JP2752277B2 - Oscillation circuit - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、水晶振動子を用いた発
振回路に関し、特に、基本波発振及び高調波発振が可能
な発振回路に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an oscillation circuit using a crystal oscillator, and more particularly, to an oscillation circuit capable of oscillating a fundamental wave and a harmonic wave.
【０００２】[0002]
【従来技術】従来より、水晶振動子を用いたコルピッツ
型発振回路として、図５に示す構成が多用されていた。2. Description of the Related Art Conventionally, the configuration shown in FIG. 5 has been frequently used as a Colpitts type oscillation circuit using a quartz oscillator.
【０００３】図において、ＸはＡＴカットされた水晶振
動子であり、Ｃ1 〜Ｃ4 はコンデンサであり、Ｒ1 〜Ｒ
7 は抵抗であり、Ｔｒ1 、Ｔｒ2 はトランジスタであ
る。In the figure, X is an AT-cut crystal unit, C 1 -C 4 are capacitors, and R 1 -R
7 is a resistor, and Tr 1 and Tr 2 are transistors.
【０００４】水晶振動子Ｘの一端は、接地されており、
他端はトランジスタＴｒ1 から成る発振部に接続されて
いる。また、トランジスタＴｒ1のエミッタは、トラン
ジスタＴｒ2 、負荷抵抗Ｒ5 、Ｒ7 等から成る増幅部に
接続されている。[0004] One end of the crystal unit X is grounded,
The other end is connected to the oscillating unit comprising a transistor Tr 1. Further, the emitter of the transistor Tr 1 is connected to an amplifying section including the transistor Tr 2 , load resistors R 5 , R 7 and the like.
【０００５】水晶振動子ＸはＡＴカットされた厚みすべ
り振動モードを有し、基本波が０．８〜３０ＭＨｚの発
振が可能である。実際には、周波数は１６７０×１／ｔ
（ｔは水晶振動子Ｘの厚み）の関係より、厚みｔを所期
の周波数となるように設定していた。しかし、近時、発
振回路を基準発振部品とするコンピュータなどの電子機
器のクロック周波数が高周波数化が行われているため、
水晶振動子Ｘの高調波発振（３次オーバトーン、５次オ
ーバトーン）の発振を利用していた。３次オーバトーン
では、３〜７５ＭＨｚ、５次オーバトーンでは、５〜１
２５ＭＨｚの発振が可能であった。The crystal resonator X has an AT-cut thickness shear vibration mode, and can oscillate with a fundamental wave of 0.8 to 30 MHz. In practice, the frequency is 1670 × 1 / t
(T is the thickness of the crystal unit X), the thickness t was set to be the desired frequency. However, recently, the clock frequency of electronic devices such as computers using an oscillation circuit as a reference oscillation component has been increasing, so that
The oscillation of the harmonic oscillation (third-order overtone, fifth-order overtone) of the crystal unit X has been used. 3 to 75 MHz for the third overtone, 5-1 for the fifth overtone
Oscillation at 25 MHz was possible.
【０００６】水晶振動子Ｘの基本波による発振と、３次
オーバトーンの高調波による発振は、発振部のコンデン
サＣ1 、Ｃ2 の容量値の値により決定され、基本波によ
る発振では、コンデンサＣ1 、Ｃ2の値を例えば、２２
〜４７ｐＦ、３３〜６８ｐＦに設定すればよい。また３
次オーバトーンの高調波による発振では、コンデンサＣ
1 、Ｃ2の値を例えば、１０〜５６ｐＦ、１０〜８２ｐ
Ｆに設定すればよい。The oscillation by the fundamental wave of the crystal unit X and the oscillation by the harmonic of the third overtone are determined by the capacitance values of the capacitors C 1 and C 2 of the oscillation unit. The values of C 1 and C 2 are, for example, 22
４７47 pF and 33-68 pF may be set. 3
In the oscillation by the harmonic of the next overtone, the capacitor C
1, the value of C 2 For example, 10~56pF, 10~82p
What is necessary is just to set to F.
【０００７】増幅部の負荷抵抗Ｒ5 、Ｒ7 は、それぞれ
発振の波形整形するために、所定の抵抗値となってお
り、基本波による発振では、負荷抵抗Ｒ5 、Ｒ7 の値を
例えば、４．３ｋΩ、３００Ωに設定すればよい。また
３次オーバトーンの高調波による発振では、負荷抵抗Ｒ
5 、Ｒ7 の値を例えば、６．８ｋΩ、２３０Ωに設定す
ればよい。The load resistors R 5 and R 7 of the amplifying section have predetermined resistance values for shaping the waveform of oscillation, respectively. In the case of oscillation by a fundamental wave, the values of the load resistors R 5 and R 7 are set to, for example, , 4.3 kΩ and 300 Ω. In addition, in the case of the oscillation caused by the harmonic of the third overtone, the load resistance R
5, the value of R 7 example, 6.8Keiomega, may be set to 230Omu.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】したがって、従来で
は、基本波発振用の回路定数と、３次オーバトーンの高
調波発振用の回路定数が異なるため、２つの発振を達成
するため、それぞれ別体の回路基板を用意しておく必要
があった。Therefore, conventionally, the circuit constants for the fundamental wave oscillation and the circuit constants for the harmonic oscillation of the third overtone are different from each other. It was necessary to prepare a circuit board.
【０００９】このため、回路基板上の負荷抵抗Ｒ5 、Ｒ
7 を厚膜抵抗体膜で形成した時には、それぞれの基板に
おいて、抵抗値調整のトリミング量が異なり、製造工程
において極めて煩雑となる。また、コンデンサＣ1 、Ｃ
2 として、チップコンデンサを回路基板上に配置する際
に、誤配置による発振不良があった。従来では、製造工
程中におけるハンドリングミスにより製造歩留が約９７
％であった。For this reason, the load resistors R 5 , R 5 on the circuit board
When 7 is formed of a thick resistor film, the amount of trimming for adjusting the resistance of each substrate is different, which makes the manufacturing process extremely complicated. The capacitors C 1 and C
As the second problem, when the chip capacitor was placed on the circuit board, there was an oscillation failure due to misplacement. Conventionally, the manufacturing yield was about 97 due to handling errors during the manufacturing process.
%Met.
【００１０】本発明は、上述の問題点を解決するために
案出されたものであり、その目的は、基本波発振と高調
波発振が同一回路基板で容易に選択でき、両発振回路基
板の加工が簡略でき、基板の選択による発振不良を防止
できる発振回路を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to enable fundamental oscillation and harmonic oscillation to be easily selected on the same circuit board. An object of the present invention is to provide an oscillation circuit which can be processed easily and can prevent oscillation failure due to selection of a substrate.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、水晶振
動子と、該水晶振動子に接続される発振部と、該発振部
に接続され、負荷抵抗を有する増幅段とが、所定配線パ
ターンによって接続されて成る発振回路において、前記
負荷抵抗が、所定抵抗値に設定された厚膜抵抗体膜の基
本波発振用負荷抵抗及び高調波発振用負荷抵抗とから成
り、該各負荷抵抗の各々に絶縁保護膜が被覆されていな
い露出部にスリットが形成された配線パターンが接続さ
れて成るとともに、前記基本波発振用負荷抵抗又は高調
波発振用負荷抵抗に接続された配線パターンの上記一方
のスリットに導電性部材を充填塗布して導通せしめ、基
本波発振用負荷抵抗又は高調波発振用負荷抵抗を選択し
て、基本波発振動作又は高調波発振動作のいずれかを選
択可能にしたことを特徴とする発振回路である。According to the present invention, a quartz oscillator, an oscillating unit connected to the quartz oscillator, and an amplifying stage connected to the oscillating unit and having a load resistance include a predetermined wiring. In an oscillation circuit connected by a pattern, the load resistance comprises a load resistance for a fundamental wave oscillation and a load resistance for a harmonic oscillation of a thick film resistor film set to a predetermined resistance value. Wiring patterns each having a slit formed in an exposed portion that is not covered with an insulating protective film, and the one of the wiring patterns connected to the fundamental wave oscillation load resistance or the harmonic oscillation load resistance. Filling and applying a conductive material to the slits to make it conductive, and selecting either the load resistance for fundamental wave oscillation or the load resistance for harmonic oscillation, and making it possible to select either fundamental wave oscillation operation or harmonic oscillation operation An oscillation circuit according to claim.
【００１２】[0012]
【作用】上述のように、基本波発振制御用負荷抵抗と高
調波発振制御用負荷抵抗とが、１つの発振回路基板上に
形成されており、これらの抵抗のうちいずれかを動作さ
せるための選択手段が、該抵抗と接続する回路パターン
の一部に設けた。このため、発振回路基板が基本波発振
と３次オーバトーンなどの高調波発振とを兼用できる。
これにより、抵抗器やトリミングの誤値配置、誤値加工
や基板選択の誤りがなく、これらによる発振不良を防止
できる。As described above, the load resistance for fundamental wave oscillation control and the load resistance for harmonic oscillation control are formed on one oscillation circuit board, and are used to operate any of these resistors. Selection means is provided on a part of the circuit pattern connected to the resistor. Therefore, the oscillation circuit board can use both the fundamental oscillation and the harmonic oscillation such as the third overtone.
As a result, there is no erroneous value arrangement of the resistor or trimming, erroneous value processing, or erroneous substrate selection, and it is possible to prevent oscillation failure due to these.
【００１３】また、１つ発振回路基板のみを用意するた
め、例えば、負荷抵抗を厚膜抵抗体で形成するなどの回
路基板の製造工程が一元化され、抵抗値の調整のトリミ
ング加工も１つのパターンで行えるので、生産性が向上
する。Also, since only one oscillation circuit board is prepared, the manufacturing process of the circuit board, for example, forming a load resistor with a thick film resistor is unified, and the trimming process for adjusting the resistance value is performed in one pattern. , The productivity is improved.
【００１４】さらに、基本波発振、高調波発振の選択が
回路基板の回路パターンの開放状態で行うので、基本波
発振、高調波発振の確認が目視により容易にできる。Further, since the selection of the fundamental wave oscillation and the harmonic wave oscillation is made in an open state of the circuit pattern of the circuit board, the fundamental wave oscillation and the harmonic wave oscillation can be easily confirmed by visual observation.
【００１５】[0015]
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１は本発明の実施例を示す発振回路図であり、図２はそ
の発振回路に使用する回路基板を示す。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an oscillation circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows a circuit board used for the oscillation circuit.
【００１６】図において、Ｘは水晶振動子であり、Ｃ1
〜Ｃ4 はコンデンサであり、Ｒ1 〜Ｒ4 、Ｒ6 、Ｒ
5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ、Ｒ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅは抵抗であり、Ｔｒ1 は
発振用トランジスタであり、Ｔｒ2 は増幅用トランジス
タである。In the figure, X is a quartz oscillator, and C 1
-C 4 is a capacitor, R 1 ~R 4, R 6 , R
5 D, R 7 D, R 5 E, R 7 E is the resistance, Tr 1 is oscillating transistor, Tr 2 is an amplification transistor.
【００１７】発振回路は、水晶振動子Ｘと、該水晶振動
子Ｘに接続され、発振用トランジスタＴｒ1 及びコンデ
ンサＣ1 、Ｃ2 、Ｃ4 から主に成る発振部Ｙと、Ｔｒ2
は増幅用トランジスタと負荷抵抗Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ、Ｒ5
Ｅ、Ｒ7 Ｅとから主に成る増幅部Ｚとから構成されてい
る。The oscillation circuit includes a crystal unit X, an oscillation unit Y connected to the crystal unit X, and mainly composed of an oscillation transistor Tr 1 and capacitors C 1 , C 2 , and C 4 , and Tr 2.
Is an amplifying transistor and load resistors R 5 D, R 7 D, R 5
And an amplification section Z mainly composed of E and R 7 E.
【００１８】水晶振動子Ｘは、例えば、ＡＴカットかさ
れた水晶片であり、その両主面には夫々振動電極が形成
されている。水晶振動子の厚みｔを１００μｍにすれ
ば、水晶振動子の周波数は、基本波が１６．７ＭＨｚ、
３次オーバトーンの高調波が５０．１ＭＨｚが可能とな
る。The crystal resonator X is, for example, a crystal blank cut by AT, and has vibration electrodes formed on both main surfaces thereof. If the thickness t of the crystal unit is 100 μm, the frequency of the crystal unit is 16.7 MHz for the fundamental wave,
The harmonic of the third overtone can be 50.1 MHz.
【００１９】この水晶振動子Ｘの一端は接地され、他端
は、発振用トランジスタＴｒ1 に接続されている。ここ
で、水晶振動子Ｘと発振用トランジスタＴｒ1 との間に
接続されたコンデンサＣ1 、Ｃ2 の容量値を制御するこ
とにより、基本波又は３次オーバトーンなどの高調波の
発振が可能となる。例えば、コンデンサＣ1 を２２ｐ
Ｆ、コンデンサＣ2 を４７ｐＦにすれば、基本波発振と
なり、コンデンサＣ1を３３ｐＦ、コンデンサＣ2 を６
８ｐＦにすれば、３次オーバトーンの高調波発振とな
る。[0019] One end of the crystal resonator X is grounded, and the other end is connected to the oscillation transistor Tr 1. Here, by controlling the capacitance values of the capacitors C 1 and C 2 connected between the crystal unit X and the oscillation transistor Tr 1, it is possible to oscillate a fundamental wave or a harmonic such as a third overtone. Becomes For example, 22p capacitor C 1
F, if the capacitor C 2 to 47pF, becomes fundamental oscillation, the capacitor C 1 33pF, the capacitor C 2 6
With 8 pF, third-order overtone harmonic oscillation occurs.
【００２０】前記基本波又は高調波発振は、出力は、発
振用トランジスタＴｒ1 のコレクタと接続された増幅用
トランジスタＴｒ2 のコレクタより出力される。[0020] The fundamental wave or harmonic oscillation output is outputted from the collector of the amplifying transistor Tr 2 which is connected to the collector of the oscillation transistor Tr 1.
【００２１】発振回路において、抵抗Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ又
はＲ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅは発振出力波形を整形するための抵抗
であり、基本波発振時には、抵抗Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄを動作
させ、高調波発振時には抵抗Ｒ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅを動作させ
る。この基本波発振時に動作する抵抗Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ
は、夫々４．３ｋΩ、３００Ω、抵抗Ｒ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅ
は、夫々６．８ｋΩ、２３０Ωに設定されている。ま
た、各抵抗Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ、Ｒ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅと駆動電圧
ＶＤＤ間に夫々抵抗Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ又はＲ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅ
の何れかを動作させるための選択手段である開放スイッ
チＳＰＤ1 、ＳＰＤ2 、ＳＰＥが設けられている。水晶
振動子を基本波発振させるようにコンデンサＣ1 、コン
デンサＣ2 の値を設定した時には、同時に開放スイッチ
ＳＰＤ1 、ＳＰＤ2 を短絡させる。これにより、駆動電
圧ＶＤＤとトランジスタＴｒ2 のベースとが抵抗Ｒ5 Ｄ
を介して接続され、また、コレクターとが抵抗Ｒ7 Ｄ
を介して接続されることになる。In the oscillation circuit, resistors R 5 D and R 7 D or R 5 E and R 7 E are resistors for shaping the oscillation output waveform. When the fundamental wave oscillates, the resistors R 5 D and R 7 D are connected. The resistors R 5 E and R 7 E are operated during harmonic oscillation. Resistors R 5 D and R 7 D that operate during this fundamental wave oscillation
Are 4.3 kΩ and 300 Ω, respectively, resistors R 5 E and R 7 E
Are set to 6.8 kΩ and 230Ω, respectively. Further, between each of the resistors R 5 D, R 7 D, R 5 E, R 7 E and the drive voltage VDD, the resistors R 5 D, R 7 D or R 5 E, R 7 E are respectively provided.
Open switches SPD 1 , SPD 2 , SPE are provided as selection means for operating any one of the above. When the values of the capacitors C 1 and C 2 are set so that the crystal oscillator oscillates the fundamental wave, the open switches SPD 1 and SPD 2 are simultaneously short-circuited. As a result, the drive voltage VDD and the base of the transistor Tr 2 are connected to the resistor R 5 D
And the collector is connected to the resistor R 7 D
Will be connected via.
【００２２】また、水晶振動子を高調波発振させるよう
にコンデンサＣ1 、コンデンサＣ2 の値を設定した時に
は、同時に開放スイッチＳＰＥを短絡させる。これによ
り、駆動電圧ＶＤＤとトランジスタＴｒ2 のベースとが
抵抗Ｒ5 Ｅを介して接続され、また、コレクターとが抵
抗Ｒ7 Ｅ を介して接続されることになる。Further, the capacitor C 1 the crystal oscillator so as to harmonic oscillation, when setting the value of the capacitor C 2 is to short the open switch SPE simultaneously. Thus, the base of the driving voltage VDD and the transistor Tr 2 is connected via a resistor R 5 E, also so that the collector and is connected via a resistor R 7 E.
【００２３】次に、上述の発振回路を達成するための基
板構造を図２を用いて説明し、発振回路の製造方法の概
略を説明する。Next, a substrate structure for achieving the above-described oscillation circuit will be described with reference to FIG. 2, and an outline of a method of manufacturing the oscillation circuit will be described.
【００２４】尚、図中、１は基板であり、２は配線パタ
ーンであり、３は絶縁保護膜である。In the figure, 1 is a substrate, 2 is a wiring pattern, and 3 is an insulating protective film.
【００２５】基板１はセラミックなどの絶縁基板からな
り、この基板１上に上述の発振回路が達成し得るように
配線パターン２・・・が形成される。具体的には、基板
１上に銀、又は銀−パラジウムなどの厚膜導体ペースト
を印刷し、乾燥・焼成によって形成される。また配線パ
ターン２の所定箇所には抵抗Ｒ1 〜Ｒ4 、Ｒ5 Ｄ、Ｒ 7
Ｄ、Ｒ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅが形成されている。具体的には、配
線パターン２のパッド２１・・・に酸化ルテニウムなど
の厚膜抵抗体ペーストが一部重畳されるように印刷し、
乾燥・焼成し、さらに、レーザートリミング加工によっ
て、それぞれの抵抗Ｒ1 〜Ｒ4 、Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ、Ｒ5
Ｅ、Ｒ7 Ｅが所定の抵抗値に調整される。さらに、配線
パターン２の所定箇所には、基本波又は高調波発振に最
適な抵抗Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ又はＲ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅが選択可能
な選択手段が形成されている。このような配線パターン
２、抵抗Ｒ1 〜Ｒ4 、Ｒ5 Ｄ、Ｒ7 Ｄ、Ｒ5 Ｅ、Ｒ
7 Ｅ、及び選択手段である開放スイッチＳＰＤ1 、ＳＰ
Ｄ2 、ＳＰＥが形成された基板１上に、コンデンサ、水
晶振動子が搭載されるパッド部２２を残して絶縁保護膜
３が形成される。The substrate 1 is made of an insulating substrate such as a ceramic.
So that the above-described oscillation circuit can be achieved on the substrate 1.
Wiring patterns 2 are formed. Specifically, the substrate
1. Thick film conductor paste such as silver or silver-palladium on 1
Is formed by drying and firing. In addition, wiring
A resistor R1~ RFour, RFiveD, R 7
D, RFiveE, R7E is formed. Specifically,
Ruthenium oxide or the like for pads 21 of line pattern 2
The thick film resistor paste is printed so as to partially overlap,
Drying and baking, and laser trimming
And each resistor R1~ RFour, RFiveD, R7D, RFive
E, R7E is adjusted to a predetermined resistance value. In addition, wiring
A predetermined portion of the pattern 2 has
Suitable resistance RFiveD, R7D or RFiveE, R7E is selectable
Selection means are formed. Such a wiring pattern
2, resistance R1~ RFour, RFiveD, R7D, RFiveE, R
7E, and an opening switch SPD as a selection means1, SP
DTwo, SPE formed on the substrate 1
Insulating protective film except pad portion 22 on which crystal oscillator is mounted
3 is formed.
【００２６】その後、パッド部２２にクリーム半田など
を塗布し、当該発振回路基板１を基本波発振又は高調波
発振に用いるのかを考慮して、所定容量値のコンデンサ
Ｃ1 〜Ｃ4 となるチップコンデンサを載置し、また、支
持部材が形成された水晶振動子Ｘを載置した後、リフロ
ー炉などによって前記クリーム半田を加熱溶融し、半田
接合を達成する。Then, cream solder or the like is applied to the pad portion 22 and chips that become capacitors C 1 to C 4 having predetermined capacitance values are taken into consideration, considering whether the oscillation circuit board 1 is used for fundamental oscillation or harmonic oscillation. After the capacitor is mounted and the crystal unit X on which the support member is formed is mounted, the cream solder is heated and melted by a reflow furnace or the like to achieve solder joining.
【００２７】上述の選択手段である開放スイッチＳＰＤ
1 、ＳＰＤ2 、ＳＰＥは、夫々図３に示すように、配線
パターン２がスリット３１によって分断され、このスリ
ット３１及び配線パターン２の一部が露出するように絶
縁保護膜３が形成されて構成されている。スリット３１
は、配線パターン２の印刷時に、スクリーンのパターン
ニングによって形成されるものであり、その幅は７５〜
２００μｍに設定されている。また、絶縁保護膜３によ
って露出する部分３２は、直径１．０〜２．０ｍｍの円
形、又は配線パターン方向に１．０〜２．０ｍｍ程度開
口した矩形状、多角形状と成っている。The open switch SPD which is the above-mentioned selection means
1 , SPD 2 , and SPE each include a wiring pattern 2 divided by a slit 31 and an insulating protective film 3 formed so as to expose a part of the slit 31 and the wiring pattern 2 as shown in FIG. Have been. Slit 31
Is formed by patterning a screen when printing the wiring pattern 2 and has a width of 75 to
It is set to 200 μm. The portion 32 exposed by the insulating protective film 3 has a circular shape having a diameter of 1.0 to 2.0 mm, or a rectangular or polygonal shape having an opening of about 1.0 to 2.0 mm in the wiring pattern direction.
【００２８】このような構成をした選択手段である開放
スイッチＳＰＤ1 、ＳＰＤ2 、ＳＰＥで、基本波発振の
場合には、開放スイッチＳＰＤ1 、ＳＰＤ2 を短絡さ
せ、高調波発振の場合には開放スイッチＳＰＥを短絡さ
せることになるが、短絡の方法は、図４のように、上述
露出部分３２に半田３３や導電性接着剤などを供給する
ことによって達成される。即ち、スリット３１の幅が７
５〜２００μｍ程度であるため、供給する半田３３の溶
融時の流動性、張力により容易に短絡させることは可能
である。尚、半田３３の溶融時の流動性を考慮すれば、
露出部分３２の形状は円形で、その中心にスリット３１
が位置させることが好ましい。With the open switches SPD 1 , SPD 2 , SPE which are the selecting means having such a configuration, the open switches SPD 1 , SPD 2 are short-circuited in the case of fundamental wave oscillation, and short-circuited in the case of harmonic oscillation. The open switch SPE is short-circuited. The short-circuiting method is achieved by supplying the exposed portion 32 with the solder 33 or the conductive adhesive as shown in FIG. That is, the width of the slit 31 is 7
Since the thickness is about 5 to 200 μm, it is possible to easily make a short circuit due to the fluidity and tension of the supplied solder 33 at the time of melting. In consideration of the fluidity of the solder 33 at the time of melting,
The shape of the exposed portion 32 is circular, and the slit 31
Is preferably located.
【００２９】具体的な半田３３などの供給方法として
は、上述のコンデンサＣ1 〜Ｃ4 、水晶振動子Ｘを載置
するためにクリーム半田の塗布工程時、同時に何れかの
開放スイッチＳＰＤ1 、ＳＰＤ2 、ＳＰＥの露出部分３
２にクリーム半田を塗布し、上述のリフロー炉による加
熱時におこなう。また、クリーム半田を使用せず、例え
ばコンデンサＣ1 〜Ｃ4 を接合した後に、糸半田などで
溶融した半田を露出部分３２に供給したり、また導電性
接着剤をデスペンサーなどで供給して、硬化させても構
わない。As a specific method of supplying the solder 33 and the like, at the time of applying the cream solder for mounting the above-mentioned capacitors C 1 to C 4 and the crystal oscillator X, any one of the open switches SPD 1 , SPD 2 , exposed part 3 of SPE
2 is applied when cream solder is applied and heated by the above-mentioned reflow furnace. Also, without using a cream solder, for example, after bonding the capacitor C 1 -C 4, and supplies the melted solder or the like wire solder to the exposed portion 32, also a conductive adhesive is supplied in such a dispenser It may be cured.
【００３０】上述したように、本発明の発振回路は、図
２に示す１種類の回路基板のみを用いて、選択手段であ
る開放スイッチＳＰＤ1 、ＳＰＤ2 、ＳＰＥの選択・短
絡によって基本波発振、３次オーバトーンなどの高調波
発振に適した回路定数が設定できる。As described above, the oscillation circuit of the present invention uses only one type of circuit board shown in FIG. 2 and selects and short-circuits the open switches SPD 1 , SPD 2 , and SPE as the selection means to oscillate the fundamental wave. Circuit constants suitable for harmonic oscillation such as a third-order overtone can be set.
【００３１】従来のように、開放スイッチＳＰＤ1 、Ｓ
ＰＤ2 、ＳＰＥを用いず、負荷抵抗Ｒ5 、Ｒ7 を厚膜抵
抗体膜で形成したり、抵抗値の異なるチップ抵抗器を用
いたりすれば、当然、基本波発振用回路基板、高調波発
振用回路基板の少なくとも２種類の回路基板を準備しな
くてはならず、この厚膜抵抗体膜を調整するたのレーザ
ートリミングパターンも２種類用意しなくてはならなく
なったり、チップ抵抗器の誤配置が発生する。As in the prior art, the open switches SPD 1 , SPD
If the load resistors R 5 and R 7 are formed of a thick-film resistor film or a chip resistor having a different resistance value is used without using PD 2 and SPE, a circuit board for fundamental wave oscillation, At least two types of circuit boards for oscillation must be prepared, and two types of laser trimming patterns for adjusting this thick-film resistor film must be prepared. Misplacement occurs.
【００３２】これに対して、本発明によれば、回路基板
を１種類のみを用意すればよく、レーザートリミングパ
ターンも１パターンで済み、製造工程の一元化が可能と
なり、また回路基板の汎用性が向上し、製造コスト全体
が安価となる。ここで、全く機能しない抵抗Ｒ5 Ｄ、Ｒ
7 Ｄ又はＲ5 Ｅ、Ｒ7 Ｅが存在し、それにもレーザート
リミング加工を行うことになるが、何れも同一工程で形
成、加工されるものであり、その付加的コスト、作業は
実質的に無視できることは明らかである。On the other hand, according to the present invention, only one type of circuit board needs to be prepared, only one laser trimming pattern is required, the manufacturing process can be unified, and the versatility of the circuit board is improved. And the overall manufacturing cost is lower. Here, the resistors R 5 D, R
7 D or R 5 E, there are R 7 E, but will perform laser trimming to it, both formed in the same step, which is processed, the additional costs, work is essentially It is clear that it can be ignored.
【００３３】上述した本発明において、基板１に搭載す
る部品はコンデンサ、水晶振動子であり、それらの誤配
置による歩留りが９９．８％と従来に比較して大幅に歩
留りを向上させることができる。In the above-described present invention, the components mounted on the substrate 1 are a capacitor and a crystal oscillator, and the yield due to misplacement thereof is 99.8%, which can greatly improve the yield as compared with the conventional art. .
【００３４】また、発振回路の特性検査などにおいて、
基本波発振回路か、高調波発振回路かの判断が、どの選
択手段を短絡させたかを、簡単な目視によって決定でき
るので、特性検査などに有益となる。In the characteristic inspection of the oscillation circuit, etc.,
The judgment as to the fundamental oscillation circuit or the harmonic oscillation circuit can be made by simple visual observation to determine which selection means is short-circuited, which is useful for characteristic inspection and the like.
【００３５】尚、上述の実施例では、抵抗の全てが厚膜
抵抗体膜で形成されているが、これは、最適な実施例を
示すものであり、例えば厚膜抵抗体膜を用いず、チップ
抵抗器を用いても、基板の汎用性、基板形成までの工程
が一元化させることができる。In the above-described embodiment, all of the resistors are formed by the thick-film resistor film. However, this is an optimum embodiment, and for example, the thick-film resistor film is not used. Even if a chip resistor is used, the versatility of the substrate and the process up to the formation of the substrate can be unified.
【００３６】また、選択手段である開放スイッチＳＰＥ
１０で、抵抗Ｒ7 Ｄ、Ｒ7 Ｅとの接続に共用している
が、回路パターン設計などによってその数を減しても構
わない。An opening switch SPE as a selection means is provided.
Although the number is shared with the resistors R 7 D and R 7 E at 10, the number may be reduced by circuit pattern design or the like.
【００３７】また、回路定数の設定により、基準波発
振、３次オーバトーンの高調波発振、５次のオーバトー
ンの高調波発振の３種類より、１つの発振を選択するよ
うにしてもよいし、また、３次オーバトーンの高調波発
振、５次のオーバトーンの高調波発振から１つの発振を
選択するようにしてもよいなど種々の発振回路に適用で
きるものである。Also, one oscillation may be selected from three types of reference oscillation, third-order overtone harmonic oscillation, and fifth-order overtone harmonic oscillation by setting circuit constants. Further, the present invention can be applied to various oscillation circuits such that one oscillation may be selected from the third-order overtone harmonic oscillation and the fifth-order overtone harmonic oscillation.
【００３８】[0038]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、発振回
路中に、基本波発振と高調波発振が選択可能な手段を設
けたので、複数種類の発振が同一回路基板で達成でき、
回路基板の製造工程が一元化できるため、回路基板の汎
用性が向上し、生産性が向上し、しかも、回路基板の誤
選択による発振不良を防止することができる。As described above, according to the present invention, since the oscillation circuit is provided with a means capable of selecting the fundamental oscillation or the harmonic oscillation, a plurality of types of oscillation can be achieved on the same circuit board.
Since the manufacturing process of the circuit board can be unified, the versatility of the circuit board can be improved, the productivity can be improved, and oscillation failure due to erroneous selection of the circuit board can be prevented.
【図１】本発明の発振回路図である。FIG. 1 is an oscillation circuit diagram of the present invention.
【図２】本発明の発振回路に用いる回路基板の平面図で
ある。FIG. 2 is a plan view of a circuit board used for the oscillation circuit of the present invention.
【図３】選択手段の構造を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a structure of a selection unit.
【図４】短絡状態の選択手段の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of the selection means in a short-circuit state.
【図５】従来の発振回路の回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram of a conventional oscillation circuit.
１・・・・回路基板 ２・・・・配線パターン ３・・・・絶縁保護膜 ３１・・・スリット ３２・・・露出部 Ｘ・・・水晶振動子 Ｙ・・・発振部 Ｚ・・・増幅部 Ｔｒ1 、Ｔｒ2 ・・・トランジスタ ＳＰＤ1 、ＳＰＤ2 、ＳＰＥ・・開放スイッチ Ｒ5 Ｄ、Ｒ5 Ｅ、Ｒ7 Ｄ、Ｒ7 Ｅ・・・負荷抵抗DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Circuit board 2 ... Wiring pattern 3 ... Insulating protective film 31 ... Slit 32 ... Exposed part X ... Crystal oscillator Y ... Oscillator Z ... amplifying unit Tr 1, Tr 2 ··· transistor SPD 1, SPD 2, SPE ·· opening switch R 5 D, R 5 E, R 7 D, R 7 E ··· load resistance
Claims (1)
発振部と、該発振部に接続され、負荷抵抗を有する増幅
段とが、所定配線パターンによって接続されて成る発振
回路において、 前記負荷抵抗が、所定抵抗値に設定された厚膜抵抗体膜
の基本波発振用負荷抵抗及び高調波発振用負荷抵抗とか
ら成り、該各負荷抵抗の各々に絶縁保護膜が被覆されて
いない露出部にスリットが形成された配線パターンが接
続されて成るとともに、 前記基本波発振用負荷抵抗又は高調波発振用負荷抵抗に
接続された配線パターンの上記一方のスリットに導電性
部材を充填塗布して導通せしめ、基本波発振用負荷抵抗
又は高調波発振用負荷抵抗を選択して、基本波発振動作
又は高調波発振動作のいずれかを選択可能にした ことを
特徴とする発振回路。An oscillator circuit comprising: a crystal resonator, an oscillation section connected to the crystal resonator, and an amplification stage connected to the oscillation section and having a load resistance connected by a predetermined wiring pattern. A thick-film resistor film in which the load resistance is set to a predetermined resistance value;
Consists of a fundamental wave oscillating load resistor and harmonic oscillation load resistance, insulating protective film to each of the respective load resistor is covered
Wiring patterns with slits formed on exposed
And the load resistance for fundamental wave oscillation or the load resistance for harmonic oscillation.
Conductivity is applied to one of the slits of the connected wiring pattern
Fill and apply the material to make it conductive, and load resistance for fundamental wave oscillation
Or select a load resistor for harmonic oscillation to perform fundamental oscillation operation.
Or an oscillator circuit in which one of a harmonic oscillation operation and a harmonic oscillation operation can be selected .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3284668A JP2752277B2 (en) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | Oscillation circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3284668A JP2752277B2 (en) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | Oscillation circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121938A JPH05121938A (en) | 1993-05-18 |
| JP2752277B2 true JP2752277B2 (en) | 1998-05-18 |
Family
ID=17681437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3284668A Expired - Lifetime JP2752277B2 (en) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | Oscillation circuit |
Country Status (1)
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Families Citing this family (1)
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| JP6561487B2 (en) * | 2015-02-16 | 2019-08-21 | セイコーエプソン株式会社 | Oscillator circuit, oscillator, electronic device and mobile object |
Family Cites Families (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS59156002A (en) * | 1983-02-25 | 1984-09-05 | Nec Corp | Temperature compensation piezoelectric oscillator |
| JPS6451806A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-28 | Nihon Dempa Kogyo Co | Ic for crystal oscillator |
| JPH02207603A (en) * | 1989-02-08 | 1990-08-17 | New Japan Radio Co Ltd | Crystal oscillation circuit |
-
1991
- 1991-10-30 JP JP3284668A patent/JP2752277B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05121938A (en) | 1993-05-18 |
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