がりがなだらかとなり上部磁性
膜80の上にスパッタリングするギャップ材90が良く密着
する。次に磁気抵抗効果膜100の上にスルーホール用絶
縁材110としてフォトレジストを塗布し光学的処理を行
ってスルーホールを形成する。磁気抵抗効果膜100のス
ルーホール部分に導体120ここではCr/Cuを約0.03〜0.5
μmスパッタリング及びパターニングをしこの導体120
により再生出力を取り出す。それからギャップ材130と
してアルミナ0.1〜0.2μmスパッタリングし、その上に
磁気シールド材140を約2μmスパッタリングしパター
ニングする。最後に保護膜150としてアルミナを10〜30
μmスパッタリグして複合薄膜磁気ヘッドの形成を完了
する。
第3図は複合薄膜磁気ヘッドを浮上面側即ち、磁気記
録面側から見た断面を示したものである。第3図の水平
方向をトラック幅方向とすると、トラック幅が最も大き
いのは下部磁性膜30で次は上部磁性膜80で磁気抵抗効果
膜100のトラック幅は導体120の間隔部分が有効に作用す
るのでその幅は最も小さい。記録用としての誘導型薄膜
磁気ヘッドのトラック幅は小さい方の上部磁性膜80で支
配されるが再生用としての磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
磁気抵抗効果膜100より大きく磁気記録面へ幅広く書き
込んで、狭く再生するので確実に磁気情報を再生するこ
とが出来る。また下部磁性膜30、上部磁性膜80、磁気抵
抗効果膜100を順次同一基板の上にスパッタリングとパ
ターニングを繰り返して形成するので記録用磁気ヘッド
と再生用磁気ヘッドの間に位置ずれが生じない。
録面側から見た断面を示したものである。第3図の水平
方向をトラック幅方向とすると、トラック幅が最も大き
いのは下部磁性膜30で次は上部磁性膜80で磁気抵抗効果
膜100のトラック幅は導体120の間隔部分が有効に作用す
るのでその幅は最も小さい。記録用としての誘導型薄膜
磁気ヘッドのトラック幅は小さい方の上部磁性膜80で支
配されるが再生用としての磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
磁気抵抗効果膜100より大きく磁気記録面へ幅広く書き
込んで、狭く再生するので確実に磁気情報を再生するこ
とが出来る。また下部磁性膜30、上部磁性膜80、磁気抵
抗効果膜100を順次同一基板の上にスパッタリングとパ
ターニングを繰り返して形成するので記録用磁気ヘッド
と再生用磁気ヘッドの間に位置ずれが生じない。
本発明の複合薄膜磁気ヘッドを用いた磁気記録装置の
実施例を説明する。
実施例を説明する。
第4図に磁気記録装置の構成を示す。ベース201に支
持されたモータ203はスピンドル202を駆動しそのスピン
ドル202に取付けた複数の円板状の磁気ディスク204を回
転させる。ボイスコイルモータ制御回路からの制御電流
がマグネット208内に配設されたボイスコイル207へ出力
され、マグネット208による磁界と制御電流の作用でボ
イスコイル207を駆動するボイスコイルモータを構成す
る。ボイスコイル207はキヤリッジ206を駆動し連結して
いるデータ用磁気ヘッド205と位置決め用磁気ヘッド205
aの位置を定める。データ用磁気ヘッド205はライト/リ
ード回路に接続されインターフェースを介して上位装置
例えばコンピュータシステムに接続され磁気ディスク20
4との間で情報の授受を行なう。位置決め用磁気ヘッド2
05aはボイスコイルモータ制御回路へ接続され、磁気デ
ィスク204上の位置を検出して提供し位置制御に用いて
いる。
持されたモータ203はスピンドル202を駆動しそのスピン
ドル202に取付けた複数の円板状の磁気ディスク204を回
転させる。ボイスコイルモータ制御回路からの制御電流
がマグネット208内に配設されたボイスコイル207へ出力
され、マグネット208による磁界と制御電流の作用でボ
イスコイル207を駆動するボイスコイルモータを構成す
る。ボイスコイル207はキヤリッジ206を駆動し連結して
いるデータ用磁気ヘッド205と位置決め用磁気ヘッド205
aの位置を定める。データ用磁気ヘッド205はライト/リ
ード回路に接続されインターフェースを介して上位装置
例えばコンピュータシステムに接続され磁気ディスク20
4との間で情報の授受を行なう。位置決め用磁気ヘッド2
05aはボイスコイルモータ制御回路へ接続され、磁気デ
ィスク204上の位置を検出して提供し位置制御に用いて
いる。
第5図はスライダ211と呼ばれる磁気ディスク204の回
転方向212への回転によって発生する気流の作用でt寸
法浮上するデータ用磁気ヘッド205の一部と、磁気ディ
スク204の拡大図である。磁気ディスク204はアルミナ等
の非磁性円板204aの片面又は両面に磁性体層204bを形成
しそこに、記録波長209でトラックピッチTPの多数のト
ラック溝が設けられている。高性能磁気記録装置として
は磁気ディスク204の面記録密度は一平方センチ当り7
〜12メガビット、線記録密度は一センチ当り4.7キロビ
ット以上、トラック密度は一センチ当り230トラック以
上であることが望ましく、このような性能を有すること
により磁気ディスク204の直径を著しく大きくすること
なく記録密度を高めることが出来る。以上に述べたよう
に本実施例の複合薄膜磁気ヘッドを用いることにより、
面記録密度が一平方センチ当り7メガビット以上の高記
録密度を達成出来、磁気情報を確実に再生する特性が優
れた磁気記録装置例えばハードディスク装置、フロッピ
イディスクドライブ装置、ビデオテープレコーダを提供
出来る。
転方向212への回転によって発生する気流の作用でt寸
法浮上するデータ用磁気ヘッド205の一部と、磁気ディ
スク204の拡大図である。磁気ディスク204はアルミナ等
の非磁性円板204aの片面又は両面に磁性体層204bを形成
しそこに、記録波長209でトラックピッチTPの多数のト
ラック溝が設けられている。高性能磁気記録装置として
は磁気ディスク204の面記録密度は一平方センチ当り7
〜12メガビット、線記録密度は一センチ当り4.7キロビ
ット以上、トラック密度は一センチ当り230トラック以
上であることが望ましく、このような性能を有すること
により磁気ディスク204の直径を著しく大きくすること
なく記録密度を高めることが出来る。以上に述べたよう
に本実施例の複合薄膜磁気ヘッドを用いることにより、
面記録密度が一平方センチ当り7メガビット以上の高記
録密度を達成出来、磁気情報を確実に再生する特性が優
れた磁気記録装置例えばハードディスク装置、フロッピ
イディスクドライブ装置、ビデオテープレコーダを提供
出来る。
本発明によれば、複合薄膜磁気ヘッドの記録用として
の誘導型薄膜磁気ヘッドと、再生用としての磁気抵抗効
果型磁気ヘッドとを同一基板上に順次薄膜として形成す
ることにより位置ずれを無くし、再生出力の低下と隣接
トラックからのクロストークを防止し高密度記録を可能
とする効果が得られる。
の誘導型薄膜磁気ヘッドと、再生用としての磁気抵抗効
果型磁気ヘッドとを同一基板上に順次薄膜として形成す
ることにより位置ずれを無くし、再生出力の低下と隣接
トラックからのクロストークを防止し高密度記録を可能
とする効果が得られる。
また磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気抵抗効果膜を被
覆する絶縁材にフォトレジストを用いると、磁気抵抗効
果膜に導体を接続する為のスルーホールを設ける際磁気
抵抗効果膜を損傷すること無く高精度のトラック幅が得
られる。
覆する絶縁材にフォトレジストを用いると、磁気抵抗効
果膜に導体を接続する為のスルーホールを設ける際磁気
抵抗効果膜を損傷すること無く高精度のトラック幅が得
られる。
更に、本発明の記録用磁気ヘッドと再生用磁気ヘッド
の間に位置ずれが無い複合薄膜磁気ヘッドを用いること
により、記録密度が大きく、記録した磁気情報を確実に
再生する特性が優れた磁気記録装置を提供することが可
能となる。
の間に位置ずれが無い複合薄膜磁気ヘッドを用いること
により、記録密度が大きく、記録した磁気情報を確実に
再生する特性が優れた磁気記録装置を提供することが可
能となる。
第1図は本発明の第1実施例に係る複合薄膜磁気ヘッド
をトラック進行方向から見た断面図、第2図は本発明の
第2実施例に係る複合薄膜磁気ヘッドをトラック進行方
向から見た断面図、第3図は本発明の第2実施例に係る
複合薄膜磁気ヘッドを磁気記録面側から見た断面図、第
4図は本発明を適用した磁気記録装置の構成を示す斜視
図、第5図は第4図に示したた磁気記録装置の拡大した
磁気ヘッドと磁気ディスクとを示す斜視図である。 10……セラミック系基板、20……アルミナ、 30……下部磁性膜、40……絶縁材料、 50……コイル、60……ギャップ材、 65……上部磁性膜、70……磁性膜、 80……上部磁性膜、90……ギャップ材、 100……磁気抵抗効果膜、 110……スルーホール用絶縁材、120……導体、 130……ギャップ材、140……磁気シールド材、 150……保護膜、204……磁気ディスク、 211……スライダ
をトラック進行方向から見た断面図、第2図は本発明の
第2実施例に係る複合薄膜磁気ヘッドをトラック進行方
向から見た断面図、第3図は本発明の第2実施例に係る
複合薄膜磁気ヘッドを磁気記録面側から見た断面図、第
4図は本発明を適用した磁気記録装置の構成を示す斜視
図、第5図は第4図に示したた磁気記録装置の拡大した
磁気ヘッドと磁気ディスクとを示す斜視図である。 10……セラミック系基板、20……アルミナ、 30……下部磁性膜、40……絶縁材料、 50……コイル、60……ギャップ材、 65……上部磁性膜、70……磁性膜、 80……上部磁性膜、90……ギャップ材、 100……磁気抵抗効果膜、 110……スルーホール用絶縁材、120……導体、 130……ギャップ材、140……磁気シールド材、 150……保護膜、204……磁気ディスク、 211……スライダ
フロントページの続き (72)発明者 福井 宏 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内 (72)発明者 府山 盛明 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内 (72)発明者 成重 真治 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内 (56)参考文献 特開 平1−96814(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G11B 5/39
Claims (6)
- 【請求項1】下部磁性膜を凹状に形成し、該凹状部に導
体コイルと該導体コイルを被覆する絶縁材を配設して該
絶縁材表面を平坦に形成し、該絶縁材表面と前記下部磁
性膜の磁気記録面側表面に第1のギャップ材を形成し、
該第1のギャップ材と前記下部磁性膜の磁気記録面と反
対側の表面に先端部と後部からなる上部磁性膜をほぼ平
坦に形成し、電気信号を磁気情報として記録する記録用
薄膜磁気ヘッドと、前記上部磁性膜の先端部表面に第2
のギャップ材を形成し、該第2のギャップ材表面に磁気
抵抗効果膜を形成して磁気情報を再生する再生用薄膜磁
気ヘッドとを備え、前記上部磁性膜の先端部と前記第2
のギャップ材と前記磁気抵抗効果膜の形状がトラック幅
方向と前記上部磁性膜の後部方向に対して同一であるこ
とを特徴とする複合薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項2】前記上部磁性膜の前記第2のギャップ材側
表面上の凹凸が1μm以下である請求項1記載の複合薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項3】前記上部磁性膜と下部磁性膜との間隔が5
μm以上である請求項1又は請求項2記載の複合薄膜磁
気ヘッド。 - 【請求項4】前記磁気抵抗効果膜を被覆する電気絶縁材
にスルーホールを設けて導体を接続し、該電気絶縁材と
してフォトレジストを用いた請求項1から請求項3のう
ち何れか1項に記載の複合薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項5】前記上部磁性膜の後部の磁気記録面側が前
記第2のギャップ材に対し45゜〜75゜の角度を形成して
いる請求項1から請求項4のうち何れか1項に記載の複
合薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項6】請求項1から請求項5のうち何れか1項に
記載の複合薄膜磁気ヘッドを用いた磁気記録装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1245536A JP2779526B2 (ja) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | 複合薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1245536A JP2779526B2 (ja) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | 複合薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03108113A JPH03108113A (ja) | 1991-05-08 |
JP2779526B2 true JP2779526B2 (ja) | 1998-07-23 |
Family
ID=17135156
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1245536A Expired - Lifetime JP2779526B2 (ja) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | 複合薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2779526B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MY109888A (en) * | 1993-01-15 | 1997-09-30 | Hitachi Global Storage Tech Netherlands B V | Multilayer sendust films utilizing gas doping and optimized sendust seed layers |
US20020067570A1 (en) * | 1997-12-12 | 2002-06-06 | Yoshitaka Sasaki | Thin film magnetic head recessed partially into substrate and including plantarization layersi |
JP3576783B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2004-10-13 | Tdk株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
JP4939694B2 (ja) * | 2001-04-18 | 2012-05-30 | 財団法人福岡県産業・科学技術振興財団 | 断熱と伝熱を行なう壁構造体 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0196814A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-14 | Hitachi Ltd | 複合型薄膜磁気ヘッド |
-
1989
- 1989-09-21 JP JP1245536A patent/JP2779526B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03108113A (ja) | 1991-05-08 |
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