JP2773674B2 - 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法Info
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造装置及
び半導体装置の製造方法に関し、特に半導体基板上への
タングステン膜の形成装置及び形成方法に関する。
び半導体装置の製造方法に関し、特に半導体基板上への
タングステン膜の形成装置及び形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコン基板に形成された微細な
コンタクトホールや配線間を接続するビアホールなどの
接続孔の埋め込み技術として、ステップカバレージ（段
差被覆性）が良くかつ低抵抗のタングステン膜が得られ
る化学気相成長（ＣＶＤ）法が用いられている。このタ
ングステン膜は基板の全面に形成される為、下地絶縁膜
との密着性の問題からタングステン膜と下地絶縁膜との
間に窒化チタン（ＴｉＮ），チタンタングステン（Ｔｉ
Ｗ）等の密着層を形成しなければならない。このＴｉＮ
やＴｉＷ等の成膜は通常スパッタ法によって行われてい
るため、ステップカバレージが悪く、ウェハー側面や裏
面にはＴｉＮやＴｉＷ等の密着層はほとんど成膜されな
い。
コンタクトホールや配線間を接続するビアホールなどの
接続孔の埋め込み技術として、ステップカバレージ（段
差被覆性）が良くかつ低抵抗のタングステン膜が得られ
る化学気相成長（ＣＶＤ）法が用いられている。このタ
ングステン膜は基板の全面に形成される為、下地絶縁膜
との密着性の問題からタングステン膜と下地絶縁膜との
間に窒化チタン（ＴｉＮ），チタンタングステン（Ｔｉ
Ｗ）等の密着層を形成しなければならない。このＴｉＮ
やＴｉＷ等の成膜は通常スパッタ法によって行われてい
るため、ステップカバレージが悪く、ウェハー側面や裏
面にはＴｉＮやＴｉＷ等の密着層はほとんど成膜されな
い。
【０００３】一方、タングステン膜はＣＶＤ法により成
膜するためステップカバレージはＴｉＮやＴｉＷ等より
良く、ウェハー側壁や裏面のＴｉＮ等の密着層のない部
分にタングステン膜が形成される。タングステン膜は絶
縁膜との密着性は悪く、またウェハー裏面等のシリコン
が露出している部分でも密着性が悪いので、ＴｉＮ等の
密着層のない部分にタングステン膜が形成されると、タ
ングステン膜の剥離によるパーティクルが発生して、半
導体装置の歩留りが悪くなる問題がある。
膜するためステップカバレージはＴｉＮやＴｉＷ等より
良く、ウェハー側壁や裏面のＴｉＮ等の密着層のない部
分にタングステン膜が形成される。タングステン膜は絶
縁膜との密着性は悪く、またウェハー裏面等のシリコン
が露出している部分でも密着性が悪いので、ＴｉＮ等の
密着層のない部分にタングステン膜が形成されると、タ
ングステン膜の剥離によるパーティクルが発生して、半
導体装置の歩留りが悪くなる問題がある。
【０００４】そこで、選択性金属ＣＶＤ装置において、
タングステン膜が成長するのを防止したい部分を絶縁物
質からなる基板被覆手段でおおい、タングステン膜が形
成されるのを防ぐこと（第１の従来例）が、特開平１−
２２２０５２号公報に提案されている。以下図３を参照
して、この半導体製造装置について説明する。図３に選
択性金属ＣＶＤ装置の断面図を示す。基板被覆手段２０
は、反応室１０Ａ内に置かれたシリコン基板１の側面及
び裏面をおおい込んでいる。この時、基板被覆手段２０
は、金属膜の堆積を避けるため、絶縁物質によって構成
されている。尚図３において１２Ａはシャワーヘッドで
ある。
タングステン膜が成長するのを防止したい部分を絶縁物
質からなる基板被覆手段でおおい、タングステン膜が形
成されるのを防ぐこと（第１の従来例）が、特開平１−
２２２０５２号公報に提案されている。以下図３を参照
して、この半導体製造装置について説明する。図３に選
択性金属ＣＶＤ装置の断面図を示す。基板被覆手段２０
は、反応室１０Ａ内に置かれたシリコン基板１の側面及
び裏面をおおい込んでいる。この時、基板被覆手段２０
は、金属膜の堆積を避けるため、絶縁物質によって構成
されている。尚図３において１２Ａはシャワーヘッドで
ある。
【０００５】また、シリコン基板の表面の周辺部，側面
部及び裏面部の絶縁性膜を除去し、密着層で絶縁性膜の
残部をおおい、そしてタングステンをＣＶＤ法で形成す
る方法（第２の従来例）が特開平４−１７１７１９号公
報に提案されている。以下図４を参照してこの方法につ
いて説明する。
部及び裏面部の絶縁性膜を除去し、密着層で絶縁性膜の
残部をおおい、そしてタングステンをＣＶＤ法で形成す
る方法（第２の従来例）が特開平４−１７１７１９号公
報に提案されている。以下図４を参照してこの方法につ
いて説明する。
【０００６】まず、図４（ａ）に示すように、シリコン
基板１の全面にシリコン酸化膜２Ａを形成する。次に図
４（ｂ）に示すように、リソグラフィ技術及びエッチン
グ技術を用いてシリコン基板１の表面の周辺部，側面部
及び裏面部のシリコン酸化膜２Ａを除去する。次でシリ
コン酸化膜２Ａの残部上のみをおおうように窒化チタン
からなる密着層３Ａをスパッタ法により形成する。次に
図４（ｃ）に示すように、ＣＶＤ法でタングステン膜５
Ａを主にこの密着層３Ａ上に形成する。
基板１の全面にシリコン酸化膜２Ａを形成する。次に図
４（ｂ）に示すように、リソグラフィ技術及びエッチン
グ技術を用いてシリコン基板１の表面の周辺部，側面部
及び裏面部のシリコン酸化膜２Ａを除去する。次でシリ
コン酸化膜２Ａの残部上のみをおおうように窒化チタン
からなる密着層３Ａをスパッタ法により形成する。次に
図４（ｃ）に示すように、ＣＶＤ法でタングステン膜５
Ａを主にこの密着層３Ａ上に形成する。
【０００７】また、図５に示すようなＣＶＤ装置でウェ
ハーの側壁や裏面にタングステン膜が成膜されない方法
（第３の従来例）も提案されている。すなわち、反応室
１０内に設けられたサセプター１１上にシリコン基板１
を保持し、３５０〜５００℃に加熱する。次にサセプタ
ー１１の上方に設置したシャワーヘッド１２から原料ガ
スを流し、シリコン基板１の表面にタングステン膜を形
成する。この時、シリコン基板１の側面や裏面にタング
ステン膜が成膜するのを防ぐため、不活性ガスとして例
えばＡｒを、Ａｒ導入口１７から流量計１５Ａ，バルブ
１４Ｂ及びサセプター１１内に設けられた導入孔より不
活性ガス噴出口１３に供給する。
ハーの側壁や裏面にタングステン膜が成膜されない方法
（第３の従来例）も提案されている。すなわち、反応室
１０内に設けられたサセプター１１上にシリコン基板１
を保持し、３５０〜５００℃に加熱する。次にサセプタ
ー１１の上方に設置したシャワーヘッド１２から原料ガ
スを流し、シリコン基板１の表面にタングステン膜を形
成する。この時、シリコン基板１の側面や裏面にタング
ステン膜が成膜するのを防ぐため、不活性ガスとして例
えばＡｒを、Ａｒ導入口１７から流量計１５Ａ，バルブ
１４Ｂ及びサセプター１１内に設けられた導入孔より不
活性ガス噴出口１３に供給する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したこの従来の半
導体装置の製造装置及び製造方法では、以下の問題があ
る。
導体装置の製造装置及び製造方法では、以下の問題があ
る。
【０００９】まず、特開平１−２２２０５２号公報に記
載されている第１の従来例では、選択性金属ＣＶＤ法を
用いる技術であり、この方法を基板の全面に金属膜を形
成するブランケットＣＶＤ法に応用した場合は、絶縁物
質からなる基板被覆手段にも、密着性の悪いタングステ
ン膜が成膜され、成膜前後のウェハーの出し入れに伴っ
て、この密着性の悪いタングステン膜が基板被覆手段か
らはがれパーティクルが発生する。又、選択成長でタン
グステン膜を成膜できれば、絶縁物質からなる基板被覆
手段上にはタングステン膜は成膜されないが、選択成長
のタングステンＣＶＤ法は、選択性の再現性等で量産的
に問題がある。
載されている第１の従来例では、選択性金属ＣＶＤ法を
用いる技術であり、この方法を基板の全面に金属膜を形
成するブランケットＣＶＤ法に応用した場合は、絶縁物
質からなる基板被覆手段にも、密着性の悪いタングステ
ン膜が成膜され、成膜前後のウェハーの出し入れに伴っ
て、この密着性の悪いタングステン膜が基板被覆手段か
らはがれパーティクルが発生する。又、選択成長でタン
グステン膜を成膜できれば、絶縁物質からなる基板被覆
手段上にはタングステン膜は成膜されないが、選択成長
のタングステンＣＶＤ法は、選択性の再現性等で量産的
に問題がある。
【００１０】また、特開平４−１７１７１９号公報に記
載されている第２の従来例では、シリコン基板１の表面
の周辺部，側面部及び裏面部のシリコン酸化膜を除去し
て、そしてＣＶＤ法でタングステン膜を形成している。
しかし、シリコン基板上に直接タングステン膜を成膜す
ると、ＷＦ6 とＳｉが反応してシリコンのフッ化物を形
成し、膜のはがれが発生しやすくなり、パーティクルが
発生するという問題点がある。
載されている第２の従来例では、シリコン基板１の表面
の周辺部，側面部及び裏面部のシリコン酸化膜を除去し
て、そしてＣＶＤ法でタングステン膜を形成している。
しかし、シリコン基板上に直接タングステン膜を成膜す
ると、ＷＦ6 とＳｉが反応してシリコンのフッ化物を形
成し、膜のはがれが発生しやすくなり、パーティクルが
発生するという問題点がある。
【００１１】また、図５に示す様なＣＶＤ装置を用いる
第３の従来例では、シリコン基板の側壁部や裏面部にタ
ングステン膜が形成されないようにするためには、基板
の裏面側から流す不活性ガスのガス流量を多くする必要
がある。この為、シリコン基板表面の周辺部付近の膜厚
が薄くなり、膜厚の面内均一性が悪くなるという問題点
がある。
第３の従来例では、シリコン基板の側壁部や裏面部にタ
ングステン膜が形成されないようにするためには、基板
の裏面側から流す不活性ガスのガス流量を多くする必要
がある。この為、シリコン基板表面の周辺部付近の膜厚
が薄くなり、膜厚の面内均一性が悪くなるという問題点
がある。
【００１２】本発明の目的は、シリコン基板の側面に流
す不活性ガスの量を多くすることなく、はがれやすいタ
ングステン膜の形成を抑制することのできる半導体装置
の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供することに
ある。
す不活性ガスの量を多くすることなく、はがれやすいタ
ングステン膜の形成を抑制することのできる半導体装置
の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供することに
ある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】第１の発明の半導体装置
の製造装置は、反応室内に設けられ半導体ウェハーを保
持するサセプターと、このサセプターに対向して設けら
れ原料ガスを噴出し化学気相成長により前記ウェハー上
に所望の膜を形成する為のシャワーヘッドと、前記ウェ
ハーの端部の近傍に設けられ前記ウェハーの側面に不活
性ガスを供給し前記原料ガスが前記ウェハーの側面及び
裏面に回り込むのを防ぐ為の不活性ガス噴出口とを有す
る半導体装置の製造装置において、前記不活性ガスに酸
化性ガスを添加する為の手段を設けたことを特徴とする
ものである。
の製造装置は、反応室内に設けられ半導体ウェハーを保
持するサセプターと、このサセプターに対向して設けら
れ原料ガスを噴出し化学気相成長により前記ウェハー上
に所望の膜を形成する為のシャワーヘッドと、前記ウェ
ハーの端部の近傍に設けられ前記ウェハーの側面に不活
性ガスを供給し前記原料ガスが前記ウェハーの側面及び
裏面に回り込むのを防ぐ為の不活性ガス噴出口とを有す
る半導体装置の製造装置において、前記不活性ガスに酸
化性ガスを添加する為の手段を設けたことを特徴とする
ものである。
【００１４】第２の発明の半導体装置の製造方法は、シ
リコン基板表面に酸化膜を介して密着層を形成したの
ち、化学気相成長法によりこの密着層上に金属膜を形成
する半導体装置の製造方法において、前記密着層を形成
したのち酸化性ガスを用いて前記シリコン基板の側面お
よび裏面にシリコン酸化膜を形成し、次で同一装置内に
おいて前記シリコン基板の側面に不活性ガスを供給しな
がら前記金属膜を形成することを特徴とするものであ
る。
リコン基板表面に酸化膜を介して密着層を形成したの
ち、化学気相成長法によりこの密着層上に金属膜を形成
する半導体装置の製造方法において、前記密着層を形成
したのち酸化性ガスを用いて前記シリコン基板の側面お
よび裏面にシリコン酸化膜を形成し、次で同一装置内に
おいて前記シリコン基板の側面に不活性ガスを供給しな
がら前記金属膜を形成することを特徴とするものであ
る。
【００１５】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の第１の実施例のＣＶＤ装置
の断面図である。
て説明する。図１は本発明の第１の実施例のＣＶＤ装置
の断面図である。
【００１６】図１を参照するとＣＶＤ装置は、反応室１
０内に設けられウェハー１Ａを保持するサセプター１１
と、このサセプター１１に対向して設けられ原料ガス導
入口１６より導入された原料ガスを噴出するシャワーヘ
ッド１２と、ウェハー１Ａの端部の近傍のサセプター１
１に設けられウェハー１Ａの側面に不活性ガス及び酸化
性ガスを供給する不活性ガス噴出口１３と、この噴出口
に不活性ガスとしてのＡｒ及び酸化性ガスとしてのＯ2
をそれぞれ供給するＡｒ導入口１７及びＯ2 導入口１８
と未反応の原料ガス通を排気する排気口１９とから主に
構成されている。尚図１において１４Ａ〜１４Ｃはバル
ブ、１５Ａ，１５Ｂは流量計である。
０内に設けられウェハー１Ａを保持するサセプター１１
と、このサセプター１１に対向して設けられ原料ガス導
入口１６より導入された原料ガスを噴出するシャワーヘ
ッド１２と、ウェハー１Ａの端部の近傍のサセプター１
１に設けられウェハー１Ａの側面に不活性ガス及び酸化
性ガスを供給する不活性ガス噴出口１３と、この噴出口
に不活性ガスとしてのＡｒ及び酸化性ガスとしてのＯ2
をそれぞれ供給するＡｒ導入口１７及びＯ2 導入口１８
と未反応の原料ガス通を排気する排気口１９とから主に
構成されている。尚図１において１４Ａ〜１４Ｃはバル
ブ、１５Ａ，１５Ｂは流量計である。
【００１７】このように構成されたＣＶＤ装置によれ
ば、ウェハー１Ａの側面に酸化性ガスを供給できる為、
ウェハーの側面及び裏面に酸化膜を形成することができ
る。以下酸化膜の形成方法を含むタングステン膜の形成
方法について図２を用いて説明する。図２（ａ）〜
（ｃ）は本発明の第２の実施例の半導体装置の製造方法
を説明する為の半導体チップの断面図である。
ば、ウェハー１Ａの側面に酸化性ガスを供給できる為、
ウェハーの側面及び裏面に酸化膜を形成することができ
る。以下酸化膜の形成方法を含むタングステン膜の形成
方法について図２を用いて説明する。図２（ａ）〜
（ｃ）は本発明の第２の実施例の半導体装置の製造方法
を説明する為の半導体チップの断面図である。
【００１８】まず、図２（ａ）に示す様に、シリコン基
板１上にシリコン酸化膜２を形成後、通常のリソグラフ
ィ技術及びドライエッチング技術を用いて所望のコンタ
クトホール（図示せず）を形成する。そして、密着層３
として例えばチタン膜と窒化チタン膜を形成する。次に
図２（ｂ）に示す様に、図１に示したＣＶＤ装置を用
い、シリコン基板１の側面部及び裏面部のシリコンが露
出している部分のみを酸化して厚さ数ｎｍ〜数十ｎｍの
シリコン酸化膜４を形成する。次に図２（ｃ）に示す様
に、タングステン膜５をＣＶＤ法で形成する。
板１上にシリコン酸化膜２を形成後、通常のリソグラフ
ィ技術及びドライエッチング技術を用いて所望のコンタ
クトホール（図示せず）を形成する。そして、密着層３
として例えばチタン膜と窒化チタン膜を形成する。次に
図２（ｂ）に示す様に、図１に示したＣＶＤ装置を用
い、シリコン基板１の側面部及び裏面部のシリコンが露
出している部分のみを酸化して厚さ数ｎｍ〜数十ｎｍの
シリコン酸化膜４を形成する。次に図２（ｃ）に示す様
に、タングステン膜５をＣＶＤ法で形成する。
【００１９】次にシリコン酸化膜４及びタングステン膜
５の形成方法について更に詳しく説明する。まず、図１
に示したＣＶＤ装置のサセプター１１上にウェハー１Ａ
を保持し、３５０〜５００℃に加熱する。次に不活性ガ
ス噴出口１３から酸化性ガスあるいは酸化性ガスと不活
性ガスの混合ガスを流しウェハーの側面部及び裏面部の
シリコンが露出している部分を酸化させ、薄いシリコン
酸化膜４を形成する。この時、酸化性のガスとしては、
例えば、酸素，酸素を含む不活性ガス，酸素を含む窒
素，オゾン，オゾンを含む不活性ガス，Ｎ2 Ｏガス，Ｎ
2 Ｏを含む不活性ガス等がある。なお、この時、密着層
３の表面の酸化は防止する必要があるのでシャワーヘッ
ド１２よりアルゴン等の不活性ガスを流す必要がある。
５の形成方法について更に詳しく説明する。まず、図１
に示したＣＶＤ装置のサセプター１１上にウェハー１Ａ
を保持し、３５０〜５００℃に加熱する。次に不活性ガ
ス噴出口１３から酸化性ガスあるいは酸化性ガスと不活
性ガスの混合ガスを流しウェハーの側面部及び裏面部の
シリコンが露出している部分を酸化させ、薄いシリコン
酸化膜４を形成する。この時、酸化性のガスとしては、
例えば、酸素，酸素を含む不活性ガス，酸素を含む窒
素，オゾン，オゾンを含む不活性ガス，Ｎ2 Ｏガス，Ｎ
2 Ｏを含む不活性ガス等がある。なお、この時、密着層
３の表面の酸化は防止する必要があるのでシャワーヘッ
ド１２よりアルゴン等の不活性ガスを流す必要がある。
【００２０】シリコン酸化膜４を形成した後は不活性ガ
ス噴出口１３からはＡｒのみを流す。次でウェハー１Ａ
の上方に設置したシャワーヘッド１２よりＷＦ6 を１０
〜１００ｓｃｃｍ，Ｈ2 を１００〜２０００ｓｃｃｍを
混合してウェハー１Ａ表面に供給して、タングステン膜
５を形成する。この時、ウェハー１Ａの側面部及び裏面
部はシリコン酸化膜４でおおわれているために、シャワ
ーヘッド７より入ってくる原料ガスの１部がウェハー１
０の側面部及び裏面部に回り込んでも、タングステン膜
の形成は起こらず、膜のはがれによるパーティクルの発
生は起きない。また、この場合は不活性ガス噴出口１３
から流すガスはＡｒ等の不活性ガスや水素ガスとしてい
るが、原料ガスが完全にウェハー側面部及び裏面部に回
り込まないようにする必要はないので、タングステン膜
の膜厚均一性を悪化させない程度のガス流量、例えば５
００〜２０００ｓｃｃｍ程度で良い。そのため、ウェハ
ー裏面からの不活性ガスや水素ガスによる原料ガスの流
れに対する影響は小さくなり原料ガスがウェハー表面の
周辺部まで到達し、ウェハーの中央部と周辺部との膜厚
差は小さくなる。
ス噴出口１３からはＡｒのみを流す。次でウェハー１Ａ
の上方に設置したシャワーヘッド１２よりＷＦ6 を１０
〜１００ｓｃｃｍ，Ｈ2 を１００〜２０００ｓｃｃｍを
混合してウェハー１Ａ表面に供給して、タングステン膜
５を形成する。この時、ウェハー１Ａの側面部及び裏面
部はシリコン酸化膜４でおおわれているために、シャワ
ーヘッド７より入ってくる原料ガスの１部がウェハー１
０の側面部及び裏面部に回り込んでも、タングステン膜
の形成は起こらず、膜のはがれによるパーティクルの発
生は起きない。また、この場合は不活性ガス噴出口１３
から流すガスはＡｒ等の不活性ガスや水素ガスとしてい
るが、原料ガスが完全にウェハー側面部及び裏面部に回
り込まないようにする必要はないので、タングステン膜
の膜厚均一性を悪化させない程度のガス流量、例えば５
００〜２０００ｓｃｃｍ程度で良い。そのため、ウェハ
ー裏面からの不活性ガスや水素ガスによる原料ガスの流
れに対する影響は小さくなり原料ガスがウェハー表面の
周辺部まで到達し、ウェハーの中央部と周辺部との膜厚
差は小さくなる。
【００２１】なお、原料ガスがウェハー側面部及び裏面
部に回り込んでもタングステン膜が成膜しない理由は、
回り込んでくる原料ガスの量が少なくかつウェハー側面
部及び裏面部の表面がシリコン酸化膜になっているの
で、原料ガス中のＷＦ6 とシリコンとの反応が起きない
ためである。また、密着層３の表面に比較して、シリコ
ン酸化膜４の表面に原料ガスが吸着しにくい点もある。
部に回り込んでもタングステン膜が成膜しない理由は、
回り込んでくる原料ガスの量が少なくかつウェハー側面
部及び裏面部の表面がシリコン酸化膜になっているの
で、原料ガス中のＷＦ6 とシリコンとの反応が起きない
ためである。また、密着層３の表面に比較して、シリコ
ン酸化膜４の表面に原料ガスが吸着しにくい点もある。
【００２２】このように第２の実施例によれば、ウェハ
ーの側面部及び裏面部の露出しているシリコンを酸化し
てシリコン酸化膜を形成し、その後、タングステン膜を
ＣＶＤ法で形成することにより、パーティクルが少な
く、しかも膜厚の面内均一性のよいタングステン膜が形
成できる。
ーの側面部及び裏面部の露出しているシリコンを酸化し
てシリコン酸化膜を形成し、その後、タングステン膜を
ＣＶＤ法で形成することにより、パーティクルが少な
く、しかも膜厚の面内均一性のよいタングステン膜が形
成できる。
【００２３】本第２の実施例では、同一装置で酸化膜４
とタングステン膜５の成膜を行ったが、これらの膜を別
々の装置で行なっても良く、重要な点はタングステン膜
の形成前に原料ガスにさらされる可能性のあるシリコン
表面を酸化するということである。
とタングステン膜５の成膜を行ったが、これらの膜を別
々の装置で行なっても良く、重要な点はタングステン膜
の形成前に原料ガスにさらされる可能性のあるシリコン
表面を酸化するということである。
【００２４】更に本実施例で金属膜としてタングステン
膜を形成する場合について説明したが、チタン，銅等の
他の金属膜をＣＶＤ法で形成する場合にも適用できる。
膜を形成する場合について説明したが、チタン，銅等の
他の金属膜をＣＶＤ法で形成する場合にも適用できる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ウェハー
の側面に流す不活性ガスに酸化性ガスを流す手段を設け
ることにより、ウェハーの表面に金属膜を形成する前に
原料ガスにさらされる可能性のあるウェハー側面部及び
裏面部のシリコンを酸化して、シリコン酸化膜を形成で
きる為、ウェハー表面に密着層を介して金属膜を形成し
てもウェハーの側面や裏面に金属膜が形成されることが
ほとんどなくなりパーティクルの発生も少なくなるとい
う効果がある。また、ウェハー側面及び裏面に金属膜が
成膜しにくいので、気相成長中にウェハー裏面から流す
不活性ガスの流量を抑制できるので、ウェハー面内の膜
厚均一性を向上させることができるという効果もある。
の側面に流す不活性ガスに酸化性ガスを流す手段を設け
ることにより、ウェハーの表面に金属膜を形成する前に
原料ガスにさらされる可能性のあるウェハー側面部及び
裏面部のシリコンを酸化して、シリコン酸化膜を形成で
きる為、ウェハー表面に密着層を介して金属膜を形成し
てもウェハーの側面や裏面に金属膜が形成されることが
ほとんどなくなりパーティクルの発生も少なくなるとい
う効果がある。また、ウェハー側面及び裏面に金属膜が
成膜しにくいので、気相成長中にウェハー裏面から流す
不活性ガスの流量を抑制できるので、ウェハー面内の膜
厚均一性を向上させることができるという効果もある。
【図１】本発明の第１の実施例のＣＶＤ装置の断面図。
【図２】本発明の第２の実施例の製造方法を説明する為
の半導体チップの断面図。
の半導体チップの断面図。
【図３】従来のＣＶＤ装置の一例の断面図。
【図４】従来の半導体装置の製造方法を説明する為の半
導体チップの断面図。
導体チップの断面図。
【図５】従来の他のＣＶＤ装置の断面図。
１ シリコン基板 １Ａ ウェハー ２，２Ａ シリコン酸化膜 ３，３Ａ 密着層 ４ シリコン酸化膜 ５，５Ａ タングステン膜 １０，１０Ａ 反応室 １１ サセプター １２，１２Ａ シャワーヘッド １３ 不活性ガス噴出口 １４Ａ〜１４Ｃ バルブ １５Ａ，１５Ｂ 流量計 １６ 原料ガス導入口 １７ Ａｒ導入口 １８ Ｏ2 導入口 １９ 排気口 ２０ 基板被覆手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/205 H01L 21/285 H01L 21/31
Claims (2)
- 【請求項１】 反応室内に設けられ半導体ウェハーを保
持するサセプターと、このサセプターに対向して設けら
れ原料ガスを噴出し化学気相成長により前記ウェハー上
に所望の膜を形成する為のシャワーヘッドと、前記ウェ
ハーの端部の近傍に設けられ前記ウェハーの側面に不活
性ガスを供給し前記原料ガスが前記ウェハーの側面及び
裏面に回り込むのを防ぐ為の不活性ガス噴出口とを有す
る半導体装置の製造装置において、前記不活性ガスに酸
化性ガスを添加する為の手段を設けたことを特徴とする
半導体装置の製造装置。 - 【請求項２】 シリコン基板表面に酸化膜を介して密着
層を形成したのち、化学気相成長法によりこの密着層上
に金属膜を形成する半導体装置の製造方法において、前
記密着層を形成したのち酸化性ガスを用いて前記シリコ
ン基板の側面及び裏面にシリコン酸化膜を形成し、次で
同一装置内において前記シリコン基板の側面に不活性ガ
スを供給しながら前記金属膜を形成することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7075120A JP2773674B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| US08/625,825 US5700738A (en) | 1995-03-31 | 1996-04-01 | Method for producing a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7075120A JP2773674B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08269716A JPH08269716A (ja) | 1996-10-15 |
| JP2773674B2 true JP2773674B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=13567031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7075120A Expired - Lifetime JP2773674B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5700738A (ja) |
| JP (1) | JP2773674B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6889777B2 (en) * | 2001-03-16 | 2005-05-10 | Thumpers, Inc. | Implement for driving posts |
| JP4911583B2 (ja) * | 2006-08-28 | 2012-04-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Ｃｖｄ装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01222052A (ja) * | 1988-03-02 | 1989-09-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| US5238499A (en) * | 1990-07-16 | 1993-08-24 | Novellus Systems, Inc. | Gas-based substrate protection during processing |
| JPH04171719A (ja) * | 1990-11-02 | 1992-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5275976A (en) * | 1990-12-27 | 1994-01-04 | Texas Instruments Incorporated | Process chamber purge module for semiconductor processing equipment |
| JPH05283349A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-29 | Sony Corp | 成膜装置 |
| JP2603909B2 (ja) * | 1992-06-24 | 1997-04-23 | アネルバ株式会社 | Ｃｖｄ装置、マルチチャンバ方式ｃｖｄ装置及びその基板処理方法 |
| JP3131855B2 (ja) * | 1992-10-05 | 2001-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜処理方法及びその装置 |
| US5326725A (en) * | 1993-03-11 | 1994-07-05 | Applied Materials, Inc. | Clamping ring and susceptor therefor |
| JP3131860B2 (ja) * | 1993-08-18 | 2001-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜処理装置 |
| JP3294413B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2002-06-24 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
-
1995
- 1995-03-31 JP JP7075120A patent/JP2773674B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-04-01 US US08/625,825 patent/US5700738A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08269716A (ja) | 1996-10-15 |
| US5700738A (en) | 1997-12-23 |
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|---|---|---|---|
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