JP2762188B2 - 紫外線レーザー用合成石英ガラス成形体の製造方法 - Google Patents
紫外線レーザー用合成石英ガラス成形体の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、紫外線、特にＡｒＦエ
キシマレーザーの照射に対して優れた安定性を有するＡ
ｒＦエキシマレーザー光学部材用合成石英ガラス成形体
の製造方法に関し、特にＡｒＦエキシマレーザーを光源
とするステッパーの光学系、特にＡｒＦエキシマレーザ
ーのステッパー光学系を形成するに好適な、即ちＡｒＦ
エキシマレーザーの透過率に優れたＡｒＦエキシマレー
ザー光学部材用合成石英ガラス成形体の製造方法に関す
る。
キシマレーザーの照射に対して優れた安定性を有するＡ
ｒＦエキシマレーザー光学部材用合成石英ガラス成形体
の製造方法に関し、特にＡｒＦエキシマレーザーを光源
とするステッパーの光学系、特にＡｒＦエキシマレーザ
ーのステッパー光学系を形成するに好適な、即ちＡｒＦ
エキシマレーザーの透過率に優れたＡｒＦエキシマレー
ザー光学部材用合成石英ガラス成形体の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来技術】近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、ウエハー
上に集積回路パターンを描画する光リソグフィー技術に
おいても、サブミクロン単位の描画技術が要求されてお
り、より微細な線幅描画を行うために、露光系の光源の
短波長化が進められてきている。特に最近では、露光用
の光源としてＫｒＦエキシマレーザー光（波長２４８ｎ
ｍ）およびＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎ
ｍ）が考えられ、光学部材として用いられるガラス材料
においても、２５０ｎｍ以下の波長の光の透過性がきわ
めて重要な特性として注目されている。一般的には、こ
の波長領域において十分な透過性を示す材料は、ガラス
としては、石英ガラス以外になく、石英ガラスにおいて
も四塩化珪素等を火炎加水分解して製造される、いわゆ
る合成石英ガラスでなければ、実質的に十分な透過率を
与えない。一方で、エキシマレーザーステッパーにおけ
る光学系に使用されるレンズ等の光学部品を形成するガ
ラス成形体には、均一な像を得るためにきわめて厳密な
均質性が要求され、かかる均質性を合成石英ガラス成形
体に付与するためには、合成石英ガラス材料を望ましい
形状に成形する成形工程、均質化工程およびアニール工
程などの非常に長時間を要する工程が工業上必要とされ
る。
上に集積回路パターンを描画する光リソグフィー技術に
おいても、サブミクロン単位の描画技術が要求されてお
り、より微細な線幅描画を行うために、露光系の光源の
短波長化が進められてきている。特に最近では、露光用
の光源としてＫｒＦエキシマレーザー光（波長２４８ｎ
ｍ）およびＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎ
ｍ）が考えられ、光学部材として用いられるガラス材料
においても、２５０ｎｍ以下の波長の光の透過性がきわ
めて重要な特性として注目されている。一般的には、こ
の波長領域において十分な透過性を示す材料は、ガラス
としては、石英ガラス以外になく、石英ガラスにおいて
も四塩化珪素等を火炎加水分解して製造される、いわゆ
る合成石英ガラスでなければ、実質的に十分な透過率を
与えない。一方で、エキシマレーザーステッパーにおけ
る光学系に使用されるレンズ等の光学部品を形成するガ
ラス成形体には、均一な像を得るためにきわめて厳密な
均質性が要求され、かかる均質性を合成石英ガラス成形
体に付与するためには、合成石英ガラス材料を望ましい
形状に成形する成形工程、均質化工程およびアニール工
程などの非常に長時間を要する工程が工業上必要とされ
る。
【０００３】
【本発明が解決しようとする問題点】この合成石英ガラ
ス成形体の均質性を与えるためのアニール工程及び成形
工程といった熱処理工程は、高温で長時間にわたって行
われるために、均質化された合成石英ガラス成形体は、
熱処理工程および成形工程における雰囲気、治具、炉材
等によって汚染され、合成石英ガラス成形体の紫外線透
過性を劣化させる結果となっている。このような熱処理
工程における合成石英ガラス成形体の汚染は、合成石英
ガラス成形体の真空紫外領域（波長２００ｎｍ以下）の
透過率を著しく低下させ、例えばエキシマレーザー光の
中でも、波長の短いＡｒＦエキシマレーザーを光源とす
るステッパーの光学系では深刻な問題である。
ス成形体の均質性を与えるためのアニール工程及び成形
工程といった熱処理工程は、高温で長時間にわたって行
われるために、均質化された合成石英ガラス成形体は、
熱処理工程および成形工程における雰囲気、治具、炉材
等によって汚染され、合成石英ガラス成形体の紫外線透
過性を劣化させる結果となっている。このような熱処理
工程における合成石英ガラス成形体の汚染は、合成石英
ガラス成形体の真空紫外領域（波長２００ｎｍ以下）の
透過率を著しく低下させ、例えばエキシマレーザー光の
中でも、波長の短いＡｒＦエキシマレーザーを光源とす
るステッパーの光学系では深刻な問題である。
【０００４】このような熱処理工程における合成石英ガ
ラス成形体の汚染を減じさせる努力は継続して行われて
いるが、高温での熱処理に用いられる炉材や治具は、合
成石英ガラスを汚染するアルミナ、ジルコニア、グラフ
ァイト等の材料で形成されており、また２００ｎｍ以下
の波長の光の透過率は、合成石英ガラス成形体の僅かな
汚染によっても著しく低下するために、均質性を付与し
た石英ガラス成形体のこの領域での透過率は、ステッパ
ー光学系において望まれる基準を満足してはいない。
ラス成形体の汚染を減じさせる努力は継続して行われて
いるが、高温での熱処理に用いられる炉材や治具は、合
成石英ガラスを汚染するアルミナ、ジルコニア、グラフ
ァイト等の材料で形成されており、また２００ｎｍ以下
の波長の光の透過率は、合成石英ガラス成形体の僅かな
汚染によっても著しく低下するために、均質性を付与し
た石英ガラス成形体のこの領域での透過率は、ステッパ
ー光学系において望まれる基準を満足してはいない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、均質化処理及
び成形処理が施されて、ＡｒＦエキシマレーザー光学部
材用として必要な均質性を有する合成石英ガラス成形体
について、均質性を損なうことなしにＡｒＦエキシマレ
ーザーに対する光の透過率を改善させる方法を提供する
ことを目的としているすなわち、本発明は、ＡｒＦエキ
シマレーザーに対して透過率が低いＡｒＦエキシマレー
ザー光学部材用合成石英ガラス成形体に、１５０ｎｍ乃
至３００ｎｍの範囲内の波長の紫外線を、該成形体の照
射表面における照度にして、少なくとも１μＷ／ｃｍ２
以上で、１時間以上照射することにより、ＡｒＦエキシ
マレーザーに対する透過率を向上させることを特徴とす
るＡｒＦエキシマレーザー光学部材用合成石英ガラス成
形体の製造方法を提供するものである。
び成形処理が施されて、ＡｒＦエキシマレーザー光学部
材用として必要な均質性を有する合成石英ガラス成形体
について、均質性を損なうことなしにＡｒＦエキシマレ
ーザーに対する光の透過率を改善させる方法を提供する
ことを目的としているすなわち、本発明は、ＡｒＦエキ
シマレーザーに対して透過率が低いＡｒＦエキシマレー
ザー光学部材用合成石英ガラス成形体に、１５０ｎｍ乃
至３００ｎｍの範囲内の波長の紫外線を、該成形体の照
射表面における照度にして、少なくとも１μＷ／ｃｍ２
以上で、１時間以上照射することにより、ＡｒＦエキシ
マレーザーに対する透過率を向上させることを特徴とす
るＡｒＦエキシマレーザー光学部材用合成石英ガラス成
形体の製造方法を提供するものである。
【０００６】本発明において、素材としては、ＡｒＦエ
キシマレーザーに対して透過率が低いＡｒＦエキシマレ
ーザー光学部材用合成石英ガラス成形体が使用される。
この素材として使用される合成石英ガラス成形体は、例
えばＡｒＦエキシマレーザーステッパー光学系を構成す
るに必要な光学特性、すなわち、少なくとも光が透過す
る方向に脈理を有さず、高度に均質な屈折率分布を有
し、かつ残留歪が存在しない、レンズ、プリズムなどの
光学部材を形成するに好適な形状、即ち円筒状、角柱状
またはこれらに類する形状を有するものである。
キシマレーザーに対して透過率が低いＡｒＦエキシマレ
ーザー光学部材用合成石英ガラス成形体が使用される。
この素材として使用される合成石英ガラス成形体は、例
えばＡｒＦエキシマレーザーステッパー光学系を構成す
るに必要な光学特性、すなわち、少なくとも光が透過す
る方向に脈理を有さず、高度に均質な屈折率分布を有
し、かつ残留歪が存在しない、レンズ、プリズムなどの
光学部材を形成するに好適な形状、即ち円筒状、角柱状
またはこれらに類する形状を有するものである。
【０００７】本発明において、素材として使用される合
成石英ガラス成形体は、上記特性、形状に成形するに際
し、均質化工程、成形工程及びアニール工程等の熱処理
工程の少なくとも一つの工程を経ており、このために、
ＡｒＦエキシマレーザーに対し、程度の差こそあれ、熱
処理工程中の汚染による光の吸収を有している。本発明
の効果を最大にするためには、原材料の純度を向上さ
せ、また各工程における汚染を極力減少させて、素材の
合成石英ガラス成形体について、２００ｎｍ以下の波長
の領域における光の吸収を極小にすることが望ましい。
しかし、本発明において、ＡｒＦエキシマレーザーの透
過率の改善は、波長２００ｎｍ以下の領域における素材
の光の吸収の程度に左右されない。
成石英ガラス成形体は、上記特性、形状に成形するに際
し、均質化工程、成形工程及びアニール工程等の熱処理
工程の少なくとも一つの工程を経ており、このために、
ＡｒＦエキシマレーザーに対し、程度の差こそあれ、熱
処理工程中の汚染による光の吸収を有している。本発明
の効果を最大にするためには、原材料の純度を向上さ
せ、また各工程における汚染を極力減少させて、素材の
合成石英ガラス成形体について、２００ｎｍ以下の波長
の領域における光の吸収を極小にすることが望ましい。
しかし、本発明において、ＡｒＦエキシマレーザーの透
過率の改善は、波長２００ｎｍ以下の領域における素材
の光の吸収の程度に左右されない。
【０００８】本発明者らは、このような熱処理工程にお
ける合成石英ガラス成形体の汚染によって生じる２００
ｎｍ以下の波長の光の吸収、特にＡｒＦエキシマレーザ
ーの吸収が、当該合成石英ガラス成形体に、波長１５０
ｎｍ乃至３００ｎｍ、望ましくは、１８０ｎｍ乃至２５
５ｎｍの範囲内の波長の紫外線を照射することによって
消失することを見いだした。本発明においては、照射す
る紫外線の波長は３００ｎｍ以下であることが必要であ
り、３００ｎｍ以上の波長の紫外線を照射しても光エネ
ルギーとしては弱く望ましい効果は得られない。一方、
波長１５０ｎｍ以下の紫外線の場合、石英ガラス自体の
本質的な吸収が存在するため、ガラス体の構造が破壊す
ることがあるので望ましくない。
ける合成石英ガラス成形体の汚染によって生じる２００
ｎｍ以下の波長の光の吸収、特にＡｒＦエキシマレーザ
ーの吸収が、当該合成石英ガラス成形体に、波長１５０
ｎｍ乃至３００ｎｍ、望ましくは、１８０ｎｍ乃至２５
５ｎｍの範囲内の波長の紫外線を照射することによって
消失することを見いだした。本発明においては、照射す
る紫外線の波長は３００ｎｍ以下であることが必要であ
り、３００ｎｍ以上の波長の紫外線を照射しても光エネ
ルギーとしては弱く望ましい効果は得られない。一方、
波長１５０ｎｍ以下の紫外線の場合、石英ガラス自体の
本質的な吸収が存在するため、ガラス体の構造が破壊す
ることがあるので望ましくない。
【０００９】また、照射する紫外線の照度は１μＷ／ｃ
ｍ２以上であことが望ましい。照度が１μＷ／ｃｍ２以
下の紫外線を照射した場合、２００ｎｍ以下の波長の光
の吸収を小さくすることは出来るが、ＡｒＦエキシマレ
ーザーに対する透過率について、好ましい結果を得るに
は、照射時間が長くなるので能率的ではない。一方で、
エキシマレーザー光のようなパルス光においては、光の
均質性に乏しく、また、光のビーム面積も小さいため、
大きな光学ガラス成形体に対する一様な照射が難しくな
り、合成石英ガラス成形体についての均一なＡｒＦエキ
シマレーザーの透過率の改善が困難である。そのため、
照度１μＷ／ｃｍ２以上の該紫外線、特に連続光が望ま
れるが、このような光は、例えば低圧水銀ランプ、キセ
ノンランプ及びＤ２ランプなどにより容易に得ることが
できる。
ｍ２以上であことが望ましい。照度が１μＷ／ｃｍ２以
下の紫外線を照射した場合、２００ｎｍ以下の波長の光
の吸収を小さくすることは出来るが、ＡｒＦエキシマレ
ーザーに対する透過率について、好ましい結果を得るに
は、照射時間が長くなるので能率的ではない。一方で、
エキシマレーザー光のようなパルス光においては、光の
均質性に乏しく、また、光のビーム面積も小さいため、
大きな光学ガラス成形体に対する一様な照射が難しくな
り、合成石英ガラス成形体についての均一なＡｒＦエキ
シマレーザーの透過率の改善が困難である。そのため、
照度１μＷ／ｃｍ２以上の該紫外線、特に連続光が望ま
れるが、このような光は、例えば低圧水銀ランプ、キセ
ノンランプ及びＤ２ランプなどにより容易に得ることが
できる。
【００１０】本発明においては、合成石英ガラス成形体
に、以上のような短波長の紫外線を照射して、ＡｒＦエ
キシマレーザーに対する透過率の改善するが、空気中に
おけるこのような紫外線の照射は、空気中の酸素をオゾ
ンに変化させるので、窒素雰囲気下で、合成石英ガラス
成形体に対し紫外線の照射を行うのが望ましい。本発明
による方法は、脈理が存在する合成石英ガラス成形体
で、波長２００〜１８０ｎｍ付近に透過率不良がある場
合においても、透過率の改善を効果的に行うことができ
る。
に、以上のような短波長の紫外線を照射して、ＡｒＦエ
キシマレーザーに対する透過率の改善するが、空気中に
おけるこのような紫外線の照射は、空気中の酸素をオゾ
ンに変化させるので、窒素雰囲気下で、合成石英ガラス
成形体に対し紫外線の照射を行うのが望ましい。本発明
による方法は、脈理が存在する合成石英ガラス成形体
で、波長２００〜１８０ｎｍ付近に透過率不良がある場
合においても、透過率の改善を効果的に行うことができ
る。
【００１１】本発明における合成石英ガラス成形体にお
ける透過率の改善は、照射紫外線が合成石英ガラス成形
体内を十分に透過することが必要である。したがって、
本発明の透過率の改善の効果を効率良く行うためには、
該合成石英ガラス成形体の紫外線照射面、例えば、該成
形体の全面、光透過面又は側面等は、鏡面研磨以上に磨
かれていることが必要である。本発明は、合成石英ガラ
ス成形体が如何なる形状及び大きさのものであっても、
透過率の改善を達成することができ、合成石英ガラス成
形体の形状及び大きさにより制限されるものではない。
例えば合成石英ガラス成形体の大きさが大きい場合に
は、合成石英ガラス成形体の大きさに応じて紫外線の照
射時間を増加することにより透過率を改善することがで
きる。
ける透過率の改善は、照射紫外線が合成石英ガラス成形
体内を十分に透過することが必要である。したがって、
本発明の透過率の改善の効果を効率良く行うためには、
該合成石英ガラス成形体の紫外線照射面、例えば、該成
形体の全面、光透過面又は側面等は、鏡面研磨以上に磨
かれていることが必要である。本発明は、合成石英ガラ
ス成形体が如何なる形状及び大きさのものであっても、
透過率の改善を達成することができ、合成石英ガラス成
形体の形状及び大きさにより制限されるものではない。
例えば合成石英ガラス成形体の大きさが大きい場合に
は、合成石英ガラス成形体の大きさに応じて紫外線の照
射時間を増加することにより透過率を改善することがで
きる。
【００１２】
【作用】本発明は、ＡｒＦエキシマレーザーに対して透
過率が低いＡｒＦエキシマレーザー光学部材用合成石英
ガラス成形体に、１５０ｎｍ乃至３００ｎｍの範囲内の
波長の紫外線を、照射表面における照度にして、少なく
とも１μＷ／ｃｍ２以上で、１時間以上照射することに
より、ＡｒＦエキシマレーザーに対する透過率を向上さ
せるので、合成石英ガラス成形体の組成及び均質性を損
なうことなく、しかも紫外線の照射という簡単な方法に
より、合成石英ガラス成形体の紫外領域の光、特にＡｒ
Ｆエキシマレーザーに対する透過率を向上させることが
できる。
過率が低いＡｒＦエキシマレーザー光学部材用合成石英
ガラス成形体に、１５０ｎｍ乃至３００ｎｍの範囲内の
波長の紫外線を、照射表面における照度にして、少なく
とも１μＷ／ｃｍ２以上で、１時間以上照射することに
より、ＡｒＦエキシマレーザーに対する透過率を向上さ
せるので、合成石英ガラス成形体の組成及び均質性を損
なうことなく、しかも紫外線の照射という簡単な方法に
より、合成石英ガラス成形体の紫外領域の光、特にＡｒ
Ｆエキシマレーザーに対する透過率を向上させることが
できる。
【００１３】
【実施例１】以下、本発明の実施の態様について例をあ
げて説明するが、本発明は、以下の説明及び例示によ
り、何等限定されるものではない。 例１ ３方向に脈理を有さず、均質な屈折率分布を持つ合成石
英ガラス成形体を３０ｍｍ×３０ｍｍ×５０ｍｍの直方
体に切り出し、６面全部を鏡面研磨後、真空紫外分光光
度計で、波長が２４０ｎｍから１６０ｎｍまでの領域の
光の透過率を測定した。この光の透過率を測定した方向
に対して垂直な面に、低圧水銀ランプから放射される波
長が１８４．９ｎｍと２５３．７ｎｍの連続光を、その
面に対して一面に（照度ムラ２０％）照度にしてそれぞ
れ１５０μＷ／ｃｍ２と４８０μＷ／ｃｍ２、２週間照
射し、その後再び照射前と同じ方向に透過率を測定し
た。図１には、本実施例で用いた低圧水銀ランプの放射
光分布を示す。また、図２には、低圧水銀ランプによる
紫外線照射前後の前記合成石英ガラス成形体の５０ｍｍ
厚さ方向における光透過率曲線を示す。図２に示される
紫外線照射前の光透過率曲線 （Ｉ）と紫外線照射後の
光透過率曲線（ＩＩ）を比較すると、紫外光照射後の合
成石英ガラス成形体は、紫外線照射前の合成石英ガラス
成形体に見られた波長１９０ｎｍ付近における吸収が弱
くなって、波長１９０付近の透過率が向上しており、特
にＡｒＦエキシマレーザーの発振波長である１９３ｎｍ
での透過率が向上している。
げて説明するが、本発明は、以下の説明及び例示によ
り、何等限定されるものではない。 例１ ３方向に脈理を有さず、均質な屈折率分布を持つ合成石
英ガラス成形体を３０ｍｍ×３０ｍｍ×５０ｍｍの直方
体に切り出し、６面全部を鏡面研磨後、真空紫外分光光
度計で、波長が２４０ｎｍから１６０ｎｍまでの領域の
光の透過率を測定した。この光の透過率を測定した方向
に対して垂直な面に、低圧水銀ランプから放射される波
長が１８４．９ｎｍと２５３．７ｎｍの連続光を、その
面に対して一面に（照度ムラ２０％）照度にしてそれぞ
れ１５０μＷ／ｃｍ２と４８０μＷ／ｃｍ２、２週間照
射し、その後再び照射前と同じ方向に透過率を測定し
た。図１には、本実施例で用いた低圧水銀ランプの放射
光分布を示す。また、図２には、低圧水銀ランプによる
紫外線照射前後の前記合成石英ガラス成形体の５０ｍｍ
厚さ方向における光透過率曲線を示す。図２に示される
紫外線照射前の光透過率曲線 （Ｉ）と紫外線照射後の
光透過率曲線（ＩＩ）を比較すると、紫外光照射後の合
成石英ガラス成形体は、紫外線照射前の合成石英ガラス
成形体に見られた波長１９０ｎｍ付近における吸収が弱
くなって、波長１９０付近の透過率が向上しており、特
にＡｒＦエキシマレーザーの発振波長である１９３ｎｍ
での透過率が向上している。
【００１４】例２ 前記例１で用いたものと同様の合成石英ガラス成形体か
ら、３０ｍｍ×４０ｍｍ、厚さ１０ｍｍのサンプルを切
り出し、厚さ方向に相対する２面を鏡面研磨し、この研
磨面に垂直に実施例１と同様の低圧水銀ランプ光源の紫
外線を１２０時間照射した。図３に、紫外線照射前後の
合成石英ガラス成形体についての、真空紫外分光光度計
によるサンプルの厚さ方向の透過率の測定結果を示す。
図３に示される照射前の光透過率曲線（Ｉ）と照射後の
光透過率曲線を比較すると、紫外線照射によって、合成
石英ガラス成形体の波長１９０ｎｍ付近の透過率が向上
していることがわかる。
ら、３０ｍｍ×４０ｍｍ、厚さ１０ｍｍのサンプルを切
り出し、厚さ方向に相対する２面を鏡面研磨し、この研
磨面に垂直に実施例１と同様の低圧水銀ランプ光源の紫
外線を１２０時間照射した。図３に、紫外線照射前後の
合成石英ガラス成形体についての、真空紫外分光光度計
によるサンプルの厚さ方向の透過率の測定結果を示す。
図３に示される照射前の光透過率曲線（Ｉ）と照射後の
光透過率曲線を比較すると、紫外線照射によって、合成
石英ガラス成形体の波長１９０ｎｍ付近の透過率が向上
していることがわかる。
【００１５】
【比較例１】前記例１と同様の３０ｍｍ×３０ｍｍ×５
０ｍｍの合成石英ガラス成形体に、波長３００ｎｍ以上
に分光分布をもつランプの紫外線を１６０時間照射し
た。図４に、本比較例で用いたランプの放射光の分光分
布を示す。図５に、紫外線照射前後の合成石英ガラス成
形体について、真空紫外分光光度計で測定した光透過率
曲線を示す。図５において、紫外線照射前の光透過曲線
（Ｉ）と紫外線照射後の光透過曲線（ＩＩ）は重なって
おり、波長３００ｎｍ以上の紫外線照射によって、合成
石英ガラス成形体は、波長１９０ｎｍ付近の光透過率に
全く変化が見られないことを示している。
０ｍｍの合成石英ガラス成形体に、波長３００ｎｍ以上
に分光分布をもつランプの紫外線を１６０時間照射し
た。図４に、本比較例で用いたランプの放射光の分光分
布を示す。図５に、紫外線照射前後の合成石英ガラス成
形体について、真空紫外分光光度計で測定した光透過率
曲線を示す。図５において、紫外線照射前の光透過曲線
（Ｉ）と紫外線照射後の光透過曲線（ＩＩ）は重なって
おり、波長３００ｎｍ以上の紫外線照射によって、合成
石英ガラス成形体は、波長１９０ｎｍ付近の光透過率に
全く変化が見られないことを示している。
【００１６】
【比較例２】前記例１と同様の３０ｍｍ×３０ｍｍ×５
０ｍｍの合成石英ガラス成形体に、低圧水銀ランプから
放射される波長が１８４．９ｎｍと２５３．７ｎｍの連
続光を、照射面において照度にしてそれぞれ０．３μＷ
／ｃｍ２と０．８μＷ／ｃｍ２、２週間照射した。この
照射前後の合成石英ガラス成形体について、真空紫外分
光光度計で測定した光透過率曲線は、図５同様であり、
波長１９０ｎｍ付近の透過率に全く変化が見られなかっ
た。
０ｍｍの合成石英ガラス成形体に、低圧水銀ランプから
放射される波長が１８４．９ｎｍと２５３．７ｎｍの連
続光を、照射面において照度にしてそれぞれ０．３μＷ
／ｃｍ２と０．８μＷ／ｃｍ２、２週間照射した。この
照射前後の合成石英ガラス成形体について、真空紫外分
光光度計で測定した光透過率曲線は、図５同様であり、
波長１９０ｎｍ付近の透過率に全く変化が見られなかっ
た。
【００１７】
【発明の効果】本発明は、ＡｒＦエキシマレーザーに対
して透過率が低いＡｒＦエキシマレーザー光学部材用合
成石英ガラス成形体のレーザーの光透過面全域に、波長
が１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の紫外線を、照射表面
における照度にして少なくとも１μＷ／ｃｍ２以上で、
１時間以上照射することによりＡｒＦエキシマレーザー
に対する透過率を向上させるので、従来の合成石英ガラ
ス成形体のＡｒＦエキシマレーザーに対する透過率の改
善方法に比して、組成及び均質性を変えることなく、し
かも紫外線の照射という簡単な方法により、比較的安価
に合成石英ガラス成形体の紫外領域の光、特にＡｒＦエ
キシマレーザーに対する透過率を向上させることができ
るものである。しかも、本発明は、ＡｒＦエキシマレー
ザーに対する透過率不良を、合成石英ガラス成形体に、
低圧水銀ランプなどを光源とする波長１５０ｎｍ乃至３
００ｎｍの範囲内の紫外線を照射することによって、波
長１９０ｎｍをピークとする吸収を弱め、波長２００ｎ
ｍ以下の光の透過率を高めるものであり、従来の合成石
英ガラス成形体のＡｒＦエキシマレーザーに対する透過
率の改善方法に比して実施が容易である。
して透過率が低いＡｒＦエキシマレーザー光学部材用合
成石英ガラス成形体のレーザーの光透過面全域に、波長
が１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の紫外線を、照射表面
における照度にして少なくとも１μＷ／ｃｍ２以上で、
１時間以上照射することによりＡｒＦエキシマレーザー
に対する透過率を向上させるので、従来の合成石英ガラ
ス成形体のＡｒＦエキシマレーザーに対する透過率の改
善方法に比して、組成及び均質性を変えることなく、し
かも紫外線の照射という簡単な方法により、比較的安価
に合成石英ガラス成形体の紫外領域の光、特にＡｒＦエ
キシマレーザーに対する透過率を向上させることができ
るものである。しかも、本発明は、ＡｒＦエキシマレー
ザーに対する透過率不良を、合成石英ガラス成形体に、
低圧水銀ランプなどを光源とする波長１５０ｎｍ乃至３
００ｎｍの範囲内の紫外線を照射することによって、波
長１９０ｎｍをピークとする吸収を弱め、波長２００ｎ
ｍ以下の光の透過率を高めるものであり、従来の合成石
英ガラス成形体のＡｒＦエキシマレーザーに対する透過
率の改善方法に比して実施が容易である。
【図１】例１で用いた低圧水銀ランプの放射光の分布曲
線を示す図である。
線を示す図である。
【図２】例１の低圧水銀ランプによる紫外線の照射前と
照射後における合成石英ガラス成形体について、厚さ５
０ｍｍのサンプルの厚さ方向の、真空紫外分光光度計に
より測定した光透過率曲線を示す図である。
照射後における合成石英ガラス成形体について、厚さ５
０ｍｍのサンプルの厚さ方向の、真空紫外分光光度計に
より測定した光透過率曲線を示す図である。
【図３】例２の低圧水銀ランプによる紫外線の照射前と
照射後における合成石英ガラス成形体について、厚さ１
０ｍｍのサンプルの厚さ方向の、真空紫外分光光度計に
より測定した光透過率曲線を示す図である。
照射後における合成石英ガラス成形体について、厚さ１
０ｍｍのサンプルの厚さ方向の、真空紫外分光光度計に
より測定した光透過率曲線を示す図である。
【図４】比較例１で用いたランプの放射光の分光分布曲
線を示す図である。
線を示す図である。
【図５】比較例１のランプによる紫外線の照射前と照射
後における合成石英ガラス成形体について、厚さ５０ｍ
ｍのサンプルの厚さ方向の、真空紫外分光光度計により
測定した光透過率曲線を示す図である。
後における合成石英ガラス成形体について、厚さ５０ｍ
ｍのサンプルの厚さ方向の、真空紫外分光光度計により
測定した光透過率曲線を示す図である。
Ｉ 紫外線照射前の光透過率曲線 ＩＩ 紫外線照射後の光透過率曲線
Claims (3)
- 【請求項１】 ＡｒＦエキシマレーザーに対して透過率
が低いＡｒＦエキシマレーザー光学部材用合成石英ガラ
ス成形体に、１５０ｎｍ乃至３００ｎｍの範囲内の波長
の紫外線を、該成形体の照射表面における照度にして、
少なくとも１μＷ／ｃｍ２以上で、１時間以上照射する
ことにより、ＡｒＦエキシマレーザーに対する透過率を
向上させることを特徴とするＡｒＦエキシマレーザー光
学部材用合成石英ガラス成形体の製造方法。 - 【請求項２】 前記照射紫外線が、低圧水銀ランプから
放射される１８４．９ｎｍ及び２５３．７ｎｍの波長の
発光線であることを特徴とする請求項１に記載のＡｒＦ
エキシマレーザー光学部材用合成石英ガラス成形体の製
造方法。 - 【請求項３】 前記照射紫外線が、キセノンランプまた
はＤ２ランプから放射される２００乃至２５０ｎｍの波
長の連続スペクトル光であることを特徴とする請求項１
に記載のＡｒＦエキシマレーザー光学部材用合成石英ガ
ラス成形体の製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35738391A JP2762188B2 (ja) | 1991-11-30 | 1991-11-30 | 紫外線レーザー用合成石英ガラス成形体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35738391A JP2762188B2 (ja) | 1991-11-30 | 1991-11-30 | 紫外線レーザー用合成石英ガラス成形体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152648A JPH05152648A (ja) | 1993-06-18 |
| JP2762188B2 true JP2762188B2 (ja) | 1998-06-04 |
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ID=18453850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35738391A Expired - Fee Related JP2762188B2 (ja) | 1991-11-30 | 1991-11-30 | 紫外線レーザー用合成石英ガラス成形体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2762188B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1754689A1 (en) | 2005-08-11 | 2007-02-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Synthetic quartz glass substrate for excimer lasers and making method |
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|---|---|---|---|---|
| US6915665B2 (en) | 2000-10-31 | 2005-07-12 | Corning Incorporated | Method of inducing transmission in optical lithography preforms |
| JP5208677B2 (ja) * | 2008-11-04 | 2013-06-12 | 信越石英株式会社 | ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィー用合成石英ガラス部材の製造方法 |
-
1991
- 1991-11-30 JP JP35738391A patent/JP2762188B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US7827824B2 (en) | 2006-09-07 | 2010-11-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Synthetic quartz glass substrate for excimer lasers and making method |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05152648A (ja) | 1993-06-18 |
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