JP2723872B2 - Ｔａｂテープキャリア及び半導体装置 - Google Patents
Ｔａｂテープキャリア及び半導体装置Info
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- JP2723872B2 JP2723872B2 JP7333067A JP33306795A JP2723872B2 JP 2723872 B2 JP2723872 B2 JP 2723872B2 JP 7333067 A JP7333067 A JP 7333067A JP 33306795 A JP33306795 A JP 33306795A JP 2723872 B2 JP2723872 B2 JP 2723872B2
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＴＡＢテープキャリ
ア及びこのＴＡＢテープキャリアを用いた半導体装置に
関する。
ア及びこのＴＡＢテープキャリアを用いた半導体装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体チップを実装するパッケー
ジは小型化されると共に、多ピン化されてきている。こ
の多ピン化に伴ないリードフレームの内部リードのピッ
チはより狭くなり、長い内部リードの場合はリード間シ
ョートが発生するという問題がある。この対策としてよ
り細いリードの形成が可能なＴＡＢテープの配線を内部
リードとして用いて半導体チップと外部リードとを接続
する方法が多用されてきている。以下従来のＴＡＢテー
プキャリア及び半導体装置について図面を用いて説明す
る。
ジは小型化されると共に、多ピン化されてきている。こ
の多ピン化に伴ないリードフレームの内部リードのピッ
チはより狭くなり、長い内部リードの場合はリード間シ
ョートが発生するという問題がある。この対策としてよ
り細いリードの形成が可能なＴＡＢテープの配線を内部
リードとして用いて半導体チップと外部リードとを接続
する方法が多用されてきている。以下従来のＴＡＢテー
プキャリア及び半導体装置について図面を用いて説明す
る。
【０００３】図４（ａ），（ｂ）は従来のＴＡＢテープ
キャリアの上面図及びＢ−Ｂ線拡大断面図、図５は従来
のＴＡＢテープキャリアを用いた半導体装置の断面図で
ある。
キャリアの上面図及びＢ−Ｂ線拡大断面図、図５は従来
のＴＡＢテープキャリアを用いた半導体装置の断面図で
ある。
【０００４】図４（ａ），（ｂ）においてＴＡＢテープ
キャリア１０Ａは、デバイスホール１とリードボンディ
ング（ＬＢ）ホール１３が形成された厚さ約２００μｍ
のポリイミド等からなる絶縁フィルム２と、このフィル
ム２上に接着剤３を介して形成されデバイスホール１内
に延在する厚さ約５０μｍの銅箔等からなる配線４とか
ら形成される。尚、図４（ａ）において６はスプロケッ
トホールである。
キャリア１０Ａは、デバイスホール１とリードボンディ
ング（ＬＢ）ホール１３が形成された厚さ約２００μｍ
のポリイミド等からなる絶縁フィルム２と、このフィル
ム２上に接着剤３を介して形成されデバイスホール１内
に延在する厚さ約５０μｍの銅箔等からなる配線４とか
ら形成される。尚、図４（ａ）において６はスプロケッ
トホールである。
【０００５】次に、このように構成された従来のＴＡＢ
テープキャリアを用いた半導体装置の製造方法について
図５を併用して説明する。まずリードフレームのアイラ
ンド１１上に半導体チップ７をダイマウントし、次でこ
の半導体チップ７をＴＡＢテープキャリア１０Ａのデバ
イスホール１内に位置合わせしてチップ７のボンディン
グパッド上に配線４の先端をボンディングする。次にＬ
Ｂホール１３内で配線４の端部を外部リード８に金型を
用いたプレスによりボンディングすると共に配線４をＴ
ＡＢテープより分離させる。その後エポキシ等の樹脂９
により半導体チップ７等を封止したのち、外部リード８
を成型して樹脂封止型の半導体装置を完成させる。
テープキャリアを用いた半導体装置の製造方法について
図５を併用して説明する。まずリードフレームのアイラ
ンド１１上に半導体チップ７をダイマウントし、次でこ
の半導体チップ７をＴＡＢテープキャリア１０Ａのデバ
イスホール１内に位置合わせしてチップ７のボンディン
グパッド上に配線４の先端をボンディングする。次にＬ
Ｂホール１３内で配線４の端部を外部リード８に金型を
用いたプレスによりボンディングすると共に配線４をＴ
ＡＢテープより分離させる。その後エポキシ等の樹脂９
により半導体チップ７等を封止したのち、外部リード８
を成型して樹脂封止型の半導体装置を完成させる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】一般に樹脂封止された
半導体装置は、保管環境下の湿度により水分を吸収す
る。特にＴＡＢテープキャリアの絶縁フィルム２はポリ
イミド等の有機物で形成されている為多くの水分を吸収
する。水分が吸収された状態で半導体装置をプリント基
板等に半田実装すると、実装時の２００℃以上の熱スト
レスにより吸着した水分が気化し膨張する。水分の蒸発
は絶縁フィルム２の近辺で顕著になる。
半導体装置は、保管環境下の湿度により水分を吸収す
る。特にＴＡＢテープキャリアの絶縁フィルム２はポリ
イミド等の有機物で形成されている為多くの水分を吸収
する。水分が吸収された状態で半導体装置をプリント基
板等に半田実装すると、実装時の２００℃以上の熱スト
レスにより吸着した水分が気化し膨張する。水分の蒸発
は絶縁フィルム２の近辺で顕著になる。
【０００７】すなわち図６（ａ）に示すように、樹脂９
により配線４は封止されるが、水蒸気の発生により最も
密着性の悪い配線４と樹脂９との界面が剥離し図６
（ｂ）に示すように、隙間１２Ａが生じて配線４が樹脂
９から外れる。その後水蒸気がパッケージの外部へ放出
されたり、冷却により圧縮されて絶縁フィルム２が復元
しても図６（ｃ）に示すように、配線４が元の位置に戻
らず、配線４が断線したり、配線４同志がショートした
りするという問題点がある。
により配線４は封止されるが、水蒸気の発生により最も
密着性の悪い配線４と樹脂９との界面が剥離し図６
（ｂ）に示すように、隙間１２Ａが生じて配線４が樹脂
９から外れる。その後水蒸気がパッケージの外部へ放出
されたり、冷却により圧縮されて絶縁フィルム２が復元
しても図６（ｃ）に示すように、配線４が元の位置に戻
らず、配線４が断線したり、配線４同志がショートした
りするという問題点がある。
【０００８】これは配線４を有するＴＡＢテープと樹脂
９との界面が凹凸状になっている為である。
９との界面が凹凸状になっている為である。
【０００９】本発明の目的は、上記欠点を除去し、半導
体装置の実装時の熱ストレスによりＴＡＢテープと封止
樹脂の界面に隙間を生じても配線の断線やショートの発
生することのない信頼性の向上したＴＡＢテープキャリ
ア及び半導体装置を提供することにある。
体装置の実装時の熱ストレスによりＴＡＢテープと封止
樹脂の界面に隙間を生じても配線の断線やショートの発
生することのない信頼性の向上したＴＡＢテープキャリ
ア及び半導体装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】第１の発明のＴＡＢテー
プキャリアは、デバイスホールが形成された絶縁フィル
ム上に接着剤を介して形成された金属箔からなる複数の
配線を有するＴＡＢテープキャリアにおいて、前記配線
は端部を除きその表面が平坦化された保護膜により覆わ
れていることを特徴とするものである。
プキャリアは、デバイスホールが形成された絶縁フィル
ム上に接着剤を介して形成された金属箔からなる複数の
配線を有するＴＡＢテープキャリアにおいて、前記配線
は端部を除きその表面が平坦化された保護膜により覆わ
れていることを特徴とするものである。
【００１１】第２の発明の半導体装置は、デバイスホー
ルが形成された絶縁フィルムと、この絶縁フィルム上に
接着剤を介して形成されデバイスホール内に延在する金
属箔からなる配線と、この配線の端部を除く表面に形成
され平坦化された保護膜と、前記デバイスホール部に配
設され前記配線の一方の端部にボンディングパッドが接
続された半導体チップと、前記配線の他方の端部に接続
されたリードと、前記半導体チップと前記配線と前記保
護膜と前記絶縁フィルムと前記リードの一部とを封止す
る樹脂とを含むことを特徴とするものである。
ルが形成された絶縁フィルムと、この絶縁フィルム上に
接着剤を介して形成されデバイスホール内に延在する金
属箔からなる配線と、この配線の端部を除く表面に形成
され平坦化された保護膜と、前記デバイスホール部に配
設され前記配線の一方の端部にボンディングパッドが接
続された半導体チップと、前記配線の他方の端部に接続
されたリードと、前記半導体チップと前記配線と前記保
護膜と前記絶縁フィルムと前記リードの一部とを封止す
る樹脂とを含むことを特徴とするものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施
の形態を説明する為のＴＡＢテープキャリアの上面図及
びＡ−Ａ線拡大断面図である。
て説明する。図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施
の形態を説明する為のＴＡＢテープキャリアの上面図及
びＡ−Ａ線拡大断面図である。
【００１３】図１（ａ），（ｂ）においてＴＡＢテープ
キャリア１０は、デバイスホール１とＬＢホール１３と
が形成されたポリイミド等の厚さ約２００μｍの絶縁フ
ィルム２と、この絶縁フィルム２上に樹脂からなる接着
剤３を介して形成されデバイスホール１内に延在する銅
箔等からなる厚さ約５０μｍの配線４と、この配線４の
端部を除く表面を覆うように形成された表面が平坦な樹
脂からなる厚さ約５０μｍの保護膜５とから主に構成さ
れている。尚、図１（ａ）において６はスプロケットホ
ールである。接着剤３及び保護膜５としては、フェノー
ル樹脂，エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂を用いること
ができる。
キャリア１０は、デバイスホール１とＬＢホール１３と
が形成されたポリイミド等の厚さ約２００μｍの絶縁フ
ィルム２と、この絶縁フィルム２上に樹脂からなる接着
剤３を介して形成されデバイスホール１内に延在する銅
箔等からなる厚さ約５０μｍの配線４と、この配線４の
端部を除く表面を覆うように形成された表面が平坦な樹
脂からなる厚さ約５０μｍの保護膜５とから主に構成さ
れている。尚、図１（ａ）において６はスプロケットホ
ールである。接着剤３及び保護膜５としては、フェノー
ル樹脂，エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂を用いること
ができる。
【００１４】このようなＴＡＢテープキャリア１０を形
成する為には、従来と同様に絶縁フィルム２上に接着剤
（厚さ約２０μｍ）３を介して圧延銅箔をラミネート
し、フォトエッチング技術により配線４を形成する。次
に保護膜５として接着剤３と同一樹脂を配線４上に塗布
したのち、塗布面をシート等を介してローラ等で平坦化
する。その後この保護膜５を硬化させることにより平坦
化された保護膜５を有するＴＡＢテープキャリア１０が
完成する。
成する為には、従来と同様に絶縁フィルム２上に接着剤
（厚さ約２０μｍ）３を介して圧延銅箔をラミネート
し、フォトエッチング技術により配線４を形成する。次
に保護膜５として接着剤３と同一樹脂を配線４上に塗布
したのち、塗布面をシート等を介してローラ等で平坦化
する。その後この保護膜５を硬化させることにより平坦
化された保護膜５を有するＴＡＢテープキャリア１０が
完成する。
【００１５】図２は本発明の第２の実施の形態を説明す
る為の半導体装置の断面図である。以下図１を併用して
説明する。
る為の半導体装置の断面図である。以下図１を併用して
説明する。
【００１６】図２において半導体装置は、デバイスホー
ル１が形成された絶縁フィルム２と、この絶縁フィルム
２上に接着剤３を介して形成されデバイスホール１内に
延在する銅箔からなる配線４と、この配線４の端部を除
く表面に形成され平坦化された保護膜５と、デバイスホ
ール１内に配設され配線４の一方の端部にボンディング
パッドが接続されたアイランド１１上の半導体チップ７
と、配線４の他方の端部に接続された外部リード８と、
半導体チップ７と保護膜５と配線４と絶縁フィルム２と
外部リード８の一部とを封止するエポキシ等の樹脂９と
から主に構成されている。
ル１が形成された絶縁フィルム２と、この絶縁フィルム
２上に接着剤３を介して形成されデバイスホール１内に
延在する銅箔からなる配線４と、この配線４の端部を除
く表面に形成され平坦化された保護膜５と、デバイスホ
ール１内に配設され配線４の一方の端部にボンディング
パッドが接続されたアイランド１１上の半導体チップ７
と、配線４の他方の端部に接続された外部リード８と、
半導体チップ７と保護膜５と配線４と絶縁フィルム２と
外部リード８の一部とを封止するエポキシ等の樹脂９と
から主に構成されている。
【００１７】次に、このように構成された半導体装置を
プリント基板等に半田実装する場合について図３を併用
して説明する。
プリント基板等に半田実装する場合について図３を併用
して説明する。
【００１８】樹脂封止された半導体装置は保管環境下で
水分を吸収する。この水分は実装時の熱により蒸発し、
その熱ストレスにより図３（ａ）に示すように、保護膜
５と樹脂９とが湾曲して剥離し、その界面に隙間１２を
生じる。
水分を吸収する。この水分は実装時の熱により蒸発し、
その熱ストレスにより図３（ａ）に示すように、保護膜
５と樹脂９とが湾曲して剥離し、その界面に隙間１２を
生じる。
【００１９】しかし、水蒸気がパッケージの外部へ放出
されたり、冷却により絶縁フィルム２が復元すると、図
３（ｂ）に示すように、樹脂９と保護膜５の界面の隙間
１２はほとんどなくなる。この絶縁フィルム２の復元に
よっても配線４は保護膜５により保持されている為、従
来のように樹脂９の凹凸部にぶつかり、ずれて配線が断
線さたりショートすることはない。特に接着剤３と保護
膜５とを同一の樹脂により形成することにより、配線４
は接着剤３と保護膜５の内部に完全に埋設される為、熱
ストレスによって配線４が剥離することはなくなる。こ
の為配線４のずれを完全に抑制することができる。
されたり、冷却により絶縁フィルム２が復元すると、図
３（ｂ）に示すように、樹脂９と保護膜５の界面の隙間
１２はほとんどなくなる。この絶縁フィルム２の復元に
よっても配線４は保護膜５により保持されている為、従
来のように樹脂９の凹凸部にぶつかり、ずれて配線が断
線さたりショートすることはない。特に接着剤３と保護
膜５とを同一の樹脂により形成することにより、配線４
は接着剤３と保護膜５の内部に完全に埋設される為、熱
ストレスによって配線４が剥離することはなくなる。こ
の為配線４のずれを完全に抑制することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、絶縁フィ
ルム上に形成された配線上に、平坦化された保護膜を有
するＴＡＢテープキャリアを用いて樹脂封止型の半導体
装置を形成することにより、半田実装においても従来の
ように熱ストレスにより配線がずれて断線やショート不
良が発生することがなくなる為、信頼性の向上した半導
体装置が得られる。
ルム上に形成された配線上に、平坦化された保護膜を有
するＴＡＢテープキャリアを用いて樹脂封止型の半導体
装置を形成することにより、半田実装においても従来の
ように熱ストレスにより配線がずれて断線やショート不
良が発生することがなくなる為、信頼性の向上した半導
体装置が得られる。
【図１】本発明の第１の実施の形態を説明する為のＴＡ
Ｂテープキャリアの上面図及び断面図。
Ｂテープキャリアの上面図及び断面図。
【図２】本発明の第２の実施の形態を説明する為の半導
体装置の断面図。
体装置の断面図。
【図３】本発明の効果を説明する為の配線近傍の断面
図。
図。
【図４】従来のＴＡＢテープキャリアの上面図及び断面
図。
図。
【図５】従来の半導体装置の断面図。
【図６】従来の半導体装置の欠点を説明する為の配線近
傍の断面図。
傍の断面図。
１ デバイスホール ２ 絶縁フィルム ３ 接着剤 ４ 配線 ５ 保護膜 ６ スプロケットホール ７ 半導体チップ ８ 外部リード ９ 樹脂 １０，１０Ａ ＴＡＢテープキャリア １１ アイランド １２，１２Ａ 隙間 １３ ＬＢホール
Claims (5)
- 【請求項１】 デバイスホールが形成された絶縁フィル
ム上に接着剤を介して形成された金属箔からなる複数の
配線を有するＴＡＢテープキャリアにおいて、前記配線
は端部を除きその表面が平坦化された保護膜により覆わ
れていることを特徴とするＴＡＢテープキャリア。 - 【請求項２】 保護膜は接着剤と同一材料で形成されて
いる請求項１記載のＴＡＢテープキャリア。 - 【請求項３】 保護膜はフェノール樹脂又はエポキシ樹
脂又はポリイミド樹脂から形成されている請求項１又は
請求項２記載のＴＡＢテープキャリア。 - 【請求項４】 デバイスホールが形成された絶縁フィル
ムと、この絶縁フィルム上に接着剤を介して形成されデ
バイスホール内に延在する金属箔からなる配線と、この
配線の端部を除く表面に形成され平坦化された保護膜
と、前記デバイスホール部に配設され前記配線の一方の
端部にボンディングパッドが接続された半導体チップ
と、前記配線の他方の端部に接続されたリードと、前記
半導体チップと前記配線と前記保護膜と前記絶縁フィル
ムと前記リードの一部とを封止する樹脂とを含むことを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 保護膜は接着剤と同一樹脂から形成され
ている請求項４記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7333067A JP2723872B2 (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | Ｔａｂテープキャリア及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7333067A JP2723872B2 (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | Ｔａｂテープキャリア及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09172043A JPH09172043A (ja) | 1997-06-30 |
| JP2723872B2 true JP2723872B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=18261902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7333067A Expired - Lifetime JP2723872B2 (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | Ｔａｂテープキャリア及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2723872B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10240461A1 (de) | 2002-08-29 | 2004-03-11 | Infineon Technologies Ag | Universelles Gehäuse für ein elektronisches Bauteil mit Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53101270A (en) * | 1977-02-16 | 1978-09-04 | Seiko Epson Corp | Substraet for semiconductor device |
| JPH04162734A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその形成方法 |
| JPH04291737A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-15 | Toshiba Corp | Ｔａｂフィルムキャリアテープ |
| JPH06112267A (ja) * | 1992-09-29 | 1994-04-22 | Nec Kansai Ltd | Ｔａｂ式半導体装置 |
-
1995
- 1995-12-21 JP JP7333067A patent/JP2723872B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09172043A (ja) | 1997-06-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971028 |