JP2777976B2 - 圧電セラミックス−高分子複合材料及びその製造方法 - Google Patents
圧電セラミックス−高分子複合材料及びその製造方法Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、圧電高分子マトリック
ス(matrix)に圧電セラミックス粉末を分散させ、柔軟性
のあるシート型(sheet-type)に製造した圧電複合材料に
関するもので、特にPb(Zrx Ti1-x )O3 ( 以
下、PZTと称する)圧電セラミックスとポリフッ化ビ
ニリデン(Polyvinylidine-fluoride) (以下、PVDF
と称する)圧電高分子間の結合力増進の為にシラン(Sil
ane)を添加し、高分子マトリックスの電気伝導度向上の
為にカーボン(carbon)微粒子を添加した原料組成を成形
し、シート型に製造した圧電セラミックス−高分子複合
材料及びその製造方法に関するものである。
ス(matrix)に圧電セラミックス粉末を分散させ、柔軟性
のあるシート型(sheet-type)に製造した圧電複合材料に
関するもので、特にPb(Zrx Ti1-x )O3 ( 以
下、PZTと称する)圧電セラミックスとポリフッ化ビ
ニリデン(Polyvinylidine-fluoride) (以下、PVDF
と称する)圧電高分子間の結合力増進の為にシラン(Sil
ane)を添加し、高分子マトリックスの電気伝導度向上の
為にカーボン(carbon)微粒子を添加した原料組成を成形
し、シート型に製造した圧電セラミックス−高分子複合
材料及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の代表的な圧電セラミックス材料に
はPZTが広く使用されているが、PZTはZrとTi
の組成比が52:48の位置を境界とし、正方晶系の相
(Tetragonal phase) と菱面体晶系の相(rhombohedral
phase)に分けられる相境界(Morphotropic phase Bounda
ry, 以下MPBと称する)で、例外的に高い圧電効果を
現し、この組成で電気機械結合係数(Kp,Kt) 、圧電係数
(Piezoelectric Chargecoefficient, d) 及び誘電常数
(εr ) が最大になる。
はPZTが広く使用されているが、PZTはZrとTi
の組成比が52:48の位置を境界とし、正方晶系の相
(Tetragonal phase) と菱面体晶系の相(rhombohedral
phase)に分けられる相境界(Morphotropic phase Bounda
ry, 以下MPBと称する)で、例外的に高い圧電効果を
現し、この組成で電気機械結合係数(Kp,Kt) 、圧電係数
(Piezoelectric Chargecoefficient, d) 及び誘電常数
(εr ) が最大になる。
【0003】PZTは圧電効果が大きいこと以外にも、
−50〜200℃の温度範囲で転移温度が存在しない優
れた圧電材料であるため多くの研究者により新しいPZ
T系圧電材料の開発が活発に行われてきた。現在、PZ
T系セラミックスは医療診断用トランスデューサー、水
中聴音器、ブザー、着火素子等の電子製品に利用されて
いる。しかし、PZT系セラミックスは30Mrayl の音
響インピダンスを現し、1.5Mrayl の音響インピダン
スを現す人体の皮膚に比べ相当に高いため、精密医療診
断用としての応用には限界がある。
−50〜200℃の温度範囲で転移温度が存在しない優
れた圧電材料であるため多くの研究者により新しいPZ
T系圧電材料の開発が活発に行われてきた。現在、PZ
T系セラミックスは医療診断用トランスデューサー、水
中聴音器、ブザー、着火素子等の電子製品に利用されて
いる。しかし、PZT系セラミックスは30Mrayl の音
響インピダンスを現し、1.5Mrayl の音響インピダン
スを現す人体の皮膚に比べ相当に高いため、精密医療診
断用としての応用には限界がある。
【0004】また、従来の圧電セラミックスにはバルク
型(bulk type) が多く使用されてきたが、このようなバ
ルク型圧電セラミックスは、柔軟性が乏しいため小型・
軽量化が進む最近の電子製品への応用には多くの困難が
伴っている。一方、成型加工が容易で柔軟性があり、ま
た大面積化が容易であり、なおかつ大量生産が可能な高
分子材料を用いて、圧電体をシート型か厚膜型(thick-
filmtype)に製造した技術が開発されて使用されてい
る。
型(bulk type) が多く使用されてきたが、このようなバ
ルク型圧電セラミックスは、柔軟性が乏しいため小型・
軽量化が進む最近の電子製品への応用には多くの困難が
伴っている。一方、成型加工が容易で柔軟性があり、ま
た大面積化が容易であり、なおかつ大量生産が可能な高
分子材料を用いて、圧電体をシート型か厚膜型(thick-
filmtype)に製造した技術が開発されて使用されてい
る。
【0005】圧電材料として使用可能な高分子材料に
は、PVDFとその共重合物であるテトラフルオロエチ
レン(TFE)及びトリフルオロエチレン(TrFE)
が知られており、PVDFの音響インピダンスは4Mray
l で、特に低い音響インピダンスが要求されるトランス
デューサー用として多く使用されている。しかし、PV
DFは圧電セラミックスに比べ、電気機械結合係数が相
対的に低く(Kt ≒0.3)、誘電常数が小さく (εr ≒10)
、誘電損失が大きい点等が短所として指摘されてい
る。
は、PVDFとその共重合物であるテトラフルオロエチ
レン(TFE)及びトリフルオロエチレン(TrFE)
が知られており、PVDFの音響インピダンスは4Mray
l で、特に低い音響インピダンスが要求されるトランス
デューサー用として多く使用されている。しかし、PV
DFは圧電セラミックスに比べ、電気機械結合係数が相
対的に低く(Kt ≒0.3)、誘電常数が小さく (εr ≒10)
、誘電損失が大きい点等が短所として指摘されてい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
PZTセラミックスとPVDF圧電高分子材料の各々が
持っている長所を活かすために、双方の材料を混合し、
主にペレット(pellet)状のバルク型又は数百μm厚の
シート型に製作した圧電複合材料が開発されているが、
これらの材料は次のような問題点を抱えている。
PZTセラミックスとPVDF圧電高分子材料の各々が
持っている長所を活かすために、双方の材料を混合し、
主にペレット(pellet)状のバルク型又は数百μm厚の
シート型に製作した圧電複合材料が開発されているが、
これらの材料は次のような問題点を抱えている。
【0007】前者のペレット状のバルク型圧電複合材料
は、純粋な圧電セラミックスを利用したバルク型と同じ
く柔軟性が欠如して、大面積化が困難で、成型加工性を
向上させる高分子の特性を活かすことができない。ま
た、後者のシート型圧電複合材料の場合には、PZTと
PVDF間の結合不良によりその界面に気孔が多く発生
し、高密度で緻密な複合材料を得るのが困難であるだけ
でなく、特性の低下が招来されるといった問題がある。
は、純粋な圧電セラミックスを利用したバルク型と同じ
く柔軟性が欠如して、大面積化が困難で、成型加工性を
向上させる高分子の特性を活かすことができない。ま
た、後者のシート型圧電複合材料の場合には、PZTと
PVDF間の結合不良によりその界面に気孔が多く発生
し、高密度で緻密な複合材料を得るのが困難であるだけ
でなく、特性の低下が招来されるといった問題がある。
【0008】従って、本発明は上記従来の圧電複合材料
が抱えている問題点を勘案し、PZT圧電セラミックス
とPVDF圧電高分子間の結合力増進のためにシラン(S
ilane)を結合剤(coupling agent)として添加する一方、
高分子マトリックス内での電気伝導度向上のためにカー
ボン(Carbon)微粒子を添加した原料組成をシート型に製
造したセラミックス−高分子複合材料及びその製造方法
を提供することを目的としている。
が抱えている問題点を勘案し、PZT圧電セラミックス
とPVDF圧電高分子間の結合力増進のためにシラン(S
ilane)を結合剤(coupling agent)として添加する一方、
高分子マトリックス内での電気伝導度向上のためにカー
ボン(Carbon)微粒子を添加した原料組成をシート型に製
造したセラミックス−高分子複合材料及びその製造方法
を提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明の圧電セ
ラミックス−高分子複合材料は、Pb(Zrx T
i1-x )O3圧電セラミックス、カーボン微粒子、ポリ
フッ化ビニリデン圧電高分子及び前記Pb(Zrx Ti
1-x )O3 に対し最大5重量%であるシランを含んで構
成され、特に、材料全体において、Pb(Zrx Ti
1-x )O3 圧電セラミックスが10〜60容量%、最大
3容量%のカーボン微粒子、残りの容量%のポリフッ化
ビニリデン圧電高分子及び前記Pb(Zrx Ti1-x )
O3 に対し最大5重量%であるシランよりなることを特
徴とする。
ラミックス−高分子複合材料は、Pb(Zrx T
i1-x )O3圧電セラミックス、カーボン微粒子、ポリ
フッ化ビニリデン圧電高分子及び前記Pb(Zrx Ti
1-x )O3 に対し最大5重量%であるシランを含んで構
成され、特に、材料全体において、Pb(Zrx Ti
1-x )O3 圧電セラミックスが10〜60容量%、最大
3容量%のカーボン微粒子、残りの容量%のポリフッ化
ビニリデン圧電高分子及び前記Pb(Zrx Ti1-x )
O3 に対し最大5重量%であるシランよりなることを特
徴とする。
【0010】また、本発明の圧電セラミックス−高分子
複合材料の製造方法は、Pb(Zr x Ti1-x )O3 圧
電セラミックス微粒子に対し最大5重量%のシランでP
b(Zrx Ti1-x )O3 圧電セラミックス微粒子をコ
ーティングし、前記シランでコーティングしたPb(Z
rx Ti1-x )O3 圧電セラミックス、カーボン微粒子
及びポリフッ化ビニリデン圧電高分子を含む材料を夫々
混合し、得られた混合物をシート型に成形することより
なり、特に、Pb(Zrx Ti1-x )O3 圧電セラミッ
クス微粒子に対し最大5重量%のシランでPb(Zrx
Ti1-x )O3圧電セラミックス微粒子をコーティング
し、材料全体に対し、前記シランでコーティングしたP
b(Zrx Ti1-x )O3 圧電セラミックス10〜60
容量%、最大3容量%のカーボン微粒子及び残りの容量
%のポリフッ化ビニリデン圧電高分子を夫々混合し、得
られた混合物をシート型に成形することを特徴とする。
複合材料の製造方法は、Pb(Zr x Ti1-x )O3 圧
電セラミックス微粒子に対し最大5重量%のシランでP
b(Zrx Ti1-x )O3 圧電セラミックス微粒子をコ
ーティングし、前記シランでコーティングしたPb(Z
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及びポリフッ化ビニリデン圧電高分子を含む材料を夫々
混合し、得られた混合物をシート型に成形することより
なり、特に、Pb(Zrx Ti1-x )O3 圧電セラミッ
クス微粒子に対し最大5重量%のシランでPb(Zrx
Ti1-x )O3圧電セラミックス微粒子をコーティング
し、材料全体に対し、前記シランでコーティングしたP
b(Zrx Ti1-x )O3 圧電セラミックス10〜60
容量%、最大3容量%のカーボン微粒子及び残りの容量
%のポリフッ化ビニリデン圧電高分子を夫々混合し、得
られた混合物をシート型に成形することを特徴とする。
【0011】更に具体的に説明すれば、図1の製造工程
に沿って次のように作製できる。即ち、先ずPZT原料
粉末を1250℃で2時間焼結した後、アルミナボール
ミルを用い、蒸留水で24時間湿式で微粉砕する。平均
粒径が5μmになるようにした後、乾燥させ、これに結
合剤としてシランを添加しシラン処理を行なう。この
時、水の吸着を防止するために、PZT粉末に最大5重
量%のシランを揮発性有機溶媒とともに添加し、PZT
粒子の表面にシランがコーティングされるようにした
後、前記揮発性有機溶媒を揮発させる。揮発性有機溶媒
としてはアルコールが好ましく使用されるが、他の揮発
性有機溶媒でもよい。シラン結合剤は、セラミックスと
高分子間の橋の役割をし、PZTとPVDFの結合力を
増進させる。
に沿って次のように作製できる。即ち、先ずPZT原料
粉末を1250℃で2時間焼結した後、アルミナボール
ミルを用い、蒸留水で24時間湿式で微粉砕する。平均
粒径が5μmになるようにした後、乾燥させ、これに結
合剤としてシランを添加しシラン処理を行なう。この
時、水の吸着を防止するために、PZT粉末に最大5重
量%のシランを揮発性有機溶媒とともに添加し、PZT
粒子の表面にシランがコーティングされるようにした
後、前記揮発性有機溶媒を揮発させる。揮発性有機溶媒
としてはアルコールが好ましく使用されるが、他の揮発
性有機溶媒でもよい。シラン結合剤は、セラミックスと
高分子間の橋の役割をし、PZTとPVDFの結合力を
増進させる。
【0012】次に、純粋な高分子マトリックスに上記シ
ラン処理したPZTセラミックス粉末を10〜60容量
%分散させるのと併せて、高分子マトリックスの電気伝
導度向上のために、平均粒径約18nmのカーボン微粒
子を最大3容量%添加し、アルミナボール中で5時間乾
式混合する。充分な乾式混合が完了した後、高温度押出
し成形機(extruder) を使用し210℃の温度で厚さ5
0〜300μmのシート型に製造し、両面にシルクスク
リーンプリンティング(Silk-Screen printing)法で銀電
極を形成する。
ラン処理したPZTセラミックス粉末を10〜60容量
%分散させるのと併せて、高分子マトリックスの電気伝
導度向上のために、平均粒径約18nmのカーボン微粒
子を最大3容量%添加し、アルミナボール中で5時間乾
式混合する。充分な乾式混合が完了した後、高温度押出
し成形機(extruder) を使用し210℃の温度で厚さ5
0〜300μmのシート型に製造し、両面にシルクスク
リーンプリンティング(Silk-Screen printing)法で銀電
極を形成する。
【0013】分極処理は、高い電界下で放電による絶縁
破壊(delectric breakdown) 現象が起こるのを防止する
ために、試片をシリコンオイル中に浸し、120℃に維
持した後、10MV/mの電界を1時間印加した後、電
界を加えた状態で常温に急冷し完了する。以上の本発明
製造工程を通じ得られた圧電セラミックス−高分子複合
材料は、シート型で柔軟性のある0−3連結性を現し、
また押出し成形法により製造することによって大量生産
が容易となる長所がある。
破壊(delectric breakdown) 現象が起こるのを防止する
ために、試片をシリコンオイル中に浸し、120℃に維
持した後、10MV/mの電界を1時間印加した後、電
界を加えた状態で常温に急冷し完了する。以上の本発明
製造工程を通じ得られた圧電セラミックス−高分子複合
材料は、シート型で柔軟性のある0−3連結性を現し、
また押出し成形法により製造することによって大量生産
が容易となる長所がある。
【0014】ここで、「0−3連結性」の「0」及び
「3」は3次元構造におけるのX軸、Y軸、Z軸の3方
向における結合の有無を表している。即ち、本発明の圧
電セラミックス−高分子複合材料において、「0」は3
方向共に結合をもたず独立な圧電セラミックス微粒子
を、「3」は3方向にそれぞれ結合をもつ高分子マトリ
ックスを意味し、「0−3連結性を有する」とは、高分
子マトリックス中に圧電セラミックス微粒子が均一に分
散し、高分子マトリックスと圧電セラミックス微粒子と
が互いに結合していることを意味している。
「3」は3次元構造におけるのX軸、Y軸、Z軸の3方
向における結合の有無を表している。即ち、本発明の圧
電セラミックス−高分子複合材料において、「0」は3
方向共に結合をもたず独立な圧電セラミックス微粒子
を、「3」は3方向にそれぞれ結合をもつ高分子マトリ
ックスを意味し、「0−3連結性を有する」とは、高分
子マトリックス中に圧電セラミックス微粒子が均一に分
散し、高分子マトリックスと圧電セラミックス微粒子と
が互いに結合していることを意味している。
【0015】
【実施例】以下、本発明のPZT圧電セラミックス−P
VDF圧電高分子複合材料の組成及び製造方法の実施例
を示す。図1の製造工程により、先ず圧電トランスデュ
ーサー用として使用する組成のか焼(calcination) した
PZT原料粉末を購入し、典型的なPZT焼結方法で1
250℃で2時間焼結させた。それを、蒸留水を使用し
湿式微粉砕し、平均粒径が5μmになるようにした後、
乾燥させ、これに結合剤としてシランを添加しシラン処
理を行なった。
VDF圧電高分子複合材料の組成及び製造方法の実施例
を示す。図1の製造工程により、先ず圧電トランスデュ
ーサー用として使用する組成のか焼(calcination) した
PZT原料粉末を購入し、典型的なPZT焼結方法で1
250℃で2時間焼結させた。それを、蒸留水を使用し
湿式微粉砕し、平均粒径が5μmになるようにした後、
乾燥させ、これに結合剤としてシランを添加しシラン処
理を行なった。
【0016】この時、水の吸着を防止するために、PZ
T粉末にシランを揮発性有機溶媒としてのアルコールと
ともに添加し、PZT粒子の表面にシランがコーティン
グされるようにした後、前記アルコールを揮発させた。
次に、78.5容量%の純粋なPVDF高分子マトリッ
クスに20容量%の上記シラン処理をしたPZT粉末
と、高分子マトリックスの電気伝導度向上のために1.
5容量%の平均粒径約18nmのカーボンを均一に分散
させ、アルミナボール中で5時間乾式混合した。充分な
乾式混合が完了した後、高温度押出し成形機(extrude
r) を使用し210℃の温度で厚さ100μmのシート
型に製造し、両面にシルクスクリーンプリンティング(S
ilk-Screen printing)法で銀電極を形成した。
T粉末にシランを揮発性有機溶媒としてのアルコールと
ともに添加し、PZT粒子の表面にシランがコーティン
グされるようにした後、前記アルコールを揮発させた。
次に、78.5容量%の純粋なPVDF高分子マトリッ
クスに20容量%の上記シラン処理をしたPZT粉末
と、高分子マトリックスの電気伝導度向上のために1.
5容量%の平均粒径約18nmのカーボンを均一に分散
させ、アルミナボール中で5時間乾式混合した。充分な
乾式混合が完了した後、高温度押出し成形機(extrude
r) を使用し210℃の温度で厚さ100μmのシート
型に製造し、両面にシルクスクリーンプリンティング(S
ilk-Screen printing)法で銀電極を形成した。
【0017】分極処理は、高い電界下で放電による絶縁
破壊現象が起こるのを防止するために、試片をシリコン
オイル中に浸し、120℃に維持した後、10MV/m
の電界を1時間印加した後、電界を加えた状態で常温に
急冷し完了した。特にPVDF高分子はセラミックスと
結合がよくなく、その界面に気孔が発生し高密度で緻密
な素材を製造するのが困難であるから、本実施例ではP
ZTセラミックス粒子とPVDF高分子マトリックス間
の結合力を増進させ、高密度で緻密な素材を製造するた
めに上記のようにシランを添加した。
破壊現象が起こるのを防止するために、試片をシリコン
オイル中に浸し、120℃に維持した後、10MV/m
の電界を1時間印加した後、電界を加えた状態で常温に
急冷し完了した。特にPVDF高分子はセラミックスと
結合がよくなく、その界面に気孔が発生し高密度で緻密
な素材を製造するのが困難であるから、本実施例ではP
ZTセラミックス粒子とPVDF高分子マトリックス間
の結合力を増進させ、高密度で緻密な素材を製造するた
めに上記のようにシランを添加した。
【0018】ここで、シラン結合剤の影響を考察するた
めにシラン処理をしないPZT粉末とシランを各々0.
3重量%,0.7重量%,1重量%,5重量%,15重
量%添加したPZT粉末を使用し、比較した。この時、
微粉砕したPZT粉末の平均粒子の大きさは5μmであ
り、シラン処理は水の吸着を防止するために揮発性有機
溶媒としてのアルコールと共にシランを添加し、PZT
粒子の表面にシランがコーティング出来るようにした
後、前記アルコールを揮発させる方法を使用した。
めにシラン処理をしないPZT粉末とシランを各々0.
3重量%,0.7重量%,1重量%,5重量%,15重
量%添加したPZT粉末を使用し、比較した。この時、
微粉砕したPZT粉末の平均粒子の大きさは5μmであ
り、シラン処理は水の吸着を防止するために揮発性有機
溶媒としてのアルコールと共にシランを添加し、PZT
粒子の表面にシランがコーティング出来るようにした
後、前記アルコールを揮発させる方法を使用した。
【0019】このとき、シランの最適添加量はPVDF
マトリックス内でのPZTセラミックスの容量比、粒子
の大きさ等に従い異なるが、図2に示したように本実施
例では0.3重量%を添加した時、理論密度に近い最も
高い密度を得ることができた。0.3重量%以上で複合
素材の密度はシランの添加量が増加するに従い、急激な
減少傾向を示している。
マトリックス内でのPZTセラミックスの容量比、粒子
の大きさ等に従い異なるが、図2に示したように本実施
例では0.3重量%を添加した時、理論密度に近い最も
高い密度を得ることができた。0.3重量%以上で複合
素材の密度はシランの添加量が増加するに従い、急激な
減少傾向を示している。
【0020】このようなシランの添加効果は、図3の走
査電子顕微鏡写真(5000倍)で見た本微細構造の観
察結果とも一致している。図3の(A)〜(F)は、各
々シラン添加量が(A)0重量%、(B)0.3重量
%、(C)0.7重量%、(D)1重量%、(E)5重
量%、(F)15重量%である。図3の(A)と(B)
で見ることができるように、シランを添加しない写真で
はセラミックス粒子と高分子が高温押出し成型により単
純に物理的に付いている状態であるが、シランを添加し
た場合には、シランによりセラミックスと高分子が強く
結合しているのが観察される。
査電子顕微鏡写真(5000倍)で見た本微細構造の観
察結果とも一致している。図3の(A)〜(F)は、各
々シラン添加量が(A)0重量%、(B)0.3重量
%、(C)0.7重量%、(D)1重量%、(E)5重
量%、(F)15重量%である。図3の(A)と(B)
で見ることができるように、シランを添加しない写真で
はセラミックス粒子と高分子が高温押出し成型により単
純に物理的に付いている状態であるが、シランを添加し
た場合には、シランによりセラミックスと高分子が強く
結合しているのが観察される。
【0021】シランの最適添加量は、結合剤として処理
しようとするセラミックス粒子の比表面積を充分にコー
ティングできる量が必要であるが、図3の(F)のよう
に、シランが過量添加された場合には、PZT微粒子の
分散が不均一になり、シランにより微粒子が多数凝集し
て固まっている(agglomeration) のが観察される。従っ
て、図2のように、セラミックスと高分子間の結合力の
低下は勿論、気孔率(porosity)も増加した。
しようとするセラミックス粒子の比表面積を充分にコー
ティングできる量が必要であるが、図3の(F)のよう
に、シランが過量添加された場合には、PZT微粒子の
分散が不均一になり、シランにより微粒子が多数凝集し
て固まっている(agglomeration) のが観察される。従っ
て、図2のように、セラミックスと高分子間の結合力の
低下は勿論、気孔率(porosity)も増加した。
【0022】複合素材の密度測定及び微細構造観察の結
果、平均粒子の大きさが5μmであるPZTを20容量
%包含したPZT−PVDF圧電複合素材において、P
ZTに対するシラン処理時の最適添加量は0.3重量%
であった。上記のような実験結果を土台に、圧電特性測
定のための圧電複合材料はシランの組成を0.3重量%
に固定し、PVDF粉末とシラン処理したPZT粉末混
合時、高分子マトリックス内での電気伝導度増加のため
に、平均粒子の大きさが約18nmであるカーボンを
1.5容量%添加し、高温用押出し成型機を使用し、2
10℃の温度で巾15mm、厚さ約100μmのシート
型に製造した。製造した試片の電極は、試片の両面に銀
電極を使用し、シルクスクリーンプリンティング法で直
径6mmの円型の銀電極を形成した。圧電特性測定のた
めの分極処理は、試片をシリコンオイル中に浸し、12
0℃に維持させた後、10MV/mの電界を1時間印加
した後、電界を加えた状態で常温に急冷し完了した。
果、平均粒子の大きさが5μmであるPZTを20容量
%包含したPZT−PVDF圧電複合素材において、P
ZTに対するシラン処理時の最適添加量は0.3重量%
であった。上記のような実験結果を土台に、圧電特性測
定のための圧電複合材料はシランの組成を0.3重量%
に固定し、PVDF粉末とシラン処理したPZT粉末混
合時、高分子マトリックス内での電気伝導度増加のため
に、平均粒子の大きさが約18nmであるカーボンを
1.5容量%添加し、高温用押出し成型機を使用し、2
10℃の温度で巾15mm、厚さ約100μmのシート
型に製造した。製造した試片の電極は、試片の両面に銀
電極を使用し、シルクスクリーンプリンティング法で直
径6mmの円型の銀電極を形成した。圧電特性測定のた
めの分極処理は、試片をシリコンオイル中に浸し、12
0℃に維持させた後、10MV/mの電界を1時間印加
した後、電界を加えた状態で常温に急冷し完了した。
【0023】上記の方法で製造した試片(20容量%P
ZT(0.3重量%シラン)、80容量%PVDF、
1.5容量%カーボン)と、シラン処理をしない試片
(20容量%PZT、80容量%PVDF)と、シラン
処理をしたがカーボンを添加しない試片(20容量%P
ZT(0.3重量%シラン)、80容量%PVDF)の
圧電特性(相対誘電常数 (εr )、圧電電荷係数
(d33))の測定結果の比較を表1に示す。これより、
シランとカーボンを添加した時、誘電常数及び圧電係数
が増加し、特性が向上したことがわかる。
ZT(0.3重量%シラン)、80容量%PVDF、
1.5容量%カーボン)と、シラン処理をしない試片
(20容量%PZT、80容量%PVDF)と、シラン
処理をしたがカーボンを添加しない試片(20容量%P
ZT(0.3重量%シラン)、80容量%PVDF)の
圧電特性(相対誘電常数 (εr )、圧電電荷係数
(d33))の測定結果の比較を表1に示す。これより、
シランとカーボンを添加した時、誘電常数及び圧電係数
が増加し、特性が向上したことがわかる。
【0024】
【表1】
【0025】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、従
来のPZT圧電セラミックスとPVDF圧電高分子のそ
れぞれの長所を合せ持つ、優れた圧電複合材料を得るこ
とができる。即ち、複合材料の問題点であったセラミッ
クス−高分子間界面の結合や電気伝導度を改善し、圧電
効果が大きい、成形加工が容易、柔軟性があり大面積化
が可能等の特性があり、緻密な構造を持つ圧電複合材料
を製造できる。従って、圧電材料の用途範囲の拡大に大
きく貢献することができる。
来のPZT圧電セラミックスとPVDF圧電高分子のそ
れぞれの長所を合せ持つ、優れた圧電複合材料を得るこ
とができる。即ち、複合材料の問題点であったセラミッ
クス−高分子間界面の結合や電気伝導度を改善し、圧電
効果が大きい、成形加工が容易、柔軟性があり大面積化
が可能等の特性があり、緻密な構造を持つ圧電複合材料
を製造できる。従って、圧電材料の用途範囲の拡大に大
きく貢献することができる。
【0026】また、本発明の製造方法によれば、柔軟性
のあるシート型の圧電複合材料を押出し成形法により大
量生産することができるので、製造コストを軽減できる
利点がある。
のあるシート型の圧電複合材料を押出し成形法により大
量生産することができるので、製造コストを軽減できる
利点がある。
【図1】本発明の圧電セラミックス−高分子複合材料の
製造工程図。
製造工程図。
【図2】本発明の圧電セラミックス−高分子複合材料の
シラン添加量変化に伴う密度変化を示したグラフ。
シラン添加量変化に伴う密度変化を示したグラフ。
【図3】本発明の圧電セラミックス−高分子複合材料の
走査電子顕微鏡写真で、各々シラン添加量が(A)0重
量%、(B)0.3重量%、(C)0.7重量%、
(D)1重量%、(E)5重量%、(F)15重量%で
ある。
走査電子顕微鏡写真で、各々シラン添加量が(A)0重
量%、(B)0.3重量%、(C)0.7重量%、
(D)1重量%、(E)5重量%、(F)15重量%で
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 趙 顯 南 大韓民国ソウル特別市道峰区雙門洞54番 地 (56)参考文献 特開 平6−85346(JP,A) 特開 昭57−126125(JP,A) YANG G 「COMPOSITE PIEZOELECTRIC FIL M MADE FROM PVDF P OLYMER AND PCM−PZT FERROELECTRIC CER AMICS」,FERROELECTR ICS,1990,VOL.101,PP.291 −296 塩崎 忠 「複合圧電」,エレクトロ セラミクス 9月号 (1986) PP. 25−30 (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 41/193 H01L 41/26 JICSTファイル(JOIS)
Claims (8)
- 【請求項1】Pb(Zrx Ti1-x )O3 圧電セラミッ
クス、カーボン微粒子、ポリフッ化ビニリデン圧電高分
子及び前記Pb(Zrx Ti1-x )O3 に対し最大5重
量%であるシランを含んで構成される圧電セラミックス
−高分子複合材料。 - 【請求項2】材料全体において、Pb(Zrx T
i1-x )O3 圧電セラミックスが10〜60容量%、最
大3容量%のカーボン微粒子、残りの容量%のポリフッ
化ビニリデン圧電高分子及び前記Pb(Zrx T
i1-x )O3 に対し最大5重量%であるシランよりなる
請求項1記載の圧電セラミックス−高分子複合材料。 - 【請求項3】前記複合材料が0−3連結性を有する請求
項1または請求項2記載の圧電セラミックス−高分子複
合材料。 - 【請求項4】Pb(Zrx Ti1-x )O3 圧電セラミッ
クス微粒子に対し最大5重量%のシランでPb(Zrx
Ti1-x )O3 圧電セラミックス微粒子をコーティング
し、前記シランでコーティングしたPb(Zrx Ti
1-x )O3 圧電セラミックス、カーボン微粒子及びポリ
フッ化ビニリデン圧電高分子を含む材料を夫々混合し、
得られた混合物をシート型に成形することを特徴とする
圧電セラミックス−高分子複合材料の製造方法。 - 【請求項5】Pb(Zrx Ti1-x )O3 圧電セラミッ
クス微粒子に対し最大5重量%のシランでPb(Zrx
Ti1-x )O3 圧電セラミックス微粒子をコーティング
し、材料全体に対し、前記シランでコーティングしたP
b(Zrx Ti1-x )O3 圧電セラミックス10〜60
容量%、最大3容量%のカーボン微粒子及び残りの容量
%のポリフッ化ビニリデン圧電高分子を夫々混合し、得
られた混合物をシート型に成形することを特徴とする請
求項4記載の圧電セラミックス−高分子複合材料の製造
方法。 - 【請求項6】前記コーティングにおいて、前記Pb(Z
rx Ti1-x )O3 圧電セラミックス微粒子と揮発性有
機溶媒に溶かしたシランとを混合した後、前記揮発性有
機溶媒を揮発することを特徴とする請求項4または請求
項5記載の圧電セラミックス−高分子複合材料の製造方
法。 - 【請求項7】前記の成形において、押出し成形法を用い
210℃で行われることを特徴とする請求項4または請
求項5記載の圧電セラミックス−高分子複合材料の製造
方法。 - 【請求項8】前記の成形において、50〜300μmの
厚さのシートとして成形することを特徴とする請求項7
記載の圧電セラミックス−高分子複合材料の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940008358A KR950029236A (ko) | 1994-04-20 | 1994-04-20 | 압전 세라믹-고분자 복합재료 및 그 제조방법 |
KR8358/1994 | 1994-04-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07297461A JPH07297461A (ja) | 1995-11-10 |
JP2777976B2 true JP2777976B2 (ja) | 1998-07-23 |
Family
ID=19381398
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4431995A Expired - Fee Related JP2777976B2 (ja) | 1994-04-20 | 1995-03-03 | 圧電セラミックス−高分子複合材料及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5505870A (ja) |
JP (1) | JP2777976B2 (ja) |
KR (1) | KR950029236A (ja) |
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US6277299B1 (en) * | 1998-11-25 | 2001-08-21 | General Electric Company | High-sensitivity piezocomposite material and ultrasonic transducer made therefrom |
US6861782B2 (en) * | 2001-04-05 | 2005-03-01 | Head Sport Ag | Flexible piezoelectric films |
EP1909340B1 (en) * | 2005-06-29 | 2012-10-24 | NGK Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostriction film type element |
US8241653B1 (en) * | 2007-08-07 | 2012-08-14 | Abbott Cardiovascular Systems Inc. | Piezoelectricity modulated release rate of drug from a coating |
JP5545208B2 (ja) * | 2008-03-14 | 2014-07-09 | コニカミノルタ株式会社 | 有機圧電材料、それを用いた超音波振動子、その製造方法、超音波探触子及び超音波医用画像診断装置 |
EP2226865A1 (de) * | 2009-03-05 | 2010-09-08 | ZYRUS Beteiligungsgesellschaft mbH & Co. Patente I KG | Piezo- und/oder pyroelektrischer Verbundwerkstoff, Verwendung des Verbundwerkstoffes sowie Herstellungsverfahren dafür |
GB201015399D0 (en) * | 2010-09-15 | 2010-10-27 | Univ Bolton | Piezoelectric polymer element and production method and apparatus therefor |
GB201016193D0 (en) | 2010-09-27 | 2010-11-10 | Univ Bolton | Hybrid energy conversion device |
FR2989485B1 (fr) | 2012-04-11 | 2016-02-05 | Commissariat Energie Atomique | Capteur tactile et procede de fabrication d'un tel capteur |
KR101687893B1 (ko) * | 2015-01-26 | 2016-12-19 | 서울시립대학교 산학협력단 | 압전섬유를 이용하는 에너지 하베스팅 장치 및 그 제조방법 |
RU2610063C1 (ru) * | 2015-12-01 | 2017-02-07 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет" | Способ получения полимерных композитов с высокими сегнетоэлектрическими и термическими свойствами |
KR102567200B1 (ko) * | 2016-05-25 | 2023-08-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 패널용 기판 및 이를 포함하는 디스플레이 패널 |
CN106508706B (zh) * | 2016-11-08 | 2019-05-07 | 杨建富 | 一种用于畜牧养殖的智能红外感应饮水装置 |
JP6877285B2 (ja) * | 2017-07-26 | 2021-05-26 | ムネカタインダストリアルマシナリー株式会社 | 圧電性樹脂膜および圧電デバイス |
KR102142652B1 (ko) | 2018-09-19 | 2020-08-07 | 전자부품연구원 | 자기전기 복합 소재 및 이의 제조 방법 |
WO2021184253A1 (zh) * | 2020-03-18 | 2021-09-23 | 南昌欧菲生物识别技术有限公司 | 超声波指纹识别模组、制备方法及电子设备 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US4613784A (en) * | 1984-12-21 | 1986-09-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Transversely reinforced piezoelectric composites |
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