JP2753419B2 - 光増幅器 - Google Patents
光増幅器Info
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- JP2753419B2 JP2753419B2 JP4127527A JP12752792A JP2753419B2 JP 2753419 B2 JP2753419 B2 JP 2753419B2 JP 4127527 A JP4127527 A JP 4127527A JP 12752792 A JP12752792 A JP 12752792A JP 2753419 B2 JP2753419 B2 JP 2753419B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光伝送システムや光信
号処理において必要とされる光増幅器に関するものであ
る。
号処理において必要とされる光増幅器に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】図2は従来の光増幅器の基本構成を示す
もので、外部共振器形励起光源1から出力される励起光
を光カプラ2を介して導波型光増幅媒質3に入射するこ
とにより該導波型光増幅媒質3を励起し、これによって
同じく光カプラ2を介して導波型光増幅媒質3に入射さ
れる信号光を増幅して出力する如くなしていた。
もので、外部共振器形励起光源1から出力される励起光
を光カプラ2を介して導波型光増幅媒質3に入射するこ
とにより該導波型光増幅媒質3を励起し、これによって
同じく光カプラ2を介して導波型光増幅媒質3に入射さ
れる信号光を増幅して出力する如くなしていた。
【0003】また、図3は外部共振器形励起光源の一例
を示すもので、高反射率及び低反射率(例えば、それぞ
れ90%及び10%)のミラー4及び5の間に、発振波
長の変動が導波型光増幅媒質の吸収波長幅に比べて充分
小さくない光源本体、例えば半導体レーザ(LD)6
と、透過波長幅が導波型光増幅媒質の吸収波長幅に比べ
て充分小さく且つその吸収のピーク波長付近にある波長
選択素子7とを配置することにより、その発振波長、即
ち励起光の波長を導波型光増幅媒質の吸収のピーク波長
付近に限定するようになしていた。
を示すもので、高反射率及び低反射率(例えば、それぞ
れ90%及び10%)のミラー4及び5の間に、発振波
長の変動が導波型光増幅媒質の吸収波長幅に比べて充分
小さくない光源本体、例えば半導体レーザ(LD)6
と、透過波長幅が導波型光増幅媒質の吸収波長幅に比べ
て充分小さく且つその吸収のピーク波長付近にある波長
選択素子7とを配置することにより、その発振波長、即
ち励起光の波長を導波型光増幅媒質の吸収のピーク波長
付近に限定するようになしていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記外
部共振器形励起光源では波長選択素子の透過損失等によ
りLDから取出し可能な励起光パワーが低く、その分、
導波型光増幅媒質の励起が弱くなるため、光増幅器の雑
音特性を劣化させるという問題があった。
部共振器形励起光源では波長選択素子の透過損失等によ
りLDから取出し可能な励起光パワーが低く、その分、
導波型光増幅媒質の励起が弱くなるため、光増幅器の雑
音特性を劣化させるという問題があった。
【0005】本発明は前記従来の問題点に鑑み、発振波
長が充分狭く且つパワーの大きな励起光を導波型光増幅
媒質へ入力でき、雑音特性に優れた光増幅器を提供する
ことを目的とする。
長が充分狭く且つパワーの大きな励起光を導波型光増幅
媒質へ入力でき、雑音特性に優れた光増幅器を提供する
ことを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】図1は本発明の光増幅器
の基本構成を示すもので、図中、8は励起光源、9,1
0は光カプラ、11は導波型光増幅媒質、12は波長選
択素子、13はミラーである。励起光源8は、図4に示
すように、高反射率及び低反射率(例えば、それぞれ9
0%及び10%)のミラー14及び15の間に、発振波
長の変動が導波型光増幅媒質11の吸収波長幅に比べて
充分小さくない光源本体、例えば半導体レーザ(LD)
16が配置されている。また、波長選択素子12は、図
5に示すように、導波型光増幅媒質11の吸収波長幅τ
に比べて充分狭く、しかもピーク波長が導波型光増幅媒
質11の吸収のピーク波長λc である透過率特性17を
備えている。
の基本構成を示すもので、図中、8は励起光源、9,1
0は光カプラ、11は導波型光増幅媒質、12は波長選
択素子、13はミラーである。励起光源8は、図4に示
すように、高反射率及び低反射率(例えば、それぞれ9
0%及び10%)のミラー14及び15の間に、発振波
長の変動が導波型光増幅媒質11の吸収波長幅に比べて
充分小さくない光源本体、例えば半導体レーザ(LD)
16が配置されている。また、波長選択素子12は、図
5に示すように、導波型光増幅媒質11の吸収波長幅τ
に比べて充分狭く、しかもピーク波長が導波型光増幅媒
質11の吸収のピーク波長λc である透過率特性17を
備えている。
【0007】
【作用】図1において、励起光源8から出力された励起
光は光カプラ9を介して導波型光増幅媒質11に入射さ
れ、該導波型光増幅媒質11を透過した後、光カプラ1
0を介して波長選択素子12に導かれるが、該波長選択
素子12は前述したような透過率特性17を備えている
ため、導波型光増幅媒質11の吸収のピーク波長λc 付
近の成分のみが透過してミラー13に到達する。該ミラ
ー13に到達した励起光は反射されて、再び波長選択素
子12、光カプラ10、導波型光増幅媒質11及び光カ
プラ9を介して励起光源8に帰還されることになり、ミ
ラー13と励起光源8のミラー14とによって構成され
る共振器により、前記励起光は増幅される。この際、導
波型光増幅媒質11はLD16と波長選択素子12との
間に位置しているため、該波長選択素子12による透過
損失等を受けない、即ち発振波長が充分狭く且つパワー
の大きな励起光が入射されることになり、導波型光増幅
媒質11は該励起光によって励起され、光カプラ9を介
して入射される信号光を増幅して出力する。
光は光カプラ9を介して導波型光増幅媒質11に入射さ
れ、該導波型光増幅媒質11を透過した後、光カプラ1
0を介して波長選択素子12に導かれるが、該波長選択
素子12は前述したような透過率特性17を備えている
ため、導波型光増幅媒質11の吸収のピーク波長λc 付
近の成分のみが透過してミラー13に到達する。該ミラ
ー13に到達した励起光は反射されて、再び波長選択素
子12、光カプラ10、導波型光増幅媒質11及び光カ
プラ9を介して励起光源8に帰還されることになり、ミ
ラー13と励起光源8のミラー14とによって構成され
る共振器により、前記励起光は増幅される。この際、導
波型光増幅媒質11はLD16と波長選択素子12との
間に位置しているため、該波長選択素子12による透過
損失等を受けない、即ち発振波長が充分狭く且つパワー
の大きな励起光が入射されることになり、導波型光増幅
媒質11は該励起光によって励起され、光カプラ9を介
して入射される信号光を増幅して出力する。
【0008】
【実施例】図6は本発明の光増幅器の第1の実施例を示
すもので、図中、21は0.98μmファブリペロー型半導
体レーザ(FP−LD)、22,23は光カプラ、24
はエルビウム添加光ファイバ(EDF)、25は誘電体
多層膜フィルタ、26はミラーである。ここで、FP−
LD21の高反射率面(HR面)の反射率は90%、低
反射率面(AR面)の反射率は10%、ミラー26の反
射率は95%とする。誘電体多層膜フィルタ25はその
組成をTi/SiO2 、層数を約30とするもので、図
7に示すように吸収のピーク波長980nm、半値幅が
1nm程度の透過率特性27を備えており、これはED
F24の吸収の幅(10nm)に比べて充分狭い。
すもので、図中、21は0.98μmファブリペロー型半導
体レーザ(FP−LD)、22,23は光カプラ、24
はエルビウム添加光ファイバ(EDF)、25は誘電体
多層膜フィルタ、26はミラーである。ここで、FP−
LD21の高反射率面(HR面)の反射率は90%、低
反射率面(AR面)の反射率は10%、ミラー26の反
射率は95%とする。誘電体多層膜フィルタ25はその
組成をTi/SiO2 、層数を約30とするもので、図
7に示すように吸収のピーク波長980nm、半値幅が
1nm程度の透過率特性27を備えており、これはED
F24の吸収の幅(10nm)に比べて充分狭い。
【0009】前記構成において、FP−LD21から出
力された励起光は光カプラ22を介してEDF24に入
射され、該EDF24を透過した後、光カプラ23を介
して誘電体多層膜フィルタ25に導かれ、ミラー26で
反射され、再び誘電体多層膜フィルタ25、光カプラ2
3、EDF24、光カプラ22、FP−LD21の順に
帰還され、FP−LD21のHR面とミラー26とによ
り構成される共振器で増幅される。そして、光カプラ2
2を介してEDF24に入射される信号光はこの励起光
により励起されたEDF24により増幅されて出力され
る。なお、信号光の入力方向及び出力方向は逆向きでも
良い。
力された励起光は光カプラ22を介してEDF24に入
射され、該EDF24を透過した後、光カプラ23を介
して誘電体多層膜フィルタ25に導かれ、ミラー26で
反射され、再び誘電体多層膜フィルタ25、光カプラ2
3、EDF24、光カプラ22、FP−LD21の順に
帰還され、FP−LD21のHR面とミラー26とによ
り構成される共振器で増幅される。そして、光カプラ2
2を介してEDF24に入射される信号光はこの励起光
により励起されたEDF24により増幅されて出力され
る。なお、信号光の入力方向及び出力方向は逆向きでも
良い。
【0010】図8は本発明の光増幅器の第2の実施例を
示すもので、図中、31は0.98μmファブリペロー型半
導体レーザ(FP−LD)、32は光カプラ、33はエ
ルビウム添加光ファイバ(EDF)、34は回折格子で
ある。ここで、FP−LD31の高反射率面(HR面)
の反射率は90%、低反射率面(AR面)の反射率は1
0%とする。回折格子34はその溝数を1200本/nmと
するもので、図7に示した透過率特性と同様な、半値幅
が1nm程度の反射率特性を備えており、EDF33の
吸収の幅(10nm)に比べて充分に狭い。
示すもので、図中、31は0.98μmファブリペロー型半
導体レーザ(FP−LD)、32は光カプラ、33はエ
ルビウム添加光ファイバ(EDF)、34は回折格子で
ある。ここで、FP−LD31の高反射率面(HR面)
の反射率は90%、低反射率面(AR面)の反射率は1
0%とする。回折格子34はその溝数を1200本/nmと
するもので、図7に示した透過率特性と同様な、半値幅
が1nm程度の反射率特性を備えており、EDF33の
吸収の幅(10nm)に比べて充分に狭い。
【0011】前記構成において、FP−LD31から出
力された励起光は光カプラ32を介してEDF33に入
射され、該EDF33を透過した後、回折格子34に導
かれ、ここで反射され、再びEDF33、光カプラ3
2、FP−LD31の順に帰還され、FP−LD31の
HR面と回折格子34とにより構成される共振器で増幅
される。そして、光カプラ32を介してEDF33に入
射される信号光はこの励起光により励起されたEDF3
3により増幅され、回折格子34で励起光と分離されて
出力される。なお、信号光の入力方向及び出力方向は逆
向きでも良い。
力された励起光は光カプラ32を介してEDF33に入
射され、該EDF33を透過した後、回折格子34に導
かれ、ここで反射され、再びEDF33、光カプラ3
2、FP−LD31の順に帰還され、FP−LD31の
HR面と回折格子34とにより構成される共振器で増幅
される。そして、光カプラ32を介してEDF33に入
射される信号光はこの励起光により励起されたEDF3
3により増幅され、回折格子34で励起光と分離されて
出力される。なお、信号光の入力方向及び出力方向は逆
向きでも良い。
【0012】図9は本発明の光増幅器の第3の実施例を
示すもので、図中、41は0.98μmファブリペロー型半
導体レーザ(FP−LD)、42,43は光カプラ、4
4はエルビウム添加光ファイバ(EDF)、45は誘電
体多層膜フィルタである。ここで、FP−LD41の両
端面の反射率は10%とする。誘電体多層膜フィルタ4
5は第1の実施例の誘電体多層膜フィルタ25と同一の
透過率特性を備えているものとする。
示すもので、図中、41は0.98μmファブリペロー型半
導体レーザ(FP−LD)、42,43は光カプラ、4
4はエルビウム添加光ファイバ(EDF)、45は誘電
体多層膜フィルタである。ここで、FP−LD41の両
端面の反射率は10%とする。誘電体多層膜フィルタ4
5は第1の実施例の誘電体多層膜フィルタ25と同一の
透過率特性を備えているものとする。
【0013】前記構成において、FP−LD41から出
力された励起光は光カプラ42を介してEDF44に入
射され、該EDF44を透過した後、光カプラ43を介
して誘電体多層膜フィルタ45に導かれ、さらにFP−
LD41に帰還され、誘電体多層膜フィルタ45をリン
グ内に含むリングレーザにより増幅される。そして、光
カプラ42を介してEDF44に入射される信号光はこ
の励起光により励起されたEDF44により増幅されて
出力される。なお、信号光の入力方向及び出力方向は逆
向きでも良い。
力された励起光は光カプラ42を介してEDF44に入
射され、該EDF44を透過した後、光カプラ43を介
して誘電体多層膜フィルタ45に導かれ、さらにFP−
LD41に帰還され、誘電体多層膜フィルタ45をリン
グ内に含むリングレーザにより増幅される。そして、光
カプラ42を介してEDF44に入射される信号光はこ
の励起光により励起されたEDF44により増幅されて
出力される。なお、信号光の入力方向及び出力方向は逆
向きでも良い。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、導
波型光増幅媒質に、発振波長の変動が該導波型光増幅媒
質の吸収波長幅に比べて充分小さくない光源本体からの
励起光と、信号光とを入射して該信号光を増幅する光増
幅器において、導波型光増幅媒質より出射される励起光
を、透過波長幅又は反射波長幅が導波型光増幅媒質の吸
収波長幅に比べて充分小さい波長選択素子を透過させ又
は反射させた後、再び光源本体に帰還させ、光源本体も
含めて共振器を構成し、励起光波長が狭搾化するように
構成したため、導波型光増幅媒質には波長選択素子によ
る透過損失等を受けない、即ち発振波長が充分狭く且つ
パワーの大きな励起光が入射されることになり、雑音特
性に優れた光増幅器を提供することができる。
波型光増幅媒質に、発振波長の変動が該導波型光増幅媒
質の吸収波長幅に比べて充分小さくない光源本体からの
励起光と、信号光とを入射して該信号光を増幅する光増
幅器において、導波型光増幅媒質より出射される励起光
を、透過波長幅又は反射波長幅が導波型光増幅媒質の吸
収波長幅に比べて充分小さい波長選択素子を透過させ又
は反射させた後、再び光源本体に帰還させ、光源本体も
含めて共振器を構成し、励起光波長が狭搾化するように
構成したため、導波型光増幅媒質には波長選択素子によ
る透過損失等を受けない、即ち発振波長が充分狭く且つ
パワーの大きな励起光が入射されることになり、雑音特
性に優れた光増幅器を提供することができる。
【図1】本発明の光増幅器の基本構成を示す図
【図2】従来の光増幅器の基本構成を示す図
【図3】外部共振器形励起光源の一例を示す図
【図4】本発明で使用する励起光源の一例を示す図
【図5】本発明で使用する波長選択素子の透過率特性を
示す図
示す図
【図6】本発明の光増幅器の第1の実施例を示す構成図
【図7】第1の実施例で使用する波長選択素子の透過率
特性を示す図
特性を示す図
【図8】本発明の光増幅器の第2の実施例を示す構成図
【図9】本発明の光増幅器の第3の実施例を示す構成図
8…励起光源、9,10…光カプラ、11…導波型光増
幅媒質、12…波長選択素子、13…ミラー。
幅媒質、12…波長選択素子、13…ミラー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01S 3/136 H01S 3/083 H01S 3/094 H01S 3/1055
Claims (1)
- 【請求項1】 導波型光増幅媒質に、発振波長の変動が
該導波型光増幅媒質の吸収波長幅に比べて充分小さくな
い光源本体からの励起光と、信号光とを入射して該信号
光を増幅する光増幅器において、 導波型光増幅媒質より出射される励起光を、透過波長幅
又は反射波長幅が導波型光増幅媒質の吸収波長幅に比べ
て充分小さい波長選択素子を透過させ又は反射させた
後、再び光源本体に帰還させ、光源本体も含めて共振器
を構成し、励起光波長が狭搾化するように構成したこと
を特徴とする光増幅器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4127527A JP2753419B2 (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 光増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4127527A JP2753419B2 (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 光増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05327106A JPH05327106A (ja) | 1993-12-10 |
JP2753419B2 true JP2753419B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=14962225
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4127527A Expired - Fee Related JP2753419B2 (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 光増幅器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2753419B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2928149B2 (ja) * | 1995-12-14 | 1999-08-03 | 日本電気株式会社 | 光ファイバ増幅装置 |
EP1018666B1 (en) | 1998-07-23 | 2012-04-18 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical repeater |
US6678087B1 (en) | 1999-08-06 | 2004-01-13 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical amplifier and optical fiber communication system using the amplifier |
KR100794968B1 (ko) * | 2006-05-19 | 2008-01-16 | 충남대학교산학협력단 | 반도체광증폭기를 이용한 파장변환기 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04144177A (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ファイバ増幅器 |
-
1992
- 1992-05-20 JP JP4127527A patent/JP2753419B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05327106A (ja) | 1993-12-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |