JP2734005B2

JP2734005B2 - 書き換え可能な光情報記録媒体

Info

Publication number: JP2734005B2
Application number: JP63247940A
Authority: JP
Inventors: 吉和高岸; 隆石黒; 恵美子浜田; 雄治新井; 有明辛
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 1988-10-02
Filing date: 1988-10-02
Publication date: 1998-03-30
Anticipated expiration: 2013-03-30
Also published as: JPH0296942A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、データの書き換えが可能でコンパクトディ
スクフォーマットに準拠できる光情報記録媒体に関す
る。

［従来の技術］レーザ光の照射によりデータを記録し、記録時のレー
ザ光よりパワーの弱いレーザ光で記録されたデータの再
生が可能で、データを記録する光とほぼ同等かそれより
弱く、再生光より強いレーザ光でデータを消去できる、
いわゆる書き換え可能な光情報記録媒体としては、基板
の一方の主面にGd、Tb、Feのような光磁気材料の記録層
を設け、この層の上面に高反射率を有する金属層を設
け、さらに前記金属層の上面に保護層を形成した構成の
ものが既に知られている。この場合の記録層に形成され
るピット形式は、ドメイン反転タイプである。その他、
記録層に形成されるピット形式には、その記録層を形成
する記録材料の種類により、非晶質と結晶を繰り返すタ
イプ、有機材料の光異性化タイプ等がある。

［発明が解決しようとする課題］従来において開発もしくは実用化されている上記書き
換え可能な光情報記録媒体は、今最も普及しているコン
パクトディスク（CD）を再生するコンパクトディスクプ
レーヤ（CDプレーヤ）で再生することが困難である。

すなわち、光磁気材料のドメイン反転による第一のタ
イプは、カー効果による反転率の変化を読みとることに
より再生する方式であるが、反転率が低く、CDプレーヤ
では再生が不可能である。また、非晶質と結晶を繰り返
す第二のタイプは、相変化により記録層に形成されたピ
ット（マーク）におけるレーザ光の反射光量とそれ以外
の部分での反射光量との差が小さい。このため、再生信
号の変調度が低く、ディスク反射率も低いことから、CD
について定めたCDフォーマットに適合できず、CDプレー
ヤでの再生は不可能である。そして、有機材料の光異性
化による第三のタイプでは、やはり、非晶質から結晶を
繰り返すタイプと同様で、上記第二のタイプと同様の理
由からCDフォーマットを満たすことができず、CDプレー
ヤでの再生は不可能である。

本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされ
たもので、その目的は、CDフォーマットに準拠したレー
ザ光の反射率と変調度の高い再生信号が得られる書き換
え可能な光情報記録媒体を提供することにある。

［課題を解決するための手段］すなわち、上記目的を達成するため、本発明において
採用した第一の手段の要旨は、透光性基板１とレーザ光
を反射する光反射層３との間に、レーザ光を吸収するこ
とで発熱し、溶解する光吸収材と、軟化点温度が50〜15
0℃、数平均分子量が500〜25000の範囲にあり、前記光
吸収材の局部的な発熱で溶解することにより変形を起す
熱可塑性樹脂とが混合された記録層２を具備したことを
特徴とする書き換え可能な光情報記録媒体である。

さらに、第二の手段の要旨は、前記第一の手段におい
て、記録層２の複素屈折率の実数部n_recとその膜厚d_rec
と再生光の波長λで与えられるρ＝n_recd_rec/λが0.05
≦ρ≦0.6であり、かつ上記複素屈折率の虚数部k_recが
0.3以下であることを特徴とする書き換え可能な光情報
記録媒体である。

さらに、第三の手段の要旨は、透光性基板１とレーザ
光を反射する光反射層３との間に、レーザ光を吸収する
ことで発熱し、溶解する光吸収材を有する光吸収層2a
と、軟化点温度が50〜150℃、数平均分子量が500〜2500
0の範囲にあり、前記光吸収層2aの光吸収材の局部的な
発熱で溶解することにより変形を起す熱可塑性樹脂を有
する熱可塑性樹脂層2bとを形成したことを特徴とする書
き換え可能な光情報記録媒体である。

さらに、第四の手段の要旨は、上記第三の手段におい
て、光吸収層2aの複素屈折率の実数部n_absとその膜厚d
_abs及び再生光の波長λで与えられるρ＝n_absd_abs/λが
0.05≦ρ≦0.6であり、かつその複素屈折率の虚数部k
_absが0.3以下であることを特徴とする書き換え可能な光
情報記録媒体である。

［作用］上記第一と第二の手段による光情報媒体におけるデー
タの記録、再生、消去の概念を第２図と第３図に示す。

すなわち、記録に際しては、記録層２に収束したレー
ザ光を照射し、高いレーザパワーで記録層２の光吸収体
に熱的な変化を誘発させる。このとき記録層２に含まれ
る光吸収材が光エネルギーを熱エネルギーに変えると同
時に、それ自体溶融昇華、蒸発、等により、圧力の変化
を生ずる。この熱エネルギーにより記録層２に含まれる
熱可塑樹脂が軟化すると同時に、光吸収材による圧力増
大に伴い、例えば、第３図で示すような局部的な凹状の
変形を生じる。その後、この時生じた凹状変形は、樹脂
の冷却とともに固定化し、ピット５として残る。

再生に際しては、記録層２に含まれる上記光吸収材が
熱可塑性樹脂に対してその軟化点度以下の熱しか与えな
い程度のパワーのレーザー光７を光ピックアップ８から
照射し、その記録ピット５における反射光量と、その他
の部分での反射光量の差により、上記ピット５のデータ
を読み出す。このとき、ピット５の変形は伴わない。

さらに消去においては、この光吸収材自体が熱的に安
定な状態で発熱し、樹脂を軟化点温度以上にまで加熱し
得る程度のパワーのレーザ光を記録層２に照射する。こ
のとき、記録層２内の光吸収材により圧力増大は見られ
ず、熱可塑性樹脂成分が軟化し、その表面張力及び変形
時の蓄積応力により、ピット５を構成していた部分が第
２図で示すような未記録時の状態に復元する。

上記第一と第二の手段による光情報記録媒体では、記
録層２に光吸収材と熱可塑性樹脂を混合、分散させた
が、これらを光吸収層2aと熱可塑性樹脂層2bとして、別
々の層として設けたのが第三と第四の手段による光情報
記録媒体である。この光情報記録媒体のデータの記録、
再生、消去の原理は、基本的に上記光記録媒体と同じで
ある。すなわち、第６図に示すように、記録時に光吸収
層2aに発生した熱と圧力増大が、これに接する熱可塑性
樹脂層2bを軟化、変形させて、ピット５が形成される。
また、上記と同様にしてデータを消去した場合、第５図
で示すように、ピット５を形成していた熱可塑性樹脂層
2bが軟化して変形し、ピット５が復元する。

上記記録層２に含有させる熱可塑性樹脂または熱可塑
性樹脂層2bを形成する熱可塑性樹脂の軟化点温度と数平
均分子量とを上記の範囲に限定したのは、次の理由によ
る。

すなわち、軟化点温度が上記の温度範囲以下のとき
は、データを繰り返し再生するときに、既に形成したピ
ットを維持することが困難となり、また、雰囲気の温度
が高いときのピット５の維持も困難となる場合があるか
らである。また、軟化点温度が上記温度範囲を越えると
きは、記録時のピット５の形成や記録データの消去が困
難となり、再生信号のC/N値が低くなる。

他方、熱可塑性樹脂の数平均分子量の範囲について
も、ほぼ同様の理由から上記の範囲に限定されている。
すなわち、記録層２に含有される熱可塑性樹脂が上記範
囲以下のときは、光記録媒体を通常状態で保存した場合
に、既に形成したピットを維持することが困難であり、
僅かな外力を受けたときに、記録データが壊れしまうか
らである。また、数平均分子量が上記範囲を越えるとき
は、記録時のピット５の形成や記録データの消去が困難
となり、再生信号のC/N値が低くなる。

以上のようにして、データの記録、再生、消去、再記
録が行なわれる本発明による光情報記録媒体は、記録後
のピット形態が、プレス等の手段で形成されたCDのピッ
トの形態に類似しており、従来の書き換え可能な光情報
記録媒体にくらべ、高いレーザ光の反射率と、C/Nの高
い信号が再生可能となる。

さらに、第二の手段と第四の手段においてρ＝n_recd
_rec/λまたはρ＝n_absd_abs/λを0.05≦ρ≦0.6とし、か
つ上記複素屈折率の虚数部k_recまたはk_absを0.3以下と
したのは、この範囲が、再生時のレーザ光の反射率が最
も高くとれ、かつ再生信号の変調度も高く、記録エラー
も少なくなることがその理由である。

［実施例］次に、図面を参照しながら、本発明の実施例について
説明する。

第１図は、上記第一と第二の手段による光情報記録媒
体の構造を模式的に示したものである。すなわち、ポリ
カーボネート等の樹脂からなる透光性基板１の上に記録
層２を形成する。さらにこの上に金属膜からなる光反射
層３を形成し、この上に樹脂等からなる保護層４を設
け、図示のような光ディスクが構成される。

既に述べた通り、上記記録層２は、レーザ光を吸収す
る光吸収材と、軟化点温度が50〜150℃、数平均分子量
が500〜25000の範囲にある熱可塑性樹脂との混合材料に
より形成し、これら材料を均一に分散させた層である。
第２図は、第１図におけるＡ部を拡大した図であり、記
録前または記録を消去した状態を示す。また、第３図
は、同じ部分の記録した状態を示す。

第４図は、上記第三と第四の手段により光情報記録媒
体の構造を模式的に示したものである。すなわち、ポリ
カーボネート等の樹脂からなる透光性基板１の上に軟化
点温度が50〜150℃、数平均分子量が500〜25000の範囲
にある熱可塑性樹脂からなる熱可塑性樹脂層2bを形成
し、その上にレーザ光を吸収する光吸収材からなる光吸
収層2aを形成する。第５図は、第４図におけるＢ部を拡
大した図であり、記録前または記録を消去した状態を示
す。また、第６図は、同じ部分の記録した状態を示す。

この第三と第四の手段による光情報記録媒体において
は、上記熱可塑性樹脂層2bに光吸収材を含有させること
もできる。また、記録時における基板及び反射層の変形
を防ぐため基板及び反射層と、光吸収材を有する層との
間に硬質層を設けてもよい。

なお、熱可塑性樹脂層2bを形成する熱可塑性樹脂の軟
化点温度は、望ましくは80〜150℃がよく、また、その
数平均分子量は、1000〜20000の範囲がより望ましい。

次に本発明の実施例について具体的に説明する。

（実施例１）ペレット状ポリカーボーネート（帝人化学（株）製、
パンライト）から、幅0.8μｍ深さ0.12μｍピッチ1.6μ
ｍのスパイラル状プレグルーブを有する厚さ1.2mmのポ
リカーボーネート製の透光性基板１を射出成型法によっ
て形成した。

この基板１の上に熱可塑性樹脂と光吸収材とを混合分
散した記録層２を形成するため、スチレンアクリル樹脂
（軟化点105℃、数平均分子量2500）1.08gを30mlのジイ
ソブチルケトンに溶解し、この溶液に0.542gの1,1′ジ
ブチル3.3.3′３′テトラメチル4.5.4′５′ジベンゾイ
ンドジカーボシアニンパークロレート（日本感光色素
（株）製、NK3219）を加え、これを先の基板上にスピン
コート法により塗布し、膜厚210nmの記録層２を形成し
た。この記録層２においては、ρ＝0.44、k_rec＝0.025
である。

次に、この記録層２の上にスパッタリング法により、
膜厚60nmのCu膜からなる光反射層３を設け、さらにこの
光反射層３の上に紫外線硬化性樹脂（大日本インキ化学
工業（株）製、ダイキュアクリア）をスピンコートし、
これに紫外線を照射し硬化させ１μｍ厚の保護層４を設
けた。

このようにして製作した光ディスクについて、λ＝78
0nmの半導体レーザを用い、線速1.2m/sec記録パワー8.5
mWで450kHzのパルス信号を記録した。このディスクを1.
0mWの半導体レーザにより再生を行ない、反射光を検知
したところ、CNR値で50dBの再生信号が得られた。また
このときの反射率は、72.8％であった。

次いで、記録ピット上を780nm,2.5mWの楕円ビームを
1.2m/sで走査させて、上記記録データを消去した後、再
び線速1.2m/s、パワー8.5mWで波長780nmの半導体レーザ
で、720kHzのパルス信号を記録したところ、CNR値48dB
の再生信号が得られた。

（実施例２）上記実施例１において、透光性基板１をポリカーボネ
ートに代えてポリメチルメタクリレートにより形成した
こと、光反射層３を膜厚60nmのAl膜により形成したこと
以外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作し
た。なお、この光ディスクの記録層２におけるρ＝0.4
4、k_rec＝0.025である。

この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
パルス信号を記録し、その再生を行い、反射光の検知を
行なったところ、再生信号のCNR値は48dB、反射率は70.
5％であった。次いで、同様にして記録データを消去し
た後、再びパルス信号を記録したところ、CNR値48dBの
再生信号が得られた。

（実施例３）上記実施例１において、記録層２の膜厚を130nmとし
たこと、記録層２と光反射層３との間に、膜厚100nmのS
iO₂層をスパッタリング法により形成したこと、光反射
層３を膜厚60nmのAu膜により形成したこと以外は、上記
実施例１と同様にして光ディスクを製作した。なお、こ
の光ディスクの記録層２におけるρ＝0.44、k_rec＝0.02
5である。

この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
記録パワー8.5mWにてパルス信号を記録し、その再生を
行い、反射光の検知を行なったところ、再生信号のCNR
値は50dB、反射率は76.5％であった。次いで、同様にし
て記録データを消去した後、再び記録パワー8.5mWにて
パルス信号を記録したところ、CNR値47dBの再生信号が
得られた。

（実施例４）上記実施例１において、透光性基板１と光記録層２と
の間に、膜厚50nmのSiO₂層をスパッタリング法により形
成したこと、記録層２に含有させる光吸収材として、0.
261gの１、１′ジエチル３、３、３′、３′テトラメチ
ルインドトリカーボシアニンパークロレート（日本感光
色素（株）製、NK2885）を加えたこと、同記録層２の膜
厚を100nmとしたこと、記録層２と光反射層３との間
に、膜厚100nmのSiO₂層をスパッタリング法により形成
したこと、光反射層３を膜厚60nmのAg膜により形成した
こと以外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製
作した。なお、この光ディスクの記録層２におけるρ＝
0.22、k_rec＝0.200である。

この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
記録パワー9.0mWにてパルス信号を記録し、その再生を
行い、反射光の検知を行なったところ、再生信号のCNR
値は48dB、反射率は70.4％であった。次いで、同様にし
て記録データを消去した後、再び記録パワー9.0mWにて
パルス信号を記録したところ、CNR値45dBの再生信号が
得られた。

（実施例５）上記実施例１において、記録層２を形成するための熱
可塑性樹脂を溶解したコーティング剤に、光吸収材を0.
360g加えたこと、同記録層２の膜厚を140nmとしたこと
以外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作し
た。なお、この光ディスクの記録層２におけるρ及びk
recはρ及びk_recは、ρ＝0.32、k_rec＝0.020である。

この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
記録パワー10.0mWにてパルス信号を記録し、その再生を
行い、反射光の検知を行なったところ、再生信号のCNR
値は48dB、反射率は74.4％であった。次いで、同様にし
て記録データを消去した後、再び記録パワー10.0mWにて
パルス信号を記録したところ、CNR値48dBの再生信号が
得られた。

（実施例６）上記実施例１において、記録層２を形成するための熱
可塑性樹脂を溶解したコーティング剤に、光吸収材を1.
08g加えたこと、同記録層２の膜厚を140nmとしたこと以
外は、上記実施例と同様にして光ディスクを製作した。
なお、この光ディスクの記録層２におけるρ及びk rec
はρ＝0.38、k_rec＝0.030である。

この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
記録パワー7.5mWにてパルス信号を記録し、その再生を
行い、反射光の検知を行なったところ、再生信号のCNR
値は54dB、反射率は70.3％であった。次いで、同様にし
て記録データを消去した後、再び記録パワー7.5mWにて
パルス信号を記録したところ、CNR値45dBの再生信号が
得られた。

（実施例７）上記実施例１において、記録層２を形成するための熱
可塑性樹脂を溶解したコーティング剤に、光吸収材を2.
16g加えたこと、同記録層２の膜厚を140nmとしたこと以
外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作し
た。なお、この光ディスクの記録層２におけるρ及びk
recはρ＝0.41、k_rec＝0.040である。

この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
記録パワー7.0mWにてパルス信号を記録し、その再生を
行い、反射光の検知を行なったところ、再生信号のCNR
値は55dB、反射率は70.9％であった。次いで、同様にし
て記録データを消去した後、再び記録パワー7.0mWにて
パルス信号を記録したところ、CNR値42dBの再生信号が
得られた。

（実施例８）上記実施例１において、記録層２に含有させる熱可塑
性樹脂としてポリアミド樹脂（軟化点105℃、数平均分
子量1500）を1.08g溶解して用いたこと、同記録層２の
膜厚を130nmとしたこと以外は、上記実施例１と同様に
して光ディスクを製作した。なお、この光ディスクの記
録層２におけるρ及びk recはρ＝0.37、k_rec＝0.026で
ある。

この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
記録パワー10.5mWにてパルス信号を記録し、その再生を
行い、反射光の検知を光なったところ、再生信号のCNR
値は50dB、反射率は73.2％であった。次いで、同様にし
て記録データを消去した後、再び記録パワー10.5mWにて
パルス信号を記録したところ、CNR値49dBの再生信号が
得られた。

（実施例９）上記実施例１において、記録層２に含有させる熱可塑
性樹脂としてポリプロピレン（軟化点130℃、数平均分
子量3000）を用いたこと、同記録層２の膜厚を140nmと
したこと、光反射層３を膜厚60nmのCu膜により形成した
こと以外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製
作した。なお、この光ディスクの記録層２におけるρ及
びk recはρ＝0.35、k_rec＝0.026である。

この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
記録パワー10.0mWにてパルス信号を記録し、その再生を
行い、反射光の検知を行なったところ、再生信号のCNR
値は49dB、反射率は72.4％であった。次いで、同様にし
て記録データを消去した後、再び記録パワー10.0mWにて
パルス信号を記録したところ、CNR値47dBの再生信号が
得られた。

（実施例10）幅0.8μｍ深さ0.12μｍピッチ1.6μｍのスパイラル状
プレグルーブを有する厚さ1.2mmのポリカーボーネート
製基板（帝人化成（株）製、パンライト）を射出成型法
によって形成した。

この基板上に、ポリアミド樹脂（軟化点105℃、数平
均分子量1500）0.52gを20mlのブタノールに溶解し、こ
れを上記基板１の上にスピンコートし、膜厚50nmの熱可
塑性樹脂層2bを形成した。

さらに1.1′ジブチル3.3.3′３′テトラメチル4.5.
4′５′ジベンゾインドジカーボシアニンアイオダイド
（日本感光色素（株）製、NK3251）195mgを3mlの２−ニ
トロプロパンに溶解し、これを前記可塑性樹脂層2bの上
に塗布し、膜厚130nmの光吸収層2aを形成した。この光
吸収層2aにおけるρ及びk recはρ＝0.45、k_abs＝0.50
である。

次に、この光吸収層2aの上に、光反射層３として膜厚
60nmのAg膜を真空蒸着により形成し、続いてこの上面に
紫外線硬化性樹脂（大日本インキ化学工業（株）製、ダ
イキュアクリア）をスピンコートし、これに紫外線を照
射して硬化させ、10μｍの保護層を設けた。

このようにして作成したディスクについて、λ＝780n
mの半導体レーザを用い、線速1.2m/sec記録パワー11.5m
Wで450kHzのパルス信号を記録した。このディスクにつ
いて記録パワー1.0mW、波長780nmの半導体レーザにより
再生を行ない、反射光を検知したところ、CNR値で52dB
の再生信号が得られた。また、このときの反射率は71.5
％であった。

この記録ピット上を780nm2.5mWのだ円ビームを1.2m/s
で走査させて、記録データを消去した後、再び線速1.2m
/s、記録パワー11.5mWの波長780nm半導体レーザで、720
kHzのパルス信号を記録したところ、CNR値51dBの再生信
号が得られた。

（実施例11）上記実施例10において、透光性基板１をポリカーボネ
ートに代えてポリメチルメタクリレートにより形成した
こと、光吸収層2aを形成する光吸収材として1.1′ジブ
チル3.3.3′３′テトラメチル4.5.4′５′ジベンゾイン
ドジカーボシアニンパークロレート（日本感光色素
（株）製、NK3219）を用いたこと、光反射層３をAu膜に
より形成したこと以外は、上記実施例１と同様にして光
ディスクを製作した。なお、この光ディスクの光吸収層
2aにおけるρ及びk recはρ＝0.46、k_abs＝0.05であ
る。

この光ディスクについて、上記実施例10と同様にして
記録パワー11.0mWにてパルス信号を記録し、その再生を
行い、反射光の検知を行なったところ、再生信号のCNR
値は53dB、反射率は72.0％であった。次いで、同様にし
て記録データを消去した後、再び記録パワー11.0mWにて
パルスを記録したところ、CNR値50dBの再生信号が得ら
れた。

（実施例12）上記実施例13において、光吸収層2aと光反射層３との
間に、膜厚100nmのSiO₂層をスパッタリング法により形
成したこと、光反射層３をCu膜により形成したこと以外
は、上記実施例10と同様にして光ディスクを製作した。

この光ディスクについて、上記実施例10と同様にして
記録パワー12.5mWにてパルス信号を記録し、その再生を
行い、反射光の検知を行なったところ、再生信号のCNR
値は48dB、反射率は75.6％であった。次いで、同様にし
て記録データを消去した後、再び記録パワー12.5mWにて
パルス信号を記録したところ、CNR値46dBの再生信号が
得られた。

（実施例13）幅0.8μｍ深さ0.12μｍピッチ1.6μｍのスパイラル状
プレグルーブを有する厚さ1.2mmのポリカーボーネート
製基板（帝人化成（株）製、パンライト）を射出成型法
によって形成した。

ポリアミド樹脂0.75gを20mlのブタノールに溶解し、
さらにこれにローダミンＢを加えて、上記基板１の上に
スピンコートし、膜厚70nmの熱可塑性樹脂層2bを形成し
た。

さらに1.1′ジブチル3.3.3′３′テトラメチル4.5.
4′５′ジベンゾインドジカーボシアニンアイオダイド
（日本感光色素（株）製、NK3251）150mgを3mlの２−ニ
トロプロパンに溶解し、上記可塑性樹脂層2bの上に塗布
し、膜厚95nmの光吸収層2aを形成した。

次にこの光吸収層2aの上に、光反射層３として膜厚60
nmのCuを真空蒸着により成膜し、続いてこの上に紫外線
硬化性樹脂（大日本インキ化学工業（株）製、ダイキュ
アクリアSD−17）をスピンコートし、これに紫外線を照
射して硬化させ、10μｍの保護層を設けた。

このようにして製作した光ディスクについて、λ＝78
0nmの半導体レーザを用い、線速1.2m/sec、記録パワー1
0.5mWで450kHzのパルス信号を記録した。このディスク
について1.0mW、780nmの半導体レーザにより再生し、反
射光を検知したところ、CNR値で52dBの再生信号が得ら
れた。また、このときの反射率は69.5％であった。

この記録ピット上を780nm2.5mWの円ビームを1.2m/sで
走査させて、記録済みのデータを消去した後、再び線速
1.2m/s、記録パワー10.5mWの波長780nm半導体レーザ
で、先の記録位置に72.0kHzのパルス信号を記録したと
ころ、CNR値47dBの再生信号を得た。

［発明の効果］以上説明した通り、本発明によれば、従来の書き換え
可能な光情報記録媒体に比べて、高いレーザ光の反射率
と、C/Nの高い再生信号得られる。これによって、CDフ
ォーマットに準拠する書き込み可能な光情報記録媒体が
得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例を示す光ディスクの厚さ方向
を拡大して示した半断面模式斜視図、第２図は、第１図
のＡ部を示す記録前またはデータ消去後の状態の模式拡
大断面図、第３図は、同部分の記録後の状態の模式拡大
断面図、第４図は、他の実施例を示す光ディスクの厚さ
方向を拡大して示した半断面模式斜視図、第５図は、第
４図のＢ部を示す記録前またはデータ消去後の状態の模
式拡大断面図、第６図は、同部分の記録後の状態の模式
拡大断面図である。１……透光性基板、２……記録層、2a……光吸収層、2b
……熱可塑性樹脂層、３……光反射層、４……保護層、
５……ピット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者新井雄治東京都台東区上野６丁目16番20号太陽誘電株式会社内 (72)発明者辛有明東京都台東区上野６丁目16番20号太陽誘電株式会社内 (56)参考文献特開昭61−176924（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−37995（ＪＰ，Ａ) 特開昭59−232896（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−30090（ＪＰ，Ａ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】透光性基板（１）とレーザ光を反射する光
反射層（３）との間に、レーザ光を吸収することで発熱
し、溶解する光吸収材と、軟化点温度が50〜150℃、数
平均分子量が500〜25000の範囲にあり、前記光吸収材の
局部的な発熱で溶解することにより変形を起す熱可塑性
樹脂とが混合された記録層（２）を具備したことを特徴
とする書き換え可能な光情報記録媒体。
【請求項２】前記特許請求の範囲第１項において、記録
層（２）の複素屈折率の実数部n_recとその膜厚d_recと再
生光の波長λで与えられるρ＝n_recd_rec/λが0.05≦ρ
≦0.6であり、かつ上記複素屈折率の虚数部k_recが0.3以
下であることを特徴とする書き換え可能な光情報記録媒
体。
【請求項３】透光性基板（１）とレーザ光を反射する光
反射層（３）との間に、レーザ光を吸収することで発熱
し、溶解する光吸収材を有する光吸収層（2a）と、軟化
点温度が50〜150℃、数平均分子量が500〜25000の範囲
にあり、前記光吸収層（2a）の光吸収材の局部的な発熱
で溶解することにより変形を起す熱可塑性樹脂を有する
熱可塑性樹脂層（2b）とを形成したことを特徴とする書
き換え可能な光情報記録媒体。
【請求項４】前記特許請求の範囲第３項において、光吸
収層（2a）の複素屈折率の実数部n_absとその膜厚d_abs及
び再生光の波長λで与えられるρ＝n_absd_abs/λが0.05
≦ρ≦0.6であり、かつその複素屈折率の虚数部k_absが
0.3以下であることを特徴とする書き換え可能な光情報
記録媒体。