JP2730466B2 - Light switch - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体光スイッチに関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor optical switch.
【０００２】[0002]
【従来の技術】光ファイバ通信の普及と伝送レートの増
加に伴い、交換器や中継局内において、光信号を一旦電
気信号におとすことなく光のままでスイッチさせる機能
が要求されるようになってきた。そのキーデバイスとな
るのが光スイッチである。図５に従来の光スイッチの一
例を示す。半導体基板１上にスターカップラ５１と複数
のゲートスイッチ２が集積化されており、それぞれのエ
レメントは光導波路５２で接続されている。ゲートスイ
ッチ２は一般には半導体光増幅器からなり、電流注入時
にゲートが”ＯＮ”になる。入力ポート３からの光はス
ターカップラ５１により各ゲートに分配され、所望のゲ
ートのみを”ＯＮ”にすることにより光の進路を選択で
きる。2. Description of the Related Art With the spread of optical fiber communication and an increase in transmission rate, a function of switching an optical signal in an exchange or a relay station without changing it into an electric signal without changing the optical signal has been required. Was. The key switch is an optical switch. FIG. 5 shows an example of a conventional optical switch. A star coupler 51 and a plurality of gate switches 2 are integrated on a semiconductor substrate 1, and each element is connected by an optical waveguide 52. The gate switch 2 is generally composed of a semiconductor optical amplifier, and its gate is turned “ON” when current is injected. The light from the input port 3 is distributed to each gate by the star coupler 51, and the path of the light can be selected by turning ON only the desired gate.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】この素子は半導体基板
の表面に形成された光導波路５２に沿って光が伝搬す
る”導波型”であるため素子長が長く、通常１０ｍｍ程
度となる。従って光導波路に相当する部分に結晶欠陥が
生じたり、また製作の工程において塵が付着したり、パ
ターニングの不具合によって、光導波路の伝搬損失が大
きくばらついたりして素子の歩留りが低いと言う問題が
あった。さらに素子サイズも大きいため、半導体ウェハ
一枚からの収率が低くそのため素子の単価が非常に高い
ものになっていた。また、”導波型”固有の問題点は偏
波依存性を有していることもあげられる。従って、光ス
イッチの手前で偏波制御が必要であった。Since this device is of a "waveguide type" in which light propagates along an optical waveguide 52 formed on the surface of a semiconductor substrate, the device length is long, usually about 10 mm. Therefore, there is a problem that a crystal defect occurs in a portion corresponding to the optical waveguide, dust adheres in a manufacturing process, and a propagation loss of the optical waveguide largely varies due to a patterning defect, resulting in a low device yield. there were. Furthermore, since the element size is large, the yield from one semiconductor wafer is low, and the unit cost of the element is very high. Another problem inherent in the “waveguide type” is that it has polarization dependence. Therefore, polarization control was required before the optical switch.
【０００４】本発明の目的は上記した問題点を解決し
た、小型で且つ偏波依存性のない光スイッチを提供する
ことにある。An object of the present invention is to provide an optical switch which is small in size and has no polarization dependency, which solves the above-mentioned problems.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明の第一の面入出力
型光スイッチは、半導体基板上に、該半導体基板の第一
の面から光を入力する入力窓と、第一の面と対向する第
二の面に設けられた複数の光ゲートスイッチと、前記複
数の光ゲートスイッチの各々に対応して光を出力する出
力窓とを備え、ひとつの入力窓からの光が複数の前記光
ゲートスイッチを照射することを特徴とする。The first aspect of the present invention
Type optical switch is provided on a semiconductor substrate.
An input window for inputting light from the first surface, and a second window facing the first surface.
A plurality of optical gate switches provided on the second surface;
Output light corresponding to each of the number of optical gate switches
And a light window, wherein light from one input window is
Irradiating a gate switch .
【０００６】本発明の第一の面入出力型光スイッチは、
半導体基板上に、該半導体基板の第一の面に設けた複数
の窓と、そのうちの一つの窓から光を入力する入力窓
と、第一の面と対向する第二の面に設けた光の反射構造
と、該第一の面の光入力窓を除く他の窓から光を出力す
る出力窓と、該出力窓部分に光ゲートスイッチとを備
え、前記入力窓からの光が反射構造により反射され、複
数の前記光ゲートスイッチを照射することを特徴とす
る。A first surface input / output type optical switch according to the present invention comprises:
On a semiconductor substrate, a plurality provided on the first surface of the semiconductor substrate
Windows and an input window for inputting light from one of the windows
And a light reflecting structure provided on a second surface opposite to the first surface
And outputting light from other windows except the light input window on the first surface.
Output window, and an optical gate switch in the output window portion.
The light from the input window is reflected by the reflection structure,
Irradiating a number of said optical gate switches .
【０００７】それぞれの光スイッチにおいて、光ゲート
は電流注入により光学利得を生ずる光増幅器か、電圧印
加により光の吸収ロスをもたらす電界吸収型素子または
λ／４半導体多層膜からなる波長フィルタで構成され
る。In each of the optical switches, the optical gate is constituted by an optical amplifier which generates an optical gain by injecting a current, an electroabsorption type element which causes a light absorption loss by applying a voltage, or a wavelength filter comprising a λ / 4 semiconductor multilayer film. You.
【０００８】[0008]
【作用】上記の問題点は素子が”導波型”であるために
生じている。そこで光スイッチを面入出力型とすること
ができれば小型でかつ偏波依存性のない光スイッチを構
成できる。この場合、光導波路を形成する必要がないた
め、素子製作は容易であり、素子歩留りも高くなる。The above problem is caused by the fact that the element is of a "waveguide type". Therefore, if the optical switch can be a surface input / output type, it is possible to configure an optical switch that is small and has no polarization dependency. In this case, since it is not necessary to form an optical waveguide, device fabrication is easy, and device yield is increased.
【０００９】[0009]
【実施例】以下に本発明の実施例である光スイッチを図
面を用いて詳細に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An optical switch according to an embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００１０】図１は本発明の第１の実施例である光スイ
ッチの構造図である。厚さ約３００μｍのｎ型ＩｎＰ基
板１の下の面は鏡面に研磨され、光入力用の窓３を除い
て電極７が形成されている。半導体基板の上の面には複
数の光出力用の窓４が２次元的に配列されている。それ
ぞれの窓４の下には光ゲートスイッチ２が設けてある。
窓３及び窓４の表面には無反射コーテイング膜１０が形
成されている。光入出力は先球ファイバ５及び６により
行われる。FIG. 1 is a structural view of an optical switch according to a first embodiment of the present invention. The lower surface of the n-type InP substrate 1 having a thickness of about 300 μm is polished to a mirror surface, and an electrode 7 is formed except for a light input window 3. A plurality of optical output windows 4 are two-dimensionally arranged on the upper surface of the semiconductor substrate. An optical gate switch 2 is provided below each window 4.
An anti-reflection coating film 10 is formed on the surfaces of the windows 3 and 4. Light input and output are performed by the spherical fibers 5 and 6.
【００１１】窓３から入射した光は半導体基板内をビー
ム径を広げながら進み、各ゲートスイッチ２に到達す
る。ゲートスイッチ２が”ＯＦＦ”であれば光は遮断さ
れ、”ＯＮ”であればゲートスイッチ２を通過した光は
出力窓４から出力される。ゲート２の制御により入力フ
ァイバ５と任意の出力ファイバとの１：１または１：多
の接続が可能になる。The light incident from the window 3 travels inside the semiconductor substrate while expanding the beam diameter, and reaches each gate switch 2. If the gate switch 2 is “OFF”, the light is blocked, and if “ON”, the light passing through the gate switch 2 is output from the output window 4. The control of the gate 2 allows one-to-one or one-to-one connection between the input fiber 5 and any output fiber.
【００１２】図３は光ゲートスイッチ部分の構造の詳細
を説明する図である。ｎ型ＩｎＰ基板の上の出力用窓４
の位置に、バンドギャップ波長１．５５μｍのＩｎＧａ
Ａｓ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸（ＭＱＷ）構造活性
層３１とｐ型−ＩｎＰ３２、ｐ+ 型−ＩｎＧａＡｓキャ
ップ層３３からなる多層構造が部分的に形成されてい
る。この多層構造の側面は高抵抗ＩｎＰ層３４で埋め込
まれている。こうすることにより注入された電流に対し
て電流狭窄を行なうと同時に隣合うゲート間の電気的分
離が可能となる。高抵抗層３４の上にはＳｉＯ2 絶縁膜
８が設けられ、その上に電極９が形成されている。電極
９は窓４の端部においてキャップ層３３とコンタクトを
形成している。窓４の光が通過する部分のキャップ層３
３は除去され、その上にＳｉＮ無反射コーテイング膜１
０が形成されている。このゲートスイッチは、電流注入
することで活性層３１において光学的利得が生じ波長
１．５５μｍの光に対し”ＯＮ”状態になる。電流を注
入しない状態では波長１．５５μｍの光は全て活性層３
１で吸収されるため”ＯＦＦ”状態となる。FIG. 3 is a diagram for explaining the details of the structure of the optical gate switch portion. Output window 4 on n-type InP substrate
At the position of InGa with a bandgap wavelength of 1.55 μm.
A multilayer structure composed of an active layer 31 of an As / InGaAsP multiple quantum well (MQW) structure and p-type InP 32 and p + -type InGaAs cap layers 33 is partially formed. The side surface of this multilayer structure is buried with a high-resistance InP layer 34. By doing so, current constriction is performed on the injected current, and at the same time, electrical isolation between adjacent gates becomes possible. An SiO 2 insulating film 8 is provided on the high resistance layer 34, and an electrode 9 is formed thereon. The electrode 9 makes contact with the cap layer 33 at the end of the window 4. Cap layer 3 in the portion of window 4 through which light passes
3 is removed, and the SiN anti-reflection coating film 1 is formed thereon.
0 is formed. The gate switch generates an optical gain in the active layer 31 by injecting a current, and is turned “ON” with respect to light having a wavelength of 1.55 μm. In the state where no current is injected, all light having a wavelength of 1.55 μm
As it is absorbed by 1, the state becomes "OFF".
【００１３】図３と同様の構造において、ＭＱＷ構造活
性層３１のバンドギャップ波長を１．４８μｍ付近に設
定することにより、電界吸収型のゲートスイッチを構成
してもよい。活性層３１に対して逆バイアスの電圧を印
加すると吸収端波長が長波長側にシフトし、波長１．５
５μｍの光を吸収することにより”ＯＦＦ”状態とな
る。電圧を印加しない時は活性層３１は波長１．５５μ
ｍの光に対しては透明であり”ＯＮ”状態となる。In the same structure as in FIG. 3, an electro-absorption gate switch may be formed by setting the band gap wavelength of the MQW structure active layer 31 to around 1.48 μm. When a reverse bias voltage is applied to the active layer 31, the absorption edge wavelength shifts to the longer wavelength side, and the wavelength 1.5
The state becomes “OFF” by absorbing the light of 5 μm. When no voltage is applied, the active layer 31 has a wavelength of 1.55 μm.
m is transparent and "ON" state.
【００１４】ゲート部は波長選択フィルタで構成しても
よい。図４にその場合のゲート構造を示す。構造は図３
に示したゲートスイッチと殆ど同じである。異なる点は
活性層３１の代わりにλ／４シフト型の多層膜半導体４
１を形成した点である。多層膜はＩｎｐとＩｎＧａＡｓ
Ｐを４０層積層したものである。多層膜半導体は波長選
択フィルタの機能をもち、透過波長は電流注入または電
界印加により制御可能である。波長選択フィルタ型ゲー
トを有する光スイッチでは、入力光の波長によって出力
ポートを指定することが可能になる。そのため波長分割
多重された光信号の分波が可能で、波長分割多重交換や
光クロスコネクトなどのシステムに適した素子である。The gate section may be constituted by a wavelength selection filter. FIG. 4 shows the gate structure in that case. Figure 3
This is almost the same as the gate switch shown in FIG. The difference is that the active layer 31 is replaced with a λ / 4 shift type multilayer semiconductor 4.
1 is formed. The multilayer film is made of Inp and InGaAs
It is obtained by stacking 40 layers of P. The multilayer semiconductor has a function of a wavelength selection filter, and the transmission wavelength can be controlled by current injection or electric field application. In an optical switch having a wavelength selection filter type gate, an output port can be specified by the wavelength of input light. Therefore, the wavelength division multiplexed optical signal can be demultiplexed, and is an element suitable for systems such as wavelength division multiplexing switching and optical cross connect.
【００１５】なお、第１の実施例は入出力窓３、４の形
状を最適化することで入出力用ファイバ間の結合損失を
低減することができる。図６に入出力窓３、４の構造を
最適化した素子の構造を示す。便宜のために電極や無反
射コーテイング膜、ゲートスイッチ等の図示は省略し
た。半導体基板１に対して、入力窓３においては半径の
大きい凸レンズを、出力窓４においては半径の小さな凸
レンズを設ける。入力用光ファイバと入力窓３との距離
Ｌを比較的遠く設定し、入力窓３の凸部全体に光を入射
させ、凸レンズにより半導体基板１に入射した光をほぼ
平行ビームにする。出力窓４の凸レンズにより出力用光
ファイバの先端に集光することで、入出力ファイバ間で
の効率的な結合が可能である。In the first embodiment, the coupling loss between the input and output fibers can be reduced by optimizing the shapes of the input and output windows 3 and 4. FIG. 6 shows a structure of an element in which the structures of the input / output windows 3 and 4 are optimized. For convenience, illustration of electrodes, non-reflective coating films, gate switches, and the like is omitted. In the semiconductor substrate 1, a convex lens having a large radius is provided in the input window 3, and a convex lens having a small radius is provided in the output window 4. The distance L between the input optical fiber and the input window 3 is set to be relatively long, light is incident on the entire convex portion of the input window 3, and the light incident on the semiconductor substrate 1 is converted into a substantially parallel beam by the convex lens. By condensing light at the tip of the output optical fiber by the convex lens of the output window 4, efficient coupling between the input and output fibers is possible.
【００１６】また、各出力窓４からの光出力をほぼ等し
くするために、出力窓４の半径を素子中央に近いほど小
さくしたり、また入力窓３の凸部の形状を中央付近ほど
平坦にそして端にいくほど曲率を大きくすることが有効
である。Further, in order to make the light output from each output window 4 substantially equal, the radius of the output window 4 is reduced as it is closer to the center of the element, and the shape of the projection of the input window 3 is made flatter near the center. It is effective to increase the curvature toward the end.
【００１７】図２は本発明の第２の実施例である光スイ
ッチの構造図である。厚さ約３００μｍのｎ−ＩｎＰ基
板１の下には光の反射鏡２１と電極７が形成されてい
る。半導体基板の上の面には一つまたは複数の光入力用
の窓３と複数の出力用窓４が２次元的に配置されてい
る。それぞれの窓３及び４の下にゲートスイッチ２が形
成されている。ゲートスイッチの構造は実施例１と同じ
半導体光増幅器型である。窓３から入力された光は半導
体基板内をビーム径を広げながら通過し、反射鏡２１に
より光入射した側の面に反射され、ゲートスイッチ２を
通って出力窓４から出力される。ゲートスイッチ２を制
御することにより任意の入力ファイバと任意の出力ファ
イバとを接続できる。第２の実施例の光スイッチは、光
ファイバとの結合が第１の実施例では半導体基板の両面
で必要であったのに対し、片方の面だけですむ。そのた
め光結合作業は簡単となる。またこの光スイッチでは出
力と入力の窓を任意に設定できるため、入力−出力間で
１：多だけでなく、多：多の接続も可能である。FIG. 2 is a structural view of an optical switch according to a second embodiment of the present invention. A light reflecting mirror 21 and an electrode 7 are formed under an n-InP substrate 1 having a thickness of about 300 μm. On the upper surface of the semiconductor substrate, one or a plurality of windows 3 for light input and a plurality of windows 4 for output are two-dimensionally arranged. A gate switch 2 is formed under each of the windows 3 and 4. The structure of the gate switch is the same as that of the first embodiment. The light input from the window 3 passes through the semiconductor substrate while expanding the beam diameter, is reflected by the reflecting mirror 21 on the surface on which light is incident, and is output from the output window 4 through the gate switch 2. By controlling the gate switch 2, any input fiber and any output fiber can be connected. In the optical switch according to the second embodiment, coupling to an optical fiber is required on both surfaces of the semiconductor substrate in the first embodiment, but only one surface is required. Therefore, the optical coupling operation is simplified. Further, since the output and input windows can be arbitrarily set in this optical switch, not only 1: multiple connection but also multiple: multiple connection between input and output is possible.
【００１８】第２の実施例は第１の実施例と同様に入出
力ファイバ間の結合損失を低減するために入出力窓３、
４及び反射鏡２１の形状の最適化が有効である。図７に
入出力窓３、４と反射鏡２１の構造を示す。便宜上電
極、無反射コーテイング膜、ゲートスイッチは省略し
た。入力窓３は凹レンズ、出力窓４は凸レンズ、反射鏡
２１は凸型としている。入射光は凹レンズでビーム径が
広げられ凸型反射鏡２１でほぼ平行なビームに反射され
る。そして出力窓４の凸レンズにより効率的に出力用フ
ァイバに結合する。この素子の場合も各出力窓４からの
光出力をほぼ一定にするために、出力窓４の半径を素子
中央ほど小さくしたり、反射鏡２１の凸部の曲率を中央
ほど小さく、端にいくほど大きくすることが有効であ
る。The second embodiment is similar to the first embodiment in that the input / output window 3 and the input / output window 3 are used to reduce the coupling loss between the input and output fibers.
Optimization of the shape of the reflector 4 and the reflection mirror 21 is effective. FIG. 7 shows the structure of the input / output windows 3 and 4 and the reflecting mirror 21. For convenience, electrodes, non-reflective coating films, and gate switches are omitted. The input window 3 has a concave lens, the output window 4 has a convex lens, and the reflecting mirror 21 has a convex shape. The incident light is expanded in beam diameter by the concave lens, and is reflected by the convex reflecting mirror 21 into a substantially parallel beam. Then, the light is efficiently coupled to the output fiber by the convex lens of the output window 4. In the case of this element as well, in order to make the light output from each output window 4 almost constant, the radius of the output window 4 is reduced toward the center of the element, or the curvature of the convex portion of the reflecting mirror 21 is reduced toward the center and approaches the end. It is effective to make it as large as possible.
【００１９】なお第２の実施例においてもゲート２とし
て電界吸収型や波長選択フィルタ型を適用できることは
いうまでもない。It is needless to say that also in the second embodiment, an electroabsorption type or a wavelength selection filter type can be applied as the gate 2.
【００２０】実施例では波長１．５５μｍに対する光ス
イッチを例にして説明したが、他の波長帯の場合はその
波長に併せて活性層３１のバンドギャップ波長を変える
必要がある。また必要に応じて半導体材料系を変えるこ
ともある。In the embodiment, the optical switch for the wavelength of 1.55 μm has been described as an example. However, in the case of another wavelength band, it is necessary to change the band gap wavelength of the active layer 31 according to the wavelength. The semiconductor material system may be changed as needed.
【００２１】[0021]
【発明の効果】本発明による光スイッチは素子の長さが
約３００μｍと従来の光スイッチの長さ（約１０ｍｍ）
に比べ非常に短く、小型である。また光導波路を形成す
る必要がないため素子製作が簡単で素子歩留りが高いと
いう利点がある。さらに従来の光スイッチは出力ポート
が一次元的に配置されてあったのに対し、本発明の素子
では二次元的に配置できるため出力ポートの数を従来素
子よりも多くできる利点もある。The optical switch according to the present invention has a device length of about 300 .mu.m and a conventional optical switch length (about 10 mm).
It is very short and small compared to. In addition, since there is no need to form an optical waveguide, there is an advantage that the device can be easily manufactured and the device yield is high. Further, the output ports of the conventional optical switch are arranged one-dimensionally, whereas the elements of the present invention can be arranged two-dimensionally.
【図１】本発明の第１の実施例である光スイッチの構造
図。FIG. 1 is a structural diagram of an optical switch according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施例である光スイッチの構造
図。FIG. 2 is a structural view of an optical switch according to a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明のゲートスイッチ部の構造図。FIG. 3 is a structural diagram of a gate switch unit of the present invention.
【図４】本発明の波長選択フィルター型のゲートスイッ
チ部の構造図。FIG. 4 is a structural diagram of a wavelength selection filter type gate switch section of the present invention.
【図５】従来の半導体光スイッチの構成図。FIG. 5 is a configuration diagram of a conventional semiconductor optical switch.
【図６】第１の実施例の結合損失を低減するための構造
図。FIG. 6 is a structural diagram for reducing coupling loss in the first embodiment.
【図７】第２の実施例の結合損失を低減するための構造
図。FIG. 7 is a structural diagram for reducing coupling loss in the second embodiment.
１ ｎ−ＩｎＰ基板 ２ ゲートスイッチ ３ 入力用窓 ４ 出力用窓 ５ 入力用先球ファイバ ６ 出力用先球ファイバ ７，９ 電極 ８ ＳｉＯ2 膜 １０ 無反射コーテイング膜 ２１ 反射鏡 ３１ ＭＱＷ活性層 ３２ ｐ−ＩｎＰ層 ３３ ｐ+ ＩｎＧａＡｓキャップ層 ３４ 高抵抗ＩｎＰ層 ４１ λ／４シフト型多層膜半導体層 ５１ スターカップラ ５２ 光導波路REFERENCE SIGNS LIST 1 n-InP substrate 2 gate switch 3 input window 4 output window 5 input sphere fiber 6 output sphere fiber 7,9 electrode 8 SiO 2 film 10 anti-reflection coating film 21 reflecting mirror 31 MQW active layer 32 p -InP layer 33 p + InGaAs cap layer 34 high resistance InP layer 41 λ / 4 shift type multilayer semiconductor layer 51 star coupler 52 optical waveguide
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−269307（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−367819（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−312879（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−163986（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−75417（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−281230（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−63004（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−46431（ＪＰ，Ａ) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (56) References JP-A-2-269307 (JP, A) JP-A-4-367819 (JP, A) JP-A-1-312879 (JP, A) JP-A-4- 163986 (JP, A) JP-A-62-275417 (JP, A) JP-A-2-281230 (JP, A) JP-A-2-63004 (JP, A) JP-A-2-46431 (JP, A)
Claims (8)
面から光を入力する入力窓と、第一の面と対向する第二
の面に設けられた複数の光ゲートスイッチと、前記複数
の光ゲートスイッチの各々に対応して光を出力する出力
窓とを備え、ひとつの入力窓からの光が複数の前記光ゲ
ートスイッチを照射することを特徴とする面入出力型光
スイッチ。A first substrate on the semiconductor substrate;
An input window for inputting light from a surface and a second window facing the first surface
A plurality of optical gate switches provided on the surface;
Output light corresponding to each of the optical gate switches
And a window, and light from one input window is supplied to the plurality of light sources.
A surface input / output type optical switch characterized by irradiating a light source switch.
面に設けた複数の窓と、そのうちの一つの窓から光を入
力する入力窓と、第一の面と対向する第二の面に設けた
光の反射構造と、該第一の面の光入力窓を除く他の窓か
ら光を出力する出力窓と、該出力窓部分に光ゲートスイ
ッチとを備え、前記入力窓からの光が反射構造により反
射され、複数の前記光ゲートスイッチを照射することを
特徴とする面入出力型光スイッチ。 To 2. A semiconductor substrate, a first of said semiconductor substrate
Light through one of the windows
Input window to apply and provided on the second surface opposite the first surface
A light reflecting structure and another window except for the light input window on the first surface;
An output window for outputting light from the device, and an optical gate switch on the output window.
Light from the input window is reflected by the reflection structure.
A surface input / output type optical switch, which is irradiated and irradiates a plurality of the optical gate switches.
さいことを特徴とする請求項１又は２記載の 面入出力型
光スイッチ。 3. The smaller the radius of the output window is, the closer the radius is to the input window.
The surface input / output type optical switch according to claim 1 or 2, wherein:
部の形状が入力窓付近ほど平坦に端に行くほど曲率が大The curvature increases as the shape of the part becomes flatter near the input window and closer to the end.
きいことを特徴とする請求項１記載の面入出力型光スイ2. A surface input / output type optical switch according to claim 1, wherein
ッチ。Switch.
射鏡の凸部の曲率が入力窓付近ほど小さく端に行くほどThe curvature of the convex part of the mirror becomes smaller near the input window and closer to the end.
大きいことを特徴とする請求項２記載の面入出力型光ス3. A surface input / output type optical switch according to claim 2, which is large.
イッチ。Itch.
学利得を生ずる光増幅器又は電圧印加により光の吸収ロ
スをもたらす電界吸収型素子であることを特徴とする請
求項１又は２又は３又は４又は５記載の面入出力型光ス
イッチ。 Wherein said gate switch according to claim 1 or 2 or 3 or 4 or 5, characterized in that it is an electro-absorption device leads to absorption loss of light by the optical amplifier or voltage application produces optical gain by current injection Surface input / output type optical switch as described.
半導体多層膜からなる波長選択フィルタであることを特
徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５記載の面入
出力型光スイッチ。 Wherein said gate switch according to claim 1 or 2 or 3 or 4 or 5 surface output type optical switch as claimed characterized in that it is a wavelength selective filter comprising lambda / 4 shift type semiconductor multilayer film.
電界印加により透過波長を制御することを特徴とする請
求項７記載の面入出力型光スイッチ。 Wherein said wavelength selective filter is a surface output type optical switch according to claim 7, wherein the controlling the transmission wavelength by current injection or the electric field application.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5331285A JP2730466B2 (en) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | Light switch |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5331285A JP2730466B2 (en) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | Light switch |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07191287A JPH07191287A (en) | 1995-07-28 |
| JP2730466B2 true JP2730466B2 (en) | 1998-03-25 |
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ID=18241981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5331285A Expired - Fee Related JP2730466B2 (en) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | Light switch |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2730466B2 (en) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6275417A (en) * | 1985-09-30 | 1987-04-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Gate element for optical switch |
| JPH01312879A (en) * | 1988-06-09 | 1989-12-18 | Nec Corp | Surface type semiconductor light amplifier |
| JPH0263004A (en) * | 1988-08-30 | 1990-03-02 | Fujitsu Ltd | Optical wavelength filter device |
| JPH02269307A (en) * | 1989-04-10 | 1990-11-02 | Nec Corp | Face type optical modulator |
| JPH02281230A (en) * | 1989-04-21 | 1990-11-16 | Seiko Epson Corp | Optical gate matrix switch and production thereof |
| JP2963527B2 (en) * | 1990-10-29 | 1999-10-18 | 株式会社リコー | Semiconductor surface light modulator |
| JPH04367819A (en) * | 1991-06-17 | 1992-12-21 | Yamaha Corp | Optical multiplexer demultiplexer and device using optical multiplexer |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP5331285A patent/JP2730466B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07191287A (en) | 1995-07-28 |
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