JP2758040B2 - Electrode etching method for electrolytic capacitor - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、電解コンデンサの製造に用いられる電解
コンデンサ用電極のエッチング方法に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method of etching an electrode for an electrolytic capacitor used for manufacturing an electrolytic capacitor.
電解コンデンサは、アルミニウム等の絶縁酸化皮膜形
成能のある、いわゆる弁金属を電極に用い、その電極面
に形成した絶縁酸化皮膜を誘電体として用いている。こ
の電解コンデンサの電極には、一般的に厚さ数十μｍな
いし百数十μｍ程度の高純度のアルミニウム箔が多用さ
れる。そして、電極は、種々の形態を取り得るが、前記
アルミニウム箔を帯状に切断したものを、セパレータ紙
とともに円筒状に巻回している。Electrolytic capacitors use a so-called valve metal capable of forming an insulating oxide film such as aluminum for an electrode, and use the insulating oxide film formed on the electrode surface as a dielectric. Generally, high-purity aluminum foil having a thickness of several tens μm to one hundred and several tens μm is frequently used for the electrodes of this electrolytic capacitor. The electrode can take various forms, and the aluminum foil cut into a strip shape is wound in a cylindrical shape together with separator paper.
また、電極には、電解コンデンサの単位体積あたりの
静電容量値を増すために、物理的或いは化学的等、各種
の操作によってエッチング処理を施して表面積を拡大し
た後、その表面に誘電体層となる絶縁酸化皮膜層が形成
されている。Further, in order to increase the capacitance value per unit volume of the electrolytic capacitor, the surface is enlarged by performing an etching process by various operations such as physical or chemical, and then a dielectric layer is formed on the surface. Is formed.
そして、この電極のエッチング処理には、各種のエッ
チング処理が用いられて来たが、近年、種々の条件設定
が容易である等の理由から、主として電気化学的な処理
による電解エッチングが用いられている。Various etching processes have been used for the electrode etching process. However, recently, for the reason that various conditions can be easily set, electrolytic etching mainly by an electrochemical process has been used. I have.
この電解エッチングは、ハロゲンイオン、特に塩素イ
オン等を含むエッチング液中に被処理対象であるアルミ
ニウム電極箔を浸漬し、アルミニウム電極箔を一方の電
極として設定するとともに、そのエッチング液中にカー
ボン等からなる対抗電極を設定し、両電極間に直流、交
流、パルス電流等、各種の電流波形の中から単独又は任
意の複数の波形を組み合わせ、或いは複数の波形を加算
等して合成波形を印加して行うものが一般的である。ま
た、交流或いはパルス電流を用いたものでは、電極箔に
直接給電を行う方法の他、対抗電極間にアルミニウム電
極箔を通して給電する間接給電による方法も用いられて
いる。In this electrolytic etching, the aluminum electrode foil to be treated is immersed in an etching solution containing halogen ions, particularly chlorine ions, etc., and the aluminum electrode foil is set as one electrode, and the etching solution contains carbon ions and the like. A counter electrode is set, and a combined waveform is applied between the two electrodes by combining a single or arbitrary plural waveforms from various current waveforms such as a direct current, an alternating current, a pulse current, or adding a plurality of waveforms. Is generally performed. In the case of using an alternating current or a pulse current, in addition to a method of directly supplying power to the electrode foil, a method of indirect power supply for supplying power through an aluminum electrode foil between opposing electrodes is used.
ところで、これらの電解エッチングの中で、通常、印
加電流に直流もしくは電位が反転しないパルス電流を用
いたエッチングでは、電極のアルミニウムの表面から垂
直方向にあたかもトンネルを掘るごとくエッチング孔が
形成され、このエッチング孔の底部に新たなエッチング
開始のための活性点が現れ、順次エッチングが進行する
ので、電極表面に対して垂直方向に深い孔が形成されて
行く。By the way, among these electrolytic etchings, in the etching using a direct current or a pulse current whose potential is not inverted, an etching hole is formed as if a tunnel was dug vertically from the aluminum surface of the electrode. A new active point for starting the etching appears at the bottom of the etching hole, and the etching proceeds sequentially, so that a deep hole is formed in a direction perpendicular to the electrode surface.
また、交流を用いたエッチングでは、電位が半サイク
ル毎に逆転するので、電極のアルミニウムから電流が流
れる期間において溶解が進むが、次の逆電位の際はエッ
チングであるアルミニウムの溶解が停止し、むしろ表面
にエッチングの活性点をマスクする皮膜が形成されてし
まう。このため、次の溶解が生じるサイクルにおけるエ
ッチングは、直流エッチングの開始点のごとく順次底面
を掘り進むようなエッチングと異なり、任意の箇所にエ
ッチングの開始点が生じてエッチングが始まることにな
り、これを交流のサイクル毎に繰り返すことになる。In addition, in the etching using alternating current, since the potential is reversed every half cycle, the dissolution proceeds during a period in which current flows from the aluminum of the electrode, but at the next reverse potential, the dissolution of the aluminum being etched stops, Rather, a film that masks the active points of etching is formed on the surface. For this reason, the etching in the cycle in which the next dissolution occurs is different from the etching in which the bottom is sequentially dug like the starting point of the DC etching, and the starting point of the etching is generated at an arbitrary position, and the etching is started. It is repeated every cycle of the exchange.
それゆえ、直流エッチング及び交流エッチングは、そ
れぞれ上述したように、特徴的なエッチング孔形状を呈
する。そこで、これらの特徴を組み合わせて、より高い
エッチング効率を目ざす試みが行われている。例えば、
特公昭31-1830号公報に記載されているように、直流エ
ッチングと交流エッチングとを短時間ずつ交互に用いて
行うもの、特公昭54-40379号公報のように、前段で直流
エッチング、後段で交流エッチングを、それぞれの電気
量の割合を所定の範囲に設定して行うもの、特開昭63-2
68237号公報のように、一定の液組成、エッチング条件
のもとに前段で直流エッチング、後段で交流エッチング
を行うもの等が知られている。また、特開平1-212427号
公報に記載されているように、段階的な直流エッチング
を行うものもある。Therefore, DC etching and AC etching exhibit characteristic etching hole shapes, respectively, as described above. Therefore, attempts have been made to combine these features to achieve higher etching efficiency. For example,
As described in JP-B-31-1830, DC etching and AC-etching are performed alternately in a short time, and as in JP-B-54-40379, DC etching is performed in the first stage, and DC etching is performed in the second stage. Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-2
Japanese Patent Application Laid-Open No. 68237 discloses a method in which DC etching is performed in the first stage and AC etching is performed in the second stage under a certain liquid composition and etching conditions. Further, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-212427, there is a method in which stepwise direct current etching is performed.
従来からの直流エッチングと交流エッチングの組合せ
によるエッチング方法は、先ず直流によるトンネル状の
エッチング孔を形成しておき、次に交流エッチングによ
り、電極表面及びトンネル状のエッチング孔内部に一様
に微細なエッチング孔を順次形成すれば、単位面積あた
りの実効表面積の拡大が図れるというものである。A conventional etching method using a combination of DC etching and AC etching is to first form a tunnel-shaped etching hole by DC, and then to uniformly form fine holes on the electrode surface and inside the tunnel-shaped etching hole by AC etching. If the etching holes are sequentially formed, the effective surface area per unit area can be increased.
ところが、従来の複合エッチング方法では、前段の直
流エッチングによるトンネル状のエッチング孔の平均開
口孔が大きくとも0.9μｍ以下であり、このため、後段
の交流エッチングを行っても、直流エッチングで形成さ
れたエッチング孔内壁面では殆ど進行せず、電極表面部
のみを一様に溶解エッチングするのみで、所望の拡面効
果が得られないという欠点があった。However, in the conventional combined etching method, the average opening size of the tunnel-shaped etching holes by the DC etching in the former stage is at most 0.9 μm or less, and therefore, even if the AC etching in the latter stage is performed, it is formed by DC etching. There is a drawback that hardly any progress occurs on the inner wall surface of the etching hole, and only the electrode surface portion is uniformly dissolved and etched, and a desired surface enlargement effect cannot be obtained.
また、直流エッチングを段階的に行った場合には、先
のエッチング処理で形成されたトンネル状のエッチング
孔が後の直流エッチングによって拡大される利点がある
が、それだけでは十分な表面拡大を行うことができな
い。Also, when DC etching is performed stepwise, there is an advantage that the tunnel-shaped etching hole formed in the previous etching process is enlarged by the subsequent DC etching, but it is necessary to sufficiently expand the surface by itself. Can not.
そこで、この発明は、段階的な直流エッチングと交流
エッチングとを組み合わせて拡面率を高めた電解コンデ
ンサ用電極のエッチング方法の提供を第１の目的とす
る。Accordingly, it is a first object of the present invention to provide a method for etching an electrode for an electrolytic capacitor in which step coverage DC etching and AC etching are combined to increase the surface area.
また、この発明は、初期段階の直流エッチングで形成
すべきエッチング孔の大きさと次段階の直流エッチング
によるエッチング孔の拡大率の設定によって適正かつ効
率的な拡面率を実現した電解コンデンサ用電極のエッチ
ング方法の提供を第２の目的とする。In addition, the present invention provides an electrode for an electrolytic capacitor that has achieved an appropriate and efficient area expansion ratio by setting the size of an etching hole to be formed in the initial stage DC etching and the enlargement ratio of the etching hole in the next stage DC etching. A second object is to provide an etching method.
そして、この発明は、段階的な直流エッチングの形態
を変更することにより拡面率を高めた電解コンデンサ用
電極のエッチング方法の提供を第３の目的とする。A third object of the present invention is to provide a method of etching an electrode for an electrolytic capacitor in which the surface area is increased by changing the form of stepwise DC etching.
この発明は、初期段階で行う直流エッチングでトンネ
ル状のエッチング孔を形成し、その開口径を次段階の直
流エッチングによって拡大することによって、次段階で
行う交流もしくはパルス電流を用いたエッチングによっ
てトンネル状のエッチング孔の内部壁面でも均一に行わ
れるという知見に基づいている。According to the present invention, a tunnel-shaped etching hole is formed by a DC etching performed in an initial stage, and the opening diameter is enlarged by a DC etching in a next stage. Is performed even on the inner wall surface of the etching hole.
（請求項１） 即ち、この発明の電解コンデンサ用電極のエッチング
方法は、第１の目的を達成するため、高純度アルミニウ
ム電極に第１の直流エッチング（第１工程）によりトン
ネル状のエッチング孔を形成し、次に第２の直流エッチ
ング（第２工程）により前記エッチング孔の拡大処理を
行い、次に交流電流又はパルス電流を加えて電解エッチ
ングを行うことを特徴としている。(Claim 1) That is, in the method of etching an electrode for an electrolytic capacitor of the present invention, in order to achieve the first object, a tunnel-shaped etching hole is formed in a high-purity aluminum electrode by a first direct current etching (first step). After the formation, the etching process is performed by enlarging the etching hole by a second direct current etching (second step), and then an electrolytic etching is performed by applying an alternating current or a pulse current.
（請求項２） また、この発明の電解コンデンサ用電極のエッチング
方法は、第２の目的を達成するため、高純度アルミニウ
ム電極に第１の直流エッチングにより１μｍ未満の口径
を持つエッチング孔を形成し、次に第２の直流エッチン
グにより前記エッチング孔の口径を１μｍないし４μｍ
に拡大することを特徴としている。In order to achieve the second object, the method for etching an electrode for an electrolytic capacitor of the present invention forms an etching hole having a diameter of less than 1 μm in a high-purity aluminum electrode by a first direct current etching. Then, the diameter of the etching hole is set to 1 μm to 4 μm by a second DC etching.
It is characterized in that it expands to.
（請求項３） そして、第３の目的を達成するため、前記第１及び第
２の直流エッチングは、条件を異ならせた直流エッチン
グであることを特徴としている。(Claim 3) In order to achieve the third object, the first and second DC etchings are DC etchings with different conditions.
（請求項４） さらに、第３の目的を達成するため、前記第２の直流
エッチングは、ケミカルエッチングであることを特徴と
している。(Claim 4) In order to achieve a third object, the second DC etching is a chemical etching.
（請求項１） 前記構成とすれば、第１の直流エッチングによってト
ンネル状のエッチング孔が進行する。このエッチング孔
が形成された電極に第２の直流エッチングが行われるこ
とで、前記エッチング孔の開口径の拡大処理が行われ
る。(Claim 1) With the above configuration, the tunnel-shaped etching hole advances by the first DC etching. The second DC etching is performed on the electrode in which the etching hole is formed, so that the opening diameter of the etching hole is enlarged.
そして、このような処理によって平均開口径の大きい
トンネル状のエッチング孔が形成されると、エッチング
孔内部へのエッチング液の供給が円滑となり、エッチン
グ孔内壁部での交流エッチングによる腐食作用も表面と
同様に行われることになり、電極部全面でエッチングが
一様に進行する。このため、従来未エッチング部として
残存していたトンネル状エッチング孔内部も拡面される
ことになるので、電極の単位体積あたりの表面積が大き
くなる。When a tunnel-shaped etching hole having a large average opening diameter is formed by such a process, the supply of the etching solution to the inside of the etching hole becomes smooth, and the corrosive action due to the AC etching on the inner wall portion of the etching hole is also affected by the surface. The etching is performed in the same manner, and the etching proceeds uniformly over the entire surface of the electrode portion. For this reason, the inside of the tunnel-shaped etching hole, which has conventionally been left as an unetched portion, is also enlarged, and the surface area per unit volume of the electrode is increased.
（請求項２） そして、第１の直流エッチングで１μｍ未満のトンネ
ル状のエッチング孔を形成し、第２の直流エッチングで
エッチング孔の開口径を１〜４μｍに拡大させると、交
流電流又はパルス電流によるエッチング処理が効果的に
行われ、効率的な拡面化が実現される。(Claim 2) When a tunnel-shaped etching hole of less than 1 μm is formed by the first DC etching and the opening diameter of the etching hole is increased to 1 to 4 μm by the second DC etching, an AC current or a pulse current is obtained. Is effectively performed, and efficient surface enlargement is realized.
ところで、最適な平均開口径は、後段のエッチング条
件によっても多少変動があるが、通常、１μｍ以下の場
合には、後段のエッチング条件の如何にかかわらず、ト
ンネル状のエッチング孔内部でのエッチングの進行は活
発でなく、表面部のみでのエッチングが進行するため
に、アルミニウムの溶解は増えるものの、有効なエッチ
ング倍率の向上が期待できない。By the way, the optimum average opening diameter slightly varies depending on the etching conditions at the subsequent stage, but usually, when the average opening diameter is 1 μm or less, the etching inside the tunnel-shaped etching hole is performed regardless of the etching conditions at the subsequent stage. Since the progress is not active and the etching proceeds only on the surface portion, the dissolution of aluminum increases, but an effective improvement in the etching magnification cannot be expected.
一方、平均開口径が４μｍ以上に増大すると、その開
口径は後段の交流又はパルスエッチングに対して十分な
大きさであるので、トンネル状のエッチング孔内部での
エッチングの進行は問題なく行われる。しかし、開口径
をそれ以上大きくしても、エッチング倍率の向上にさほ
ど変化はなく、むしろ開口径を拡大するエッチング処理
によって、アルミニウムの溶解量が増え、エッチング処
理に時間がかかったり、アルミニウム箔の機械的強度が
低下する等の弊害がみられて好ましくない。On the other hand, when the average opening diameter is increased to 4 μm or more, the opening diameter is large enough for the subsequent AC or pulse etching, so that the etching inside the tunnel-shaped etching hole proceeds without any problem. However, even if the opening diameter is further increased, the improvement of the etching magnification does not change so much. Rather, the etching treatment for increasing the opening diameter increases the amount of aluminum dissolved, and it takes time for the etching treatment, It is not preferable because adverse effects such as a decrease in mechanical strength are observed.
以下、この発明を実施例に基づいて詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail based on examples.
以下の実施例は、共通した条件として、被処理のアル
ミニウム箔として、純度99.99％、厚さ100μｍの高純度
のアルミニウム箔を用いている。In the following examples, as a common condition, a high-purity aluminum foil having a purity of 99.99% and a thickness of 100 μm is used as an aluminum foil to be treated.
実施例１ 第１工程：直流エッチング この直流エッチングは、塩酸5WT％の液中に前記アル
ミニウム箔を入れ、温度85℃、電流密度300mA/cm2、電
気量15クーロンのエッチング条件でエッチングを行っ
た。Example 1 First Step: DC Etching In this DC etching, the aluminum foil was put in a solution of 5 wt% hydrochloric acid, and etching was performed under the conditions of a temperature of 85 ° C., a current density of 300 mA / cm 2 , and a quantity of electricity of 15 coulombs. .
第２工程：直流エッチング このエッチングも直流電解エッチング法を用い、エッ
チング条件は、硫酸5WT％の液中で、温度90℃、電流密
度300mA/cm2、電気量を10ないし25クーロンとし、条件
のうち電気量の値を変えて第１表に示すＡ〜Ｄの４つの
条件でエッチングを行い、開口径が異なるエッチングが
達成できるようにした。また、この第２工程を行わな
い、即ち、第１工程のみの場合についても同表中に示し
た。Second step: DC etching This etching also uses the DC electrolytic etching method. The etching conditions are as follows: a solution of sulfuric acid 5 WT%, a temperature of 90 ° C., a current density of 300 mA / cm 2 , and a quantity of electricity of 10 to 25 coulombs. Etching was performed under the four conditions A to D shown in Table 1 while changing the value of the amount of electricity, so that etching with different opening diameters could be achieved. The table also shows the case where the second step is not performed, that is, the case where only the first step is performed.
この結果得られたエッチングの平均開口径は次の通り
であった。なお、エッチングの開口径の測定は、エッチ
ング処理を施した電極箔表面を電子顕微鏡写真によって
拡大撮影し、一定面積中に存在するエッチング孔の径を
測定してその平均を求める方法で行った。この測定方法
は以下の実施例の何れについても共通である。The average opening diameter of the etching obtained as a result was as follows. In addition, the measurement of the opening diameter of the etching was performed by a method in which the surface of the electrode foil subjected to the etching treatment was enlarged and photographed by an electron microscope photograph, the diameter of the etching hole existing in a certain area was measured, and the average was obtained. This measuring method is common to all of the following examples.
第３工程：交流エッチング 第１表の１−０ないし１−Ｄのそれぞれの例について
以下の共通の条件で交流エッチングを行った。 Third step: AC etching AC etching was performed on each of the examples 1-0 to 1-D in Table 1 under the following common conditions.
エッチング条件は、塩酸5wt％の液中で、温度50℃、
電流密度50mA/cm2、電気量50クーロンである。Etching conditions were as follows: a solution of 5 wt% hydrochloric acid, a temperature of 50 ° C,
The current density is 50 mA / cm 2 and the quantity of electricity is 50 coulombs.
このエッチングが終了したものを水洗後、硼酸液中で
100mAの定電流で化成を行って酸化皮膜を形成した後、
再び水洗、乾燥させ、一定の面積（10cm2）に切断して
静電容量を測定した。この結果を第２表に示す。After the etching is completed, the substrate is washed with water and then in a boric acid solution.
After forming an oxide film by forming at a constant current of 100 mA,
It was washed again with water, dried, cut into a certain area (10 cm 2 ), and the capacitance was measured. Table 2 shows the results.
実施例２ 第１工程：直流エッチング この直流エッチングは、実施例１と同じ条件で行っ
た。 Example 2 First step: DC etching This DC etching was performed under the same conditions as in Example 1.
第２工程：ケミカルエッチング この工程はケミカルエッチング法を用いた。このエッ
チングでは、温度90℃の硫酸5wt％の溶液中に50ないし4
00秒間アルミニウム箔を浸漬処理し、このエッチング条
件のうち処理時間の値を変えて第３表に示すＡ〜Ｄの４
条件でエッチングを行い、開口径が異なるエッチングが
達成できるようにした。また、この第２工程を行わな
い、即ち、第１工程のみの場合についても同表中に示し
た。Second step: Chemical etching This step used a chemical etching method. In this etching, 50 to 4% in a solution of 5 wt% sulfuric acid at a temperature of 90 ° C.
The aluminum foil was immersed for 00 seconds, and the processing time value was changed among the etching conditions to change the value of A to D shown in Table 3
Etching was performed under the conditions so that etching with different opening diameters could be achieved. The table also shows the case where the second step is not performed, that is, the case where only the first step is performed.
第３工程：交流エッチング 第１表の１−０ないし１−Ｄのそれぞれの例につい
て、実施例１の第３工程での交流エッチングと同一条件
でエッチングを行った。 Third Step: AC Etching For each of the examples 1-0 to 1-D in Table 1, etching was performed under the same conditions as the AC etching in the third step of Example 1.
このエッチングが終了したものを水洗後、実施例１と
同じ条件で酸化皮膜を形成し、静電容量を測定した。こ
の結果を第４表に示す。After the etching was completed, the substrate was washed with water, an oxide film was formed under the same conditions as in Example 1, and the capacitance was measured. Table 4 shows the results.
実施例３ 第１工程：直流エッチング エッチング条件は実施例１と同一である。 Example 3 First Step: DC Etching The etching conditions are the same as in Example 1.
第２工程：直流エッチング この工程のエッチング条件も実施例１と同一である。
したがって、第２工程終了時点の箔の平均開口径は第１
表と同一である。Second step: DC etching The etching conditions in this step are the same as in the first embodiment.
Therefore, the average opening diameter of the foil at the end of the second step is the first opening diameter.
It is the same as the table.
第３工程：パルスエッチング 第１表の１−０ないし１−Ｄのそれぞれの例で得られ
た箔について以下の共通の条件でパルスエッチングを行
った。Third Step: Pulse Etching Pulse etching was performed on the foils obtained in Examples 1-0 to 1-D in Table 1 under the following common conditions.
エッチング条件は、食塩25wt％の水溶液中で、温度75
℃、電流密度1A/cm2、電気量25クーロンである。The etching conditions are as follows:
° C, current density 1A / cm 2 , quantity of electricity 25 coulombs.
このエッチングが終了したものを水洗後、実施例１と
同じ条件で酸化皮膜を形成し、静電容量を測定した。こ
の結果を第５表に示す。After the etching was completed, the substrate was washed with water, an oxide film was formed under the same conditions as in Example 1, and the capacitance was measured. Table 5 shows the results.
以上の実験結果からの明らかなように、この実施例の
各条件でエッチング処理を施したアルミニウム箔に静電
容量を測定すると、この発明のトンネル状のエッチング
孔の開口径拡大処理、即ち、第２工程で行った処理によ
って、単位面積あたりの静電容量の増加が図れることが
認められた。 As is clear from the above experimental results, when the capacitance was measured on the aluminum foil that had been subjected to the etching treatment under the conditions of this embodiment, the opening diameter of the tunnel-shaped etching hole of the present invention, that is, It was recognized that the capacitance per unit area could be increased by the treatment performed in two steps.
また、開口径の適切な大きさの範囲については、各実
施例から判るように、下限は１μｍを越える必要があ
り、一方、上限は４μｍを越えると、静電容量の増大に
殆ど変化がないかむしろ減少する傾向をみせるととも
に、エッチング時間が長くなることや、アルミニウムの
溶解量が増える等の弊害が出てくる。このことから、最
適な平均開口径は、１μｍ〜４μｍの範囲であることが
判る。As can be seen from the examples, the appropriate range of the opening diameter needs to have a lower limit exceeding 1 μm, while an upper limit exceeding 4 μm causes little change in the increase in capacitance. On the contrary, it tends to decrease, and adverse effects such as an increase in the etching time and an increase in the amount of aluminum dissolved appear. From this, it is understood that the optimum average opening diameter is in the range of 1 μm to 4 μm.
以上述べたように、この発明によれば、次のような効
果が得られる。As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained.
（ａ） 第１の直流エッチングで形成したトンネル状の
エッチング孔を第２の直流エッチングによって拡大し、
その上に交流電流又はパルス電流によるエッチング処理
を施すので、エッチング処理が効果的に行われることに
なり、電解コンデンサ用電極の拡面率の増大を図ること
ができ、このような電解コンデンサ用電極を用いれば、
電解コンデンサの単位体積当りの容量を高めることがで
き、ひいては電解コンデンサの小型化、大容量化を図る
ことができる。(A) Enlarging the tunnel-shaped etching hole formed by the first DC etching by the second DC etching,
Since an etching process using an alternating current or a pulse current is performed thereon, the etching process is effectively performed, and the surface area of the electrode for the electrolytic capacitor can be increased. If you use
The capacity per unit volume of the electrolytic capacitor can be increased, and the size and capacity of the electrolytic capacitor can be reduced.
（ｂ） 第１の直流エッチングで１μｍ未満の開口径を
持つエッチング孔を形成し、第２の直流エッチングでそ
の開口径を１μｍ〜４μｍに拡大し、その上に交流電流
又はパルス電流によるエッチング処理を施すので、効率
的なエッチング処理が行われ、拡面率の高い電極を製造
できる。(B) An etching hole having an opening diameter of less than 1 μm is formed by the first DC etching, the opening diameter is enlarged to 1 μm to 4 μm by the second DC etching, and an etching process using an alternating current or a pulse current is performed thereon. Is applied, an efficient etching process is performed, and an electrode having a high surface area can be manufactured.
（ｃ） 第１及び第２の直流エッチングの処理条件の変
更についての自由度があり、その変更によって拡面率の
高い電解コンデンサ用電極を生産することができる。(C) There is a degree of freedom in changing the processing conditions of the first and second DC etching, and the change can produce an electrode for an electrolytic capacitor having a high surface area.
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−268237（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−169130（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−108728（ＪＰ，Ａ) 特公 昭54−40379（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01G 9/04 304Continuation of front page (56) References JP-A-63-268237 (JP, A) JP-A-60-169130 (JP, A) JP-A-55-108728 (JP, A) JP-A-54-40379 (JP) , B2) (58) Field surveyed (Int. Cl. 6 , DB name) H01G 9/04 304
Claims (4)
チングによりトンネル状のエッチング孔を形成し、次
に、第２の直流エッチングにより前記エッチング孔の拡
大処理を行い、次に、交流電流又はパルス電流を加えて
電解エッチングを行うことを特徴とする電解コンデンサ
用電極のエッチング方法。1. A tunnel-shaped etching hole is formed in a high-purity aluminum electrode by a first direct current etching, and then the etching hole is expanded by a second direct current etching. A method for etching an electrode for an electrolytic capacitor, characterized in that electrolytic etching is performed by applying a current.
直流エッチングにより１μｍ未満の口径を持つ前記エッ
チング孔を形成し、次に、前記第２の直流エッチングに
より前記エッチング孔の口径を１μｍないし４μｍに拡
大することを特徴とする請求項１記載の電解コンデンサ
用電極のエッチング方法。2. An etching hole having a diameter of less than 1 .mu.m is formed in said high-purity aluminum electrode by said first direct current etching, and then said etching hole has a diameter of 1 .mu.m to 4 .mu.m by said second direct current etching. The method for etching an electrode for an electrolytic capacitor according to claim 1, wherein the method is expanded.
件を異ならせた直流エッチングであることを特徴とする
請求項１記載の電解コンデンサ用電極のエッチング方
法。3. The method for etching an electrode for an electrolytic capacitor according to claim 1, wherein said first and second DC etchings are DC etchings having different conditions.
ッチングであることを特徴とする請求項１記載の電解コ
ンデンサ用電極のエッチング方法。4. The method for etching an electrode for an electrolytic capacitor according to claim 1, wherein said second DC etching is a chemical etching.
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