JP2728237B2 - Capacitive acceleration sensor - Google Patents

Capacitive acceleration sensor

Info

Publication number
JP2728237B2
JP2728237B2 JP7067700A JP6770095A JP2728237B2 JP 2728237 B2 JP2728237 B2 JP 2728237B2 JP 7067700 A JP7067700 A JP 7067700A JP 6770095 A JP6770095 A JP 6770095A JP 2728237 B2 JP2728237 B2 JP 2728237B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon
silicon plate
plate
acceleration sensor
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP7067700A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH07318583A (en
Inventor
清光 鈴木
茂樹 土谷
政之 三木
昌大 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP7067700A priority Critical patent/JP2728237B2/en
Publication of JPH07318583A publication Critical patent/JPH07318583A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2728237B2 publication Critical patent/JP2728237B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
    • G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends

Landscapes

  • Pressure Sensors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体を用いた加速度
センサに係り、特に、自動車の車体制御やエンジン制御
に好適な静電容量式加速度センサに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an acceleration sensor using a semiconductor, and more particularly to a capacitance type acceleration sensor suitable for controlling a vehicle body and an engine of an automobile.

【０００２】[0002]

【従来の技術】自動車用の加速度センサとしては、比較
的低レベル(０〜±１.０Ｇ)、低周波数(０〜１０Ｈｚ)
の加速度を高精度で検出する必要がある。なお、ここ
で、１Ｇ＝９.８／Ｓ2である。2. Description of the Related Art As an acceleration sensor for an automobile, a relatively low level (0 to ± 1.0 G) and a low frequency (0 to 10 Hz) are used.
Needs to be detected with high accuracy. Here, 1G = 9.8 / S 2 .

【０００３】ところで、このような加速度センサとして
は、従来から圧電材料の圧電効果を利用した圧電式、電
磁力フィードバック機構を有する電磁サーボ式、差動ト
ランスを利用した電気式、フォトインタラプタを利用し
た光式、シリコンの微細加工技術を利用した歪ゲージ式
や静電容量式などが知られているが、この中でも、低レ
ベル、低周波の加速度を高精度に検出でき、安価なセン
サを提供できる方式として、シリコンの微細加工技術を
利用した静電容量式(以下、単に容量式という)が最も有
望と考えられている。Conventionally, as such an acceleration sensor, a piezoelectric type using a piezoelectric effect of a piezoelectric material, an electromagnetic servo type having an electromagnetic force feedback mechanism, an electric type using a differential transformer, and a photo interrupter have been used. Optical type, strain gauge type and capacitance type using microfabrication technology of silicon are known. Among them, low-level and low-frequency acceleration can be detected with high accuracy, and an inexpensive sensor can be provided. As a method, a capacitance type (hereinafter, simply referred to as a capacitance type) using a silicon fine processing technology is considered to be the most promising.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】容量式加速度センサの
実装上の最も大きな課題は、電極用リードの実装方法で
あり、このため、いくつかの方法が知られている。第１
の例は、特開昭５８−１０６６１号公報に示されている
ように、Ｐ+ 拡散領域を介して可動電極や固定電極のリ
ードを取り出す方法である。この方法は複雑でエッチン
グや接着時の歩留りが良くないこと、Ｐ+ 拡散領域部が
大きな浮遊容量となり、その電圧依存性も大きいことか
ら、検出精度を低下させるなどの問題点があった。The biggest problem in mounting the capacitive acceleration sensor is how to mount the electrode leads. For this reason, several methods are known. First
Is a method of taking out leads of a movable electrode or a fixed electrode through a P + diffusion region as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-10661. This method is problematic in that the method is complicated and the yield at the time of etching and bonding is not good, and the P + diffusion region has a large floating capacitance and its voltage dependency is large, so that the detection accuracy is lowered.

【０００５】第２の例は、Ｔransducers’８７(Ｔhe ４
th Ｉnternational Ｃonference onＳolid−Ｓtate Ｓe
nsors and Ａctuators)の３３６頁〜３３９頁に示され
ているように、シリコン板とガラス台の接着部の隙間か
らリードを取り出す方法である。この方法は、ウエハ状
態で接着した後、通常のダイシング・ソーで検出チップ
にダイシングするとき、前記隙間を介して電極部周囲の
空間へ水分や切粉などが侵入するため、加速度センサと
しての性能が得られなくなるなどの問題点があった。A second example is Transducers '87 (The 4
th Internationalization on Solid-State Se
As shown in pages 336 to 339 of nsors and Actuators, this is a method of taking out a lead from a gap between a bonding portion of a silicon plate and a glass base. According to this method, when dicing the detection chip with a normal dicing saw after bonding in a wafer state, moisture, chips, and the like enter the space around the electrode portion through the gap, so that the performance as an acceleration sensor There was a problem that it became impossible to obtain.

【０００６】第３の例はＩ Ｍech Ｅ １９８１の２２５
頁〜２６０頁、「Ｍiniature Ｓilicon capacitance ab
solute pressure sensor」に示されるように、ガラス台
中に貫通させ孔を介してリードを取り出す方法である。
この例は、圧力センサに適用したものであるが、メタラ
イズ条件の変動による一方の孔端部でのリード接続不
良、他方の孔端部に封入した半田とガラス台との大きな
熱膨張率差に起因する温度特性の悪化などの問題点が考
えられている。A third example is I Mech E 1981, 225.
Page to 260, “Miniature Silicon capacitance ab
As shown in "Solute pressure sensor", this is a method in which a lead is taken out through a hole through a glass base.
This example is applied to a pressure sensor, but leads to poor lead connection at one end of the hole due to fluctuations in metallization conditions, and a large difference in the coefficient of thermal expansion between the solder encapsulated in the other end of the hole and the glass base. Problems such as deterioration of temperature characteristics due to the above are considered.

【０００７】第４の例は、ＵＳＰ４，６０９，９６８に
示されているように、固定電極にシリコン板を使用し、
シリコン板自身をリードの一部として実装する方法であ
る。この例は、固定電極となるシリコン板の周囲に粉末
ガラスを塗布して焼成を行なった後、その面を鏡面状態
に研磨する。そして、可動電極と、それを支えるビーム
(梁状部材)とを有するシリコン板と積層して、陽極接合
にて両者を接着したものであるが、陽極接合は高温で高
電圧を印加してガラスとシリコンを接着する方法であ
り、高電圧下の静電気力によって可動電極は変位し、固
定電極のシリコン板と接触して放電するため、両者を接
合することができない。In a fourth example, as shown in US Pat. No. 4,609,968, a silicon plate is used for a fixed electrode,
This is a method of mounting the silicon plate itself as a part of the lead. In this example, after powdered glass is applied around a silicon plate serving as a fixed electrode and baked, the surface is polished to a mirror surface state. And the movable electrode and the beam that supports it
(Beam-shaped member) and a silicon plate having the same and bonded together by anodic bonding.Anodic bonding is a method of applying a high voltage at a high temperature to bond glass and silicon. The movable electrode is displaced by the electrostatic force under the voltage, and contacts the silicon plate of the fixed electrode to discharge, so that the two cannot be joined.

【０００８】これを避けるためには、可動電極と固定電
極間の空隙の寸法を予め大きく設計するか、あるいはビ
ームのバネ定数を大きく(つまり、単位加速度に対する
可動電極の変形量を小さく)設計しなければならない。
この結果、容量式加速度センサが本質的に具有している
高感度性を大きく擬制にしなければならない問題点があ
った。In order to avoid this, the dimension of the gap between the movable electrode and the fixed electrode is designed to be large in advance, or the spring constant of the beam is increased (that is, the amount of deformation of the movable electrode per unit acceleration is reduced). There must be.
As a result, there has been a problem that the high sensitivity inherent in the capacitive acceleration sensor must be largely imitated.

【０００９】上記従来技術は電極リードの実装方法につ
いて配慮がされておらず、生産性あるいは検出精度ある
いは感度のいずれかについて問題があった。本発明の目
的は、生産性に優れ、高性能で低コストの加速度センサ
を提供するにある。In the above prior art, no consideration is given to the method of mounting the electrode leads, and there is a problem in either productivity, detection accuracy, or sensitivity. An object of the present invention is to provide a high-performance, low-cost acceleration sensor having excellent productivity.

【００１０】[0010]

【課題を解決するための手段】第１の本発明によれは、
上記目的は、加速度に応じて変位する可動電極部が形成
されたシリコン板を用い、このシリコン板の可動電極部
に所定の間隙を介して対向させた固定電極部との間での
静電容量変化により加速度を検出する方式の静電容量式
加速度センサにおいて、前記可動電極部を外部に接続す
るための第１の電気的接続手段と、前記固定電極部を外
部に接続するための第２の電気的接続手段とが、前記シ
リコン板を含むセンサチップの同一ダイシング面に設け
られているようにして達成される。According to a first aspect of the present invention, there is provided:
The object is to use a silicon plate on which a movable electrode portion that is displaced in accordance with acceleration is formed, and to have a capacitance between a fixed electrode portion facing the movable electrode portion of the silicon plate via a predetermined gap. In a capacitance type acceleration sensor of a type that detects acceleration by a change, a first electrical connection means for connecting the movable electrode portion to the outside and a second electrical connection means for connecting the fixed electrode portion to the outside. The electric connection means is achieved by being provided on the same dicing surface of the sensor chip including the silicon plate.

【００１１】第２の本発明によれば、上記目的は、加速
度に応じて変位する可動部が形成された基板と、前記可
動部の変位を検出する検出部とを備えた静電容量式加速
度センサにおいて、前記検出部を外部の信号処理回路に
接続するための複数の電気的接続手段が、前記センサを
形成するチップの同一ダイシング面に設けられているよ
うにして達成される。According to a second aspect of the present invention, an object of the present invention is to provide a capacitive acceleration type comprising: a substrate having a movable portion which is displaced in accordance with acceleration; and a detecting portion for detecting displacement of the movable portion. In the sensor, a plurality of electrical connection means for connecting the detection unit to an external signal processing circuit are achieved by being provided on the same dicing surface of a chip forming the sensor.

【００１２】[0012]

【作用】シリコン板を含むセンサチップの同一ダイシン
グ面に設けられた第１と第２の電気的接続手段は、同一
平面で接続できるように働く。従って、外部との接続が
容易になる。The first and second electrical connection means provided on the same dicing surface of the sensor chip including the silicon plate work so that they can be connected on the same plane. Therefore, connection with the outside becomes easy.

【００１３】また、センサを形成するチップの同一ダイ
シング面に設けられた検出部を外部の信号処理回路に接
続するための複数の電気的接続手段は、同一平面で接続
できるように働く。従って、外部との接続が容易にな
る。Further, a plurality of electrical connection means for connecting the detection unit provided on the same dicing surface of the chip forming the sensor to an external signal processing circuit work so as to be able to connect on the same plane. Therefore, connection with the outside becomes easy.

【００１４】[0014]

【実施例】以下、本発明によるセンサについて、図示の
実施例により詳細に説明する。図１は本発明の一例で、
この図１の例による容量式加速度センサの検出部は、シ
リコン板Ａ１、シリコン板Ｂ２及びシリコン板Ｃ３を、
電気絶縁用の熱酸化膜４、５を介して直接的に張り合わ
せ、接合したものよりなる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a sensor according to the present invention will be described in detail with reference to the illustrated embodiment. FIG. 1 is an example of the present invention.
The detection unit of the capacitive acceleration sensor according to the example of FIG. 1 includes a silicon plate A1, a silicon plate B2, and a silicon plate C3.
It is made by directly bonding and bonding via thermal oxide films 4 and 5 for electrical insulation.

【００１５】シリコン板Ｂ２には、エッチング加工によ
り、接合前にシリコンビーム(梁状部)６と可動電極７が
予め形成されている。重錘の機能を有する可動電極７は
シリコンビーム６によって支持されており、これに作用
する、図の上下方向の加速度の大きさに応じて、可動電
極７とシリコン板Ａ１及びシリコン板Ｃ３間の空隙８の
寸法が変化する。On the silicon plate B2, a silicon beam (beam-like portion) 6 and a movable electrode 7 are formed in advance by etching before joining. The movable electrode 7 having the function of a weight is supported by the silicon beam 6, and the movable electrode 7 and the silicon plate A <b> 1 and the silicon plate C <b> 3 depending on the magnitude of the vertical acceleration acting on the movable electrode 7. The size of the gap 8 changes.

【００１６】シリコン板Ａ１とシリコン板Ｃ３は導電材
料であるため、可動電極７に対向したシリコン板Ａ１と
シリコン板Ｃ３の部分は、加速度に対して全く移動しな
い電極、即ち固定電極になり得る。検出部に作用する加
速度に応じて、空隙８部の電極間容量が変かする故、こ
れを利用して加速度を検出するものである。Since the silicon plate A1 and the silicon plate C3 are made of a conductive material, the portion of the silicon plate A1 and the silicon plate C3 facing the movable electrode 7 can be an electrode which does not move at all with acceleration, that is, a fixed electrode. Since the interelectrode capacitance in the gap 8 changes according to the acceleration acting on the detection unit, the acceleration is detected using this.

【００１７】可動電極７はシリコンビーム６、ボンディ
ング・パット(端子接続部)９を介して、外部の電子回路
(図中には示されていない)と電気的に結線される。前述
のように、シリコン板Ａ１とシリコン板Ｃ３が固定電極
を兼用する故、シリコン板Ａ１とＣ３それ自身を固定電
極のリード引出し部として利用でき、リードの実装方法
が極めて簡単になる。The movable electrode 7 is connected to an external electronic circuit via a silicon beam 6 and a bonding pad (terminal connection portion) 9.
(Not shown in the figure). As described above, since the silicon plate A1 and the silicon plate C3 also serve as fixed electrodes, the silicon plates A1 and C3 themselves can be used as lead extraction portions of the fixed electrode, and the lead mounting method becomes extremely simple.

【００１８】一方、この例の場合、シリコン板Ｂ２とシ
リコン板Ａ１、Ｃ３間の接着部(図では熱酸化膜４と５
の部分)の電気容量が空隙８部の電気容量に対して並列
に挿入される。しかして、この接着部の容量は加速度変
化に全く影響されない浮遊容量となり、従って、この部
分の電気容量はできるだけ小さい方が望ましく、このた
めには、切着部の面積を可能な限り小さく、他方、熱酸
化膜４、５の厚さは可能な限り大きくなるようにすれば
よい。On the other hand, in the case of this example, the bonding portion between the silicon plate B2 and the silicon plates A1 and C3 (the thermal oxide films 4 and 5 in the figure).
Is inserted in parallel with the capacitance of the gap 8. Thus, the capacitance of the bonded portion is a stray capacitance which is not affected by the change in acceleration at all. Therefore, it is desirable that the electric capacitance of this portion be as small as possible. The thickness of the thermal oxide films 4 and 5 should be as large as possible.

【００１９】この図１に示した検出部の概略製造プロセ
スを図２に示す。エッチング加工その他の前工程を終え
たウエハ状態のシリコン板Ａ１、Ｂ２及びＣ３を十分に
洗浄し、接着部の汚れやゴミを除去する。次に、ウエハ
状態でこれらシリコン板の位置合わせを行なった後、積
層する。そして、酸素雰囲気中、８００℃で２時間の熱
処理を行なう。この熱処理によって、熱酸化膜を介して
シリコン板同志を完全に、直接的に接合することができ
た。最後に、シリコンの３装接合ウエハをダイシング・
ソーによってカッティングすることにより、図１に示し
た検出部分を同時に、多数個、製作することができる。FIG. 2 shows a schematic manufacturing process of the detecting section shown in FIG. The silicon plates A1, B2, and C3 in the wafer state after the etching and other pre-processes are sufficiently washed to remove dirt and dust on the bonded portion. Next, after positioning these silicon plates in a wafer state, they are laminated. Then, heat treatment is performed at 800 ° C. for 2 hours in an oxygen atmosphere. By this heat treatment, the silicon plates could be completely and directly bonded via the thermal oxide film. Finally, dicing silicon three-piece bonded wafer
By cutting with a saw, a large number of detection portions shown in FIG. 1 can be manufactured simultaneously.

【００２０】高電圧を印加する陽極接合法とは異なり、
熱処理のみでシリコン板を直接的に接合する本例の場
合、空隙８の寸法やシリコンビーム６のバネ定数を小さ
くしても製造時でのトラブル発生はなく、高感度な加速
度センサを得ることは容易である。Unlike the anodic bonding method in which a high voltage is applied,
In the case of this example in which the silicon plate is directly joined only by heat treatment, no trouble occurs during manufacturing even if the size of the air gap 8 and the spring constant of the silicon beam 6 are reduced, and a highly sensitive acceleration sensor can be obtained. Easy.

【００２１】本発明による検出部の他の例を図３及び図
４に示す。なお、本図以下で、同一番号は同一機能のも
のを示すこととする。図２に示した手法でシリコン板同
志を直接的に接合するとき、熱処理温度までの昇温速度
や熱処理時の雰囲気ガスの種類によっては、可動電極７
とシリコンビーム６の周囲の空間に閉じ込められたガス
が膨張し、積層したシリコン板Ａ１とシリコン板Ｂ２及
びシリコン板Ｃ３の接着されるべき部分に隙間が発生
し、熱処理時のウエハ状態の接合が部分的に不良になる
ことがある。Another example of the detecting unit according to the present invention is shown in FIGS. Note that the same reference numerals denote the same functions in the drawings. When the silicon plates are directly joined to each other by the method shown in FIG. 2, depending on the rate of temperature rise up to the heat treatment temperature and the type of atmosphere gas during the heat treatment, the movable electrode 7
The gas confined in the space around the silicon beam 6 expands, and a gap is generated in the portion where the laminated silicon plate A1, silicon plate B2, and silicon plate C3 are to be bonded. It may be partially defective.

【００２２】このためには、図３の例のように、膨張し
たガスを周囲へ逃す役目をなす孔１０をシリコン板Ａ１
中にあけておくのが極めて有効であった。For this purpose, as shown in the example of FIG. 3, a hole 10 serving to release the expanded gas to the surroundings is formed in the silicon plate A1.
It was extremely effective to leave it inside.

【００２３】次に、シリコン容量式加速度センサの高感
度化を徹底的に向上させたいときには、図４に示す検出
部の構造が有効である。この図４の例は、可動電極７に
対向したシリコン板Ａ１とシリコン板Ｃ３の部分へ、多
結晶シリコン層１１、１２を形成したものである。ここ
で、多結晶シリコン層１１、１２は導電材料であり、実
質的に可動電極７に対向した固定電極となる。Next, when it is desired to thoroughly improve the sensitivity of the silicon capacitive acceleration sensor, the structure of the detecting section shown in FIG. 4 is effective. In the example shown in FIG. 4, polycrystalline silicon layers 11 and 12 are formed on portions of the silicon plate A1 and the silicon plate C3 facing the movable electrode 7. Here, the polycrystalline silicon layers 11 and 12 are made of a conductive material, and become substantially fixed electrodes facing the movable electrode 7.

【００２４】従って、この図４の例によれば、可動電極
７と多結晶シリコン層１１、１２間の空隙の寸法を小さ
くできるので、高感度な加速度センサを得ることができ
る。また、この例によれば、熱酸化膜４、５の厚さより
空隙の寸法を小さくできる故、熱酸化膜４、５の部分の
浮遊容量の問題も相対的に少なくなる。なお、多結晶シ
リコン層１１、１２のところは基本的に導電体層であれ
ば良く、白金などの金属層で構成されていても良い。Therefore, according to the example of FIG. 4, the size of the gap between the movable electrode 7 and the polycrystalline silicon layers 11 and 12 can be reduced, so that a highly sensitive acceleration sensor can be obtained. Further, according to this example, since the size of the gap can be made smaller than the thickness of the thermal oxide films 4 and 5, the problem of the floating capacitance at the portions of the thermal oxide films 4 and 5 is relatively reduced. It should be noted that the polycrystalline silicon layers 11 and 12 basically need only be conductor layers, and may be formed of a metal layer such as platinum.

【００２５】図１の例に示した検出部構造の積層される
前の展開図を図５〜図８に示す。FIGS. 5 to 8 are development views of the detection unit structure shown in FIG. 1 before being laminated.

【００２６】図５は、シリコン板Ａ１とシリコン板Ｃ３
の接合面にのみ、予め電気絶縁用の熱酸化膜４、５を形
成した場合の例であり、これら熱酸化膜の厚さは少なく
とも１ミクロン以上に作られている。これに対して、図
６の例は、熱酸化膜４、５をシリコン板Ｂ２の接合面に
のみ形成したものである。FIG. 5 shows a silicon plate A1 and a silicon plate C3.
This is an example in which thermal oxide films 4 and 5 for electrical insulation are formed in advance only on the bonding surface of No. 1, and the thickness of these thermal oxide films is made at least 1 μm or more. On the other hand, in the example of FIG. 6, the thermal oxide films 4, 5 are formed only on the bonding surface of the silicon plate B2.

【００２７】図７は、シリコン板Ａ１、シリコン板Ｂ２
及びシリコン板Ｃ３のいずれにも熱酸化膜４、５を予め
形成しておいた例であり、接着後のこの部分の浮遊容量
を小さくするのには図５、図６の例より有利である。FIG. 7 shows a silicon plate A1 and a silicon plate B2.
This is an example in which the thermal oxide films 4 and 5 are formed in advance on both the silicon plate C3 and the silicon plate C3, and it is more advantageous than the examples shown in FIGS. .

【００２８】図８は、シリコン板Ａ１上の熱酸化膜４と
シリコン板Ｃ３上の熱酸化膜５の上に、スピンコートで
薄いガラス層１３、１４を予め形成した例である。これ
らのガラス層１３、１４は、それぞれ熱酸化膜４、５間
に挿入されることになり、接着時の熱処理工程において
一種の「のり」の役目を果たし、より低温でのシリコン
板同志の接合が可能であった。FIG. 8 shows an example in which thin glass layers 13 and 14 are previously formed by spin coating on the thermal oxide film 4 on the silicon plate A1 and the thermal oxide film 5 on the silicon plate C3. These glass layers 13 and 14 are inserted between the thermal oxide films 4 and 5, respectively, and serve as a kind of “glue” in a heat treatment process at the time of bonding, and bond the silicon plates at lower temperature. Was possible.

【００２９】上記シリコン容量式加速度センサにおける
検出部の平面図を図９(Ａ)、(Ｂ)、(Ｃ)に示す。本図は
図７に示した例における展開図の平面図を示したもの
で、図において、斜線部はシリコン板同志の接着部とな
る熱酸化膜の部分である。FIGS. 9A, 9B, and 9C are plan views of the detection unit in the silicon capacitive acceleration sensor. This figure is a plan view of a development view in the example shown in FIG. 7, and in the figure, a hatched portion is a portion of a thermal oxide film serving as a bonding portion between silicon plates.

【００３０】これらの図において、９ａ、９及び９ｃ
は、それぞれシリコン板Ａ１(固定電極の機能を有す
る)、可動電極７及びシリコン板Ｃ３(固定電極の機能を
有する)のボンディング・パッドであり、このパッドを
介してこれらの電極は外部の信号処理回路と接続され
る。In these figures, 9a, 9 and 9c
Are bonding pads of the silicon plate A1 (having the function of a fixed electrode), the movable electrode 7 and the silicon plate C3 (having a function of a fixed electrode), respectively. Connected to the circuit.

【００３１】本発明による加速度センサ検出部の立体図
を図１０に示す。検出部は導線１５、１６、１７を介し
て、外部の信号処理回路と電気的に結線される。検出部
の等価回路を図１１に示す。図１１(Ａ)において、容量
１８と１９は電極間の空隙８での容量であり、加速度の
大きさに応じて変化する。これに対して、容量２０と２
１はシリコン板接着部の熱酸化膜による容量であり、加
速度の影響を全く受けない。FIG. 10 shows a three-dimensional view of the acceleration sensor detecting section according to the present invention. The detection unit is electrically connected to an external signal processing circuit via the conductors 15, 16, and 17. FIG. 11 shows an equivalent circuit of the detection unit. In FIG. 11A, capacitances 18 and 19 are capacitances in the gap 8 between the electrodes, and change according to the magnitude of the acceleration. On the other hand, capacity 20 and 2
Reference numeral 1 denotes a capacitance of the silicon plate bonding portion due to the thermal oxide film, which is not affected by acceleration at all.

【００３２】そこで、容量２０と２１の大きさが、容量
１８と１９の値より十分に小さくなるように作り、等価
回路が実質的に図１１(Ｂ)で示されることが望ましい。
このためには、前述の如く接着部の面積を小さくするこ
と、熱酸化膜を厚くすること、可動電極の面積を大きく
すること、及び電極間の空隙の寸法を小さくすることが
有効である。Therefore, it is desirable that the sizes of the capacitors 20 and 21 are made sufficiently smaller than the values of the capacitors 18 and 19, and that an equivalent circuit is substantially shown in FIG.
To this end, it is effective to reduce the area of the bonding portion, increase the thickness of the thermal oxide film, increase the area of the movable electrode, and reduce the size of the gap between the electrodes as described above.

【００３３】次に、熱処理にてシリコン板をウエハ状態
で直接的に接合するときの、シリコンウエハの位置決め
方法について説明する。図１２(Ａ)はウエハ状態のシリ
コン板２５の概略図を示したもので、図において、２３
は検出チップであり、１枚のウエハより数百個の加速度
センサを製作できる。そして、シリコン板２５にはエッ
チングによって、複数の貫通孔２２が加工されている。Next, a description will be given of a method of positioning the silicon wafer when the silicon plate is directly bonded in a wafer state by the heat treatment. FIG. 12A is a schematic diagram of the silicon plate 25 in a wafer state.
Is a detection chip, and hundreds of acceleration sensors can be manufactured from one wafer. A plurality of through holes 22 are formed in the silicon plate 25 by etching.

【００３４】次に、図１２(Ｂ)に示すように、貫通孔２
２へ案内ピン２４を挿入することによって、ウエハ状態
のシリコン板Ａ１、シリコン板Ｂ２及びシリコン板Ｃ３
を積層すると同時に位置決めを行なう。従って、この例
では、シリコン板間の位置決め精度は貫通孔２２と案内
ピン２４の公差によって定まり、±数１０ミクロン以下
の精度で位置決めを行なうことができる。Next, as shown in FIG.
2 by inserting the guide pins 24 into the silicon plate A1, the silicon plate B2, and the silicon plate C3 in the wafer state.
And positioning is performed at the same time. Therefore, in this example, the positioning accuracy between the silicon plates is determined by the tolerance between the through hole 22 and the guide pin 24, and the positioning can be performed with an accuracy of ± several tens of microns or less.

【００３５】本発明によるシリコン容量式加速度センサ
の検出部の他の例を図１３、図１４(断面図)、図１５、
及び図１６(平面図)に示す。まず、図１３は、可動電極
７がシリコンビーム６によって片持支持構造で保持され
た例であり、図１に示した例とは、可動電極７の重心軸
上へシリコンビーム６が配置されていない点が異なる。FIGS. 13 and 14 (cross-sectional views), FIGS. 15 and 15 show other examples of the detection section of the silicon capacitive acceleration sensor according to the present invention.
And FIG. 16 (plan view). First, FIG. 13 shows an example in which the movable electrode 7 is held by the silicon beam 6 in a cantilever support structure. In the example shown in FIG. 1, the silicon beam 6 is arranged on the center of gravity of the movable electrode 7. There is no difference.

【００３６】次に、図１４は、可動電極７が２本のシリ
コンビーム６によって両持支持構造で保持されるように
した例である。さらに、図１５及び図１６は、可動電極
７が４本のシリコンビーム６による両持支持構造及び２
本のシリコンビーム６による片持支持構造による検出部
を備えた例を示している。Next, FIG. 14 shows an example in which the movable electrode 7 is held by a two-sided support structure by two silicon beams 6. Further, FIGS. 15 and 16 show that the movable electrode 7 has a two-sided support
An example in which a detection unit having a cantilever support structure using a silicon beam 6 is provided is shown.

【００３７】次に、本発明による容量式加速度センサの
電極リードの他の実装方法を採用した実施例について説
明する。この実施例の場合の検出部の断面構造を図１７
及び図１８に示す。まず、図１７において、固定電極２
８及び２９は、それぞれガラス板Ａ２６及びガラス板Ｃ
２７上へ、アルミなどの金属をスパッタその他の手法に
よって形成した導電層よりなる。Next, an embodiment employing another mounting method of the electrode lead of the capacitive acceleration sensor according to the present invention will be described. FIG. 17 shows a cross-sectional structure of the detection unit in this embodiment.
And FIG. First, in FIG.
8 and 29 are a glass plate A26 and a glass plate C, respectively.
27, a conductive layer formed of a metal such as aluminum by sputtering or other techniques.

【００３８】シリコン板Ｂ２の上面と下面へ、ガラス板
Ａ２６とガラス板Ｃ２７を接着する技術には陽極接合法
を用いている。即ち、高温で高電圧(例えば、３８０℃
で２００ボルト)を印加して、シリコン板Ｂ２の両面へ
ガラス板を電気化学的に接着するのである。An anodic bonding method is used for bonding the glass plate A26 and the glass plate C27 to the upper and lower surfaces of the silicon plate B2. That is, a high voltage at a high temperature (for example, 380 ° C.)
Then, the glass plate is electrochemically bonded to both surfaces of the silicon plate B2.

【００３９】図１８は、図１７に示した構造のものにお
いて、ガラス板Ａ２６とガラス板Ｃ２７上へ、それぞれ
シリコン板Ｄ３０とシリコン板Ｅ３１を陽極接合にて接
着した実施例である。FIG. 18 shows an embodiment in which, in the structure shown in FIG. 17, a silicon plate D30 and a silicon plate E31 are bonded on a glass plate A26 and a glass plate C27 by anodic bonding, respectively.

【００４０】ガラス板にはシリコン板と熱膨張係数の近
いホウケイ酸系のガラスを用いている。しかし、両者の
熱膨張係数は完全には等しくないため、検出部周囲の温
度が変ったとき、電極間の空隙８の寸法が若干変化す
る。この結果、加速度センサの出力信号は温度影響を受
け、その零点やスパンが少し変化する。As the glass plate, borosilicate glass having a thermal expansion coefficient close to that of the silicon plate is used. However, since the thermal expansion coefficients of the two are not completely equal, when the temperature around the detecting portion changes, the size of the gap 8 between the electrodes slightly changes. As a result, the output signal of the acceleration sensor is affected by the temperature, and its zero point and span slightly change.

【００４１】この点、図１８に示した実施例のものは、
ガラス板Ａ２６とガラス板Ｃ２７の厚さを薄くすること
により、全体として実質的には、検出部がシリコン積層
体だけで構成したのと等価になり、温度特性の良好な容
量式加速度センサを得ることができる。なお、以下に説
明する如く、固定電極２８と２９のリードの取り出し方
法は図１７の実施例の場合と同じにしてある。In this regard, the embodiment shown in FIG.
By reducing the thicknesses of the glass plate A26 and the glass plate C27, the whole is substantially equivalent to a detection unit composed of only a silicon laminate, and a capacitive acceleration sensor with good temperature characteristics is obtained. be able to. As described below, the method of taking out the leads of the fixed electrodes 28 and 29 is the same as in the embodiment of FIG.

【００４２】図１７に示した検出部の展開平面図を図１
９(Ａ)、(Ｂ)、(Ｃ)に示す。シリコン板Ｂ２の破線で示
した部分が接着部である。この図１９において、３２、
３３は、固定電極２８及び２９を外部の信号処理回路と
電気的に結線するための引出しリード部である。FIG. 1 is a developed plan view of the detecting unit shown in FIG.
9 (A), (B) and (C) show. The portion indicated by the broken line of the silicon plate B2 is the bonding portion. In FIG. 19, 32,
Reference numeral 33 denotes an extraction lead portion for electrically connecting the fixed electrodes 28 and 29 to an external signal processing circuit.

【００４３】このリード引出し部３２、３３をシリコン
板Ｂ２と接触させないため、即ち、固定電極２８、２９
とシリコン板Ｂ２の電気的絶縁を図るため、シリコン板
Ｂ２を浅くエッチングして、上面に溝３４、下面に溝３
５を形成している。In order not to bring the lead extraction portions 32 and 33 into contact with the silicon plate B2, that is, to fix the fixed electrodes 28 and 29
In order to electrically insulate the silicon plate B2 from the silicon plate B2, the silicon plate B2 is etched shallowly to form the groove 34 on the upper surface and the groove 3
5 are formed.

【００４４】シリコン板Ｂ２の上面と下面にガラス板Ａ
２６、ガラス板Ｃ２７を接着したときに生ずる接着部の
隙間、即ち溝３４と溝３５へ対向した位置にリード引出
し部３２、３３を配置している。なお、エッチングによ
って加工された溝３２と３３の深さは、少なくとも可動
電極７と固定電極２８、２９間の空隙８の寸法より小さ
い値にしてある。A glass plate A is provided on the upper and lower surfaces of the silicon plate B2.
26, lead lead-out portions 32 and 33 are arranged at a gap between the bonding portions generated when the glass plate C27 is bonded, that is, at a position facing the grooves 34 and 35. The depth of the grooves 32 and 33 processed by etching is set to a value smaller than at least the dimension of the gap 8 between the movable electrode 7 and the fixed electrodes 28 and 29.

【００４５】シリコン板Ｂ２の上面と下面に、ガラス板
Ａ２６とガラス板Ｃ２７をウエハ状態で陽極接合した
後、レーザダイシングにより検出チップに切断する。そ
れ故、溝３４、３５を介して可動電極７周囲の空間部分
へ、ダイシング時の水や切粉は侵入することはない。After the glass plate A26 and the glass plate C27 are anodically bonded in a wafer state to the upper and lower surfaces of the silicon plate B2, they are cut into detection chips by laser dicing. Therefore, water and chips during dicing do not enter the space around the movable electrode 7 through the grooves 34 and 35.

【００４６】図１７に示した検出部の立体図を図２０に
示す。本発明の実施例においては、リード引出し部３
２、シリコン板Ｂ２及びリード引出し部３３は、それぞ
れ導電ペースト部３７、３８及び３９を介して、ボンデ
ィング・パッド９ａ、９及び９ｃと電気的に結線されて
いる。ここで、これらの導電ペースト部３７、３８及び
３９は、図示のように、それぞれガラス板Ａ２６とシリ
コン板Ｂ２、それにガラス板Ｃ２７のダイシング面、す
なわち、ダイシング・ソーによってカッテイングされた
面に形成されている。FIG. 20 shows a three-dimensional view of the detection unit shown in FIG. In the embodiment of the present invention, the lead extraction portion 3
2. The silicon plate B2 and the lead lead-out part 33 are electrically connected to the bonding pads 9a, 9 and 9c via conductive paste parts 37, 38 and 39, respectively. Here, these conductive paste portions 37, 38 and 39 are formed on the dicing surfaces of the glass plate A26, the silicon plate B2, and the glass plate C27, that is, the surfaces cut by the dicing saw, as shown in the figure. ing.

【００４７】なお、これらの導電ペースト部３７〜３９
は、導電ペースト以外の電気的結線手段でも良い。ま
た、２個の導電ペースト部３９は導線４０などの手段で
電気的に接続されている。このように、導線１５、１６
及び１７を介して、検出部は外部の信号処理回路と接続
される。The conductive paste portions 37 to 39
May be an electrical connection means other than the conductive paste. Further, the two conductive paste portions 39 are electrically connected by means such as a conductive wire 40. Thus, the conductors 15, 16
The detecting unit is connected to an external signal processing circuit via the and.

【００４８】検出部と外部の信号処理回路を結線する別
の実施例を図２１に示す。図において、ボンディング・
パッド９ａ、９及び９ｃは端子板Ｇ４１上に形成されて
いる。そして、端子板Ｇ４１の側面には導電ペースト部
４２、４３及び４４が形成されている。FIG. 21 shows another embodiment in which the detection unit is connected to an external signal processing circuit. In the figure, the bonding
The pads 9a, 9 and 9c are formed on the terminal plate G41. The conductive paste portions 42, 43, and 44 are formed on the side surfaces of the terminal plate G41.

【００４９】この図２１の実施例では、まず、端子板Ｇ
４１を前図に示した検出部の左端に配置し、導電ペース
ト部３７、３８及び３９をそれぞれ４２、４３及び４４
へ接触させる。その後、これらの導電ペースト部を低温
で焼成して、検出部４５の中の電極部とボンディング・
パッド部を電気的に接続するのである。In the embodiment shown in FIG. 21, first, the terminal plate G
41 is arranged at the left end of the detecting section shown in the previous figure, and the conductive paste sections 37, 38 and 39 are respectively arranged at 42, 43 and 44.
Contact. Thereafter, these conductive paste portions are fired at a low temperature, and are bonded to the electrode portions in the detecting portion 45 by bonding.
The pads are electrically connected.

【００５０】本発明による検出部のリード実装方法の他
の実施例を図２２に示す。この例は、図１９に示したも
のとは下記の点において異なる。即ち、シリコン板Ｂ２
中へ固定電極のリード引出し部のために設けた溝３４と
３５をなくし、代りにこれらの溝をガラス板Ａ２６とガ
ラス板Ｃ２７へ配置するのである。図２２の実施例にお
いて、ガラス板Ｃ２７中に溝２７が加工してあり、この
溝４７の底部にリード引出し部３３を配置する。そし
て、図に示すように、溝４７の一部へ絶縁材料４６を封
止している。なお、絶縁材料４６はガラス質のものなど
で構成される。FIG. 22 shows another embodiment of the lead mounting method of the detecting section according to the present invention. This example differs from that shown in FIG. 19 in the following points. That is, the silicon plate B2
The grooves 34 and 35 provided therein for the lead-out portion of the fixed electrode are eliminated, and these grooves are arranged on the glass plate A26 and the glass plate C27 instead. In the embodiment of FIG. 22, a groove 27 is formed in a glass plate C27, and a lead lead-out portion 33 is arranged at the bottom of the groove 47. Then, as shown in the figure, an insulating material 46 is sealed in a part of the groove 47. The insulating material 46 is made of a vitreous material or the like.

【００５１】この図２２における断面Ａ−Ａと断面Ｂ−
Ｂ、及び断面Ｃ−Ｃを図２３(Ａ)、(Ｂ)、(Ｃ)に示す。
図２３図(Ａ)〜(Ｃ)に示すように、絶縁材料４６は溝４
７の一部を完全に封止しており、絶縁材料４６の上面と
ガラス板Ｃ２７の上面は凹凸なしに一致している。それ
故、このガラス板Ｃ２７とシリコン板Ｂ２を陽極接合す
る際の障害はなく、両者を接合した後にこの部分へ隙間
が生ずることはない。Cross section AA and cross section B- in FIG.
FIGS. 23A, 23B, and 23C show B and a cross section CC.
As shown in FIGS. 23A to 23C, the insulating material 46
7 is completely sealed, and the upper surface of the insulating material 46 and the upper surface of the glass plate C27 are aligned without any irregularities. Therefore, there is no obstacle at the time of anodically joining the glass plate C27 and the silicon plate B2, and there is no gap in this portion after joining the two.

【００５２】この結果、シリコン板Ｂ２の両面へガラス
板Ａ２６とガラス板Ｃ２７をウエハ状態で陽極接合にて
接着した後、複数の検出チップへ通常のダイシング・ソ
ーにより切断しても、可動電極７の周辺の空間部分へ水
や切粉などが侵入することはない。As a result, the glass plate A26 and the glass plate C27 are bonded to both surfaces of the silicon plate B2 by anodic bonding in a wafer state, and then cut into a plurality of detection chips by a normal dicing saw. Water, chips, etc., do not enter the space around the.

【００５３】本発明による検出部のリード実装方法の他
の例を図２４に示す。この例における検出部の基本構造
は図１に示したものと良く似ており、下記の点が異なる
のみである。即ち、熱酸化膜４、５の代りに、低融点ガ
ラス接着剤４８、４９を設け、高温にて低融点ガラスを
溶融し、シリコン板Ｂ２の両面へシリコン板Ａ１とシリ
コン板Ｃ３をウエハ状態で接合する方法である。FIG. 24 shows another example of the lead mounting method of the detection unit according to the present invention. The basic structure of the detection unit in this example is very similar to that shown in FIG. 1, except for the following points. That is, low-melting glass adhesives 48 and 49 are provided in place of the thermal oxide films 4 and 5, the low-melting glass is melted at a high temperature, and the silicon plate A1 and the silicon plate C3 are placed on both surfaces of the silicon plate B2 in a wafer state. It is a joining method.

【００５４】なお、低融点ガラス接着剤４８、４９は、
それぞれシリコン板Ａ１とシリコン板Ｃ３を浅くエッチ
ングした部分へ、スクリーン印刷、その他の手法で形成
される。この例において、シリコン板Ａ１とシリコン板
Ｃ３は固定電極を兼用できる故、図１に示した手法と同
様な効果が得られる。The low-melting glass adhesives 48 and 49 are
The silicon plate A1 and the silicon plate C3 are formed on the shallowly etched portions by screen printing or other methods. In this example, since the silicon plate A1 and the silicon plate C3 can also serve as fixed electrodes, the same effect as the method shown in FIG. 1 can be obtained.

【００５５】本発明による検出部のリード実装方法の他
の例を図２５に示す。この例では、シリコンビーム６と
可動電極７を有するシリコン板Ｂ２の上面と下面へ、そ
れぞれ固定電極２８、２９をスパッタその他の手法で形
成したガラス板Ａ２６、ガラス板Ｃ２７を陽極接合にて
接着している。FIG. 25 shows another example of the lead mounting method of the detecting section according to the present invention. In this example, a glass plate A26 and a glass plate C27 in which fixed electrodes 28 and 29 are respectively formed by sputtering or other methods are bonded to the upper and lower surfaces of a silicon plate B2 having a silicon beam 6 and a movable electrode 7 by anodic bonding. ing.

【００５６】これらのガラス板には、サンドブラストや
超音波加工によって、貫通孔５０、５１が形成されてい
る。この貫通孔５０と５１を密封するように導電材料が
封入され、この上にリード引出し部５２、５３を設けて
いる。In these glass plates, through holes 50 and 51 are formed by sandblasting or ultrasonic processing. A conductive material is sealed so as to seal the through holes 50 and 51, and lead lead portions 52 and 53 are provided thereon.

【００５７】この例によれば、ガラス板中の貫通孔へ導
電材料を完全に封入する故、孔端部でのリード部の接続
不良はなくなり、生産時の歩留りが向上する。また、貫
通孔が完全に密封されている故、ダイシング・ソーで検
出チップに切断しても、電極部周囲の空間への水や切粉
の侵入を防止できる。According to this example, since the conductive material is completely sealed in the through-hole in the glass plate, connection failure of the lead portion at the end of the hole is eliminated, and the yield in production is improved. Further, since the through hole is completely sealed, even if the detection chip is cut with a dicing saw, it is possible to prevent water and chips from entering the space around the electrode portion.

【００５８】図２５に示した検出部の展開平面図を、図
２６(Ａ)、(Ｂ)、(Ｃ)に示す。これらの図において、シ
リコン板Ｂ２の斜線で示した部分はガラス板との接着部
を示しており、固定電極２８、２９のリード引出し部５
２、５３は、それぞれガラス板Ａ２６、ガラス板Ｃ２７
上へ図のように引き回される。FIGS. 26 (A), 26 (B) and 26 (C) show developed plan views of the detecting section shown in FIG. In these figures, the hatched portions of the silicon plate B2 indicate the bonding portions to the glass plate, and the lead extraction portions 5 of the fixed electrodes 28 and 29.
2 and 53 are a glass plate A26 and a glass plate C27, respectively.
It is routed up as shown in the figure.

【００５９】本発明による検出部のリード実装方法の他
の例を図２７に示す。この図２７の検出部構造は、図２
５に示したもののガラス板Ａ２６及びガラス板Ｃ２７の
上へ、それぞれシリコン板Ｄ３０及びＥ３１を陽極接合
にて接着したものと考えて良い。貫通孔５０と５１へ密
封した導電材料によって、固定電極２８及び２９をそれ
ぞれシリコン板Ｄ３０及びＥ３１へ電気的に結線する方
法である。FIG. 27 shows another example of the lead mounting method of the detection unit according to the present invention. The structure of the detection unit shown in FIG.
It can be considered that the silicon plates D30 and E31 are bonded by anodic bonding on the glass plate A26 and the glass plate C27 shown in FIG. 5, respectively. In this method, the fixed electrodes 28 and 29 are electrically connected to the silicon plates D30 and E31, respectively, using a conductive material sealed in the through holes 50 and 51.

【００６０】ウエハ状態での陽極接合は次の順序で行な
う。まず、シリコン板Ｂ２の上面と下面に、ガラス板Ａ
２６とガラス板Ｃ２７を陽極接合にて接着する。次に、
シリコン板Ｄ３０及びシリコン板Ｅ３１を、それぞれガ
ラス板Ａ２６及びガラス板Ｃ２７上へ陽極接合にて接着
する。The anodic bonding in the wafer state is performed in the following order. First, a glass plate A is placed on the upper and lower surfaces of the silicon plate B2.
26 and the glass plate C27 are bonded by anodic bonding. next,
The silicon plate D30 and the silicon plate E31 are bonded to the glass plate A26 and the glass plate C27 by anodic bonding, respectively.

【００６１】ところで、この例で、陽極接合の順序を変
更するときは、検出部の構造に工夫を施さなければなら
ない。即ち、ガラス板Ａ２６とシリコン板Ｄ３０及びガ
ラス板Ｃ２７とシリコン板Ｅ３１を、それぞれ別個に陽
極接合にて接着した部組を作る。次に、これらの部組を
シリコン板Ｂ２の上面と下面に陽極接合で接着するので
ある。Incidentally, in this example, when the order of the anodic bonding is changed, the structure of the detecting section must be devised. That is, the glass plate A26 and the silicon plate D30 and the glass plate C27 and the silicon plate E31 are separately bonded to each other by anodic bonding. Next, these parts are bonded to the upper and lower surfaces of the silicon plate B2 by anodic bonding.

【００６２】この接合方法を図２７の検出部構造へ適用
した場合は、陽極接合時の高電圧印加によって、可動電
極７は静電気力によって固定電極２８もしくは２９のい
ずれかへ吸引されて、これらの電極と接触して放電する
故、陽極接合を行なうことができなくなる。When this bonding method is applied to the detection unit structure shown in FIG. 27, the movable electrode 7 is attracted to one of the fixed electrodes 28 and 29 by electrostatic force due to the application of a high voltage during anodic bonding. Since a discharge is caused by contact with the electrode, anodic bonding cannot be performed.

【００６３】この場合は、検出部の構造を図２８のよう
に変更して対策を行なう。即ち、貫通孔５０と５１へ対
向した部分のシリコン板Ｄ３０及びシリコン板Ｅ３１
へ、エッチングによってエッチング孔５４及び５５を形
成している。In this case, a countermeasure is taken by changing the structure of the detecting section as shown in FIG. That is, the portions of the silicon plate D30 and the silicon plate E31 facing the through holes 50 and 51, respectively.
Then, etching holes 54 and 55 are formed by etching.

【００６４】まず、シリコン板Ｄ３０とガラス板Ａ２
６、シリコン板Ｅ３１とガラス板Ｃ２７を別個に陽極接
合する。そして、これらの部組をシリコン板Ｂ２の上面
と下面に陽極接合で接着する。このとき、シリコン板Ｂ
２とシリコン板Ｄ３０、シリコン板Ｅ３１間へ高電圧を
印加しても、シリコン板Ｄ３０とシリコン板Ｅ３１は固
定電極２８、２９とは電気的に絶縁されているため、陽
極接合の障害は何ら発生しない。First, a silicon plate D30 and a glass plate A2
6. Anodically bond the silicon plate E31 and the glass plate C27 separately. Then, these sets are bonded to the upper and lower surfaces of the silicon plate B2 by anodic bonding. At this time, the silicon plate B
Even if a high voltage is applied between the silicon plate D30 and the silicon plate E31, since the silicon plate D30 and the silicon plate E31 are electrically insulated from the fixed electrodes 28 and 29, no failure occurs in the anodic bonding. do not do.

【００６５】陽極接合が完了したら、スパッタその他の
手法によってエッチング孔５４、５５の内側へ導電材料
部５６、５７を形成して、シリコン板Ｄ３０と固定電極
２８及びシリコン板Ｅ３１と固定電極２９を電気的に接
続すればよい。When the anodic bonding is completed, conductive material portions 56 and 57 are formed inside the etching holes 54 and 55 by sputtering or other methods, and the silicon plate D30 and the fixed electrode 28 and the silicon plate E31 and the fixed electrode 29 are electrically connected. What is necessary is just to connect.

【００６６】なお、図２７及び図２８に示した検出部の
固定電極のリード実装方法は、図２５に示した検出部
と、生産性上同等の効果を有する。むしろ、図２７と図
２８の実施例による検出部は、実質的にシリコン積層体
に近づけることも可能であり、温度特性の良好な加速度
センサを実現できる。The lead mounting method of the fixed electrode of the detecting section shown in FIGS. 27 and 28 has the same effect in productivity as the detecting section shown in FIG. Rather, the detection unit according to the embodiment of FIGS. 27 and 28 can be made substantially close to the silicon laminate, and an acceleration sensor with good temperature characteristics can be realized.

【００６７】本発明による検出部のリードの実装方法の
他の実施例を図２９に示す。この例では、シリコンビー
ム６と可動電極７を有するシリコン板Ｂ２の接着部には
熱酸化膜４と５が、それらの上には多結晶シリコン層５
８と５９が形成してある。この多結晶シリコン層５８、
５９を介して、シリコン板Ｂ２の上面と下面に、それぞ
れ固定電極２８と２９を有するガラス板Ａ２６とガラス
板Ｃ２７を陽極接合にて接合するのである。FIG. 29 shows another embodiment of the mounting method of the lead of the detecting section according to the present invention. In this example, the thermal oxide films 4 and 5 are provided on the bonding portion between the silicon beam 6 and the silicon plate B2 having the movable electrode 7, and the polycrystalline silicon layer 5 is provided thereon.
8 and 59 are formed. This polycrystalline silicon layer 58,
The glass plate A26 and the glass plate C27 having the fixed electrodes 28 and 29, respectively, are bonded to the upper and lower surfaces of the silicon plate B2 by anodic bonding via 59.

【００６８】ガラス板Ｃ２７の平面図を図３０に示す。
図において、斜線部６０は多結晶シリコン層５９を介し
て、シリコン板Ｂ２と接着される部分を示している。固
定電極２９のリード引出し部３３は交叉部６１におい
て、導電材料である多結晶シリコン層５９と電気的に接
触する。しかし、この多結晶シリコン層５９の下部には
熱酸化膜５が形成されているため、リード引出し部３３
即ち固定電極２９はシリコン板Ｂ２と電気的に絶縁され
ることになる。FIG. 30 is a plan view of the glass plate C27.
In the figure, a hatched portion 60 indicates a portion bonded to the silicon plate B2 via the polycrystalline silicon layer 59. The lead extraction portion 33 of the fixed electrode 29 is in electrical contact with the polycrystalline silicon layer 59 which is a conductive material at the intersection 61. However, since the thermal oxide film 5 is formed below the polycrystalline silicon layer 59, the lead extraction portion 33
That is, the fixed electrode 29 is electrically insulated from the silicon plate B2.

【００６９】この場合、固定電極のリード引出しのため
に、シリコン板Ｂ２と絶縁する目的で、シリコン板及び
ガラス板のいずれにもリード引出し部へ対向した位置へ
溝を形成する必要はない。従って、リード引出し部３３
が薄ければ、接合後に交叉部６１に生ずる隙間は極めて
小さなものになる。この結果、ウエハ状態で接合後、通
常のダイシング・ソーで検出チップに切断しても、可動
電極周囲の空間へ水や切粉などが侵入することはない。In this case, it is not necessary to form a groove in any of the silicon plate and the glass plate at a position facing the lead lead portion for the purpose of insulating the silicon plate B2 for lead extraction of the fixed electrode. Therefore, the lead drawer 33
If the thickness is small, the gap generated at the crossing portion 61 after joining becomes extremely small. As a result, even if the detection chip is cut with a normal dicing saw after bonding in a wafer state, water, chips and the like do not enter the space around the movable electrode.

【００７０】本発明による検出部のリードの実装方法の
他の実施例を図３１に示す。この例では、検出部の断面
構造は図１７と類似の構造を有したものに適用してあ
る。しかし、リードの実装方法は下記の点で異なる。即
ち、固定電極２８及び２９のリード引出し部３２及び３
３に対応したシリコン板Ｂ２の位置には、溝の代りに熱
酸化膜６２及び６３を形成している。FIG. 31 shows another embodiment of the mounting method of the lead of the detecting section according to the present invention. In this example, the cross-sectional structure of the detection unit is applied to a structure having a structure similar to that of FIG. However, the method of mounting the leads differs in the following points. That is, the lead extraction portions 32 and 3 of the fixed electrodes 28 and 29
At positions of the silicon plate B2 corresponding to No. 3, thermal oxide films 62 and 63 are formed instead of the grooves.

【００７１】リード引出し部とシリコン板を電気的に絶
縁する目的のこれらの熱酸化膜を極小的に設計すると、
陽極接合後にこの近傍へ発生する隙間は極めて小さいも
ので済む。この結果、ダイシング・ソーで検出チップに
切断しても、可動電極周辺り空間部へ切粉が侵入するこ
とはない。If these thermal oxide films for the purpose of electrically insulating the lead extraction portion and the silicon plate are designed to be extremely small,
The gap generated in the vicinity after anodic bonding is extremely small. As a result, even if the detection chip is cut by the dicing saw, chips do not enter the space around the movable electrode.

【００７２】本発明によるシリコン容量式加速度センサ
を信号処理回路と接続し、その特性評価を行なった例を
以下に示す。An example in which the silicon capacitive acceleration sensor according to the present invention is connected to a signal processing circuit and its characteristics are evaluated will be described below.

【００７３】図３２に信号処理回路の構成を示す。図に
示されている検出部は、図１にて説明したものと本質的
には同じである。検出すべき加速度をＧとし、矢印方向
の加速度を正、矢印と逆向き方向の加速度を負と定義す
ることにする。シリコン板Ａ１、シリコン板Ｂ２及びシ
リコン板Ｃ３はそれぞれ導線１５、１６及び１７を介し
て、ΔＣ検出器６４へ接続される。FIG. 32 shows the structure of the signal processing circuit. The detector shown in the figure is essentially the same as that described in FIG. The acceleration to be detected is defined as G, the acceleration in the direction of the arrow is defined as positive, and the acceleration in the direction opposite to the arrow is defined as negative. The silicon plate A1, the silicon plate B2, and the silicon plate C3 are connected to a ΔC detector 64 via conductors 15, 16, and 17, respectively.

【００７４】ΔＣ検出器６４はスイッチド・キャパシタ
で構成され、可動電極７とシリコン板(固定電極兼用)間
の空隙８部の容量の差ΔＣが零になるように、増幅器６
５がパルス幅変調器６６を制御する。そして、パルス状
の出力電圧ＶEはシリコン板Ａ１へ、インバータ６７に
よって反転された出力電圧−ＶEはシリコン板Ｃ３へ、
フィードバック制御的に印加される。なお、シリコン板
Ｂ２へは一定の直流電圧(図においては、５ボルト)が印
加されている。The ΔC detector 64 is composed of a switched capacitor, and the amplifier 6 is controlled so that the difference ΔC in capacitance between the movable electrode 7 and the silicon plate (also used as a fixed electrode) in the gap 8 becomes zero.
5 controls the pulse width modulator 66. Then, the pulsed output voltage VE is supplied to the silicon plate A1, and the output voltage −V E inverted by the inverter 67 is supplied to the silicon plate C3.
Applied as feedback control. Note that a constant DC voltage (5 volts in the figure) is applied to the silicon plate B2.

【００７５】シリコンビーム６によって支持された重錘
の機能を有する可動電極７は、加速度Ｇの大きさに応じ
て変位しようとする。しかし、信号処理回路によってΔ
Ｃ→０となるように、可動電極の位置を電極間に作用す
る静電気力によって、フィードバック的に制御してい
る。The movable electrode 7 having the function of a weight supported by the silicon beam 6 tends to be displaced according to the magnitude of the acceleration G. However, depending on the signal processing circuit, Δ
The position of the movable electrode is feedback-controlled by electrostatic force acting between the electrodes so that C → 0.

【００７６】それ故、電極間に供給した静電気エネルギ
ーは、検出すべき加速度Ｇそのものを表すことになる。
そこで、パルス幅変調器６６のパルス状の出力電圧波形
ＶEをローパスフィルタ６８で処理し、作動増幅器６９
を介して加速度センサとしての出力電圧Ｖ0を取り出す
のである。Therefore, the electrostatic energy supplied between the electrodes represents the acceleration G to be detected.
Therefore, to process the pulsed output voltage waveform V E of the pulse width modulator 66 by a low-pass filter 68, the differential amplifier 69
It is take out the output voltage V 0 which as an acceleration sensor through.

【００７７】パルス幅変調器の出力電圧ＶEの波形を図
３３に示す。この図から明らかなように、出力電圧ＶE
は周期５０μｍのパルス状の電圧波形で、そのＬｏｗレ
ベルは０ボルト、Ｈｉｇｈレベルは５ボルトである。パ
ルス幅は正の加速度に対しては線形に減少、負の加速度
に対しては増加するように、フィードバック制御されて
いる。[0077] The waveform of the output voltage V E of the pulse width modulator shown in Figure 33. As is apparent from this figure, the output voltage V E
Is a pulse-like voltage waveform having a period of 50 μm, and its Low level is 0 volt and its High level is 5 volts. The pulse width is feedback-controlled so that the pulse width decreases linearly for positive acceleration and increases for negative acceleration.

【００７８】シリコン容量式加速度センサの出力特性の
一例を図３４に示す。この図は、図３２に示した方法で
測定して結果を示したものであり、これから明らかなよ
うに、０〜±１Ｇの加速度を直線性良く、高精度に検出
することができた。FIG. 34 shows an example of the output characteristics of the silicon capacitive acceleration sensor. This figure shows the results measured by the method shown in FIG. 32. As is apparent from the figure, acceleration of 0 to ± 1 G was detected with high linearity and high accuracy.

【００７９】本発明によるシリコン容量式加速度センサ
の実装技術を、圧力センサに適用した場合の例を図３５
及び図３６に示す。従来のこのような圧力センサでは、
歪ゲージを有する検出チップは陽極接合でガラス製の台
座に接着されるか、あるいは半田接合でシリコン製の台
座に接着されていた。しかして、ガラス製の台座や半田
はシリコンと熱膨張係数が全く同じではないため、接着
部に生じた熱応力によって、従来の圧力センサは周囲温
度の影響を強く受け、出力の温度特性が良くなかった。FIG. 35 shows an example in which the mounting technology of the silicon capacitive acceleration sensor according to the present invention is applied to a pressure sensor.
36 and FIG. In such a conventional pressure sensor,
The detection chip having a strain gauge is bonded to a glass pedestal by anodic bonding or bonded to a silicon pedestal by solder bonding. However, glass pedestals and solders do not have the same thermal expansion coefficient as silicon, so the conventional pressure sensor is strongly affected by the ambient temperature due to the thermal stress generated at the bonding part, and the output temperature characteristics are good. Did not.

【００８０】そこで、図３５の例においては、検出チッ
プ７５(シリコン板)は、ダイアフラム状に形成した部
分、すなわちダイアフラム部７２と、その表面に形成し
た歪ゲージ７１やボンディング・パッド７４よりなる。
そして、歪ゲージ７１は熱酸化膜７０で保護されてい
る。Therefore, in the example of FIG. 35, the detection chip 75 (silicon plate) includes a portion formed in a diaphragm shape, that is, a diaphragm portion 72, and a strain gauge 71 and a bonding pad 74 formed on the surface thereof.
The strain gauge 71 is protected by the thermal oxide film 70.

【００８１】そして、この例では、圧力導入孔７８を有
するシリコン台座７７上へ、熱酸化膜７６を介して検出
チップ７５を直接的に接合してある。熱酸化膜７６は約
１μｍと薄く、従って、この例によれば、検出部は実質
的にシリコン積層体だけで構成されたのと等価になり、
このため、温度特性の良好な圧力センサが得られる。In this example, the detection chip 75 is directly joined to the silicon pedestal 77 having the pressure introducing hole 78 via the thermal oxide film 76. The thermal oxide film 76 is as thin as about 1 μm, and therefore, according to this example, the detection unit is substantially equivalent to being composed of only the silicon laminate,
Therefore, a pressure sensor having good temperature characteristics can be obtained.

【００８２】図３６は、ダイアフラム部７２の圧力室７
３と反対側へ、熱酸化膜７０を介してシリコンキャップ
８０を接着することにより、基準真空室７９を形成した
ことを特徴とするもので、この例によれば、絶対圧セン
サを得ることができる。FIG. 36 shows the pressure chamber 7 of the diaphragm 72.
The reference vacuum chamber 79 is formed by adhering a silicon cap 80 to the side opposite to 3 via a thermal oxide film 70. According to this example, it is possible to obtain an absolute pressure sensor. it can.

【００８３】[0083]

【発明の効果】本発明によれば、電極リードの実装に何
らの問題を生じることなく、容易に、しかも確実に検出
部と外部との接続を行なうことが出来るから、生産性に
優れ、高性能で、かつローコストの静電容量式加速度セ
ンサを容易に提供することが出来る。According to the present invention, the connection between the detecting section and the outside can be easily and surely made without causing any problem in mounting the electrode leads. A high-performance and low-cost capacitive acceleration sensor can be easily provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明による加速度センサの一例を示す基本構
成図である。FIG. 1 is a basic configuration diagram showing an example of an acceleration sensor according to the present invention.

【図２】本発明の概略製造プロセスの説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a schematic manufacturing process of the present invention.

【図３】本発明の一例による検出部の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a detection unit according to an example of the present invention.

【図４】本発明の一例による検出部の断面図である。FIG. 4 is a sectional view of a detection unit according to an example of the present invention.

【図５】本発明による検出部の展開図である。FIG. 5 is a development view of a detection unit according to the present invention.

【図６】本発明による検出部の展開図である。FIG. 6 is a development view of a detection unit according to the present invention.

【図７】本発明による検出部の展開図である。FIG. 7 is a development view of a detection unit according to the present invention.

【図８】本発明による検出部の展開図である。FIG. 8 is a development view of a detection unit according to the present invention.

【図９】本発明による検出部の平面展開図である。FIG. 9 is a developed plan view of a detection unit according to the present invention.

【図１０】本発明による検出部の立体図である。FIG. 10 is a three-dimensional view of a detection unit according to the present invention.

【図１１】本発明による検出部の等価回路図である。FIG. 11 is an equivalent circuit diagram of a detection unit according to the present invention.

【図１２】本発明におけるウエハ状態のシリコン板の位
置決め方法の説明図である。FIG. 12 is an explanatory diagram of a method for positioning a silicon plate in a wafer state according to the present invention.

【図１３】本発明による検出部の断面図である。FIG. 13 is a sectional view of a detection unit according to the present invention.

【図１４】本発明による検出部の断面図である。FIG. 14 is a sectional view of a detection unit according to the present invention.

【図１５】本発明による検出部の平面図である。FIG. 15 is a plan view of a detection unit according to the present invention.

【図１６】本発明による検出部の平面図である。FIG. 16 is a plan view of a detection unit according to the present invention.

【図１７】本発明による電極リードの例を示す断面図で
ある。FIG. 17 is a sectional view showing an example of an electrode lead according to the present invention.

【図１８】本発明による電極リードの例を示す断面図で
ある。FIG. 18 is a sectional view showing an example of an electrode lead according to the present invention.

【図１９】本発明による電極リードの例を示す説明図で
ある。FIG. 19 is an explanatory view showing an example of an electrode lead according to the present invention.

【図２０】本発明の一実施例を示す立体図である。FIG. 20 is a three-dimensional view showing one embodiment of the present invention.

【図２１】本発明の一実施例における端子板の概略図で
ある。FIG. 21 is a schematic view of a terminal plate in one embodiment of the present invention.

【図２２】本発明による電極リードの例を示す平面図で
ある。FIG. 22 is a plan view showing an example of an electrode lead according to the present invention.

【図２３】本発明による電極リードの展開図である。FIG. 23 is a development view of an electrode lead according to the present invention.

【図２４】本発明による電極リードの他の例を示す断面
図である。FIG. 24 is a sectional view showing another example of the electrode lead according to the present invention.

【図２５】本発明による電極リードの他の例を示す断面
図である。FIG. 25 is a sectional view showing another example of the electrode lead according to the present invention.

【図２６】本発明による電極リードの平面展開図であ
る。FIG. 26 is a developed plan view of an electrode lead according to the present invention.

【図２７】本発明による電極リードの他の例を示す断面
図である。FIG. 27 is a sectional view showing another example of the electrode lead according to the present invention.

【図２８】本発明による電極リードの他の例を示す断面
図である。FIG. 28 is a sectional view showing another example of the electrode lead according to the present invention.

【図２９】本発明による電極リードの他の例を示す断面
図である。FIG. 29 is a sectional view showing another example of an electrode lead according to the present invention.

【図３０】本発明による電極リードの他の例を示す平面
図である。FIG. 30 is a plan view showing another example of the electrode lead according to the present invention.

【図３１】本発明による電極リードの他の例を示す平面
図である。FIG. 31 is a plan view showing another example of the electrode lead according to the present invention.

【図３２】容量式加速度センサの信号処理回路の一例を
示す回路図である。FIG. 32 is a circuit diagram illustrating an example of a signal processing circuit of the capacitive acceleration sensor.

【図３３】パルス幅変調器の電圧波形図である。FIG. 33 is a voltage waveform diagram of the pulse width modulator.

【図３４】加速度センサの出力特性図である。FIG. 34 is an output characteristic diagram of the acceleration sensor.

【図３５】本発明の実装方法を圧力センサへ適用した例
を示す断面図である。FIG. 35 is a sectional view showing an example in which the mounting method of the present invention is applied to a pressure sensor.

【図３６】本発明の実装方法を圧力センサへ適用した例
を示す断面図である。FIG. 36 is a cross-sectional view showing an example in which the mounting method of the present invention is applied to a pressure sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ シリコン板Ａ ２ シリコン板Ｂ ３ シリコン板Ｃ ４、５ 熱酸化膜 ６ シリコンビーム ７ 可動電極 ８ 空隙 ９ａ、９、９ｃ ボンディング・パッド １１、１１２ 多結晶シリコン層 １３、１４ ガラス層 ２２ 貫通孔 ２４ 案内ピン ２６ ガラス板Ａ ２７ ガラス板Ｃ ２８、２９ 固定電極 ３０ シリコン板Ｄ ３１ シリコン板Ｅ ３２、３３ リード引出し部 ３４、３５ 溝 ３７、３８、３９、４２、４３、４４ 導電ペースト ４１ 端子板Ｇ ４６ 絶縁材料 ４７ 溝 ４８、４９ 低溶融点ガラス接着剤 ５０、５１ 貫通孔 ５２、５３ リード引出し部 ５４、５５ エッチング孔 ５６、５７ 導電材料 ５８、５９ 多結晶シリコン層 ６２、６３ 熱酸化膜 ７１ 歪ゲージ ７２ ダイアフラム ７５ 検出チップ(シリコン板) ７６ 熱酸化膜 ７７ シリコン台 ７９ 基準真空室 ８０ シリコンキャップ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Silicon plate A 2 Silicon plate B 3 Silicon plate C 4, 5 Thermal oxide film 6 Silicon beam 7 Movable electrode 8 Void 9a, 9, 9c Bonding pad 11, 112 Polycrystalline silicon layer 13, 14 Glass layer 22 Through hole 24 Guide pin 26 Glass plate A 27 Glass plate C 28, 29 Fixed electrode 30 Silicon plate D 31 Silicon plate E 32, 33 Lead extraction portion 34, 35 Groove 37, 38, 39, 42, 43, 44 Conductive paste 41 Terminal plate G 46 Insulating material 47 Groove 48, 49 Low melting point glass adhesive 50, 51 Through hole 52, 53 Lead extraction part 54, 55 Etching hole 56, 57 Conductive material 58, 59 Polycrystalline silicon layer 62, 63 Thermal oxide film 71 Strain Gauge 72 Diaphragm 75 Detection chip (silicon plate) 76 Thermal oxide film 77 Silicon stand 79 Semi-vacuum chamber 80 Silicon cap

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松本 昌大 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所 日立研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−27666（ＪＰ，Ａ) ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Masahiro Matsumoto 4026 Kuji-cho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Within Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (56) References JP-A-62-27666 (JP, A)

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 加速度に応じて変位する可動電極部が形
成されたシリコン板を用い、このシリコン板の可動電極
部に所定の間隙を介して対向させた固定電極部との間で
の静電容量変化により加速度を検出する方式の静電容量
式加速度センサにおいて、前記可動電極部を外部に接続するための第１の電気的接
続手段と、前記固定電極部を外部に接続するための第２
の電気的接続手段とが、前記シリコン板を含むセンサチ
ップの同一ダイシング面に設けられている ことを特徴と
する静電容量式加速度センサ。1. A method according to claim 1, wherein a silicon plate having a movable electrode portion displaced in accordance with acceleration is formed, and static electricity is applied between the silicon electrode and a fixed electrode portion opposed to the movable electrode portion via a predetermined gap. In a capacitance type acceleration sensor for detecting acceleration by a change in capacitance, a first electrical connection for connecting the movable electrode portion to the outside is provided.
Connecting means for connecting the fixed electrode portion to the outside;
Electrical connection means, the sensor chip including the silicon plate
A capacitive acceleration sensor provided on the same dicing surface of a chip . 【請求項２】 請求項１の発明において、前記固定電極
部は基板に形成されていることを特徴とする静電容量式
加速度センサ。2. The capacitance type acceleration sensor according to claim 1, wherein said fixed electrode portion is formed on a substrate. 【請求項３】 請求項２の発明において、前記基板はガ
ラス板であることを特徴とする静電容量式加速度セン
サ。3. The capacitive acceleration sensor according to claim 2, wherein the substrate is a glass plate. 【請求項４】 請求項２の発明において、前記基板のダ
イシング面に外部の信号処理回路との電気的接続手段を
設けたことを特徴とする静電容量式加速度センサ。 4. The capacitive acceleration sensor according to claim 2, wherein an electrical connection means for connecting to an external signal processing circuit is provided on the dicing surface of the substrate. 【請求項５】 加速度に応じて変位する可動部が形成さ
れた基板と、前記可動部の変位を検出する検出部とを備
えた静電容量式加速度センサにおいて、前記検出部を外部の信号処理回路に接続するための複数
の電気的接続手段が、前記センサを形成するチップの同
一ダイシング面に設けられている ことを特徴とする静電
容量式加速度センサ。 5. A capacitance type acceleration sensor comprising: a substrate on which a movable portion that is displaced in accordance with an acceleration is formed; and a detection portion for detecting displacement of the movable portion, wherein the detection portion is provided with an external signal processing. Multiple to connect to the circuit
Electrical connection means is the same as the chip forming the sensor.
A capacitive acceleration sensor provided on one dicing surface . 【請求項６】 請求項５の発明において、前記基板はシ
リコン板であることを特徴とする静電容量式加速度セン
サ。 6. The capacitive acceleration sensor according to claim 5, wherein the substrate is a silicon plate.
JP7067700A 1995-03-27 1995-03-27 Capacitive acceleration sensor Expired - Lifetime JP2728237B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7067700A JP2728237B2 (en) 1995-03-27 1995-03-27 Capacitive acceleration sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7067700A JP2728237B2 (en) 1995-03-27 1995-03-27 Capacitive acceleration sensor

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63286714A Division JPH0623782B2 (en) 1988-11-15 1988-11-15 Capacitance type acceleration sensor and semiconductor pressure sensor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07318583A JPH07318583A (en) 1995-12-08
JP2728237B2 true JP2728237B2 (en) 1998-03-18

Family

ID=13352501

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7067700A Expired - Lifetime JP2728237B2 (en) 1995-03-27 1995-03-27 Capacitive acceleration sensor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2728237B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017120205A (en) * 2015-12-28 2017-07-06 エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 Fine element and manufacturing method thereof

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000138381A (en) * 1998-11-02 2000-05-16 Toyota Central Res & Dev Lab Inc Sealed container and its manufacture
JP2001215160A (en) * 2000-02-01 2001-08-10 Nagano Keiki Co Ltd Dynamic physical quantity converter
WO2005069016A1 (en) * 2004-01-07 2005-07-28 Northrop Grumman Corporation Coplanar proofmasses employable to sense acceleration along three axes
JP5789737B2 (en) * 2009-11-24 2015-10-07 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Acceleration sensor
JP5143857B2 (en) * 2010-04-20 2013-02-13 三菱電機株式会社 Method for manufacturing acceleration sensor
JP2011085595A (en) * 2010-12-03 2011-04-28 Panasonic Electric Works Co Ltd Mems device
JP5864332B2 (en) * 2012-03-29 2016-02-17 曙ブレーキ工業株式会社 Capacitance type acceleration sensor manufacturing method, manufacturing apparatus, and capacitance type acceleration sensor
JP6818299B2 (en) * 2017-03-22 2021-01-20 エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 Fine elements and their manufacturing methods
JP7213080B2 (en) * 2018-12-19 2023-01-26 東京エレクトロン株式会社 Mounting table

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4679434A (en) * 1985-07-25 1987-07-14 Litton Systems, Inc. Integrated force balanced accelerometer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017120205A (en) * 2015-12-28 2017-07-06 エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 Fine element and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07318583A (en) 1995-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5392651A (en) Capacitance type accelerometer
US6391742B2 (en) Small size electronic part and a method for manufacturing the same, and a method for forming a via hole for use in the same
US5616844A (en) Capacitance type acceleration sensor
US5243861A (en) Capacitive type semiconductor accelerometer
JP3063209B2 (en) Capacitive acceleration sensor
EP0376632A1 (en) Capacitive pressure sensor and method for minimizing the parasitic capacitance in a capacitive pressure sensor
US7799595B2 (en) Semiconductor physical quantity sensor of electrostatic capacitance type and method for manufacturing the same
JPH06331651A (en) Accelerometer with minute mechanism and preparation thereof
JP2012225920A (en) Micro-electromechanical system (mems) device
JP2728237B2 (en) Capacitive acceleration sensor
US5448444A (en) Capacitive pressure sensor having a reduced area dielectric spacer
FI81915B (en) KAPACITIV ACCELERATIONSGIVARE OCH FOERFARANDE FOER FRAMSTAELLNING DAERAV.
JP3405108B2 (en) External force measuring device and manufacturing method thereof
JP2000074768A (en) Capacitance type pressure sensor and manufacture thereof
US20040263186A1 (en) Capacitance type dynamic quantity sensor
JP3173256B2 (en) Semiconductor acceleration sensor and method of manufacturing the same
JP3161736B2 (en) Acceleration sensor
Shoji et al. Diode integrated capacitive accelerometer with reduced structural distortion
JP2000304764A (en) Semiconductor dynamic value sensor and its manufacture
JPH06289049A (en) Acceleration sensor
JPH08254474A (en) Semiconductor sensor
JPH06273442A (en) Capacitance-type semiconductor acceleration sensor and its manufacture as well as mounting structure of the sensor
JPH06241932A (en) Micro device and its manufacturing method
EP0793103A2 (en) Semiconductor acceleration sensor
JP2713241B2 (en) Acceleration sensor and method of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071212

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081212

Year of fee payment: 11

EXPY Cancellation because of completion of term