JP2758533B2 - Matrix wiring board - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】回路配線がマトリクス状に配置形
成されたマトリクス配線基板に関するもので、特にその
製造時における静電気対策を施したものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a matrix wiring board in which circuit wirings are arranged in a matrix , and particularly to a countermeasure against static electricity during the manufacturing thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ビジュアル機器等において、近年特にフ
ラットディスプレイの開発が注目されているが、中でも
液晶ディスプレイは多くの利点を有し、将来の主流表示
方式としてさらなる開発が急務とされている。中でも、
ａ−ＳｉＴＦＴ（アモルファスシリコン薄膜トランジス
タ）を使用したアクティブマトリクス方式の液晶ディス
プレイはその表示品位の高さから主流になると予想さ
れ、現在も比較的小型なものから実用化が進みつつあ
る。2. Description of the Related Art In visual equipment and the like, the development of flat displays has recently attracted attention. Among them, liquid crystal displays have many advantages, and further development is urgently required as a future mainstream display system. Among them,
Active matrix type liquid crystal displays using a-SiTFTs (amorphous silicon thin film transistors) are expected to become mainstream due to their high display quality, and are currently being commercialized from relatively small ones.
【０００３】ところで、アクティブマトリクス方式の液
晶ディスプレイは、絶縁体であるガラス基板上に、マト
リクス状に、画素電極と、各画素電極に設けられたゲー
ト配線とソース配線と、スイッチング素子として薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）とを有した回路配線を基板上に形
成してなるマトリクス配線基板をまず製造し、これを組
み立て、液晶を注入する等の工程、駆動回路の接続工程
を経て製造することができる。An active matrix type liquid crystal display is composed of a matrix of pixel electrodes, a gate line and a source line provided on each pixel electrode, and a thin film transistor (TFT) as a switching element on a glass substrate as an insulator. ), A matrix wiring board is first manufactured by forming circuit wiring having the above on a substrate, and the matrix wiring board is assembled, the liquid crystal is injected, and the like, and the driving circuit is connected.
【０００４】この際、マトリクス配線基板を製造するに
あたって、各電極相互間には静電気が発生し易いもので
あった。この静電気が発生すると、その放電によって例
えばＴＦＴの絶縁体や半導体が破壊され、またはその発
熱によって回路配線が損傷し、配線基板としての歩留り
を大幅に悪化させてしまうものであった。中でもａ−Ｓ
ｉＴＦＴは特に静電気に対して弱いとされているもので
ある。At this time, in manufacturing the matrix wiring substrate, static electricity is easily generated between the electrodes. When the static electricity is generated, the discharge destroys, for example, an insulator or a semiconductor of the TFT, or damages the circuit wiring due to the heat generated, thereby greatly deteriorating the yield as a wiring board. Above all, a-S
The iTFT is particularly vulnerable to static electricity.
【０００５】そこで、従来、図４に示すように、ガード
リング１２を形成することによって静電気対策を施す製
造方法が採られていた。図４に示すマトリクス配線基板
１０は、データ信号を流すための多数のソース配線１
８，１８，・・・と、走査信号を流すための多数のゲート
配線１６，１６，・・・とがマトリクス状に配置された回
路配線２７がガラス基板２４上に形成され、それらソー
ス配線１８とゲート配線１６との間に画素電極２２，２
２，・・・が形成され、各画素電極２２は、ソース配線１
８とゲート配線１６の交差部に形成されたスイッチング
素子（薄膜トランジスタ：ＴＦＴ）２０，２０，・・・を
介してソース配線１８とゲート配線１６とに接続されて
構成されている。そして、図４に示す符号１２が画素エ
リア１４外に形成されたガードリングであり、画素エリ
ア１４内の回路配線２７、即ちソース配線１８及びゲー
ト配線１６と接続されている。In view of the above, a conventional manufacturing method has been adopted in which a guard ring 12 is formed to take measures against static electricity as shown in FIG. The matrix wiring substrate 10 shown in FIG. 4 has a large number of source wirings 1 for flowing data signals.
, And a large number of gate wirings 16, 16,... For passing scanning signals are formed in a matrix on a glass substrate 24, and the source wirings 18 are formed. Between the pixel electrode 22 and the gate wiring 16
Are formed, and each pixel electrode 22 is connected to the source line 1.
Are connected to the source wiring 18 and the gate wiring 16 via switching elements (thin film transistors: TFTs) 20, 20,... Formed at the intersections of the gate wiring 8 and the gate wiring 16. Reference numeral 12 shown in FIG. 4 denotes a guard ring formed outside the pixel area 14, and is connected to the circuit wiring 27 in the pixel area 14, that is, the source wiring 18 and the gate wiring 16.
【０００６】このガードリング１２を形成したものであ
れば、静電気が発生したとしても、各ソース配線１８と
ゲート配線１６とはガードリング１２によって短絡して
いるために近接する電極間に電位差が生じることを防ぐ
ことができた。In the case where the guard ring 12 is formed, even if static electricity is generated, a potential difference is generated between adjacent electrodes because each of the source wiring 18 and the gate wiring 16 are short-circuited by the guard ring 12. Was able to prevent that.
【０００７】尚、マトリクス配線基板１０の製造後に
は、画素エリア１４の外周部をダイヤモンドカッタ等の
切削用具を用いてガラス基板２４ごと切り落とし、ガー
ドリング１２を切断除去した後に、この製造された配線
基板の組立工程、駆動回路の接続等の後工程に移る。After the manufacture of the matrix wiring substrate 10, the outer periphery of the pixel area 14 is cut off together with the glass substrate 24 using a cutting tool such as a diamond cutter, and the guard ring 12 is cut and removed. The process moves to a post-process such as a substrate assembling process and a connection of a driving circuit.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法によって静電気対策を施すものであっては、各ソース
配線１８とゲート配線１６とは同電位にはなるものの、
スイッチング素子２０がスイッチングオンになるかどう
かは不確実であった。従って、画素電極２２が帯電した
場合にはゲート配線１６と画素電極２２の間およびソー
ス配線１８と画素電極２２の間には電圧が生じ、ＴＦＴ
の劣化要因となるものであった。また、ＴＦＴがｎチャ
ンネルの場合、特に画素電極２２がソース配線１８及び
ゲート配線１６に対して正に帯電した場合には、ＴＦＴ
はスイッチングオフとなり、画素電極２２の電荷は保持
される（画素電極２２がソース配線１８及びゲート配線
１６に対して負に帯電した場合には、ＴＦＴがスイッチ
ングオンとなり、画素電極の電荷が逃げることもある
が）ために、画素電極２２の電位はＴＦＴが絶縁破壊さ
れるまで上昇し続け、ＴＦＴが劣化してしまう。However, in the case where the countermeasures against static electricity are taken by the above-mentioned method, although the source wiring 18 and the gate wiring 16 have the same potential,
It was uncertain whether switching element 20 would switch on. Accordingly, when the pixel electrode 22 is charged, a voltage is generated between the gate line 16 and the pixel electrode 22 and between the source line 18 and the pixel electrode 22, and a voltage is generated between the gate line 16 and the pixel electrode 22.
Was a cause of deterioration. Further, when the TFT has n channels, especially when the pixel electrode 22 is positively charged with respect to the source wiring 18 and the gate wiring 16,
Is turned off, and the electric charge of the pixel electrode 22 is held (when the pixel electrode 22 is negatively charged with respect to the source wiring 18 and the gate wiring 16, the TFT is turned on and the electric charge of the pixel electrode escapes. Therefore, the potential of the pixel electrode 22 continues to increase until the breakdown of the TFT occurs, and the TFT deteriorates.
【０００９】本発明は前記課題を解決するためになされ
たもので、マトリクス配線基板において、回路配線中の
画素電極の帯電に対しても十分に対応できる静電気対策
を施すことを目的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and has as its object to provide a matrix wiring substrate with a countermeasure against static electricity which can sufficiently cope with charging of pixel electrodes in circuit wiring. is there.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明のマトリクス配線
基板は、マトリクス状に配置されたソース配線およびゲ
ート配線と、ソース配線とゲート配線の交差部に形成さ
れたスイッチング素子とを有した回路配線が基板上に形
成されたマトリクス配線基板において、回路配線の外周
部に該回路配線と接続されるガードリングが形成され、
回路配線に電圧を印加する起電コントローラが前記ガー
ドリングに形成され、回路配線とガードリングの間に該
回路配線とガードリングの導通を制御する接断部が介在
しており、該接断部が、回路配線とガードリングの導通
／絶縁を切替える接断スイッチング素子と、該接断スイ
ッチング素子を制御する起電素子とから構成されている
ことを特徴とするものである。A matrix wiring board according to the present invention is a circuit wiring having a source wiring and a gate wiring arranged in a matrix and a switching element formed at an intersection of the source wiring and the gate wiring. In a matrix wiring substrate formed on a substrate, a guard ring connected to the circuit wiring is formed on an outer peripheral portion of the circuit wiring,
An electromotive controller for applying a voltage to the circuit wiring is formed in the guard ring, and the controller is provided between the circuit wiring and the guard ring.
Disconnecting part to control conduction between circuit wiring and guard ring is interposed
And the connection / disconnection portion is electrically connected to the circuit wiring and the guard ring.
Disconnection switching element for switching over / insulation and the disconnection switch
And an electromotive element for controlling the switching element .
【００１１】請求項２に記載のマトリクス配線基板は、
マトリクス状に配置されたソース配線およびゲート配線
と、ソース配線とゲート配線の交差部に形成されたスイ
ッチング素子とを有した回路配線が基板上に形成された
マトリクス配線基板において、回路配線の外周部に該回
路配線と接続されるガードリングが形成され、回路配線
に電圧を印加する起電コントローラが前記ガードリング
に形成され、回路配線とガードリングの間に該回路配線
とガードリングの導通を制御する接断部が介在してお
り、該接断部が、少なくとも、トランジスタと、抵抗値
が一定である固定抵抗部と、外場によって抵抗値が変化
する可変抵抗部とを有しており、前記固定抵抗部と前記
可変抵抗部が直列に接続された部分と前記トランジスタ
とが並列に 接続され、かつ前記固定抵抗部と前記可変抵
抗部との接続部と前記トランジスタのゲート電極部とが
接続されてなることを特徴とするものである。[0011] The matrix wiring substrate according to claim 2 is
In a matrix wiring substrate on which a circuit wiring having source wirings and gate wirings arranged in a matrix and switching elements formed at intersections of the source wirings and the gate wirings is formed on the substrate, an outer peripheral portion of the circuit wirings A guard ring connected to the circuit wiring is formed, and an electromotive controller for applying a voltage to the circuit wiring is formed on the guard ring, and controls conduction between the circuit wiring and the guard ring between the circuit wiring and the guard ring. Contact disconnection unit which is interposed
The disconnection portion is at least a transistor and a resistance value
The resistance value varies depending on the fixed resistance part and the external field
Having a variable resistance portion, the fixed resistance portion and the
A portion in which a variable resistance portion is connected in series and the transistor
Are connected in parallel , and the fixed resistor and the variable resistor are connected in parallel.
The connection portion with the counter portion and the gate electrode portion of the transistor are
It is characterized by being connected .
【００１２】請求項３に記載のマトリクス配線基板は、
請求項２記載のマトリクス配線基板において、前記可変
抵抗部が、光、温度、圧力、磁界によって抵抗値を変え
られるものであることを特徴とするものである。The matrix wiring substrate according to claim 3 is
3. The matrix wiring board according to claim 2, wherein the variable
Resistance part changes resistance value by light, temperature, pressure, magnetic field
It is characterized by being able to be done .
【００１３】尚、本発明では、各種スイッチング素子に
おいて、導通状態であるときのスイッチング素子をスイ
ッチングオン状態と称し、絶縁状態であるときのスイッ
チング素子をスイッチングオフ状態と称する。In the present invention, among various switching elements, a switching element in a conductive state is called a switching on state, and a switching element in an insulating state is called a switching off state.
【００１４】[0014]
【作用】本発明のマトリクス配線基板は、その基本構成
として回路配線の外周部にガードリングを形成し、か
つ、該ガードリングに起電力を有する起電コントローラ
を形成したものである。回路配線と導通するガードリン
グが形成されていることで、回路配線中で静電気が発生
したとしても、各配線がガードリングによって短絡して
いるので、電位差が生じず、静電気による放電を低減せ
しめることができる。 The basic structure of the matrix wiring substrate of the present invention is as follows.
A guard ring is formed on the outer periphery of the circuit wiring, and an electromotive controller having an electromotive force in the guard ring is formed. Even if static electricity is generated in the circuit wiring by forming a guard ring that conducts with the circuit wiring, each wiring is short-circuited by the guard ring, so there is no potential difference, and discharge due to static electricity is reduced. Can be.
【００１５】さらに、起電コントローラによって回路配
線に積極的に適度な電圧を印加することができるので、
回路配線中に形成されているスイッチング素子のスイッ
チングオン抵抗を小さくすることができ、確実に該スイ
ッチング素子をスイッチングオン状態とすることができ
る。よって画素電極の帯電を確実に防止することがで
き、スイッチング素子の劣化を防止することができる。Further, since an appropriate voltage can be positively applied to the circuit wiring by the electromotive controller,
The switching-on resistance of the switching element formed in the circuit wiring can be reduced, and the switching element can be reliably turned on. Therefore, charging of the pixel electrode can be reliably prevented, and deterioration of the switching element can be prevented.
【００１６】また、回路配線とガードリングの間にこれ
らの導通を制御する接断部を形成したことにより、回路
配線とガードリングの間の導通／絶縁を容易に切替える
ことができ、該接断部にて回路配線とガードリングを絶
縁することで回路配線にとってガードリングを取り除い
たのと同じ効果を得ることができ、しかも、回路配線と
ガードリングを絶縁状態とした後であっても再び導通状
態とすることもできるので、ガードリングを切断除去す
る必要が無くなる。Further, since a disconnection portion for controlling conduction between the circuit wiring and the guard ring is formed between the circuit wiring and the guard ring, conduction / insulation between the circuit wiring and the guard ring can be easily switched. Insulating the circuit wiring and the guard ring at the section can provide the same effect as removing the guard ring for the circuit wiring, and it conducts again even after the circuit wiring and the guard ring are insulated. Since the guard ring can be in a state, it is not necessary to cut and remove the guard ring.
【００１７】従って、ガードリングを切断除去すること
なく、回路配線の検査ならびに駆動回路の接続が可能と
なる。よって、ガードリングを配線基板から取り除いた
後に行なう回路配線の検査を、随時必要に応じて何度で
も行なうことができる。即ち、検査時には接断部にてガ
ードリングと回路配線とを絶縁して検査可能状態とし、
検査後にはガードリングと回路配線とを導通することが
できるからである。従って、検査後であっても静電気対
策の必要な時には常時ガードリングと回路配線を導通す
ることで静電気対策を施すことができる。Therefore, it is possible to inspect the circuit wiring and connect the driving circuit without cutting and removing the guard ring. Therefore, the inspection of the circuit wiring after the guard ring is removed from the wiring board can be performed as many times as necessary. That is, at the time of inspection, the guard ring and the circuit wiring are insulated at the connection / disconnection portion to make the inspection possible,
This is because the guard ring and the circuit wiring can be conducted after the inspection. Therefore, even if the countermeasure against the static electricity is required even after the inspection, the guard ring and the circuit wiring are always conducted, so that the countermeasure against the static electricity can be taken.
【００１８】[0018]
【実施例】以下に本発明を実施例をもって説明するが本
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
【００１９】〔基本構成例〕本発明のマトリクス配線基板の基本構成の一例 を図１を
参照して説明する。図１に示すマトリクス配線基板２６
において、画素エリア１４内の回路配線２７はアクティ
ブマトリクス方式の液晶表示パネル用に使用される公知
のもので、データ信号を流すための多数のソース配線１
８，１８，・・・と、走査信号を流すための多数のゲート
配線１６，１６，・・・とがマトリクス（行列）状態でガ
ラス基板２４上に形成されたもので、それら多数のソー
ス配線１８とゲート配線１６との間に画素電極２２，２
２，・・・が形成されている。各画素電極２２は、ソース
配線１８とゲート配線１６の交差部に形成されたスイッ
チング素子（薄膜トランジスタ：ＴＦＴ）２０，２０，
・・・を介してソース配線１８及びゲート配線１６に接続
されている。[ Basic Configuration Example ] An example of the basic configuration of the matrix wiring substrate of the present invention will be described with reference to FIG. Matrix wiring substrate 26 shown in FIG.
In FIG. 7, the circuit wiring 27 in the pixel area 14 is a known wiring used for an active matrix type liquid crystal display panel, and has a large number of source wirings 1 for flowing data signals.
, And a large number of gate wirings 16, 16,... For passing a scanning signal are formed on the glass substrate 24 in a matrix (matrix) state. Between the pixel electrode 18 and the gate wiring 16;
Are formed. Each pixel electrode 22 includes a switching element (thin film transistor: TFT) 20, 20, formed at an intersection of the source wiring 18 and the gate wiring 16.
Are connected to the source wiring 18 and the gate wiring 16 through.
【００２０】尚、アクティブマトリクス液晶ディスプレ
イの配線基板において、その配線構造、画素電極構造、
スイッチング素子の構造等はいずれも種々の構造が知ら
れているが、いずれの種類の構造であってもマトリクス
配線基板を使用しているものであれば本発明を適用する
ことができるので、本発明は、画素エリア１４内のアク
ティブマトリクス液晶ディスプレイの構造は特別には問
わないものである。In the wiring substrate of an active matrix liquid crystal display, its wiring structure, pixel electrode structure,
Various structures are known for the structure of the switching element and the like, but the present invention can be applied to any type of structure as long as a matrix wiring substrate is used. In the present invention, the structure of the active matrix liquid crystal display in the pixel area 14 is not particularly limited.
【００２１】そして、本基本構成例のマトリクス配線基
板２６においては、画素エリア１４の外周部に第１ガー
ドリング４０と第２ガードリング４１が形成されてい
る。第１ガードリング４０，第２ガードリング４１は導
電体からなり、これらガードリング４０，４１は画素エ
リア１４内の回路配線２７に、即ち、第１ガードリング
４０はソース配線１８に、第２ガードリング４１はゲー
ト配線１６に各々接続されている。In the matrix wiring substrate 26 of the basic configuration example, a first guard ring 40 and a second guard ring 41 are formed on the outer peripheral portion of the pixel area 14. The first guard ring 40 and the second guard ring 41 are made of a conductor. The guard rings 40 and 41 are provided on the circuit wiring 27 in the pixel area 14, that is, the first guard ring 40 is provided on the source wiring 18 and the second guard ring 40 is provided on the source wiring 18. The rings 41 are respectively connected to the gate lines 16.
【００２２】さらに、第１ガードリング４０と第２ガー
ドリング４１は起電コントローラ３８を介して接続され
ている。起電コントローラ３８は、スイッチング素子２
０をスイッチングオン状態にする電圧を発生させるもの
であればよく、例えば、光が照射されることによって起
電力が生じる太陽電池が適用できる。起電コントローラ
３８として適用する太陽電池は、ＴＦＴと同等なａ−Ｓ
ｉを使用し、ホモジャンクション（ｎ+-ａ-Ｓｉ／ｉ-ａ
-Ｓｉ、ｎ+-ａ-Ｓｉ／ｉ-ａ-Ｓｉ／Ｐ+-ａ-Ｓｉ等）、
ヘテロジャンクション、ショットキーバリアを形成する
コンタクト等で製造することができ、必要に応じて太陽
電池を直列に接続すれば十分な起電力を得ることができ
る。Further, the first guard ring 40 and the second guard ring 41 are connected via an electromotive controller 38. The electromotive controller 38 includes the switching element 2
Any device may be used as long as it generates a voltage that causes 0 to be in a switching-on state. For example, a solar cell that generates an electromotive force when irradiated with light can be used. The solar cell applied as the electromotive controller 38 has an a-S equivalent to a TFT.
i, the homojunction (n + -a-Si / ia)
-Si, n + -a-Si / ia-Si / P + -a-Si, etc.),
It can be manufactured with a contact forming a heterojunction, a Schottky barrier, or the like. If necessary, a sufficient electromotive force can be obtained by connecting solar cells in series.
【００２３】さらに、起電コントローラ３８には、太陽
電池の他にも例えば、コイルを用いて電磁誘導によって
起電力を生じるもの、ホール効果によって起電力を生じ
るもの、熱起電力を生じるもの等、各種外場によって起
電力を生じるものを適用できる。さらにまた、外場によ
るものでなくとも、起電コントローラ３８としては、ス
イッチング素子２０をスイッチングオン状態にするのに
必要な電圧（例えば、ｎチャンネルＴＦＴであっては、
通常２Ｖ以上）を数十分ないし数時間保持できる素子ま
たは回路であっても良い。例えば、スタティックＲＡＭ
等に用いられるラッチ回路を使用することもできる。さ
らにまた、起電コントローラ３８として、リークが少な
く容量の大きいコンデンサを適用することもできる。ま
た、コンデンサとしては、増幅器と組み合わせ、ミラー
効果を利用して見かけ上の容量を大きくしたものであっ
ても良い。この場合、増幅器の増幅度倍だけ容量が大き
くなる。In addition to the solar cell, the electromotive controller 38 may be, for example, one that generates an electromotive force by electromagnetic induction using a coil, one that generates an electromotive force by the Hall effect, one that generates a thermoelectromotive force, or the like. Those that generate an electromotive force by various external fields can be applied. Furthermore, even if it is not due to an external field, the electromotive controller 38 may use a voltage (for example, in the case of an n-channel TFT,
An element or a circuit that can hold (normally 2 V or more) for several tens minutes to several hours may be used. For example, static RAM
For example, a latch circuit used for such a method can be used. Furthermore, as the electromotive force controller 38, a capacitor having a small leak and a large capacity can be applied. Further, the capacitor may be a capacitor whose apparent capacitance is increased by utilizing the Miller effect in combination with an amplifier. In this case, the capacity is increased by the amplification factor of the amplifier.
【００２４】このマトリクス配線基板２６の回路配線２
７およびガードリング４０，４１は、ガラス基板２４上
に、導電体であるＴａ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ等をスパッタ
法やエレクトロンビーム法で形成し、ホトリソグラフィ
法で所望のパターンに形成することで製造され得る。The circuit wiring 2 of the matrix wiring board 26
The guard rings 7 and the guard rings 40 and 41 are formed by forming a conductor such as Ta, Mo, Al, or Cu on the glass substrate 24 by a sputtering method or an electron beam method, and by forming a desired pattern by a photolithography method. Can be manufactured.
【００２５】本基本構成例のマトリクス配線基板２６に
おいては、回路配線２７とガードリング４０，４１とが
導通されているので、ソース配線１８とゲート配線１６
とが短絡し、それらの間に静電気による電位差が生じる
ことがなくなり、同電位となる。よって、放電が起こら
ず、画素用ＴＦＴの絶縁体や半導体が破壊されたり、放
電による発熱によって回路配線２７の損傷が生じること
もなく、配線基板としての歩留りが大幅に向上する。In the matrix wiring board 26 of this basic configuration example , since the circuit wiring 27 and the guard rings 40 and 41 are electrically connected, the source wiring 18 and the gate wiring 16
Are short-circuited, and a potential difference due to static electricity does not occur between them, so that they become the same potential. Therefore, no discharge occurs, the insulator or semiconductor of the pixel TFT is not destroyed, and the circuit wiring 27 is not damaged by heat generated by the discharge, and the yield as a wiring substrate is greatly improved.
【００２６】特に、静電気対策が要求されている時に
は、起電コントローラ３８で起電力を生じさせ（例え
ば、起電コントローラ３８として太陽電池を適用してい
るならば、該太陽電池に光を照射し起電力を生じさせ
る。）、起電コントローラ３８からソース配線１８及び
ゲート配線１６に電圧が印加されることで、スイッチン
グ素子２０がスイッチングオン状態となる。従って、静
電気が発生したとしても、画素電極が帯電することがな
く、静電気の発生によるスイッチング素子２０の劣化が
生じることがない。特に起電コントローラ３８を形成し
た本基本構成例のマトリクス配線基板２６においては、
積極的にスイッチング素子２０に電圧を印加しているの
で、スイッチング素子２０のＴＦＴのスイッチングオン
抵抗を小さくすることができ、確実にスイッチング素子
２０をスイッチングオン状態とすることができる。In particular, when a countermeasure against static electricity is required, an electromotive force is generated in the electromotive controller 38 (for example, when a solar cell is applied as the electromotive controller 38, the solar cell is irradiated with light. An electromotive force is generated.), And a voltage is applied from the electromotive controller 38 to the source wiring 18 and the gate wiring 16, so that the switching element 20 is turned on. Therefore, even if static electricity is generated, the pixel electrode is not charged, and the switching element 20 is not deteriorated due to the generation of static electricity. In particular, in the matrix wiring board 26 of the basic configuration example in which the electromotive controller 38 is formed,
Since the voltage is positively applied to the switching element 20, the switching-on resistance of the TFT of the switching element 20 can be reduced, and the switching element 20 can be reliably turned on.
【００２７】尚、静電気対策が必要とされていない時に
は、起電コントローラ３８での起電力を小さくし、ソー
ス配線１８とゲート配線１６の間の電圧、即ち、スイッ
チング素子２０のＴＦＴのゲート／ソース間電圧を小さ
くし、該ＴＦＴのしきい値電圧のシフトを最小限に抑え
ることが可能である。When no countermeasures against static electricity are required, the electromotive force of the electromotive controller 38 is reduced, and the voltage between the source wiring 18 and the gate wiring 16, that is, the gate / source of the TFT of the switching element 20. It is possible to reduce the inter-voltage and minimize the shift of the threshold voltage of the TFT.
【００２８】尚、本基本構成例ではＴＦＴを用いたアク
ティブマトリクス方式の液晶ディスプレイを例示した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、ＭＩＭを
用いたアクティブマトリクス方式の液晶ディスプレイ、
単純マトリクス方式の液晶ディスプレイ、各種フラット
ディスプレイ（ＥＬ等）等や、各種センサアレイ（イメ
ージセンサアレイ、圧力センサアレイ等）等の各種マト
リクス配線基板に適用できることは勿論である。In this basic configuration example , an active matrix type liquid crystal display using TFTs is exemplified. However, the present invention is not limited to this, and an active matrix type liquid crystal display using MIMs,
Of course, it can be applied to various matrix wiring substrates such as a simple matrix type liquid crystal display, various flat displays (EL and the like), various sensor arrays (image sensor array, pressure sensor array and the like).
【００２９】〔実施例１〕実施例１ のマトリクス配線基板を図２を参照して説明す
る。図２に示すマトリクス配線基板３６が基本構成例の
マトリクス配線基板２６と異なる点は、回路配線２７と
ガードリング４０，４１との間に接断部３２，３２を形
成したことにある。接断部３２は接断スイッチング素子
３０と起電素子２８とから構成されている。接断スイッ
チング素子３０は、回路配線２７とガードリング４０，
４１の間の導通と絶縁を切替える機能を有するものであ
れば良く、図２に示すマトリクス配線基板３６において
は、接断スイッチング素子３０は薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）で構成されている。[0029] The matrix wiring substrate of Example 1 Example 1 will be described with reference to FIG. The matrix wiring substrate 36 shown in FIG. 2 differs from the matrix wiring substrate 26 of the basic configuration example in that the disconnection portions 32, 32 are formed between the circuit wiring 27 and the guard rings 40, 41. The disconnection section 32 includes a disconnection switching element 30 and an electromotive element 28. The disconnection switching element 30 includes a circuit wiring 27 and a guard ring 40,
Any function may be used as long as it has a function of switching between conduction and insulation between the switching elements 41. In the matrix wiring board 36 shown in FIG.
FT).
【００３０】起電素子２８は接断スイッチング素子３０
の導通／絶縁の切替を制御するもので、図２に示すマト
リクス配線基板３６においては、太陽電池が適用されて
いる。従って、太陽電池である起電素子２８に光を照射
することで起電素子２８に起電力が生じ、接断スイッチ
ング素子３０がスイッチングオン状態となり、回路配線
２７とガードリング４０，４１とが導通状態となる。ま
た、起電素子２８への光の照射を停止すると、接断スイ
ッチング素子３０がスイッチングオフ状態となり、回路
配線２７とガードリング４０，４１との間は絶縁され
る。起電素子２８に適用する太陽電池は、ＴＦＴと同等
なａ−Ｓｉを使用し、ホモジャンクション（ｎ+-ａ-Ｓ
ｉ／ｉ-ａ-Ｓｉ、ｎ+-ａ-Ｓｉ／ｉ-ａ-Ｓｉ／Ｐ+-ａ-Ｓ
ｉ等）、ヘテロジャンクション、ショットキーバリアを
形成するコンタクト等で製造することができ、必要に応
じて太陽電池を直列に接続すれば十分な起電力を得るこ
とができる。The electromotive element 28 is a disconnection switching element 30
In the matrix wiring board 36 shown in FIG. 2, a solar cell is applied. Therefore, by irradiating light to the photovoltaic element 28, which is a solar cell, an electromotive force is generated in the photovoltaic element 28, the disconnection switching element 30 is switched on, and the circuit wiring 27 and the guard rings 40 and 41 conduct. State. When the irradiation of light to the electromotive element 28 is stopped, the disconnection switching element 30 is switched off, and the circuit wiring 27 and the guard rings 40 and 41 are insulated. The solar cell applied to the electromotive element 28 uses a-Si equivalent to a TFT and uses a homojunction (n + -a-S
i / ia-Si, n + -a-Si / ia-Si / P + -a-S
i), a heterojunction, a contact forming a Schottky barrier, etc., and a sufficient electromotive force can be obtained by connecting solar cells in series as needed.
【００３１】起電素子２８は接断スイッチング素子３０
を制御するものであれば良く、太陽電池の他にも例え
ば、コイルを用いて電磁誘導による起電力を生じさせて
接断スイッチング素子３０を制御するもの、ホール効果
によって起電力を生じさせて接断スイッチング素子３０
を制御するもの、熱起電力を利用して接断スイッチング
素子３０を制御するもの等、外場によって起電力を生じ
接断スイッチング素子３０を制御できるものであればど
のようなものであっても構わない。さらに、起電素子２
８としては、接断スイッチング素子３０のスイッチング
状態（オン又はオフ）を切替えるのに必要な電圧（例え
ば、Ｖon≧２Ｖ、Ｖoff≦１Ｖ）を任意に設定でき、そ
の電圧を数十分ないし数時間保持できる素子または回路
であっても良い。例えば、スタティックＲＡＭ等に用い
られるラッチ回路を使用することもできる。さらにま
た、起電素子２８としてリークが少なく容量の大きいコ
ンデンサを適用することもできる。この場合、回路配線
２７とガードリング４０，４１とを絶縁させておく時に
は、コンデンサは完全に放電させておけば良く、接断ス
イッチング素子３０をスイッチングオン状態として回路
配線２７とガードリング４０，４１とを導通させる時に
はコンデンサを蓄電状態にさせれば良い。また、コンデ
ンサとしては、増幅器と組み合わせ、ミラー効果を利用
して見かけ上の容量を大きくしたものであっても良い。
この場合、増幅器の増幅度倍だけ容量が大きくなる。The electromotive element 28 is a disconnection switching element 30
Other than the solar cell, for example, a device that controls the disconnection switching element 30 by generating an electromotive force by electromagnetic induction using a coil, or a device that generates an electromotive force by the Hall effect Disconnection switching element 30
, Or any one that can control the disconnection switching element 30 by generating an electromotive force by an external field, such as one that controls the disconnection switching element 30 using thermal electromotive force. I do not care. Further, the electromotive element 2
As 8, a voltage (for example, V on ≧ 2 V, V off ≦ 1 V) required to switch the switching state (on or off) of the disconnection switching element 30 can be arbitrarily set. An element or circuit that can hold for several hours may be used. For example, a latch circuit used for a static RAM or the like can be used. Furthermore, a capacitor having a small leak and a large capacity can be used as the electromotive element 28. In this case, when the circuit wiring 27 is insulated from the guard rings 40, 41, the capacitor may be completely discharged, and the disconnection switching element 30 is switched on to set the circuit wiring 27 and the guard rings 40, 41. When the capacitor is made conductive, the capacitor may be charged. Further, the capacitor may be a capacitor whose apparent capacitance is increased by utilizing the Miller effect in combination with an amplifier.
In this case, the capacity is increased by the amplification factor of the amplifier.
【００３２】このマトリクス配線基板３６の回路配線２
７およびガードリング４０，４１は、ガラス基板２４上
に、導電体であるＴａ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ等をスパッタ
法やエレクトロンビーム法で形成し、ホトリソグラフィ
法で所望のパターンに形成することで製造され得る。The circuit wiring 2 of the matrix wiring board 36
The guard rings 7 and the guard rings 40 and 41 are formed by forming a conductor such as Ta, Mo, Al, or Cu on the glass substrate 24 by a sputtering method or an electron beam method, and by forming a desired pattern by a photolithography method. Can be manufactured.
【００３３】本実施例のマトリクス配線基板３６におい
ては、製造時（回路配線２７に駆動回路を接続する迄）
には、起電素子２８に外場を作用させて起電素子２８で
起電力を生じさせ、即ち、起電素子２８として太陽電池
を適用しているならば、該太陽電池に光を照射し起電力
を生じさせて、接断スイッチング素子３０をスイッチン
グオン状態として回路配線２７とガードリング４０，４
１とを導通させておく。回路配線２７とガードリング４
０，４１とを導通させておくことで、ソース配線１８と
ゲート配線１６とが短絡しているので、それらの間に静
電気による電位差が生じることがなくなり、同電位とな
る。よって、放電が起こらず、画素用ＴＦＴの絶縁体や
半導体が破壊されたり、放電による発熱によって回路配
線２７の損傷を低減せしめることができ、配線基板とし
ての歩留りが大幅に向上する。In the matrix wiring board 36 of the present embodiment, during manufacture (until a drive circuit is connected to the circuit wiring 27)
To generate an electromotive force in the electromotive element 28 by applying an external field to the electromotive element 28, that is, if a solar cell is applied as the electromotive element 28, the solar cell is irradiated with light. An electromotive force is generated so that the disconnection switching element 30 is switched on and the circuit wiring 27 and the guard rings 40 and 4 are turned on.
1 is made conductive. Circuit wiring 27 and guard ring 4
By keeping 0 and 41 conductive, the source wiring 18 and the gate wiring 16 are short-circuited, so that a potential difference due to static electricity does not occur between them, and the potentials are the same. Therefore, no discharge occurs, the insulator or the semiconductor of the pixel TFT is destroyed, and the damage of the circuit wiring 27 due to the heat generated by the discharge can be reduced, and the yield as a wiring substrate is greatly improved.
【００３４】さらに、この回路配線２７とガードリング
４０，４１が導通している時に、起電コントローラ３８
で起電力を生じさせ（例えば、起電コントローラ３８と
して太陽電池を適用しているならば、該太陽電池に光を
照射し起電力を生じさせる。）、起電コントローラ３８
からソース配線１８及びゲート配線１６に電圧が印加さ
れることで、スイッチング素子２０がスイッチングオン
状態となる。従って、静電気が発生したとしても、画素
電極が帯電することがなく、静電気の発生によるスイッ
チング素子２０の劣化が生じることがない。特に、起電
コントローラ３８を形成した本実施例のマトリクス配線
基板３６においては、積極的にスイッチング素子２０に
電圧を印加しているので、確実にスイッチング素子２０
をスイッチングオン状態とすることができる。Further, when the circuit wiring 27 and the guard rings 40 and 41 are conductive, the electromotive controller 38
(For example, if a solar cell is applied as the electromotive controller 38, the solar cell is irradiated with light to generate an electromotive force).
When a voltage is applied to the source wiring 18 and the gate wiring 16 from above, the switching element 20 is turned on. Therefore, even if static electricity is generated, the pixel electrode is not charged, and the switching element 20 is not deteriorated due to the generation of static electricity. In particular, in the matrix wiring board 36 of the present embodiment in which the electromotive controller 38 is formed, since the voltage is positively applied to the switching element 20, the switching element 20
Can be switched on.
【００３５】また、駆動回路を接続し、静電気対策を施
す必要が無くなった際には、起電素子２８としての太陽
電池を遮光し（太陽電池に何等かのカバーを被せたり、
テープを貼り付ける等）、起電力を発生させないように
して起電力を接断スイッチング素子３０のＴＦＴのしき
い値以下にすることで、接断スイッチング素子３０をス
イッチングオフ状態とし、回路配線２７とガードリング
４０，４１とを絶縁させれば良い。回路配線２７とガー
ドリング４０，４１とが絶縁されることで、回路配線２
７は駆動回路によってのみに駆動されるようになる。When it is no longer necessary to connect a drive circuit and take countermeasures against static electricity, the solar cell as the electromotive element 28 is shielded from light.
In such a case, the electromotive force is set to be equal to or less than the threshold value of the TFT of the disconnection switching element 30 so that the electromotive force is not generated. The guard rings 40 and 41 may be insulated. Since the circuit wiring 27 and the guard rings 40 and 41 are insulated, the circuit wiring 2
7 is driven only by the drive circuit.
【００３６】従って、実施例１のマトリクス配線基板３
６においては、ガードリング４０，４１を回線配線から
切断除去する必要がない。よって、回路配線２７の製造
時から駆動回路を接続するまでガードリング４０，４１
を接続したままにすることができ、静電気対策の必要な
駆動回路の接続時まで静電気対策を維持保障することが
できる。さらに、ガードリング４０，４１を切断除去し
ないことから、従来では切断時に基板と切削用具の間で
多発していた静電気による損傷を本実施例では受けるこ
とがない。従って、歩留りが従来に比して大幅に向上す
る。Therefore, the matrix wiring substrate 3 of the first embodiment
In 6, it is not necessary to cut and remove the guard rings 40 and 41 from the line wiring. Therefore, the guard rings 40 and 41 are provided from the time of manufacturing the circuit wiring 27 to the time when the drive circuit is connected.
Can be kept connected, and the static electricity countermeasures can be maintained and guaranteed until the connection of the drive circuit requiring the static electricity countermeasures. Further, since the guard rings 40 and 41 are not cut and removed, the present embodiment does not suffer damage caused by static electricity which has conventionally occurred frequently between the substrate and the cutting tool during cutting. Therefore, the yield is greatly improved as compared with the conventional case.
【００３７】また、ガードリング４０，４１と回路配線
２７との導通／絶縁を任意に繰返すことが可能であるの
で、回路配線２７とガードリング４０，４１とを絶縁
し、回路配線２７のショートチェック等の検査を行なっ
た後に、再び回路配線２７とガードリングとを導通させ
ることができる。従って、回路配線２７の検査をいつで
も行なうことができ、早期における回路配線２７の検査
が可能となる。従って、回路配線２７の不良を早期に発
見することができるので、製造損失を格段に抑えること
が可能となる。Further, since the conduction / insulation between the guard rings 40 and 41 and the circuit wiring 27 can be arbitrarily repeated, the circuit wiring 27 and the guard rings 40 and 41 are insulated, and the short circuit check of the circuit wiring 27 is performed. After such inspections, the circuit wiring 27 and the guard ring can be made conductive again. Therefore, the inspection of the circuit wiring 27 can be performed at any time, and the inspection of the circuit wiring 27 can be performed at an early stage. Therefore, a defect in the circuit wiring 27 can be found at an early stage, so that manufacturing loss can be remarkably suppressed.
【００３８】尚、複数の薄膜トランジスタからなる接断
スイッチング素子３０，３０，・・・のゲート電極を直列
にまとめて接続し、該直結したゲート電極とガードリン
グ４０の間に１つの起電素子を形成することもできる。
起電素子を１つにすることで、起電素子に外場を作用さ
せることの容易性および確実性が向上する。The gate electrodes of the disconnection switching elements 30, 30,... Composed of a plurality of thin film transistors are connected together in series, and one electromotive element is provided between the directly connected gate electrode and the guard ring 40. It can also be formed.
By using one electromotive element, the easiness and certainty of applying an external field to the electromotive element are improved.
【００３９】尚、起電素子２８の起電力を低下させ回路
配線２７とガードリング４０，４１とを絶縁し、回路配
線２７の検査時または駆動時に、ソース配線１８及びゲ
ート配線１６に印加される電圧の範囲に基づき外部から
第１ガードリング４０及び第２ガードリング４１に電圧
を印加することで、ＴＦＴ３０の絶縁性を確実に向上さ
せることができる。即ち、接断スイッチング素子３０の
ＴＦＴがｎチャンネルの場合、太陽電池２８を遮光する
ことに加えて、回路配線２７に印加される電圧の最も負
の電圧よりも負の値の電圧をガードリング４０，４１に
印加することで確実にＴＦＴ３０において回路配線２７
とガードリング４０，４１は絶縁される。この際、さら
に、ＴＦＴ３０のゲート電極にも電圧を印加すると絶縁
性はより高まる。The electromotive force of the electromotive element 28 is reduced to insulate the circuit wiring 27 from the guard rings 40 and 41, and is applied to the source wiring 18 and the gate wiring 16 when the circuit wiring 27 is inspected or driven. By applying a voltage to the first guard ring 40 and the second guard ring 41 from the outside based on the voltage range, the insulation of the TFT 30 can be reliably improved. That is, when the TFT of the disconnection switching element 30 is an n-channel TFT, in addition to shielding the solar cell 28 from light, the guard ring 40 applies a voltage that is more negative than the most negative voltage applied to the circuit wiring 27. , 41 to ensure the circuit wiring 27 in the TFT 30.
And the guard rings 40 and 41 are insulated. At this time, if a voltage is further applied to the gate electrode of the TFT 30, the insulating property is further improved.
【００４０】〔実施例２〕 上記実施例１で示したマトリクス配線基板において、接
断部３２として可変抵抗素子を適用することができる。
可変抵抗素子としては外場によってその電気抵抗値の変
化するものであれば良く、例えば光によって抵抗値の変
化する光導電素子、温度によって抵抗値が変化するサー
ミスタ、圧力によって抵抗値が変化するピエゾ抵抗素子
または歪ゲージ、磁場によって抵抗値が変化するホール
素子等が適用できる。 Second Embodiment In the matrix wiring board shown in the first embodiment , a variable resistance element can be used as the disconnection portion 32.
Any variable resistance element may be used as long as its electric resistance changes according to an external field, such as a photoconductive element whose resistance changes with light, a thermistor whose resistance changes with temperature, and a piezo whose resistance changes with pressure. A resistance element or a strain gauge, a Hall element whose resistance value changes according to a magnetic field, or the like can be used.
【００４１】可変抵抗素子の抵抗値の可変範囲として、
上限（高抵抗側）がＲv≧１０5Ωであれば一般の表示の
際には問題はない。但し、駆動回路の能力いかんによっ
ては、これよりも小さい値であっても良好な場合があ
る。下限（低抵抗値側）はＲv≦１０3Ωであれば良く、
できるだけ低い値である方が除電速度が大きくなり好ま
しい。As the variable range of the resistance value of the variable resistance element,
If the upper limit (high resistance side) is Rv ≧ 10 5 Ω, there is no problem in general display. However, depending on the capability of the drive circuit, a value smaller than this may be good. The lower limit (low resistance side) should be Rv ≦ 10 3 Ω,
It is preferable that the value be as low as possible because the rate of static elimination increases.
【００４２】この実施例２のマトリクス配線基板におい
て、回路配線２７とガードリング４０，４１とを導通さ
せるには、接断部３２としての可変抵抗素子の抵抗を小
さくすればよい。即ち、接断部３２の可変抵抗素子とし
て光導電素子を適用しているならば、該光導電素子に光
を照射し、その抵抗値を小さくして回路配線２７とガー
ドリング４０，４１とを導通させておく。回路配線２７
とガードリング４０，４１とを導通させておくことで、
ソース配線１８とゲート配線１６とが短絡しているの
で、それらの間に静電気による電位差が生じることがな
くなる。よって、放電が起こらず、画素用ＴＦＴの絶縁
体や半導体が破壊されたり、放電による発熱によって回
路配線２７が損傷することを低減せしめることができ、
配線基板としての歩留りが大幅に向上する。In the matrix wiring board according to the second embodiment, in order to make the circuit wiring 27 and the guard rings 40 and 41 conductive, the resistance of the variable resistance element as the connection / disconnection portion 32 may be reduced. That is, if a photoconductive element is applied as the variable resistance element of the disconnection portion 32, the photoconductive element is irradiated with light, the resistance value is reduced, and the circuit wiring 27 and the guard rings 40 and 41 are connected. Keep it conductive. Circuit wiring 27
By keeping the guard rings 40 and 41 conductive,
Since the source wiring 18 and the gate wiring 16 are short-circuited, a potential difference due to static electricity does not occur between them. Therefore, it is possible to reduce the possibility that the discharge does not occur, the insulator or the semiconductor of the pixel TFT is broken, and the circuit wiring 27 is damaged by the heat generated by the discharge.
The yield as a wiring board is greatly improved.
【００４３】さらに、この回路配線２７とガードリング
４０，４１とが導通している時に、起電コントローラで
起電力を生じさせ（例えば、起電コントローラとして太
陽電池を適用しているならば、該太陽電池に光を照射し
起電力を生じさせる。）、起電コントローラからソース
配線及びゲート配線に電圧が印加されることで、スイッ
チング素子２０がスイッチングオン状態となる。従っ
て、静電気が発生したとしても、画素電極が帯電するこ
とがなく、静電気の発生によるスイッチング素子２０の
劣化が生じることがない。特に、起電コントローラを形
成した本実施例のマトリクス配線基板においては、積極
的にスイッチング素子２０に電圧を印加しているので、
確実にスイッチング素子２０をスイッチングオン状態と
することができる。Further, when the circuit wiring 27 and the guard rings 40 and 41 are conducting, an electromotive force is generated by the electromotive controller (for example, if a solar cell is applied as the electromotive controller, The solar cell is irradiated with light to generate an electromotive force.), And a voltage is applied to the source wiring and the gate wiring from the electromotive controller, so that the switching element 20 is switched on. Therefore, even if static electricity is generated, the pixel electrode is not charged, and the switching element 20 is not deteriorated due to the generation of static electricity. In particular, in the matrix wiring board according to the present embodiment in which the electromotive controller is formed, the voltage is positively applied to the switching element 20.
The switching element 20 can be reliably turned on.
【００４４】また、駆動回路を接続し、静電気対策を施
す必要が無くなった際には、接断部としての光導電素子
を遮光し（光導電素子に何等かのカバーを被せたり、テ
ープを貼り付ける等）、抵抗値を増加させて回路配線２
７とガードリング４０，４１とを絶縁させれば良い。回
路配線２７とガードリング４０，４１とが絶縁されるこ
とで、回路配線２７は駆動回路によってのみに駆動され
るようになる。従って、このマトリクス配線基板におい
ても、ガードリング４０，４１を回線配線から切断除去
する必要がない。よって、回路配線２７の製造時から駆
動回路を接続するまでガードリング４０，４１を接続し
たままにすることができ、静電気対策の必要な駆動回路
の接続時まで静電気対策を維持保障することができる。
従って、歩留りが従来に比して大幅に向上する。When it is no longer necessary to connect the drive circuit and take measures against static electricity, light-shield the photoconductive element as the disconnecting portion (cover the photoconductive element with some kind of cover, or attach tape to it). Circuit wiring 2 by increasing the resistance value.
7 and the guard rings 40, 41 may be insulated. Since the circuit wiring 27 is insulated from the guard rings 40 and 41, the circuit wiring 27 is driven only by the driving circuit. Therefore, also in this matrix wiring substrate, there is no need to cut and remove the guard rings 40 and 41 from the line wiring. Therefore, the guard rings 40 and 41 can be kept connected from the time of manufacturing the circuit wiring 27 to the time when the driving circuit is connected, and the measures against static electricity can be maintained and secured until the driving circuit requiring the measures against static electricity is connected. .
Therefore, the yield is greatly improved as compared with the conventional case.
【００４５】また、ガードリング４０，４１と回路配線
２７との導通／絶縁を任意に繰返すことが可能であるの
で、回路配線２７とガードリング４０，４１とを絶縁
し、回路配線２７の検査を行なった後に、再び可変抵抗
素子に外場を作用させて可変抵抗素子の抵抗値を低減
し、回路配線２７とガードリングとを導通させることが
できる。従って、回路配線２７の検査をいつでも行なう
ことができ、早期における回路配線２７の検査が可能と
なる。従って、回路配線２７の不良を早期に発見するこ
とができるので、製造損失を格段に抑えることが可能と
なる。Since the conduction / insulation between the guard rings 40 and 41 and the circuit wiring 27 can be arbitrarily repeated, the circuit wiring 27 is insulated from the guard rings 40 and 41 and the inspection of the circuit wiring 27 is performed. After this operation, an external field is applied to the variable resistance element again to reduce the resistance value of the variable resistance element, so that the circuit wiring 27 and the guard ring can be conducted. Therefore, the inspection of the circuit wiring 27 can be performed at any time, and the inspection of the circuit wiring 27 can be performed at an early stage. Therefore, a defect in the circuit wiring 27 can be found at an early stage, so that manufacturing loss can be remarkably suppressed.
【００４６】〔実施例３〕実施例２ のマトリクス配線基板において、可変抵抗素子
の代りに図３に示すような可変抵抗回路４２を適用する
ことができる。[ Third Embodiment ] In the matrix wiring board of the second embodiment, a variable resistance circuit 42 as shown in FIG. 3 can be applied instead of the variable resistance element.
【００４７】図３において、 Ｒo：抵抗４４の一定の抵抗値 Ｒv：外場によりＲL〜ＲH（Ｒo≒ＲL、Ｒo<<RH）まで変
化する可変抵抗素子（この可変抵抗素子には実施例３で
適用する各種可変抵抗素子を適用できる）４６の抵抗値 Ｔr：トランジスタ（但し、Ｒon＜＜Ｒo、Ｒoff≧ＲH＞
＞Ｒo、ここで、Ｒonはトランジスタのスイッチングオ
ン状態での抵抗値であり、Ｒoffはトランジスタのスイ
ッチングオフ状態での抵抗値である。） ＶR：ガードリングの電位 Ｖx：ＲoとＲvの接点の電位であり且つトランジスタＴr
の電位 Ｖs：回路配線の電位In FIG. 3, Ro: a constant resistance value of the resistor 44 Rv: a variable resistance element which changes from RL to RH (Ro ≒ RL, Ro << RH) by an external field (this variable resistance element is a third embodiment). The resistance value of 46 can be applied to various variable resistance elements Tr: Transistor (however, R on << Ro, R off ≧ RH>
> Ro, where R on is the resistance of the transistor in the switching on state, and R off is the resistance of the transistor in the switching off state. VR: potential of the guard ring Vx: potential of the contact point between Ro and Rv and the transistor Tr
Potential Vs: circuit wiring potential
【００４８】実施例３のマトリクス配線基板において、
静電気対策を施す時、即ち回路配線２７とガードリング
４０，４１を導通するには、可変抵抗回路４２全体とし
ての抵抗値を下げてＶsとＶRの差を小さくすればよい。
この場合、まず外場によって可変抵抗素子４６の抵抗値
ＲVを ＲV＝ＲL≒Ｒoとする。 すると、Ｖx≒（ＶR＋Ｖs）／２ となる。 静電気によってＶsがＶRに対して負に帯電した時、Ｔr
がｎチャンネルＦＥＴ（Field Effect Transistor：電
界効果トランジスタ）であれば、Ｖsがソース電位とな
り、トランジスタＴrのゲートソース電圧Ｖgsは、 Ｖgs＝Ｖx−Ｖs ≒（ＶR−Ｖs）／２ となる。 トランジスタＴrのしきい値電圧Ｖth（数Ｖ）に対して
Ｖgsが、Ｖgs≒（ＶR−Ｖs）／２≧Ｖth となると、ト
ランジスタＴrはスイッチングオン状態となり、ガード
リング４０，４１と回路配線２７の間の抵抗Ｒは、 Ｒ≒（２Ｒo・Ｒon）／（２Ｒo＋Ｒon） ≒（２Ｒo・Ｒon）／２Ｒo （∵Ｒon＜＜Ｒo） ≒Ｒon 従って、可変抵抗回路４２全体としての抵抗値Ｒは大幅
に低下し、除電速度を格段に大きくすることができる。In the matrix wiring board of the third embodiment ,
To take measures against static electricity, that is, to conduct the circuit wiring 27 and the guard rings 40 and 41, the resistance value of the entire variable resistance circuit 42 may be reduced to reduce the difference between Vs and VR.
In this case, first, the resistance value RV of the variable resistance element 46 is set to RV = RL ≒ Ro by an external field. Then, Vx ≒ (VR + Vs) / 2. When Vs is negatively charged with respect to VR by static electricity, Tr
Is an n-channel FET (Field Effect Transistor), Vs becomes the source potential, and the gate-source voltage Vgs of the transistor Tr becomes Vgs = Vx−Vss (VR−Vs) / 2. When Vgs satisfies Vgs ≒ (VR−Vs) / 2 ≧ Vth with respect to the threshold voltage Vth (several volts) of the transistor Tr, the transistor Tr is switched on, and the guard rings 40 and 41 and the circuit wiring 27 resistance R between the, R ≒ (2Ro · R on ) / (2Ro + R on) ≒ (2Ro · R on) / 2Ro (∵R on << Ro) ≒ R on Thus, the variable resistor circuit 42 as a whole resistance value R is greatly reduced, and the static elimination speed can be significantly increased.
【００４９】同様に、トランジスタＴrがｎチャンネル
ＦＥＴであって、ＶsがＶRに対して正に帯電した時に
は、ＶRがソース電位となり、トランジスタＴrのＶgs
は、 Ｖgs＝Ｖx−ＶR ≒（Ｖs−ＶR）／２ となる。 Ｖthに対してＶgsが Ｖgs≒（Ｖs−ＶR）／２≧Ｖth
となると、トランジスタＴrはスイッチングオン状態と
なり、Ｒ≒Ｒonとなる。従って、可変抵抗回路４２全体
としての抵抗値Ｒは大幅に低下し、除電速度を格段に大
きくすることができる。Similarly, when the transistor Tr is an n-channel FET and Vs is positively charged with respect to VR, VR becomes the source potential and Vgs of the transistor Tr becomes Vgs.
Is as follows: Vgs = Vx-VR− (Vs-VR) / 2. Vgs is equal to Vth: Vgs ≒ (Vs−VR) / 2 ≧ Vth
Then, the transistor Tr is switched on, and R ≒ Ron. Accordingly, the resistance value R of the variable resistance circuit 42 as a whole is greatly reduced, and the static elimination speed can be significantly increased.
【００５０】また、トランジスタＴrがｐチャンネルの
場合であっても、ＶRに対するＶsの帯電電位の符号によ
るソース電位を上記ｎチャンネルの場合と逆に見立てる
ことで、全く同様の効果を得ることができる。Even when the transistor Tr is a p-channel transistor, the same effect can be obtained by assuming that the source potential based on the sign of the charging potential of Vs with respect to VR is opposite to that of the n-channel transistor. .
【００５１】回路配線２７の検査または回路配線２７の
駆動時で、回路配線２７とガードリング４０，４１とを
絶縁するには、可変抵抗回路４２の全体としての抵抗値
Ｒを大きくすれば良い。その為にはまず、外場によって
可変抵抗素子４６の抵抗値Ｒvを Ｒv＝ＲH>>Ro にする。 すると、Ｒv>>Ro であるから、Ｖx≒ＶR となる。 回路配線２７の検査や駆動を行なうために回路配線２７
に印加する電位の範囲を ＶsL≦Ｖs≦ＶsH として表わすと、 Ｖsに対して、ＶRを以下に示すようにすることで、トラ
ンジスタＴrは確実にスイッチングオフ状態を保つこと
になる。 トランジスタＴrがｎチャンネルＦＥＴの場合、ＶR＜
ＶsL トランジスタＴrがｐチャンネルＦＥＴの場合、ＶR＞
ＶsHIn order to insulate the circuit wiring 27 from the guard rings 40 and 41 during the inspection of the circuit wiring 27 or the driving of the circuit wiring 27, the resistance value R of the entire variable resistance circuit 42 may be increased. For that purpose , first, the resistance value Rv of the variable resistance element 46 is set to Rv = RH >> Ro by an external field. Then, since Rv >> Ro, Vx ≒ VR. In order to inspect and drive the circuit wiring 27,
Is expressed as VsL ≦ Vs ≦ VsH, the transistor Tr is reliably maintained in the switching-off state by setting VR as follows with respect to Vs. When the transistor Tr is an n-channel FET, VR <
When VsL transistor Tr is a p-channel FET, VR>
VsH
【００５２】トランジスタＴrがスイッチングオフの
時、回路配線２７とガードリング４０，４１との間の抵
抗値Ｒは、 Ｒ＝ＲH＋Ｒo ≒ＲH となる。 この抵抗値Ｒは駆動回路の能力にもよるが、一般的に１
０5Ω以上であれば良好である。When the transistor Tr is switched off, the resistance value R between the circuit wiring 27 and the guard rings 40 and 41 is R = RH + Ro ≒ RH. Although this resistance value R depends on the capability of the drive circuit, it is generally 1
If 0 5 Ω or more is good.
【００５３】従って、この実施例３のマトリクス配線基
板において、回路配線２７とガードリング４０，４１と
を導通させるには、可変抵抗回路４２の抵抗を小さくす
ればよく、回路配線２７とガードリング４０，４１とを
導通させておくことで、ソース配線とゲート配線とが短
絡しているので、それらの間に静電気による電位差が生
じることがなくなる。よって、放電が起こらず、画素用
ＴＦＴの絶縁体や半導体が破壊されたり、放電による発
熱によって回路配線２７が損傷することを低減せしめる
ことができ、配線基板としての歩留りが大幅に向上す
る。Therefore, in the matrix wiring board of the third embodiment , in order to make the circuit wiring 27 and the guard rings 40 and 41 conductive, the resistance of the variable resistance circuit 42 may be reduced, and the circuit wiring 27 and the guard ring 40 may be connected. , 41 are electrically connected, so that the source wiring and the gate wiring are short-circuited, so that a potential difference due to static electricity does not occur between them. Therefore, no discharge occurs, and it is possible to reduce the possibility that the insulator or the semiconductor of the pixel TFT is broken or the circuit wiring 27 is damaged by heat generated by the discharge, and the yield as a wiring substrate is greatly improved.
【００５４】さらに、この回路配線２７とガードリング
４０，４１とが導通している時に、起電コントローラで
起電力を生じさせ（例えば、起電コントローラとして太
陽電池を適用しているならば、該太陽電池に光を照射し
起電力を生じさせる。）、起電コントローラからソース
配線及びゲート配線に電圧が印加されることで、スイッ
チング素子２０がスイッチングオン状態となる。従っ
て、静電気が発生したとしても、画素電極が帯電するこ
とがなく、静電気の発生によるスイッチング素子２０の
劣化が生じることがない。特に、起電コントローラを形
成した本実施例のマトリクス配線基板においては、積極
的にスイッチング素子２０に電圧を印加しているので、
確実にスイッチング素子２０をスイッチングオン状態と
することができる。Further, when the circuit wiring 27 and the guard rings 40 and 41 are conducting, an electromotive force is generated by the electromotive controller (for example, if a solar cell is used as the electromotive controller, The solar cell is irradiated with light to generate an electromotive force.), And a voltage is applied to the source wiring and the gate wiring from the electromotive controller, so that the switching element 20 is switched on. Therefore, even if static electricity is generated, the pixel electrode is not charged, and the switching element 20 is not deteriorated due to the generation of static electricity. In particular, in the matrix wiring board according to the present embodiment in which the electromotive controller is formed, the voltage is positively applied to the switching element 20.
The switching element 20 can be reliably turned on.
【００５５】また、駆動回路接続端子に駆動回路を接続
し、静電気対策を施す必要が無くなった際には、可変抵
抗回路４２の抵抗値を増加させて回路配線２７とガード
リング４０，４１とを絶縁させれば良い。回路配線２７
とガードリング４０，４１とが絶縁されることで、回路
配線２７は駆動回路によってのみに駆動されるようにな
る。従って、この実施例３のマトリクス配線基板におい
ても、ガードリング４０，４１を回線配線から切断除去
する必要がない。よって、回路配線２７の製造時から駆
動回路を接続するまでガードリング４０，４１を接続し
たままにすることができ、静電気対策の必要な駆動回路
の接続時まで静電気対策を維持保障することができる。
従って、歩留りが従来に比して大幅に向上する。When it is no longer necessary to connect a drive circuit to the drive circuit connection terminal and take measures against static electricity, the resistance value of the variable resistor circuit 42 is increased to connect the circuit wiring 27 and the guard rings 40 and 41. What is necessary is just to insulate. Circuit wiring 27
The circuit wiring 27 is driven only by the drive circuit by insulating the guard ring 40 and 41 from each other. Therefore, also in the matrix wiring board of the third embodiment , there is no need to cut and remove the guard rings 40 and 41 from the line wiring. Therefore, the guard rings 40 and 41 can be kept connected from the time of manufacturing the circuit wiring 27 to the time when the driving circuit is connected, and the measures against static electricity can be maintained and secured until the driving circuit requiring the measures against static electricity is connected. .
Therefore, the yield is greatly improved as compared with the conventional case.
【００５６】また、ガードリング４０，４１と回路配線
２７との導通／絶縁を任意に繰返すことが可能であるの
で、回路配線２７とガードリング４０，４１とを絶縁
し、回路配線２７の検査を行なった後に、再び可変抵抗
素子４６に外場を作用させて可変抵抗回路４２の抵抗値
を低減し、回路配線２７とガードリング４０，４１とを
導通させることができる。従って、回路配線２７の検査
をいつでも行なうことができ、早期における回路配線２
７の検査が可能となる。従って、回路配線２７の不良を
早期に発見することができるので、製造損失を格段に抑
えることが可能となる。Since the conduction / insulation between the guard rings 40 and 41 and the circuit wiring 27 can be arbitrarily repeated, the circuit wiring 27 is insulated from the guard rings 40 and 41 and the inspection of the circuit wiring 27 is performed. After this operation, an external field is applied to the variable resistance element 46 again to reduce the resistance value of the variable resistance circuit 42, and the circuit wiring 27 and the guard rings 40 and 41 can be conducted. Therefore, the inspection of the circuit wiring 27 can be performed at any time, and the circuit wiring 2 at an early stage can be inspected.
7 can be inspected. Therefore, a defect in the circuit wiring 27 can be found at an early stage, so that manufacturing loss can be remarkably suppressed.
【００５７】[0057]
【発明の効果】本発明のマトリクス配線基板は、基板上
に、マトリクス状に配置されたソース配線およびゲート
配線と、ソース配線とゲート配線の交差部に形成された
スイッチング素子とを有した回路配線と、該回路配線と
接続されるガードリングと、ガードリングに形成されて
回路配線に電圧を印加する起電コントローラとが形成さ
れてなるもので、静電気対策が必要とされている時に
は、起電コントローラから回路配線に電圧を印加してお
くことのできるものである。回路配線とガードリングと
を導通させておくことで、回路配線中の各配線が短絡し
ているので、それらの間に静電気による電位差が生じる
ことがなくなり、同電位となる。よって、放電が起こら
ず、画素用ＴＦＴの絶縁体や半導体が破壊されたり、放
電による発熱によって回路配線の損傷を低減せしめるこ
とができ、配線基板としての歩留りが大幅に向上する。
特に、起電コントローラにて回路配線に適度に電圧を印
加しておくことで、スイッチング素子を確実にスイッチ
ングオン状態とすることができ、静電気が発生したとし
ても、画素電極の帯電を防ぐことができ、スイッチング
素子の劣化を防止することのできるのもので、十分な静
電気対策を施すことのできるものである。According to the present invention, there is provided a matrix wiring substrate comprising a circuit wiring having a source wiring and a gate wiring arranged in a matrix on a substrate and a switching element formed at an intersection of the source wiring and the gate wiring. And a guard ring connected to the circuit wiring, and an electromotive controller formed on the guard ring and applying a voltage to the circuit wiring. A voltage can be applied from the controller to the circuit wiring. By keeping the circuit wiring and the guard ring conductive, each wiring in the circuit wiring is short-circuited, so that a potential difference due to static electricity does not occur between them, and the potentials are the same. Therefore, no discharge occurs, the insulator or the semiconductor of the pixel TFT is broken, and the damage of the circuit wiring due to heat generated by the discharge can be reduced, and the yield as a wiring substrate is greatly improved.
In particular, by applying an appropriate voltage to the circuit wiring by the electromotive controller, the switching element can be reliably switched on, and even if static electricity is generated, the pixel electrodes can be prevented from being charged. The switching element can prevent deterioration of the switching element, and can take a sufficient countermeasure against static electricity.
【００５８】また、回路配線とガードリングの導通／絶
縁を制御する接断部が形成されているため、回路配線と
ガードリングの導通と絶縁を切替えることができ、駆動
回路を接続して静電気対策を施す必要が無くなった際に
は、接断部にて回路配線とガードリングとを絶縁するこ
とができる。回路配線とガードリングとが絶縁されるこ
とで、回路配線は駆動回路によってのみに駆動されるよ
うになる。従って、ガードリングを回線配線から切断除
去する必要がなくなる。よって、回路配線の製造時から
駆動回路を接続するまでガードリングを接続したままに
することができ、静電気対策の必要な駆動回路の接続時
まで静電気対策を維持保障することができる。[0058] In addition, since the disconnection unit for controlling conduction / insulation circuit wiring and the guard ring is formed, and the circuit wiring
The conduction and insulation of the guard ring can be switched, and when it is no longer necessary to connect a drive circuit and take measures against static electricity, the circuit wiring and the guard ring can be insulated at the disconnection portion. Since the circuit wiring and the guard ring are insulated from each other, the circuit wiring is driven only by the driving circuit. Therefore, there is no need to cut and remove the guard ring from the line wiring. Therefore, the guard ring can be kept connected from the time of manufacturing the circuit wiring until the drive circuit is connected, and the measures against static electricity can be maintained and guaranteed until the connection of the drive circuit requiring the measure against static electricity.
【００５９】さらに、ガードリングを切断除去しないこ
とから、従来では切断時に基板と切削用具の間で多発し
ていた静電気による損傷を本発明では受けることがな
い。従って、歩留りが従来に比して大幅に向上する。Further, since the guard ring is not cut and removed, the present invention does not suffer damage caused by static electricity which has conventionally occurred frequently between the substrate and the cutting tool during cutting. Therefore, the yield is greatly improved as compared with the conventional case.
【００６０】また、ガードリングと回路配線との導通／
絶縁を任意に繰返すことが可能であるので、回路配線と
ガードリングとを絶縁し、回路配線の検査を行なった後
に、再び回路配線とガードリングとを導通させることが
できる。従って、回路配線の検査をいつでも行なうこと
ができ、早期における回路配線の検査が可能となる。従
って、回路配線の不良を早期に発見することができるの
で、製造損失を格段に抑えることが可能となる。Further, the conduction between the guard ring and the circuit wiring /
Since the insulation can be arbitrarily repeated, the circuit wiring and the guard ring can be insulated, and after the circuit wiring is inspected, the circuit wiring and the guard ring can be made conductive again. Therefore, the inspection of the circuit wiring can be performed at any time, and the inspection of the circuit wiring can be performed at an early stage. Therefore, a defect in the circuit wiring can be found at an early stage, so that the production loss can be remarkably suppressed.
【図１】基本構成例のマトリクス配線基板の等価回路図
である。FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of a matrix wiring substrate of a basic configuration example .
【図２】実施例１のマトリクス配線基板の等価回路図で
ある。FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the matrix wiring board according to the first embodiment .
【図３】実施例３のマトリクス配線基板における可変抵
抗回路の等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a variable resistance circuit in a matrix wiring board according to a third embodiment .
【図４】従来例のマトリクス配線基板の等価回路図であ
る。FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of a conventional matrix wiring substrate.
１０ マトリクス配線基板 １２ ガードリング １４ 画素エリア １６ ゲート配線 １８ ソース配線 ２０ スイッチング素子 ２２ 画素電極 ２４ 基板 ２６ マトリクス配線基板 ２７ 回路配線 ２８ 起電素子 ３０ 接断スイッチング素子 ３２ 接断部 ３６ マトリクス配線基板 ３８ 起電コントローラ ４０ 第１ガードリング ４１ 第２ガードリング ４２ 可変抵抗回路 ４４ 抵抗 ４６ 可変抵抗素子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Matrix wiring board 12 Guard ring 14 Pixel area 16 Gate wiring 18 Source wiring 20 Switching element 22 Pixel electrode 24 Substrate 26 Matrix wiring board 27 Circuit wiring 28 Electric generating element 30 Disconnect switching element 32 Disconnect part 36 Matrix wiring substrate 38 Electric controller 40 First guard ring 41 Second guard ring 42 Variable resistance circuit 44 Resistance 46 Variable resistance element
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/136Continuation of front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) G02F 1/136
Claims (3)
よびゲート配線と、ソース配線とゲート配線の交差部に
形成されたスイッチング素子とを有した回路配線が基板
上に形成されたマトリクス配線基板において、 回路配線の外周部に該回路配線と接続されるガードリン
グが形成され、回路配線に電圧を印加する起電コントロ
ーラが前記ガードリングに形成され、回路配線とガード
リングの間に該回路配線とガードリングの導通を制御す
る接断部が介在しており、 該接断部が、回路配線とガードリングの導通／絶縁を切
替える接断スイッチング素子と、該接断スイッチング素
子を制御する起電素子とから構成されている ことを特徴
とするマトリクス配線基板。In a matrix wiring substrate, a circuit wiring having a source wiring and a gate wiring arranged in a matrix and a switching element formed at an intersection of the source wiring and the gate wiring is formed on the substrate. It is formed a guard ring connected to the outer peripheral portion the circuit wiring of the circuit wiring, electromotive controller for applying a voltage to the circuit wiring is formed on the guard ring, the circuit wiring and the guard
Controls the conduction between the circuit wiring and the guard ring between the rings.
Connecting / disconnecting part, which cuts off continuity / insulation between the circuit wiring and the guard ring.
Disconnection switching element to be replaced and the disconnection switching element
A matrix wiring substrate, comprising: an electromotive element for controlling a cell .
よびゲート配線と、ソース配線とゲート配線の交差部に
形成されたスイッチング素子とを有した回路配線が基板
上に形成されたマトリクス配線基板において、 回路配線の外周部に該回路配線と接続されるガードリン
グが形成され、回路配線に電圧を印加する起電コントロ
ーラが前記ガードリングに形成され、回路配線とガード
リングの間に該回路配線とガードリングの導通を制御す
る接断部が介在しており、 該接断部が、少なくとも、トランジスタと、抵抗値が一
定である固定抵抗部と、外場によって抵抗値が変化する
可変抵抗部とを有しており、 前記固定抵抗部と前記可変抵抗部が直列に接続された部
分と前記トランジスタとが並列に接続され、かつ前記固
定抵抗部と前記可変抵抗部との接続部と前記トランジス
タのゲート電極部とが接続されてなる ことを特徴とする
マトリクス配線基板。2. A matrix wiring substrate, comprising: a circuit wiring having source wirings and gate wirings arranged in a matrix and switching elements formed at intersections of the source wirings and the gate wirings formed on the substrate. A guard ring connected to the circuit wiring is formed at an outer peripheral portion of the circuit wiring, and an electromotive controller for applying a voltage to the circuit wiring is formed on the guard ring, and the circuit wiring and the guard are provided between the circuit wiring and the guard ring. A disconnection portion for controlling conduction of the ring is interposed, and the disconnection portion has at least a resistance value equal to that of the transistor.
Fixed resistance part that is constant, and resistance value changes depending on the external field
A variable resistor section, wherein the fixed resistor section and the variable resistor section are connected in series
And the transistor are connected in parallel, and
A connection part between the constant resistance part and the variable resistance part and the transistor
A matrix wiring substrate connected to a gate electrode portion of the matrix wiring substrate.
いて、And 前記可変抵抗部が、光、温度、圧力、磁界によって抵抗The variable resistance part is resistance by light, temperature, pressure, and magnetic field.
値を変えられるものであることを特徴とするマトリクスA matrix characterized in that its value can be changed
配線基板。Wiring board.
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| JP18420892A JP2758533B2 (en) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | Matrix wiring board |
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