JP2711667B2 - Method and apparatus for starting narrow band excimer laser - Google Patents

Method and apparatus for starting narrow band excimer laser

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は縮小投影露光装置の光源として用いる狭帯
域エキシマレーザの起動方法及び装置に関し、特に波長
選択素子の重ね合せ制御を行なう狭帯域エキシマレーザ
の起動方法及び装置に関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for activating a narrow band excimer laser used as a light source of a reduction projection exposure apparatus, and in particular, a narrow band excimer laser for performing superposition control of a wavelength selection element. The present invention relates to a method and an apparatus for starting up.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

集積回路等の回路パターンを半導体ウエハ上に露光す
る縮小投影露光装置の光源としてエキシマレーザの利用
が注目されている。これはエキシマレーザの波長が短い
（KrFレーザの波長は約248.4nm）ことから光露光の限界
を0.5μｍ以下に延ばせる可能性があること、同じ解像
度なら従来用いていた水銀ランプのｇ線やｉ線に比較し
て焦点深度が深いこと、レンズの開口数（NA）が小さく
てすみ、露光領域を大きくできること、大きなパワーが
得られること等の多くの優れた利点が期待できるからで
ある。Attention has been paid to the use of excimer lasers as light sources for reduction projection exposure apparatuses that expose circuit patterns on integrated circuits and the like onto semiconductor wafers. This is because the excimer laser has a short wavelength (KrF laser has a wavelength of about 248.4 nm), which may extend the limit of light exposure to 0.5 μm or less. This is because many excellent advantages such as a deeper focal depth, a smaller numerical aperture (NA) of the lens, a larger exposure area, and a larger power can be expected as compared with the line.

ところでエキシマレーザはその波長が248.35nmと短い
ため、この波長を透過する材料が石英、CaF2およびMgF2
等しかなく、しかも均一性および加工精度等の点でレン
ズ素材として石英しか用いることができない。そこで色
収差補正をした縮小投影レンズの設計は困難である。こ
のため、エキシマレーザを縮小投影露光装置の光源とし
て用いるにはこの色収差が無視しうる程度までの狭帯域
化が必要となる。By the way, the wavelength of excimer laser is as short as 248.35 nm, and the material that transmits this wavelength is quartz, CaF 2 and MgF 2.
Only quartz can be used as a lens material in terms of uniformity and processing accuracy. Therefore, it is difficult to design a reduction projection lens that has corrected chromatic aberration. Therefore, in order to use an excimer laser as a light source of a reduction projection exposure apparatus, it is necessary to narrow the band to such a degree that this chromatic aberration can be ignored.

エキシマレーザの狭帯域化のために、発明者等は、エ
キシマレーザのリアミラーとレーザチャンバとの間に複
数の波長選択素子を配設し、この複数の波長選択素子の
選択中心波長を制御する中心波長制御を行なうとともに
この複数の波長選択素子の透過中心波長を重ね合せる重
ね合せ制御を実行するという構成を提案している。In order to narrow the band of the excimer laser, the inventors arranged a plurality of wavelength selection elements between the rear mirror of the excimer laser and the laser chamber, and controlled a center for controlling the selection center wavelength of the plurality of wavelength selection elements. A configuration has been proposed in which wavelength control is performed and superposition control for superimposing transmission center wavelengths of the plurality of wavelength selection elements is performed.

この重ね合せ制御は、具体的には、出力レーザ光の中
心波長のパワーをモニタし、このモニタしたパワーが最
大となるように複数の波長選択素子の波長選択特性を制
御するのである。Specifically, the superposition control monitors the power of the center wavelength of the output laser light, and controls the wavelength selection characteristics of the plurality of wavelength selection elements so that the monitored power is maximized.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

このような狭帯域エキシマレーザの場合、一般に起動
時には、エタロンの重ね合せ状態は不良であり、したが
ってレーザパワーが極めて低く、場合によってはレーザ
発振がおこなわれなかったり、レーザ発振されたとして
もパワーモニタのレザーパワー検出や波長検出限界より
低いパワーでしか発振せず、レーザパワーや波長を検出
できないこともあった。In the case of such a narrow band excimer laser, generally, at the time of start-up, the superposition state of the etalons is defective, and therefore the laser power is extremely low. In some cases, laser oscillation does not occur, or even if laser oscillation occurs, the power monitor is The laser oscillates only at a power lower than the laser power detection or wavelength detection limit, and the laser power or wavelength may not be detected.

このため、レーザ起動時には出力レーザ光の中心波長
を正確に検出することができず、最初に出力レーザ光の
中心波長を所望の波長に一致制御させる波長制御を行お
うとしても困難であった。For this reason, it is difficult to accurately detect the center wavelength of the output laser light at the time of starting the laser, and it is difficult to control the wavelength of the output laser light to coincide with the desired wavelength first.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

そこでこの発明においては波長制御のための充分なパ
ワーが得られるように、レーザ起動時において、まず波
長選択素子の透過波長を重ね合せ制御を実行する。この
重ね合せ制御により波長制御に充分なパワーが得られる
と、その後出力レーザ光の中心波長を所望の波長に一致
制御させる中心波長制御を実行する。Therefore, in the present invention, at the time of starting the laser, the transmission wavelength of the wavelength selection element is first overlapped and controlled so that sufficient power for wavelength control can be obtained. When a power sufficient for wavelength control is obtained by the superposition control, thereafter, center wavelength control for controlling the center wavelength of the output laser light to coincide with a desired wavelength is executed.

〔作用〕[Action]

重ね合せ制御により中心波長制御に充分な出力パワー
が得られ、これにより中心波長制御は短時間に確実に実
行される。By the superposition control, an output power sufficient for the center wavelength control can be obtained, so that the center wavelength control is reliably executed in a short time.

〔実施例〕〔Example〕

第１図は、この発明の一実施例をブロック図で示した
ものである。この実施例ではレーザチャンバ107とリア
ミラー106との間にエタロン101,102を配設することによ
って狭帯域化をおこなっている。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention. In this embodiment, the bandwidth is narrowed by disposing the etalons 101 and 102 between the laser chamber 107 and the rear mirror 106.

この実施例の装置はレーザチャンバ107内のレーザ媒
質ガスの成分制御およびレーザ媒質の励起強度制御、す
なわち放電電圧制御によってレーザ出力パワーをコント
ロールするパワー制御系200と、レーザ出力中心波長を
制御する中心波長制御およびエタロン101と102との透過
中心波長の重ね合せを行なう重ね合せ制御を実行する波
長制御系300とを有している。The apparatus of this embodiment includes a power control system 200 that controls the laser output power by controlling the component of the laser medium gas in the laser chamber 107 and the excitation intensity of the laser medium, that is, by controlling the discharge voltage, and a center that controls the laser output center wavelength. It has a wavelength control system 300 that performs wavelength control and superposition control for superposing transmission center wavelengths of the etalons 101 and 102.

まず、定常状態におけるパワー制御系200と波長制御
系300の動作について説明する。エキシマレーザに用い
るレーザ媒質ガスは時間経過とともにそのレーザ媒質と
しての性質が徐々に劣化し、レーザパワーが低下する。
そこで励起強度制御系200ではレーザ媒質の成分制御、
すなわちガス交換を行なうとともにレーザ媒質の励起強
度すなわち放電電圧を制御することによってレーザ出力
を一定に保つ出力制御がおこなわれている。すなわち第
１図に示すように発振されたレーザ光の一部をビームス
プリッタ104で分岐させパワーモニタ202に入射し、CPU2
03はこのパワーモニタの出力にもとづきレーザ電源204
を介して、レーザ媒質の励起強度を変化させたり、ある
いはガスコントローラ205を介してレーザ媒質ガスの部
分的交換を実施するなどして、レーザ出力を一定に保つ
出力制御をおこなう。First, the operation of the power control system 200 and the wavelength control system 300 in the steady state will be described. The properties of the laser medium gas used for the excimer laser as the laser medium gradually deteriorates over time, and the laser power decreases.
Therefore, the excitation intensity control system 200 controls the components of the laser medium,
That is, output control for maintaining a constant laser output is performed by controlling the excitation intensity of the laser medium, that is, the discharge voltage while performing gas exchange. That is, as shown in FIG. 1, a part of the oscillated laser light is branched by the beam splitter 104 and incident on the power monitor 202,
03 is a laser power supply 204 based on the output of this power monitor.
To control the laser output to keep the laser output constant by changing the excitation intensity of the laser medium via the controller or by partially exchanging the laser medium gas via the gas controller 205.

ここでCPU203はレーザ媒質ガス全量交換時からの経過
時間および通算レーザ発振パルス数を計数しており、こ
の経過時間および通算レーザ発振パルス数をデータとし
てレーザ媒質ガスの劣化具合を判断するとともに所望の
レーザパワーPaを得るために必要なレーザ媒質ガスの励
起強度すなわち放電電圧Vaを算出し、この算出値にもと
づきレーザ電源204を制御する。Here, the CPU 203 counts the elapsed time and the total number of laser oscillation pulses since the total exchange of the laser medium gas, and uses the elapsed time and the total number of laser oscillation pulses as data to determine the degree of deterioration of the laser medium gas and to obtain a desired value. The excitation intensity of the laser medium gas necessary for obtaining the laser power Pa, that is, the discharge voltage Va is calculated, and the laser power supply 204 is controlled based on the calculated value.

また、発振されたレーザ光の一部はビームスプリッタ
103でサンプル光として分岐され、発振中心波長および
中心波長パワー検知器301に加えられる。発振中心波長
及び中心波長パワー検知器301はこのサンプル光からエ
キシマレーザ10の発振中心波長λと中心波長のパワーＰ
λを検出する。ここで中心波長のパワーＰλの検出は予
め設定された所定数のレーザ出力パルスをサンプリング
し、これを平均化することによって行われる。Also, part of the oscillated laser light is beam splitter
At 103, the light is branched as a sample light, and is added to an oscillation center wavelength and center wavelength power detector 301. The oscillation center wavelength and center wavelength power detector 301 obtains the oscillation center wavelength λ of the excimer laser 10 and the power P of the center wavelength from the sample light.
λ is detected. Here, the detection of the power Pλ of the center wavelength is performed by sampling a predetermined number of laser output pulses set in advance and averaging them.

発振中心波長及び中心波長パワー検知器301で検出さ
れたサンプル光の中心波長λおよび中心波長パワーＰλ
は波長コントローラを構成する中心処理装置（CPU）302
に入力される。Center wavelength λ and center wavelength power Pλ of the sample light detected by the oscillation center wavelength and center wavelength power detector 301
Is a central processing unit (CPU) 302 constituting a wavelength controller.
Is input to

CPU302はドライバ303,304を介してエタロン101,102の
波長選択特性（透過中心波長および選択中心波長）を制
御し、サンプル光、すなわちエキシマレーザの出力光の
中心波長が予め設定された所望の波長に一致し（中心波
長制御）、かつ中心波長パワーが最大となるようにする
（重ね合せ制御）。ここでドライバ303,304によるエタ
ロン101,102の波長選択特性の制御はエタロンの温度の
制御、角度の制御、エアギャップ内の圧力の制御、ギャ
ップ間隔の制御等によって行なう。The CPU 302 controls the wavelength selection characteristics (the transmission center wavelength and the selection center wavelength) of the etalons 101 and 102 via the drivers 303 and 304, and the center wavelength of the sample light, that is, the output light of the excimer laser matches the desired wavelength set in advance ( (Center wavelength control) and the center wavelength power is maximized (superposition control). Here, the control of the wavelength selection characteristics of the etalons 101 and 102 by the drivers 303 and 304 is performed by controlling the temperature of the etalon, controlling the angle, controlling the pressure in the air gap, controlling the gap interval, and the like.

中心波長制御は、具体的にはエタロン101,102のうち
少なくともフリースペクトラルレンジの小さい方のエタ
ロンの角度等を制御して該エタロンの透過波長をシフト
させ、これにより出力中心波長すなわち発振中心波長及
び中心波長パワー検知器301で所望の波長となるように
制御する。また重ね合せ制御は、上述したフリースペク
トラルレンジの小さい方のエタロン以外のエタロン、す
なわち、フリースペクトラルレンジの大きい方のエタロ
ンの透過中心波長を所定単位波長づつシフトし、エタロ
ン101,102の透過中心波長が重なり、発振中心波長及び
中心波長パワー検知器301で検出された中心波長パワー
が最大となるように制御する。The center wavelength control specifically shifts the transmission wavelength of the etalon by controlling at least the angle of the etalon having a smaller free spectral range among the etalons 101 and 102, thereby shifting the output center wavelength, that is, the oscillation center wavelength and the center wavelength. The power detector 301 controls the wavelength to be a desired wavelength. The superposition control shifts the transmission center wavelength of the etalon other than the etalon having the smaller free spectral range described above, that is, the etalon having the larger free spectral range by a predetermined unit wavelength, and the transmission center wavelengths of the etalons 101 and 102 overlap. The control is performed so that the center wavelength power detected by the oscillation center wavelength and center wavelength power detector 301 is maximized.

この重ね合せ制御の動作を第２図（ａ），（ｂ），
（ｃ）により更に説明する。第２図（ａ）に示すよう
に、重ね合せに不具合が発生すると２個のエタロンのう
ちフリースペクトラルレンジ（以下FSRと記す）の小さ
なエタロンによる中心透過帯11と隣接透過帯13が、FSR
の大きなエタロンによる中心透過帯14と重なり、中心波
長成分15の他にサイドピークと呼ばれる隣接発振線12が
現われる。また第２図（ｂ）に示すように中心波長成分
の強度、換言すれば、狭帯域化されたレーザ光のパワー
の低下をまねくこともある。2 (a), (b),
This will be further described with reference to (c). As shown in FIG. 2 (a), when a defect occurs in the superposition, the center transmission band 11 and the adjacent transmission band 13 of the two etalons due to the etalon having a small free spectral range (hereinafter, referred to as FSR) become FSR.
Overlaps with the central transmission band 14 of the etalon having a large etalon, and an adjacent oscillation line 12 called a side peak appears in addition to the central wavelength component 15. In addition, as shown in FIG. 2B, the intensity of the center wavelength component, in other words, the power of the laser light having a narrow band may be reduced.

重ね合せ制御においては、第２図（ｃ）に示すように
中心波長成分の強度を最大にすべくエタロン101,102の
角度等を調整する重ね合せ制御が実施される。In the superposition control, as shown in FIG. 2 (c), superposition control is performed to adjust the angles and the like of the etalons 101 and 102 so as to maximize the intensity of the central wavelength component.

次に、この発明にかかわるレーザの起動時における制
御について説明する。Next, control at the time of starting the laser according to the present invention will be described.

第３図は、第１図に示した構成をとる狭帯域エキシマ
レーザの起動時における制御の一実施例を示したもので
ある。レーザ起動時にはエタロン101,102の重ね合せ状
態は良好とはいえず、この状態のレーザ光はそのまま図
示しない露光装置の光源として用いることはできない。
そこでレーザ起動時にはレーザパワーが安定するまで第
１図に示すシャッタ108を閉じ、露光装置へ出力される
レーザ光を遮断する（ステップ401）。FIG. 3 shows an embodiment of control at the time of starting the narrow band excimer laser having the configuration shown in FIG. At the time of starting the laser, the superposition state of the etalons 101 and 102 cannot be said to be good, and the laser light in this state cannot be used as it is as a light source of an exposure apparatus (not shown).
Therefore, at the time of starting the laser, the shutter 108 shown in FIG. 1 is closed until the laser power is stabilized, and the laser light output to the exposure apparatus is cut off (step 401).

次に起動時励起強度、すなわち放電電圧の設定を行な
う（サブルーチン402）。ここで、起動時の励起強度
は、起動時における重ね合せ制御を迅速に行なわせるた
めに、定常の励起強度より高く設定される。サブルーチ
ン402の詳細は第４図に示される。第４図において、ま
ず前回のレーザ停止時における励起強度Vstopを図示し
ないメモリから呼び出す（前回のレーザ停止時におい
て、そのときの励起強度Vstopがメモリに記憶されてい
る）（ステップ40）。続いて励起強度Vstopに所定の値
ΔＶ（ΔＶは０以上の定数）を加算し、起動時の励起強
度Ｖを算出する（ステップ41）。この算出した励起強度
Ｖを起動時に励起強度として設定する（ステップ42）。Next, the startup excitation intensity, that is, the discharge voltage is set (subroutine 402). Here, the excitation intensity at the time of activation is set higher than the steady excitation intensity in order to quickly perform the overlay control at the time of activation. Details of the subroutine 402 are shown in FIG. In FIG. 4, first, the excitation intensity Vstop at the time of the previous laser stop is called from a memory (not shown) (at the previous laser stop, the excitation intensity Vstop at that time is stored in the memory) (step 40). Subsequently, a predetermined value ΔV (ΔV is a constant of 0 or more) is added to the excitation intensity V stop to calculate the excitation intensity V at the time of starting (step 41). The calculated excitation intensity V is set as the excitation intensity at the time of startup (step 42).

なお、上記サブルーチンにおいては前回のレーザ停止
時における励起強度Vstopに所定の値ΔＶを加算して起
動時の励起強度Ｖを設定したが、第５図に示すサブレー
チンのように起動時の励起強度Ｖを許容最大励起強度V
maxに設定するようにしてもよい。また、第６図に示す
ように予め記憶しておいたガス交換時からの時間Ｔを呼
び出し（ステップ44）、続いてＶ＝VS＋ｋ・Ｔ（ｋは正
の定数、VSは所定の励起強度）の演算を行ない（ステッ
プ45）、この演算によって得られた値Ｖを起動時の励起
強度として設定する（ステップ46）ようにしてもよい。
また、第７図に示すように予め記憶しておいたガス交換
時からの累算発振パルス数Ｎを呼出し（ステップ47）、
続いてＶ＝VS＋ｈ・Ｎ（ｈは正の定数）、VSは所定の励
起強度）の演算を行ない（ステップ48）、この演算によ
って得られた値Ｖを起動時の励起強度として設定する
（ステップ48）ようにしてもよい。更に第８図に示すよ
うに、前回のレーザ発振停止時の励起強度Vstopを呼び
出す（ステップ50）とともに前回のレーザ発振停止時か
らの時間Tstopを呼び出し（ステップ51）、続いてＶ＝V
stop＋ｌ・Tstop（ｌは正の定数）の演算を行ない（ス
テップ52）、この演算によって得られた値Ｖを起動時の
励起強度として設定するように構成してもよい。In the above subroutine, the excitation intensity V at the start is set by adding a predetermined value ΔV to the excitation intensity V stop at the previous laser stop, but the excitation intensity V at the start is set as shown in FIG. V is the maximum excitation intensity V
It may be set to max . Also, call the time T from when the gas exchange has been stored in advance as shown in FIG. 6 (step 44), is followed by V = V S + k · T (k positive constant, V S is given (Step 45), and the value V obtained by this calculation may be set as the excitation intensity at the time of startup (Step 46).
Further, as shown in FIG. 7, the accumulated oscillation pulse number N from the time of gas exchange stored in advance is called (step 47),
Then V = V S + h · N (h is a positive constant), V S is set as the excitation intensity of the operation is carried out for (step 48), when starting a value V obtained by this calculation for a given excitation intensity) (Step 48). Further, as shown in FIG. 8, the excitation intensity V stop at the previous stop of the laser oscillation is called (step 50), and the time T stop from the last stop of the laser oscillation is called (step 51).
It is also possible to perform a calculation of stop + l · T stop (l is a positive constant) (step 52) and set the value V obtained by this calculation as the excitation intensity at the time of startup.

ここで、起動時における重ね合せ制御を更に迅速に行
なわせるために起動時の発振繰返し周波数を定常時の繰
返し周波数よりも高く設定してもよい。例えば、定常時
における所望の繰返し周波数をFaとすると起動時の繰返
し周波数はこのFaに応じて、この値Faよりも大きな値Fs
に設定される。この値Fsは値Faと許容最大繰返し周波数
Fmax（定格出力が維持できる最大周波数）との間の任意
の値をとり得るが、これを許容最大繰返し周波数Fmaxに
設定してもよい。Here, the oscillation repetition frequency at the start may be set higher than the repetition frequency at the steady state in order to perform the superposition control at the start more quickly. For example, assuming that a desired repetition frequency in a steady state is Fa, the repetition frequency at startup is a value Fs larger than this value Fa according to this Fa.
Is set to This value Fs is the value Fa and the maximum allowable repetition frequency
It can take any value between Fmax (the maximum frequency at which the rated output can be maintained), but this may be set as the maximum allowable repetition frequency Fmax .

続いて、この装置の発振が開始される（ステップ40
3）。発振が開始されると、まず重ね合せ制御が実行さ
れる（サブルーチン404）。この重ね合せ制御はエタロ
ン101,102のうちスペクトラルレンジの大きな方のエタ
ロンの透過中心波長を所定単位波長づつ順次シフトし、
このときの中心波長のパワー、すなわち発振中心波長及
び中心波長パワー検知器301による検知パワーが最大と
なるように制御される。Subsequently, the oscillation of this device is started (step 40).
3). When the oscillation is started, first, the superposition control is executed (subroutine 404). This superposition control sequentially shifts the transmission center wavelength of the etalon having a larger spectral range among the etalons 101 and 102 by a predetermined unit wavelength,
At this time, control is performed so that the power of the center wavelength, that is, the detection power of the oscillation center wavelength and the center wavelength power detector 301 is maximized.

サブルーチン404の詳細は第９図に示される。まず、
ステップ501において、中心波長パワーを読み込む。こ
こでは発振されたレーザパルスを所定数サンプリング
し、平均化して中心波長パワーを算出している。この
ような処理を実行する理由は、エキシマレーザがパルス
ガスレーザであるため、パルス毎に出力レーザ光パワー
のバラツキがあるためである。Details of the subroutine 404 are shown in FIG. First,
In step 501, the center wavelength power is read. Here, a predetermined number of oscillated laser pulses are sampled and averaged to calculate the center wavelength power. The reason why such a process is performed is that, since the excimer laser is a pulse gas laser, the output laser light power varies from pulse to pulse.

次に、ステップ502において今回サンプリングした
（読み込んだ）中心波長パワーλと前回サンプリング
した中心波長パワーλ−１との差Δλを算出する。
（Δλ＝λ−λ−１）。Next, in step 502, the difference Δλ between the center wavelength power λ sampled (read) this time and the center wavelength power λ-1 sampled last time is calculated.
(Δλ = λ−λ−1).

次にステップ503において、ステップ502で算出した値
ΔＰλが正（Δλ＞０）であるか否かの判断がなされ
る。ここでΔλ＞０であると、ステップ504に分岐
し、前回制御時（サンプリング時）にエタロン101,102
のうちフリースペクトラルレンジの大きいエタロン（以
下これを＃E2という）の透過波長を短波長側にシフトし
たか否かの判断がなされる。この判断において短波長側
にシフトしたと判断されるとステップ505に分岐し、エ
タロン＃E2の透過波長を更に所定量（単位シフト量）短
波長側にシフトさせる。また、ステップ504において前
回エタロン＃E2の透過波長を長波長側にシフトしたと判
断されるとステップ506に移行し、エタロン＃E2の透過
波長を所定量（単位シフト量）長波長側にシフトさせ
る。Next, in step 503, it is determined whether or not the value ΔPλ calculated in step 502 is positive (Δλ> 0). If Δλ> 0, the flow branches to step 504, and the etalons 101 and 102 are used at the time of the previous control (at the time of sampling).
For determining whether or not shifts to the short wavelength side is made a transmission wavelength of the free spectral range of greater etalon (hereinafter this is referred #E 2) of the. If it is determined that the shift to the short wavelength side in this determination branches to step 505, further predetermined amount the transmission wavelength of the etalon #E 2 (unit shift amount) is shifted to the short wavelength side. If it is determined in step 504 that the transmission wavelength of the etalon #E 2 was previously shifted to the longer wavelength side, the process proceeds to step 506, and the transmission wavelength of the etalon #E 2 is shifted to the longer wavelength side by a predetermined amount (unit shift amount). Shift.

また、ステップ503において、Δλ≦０と判断され
るとステップ507に移行する。ステップ507では前回の制
御時（サンプリング時）にエタロン＃E2の透過波長を短
波長側にシフトしたか否かの判断がなされる。ここで短
波長側にシフトしたと判断されるとステップ508に分岐
し、エタロン＃E2の透過波長を所定量（単位シフト量）
長波長側にシフトさせる。また、ステップ507におい
て、前回エタロン＃E2の透過波長を長波長側にシフトし
たと判断されると、ステップ509に移行し、エタロン＃E
2のと透過波長を所定量（単位シフト量）短波長側にシ
フトさせる。If it is determined in step 503 that Δλ ≦ 0, the process proceeds to step 507. Step 507 In the previous control determines whether to shift the transmission wavelength of the etalon #E 2 (during sampling) on the shorter wavelength side is performed. If it is determined that the shift where the short wavelength side branches to step 508, a predetermined amount of transmission wavelength of the etalon #E 2 (unit shift amount)
Shift to longer wavelength side. If it is determined in step 507 that the transmission wavelength of the etalon #E 2 was previously shifted to the longer wavelength side, the process proceeds to step 509, where the etalon #E 2
2. The transmission wavelength is shifted to a shorter wavelength side by a predetermined amount (unit shift amount).

このように、重ね合せ制御サブルーチン404において
は、値Δλの符号と前回の透過波長のシフト方向とに
もとづき出力レーザ光パワーを増大させるエタロン＃E2
の透過波長シフト方向を判断し、この判断した方向にエ
タロン＃E2の透過波長を単位シフト量シフトさせる。As described above, in the superposition control subroutine 404, the etalon #E 2 for increasing the output laser light power based on the sign of the value Δλ and the previous shift direction of the transmission wavelength.
Is determined, and the transmission wavelength of the etalon #E 2 is shifted by a unit shift amount in the determined direction.

なお、この重ね合せ制御サブルーチン404において重
ね合せ制御の迅速化をはかるため、上記単位シフト量は
定常状態の重ね合せ制御における単位シフト量より大き
く設定されている。In order to speed up the overlay control in the overlay control subroutine 404, the unit shift amount is set larger than the unit shift amount in the steady state overlay control.

第10図、第11図は定常状態における重ね合せ制御と単
位シフト量を大きくした起動時の重ね合せ制御とを比較
して示したものである。すなわち、第10図に示す定常状
態の場合は、（ａ）の状態から（ｅ）重ね合せ制御が終
了する状態までに４回のシフト動作が必要となるが、単
位シフト量を大きくした第11図の場合は、（ａ）の状態
から（ｃ）の重ね合せ制御が終了する状態まで２回のシ
フト動作でよくなる。これにより重ね合せ制御に要する
時間が大幅に短縮される。FIGS. 10 and 11 show a comparison between superposition control in a steady state and superposition control at the time of start-up with a large unit shift amount. That is, in the case of the steady state shown in FIG. 10, four shift operations are required from the state (a) to the state (e) where the superposition control is completed. In the case of the figure, two shift operations are sufficient from the state of (a) to the state where the superposition control of (c) is completed. As a result, the time required for the overlay control is greatly reduced.

ところで、重ね合せ制御における中心波長パワーの検
出は前述したように所定数のレーザ出力パルスをサンプ
リングし、これを平均化することにより行なわれるが、
レーザ起動時においては、重ね合せ制御の迅速化のため
に上記サンプリング数を定常時のサンプリング数より少
なく設定される。サンプリング数を少なくすることによ
りサンプリングに要する時間は短くなり、これによって
も重ね合せ制御に要する時間は大幅に短縮される。Incidentally, the detection of the center wavelength power in the superposition control is performed by sampling a predetermined number of laser output pulses and averaging them as described above.
At the time of starting the laser, the number of samplings is set to be smaller than the number of samplings in a steady state in order to speed up superposition control. By reducing the number of samplings, the time required for sampling is reduced, which also greatly reduces the time required for overlay control.

なお、上述したように単位シフト量を大きくした場合
Δλが大きくなるため、サンプリング数を少なくして
もΔλの変化を充分に検知することができる。Note that, as described above, when the unit shift amount is increased, Δλ increases, so that a change in Δλ can be sufficiently detected even if the number of samplings is reduced.

なお、上述した重ね合せ制御サブルーチン404におい
てはエタロン101,102のうちフリースペクトラルレンジ
の大きい方のエタロン＃E2の透過波長を単位シフト量ず
つシフトするように構成したが、エタロン101,102のう
ちフリースペクトラルレンジの小さい方のエタロン（以
下これを＃E1という）の透過波長をシフトするように構
成してもよい。Although the overlapping control subroutine 404 described above is configured to shift by a unit shift amount transmission wavelength of the etalon #E 2 having a larger free spectral range of the etalon 101, the free spectral range of the etalon 101, 102 it may be configured to shift the transmission wavelength of the smaller of the etalon (hereinafter this is referred #E 1).

第12図はこのように構成したサブルーチン404の他の
構成例を示したものである。このサブルーチンはステッ
プ504′,507′における判断対象がエタロン＃E2からエ
タロン＃E1に代わり、ステップ505′,506′,508′,50
9′における処理対象がエタロン＃E2からエタロン＃E1
に代わるだけであとの判断内容、処理内容は第９図に示
したものと同様である。FIG. 12 shows another configuration example of the subroutine 404 configured as described above. This subroutine step 504 ', 507' instead of determining the target etalon #E 2 the etalon #E 1 in step 505 ', 506', 508 ', 50
Etalon processing target etalon #E 2 in 9 '#E 1
9 and the contents of the processing are the same as those shown in FIG.

また、第９図に示した重ね合せ制御においてはエタロ
ン101,102のうちフリースペクトラルレンジの大きい方
のエタロン＃E2の透過波長を単位シフト量ずつシフトす
るように構成し、第12図に示した重ね合せ制御において
はエタロン101,102のうちフリースペクトラルレンジの
小さい方のエタロン＃E1の透過波長を単位シフト量ずつ
シフトするように構成したが、エタロン101とエタロン1
02の相対位置を変化させれば重ね合せ制御が可能で、例
えばエタロン101,102の両者の透過波長を、同時に、互
いに異なるシフト量ずつシフトするように構成してもよ
い。Overlapping In the overlapping control shown in FIG. 9 which is configured to shift by a unit shift amount transmission wavelength of the etalon #E 2 having a larger free spectral range of the etalon 101, shown in FIG. 12 Although the combined control is configured to shift the transmission wavelength of the etalon #E 1 of smaller free spectral range by a unit shift amount of the etalon 101, etalon 101 and etalon 1
The overlay control can be performed by changing the relative position of 02. For example, the transmission wavelengths of both etalons 101 and 102 may be simultaneously shifted by different shift amounts.

重ね合せ制御が終了したか否かはステップ405で判断
される。すなわち、ステップ405では上記重ね合せ制御
によってレーザ出力パワーが予め設定した所定のパワー
になったか否かの判断がなされる。ここで所定のパワー
に達していないと判断されると重ね合せ制御サブルーチ
ン404に戻り、再び重ね合せ制御が繰返される。ステッ
プ405で所定のパワーになったと判断されると、重ね合
せ制御は終了したとして中心波長制御サブルーチン406
に移行する。It is determined in step 405 whether or not the overlay control has been completed. That is, in step 405, it is determined whether or not the laser output power has reached a predetermined power set by the above-described superposition control. If it is determined that the predetermined power has not been reached, the process returns to the overlay control subroutine 404, and the overlay control is repeated again. If it is determined in step 405 that the power has become the predetermined power, the superposition control is determined to be completed and the center wavelength control subroutine 406
Move to

この中心波長制御サブルーチン406の詳細は第13図に
示される。第13図において、まず、発振中心波長及び中
心波長パワー検知器301で検出された発振中心波長λの
読み込みを行なう（ステップ601）。Details of the center wavelength control subroutine 406 are shown in FIG. In FIG. 13, first, the oscillation center wavelength and the oscillation center wavelength λ detected by the center wavelength power detector 301 are read (step 601).

続いて、ステップ601で読み込んだ中心波長λと予め
設定された所望の中心波長λ0との差Δλを算出する演
算Δλ＝λ−λ0を実行する（ステップ602）。ステップ
602で差Δλが算出されると、この差Δλを０にすべく
エタロン＃E1と＃E2の透過中心波長を同時にそれぞれΔ
λだけシフトする制御が行なわれる（ステップ603）。
これによりレーザ出力中心波長を所望の中心波長λ０に
一致させることができる。この中心波長制御に際し、前
述した重ね合せ制御によってレーザ出力パワーが充分高
くなっているので、確実に中心波長λを検出することが
でき、確実に所望の中心波長λ0への制御が可能とな
る。Subsequently, an operation Δλ = λ−λ 0 for calculating a difference Δλ between the center wavelength λ read in step 601 and a preset desired center wavelength λ 0 is executed (step 602). Steps
When the difference Δλ is calculated at 602, each transmission center wavelength of the etalon #E 1 and #E 2 so as to the difference Δλ 0 at the same time Δ
Control for shifting by λ is performed (step 603).
Thereby, the laser output center wavelength can be made to coincide with the desired center wavelength λ0. In this center wavelength control, the laser output power is sufficiently high by the above-described superposition control, so that the center wavelength λ can be reliably detected, and the control to the desired center wavelength λ 0 can be reliably performed. .

中心波長制御が終了し、所望の波長になったことが検
出されると（ステップ407）、レーザ出力パワーを定常
時のパワーに戻すパワー制御が行なわれる（ステップ40
8）。このパワー制御によって定常時の所望のパワーに
なったことが検出されると（ステップ409）、前述した
定常時のパワー制御、重ね合せ制御及び中心波長制御が
開始され（ステップ401）、続いて露光準備完了信号を
図示しない露光装置に出力し、起動にあたって閉じたシ
ャッタ108を開にする（ステップ411）。When the center wavelength control is completed and the desired wavelength is detected (step 407), power control is performed to return the laser output power to the steady state power (step 40).
8). When it is detected by this power control that the desired power has been obtained in the steady state (step 409), the above-described steady-state power control, superposition control, and center wavelength control are started (step 401). A preparation completion signal is output to an exposure apparatus (not shown), and the shutter 108 closed at the time of startup is opened (step 411).

以上の制御は第１図に示したCPU302,203によって行な
われる。The above control is performed by the CPUs 302 and 203 shown in FIG.

第14図は上述した重ね合せ制御及び中心波長制御の具
体例を示したものである。重ね合せ制御開始前のレーザ
起動時にはエタロン＃E1と＃E2の透過波長が一致してい
ないため出力レーザ光の中心波長のパワーは小さい（ｔ
＝０）。重ね合せ制御が開始されるとフリースペクトラ
ルレンジの大きいエタロン＃E2の透過波長が所定単位シ
フト量ずつシフトされ、中心波長パワーは順次増大する
（ｔ＝t1）。エタロン＃E1と＃E2の透過波長が一致する
と中心波長パワーは最大となり、重ね合せ制御は終了す
る（ｔ＝t2）。続いてエタロン＃E1と＃E2の透過波長を
同時に所望の波長までシフトさせる（ｔ＝t3）。これに
より重ね合せ制御及び中心波長制御は終了する。FIG. 14 shows a specific example of the above-described superposition control and center wavelength control. Power of the center wavelength of the output laser beam since the overlay control before starting laser startup transmission wavelength of the etalon #E 1 and #E 2 does not match a small (t
= 0). When superposition control is started large transmission wavelength of the etalon #E 2 free spectral range is shifted by a predetermined unit shift amount, the center wavelength power is sequentially increased (t = t 1). Center wavelength power when transmission wavelength matches the etalon #E 1 and #E 2 is becomes maximum, superposition control ends (t = t 2). Then simultaneously shifted to the desired wavelength transmission wavelength of the etalon #E 1 and #E 2 and (t = t 3). Thus, the superposition control and the center wavelength control are completed.

なお、上記実施例では励起強度を起動時において定常
の値より大きくなるように設定したが、励起強度および
繰返し周波数の両者を定常の値より大きくなるように設
定してもよく、また繰返し周波数のみを定常の値を大き
くなるように設定してもよい。In the above embodiment, the excitation intensity is set to be larger than the steady value at the time of startup, but both the excitation intensity and the repetition frequency may be set to be larger than the steady value, or only the repetition frequency may be set. May be set to increase the steady value.

なお、以上の実施例では、レーザチャンバとリアミラ
ーの間にフリースペクトラルレンジの小さなエタロンと
フリースペクトラルレンジの大きなエタロンの２枚を配
設して狭帯域発振するように構成しているがエタロン２
枚のかわりに１つのエタロンと１つの回折格子を用いて
も同様に構成することができる。In the above embodiment, two etalons having a small free spectral range and an etalon having a large free spectral range are arranged between the laser chamber and the rear mirror so as to oscillate in a narrow band.
The same configuration can be obtained by using one etalon and one diffraction grating instead of one sheet.

また、上記実施例では重ね合せ制御および中心波長制
御が終了した後レーザ出力パワーを定常時のパワーに戻
すパワー制御（ステップ408）を行うように構成した
が、このパワー制御を重ね合せ制御終了後に行い、この
パワー制御の後に中心波長制御を行うように構成しても
よい。In the above embodiment, the power control (Step 408) for returning the laser output power to the steady state power is performed after the completion of the superposition control and the center wavelength control. The power control may be performed, and the center wavelength control may be performed after the power control.

第15図はこのように構成した他の実施例を示すもので
ある。この実施例では重ね合せ制御が終了すると（ステ
ップ）、続いてパワー制御が（ステップ408）が実行さ
れ、このパワー制御によりレーザー出力パワーが所定の
パワーになったと判断されると（ステップ409）、その
後中心波長制御（サブルーチン406）が実行される。こ
の実施例の他の構成は第３図に示したものと同様であ
る。FIG. 15 shows another embodiment configured as described above. In this embodiment, when the superposition control ends (step), power control is subsequently performed (step 408), and when it is determined that the laser output power has reached a predetermined power by this power control (step 409), Thereafter, the center wavelength control (subroutine 406) is executed. Other configurations of this embodiment are the same as those shown in FIG.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したようにこの発明によれば狭帯域エキシマ
レーザの起動時における制御を迅速に完了させることが
でき短時間で安定した出力パワーを得ることができる。As described above, according to the present invention, the control at the time of starting the narrow band excimer laser can be completed quickly, and a stable output power can be obtained in a short time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第１図はこの発明の一実施例を示すブロック図、第２図
は重ね合せ制御を説明する波形図、第３図はこの実施例
の動作を説明するフローチャート、第４図，第５図，第
６図，第７図，第８図は起動時の励起強度設定サブルー
チンの各構成例を示すフローチャート、第９図は重ね合
せ制御サブルーチンの一構成例を示すフローチャート、
第10図は定常状態における重ね合せ制御を説明するグラ
フ、第11図は起動時における重ね合せ制御を説明するグ
ラフ、第12図は重ね合せ制御サブルーチンの他の構成例
を示すフローチャート、第13図は中心波長制御サブルー
チンの一構成例を示すフローチャート、第14図は重ね合
せ制御および中心波長制御の具体例を示すグラフ、第15
図は他の実施例の動作を説明するフローチャートであ
る。 101,102…エタロン、200…パワー制御系、203…CPU、20
4…レーザ電源、205…ガスコントローラ、300…波長制
御系。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a waveform diagram for explaining superposition control, FIG. 3 is a flow chart for explaining the operation of this embodiment, FIG. 6, 7, and 8 are flowcharts showing an example of the configuration of the excitation intensity setting subroutine at the time of starting, FIG. 9 is a flowchart showing an example of the configuration of the overlay control subroutine,
FIG. 10 is a graph illustrating superposition control in a steady state, FIG. 11 is a graph illustrating superposition control at startup, FIG. 12 is a flowchart illustrating another configuration example of a superposition control subroutine, FIG. FIG. 14 is a flowchart showing an example of a configuration of a center wavelength control subroutine. FIG. 14 is a graph showing a specific example of superposition control and center wavelength control.
FIG. 11 is a flowchart for explaining the operation of another embodiment. 101,102 etalon, 200 power control system, 203 CPU, 20
4 laser power supply, 205 gas controller, 300 wavelength control system.

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】レーザチャンバを含むレーザ発振器の共振
器内に複数の波長選択素子を配設し、定常時には、前記
複数の波長選択素子のそれぞれの選択中心波長を重ね合
わせる重ね合わせ制御および前記複数の波長選択素子に
よる選択波長を所望の波長に制御する中心波長制御およ
び前記レーザチャンバ内のレーザ媒質の励起強度を変化
させて出力パワーを一定に保つパワー制御を行う狭帯域
エキシマレーザの起動方法において、 前記レーザ発振器の起動時に前記レーザチャンバ内のレ
ーザ媒質の励起強度を一定にして発振を開始させ、 この状態で前記複数の波長選択素子のそれぞれの選択中
心波長を重ね合わせる重ね合わせ制御を実行し、 その後前記複数の波長選択素子による選択波長を所望の
波長に制御する中心波長制御を実行することを特徴とす
る狭帯域エキシマレーザの起動方法。A plurality of wavelength selection elements are provided in a resonator of a laser oscillator including a laser chamber, and in a steady state, superposition control for superimposing respective selected center wavelengths of the plurality of wavelength selection elements and the plurality of wavelength selection elements. A method of starting a narrow band excimer laser that performs central wavelength control for controlling a wavelength selected by a wavelength selection element to a desired wavelength and power control for keeping output power constant by changing the excitation intensity of a laser medium in the laser chamber. When starting up the laser oscillator, the laser medium in the laser chamber is kept at a constant excitation intensity to start oscillating. In this state, superposition control is performed to superimpose the respective selected center wavelengths of the plurality of wavelength selection elements. And thereafter executing central wavelength control for controlling a wavelength selected by the plurality of wavelength selecting elements to a desired wavelength. Narrowband excimer laser activation method characterized. 【請求項２】前記レーザ発振器の起動時に、 前記レーザチャンバ内のレーザ媒質の励起強度を前記定
常時の前記レーザチャンバ内のレーザ媒質の励起強度よ
り大きな値に設定することを特徴とする請求項１記載の
狭帯域エキシマレーザの起動方法。2. The method according to claim 1, wherein the excitation intensity of the laser medium in the laser chamber is set to a value larger than the excitation intensity of the laser medium in the laser chamber in the steady state when the laser oscillator is started. 2. The method for starting a narrow band excimer laser according to item 1. 【請求項３】前記レーザ発振器の起動時に行われる重ね
合わせ制御は、 前記レーザ発振器の出力パワーが前記中心波長制御を行
なうに充分な強度に達するまで行なわれることを特徴と
する請求項１記載の狭帯域エキシマレーザの起動方法。3. The method according to claim 1, wherein the superposition control performed at the time of starting the laser oscillator is performed until the output power of the laser oscillator reaches an intensity sufficient to perform the center wavelength control. How to start a narrow band excimer laser. 【請求項４】前記レーザ発振器の起動時に行われる重ね
合せ制御は、 前記レーザ発振器のレーザ出力の中心波長のパワーを検
出し、この検出した値にもとづいて前記波長選択素子の
少なくとも１つの波長選択素子の透過波長を所定単位位
置づつシフトすることにより行なわれ、 前記所定単位位置づつのシフト量は、 前記定常時の重ね合せ制御のためのシフト量より大きく
設定されることを特徴とする請求項１記載の狭帯域エキ
シマレーザの起動方法。4. The superposition control performed at the time of starting the laser oscillator includes detecting power of a center wavelength of a laser output of the laser oscillator, and selecting at least one wavelength of the wavelength selecting element based on the detected value. The method is performed by shifting the transmission wavelength of the element by a predetermined unit position, wherein the shift amount of the predetermined unit position is set to be larger than the shift amount for the overlay control in the steady state. 2. The method for starting a narrow band excimer laser according to item 1. 【請求項５】前記レーザ発振器の起動時に行われる重ね
合せ制御は、 前記レーザ発振器のレーザ出力の中心波長のパワーを所
定のサンプリング数でサンプリングし、これを平均化し
てこの平均化した値にもとづいて前記波長選択素子の少
なくとも１つの波長選択素子の選択波長をシフトするこ
とにより行なわれ、 前記サンプリング数は、 前記定常時の重ね合せ制御のためのサンプリング数より
小さな値に設定される請求項１記載の狭帯域エキシマレ
ーザの起動方法。5. The superposition control performed at the time of starting the laser oscillator, wherein the power of the center wavelength of the laser output of the laser oscillator is sampled at a predetermined sampling number, averaged, and based on the averaged value. 2. The method according to claim 1, wherein the sampling is performed by shifting a selected wavelength of at least one wavelength selecting element of the wavelength selecting element, and the sampling number is set to a value smaller than the sampling number for the overlay control in the steady state. A method for starting the narrow band excimer laser according to the above. 【請求項６】前記中心波長制御は、 前記少なくとも２個の波長選択素子の選択波長をそれぞ
れ所定波長だけ同時にシフトすることにより行われるこ
とを特徴とする請求項１記載の狭帯域エキシマレーザの
起動方法。6. The narrow band excimer laser according to claim 1, wherein the center wavelength control is performed by simultaneously shifting selected wavelengths of the at least two wavelength selecting elements by predetermined wavelengths. Method. 【請求項７】前記レーザ発振器の起動時に、 前記レーザ発振器のレーザ発振の繰返し周波数を定常時
の繰返し周波数より高く設定することを特徴とする請求
項１記載の狭帯域エキシマレーザの起動方法。7. The method for starting a narrow band excimer laser according to claim 1, wherein a repetition frequency of laser oscillation of the laser oscillator is set higher than a repetition frequency in a steady state when the laser oscillator is started. 【請求項８】レーザチャンバを含むレーザ発振器の共振
器内に複数の波長選択素子を配設し、定常時には、前記
複数の波長選択素子のそれぞれの選択中心波長を重ね合
わせる重ね合わせ制御および前記複数の波長選択素子に
よる選択波長を所望の波長に制御する中心波長制御およ
び前記レーザチャンバ内のレーザ媒質の励起強度を変化
させて出力パワーを一定に保つパワー制御を行う狭帯域
エキシマレーザの起動方法において、 前記レーザ発振器の起動時に前記レーザチャンバ内のレ
ーザ媒質の励起強度を一定に制御して発振を開始させる
発振開始制御手段と、 前記発振開始制御手段により前記レーザチャンバ内のレ
ーザ媒質の励起強度を一定にした状態で前記複数の波長
選択素子のそれぞれの透過中心波長を重ね合わせる重ね
合わせ制御を実行する重ね合わせ制御手段と、 前記重ね合わせ制御手段により前記レーザ発振器の出力
パワーが所定の値に達した後前記複数の波長選択素子に
よる選択波長を所望の波長に制御する中心波長制御を実
行する中心波長制御手段と、 を具備することを特徴とする狭帯域エキシマレーザの起
動装置。8. A plurality of wavelength selecting elements are provided in a resonator of a laser oscillator including a laser chamber, and in a normal state, overlapping control for superposing respective selected center wavelengths of the plurality of wavelength selecting elements and the plurality of wavelength selecting elements are performed. A method of starting a narrow band excimer laser that performs central wavelength control for controlling a wavelength selected by a wavelength selection element to a desired wavelength and power control for keeping output power constant by changing the excitation intensity of a laser medium in the laser chamber. An oscillation start control means for controlling the excitation intensity of the laser medium in the laser chamber to be constant at the start of the laser oscillator to start oscillation, and the excitation start control means for controlling the excitation intensity of the laser medium in the laser chamber. Superposition control for superimposing the respective transmission center wavelengths of the plurality of wavelength selection elements in a fixed state Superimposition control means to be executed, and center wavelength control for controlling a wavelength selected by the plurality of wavelength selection elements to a desired wavelength after the output power of the laser oscillator reaches a predetermined value by the superposition control means. A starting device for a narrow band excimer laser, comprising: a center wavelength control unit.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP4497650B2 (en) * 2000-04-26 2010-07-07 キヤノン株式会社 Laser oscillation apparatus, exposure apparatus, and semiconductor device manufacturing method
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JP5580256B2 (en) * 2011-07-11 2014-08-27 株式会社小松製作所 Method for adjusting spectral width of narrow-band laser
JP5730428B2 (en) * 2014-05-07 2015-06-10 株式会社小松製作所 Narrow-band laser device and spectral width adjustment method thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01115183A (en) * 1987-10-28 1989-05-08 Mitsubishi Electric Corp Laser wavelength stabilization and wavelength stabilized laser apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01115183A (en) * 1987-10-28 1989-05-08 Mitsubishi Electric Corp Laser wavelength stabilization and wavelength stabilized laser apparatus

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