JP2760668B2 - Voltage detector - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、電気光学効果を用い
た電圧検出装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a voltage detector using an electro-optic effect.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、例えば図７に示される電圧検出装
置１は、電気光学振幅変調器２を用いたものであり、光
源３からの入力光を、被測定電気信号が入力される前記
電気光学振幅変調器２によって、該電気信号に応じて変
調し、これを光検出器４で受光し、処理装置５で、光強
度から電圧に変換し、表示装置６に表示するようにした
ものである。2. Description of the Related Art Conventionally, for example, a voltage detecting device 1 shown in FIG. 7 uses an electro-optical amplitude modulator 2, and converts an input light from a light source 3 into an electric signal to which an electric signal to be measured is inputted. The optical amplitude modulator 2 modulates the electric signal in accordance with the electric signal, the light signal is received by the photodetector 4, the light intensity is converted into a voltage by the processing device 5, and is displayed on the display device 6. is there.
【０００３】前記電気光学振幅変調器２は、被測定電気
信号が入力される光変調器２Ａと、その入側及び出側に
配置された偏光子２Ｂ、及び検光子２Ｃとから構成され
ている。The electro-optical amplitude modulator 2 comprises an optical modulator 2A to which an electric signal to be measured is inputted, a polarizer 2B and an analyzer 2C arranged on the input and output sides thereof. .
【０００４】この電気光学振幅変調器２は、印加電圧Ｖ
と出射光強度Ｉには、電気光学振幅変調器２の半波長電
圧をＶπ、入射光強度をＩ0 としたとき、次の（１）式
の関係があることを利用するものである。但し、ここで
は電気光学振幅変調器２において、光の吸収による減衰
はないものと仮定している。[0004] The electro-optical amplitude modulator 2 uses an applied voltage V
When the half-wave voltage of the electro-optic amplitude modulator 2 is Vπ and the incident light intensity is I 0 , the following formula (1) is used for the output light intensity I. However, here, it is assumed that there is no attenuation due to light absorption in the electro-optic amplitude modulator 2.
【０００５】 Ｉ＝Ｉ0 sin2 （π／２・Ｖ／Ｖπ） …（１）I = I 0 sin 2 (π / 2 · V / Vπ) (1)
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】従って、従来の電気光
学振幅変調器２を利用した電圧検出装置１では、印加電
圧Ｖと出射光強度Ｉが比例していないので、（１）の関
係式に従って光検出器４の出力を一度処理装置５で処理
しないと電圧値を得ることができないという問題点があ
る。Therefore, in the voltage detecting device 1 using the conventional electro-optical amplitude modulator 2, since the applied voltage V and the output light intensity I are not proportional, the following formula (1) is used. There is a problem that a voltage value cannot be obtained unless the output of the photodetector 4 is processed by the processing device 5 once.
【０００７】更に、印加電圧Ｖが小さいときは、出射光
強度Ｉの変化量が少ないために検出できず、又、光源３
の強度ノイズが信号のＳ／Ｎを劣化させるという問題点
がある。Further, when the applied voltage V is small, it cannot be detected because the change amount of the emitted light intensity I is small, and the light source 3
However, there is a problem that the intensity noise degrades the S / N of the signal.
【０００８】この発明は、上記従来の問題点に鑑みてな
されたものであって、光検出器の出力を処理装置によっ
て処理することなく、電圧値を得ることができ、又、印
加電圧が小さくてもこれを検出できると共に、光源の強
度ノイズによるＳ／Ｎの劣化のない電圧検出装置を提供
することを目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and can obtain a voltage value without processing an output of a photodetector by a processing device. It is another object of the present invention to provide a voltage detecting device capable of detecting the same, and having no deterioration in S / N due to intensity noise of the light source.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】この発明は、偏光した光
を出力する光源と、入力される被測定電気信号に応じて
入力光を変調する光変調器と、偏光子を備えたヤングの
干渉計と、検光子と、前記ヤングの干渉計及び検光子を
経て形成された干渉縞の移動量を検出する光検出器と、
を前記光源からこの順で配置してなる電圧検出装置によ
り、上記目的を達成するものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a light source for outputting polarized light, an optical modulator for modulating input light in accordance with an input electric signal to be measured, and a young interference device having a polarizer. A meter, an analyzer, and a photodetector that detects the amount of movement of interference fringes formed via the Young's interferometer and the analyzer,
The above object is achieved by a voltage detecting device in which are arranged in this order from the light source.
【００１０】前記ヤングの干渉計は、シングルスリット
及びこれと平行のダブルスリットからなり、互いに直交
する偏光方向の偏光子を前記ダブルスリットの各々のス
リットに備えるようにしてもよい。The Young's interferometer may include a single slit and a double slit parallel to the single slit, and polarizers having polarization directions orthogonal to each other may be provided in each of the double slits.
【００１１】又、前記検光子は、その偏光方向が前記ダ
ブルスリットに設けられた２個の偏光子の偏光方向に対
してそれぞれ＋４５°、−４５°の角度となるように配
置してもよい。The analyzer may be arranged so that its polarization direction is at + 45 ° and −45 ° with respect to the polarization directions of the two polarizers provided in the double slit. .
【００１２】更に、前記検光子は前記光源光の偏光方向
に対して同一又は直交した偏光方向としてもよい。Further, the analyzer may have the same or orthogonal polarization direction as the polarization direction of the light source light.
【００１３】又、前記光検出器は、１次元光検出器及び
２次元光検出器の一方であるようにしてもよい。[0013] The photodetector may be one of a one-dimensional photodetector and a two-dimensional photodetector.
【００１４】又、前記光源を、無偏光の光源と偏光子か
ら構成してもよい。Further, the light source may comprise a non-polarized light source and a polarizer.
【００１５】[0015]
【作用及び効果】この発明においては、偏光した光を、
入力する被測定電気信号に応じて光変調器で変調し、そ
の出力光を、ヤングの干渉計及び検光子を経て光検出器
で取出し、被測定電気信号の変化を干渉縞の移動量とし
て検出するようにしている。In the present invention, the polarized light is
Modulated by an optical modulator according to the input electric signal to be measured, the output light is taken out by a photodetector via a Young interferometer and analyzer, and the change in the electric signal to be measured is detected as the movement amount of interference fringes. I am trying to do it.
【００１６】被測定電気信号の電圧変化と干渉縞の移動
量が比例しているため、処理装置による処理が不要であ
り、又、被測定電気信号の電圧が小さいときでも、電圧
変化と移動量の比である変化率が等しいので、容易にこ
れを検出でき、更に、光源に強度ノイズがあっても、干
渉縞が移動しないので、Ｓ／Ｎが劣化することがないと
いう効果がある。Since the change in the voltage of the electric signal to be measured is proportional to the amount of movement of the interference fringes, no processing by the processing device is required, and even when the voltage of the electric signal to be measured is small, the voltage change and the amount of movement Since the rate of change, which is the ratio, is the same, this can be easily detected. Further, even if there is intensity noise in the light source, the interference fringes do not move, so that the S / N is not deteriorated.
【００１７】[0017]
【実施例】以下本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１８】この実施例に係る電圧検出装置１０は、光
源１２Ａ及び偏光子１２Ｂを含む光源装置１２と、被測
定電気信号が入力され、この電気信号に応じて入力光を
変調する光変調器１４と、偏光子を備えたヤングの干渉
計１６と、検光子１８と、光検出器２０と、この光検出
器２０の出力信号を解析する解析装置２２と、その解析
結果を表示する表示装置２４と、を、光源装置１２側か
らこの順で配置して構成されている。The voltage detecting device 10 according to this embodiment includes a light source device 12 including a light source 12A and a polarizer 12B, and an optical modulator 14 that receives an electric signal to be measured and modulates input light according to the electric signal. , A Young interferometer 16 having a polarizer, an analyzer 18, a photodetector 20, an analyzer 22 for analyzing an output signal of the photodetector 20, and a display device 24 for displaying the analysis result. And are arranged in this order from the light source device 12 side.
【００１９】前記ヤングの干渉計１６は、シングルスリ
ット１６Ａと、これと平行なダブルスリット１７とから
なり、前記ダブルスリット１７には互いに直交する偏光
方向の偏光子１７Ａ、１７Ｂをそれぞれ備えている。The Young's interferometer 16 comprises a single slit 16A and a double slit 17 parallel to the single slit 16A. The double slit 17 is provided with polarizers 17A and 17B having polarization directions orthogonal to each other.
【００２０】前記偏光子１２Ｂと検光子１８の偏光方向
は、同一又は直交する方向とされている。更に、ダブル
スリット１７の偏光子１７Ａ、１７Ｂは、偏光子１２Ｂ
の偏光方向と＋４５°及び−４５°の角度をもって配置
されている。The polarization directions of the polarizer 12B and the analyzer 18 are the same or orthogonal. Further, the polarizers 17A and 17B of the double slit 17 are
Are arranged at an angle of + 45 ° and −45 ° with respect to the polarization direction.
【００２１】前記光検出器２０は、１次元検出器又は２
次元検出器から構成されている。The photodetector 20 is a one-dimensional detector or a two-dimensional detector.
It consists of a dimension detector.
【００２２】１次元検出器としては、例えば、フォトダ
イオードアレイ、１次元ＣＣＤラインセンサ、１次元半
導***置検出器がある。又、２次元検出器としては、Ｃ
ＣＤカメラ、２次元半導***置検出器あるいは撮像管が
ある。Examples of the one-dimensional detector include a photodiode array, a one-dimensional CCD line sensor, and a one-dimensional semiconductor position detector. As a two-dimensional detector, C
There are CD cameras, two-dimensional semiconductor position detectors, or image pickup tubes.
【００２３】前記解析装置２２は、光検出器２０によっ
て得られた干渉縞の濃淡、即ち出力パターンから、干渉
縞の移動量を検出できるようにされている。The analyzer 22 can detect the amount of movement of the interference fringes from the density of the interference fringes obtained by the photodetector 20, ie, the output pattern.
【００２４】次に上記実施例に係る電圧検出装置１０の
作用について説明する。Next, the operation of the voltage detection device 10 according to the above embodiment will be described.
【００２５】光源装置１２からの出射された偏光した光
は、光変調器１４、ヤングの干渉計１６及び検光子１８
を経ることによって、光検出器２０の入力面に干渉縞を
形成する。The polarized light emitted from the light source device 12 is applied to an optical modulator 14, a Young interferometer 16 and an analyzer 18.
, An interference fringe is formed on the input surface of the photodetector 20.
【００２６】ここで、被測定電気信号が光変調器１４に
印加されると、該光変調器１４を通る光の偏光状態が、
印加電圧に応じて変化し、これが、光検出器２０の入力
面における干渉縞の移動を形成する。Here, when the electric signal to be measured is applied to the optical modulator 14, the polarization state of the light passing through the optical modulator 14 becomes
It changes in response to the applied voltage, which forms the movement of the interference fringes at the input surface of the photodetector 20.
【００２７】干渉縞の間隔Ａは、次の（２）式で与えら
れる。The interval A between the interference fringes is given by the following equation (2).
【００２８】Ａ＝λＬ／２d …（２）A = λL / 2d (2)
【００２９】ここで、λは光源の波長、Ｌはダブルスリ
ット１７と光検出器２０の距離、２d はダブルスリット
の間隔をそれぞれ示す。Here, λ indicates the wavelength of the light source, L indicates the distance between the double slit 17 and the photodetector 20, and 2d indicates the interval between the double slits.
【００３０】又、光変調器１４への印加電圧Ｖに比例し
て干渉縞が移動する。このときの移動量Ｘは次の（３）
式で与えられる。Further, the interference fringes move in proportion to the voltage V applied to the optical modulator 14. The movement amount X at this time is given by the following (3)
Given by the formula.
【００３１】Ｘ＝Ａ／２・Ｖ／Ｖπ …（３）X = A / 2 · V / V π (3)
【００３２】従って、（２）式及び（３）式から、前記
解析装置２２で干渉縞の移動量Ｘを求めることにより、
被測定電気信号の電圧を知ることができる。Therefore, by calculating the moving amount X of the interference fringes by the analyzer 22 from the equations (2) and (3),
The voltage of the electric signal to be measured can be known.
【００３３】次に、図２に示される、高圧電圧測定用の
実施例について説明する。Next, an embodiment for measuring a high voltage shown in FIG. 2 will be described.
【００３４】この実施例の電圧検出装置２４は、光源と
してアルゴンレーザ２６、光変調器としてバルク結晶を
用いたポッケルスセル２８で、且つ、半波長電圧Ｖπ＝
２ＫＶ、ダブルスリット１７に取付けられる偏光子をフ
ィルム型偏光子３０Ａ、３０Ｂ、検光子としてフィルム
型検光子３２、光検出器として１次元ＣＣＤラインセン
サ３４を用いたものである。The voltage detector 24 of this embodiment is a Pockels cell 28 using an argon laser 26 as a light source, a bulk crystal as an optical modulator, and a half-wavelength voltage Vπ =
A 2 KV polarizer attached to the double slit 17 uses film polarizers 30A and 30B, a film analyzer 32 as an analyzer, and a one-dimensional CCD line sensor 34 as a photodetector.
【００３５】前記１次元ＣＣＤラインセンサ３４の出力
は、例えば図３に示されるようになる。The output of the one-dimensional CCD line sensor 34 is, for example, as shown in FIG.
【００３６】解析装置２２では、１次元ＣＣＤ３４の出
力のピーク位置を検出する。The analyzer 22 detects the peak position of the output of the one-dimensional CCD 34.
【００３７】図３の例では、４つのピーク位置が検出さ
れ、その間隔Ａが求められる。ここで、複数のピーク間
の距離Ａを求めることにより、解析精度を向上させるこ
とができる。In the example shown in FIG. 3, four peak positions are detected, and the interval A is obtained. Here, the analysis accuracy can be improved by obtaining the distance A between the plurality of peaks.
【００３８】前記ポッケルスセル２８に被測定電圧を印
加すると、図３の破線で示されるように干渉縞が移動す
る。When a voltage to be measured is applied to the Pockels cell 28, the interference fringes move as shown by the broken line in FIG.
【００３９】解析装置２２では、移動した干渉縞の各ピ
ークの移動量Ｘを求める。The analyzer 22 determines the amount of movement X of each peak of the moved interference fringes.
【００４０】この求めたＸ及び前記ピークの間隔Ａ、及
び前記（３）式から、印加された電圧はＶ＝２Ｖπ・Ｘ
／Ａにより求められ、これが表示装置２４に表示される
ことになる。From the obtained X and the interval A between the peaks and the equation (3), the applied voltage is V = 2Vπ · X
/ A, which is displayed on the display device 24.
【００４１】次に図４に示される本発明の第３実施例に
ついて説明する。Next, a third embodiment of the present invention shown in FIG. 4 will be described.
【００４２】この第３実施例は、小型の電圧検出装置３
６であり、光源として半導体レーザ（以下ＬＤ）３８、
光変調器としてＶπ＝１０Ｖの導波路型位相変調器４
０、光検出器として半導***置検出装置４２を用いたも
のである。In the third embodiment, a small voltage detecting device 3
6, a semiconductor laser (hereinafter referred to as LD) 38 as a light source,
Waveguide-type phase modulator 4 of Vπ = 10 V as an optical modulator
0, a semiconductor position detecting device 42 is used as a photodetector.
【００４３】前記導波路型位相変調器４０は、図５に示
されるように、基板としてのニオブ酸リチウム結晶４０
Ａ上にチタン拡散光導波路４０Ｂを形成し、更にその両
側に１対の電極４０Ｃ、４０Ｄを形成したものである。
この実施例における導波路型位相変調器４０は、電極４
０Ｃ、４０Ｄの間隔が１０μm と狭く、且つ素子長が１
０mmと長くして、半波長電圧をＶπ＝１０Ｖと小さくで
きるようにしている。As shown in FIG. 5, the waveguide type phase modulator 40 includes a lithium niobate crystal 40 as a substrate.
A titanium diffused optical waveguide 40B is formed on A, and a pair of electrodes 40C and 40D are formed on both sides thereof.
The waveguide type phase modulator 40 according to this embodiment includes the electrode 4
The distance between 0C and 40D is as narrow as 10 μm, and the element length is 1
The length is set to 0 mm so that the half-wave voltage can be reduced to Vπ = 10 V.
【００４４】ここで、前記ＬＤ３８からのレーザ光は、
付け合せ結合法により、チタン拡散光導波路４０Ｂに入
力するようにし、このときのＬＤ３８の偏光方向と、チ
タン拡散光導波路４０Ｂの結晶のＺ軸方向が４５°の角
度を成すようにする。Here, the laser beam from the LD 38 is
The light is input to the titanium diffused optical waveguide 40B by the bonding method so that the polarization direction of the LD 38 and the Z-axis direction of the crystal of the titanium diffused optical waveguide 40B at this time form an angle of 45 °.
【００４５】又、この実施例においては、チタン拡散光
導波路４０Ｂからの出力を点光源からの偏光した光と見
做すことができるので、前記各実施例におけるシングル
スリットが省略されている。In this embodiment, since the output from the titanium diffused optical waveguide 40B can be regarded as polarized light from a point light source, the single slit in each of the above embodiments is omitted.
【００４６】又、この実施例において、検光子は前記第
２実施例と同様にフィルム型検光子３２が用いられ、前
記半導***置検出装置４２の入力面に直接貼付けられて
いる。 この半導***置検出装置４２は、その入力面に
形成される干渉縞の１周期以内、即ち、干渉縞の１つの
ピークのみを検出できる配置であって、且つ、干渉縞の
重心位置、即ち、ピーク位置を出力するようにされてい
る。In this embodiment, a film-type analyzer 32 is used as in the second embodiment, and the analyzer is directly attached to the input surface of the semiconductor position detecting device 42. The semiconductor position detecting device 42 has an arrangement capable of detecting only one peak of the interference fringe, that is, one peak of the interference fringe formed on the input surface, and the center of gravity of the interference fringe, that is, the peak. The position is output.
【００４７】被測定電圧は、前記導波路型位相変調器４
０における一対の電極４０Ｃ、４０Ｄ間に印加される。
導波路型位相変調器４０の電極４０Ｃ、４０Ｄ間に電圧
が印加されると、チタン拡散光導波路４０Ｂに入射され
たレーザ光は、印加電圧に応じて位相変調を受ける。従
って、チタン拡散光導波路４０Ｂの他端部から出力した
レーザ光は、前述と同様に、印加電圧の変化に対応し
て、半導***置検出装置４２の入力面に形成される干渉
縞の移動を生じることになる。The voltage to be measured is the same as that of the waveguide type phase modulator 4.
0 is applied between the pair of electrodes 40C and 40D.
When a voltage is applied between the electrodes 40C and 40D of the waveguide type phase modulator 40, the laser light incident on the titanium diffusion optical waveguide 40B undergoes phase modulation according to the applied voltage. Therefore, the laser light output from the other end of the titanium diffused optical waveguide 40B causes the movement of the interference fringe formed on the input surface of the semiconductor position detecting device 42 in response to the change in the applied voltage, as described above. Will be.
【００４８】ここで、導波路型位相変調器４０に電圧を
印加しないときの、半導***置検出装置４２の出力が零
になるように調整しておくと、導波路型位相変調器４０
に電圧を印加したときの、半導***置検出装置４２の出
力は、そのまま印加電圧に比例することになる。Here, if the output of the semiconductor position detecting device 42 is adjusted to be zero when no voltage is applied to the waveguide type phase modulator 40, the waveguide type phase modulator 40
The output of the semiconductor position detecting device 42 when a voltage is applied to the device is directly proportional to the applied voltage.
【００４９】従って、解析装置２２は省略することがで
き半導***置検出装置４２の出力から、導波路型位相変
調器４０への印加電圧を直接、表示装置２４により表示
することができる。Accordingly, the analysis device 22 can be omitted, and the voltage applied to the waveguide-type phase modulator 40 can be directly displayed on the display device 24 from the output of the semiconductor position detection device 42.
【００５０】上記図４、図５の実施例では、半波長電圧
がＶπ＝１０Ｖと小さい光変調器を用いているが、この
電圧検出装置３６により、半波長電圧１０Ｖよりも大き
い電圧を、次のようにして測定することができる。In the embodiments shown in FIGS. 4 and 5, an optical modulator whose half-wavelength voltage is as small as Vπ = 10 V is used. Can be measured as follows.
【００５１】図６に示されるように、導波路型位相変調
器４０への印加電圧が増加すると、半導***置検出装置
４２の入力面に形成される干渉縞は、印加電圧の増加に
従って移動していく。このときの印加電圧の上限は何ら
制限されるものでなく、従って、干渉縞の移動量の最大
値も制限されない。As shown in FIG. 6, when the applied voltage to the waveguide type phase modulator 40 increases, the interference fringes formed on the input surface of the semiconductor position detecting device 42 move in accordance with the increase of the applied voltage. Go. The upper limit of the applied voltage at this time is not limited at all, and therefore, the maximum value of the movement amount of the interference fringes is not limited.
【００５２】図４の実施例では、解析装置２２を設け
て、干渉縞の１周期以上の動きをチェックすることによ
り、干渉縞の正確な移動量を求めることができる。In the embodiment shown in FIG. 4, the analysis device 22 is provided to check the movement of the interference fringes for one cycle or more, so that the exact amount of movement of the interference fringes can be obtained.
【００５３】なお、上記図１及び図２の実施例の場合
は、解析装置において干渉縞の動きを解析することによ
り、干渉縞の１周期以上の移動量を正しく求めることが
できる。In the embodiment shown in FIGS. 1 and 2, by analyzing the movement of the interference fringes in the analyzer, the movement amount of one or more periods of the interference fringes can be correctly obtained.
【００５４】上記各実施例において、光源装置又は光源
のスペクトル幅が広い場合は、光源の直後に干渉フィル
タのような波長選択素子を追加して、スペクトルを狭く
すればよい。この場合、干渉縞の可視度が向上して、Ｓ
／Ｎの良い出力が得られるようにするという利点があ
る。又、上記各実施例において、ダブルスリットに設け
られた２個の偏光子の偏光方向は、直交だけに限定され
ず、一致しなければ良い。In each of the above embodiments, when the spectrum width of the light source device or the light source is wide, a wavelength selection element such as an interference filter may be added immediately after the light source to narrow the spectrum. In this case, the visibility of the interference fringes is improved, and S
There is an advantage that a good output of / N can be obtained. In each of the above embodiments, the polarization directions of the two polarizers provided in the double slit are not limited to the orthogonal directions, and need not be the same.
【図１】図１は、本発明の第１実施例に係る電圧検出装
置の実施例を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a voltage detection device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】図２は、本発明の第２実施例に係る電圧検出装
置を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing a voltage detection device according to a second embodiment of the present invention.
【図３】図３は、図２の実施例において１次元ＣＣＤラ
インセンサ出力を示す線図である。FIG. 3 is a diagram showing a one-dimensional CCD line sensor output in the embodiment of FIG. 2;
【図４】図４は、本発明の第３実施例に係る電圧検出装
置を示すブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing a voltage detection device according to a third embodiment of the present invention.
【図５】図５は、図４の実施例における導波路型位相変
調器を拡大して示す斜視図である。FIG. 5 is an enlarged perspective view showing a waveguide type phase modulator in the embodiment of FIG. 4;
【図６】図６は、図４の実施例における印加電圧と半導
***置検出装置における出力との関係を示す線図であ
る。FIG. 6 is a diagram showing a relationship between an applied voltage and an output of a semiconductor position detecting device in the embodiment of FIG. 4;
【図７】図７は、従来の電圧検出装置を示すブロック図
である。FIG. 7 is a block diagram showing a conventional voltage detection device.
１０、２４、３６…電圧検出装置、 １２…光源装置、 １２Ａ…光源、 １２Ｂ…偏光子、 １４…光変調器、 １６…ヤングの干渉計、 １６Ａ…シングルスリット、 １７…ダブルスリット、 １７Ａ、１７Ｂ…偏光子、 １８…検光子、 ２０…光検出器、 ２２…解析装置、 ２４…表示装置、 ２６…アルゴンレーザ、 ２８…ポッケルスセル、 ３０Ａ、３０Ｂ…フィルム型偏光子、 ３２…フィルム型検光子、 ３４…１次元ＣＣＤラインセンサ、 ３８…半導体レーザ、 ４０…導波路型位相変調器、 ４２…半導***置検出装置。 10, 24, 36: voltage detection device, 12: light source device, 12A: light source, 12B: polarizer, 14: light modulator, 16: Young's interferometer, 16A: single slit, 17: double slit, 17A, 17B ... Polarizer, 18 ... Analyzer, 20 ... Photodetector, 22 ... Analyzer, 24 ... Display, 26 ... Argon laser, 28 ... Pockels cell, 30A, 30B ... Film polarizer, 32 ... Film analyzer , 34: one-dimensional CCD line sensor, 38: semiconductor laser, 40: waveguide type phase modulator, 42: semiconductor position detecting device.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01R 15/07 G01R 19/00 - 19/32──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) G01R 15/07 G01R 19/00-19/32
Claims (6)
被測定電気信号に応じて入力光を変調する光変調器と、
偏光子を備えたヤングの干渉計と、検光子と、前記ヤン
グの干渉計及び検光子を経て形成された干渉縞の移動量
を検出する光検出器と、を前記光源からこの順で配置し
てなる電圧検出装置。A light source for outputting polarized light; an optical modulator for modulating input light in accordance with an input electric signal to be measured;
A Young's interferometer with a polarizer, an analyzer, and a photodetector that detects the amount of movement of interference fringes formed through the Young's interferometer and the analyzer are arranged in this order from the light source. Voltage detection device.
は、シングルスリット及びこれと平行のダブルスリット
からなり、互いに直交する偏光方向の偏光子を前記ダブ
ルスリットの各々のスリットに備えたことを特徴とする
電圧検出装置。2. The method according to claim 1, wherein the Young's interferometer comprises a single slit and a double slit parallel to the single slit, and polarizers having polarization directions orthogonal to each other are provided in each of the double slits. Characteristic voltage detecting device.
光方向が前記ダブルスリットに設けられた２個の偏光子
の偏光方向に対してそれぞれ＋４５°、−４５°の角度
となるように配置されたことを特徴とする電圧検出装
置。3. The analyzer according to claim 2, wherein the polarization direction of the analyzer is + 45 ° and −45 ° with respect to the polarization directions of the two polarizers provided in the double slit. A voltage detection device, which is disposed.
は前記光源光の偏光方向に対して同一又は直交した偏光
方向とされたことを特徴とする電圧検出装置。4. The voltage detector according to claim 1, wherein the analyzer has a polarization direction which is the same as or orthogonal to the polarization direction of the light source light.
光検出器は、１次元光検出器及び２次元光検出器の一方
であることを特徴とする電圧検出装置。5. The voltage detecting device according to claim 1, wherein the photodetector is one of a one-dimensional photodetector and a two-dimensional photodetector.
光源は、無偏光の光源と偏光子から構成されることを特
徴とする電圧検出装置。6. The voltage detecting device according to claim 1, wherein the light source comprises a non-polarized light source and a polarizer.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3106843A JP2760668B2 (en) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | Voltage detector |
| EP92302557A EP0506357B1 (en) | 1991-03-26 | 1992-03-25 | Optical voltage detector |
| DE69206654T DE69206654T2 (en) | 1991-03-26 | 1992-03-25 | Optical voltage detector |
| US08/200,568 US5420686A (en) | 1991-03-26 | 1994-02-22 | Polarization interferometer optical voltage detector utilizing movement of interference fringe |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3106843A JP2760668B2 (en) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | Voltage detector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04315060A JPH04315060A (en) | 1992-11-06 |
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Family
ID=14443951
Family Applications (1)
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| JP3106843A Expired - Fee Related JP2760668B2 (en) | 1991-03-26 | 1991-04-11 | Voltage detector |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP2760668B2 (en) |
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-
1991
- 1991-04-11 JP JP3106843A patent/JP2760668B2/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH04315060A (en) | 1992-11-06 |
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