JP2705475B2 - Information recording medium, information recording method and information erasing method - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、情報記録媒体並びに情
報の記録方法及び消去方法に関する。The present invention relates to an information recording medium and a method for recording and erasing information.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来、光記録媒体としては、キュリー温
度以上にレーザ光で磁性膜を加熱し、磁場の印加により
加熱部の磁化方向を書き換え、カー効果による偏向面の
変化を読み取る光磁気記録媒体やレーザ光の熱で光記録
媒体に相転移(結晶相→アモルファス相)を起こし、光の
反射率を読み取る相変化形光記録媒体等の無機系光記録
媒体がよく知られている。2. Description of the Related Art Conventionally, as an optical recording medium, magneto-optical recording in which a magnetic film is heated by a laser beam above the Curie temperature, the magnetization direction of a heated portion is rewritten by applying a magnetic field, and a change in a deflection surface due to the Kerr effect is read. 2. Description of the Related Art Inorganic optical recording media such as phase-change optical recording media that cause a phase transition (crystal phase → amorphous phase) in an optical recording medium due to heat of a medium or laser light and read light reflectance are well known.

【０００３】光磁気記録媒体は、一般に希土類元素であ
る、Ｇｄ、Ｔｂと遷移金属であるＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ等と
の合金薄膜よりなっているが、これらの合金薄膜は、湿
気や大気中の酸素などによって酸化され易く、酸化シリ
コンや窒化シリコンなどの保護膜によって外気との接触
を妨げなければならず、長期間の記録安定性に問題があ
る。また、光学系も複雑になるという欠点がある。A magneto-optical recording medium is generally composed of an alloy thin film of rare earth elements, such as Gd and Tb, and transition metals such as Fe, Ni, and Co. It is easily oxidized by oxygen or the like, and must be prevented from contacting with outside air by a protective film such as silicon oxide or silicon nitride, which has a problem in long-term recording stability. Further, there is a disadvantage that the optical system becomes complicated.

【０００４】相変化形光記録媒体は、Ｔｅに代表される
カルコゲン元素を含む材料、例えば酸化テルル、Ｔｅ−
Ｇｅ合金、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金などから成っており、
これらには毒性があり、また成膜にはスパッタ法等の真
空成膜法を用いる必要があるので安価な光記録媒体が得
にくい。A phase-change optical recording medium is made of a material containing a chalcogen element typified by Te, for example, tellurium oxide, Te-
Ge alloy, Te-Ge-Sb alloy, etc.,
These are toxic, and it is difficult to obtain an inexpensive optical recording medium because it is necessary to use a vacuum film formation method such as a sputtering method for film formation.

【０００５】前記の欠点を解決するために有機材料から
なる光記録媒体が無毒性、低コスト等の点で優れている
ことから活発に研究されている。現在までに有機系材料
を用いた光記録媒体としては、光の光子を利用するフォ
トンモード型の光記録媒体と光を熱として利用するヒー
トモード型の光記録媒体が報告されている。In order to solve the above-mentioned drawbacks, optical recording media made of organic materials have been actively studied because of their non-toxicity and low cost. Up to now, as an optical recording medium using an organic material, a photon mode optical recording medium using photons of light and a heat mode optical recording medium using light as heat have been reported.

【０００６】しかし、報告されている数多くの有機系の
書換え可能な光記録媒体の中で、動的な光記録／消去特
性が報告されているものは少なく、実際に光記録媒体と
して実現可能かどうか不明なものが多い。However, among the many organic rewritable optical recording media that have been reported, few have reported dynamic optical recording / erasing characteristics. Many are unknown.

【０００７】有機系の書換え可能な光記録媒体について
動的な光記録／消去特性が示されている数少ない報告の
一つとしては、有機エレクトロニクス研究会誌、光記録
媒体における有機素材の特徴と課題、第41-47頁(1991
年)がある。記載されている光記録媒体は高感度かつ高
速が期待できるフォトンモード型のものであり、ヘテロ
環型フルギドのフォトクロミズムを利用している。実際
この光記録媒体は動的評価でＣ／Ｎは４９ｄＢが得られ
ている。しかしながら、この光記録媒体は、Ａｒレーザ
により記録し、紫外線により消去する必要があることか
ら、半導体レーザーを搭載した光記録装置に適合が困難
である。また、記録、再生ともにフォトクロミック反応
を用いるために再生光に対する耐光性が小さく、安定性
や繰り返し性にも問題がある。また、このような有機系
の光記録媒体としてはスピロピランなどのフォトクロミ
ック材料（特開昭６１−１７０３７号参照）、高分子ブ
レンドの相分離、高分子液晶の配向変化を用いるものが
提案されている。これらの光記録媒体は、フォトンモー
ドであるため、高感度かつ高速であるという特長を有し
ている反面、書き込み、読み出しともにフォトクロミッ
ク反応を用いるために再生光に対する耐光性が小さいた
め、安定性や繰り返し性に問題がある。One of the few reports showing the dynamic optical recording / erasing characteristics of an organic rewritable optical recording medium is as follows: Journal of Organic Electronics Research Society, Characteristics and Problems of Organic Materials in Optical Recording Media, Pages 41-47 (1991
Year). The described optical recording medium is of a photon mode type in which high sensitivity and high speed can be expected, and uses the photochromism of heterocyclic fulgide. In fact, this optical recording medium has a dynamic evaluation of C / N of 49 dB. However, since this optical recording medium needs to be recorded by an Ar laser and erased by ultraviolet rays, it is difficult to adapt the optical recording medium to an optical recording device equipped with a semiconductor laser. Further, since a photochromic reaction is used for both recording and reproduction, light resistance to reproduction light is small, and there are problems in stability and repeatability. As such an organic optical recording medium, those using a photochromic material such as spiropyran (see JP-A-61-17037), phase separation of a polymer blend, and change in the orientation of a polymer liquid crystal have been proposed. . These optical recording media have the feature of high sensitivity and high speed because they are in the photon mode. On the other hand, they use photochromic reactions for both writing and reading, so that they have low light resistance to reproduction light, and therefore have high stability and There is a problem with repeatability.

【０００８】一方、ヒートモード型の光記録媒体につい
て動的な光記録／消去特性が示されているものとして
は、SPIE、オプティカル ストレージ テクノロジー
アンドアプリケーションズ(Optical Storage Technolog
y and Applications)、第211〜218頁（1988年）があ
る。この光記録媒体は、粘弾性を示す高分子層（以下、
膨張層という）と熱硬化樹脂層（以下、保持層という）
を積層してなる記録層を有している。この光記録媒体に
おける記録は、保持層をそのガラス転移点以上に加熱
し、しかも膨張層を加熱してこれを熱膨張させることに
より保持層を変形させて突起を形成させ、ついで保持層
をそのガラス転移点よりも低い温度に冷却して突起形状
を固定することにより行なわれる。記録された情報の消
去は、上記で形成された突起部の保持層をそのガラス転
移点以上に加熱してその弾性率を低下させ、膨張状態に
ある膨張層の収縮力により保持層を引き戻し、上記突起
を平坦化することにより行われる。このような突起の形
成と平坦化は可逆的に行うことができ、従って、上記光
記録媒体は書換え可能である。しかし、この光記録媒体
は、記録時には膨張層を加熱し、消去時には膨張層を加
熱しないで保持層のみを加熱するものであるため、膨張
層と保持層に異なる色素を含有させ、記録と消去で２種
類の異なる波長のレーザー光を用いる必要がある。On the other hand, dynamic optical recording / erasing characteristics of heat mode type optical recording media are shown in SPIE and Optical Storage Technology.
And Applications (Optical Storage Technolog
y and Applications), pp. 211-218 (1988). This optical recording medium has a viscoelastic polymer layer (hereinafter, referred to as a polymer layer).
Expansion layer) and thermosetting resin layer (hereinafter referred to as holding layer)
Are laminated. Recording on this optical recording medium involves heating the holding layer above its glass transition point, heating the expansion layer and thermally expanding it, thereby deforming the holding layer to form projections. This is performed by cooling to a temperature lower than the glass transition point to fix the projection shape. The erasure of the recorded information is performed by heating the holding layer of the protrusion formed above to the glass transition point or lower to lower its elastic modulus, pulling the holding layer back by the contraction force of the expanded layer in the expanded state, This is performed by flattening the projections. The formation and flattening of such projections can be performed reversibly, and thus the optical recording medium is rewritable. However, this optical recording medium heats the expansion layer at the time of recording, and heats only the holding layer without heating the expansion layer at the time of erasing. Therefore, it is necessary to use two types of laser beams having different wavelengths.

【０００９】また、特開平２−１８７３９０号公報に
は、形状記憶樹脂及び色素を含有してなる記録層を基板
上に直接形成した光記録媒体が開示されている。この光
記録媒体では、記録層は１層であり、形状記憶樹脂の加
熱による膨張性と回復性を利用しているため加熱の度合
いを変化させることにより突起の形成（記録）と平坦化
（消去）を行うことができる。従って、一種類の波長の
レーザー光を使用することにより記録と消去を行うこと
ができる。しかし、上記公報には、動的な光記録／消去
特性は示されていない。また、この光記録媒体では、記
録層に用いる記録材料の光学定数、膜厚、製膜性等に起
因して、トラッキングサーボを行うために必要なプッシ
ュプル信号特性が得られない場合がある。例えば、基板
と記録層の複素屈折率の差が小さく、記録層と空気又は
記録層とその上に積層した層（例えば、反射層、保護
層）との複素屈折率の差が大きい場合、プッシュプル信
号特性が得られにくい。また、記録材料の製膜性が悪い
場合、膜の微小な荒れ等のためにノイズが高くなった
り、トラッキングがはずれるという問題も生じる。Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-187390 discloses an optical recording medium in which a recording layer containing a shape memory resin and a dye is formed directly on a substrate. In this optical recording medium, the number of recording layers is one, and the expansion and recovery properties of the shape memory resin due to heating are used. Therefore, the degree of heating is changed to form projections (recording) and flatten (erasure). )It can be performed. Therefore, recording and erasing can be performed by using laser light of one kind of wavelength. However, the above publication does not show dynamic optical recording / erasing characteristics. Further, in this optical recording medium, the push-pull signal characteristics necessary for performing the tracking servo may not be obtained due to the optical constant, the film thickness, the film forming property, and the like of the recording material used for the recording layer. For example, when the difference in the complex refractive index between the substrate and the recording layer is small and the difference in the complex refractive index between the recording layer and the air or between the recording layer and the layer laminated thereon (for example, the reflective layer and the protective layer) is large, It is difficult to obtain pull signal characteristics. Further, when the film-forming property of the recording material is poor, there arises a problem that noise is increased due to minute roughness of the film or tracking is lost.

【０００１０】さらに、フォトンモードとヒートモード
を併用した光記録媒体について動的な光記録／消去特性
が示されているものとしては、光メモリシンポジウム’
９０、第３１〜３２頁（１９９０年、夏）がある。フォ
トクロミック基を有する高分子液晶を用いたこの光記録
媒体は、実際動的評価でＣ／Ｎは得られているが２７ｄ
Ｂと低く、また、消去特性（消去比）も得られていな
い。さらに、この光記録媒体は、消去に紫外線が必要で
あることから、半導体レーザーを搭載した光記録装置に
適合が困難となる問題を有している。Further, a dynamic optical recording / erasing characteristic of an optical recording medium using both the photon mode and the heat mode is shown in the Optical Memory Symposium.
90, pages 31-32 (Summer 1990). In this optical recording medium using a polymer liquid crystal having a photochromic group, although C / N was actually obtained by dynamic evaluation, 27d
B and the erasing characteristics (erasing ratio) were not obtained. Further, this optical recording medium has a problem that it is difficult to adapt to an optical recording device equipped with a semiconductor laser since ultraviolet light is required for erasing.

【００１１】また、光を熱として利用するヒートモード
型の記録媒体として熱可塑性高分子と有機色素を用いて
ピット形成と平坦化の繰り返しによる記録が提案されて
いる（特開昭５８−４８２４５号）が、記録媒体の非可
逆的な形状変化に基づいているため、記録の消去がきわ
めて困難であるという問題を有している。Further, as a heat mode type recording medium utilizing light as heat, recording by repeating pit formation and flattening using a thermoplastic polymer and an organic dye has been proposed (JP-A-58-48245). ) Is based on the irreversible shape change of the recording medium, so that it is very difficult to erase the recording.

【００１２】[0012]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記した問
題点に鑑みなされたものであり、有機材料を使用し、新
規な記録原理により優れた書き換え性能を有する情報記
録媒体並びにこの情報記録媒体への情報の記録方法及び
消去方法を提供するものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an information recording medium using an organic material and having excellent rewriting performance based on a novel recording principle and this information recording medium The present invention provides a method of recording and erasing information from a computer.

【００１３】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明における第一の情
報記録媒体は、記録層を有するものにおいて、その記録
層が熱エネルギーによりコンフォーメーションが変化す
る共役系重合体及び光吸収能を有する色素を含む樹脂組
成物からなるものである。Means for Solving the Problems The first information recording medium of the present invention has a recording layer, and the recording layer has a conjugated polymer whose conformation changes due to thermal energy and a dye having a light absorbing ability. It consists of a resin composition containing.

【００１４】前記記録層に用いられる樹脂組成物は、光
照射等によりエネルギ−を受けることによる共役系重合
体のコンフォーメーション変化に起因して、共役系重合
体と色素及び／又は色素同士の相互作用が変化し、これ
により光吸収スペクトル又は反射スペクトルが変化する
ものである。熱エネルギ−の附与は、光照射、熱輻射、
加熱体の接触等により行われる。[0014] The resin composition used for the recording layer is caused to undergo a change in conformation of the conjugated polymer due to receiving energy by light irradiation or the like, so that the conjugated polymer and the dye and / or the dye are not mutually crosslinked. The action changes, thereby changing the light absorption or reflection spectrum. The application of heat energy includes light irradiation, heat radiation,
This is performed by contact of a heating body or the like.

【００１５】前記共役系重合体としては、特に、主鎖に
縮合していてもよい複素５員環又は炭素６員環を含み、
このような環構造が共役系を構成しているものが好まし
く、例えば、下記化２〔一般式(Ｉ)〕The conjugated polymer particularly contains a 5-membered heterocyclic ring or a 6-membered carbon ring which may be condensed to the main chain,
It is preferable that such a ring structure constitutes a conjugated system, for example, the following chemical formula 2 [general formula (I)]

【化２】 〔ただし、一般式(Ｉ)中、Ｒ¹及びＲ²は、水素又は１価
の有機基を示し、これらは同一でも異なっていてもよい
が、少なくとも一方は１価の有機基であり、Ｘは、Ｓ、
Ｏ、Ｓｅ又はＮＲ³（ここで、Ｒ³は水素、アルキル基ま
たはアリール基をしめす)を示す〕で表わされる構成単
位を含む重合体が用いられる。Embedded image [However, in the general formula (I), R ¹ and R ² represent hydrogen or a monovalent organic group, which may be the same or different, but at least one of them is a monovalent organic group, and X Is S,
O, Se or NR ³ (where R ³ represents hydrogen, an alkyl group or an aryl group)].

【００１６】前記一般式(Ｉ)において、Ｒ¹又はＲ²が１
価の有機基であるとき、その有機基としては、アルキル
基、アルケニル基、アルコキシ基、アルカノイル基、ア
ルキルチオ基、アルキルチオアルキル基、アルキルスル
フィニル基、アルキルスルフォニル基、シクロアルキル
基、アルキルスルフィニルアルキル基、アルキルスルフ
ォニルアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、
アルキルアリール基、アリールチオ基、シクロアルケニ
ル基、アリールスルフィニル基、アリールスルフォニル
基等があり、以上の基においてその中のアルキル基はス
ルフォン酸基、ハロゲン、ニトロ基、シアノ基、カルボ
キシル基、エポキシ基等で置換されていてもよい。Ｒ¹
又はＲ²が１価の有機基であるとき、これは前記重合体
に有機溶剤溶解性を与える上で重要である。上記アルキ
ル基としては炭素原子数が４〜１８のもの、例えば、ブ
チル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル
基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、オクタデ
シル基等があり、上記アルケニル基としては、例えば、
ビニル基、アリル基、１−ブテニル基等があり、上記ア
ルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ
基、ペンチロキシ基等があり、上記アルカノイル基とし
てはヘキサノイル基、オクタノイル基等があり、上記ア
ルキルチオ基としてはペンチルチオ基、ヘキシルチオ
基、デシルチオ基等があり、上記アルキルチオアルキル
基としてはブチルチオメチル基、ヘキシルチオブチル基
等があり、上記アルキルスルフィニル基としてはヘキシ
ルスルフィニル基、オクチルスルフィニル基等があり、
上記アルキルスルフォニル基としてはペンチルスルフォ
ニル基、ノニルスルフォニル基等があり、上記シクロア
ルキル基としてはシクロペンチル基、シクロヘキシル基
等があり、上記アルキルスルフィニルアルキル基として
はオクチルスルフィニルブチル基、ブチルスルフィニル
ヘキシル基等があり、上記アルキルスルフォニルアルキ
ル基としてはブチルスルフォニルデシル基、メチルスル
フォニルドデシル基等があり、上記アリール基としては
フェニル基、ナフチル基等があり、上記アリールアルキ
ル基としては、例えばベンジル基、フェネエチル基等が
あり、上記アルキルアリール基としてはブチルフェニル
基、イソプロピルフェニル基等があり、上記アリールチ
オ基としてはナフチルチオ基等があり、上記シクロアル
ケニル基としては１−シクロヘキセニル基等があり、ア
リールスルフィニル基としては、例えばフェニルスルフ
ィニル基等があり、上記アリールスルフォニル基として
はフェニルスルフォニル基等があり、以上の基において
その中のアルキル基はスルフォン酸基、ハロゲン、ニト
ロ基、シアノ基、カルボキシル基、エポキシ基、グリシ
ジル基等の置換成分で置換されたものでもよい。In the general formula (I), R ¹ or R ² is 1
When the organic group is a valence group, the organic group includes an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an alkanoyl group, an alkylthio group, an alkylthioalkyl group, an alkylsulfinyl group, an alkylsulfonyl group, a cycloalkyl group, an alkylsulfinylalkyl group, Alkylsulfonylalkyl group, aryl group, arylalkyl group,
There are an alkylaryl group, an arylthio group, a cycloalkenyl group, an arylsulfinyl group, an arylsulfonyl group, and the like, in which the alkyl group is a sulfonic acid group, a halogen, a nitro group, a cyano group, a carboxyl group, an epoxy group, or the like. May be substituted. R ¹
Alternatively, when R ² is a monovalent organic group, this is important for imparting organic solvent solubility to the polymer. Examples of the alkyl group include those having 4 to 18 carbon atoms, such as butyl, pentyl, hexyl, octyl, nonyl, decyl, dodecyl, tetradecyl, octadecyl, and the like. For example,
There are a vinyl group, an allyl group, a 1-butenyl group and the like; the alkoxy group includes a methoxy group, an ethoxy group, a butoxy group and a pentoxy group; and the alkanoyl group includes a hexanoyl group and an octanoyl group; Examples of the group include a pentylthio group, a hexylthio group, and a decylthio group.Examples of the alkylthioalkyl group include a butylthiomethyl group and a hexylthiobutyl group.Examples of the alkylsulfinyl group include a hexylsulfinyl group and an octylsulfinyl group. ,
Examples of the alkylsulfonyl group include a pentylsulfonyl group and a nonylsulfonyl group.Examples of the cycloalkyl group include a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.Examples of the alkylsulfinylalkyl group include an octylsulfinylbutyl group and a butylsulfinylhexyl group. The alkylsulfonylalkyl group includes a butylsulfonyldecyl group and a methylsulfonyldodecyl group, and the aryl group includes a phenyl group and a naphthyl group.The arylalkyl group includes, for example, a benzyl group and a phenethyl group. There are, as the alkylaryl group, a butylphenyl group, an isopropylphenyl group, and the like, as the arylthio group, a naphthylthio group, and the like, and as the cycloalkenyl group, -Cyclohexenyl group, etc., as the arylsulfinyl group, for example, a phenylsulfinyl group, etc., and as the arylsulfonyl group, there is a phenylsulfonyl group, and the like. , A nitro group, a cyano group, a carboxyl group, an epoxy group, a glycidyl group and the like.

【００１７】前記一般式(Ｉ)で表される構成単位を含む
重合体は、化３〔一般式(II)〕The polymer containing the structural unit represented by the general formula (I) is represented by the following formula (III):

【化３】 〔ただし、一般式(II)中、Ｒ¹、Ｒ²及びＸは一般式(Ｉ)
に同じである〕で表される単量体又はこれの誘導体を重
合させて製造することができる。重合方法としては、化
学酸化重合法、化学的重合法または電気化学的重合法等
がある。化学酸化重合法では、上記単量体をクロロフォ
ルム中、塩化第二鉄等の酸化剤の存在下で重合させる。
化学的重合法では、上記単量体の誘導体として２，５−
ジブロモ置換されたもの又は２，５−ジヨード置換され
たものを１，３−(ビスフェニルフォスフィノ）プロパ
ンニッケル(II)クロライド等のニッケル系触媒の存在下
にテトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒中で重合す
る。電気化学的重合法では、上記単量体と、テトラメチ
ルアンモニウムパークロレート等の支持電解質をニトロ
ベンゼン等の溶媒に溶解した反応液に、ＩＴＯ電極を陽
極とし、白金電極を陰極とし、ヘリウム、アルゴン等の
不活性雰囲気下で電流を流すことにより、重合体を陽極
上に析出させる。これらの重合法で得られた重合体はメ
タノール、アセトン等を使用して洗浄し、清浄な重合体
とするのが望しい。この重合に際し、上記単量体を二種
以上使用してもよく、コモノマーとして上記一般式(II)
において、Ｒ¹及びＲ²が共に水素であるもの、これの
２，５−ジブロモ置換体又は２，５−ジヨード置換体な
どの一般式(II)で表される単量体又はこれの誘導体と共
重合可能なものを併用してもよい。Embedded image [However, in the general formula (II), R ¹ , R ² and X represent the general formula (I)
The same applies to the above]] or a derivative thereof is polymerized. Examples of the polymerization method include a chemical oxidation polymerization method, a chemical polymerization method, and an electrochemical polymerization method. In the chemical oxidation polymerization method, the above monomer is polymerized in chloroform in the presence of an oxidizing agent such as ferric chloride.
In the chemical polymerization method, 2,5-
Polymerization of dibromo-substituted or 2,5-diiodo-substituted compounds in an ether solvent such as tetrahydrofuran in the presence of a nickel catalyst such as 1,3- (bisphenylphosphino) propane nickel (II) chloride I do. In the electrochemical polymerization method, a reaction solution in which the above monomer and a supporting electrolyte such as tetramethylammonium perchlorate are dissolved in a solvent such as nitrobenzene is used as an anode with an ITO electrode as a cathode, a platinum electrode as a cathode, helium, argon, etc. The polymer is deposited on the anode by passing a current under an inert atmosphere. The polymer obtained by these polymerization methods is desirably washed with methanol, acetone, or the like to obtain a clean polymer. In this polymerization, two or more of the above monomers may be used, and as a comonomer, the above general formula (II)
Wherein R ¹ and R ² are both hydrogen, a monomer represented by the general formula (II) such as a 2,5-dibromo-substituted or 2,5-diiod-substituted product thereof, or a derivative thereof. Copolymerizable substances may be used in combination.

【００１８】前記一般式(Ｉ)で表される構成単位を含む
重合体の分子量は特に制限されないが、良好な成膜性の
点から、好ましくは平均分子量(重量平均分子量、以下
同じ)で１０²〜１０⁶、特に好ましくは平均分子量で１
０³〜１０⁵であるのが好ましい。なお、平均分子量は液
体ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより、標
準ポリスチレンを用いて作成された検量線から求めたも
のである。The molecular weight of the polymer containing the structural unit represented by the above general formula (I) is not particularly limited, but from the viewpoint of good film-forming properties, the average molecular weight (weight average molecular weight, hereinafter the same) is preferably 10%. ² to 10 ⁶ , particularly preferably 1 in terms of average molecular weight
It is preferably from 0 ³ to 10 ⁵ . The average molecular weight was determined by a liquid gel permeation chromatography from a calibration curve prepared using standard polystyrene.

【００１９】本発明に用いられる色素としては、光吸収
能を有し、前記共役系重合体と電子的あるいは立体的に
相互作用するものであれば、特に限定するものではない
が、好ましくはレーザ光を十分吸収できる色素、例えば
シアニン系色素、フタロシアニン系色素、テトラピラジ
ノポルフィラジン系色素、ナフタロシアニン系色素、ニ
ッケルジチオール錯体等が用いられる。これらの色素は
前記共役系重合体に対して３〜３０重量％使用するのが
好ましい。The dye used in the present invention is not particularly limited as long as it has a light absorbing ability and interacts electronically or sterically with the conjugated polymer. Dyes that can sufficiently absorb light, for example, cyanine dyes, phthalocyanine dyes, tetrapyrazinoporphyrazine dyes, naphthalocyanine dyes, nickel dithiol complexes, and the like are used. These dyes are preferably used in an amount of 3 to 30% by weight based on the conjugated polymer.

【００２０】前記色素としては、特に、前記テトラアザ
ポルフィリン系色素が好ましく、これらは、例えば、下
記化４〔一般式（III）〕、下記化５〔一般式（IV）〕
下記化６〔一般式（Ｖ）〕で表わされるものがある。The dye is particularly preferably the above-mentioned tetraazaporphyrin-based dyes.
There is a compound represented by the following formula 6 [general formula (V)].

【００２１】[0021]

【化４】 Embedded image

【００２２】[0022]

【化５】 Embedded image

【００２３】[0023]

【化６】 Embedded image

【００２４】一般式（III）、一般式（IV）及び一般式
（Ｖ）において、Ｍは、２個の水素、Ｉｂ族，IIａ族，
IIｂ族，IIIａ族，IVａ族，IVｂ族，Ｖｂ族，VIｂ族，V
IIｂ族，VIII族の金属、これらの金属の酸化物、これら
の金属のハロゲン化物、これらの金属の水酸化物又はこ
れらの金属で置換基を有するものであり、Ｑは置換基を
示し、ｋ，ｌ，ｍ及びｎは０又は１〜４の整数を示し、
Ｑが複数個あるときは同一でも異なつていてもよい。In the general formulas (III), (IV) and (V), M is two hydrogens, Ib group, IIa group,
IIb, IIIa, IVa, IVb, Vb, VIb, V
Group IIb and VIII metals, oxides of these metals, halides of these metals, hydroxides of these metals or those having a substituent with these metals, and Q represents a substituent; , L, m and n represent 0 or an integer of 1 to 4,
When there are a plurality of Q's, they may be the same or different.

【００２５】上記のＭのうち、金属としては、Ｃｕ，Ｚ
ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｃｒ，Ｍ
ｏ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｉｎ，Ｐｔ，Ｐｄ等の金
属があり、特にＳｉ、Ｇｅ又はＳｎが好ましい。酸化物
としては、ＴｉＯ，ＶＯ等があり、ハロゲン化物として
は、ＡｌＣｌ，ＧeＣｌ₂，ＳiＣｌ₂，ＦeＣｌ,ＳｎＣｌ
₂,ＩｎＣｌ等があり、水酸化物としてはＡｌ(ＯＨ),Ｓ
ｉ(ＯＨ)₂,Ｇｅ(ＯＨ)₂，Ｓｎ（ＯＨ)₂等がある。さら
に、金属が置換基を有する場合に、金属としては、Ａ
ｌ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ等があり、置換基として
は、アリールオキシ基，アルコキシ基，アルキルシリル
基、トリアルキルシロキシ基，アリールシロキシ基，ト
リアリールシロキシ基，アルコキシシロキシ基，トリア
ルコキシシロキシ基，アリールオキシシロキシル基，ト
リアリールオキシシロキシル基，トリチルオキシ基又は
アシロキシ基等がある。なお、以下において、アルキル
基及びアルコキシ基はそれぞれ、シクロアルキル基及び
シクロアルコキシ基を含む。置換基の例をさらに詳しく
説明すると、アリールオキシル基としてフエノキシル
基，トリルオキシル基，アニシルオキシル基等があり、
アルコキシル基としては、アミロキシル基，ヘキシロキ
シル基，オクチロキシル基，デシロキシル基，ドデシロ
キシル基，テトラデシロキシル基，ヘキサデシロキシル
基，オクタデシロキシル基，エイコシロキシル基，ドコ
シロキシル基等があり、トリアルキルシロキシル基とし
ては、トリメチルシロキシル基，トリエチルシロキシル
基，トリプロピルシロキシル基，トリブチルシロキシル
基等があり、トリアリールシロキシル基としては、トリ
フエニルシロキシル基，トリアニシルシロキシル基，ト
リトリルシロキシル基等があり、トリアルコキシシロキ
シル基としては、トリメトキシシロキシル基，トリエト
キシシロキシル基，トリプロポキシシロキシル基，トリ
ブトキシシロキシル基等があり、トリアリールオキシシ
ロキシル基としては、トリフエノキシシロキシル基，ト
リアニシロキシシロキシル基，トリトリルオキシシロキ
シル基等があり、アシロキシル基としては、アセトキシ
ル基，プロピオニルオキシル基，ブチリルオキシル基，
バレリルオキシル基，ピバロイルオキシル基，ヘキサノ
イルオキシル基，オクタノイルオキシル基等がある。Of the above M, metals such as Cu and Z
n, Mg, Al, Ge, Ti, Sn, Pb, Cr, M
There are metals such as o, Mn, Fe, Co, Ni, In, Pt, and Pd, and Si, Ge or Sn is particularly preferable. Examples of the oxide include TiO and VO, and examples of the halide include AlCl, GeCl ₂ , SiCl ₂ , FeCl, and SnCl.
₂ , InCl, etc., and hydroxides such as Al (OH), S
i (OH) ₂ , Ge (OH) ₂ , Sn (OH) _{2 and the} like. Further, when the metal has a substituent, the metal may be A
l, Ti, Si, Ge, Sn and the like, and the substituent is an aryloxy group, an alkoxy group, an alkylsilyl group, a trialkylsiloxy group, an arylsiloxy group, a triarylsiloxy group, an alkoxysiloxy group, a trialkoxysiloxy group. Group, an aryloxysiloxyl group, a triaryloxysiloxyl group, a trityloxy group or an acyloxy group. In the following, the alkyl group and the alkoxy group include a cycloalkyl group and a cycloalkoxy group, respectively. When the examples of the substituent are described in more detail, the aryloxyl group includes a phenoxyl group, a tolyloxyl group and an anisyloxyl group.
Examples of the alkoxyl group include an amyloxyl group, a hexyloxyl group, an octyloxyl group, a desyloxyl group, a dodecyloxyl group, a tetradecyloxyl group, a hexadecyloxyl group, an octadecyloxyl group, an eicosiloxyl group, and a docosiloxyl group. Examples of the alkylsiloxyl group include a trimethylsiloxyl group, a triethylsiloxyl group, a tripropylsiloxyl group, and a tributylsiloxyl group, and examples of the triarylsiloxyl group include a triphenylsiloxyl group and a trianisylsiloxyl group. , Tritolylsiloxyl group and the like, and the trialkoxysiloxyl group includes trimethoxysiloxyl group, triethoxysiloxyl group, tripropoxysiloxyl group, tributoxysiloxyl group and the like, and triaryloxysiloxyl group. As a basis , Triflumizole enoki sheet siloxyl group, tri Ani siloxy siloxyl group, there are tri-tolyl oxy siloxyl group. Examples of the acyloxy group, an acetoxyl group, a propionyloxy Luo hexyl group, Buchiriruokishiru group,
There are a valeryloxyl group, a pivaloyloxyl group, a hexanoyloxyl group, an octanoyloxyl group and the like.

【００２６】前記Ｑとしては、アルキル基，アリール
基，アルキコキシ基，アリールオキシ基，アルコキシア
ルキル基，アルコキシカルボニル基，アラルキル基，ア
リールオキシカルボニル基，ハロゲン，１個又は２個の
アルキル基及び／又はアリール基でＮ置換されていても
よりアミノ基，アルキル基又はアリール基でＮ置換され
ていてもよりスルホンアミド基，ニトロ基，アルキルチ
オ基，アリールチオ基，アルキルシリルチオ基，アルキ
ルシリル基，アルキルスルホニル基，アリールスルホニ
ル基等がある。これらは、ハロゲン，水酸基，アルコキ
シ基等で置換されていてもよい。The Q is an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkoxyalkyl group, an alkoxycarbonyl group, an aralkyl group, an aryloxycarbonyl group, a halogen, one or two alkyl groups and / or Sulfonamide group, nitro group, alkylthio group, arylthio group, alkylsilylthio group, alkylsilyl group, alkylsulfonyl And arylsulfonyl groups. These may be substituted with a halogen, a hydroxyl group, an alkoxy group, or the like.

【００２７】前記の一般式（III）及び一般式（Ｖ）に
おいて、同一の環に存在するＸ₁及びＸ₂は、両方とも炭
素原子若しくは窒素原子であり、また、いずれか一方が
炭素原子であって他方が窒素原子であり、複数個のＸ₁
は同一でも異なっていてもよく、複数個のＸ₂は同一で
も異なっていてもよい。前記一般式（IV）において、同
一の環に存在するＸ₃及びＸ₄は、いずれか一方が炭素原
子であって他方が窒素原子であり、複数個のＸ₃は同一
でも異なっていてもよく、複数個のＸ₄は同一でも異な
っていてもよい。In the above general formulas (III) and (V), X ₁ and X ₂ present on the same ring are both a carbon atom or a nitrogen atom, and one of them is a carbon atom. And the other is a nitrogen atom, and a plurality of X ₁
May be the same or different, and a plurality of X ₂ may be the same or different. In the general formula (IV), one of X ₃ and X ₄ present on the same ring is a carbon atom and the other is a nitrogen atom, and a plurality of X ₃ may be the same or different. , A plurality of X ₄ may be the same or different.

【００２８】一般式（Ｖ）で表される化合物のうちナフ
タロシアニン誘導体としては、例えば、化７〔一般式
（VI）〕Among the compounds represented by the general formula (V), naphthalocyanine derivatives include, for example,

【化７】 〔ただし、一般式（VI）中、Ｑ、ｋ、ｌ、ｍ、ｎ及びＭ
は、一般式（III）〜（Ｖ）に同じである〕で表わされ
るものがある。Embedded image [However, in the general formula (VI), Q, k, l, m, n and M
Is the same as in the general formulas (III) to (V)].

【００２９】具体的なナフタロシアニン誘導体として
は、ビス〔トリ−ｎ−ヘキシルシロキシ〕シリコンナフ
タロシアニン，ジクロロシリコンポリ−Ｎ−ジ−ｎ−オ
クチルスルホンアミドナフタロシアニン，ジヒドロキシ
シリコンポリ−Ｎ−ジ−ｎ−オクチルスルホンアミドナ
フタロシアニン，ビス〔トリ−ｎ−ヘキシルシロキシ〕
シリコンポリ−Ｎ−ジ−ｎ−オクチルスルホンアミドナ
フタロシアニン，ビス〔ヒドロキシヘプタプロピレンオ
キシジメチルシロキシ〕シリコンテトラクロロナフタロ
シアニン，ビス〔トリヘキシルシロキシ〕シリコンテト
ラネオペントキシナフタロシアニン，ビス〔トリヘキシ
ルシロキシ〕シリコンテトラ−Ｎ−ピペリジルナフタロ
シアニン，銅テトラ−フルオロメチルナフタロシアニ
ン，ジ亜鉛テトラ−ブロモナフタロシアニン，ブチルフ
エニルチオアルミニウムテトラ−ブトキシナフタロシア
ニン，バナジルトリ−ブチルチオナフタロシアニン，チ
タニルテトラ−ｎ−ヘキシルチオナフタロシアニン，ニ
ツケルオクタフエニルチオナフタロシアニン等があり、
さらに、下記表１、表２、表３、表４、表５、表６及び
表７に示されるＭ、Ｑ（−Ｚ−Ｒ¹として示す）のＺ及
びＲ¹、ｋ、ｌ、ｍ並びにｎのものがある。Specific examples of naphthalocyanine derivatives include bis [tri-n-hexylsiloxy] silicon naphthalocyanine, dichlorosilicon poly-N-di-n-octylsulfonamido naphthalocyanine, and dihydroxysilicon poly-N-di-n. -Octylsulfonamidonaphthalocyanine, bis [tri-n-hexylsiloxy]
Silicon poly-N-di-n-octylsulfonamidonaphthalocyanine, bis [hydroxyheptapropyleneoxydimethylsiloxy] silicon tetrachloronaphthalocyanine, bis [trihexylsiloxy] silicon tetraneopentoxynaphthalocyanine, bis [trihexylsiloxy] Silicon tetra-N-piperidyl naphthalocyanine, copper tetra-fluoromethylnaphthalocyanine, dizinc tetra-bromonaphthalocyanine, butylphenylthioaluminum tetra-butoxynaphthalocyanine, vanadyl tri-butylthionaphthalocyanine, titanyltetra-n-hexylthionaphthalocyanine , Nickel octaphenylthionaphthalocyanine, etc.
Further, Z and R ¹ , k, l, m and M of M, Q (shown as -ZR ¹ ) shown in Tables 1, 2, 3, 4, 5, 6, and 7 shown below. n.

【００３０】[0030]

【表１】 [Table 1]

【００３１】[0031]

【表２】 [Table 2]

【００３２】[0032]

【表３】 [Table 3]

【００３３】[0033]

【表４】 [Table 4]

【００３４】[0034]

【表５】 [Table 5]

【００３５】[0035]

【表６】 [Table 6]

【００３６】[0036]

【表７】 [Table 7]

【００３７】前記表１乃至表７において、Ｒ¹の例を一
つしか示さないものは、複数個のＲ¹がすべて同一のも
のである。[0037] In Table 1 to Table 7, which shows only one example of R ¹ are those plural R ¹ are the same all.

【００３８】記録層の形成は、スピンコート法、キャス
ト法、ロールコート法、スクリーン印刷法、浸漬コーテ
ィング法、ラングミュアーブロジェット法等の湿式法、
スパッタリング法、真空蒸着法等の乾式法がある。湿式
法で行う場合、前記共役系重合体及び色素を有機溶剤に
溶解するが、このような有機溶剤としては、トルエン、
クロロホルム、テトラヒドロフラン、四塩化炭素等があ
る。The recording layer is formed by a wet method such as a spin coating method, a casting method, a roll coating method, a screen printing method, a dip coating method, and a Langmuir-Blodgett method.
There are dry methods such as a sputtering method and a vacuum evaporation method. When carried out by a wet method, the conjugated polymer and the dye are dissolved in an organic solvent. Examples of such an organic solvent include toluene and
Chloroform, tetrahydrofuran, carbon tetrachloride and the like.

【００３９】前記記録層は、一般に適当な基板上に形成
される。基板は、信号の記録や読みだしに支障を与えな
い透光性平板であれば、特に限定するものではなく、例
えば、ポリカーボネート板、ポリメチルメタクリレート
板、エポキシ板、ガラス板等を用いることができる。ま
た、基板表面に案内溝やピット等の凹凸があってもよ
い。The recording layer is generally formed on a suitable substrate. The substrate is not particularly limited as long as it is a light-transmitting flat plate that does not interfere with signal recording or reading, and for example, a polycarbonate plate, a polymethyl methacrylate plate, an epoxy plate, a glass plate, or the like can be used. . Further, the substrate surface may have irregularities such as guide grooves and pits.

【００４０】本発明における情報記録媒体は、前記基板
と前記記録層の間に基板反射層を積層したものであって
もよい。基板反射層の積層により、容易にトラッキング
を取ることができ、また、反射率、Ｃ／Ｎなどの記録特
性を改善することができる。基板反射層は、記録層まで
書込み用の光が十分到達する程度に光透過性であって光
によって熱溶融あるいは熱分解しないものであれば、特
に限定するものではないが、複素屈折率の実数部（ｎ）
が、前記基板の屈折率より大きい有機色素または無機物
からなるものが好ましい。有機色素としては、例えば、
シアニン系色素、フタロシアニン系色素、テトラピラジ
ノポルフィラジン系色素、ポルフィリン系色素、アゾ系
色素等が適している。これら色素を用いて反射層を形成
する方法としては、色素が適当な有機溶媒に溶解する場
合には回転塗布法、キャスト法等の湿式法によって成膜
することができ、真空蒸着法等の乾式法によっても成膜
することができる。無機物としては、Ｓｉ、ＴｉＯ₂、
ＺｎＯ、ＺｎＳ等があり、スパッタリング法、真空蒸着
法、ＣＶＤ法等により成膜することができる。[0040] The information recording medium of the present invention may be one in which a substrate reflection layer is laminated between the substrate and the recording layer. By stacking the substrate reflection layer, tracking can be easily performed, and recording characteristics such as reflectance and C / N can be improved. The substrate reflective layer is not particularly limited as long as it is light-transmissive to the extent that writing light sufficiently reaches the recording layer and does not melt or thermally decompose by light. Part (n)
However, those composed of an organic dye or an inorganic substance having a refractive index higher than that of the substrate are preferable. As an organic dye, for example,
Suitable are cyanine dyes, phthalocyanine dyes, tetrapyrazinoporphyrazine dyes, porphyrin dyes, azo dyes, and the like. As a method of forming a reflective layer using these dyes, when the dye is dissolved in an appropriate organic solvent, a film can be formed by a wet method such as a spin coating method or a cast method, and a dry method such as a vacuum evaporation method. The film can also be formed by a method. As inorganic substances, Si, TiO ₂ ,
There are ZnO, ZnS, and the like, which can be formed by a sputtering method, a vacuum evaporation method, a CVD method, or the like.

【００４１】また本発明における情報記録媒体は、前記
基板と記録層の間に基板保護層を積層したものであって
も良い。基板保護層の積層により、記録層をスピンコ−
ト法、キャスト法の湿式法で行う場合に用いる有機溶媒
に対する浸蝕を防ぐことができる。基板保護層として
は、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂エポキシ樹脂、光硬化性アクリル
樹脂等が使用できる。本発明における情報記録媒体にお
いては、記録層上には必要に応じ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、
Ａｇ等の金属、Ｓｉ等の半導体などからなる反射膜を形
成することもできる。また、上記記録層又は上記反射膜
の上に保護層などを設けてもよい。The information recording medium of the present invention may have a structure in which a substrate protective layer is laminated between the substrate and the recording layer. The recording layer is spin-coated by laminating the substrate protective layer.
Erosion to an organic solvent used in a wet method such as a wet method or a cast method can be prevented. As the substrate protective layer, SiO ₂ , TiO ₂ epoxy resin, photocurable acrylic resin, or the like can be used. In the information recording medium according to the present invention, Al, Au, Cu,
A reflective film made of a metal such as Ag or a semiconductor such as Si can also be formed. Further, a protective layer or the like may be provided on the recording layer or the reflective film.

【００４２】本発明における情報記録媒体への記録は、
色素の吸収波長に対応する光を照射させて光の照射部を
加熱した後急冷することにより行うことができる。ま
た、加熱手段で加熱後急冷することにより行うこともで
きる。これにより記録層中の光の照射部の共役系重合体
と色素及び／又は色素同士の相互作用が変化し、この結
果、光の照射部の吸光度又は反射率を光の照射前に比べ
変化する。光はレーザ光が好ましいが、レーザとしては
用いる色素の吸収波長によるが、半導体レーザ、アルゴ
ンレーザ、ヘリウム−ネオンレーザ等が用いられ、好ま
しくは小型、軽量の半導体レーザが用いられる。回転中
の情報記録媒体にレーザー光を短時間照射して加熱する
場合は、加熱部はレーザースポットを過ぎれば容易に急
冷される。The recording on the information recording medium in the present invention is as follows.
The irradiation can be performed by irradiating light corresponding to the absorption wavelength of the dye and heating the light-irradiated portion, followed by rapid cooling. In addition, it can be performed by rapid cooling after heating by a heating means. Thereby, the interaction between the conjugated polymer and the dye and / or the dyes in the light-irradiated portion in the recording layer changes, and as a result, the absorbance or reflectance of the light-irradiated portion changes as compared to before the light irradiation. . The light is preferably a laser beam, but a semiconductor laser, an argon laser, a helium-neon laser, or the like is used, and a small and lightweight semiconductor laser is preferably used, depending on the absorption wavelength of the dye used as the laser. When a rotating information recording medium is heated by irradiating a laser beam for a short time, the heating unit is easily cooled rapidly after passing the laser spot.

【００４３】上記で記録した情報の再生は、記録時及び
下記する消去時に用いる光の出力より弱い光を照射し、
記録部と未記録部の吸光度又は反射率の差を検出して行
うことができる。The information recorded above is reproduced by irradiating light that is weaker than the light output used at the time of recording and erasing,
The detection can be performed by detecting a difference in absorbance or reflectance between a recorded portion and an unrecorded portion.

【００４４】また、上記で記録した情報の消去は、少な
くとも記録部を加熱した後除冷する方法により行う。加
熱は情報記録媒体全体を加熱してもよく、記録部又は記
録部と未記録部をレーザ光の照射により加熱してもよ
い。レーザ光を用いる場合、記録時のレーザ光より弱い
出力のレーザ光を用いて記録部のあるトラックを走査し
て行い、オーブン中などで全体を加熱するときは加熱後
放置して冷却すればよい。The information recorded above is erased by heating at least the recording portion and then cooling it. In the heating, the entire information recording medium may be heated, or the recording portion or the recording portion and the unrecorded portion may be heated by laser light irradiation. When a laser beam is used, a track having a recording portion is scanned by using a laser beam having a lower output than the laser beam at the time of recording. .

【００４５】前記記録層の材料として用いられる樹脂組
成物を加熱すると、その組成物のマトリックスである共
役系重合体は、熱エネルギーの程度に対応してそのコン
フォメーションを変化させる。すなわち、上記樹脂組成
物が加熱されると、色素と共役系重合体の間の電子的相
互作用及び／又は立体的配置が変化し、さらに色素の集
合状態が変化するように色素同士の相互作用も変化す
る。このような変化は、上記樹脂組成物の光学吸収スペ
クトル変化及び/または反射スペクトルの変化として観
察できる。この変化の程度は、樹脂組成物が加熱された
温度によって決まる。上記樹脂組成物を加熱した後、急
冷することにより上記光学吸収スペクトル変化及び／ま
たは反射スペクトルの変化を固定することができる。本
発明における情報記録媒体への記録は、上記樹脂組成物
のこのような性質を利用するものである。従って、記録
後、少なくとも記録部を加熱し徐冷することにより記録
を消去することができる。When the resin composition used as the material of the recording layer is heated, the conjugated polymer which is the matrix of the composition changes its conformation in accordance with the degree of thermal energy. That is, when the resin composition is heated, the electronic interaction and / or steric configuration between the dye and the conjugated polymer changes, and the interaction between the dyes changes so that the aggregation state of the dye changes. Also change. Such a change can be observed as a change in the optical absorption spectrum and / or a change in the reflection spectrum of the resin composition. The extent of this change depends on the temperature at which the resin composition is heated. After the resin composition is heated and rapidly cooled, the change in the optical absorption spectrum and / or the change in the reflection spectrum can be fixed. Recording on the information recording medium in the present invention utilizes such properties of the resin composition. Therefore, after recording, the recording can be erased by heating and slowly cooling at least the recording portion.

【００４６】本発明における第２の情報光記録媒体は、
記録層を有するものにおいて、その記録層がジエン系単
量体及び／又は芳香環を有するビニル系単量体を成分と
して含む重合体並びに光吸収能を有する色素を含む組成
物からなるものである。The second information optical recording medium according to the present invention comprises:
In the recording layer having a recording layer, the recording layer is composed of a polymer containing a diene monomer and / or a vinyl monomer having an aromatic ring as a component, and a composition containing a dye having a light absorbing ability. .

【００４７】図面を用いて、本発明における書換え可能
な光記録媒体の構造を説明する。図１は、本発明におけ
る書換え可能な光記録媒体の一例を示す断面図である。
図１中、基板１上に反射層２、次いで記録層３が積層さ
れている。基板１にはトラッキングサーボのためのグル
ーブ４が形成されているが、これはピットであってもよ
い。また、基板１にグルーブを直接形成せず、基板上に
グルーブ形成層が積層されていてもよい。図２は、本発
明における書換え可能な光記録媒体の他の例を示す断面
図である。図２中、基板５上に反射層６、保護層７、次
いで記録層８が積層されている。基板５にはトラッキン
グサーボのためのグルーブ９が形成されているが、これ
はピットであってもよい。また、基板５にグルーブを直
接形成せず、基板上にグルーブ形成層が積層されていて
もよい。前記グルーブは、いずれも単純にトラッキング
サーボのためのものであってもよく、フォーマット信号
に対応したピットが形成されていてもよい。このフォー
マット信号に対応したピットは基板のランド部に形成さ
れていてもよい。また、トラッキングサーボのためにグ
ルーブの代りにピットを形成するときは、さらに、フォ
ーマット信号に対応したピットを含んでいてもよい。こ
の光記録媒体において、光は基板側から照射される。The structure of the rewritable optical recording medium according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing an example of a rewritable optical recording medium according to the present invention.
In FIG. 1, a reflective layer 2 and then a recording layer 3 are laminated on a substrate 1. A groove 4 for tracking servo is formed on the substrate 1, but this may be a pit. Further, a groove forming layer may be laminated on the substrate without directly forming the groove on the substrate 1. FIG. 2 is a sectional view showing another example of the rewritable optical recording medium according to the present invention. In FIG. 2, a reflective layer 6, a protective layer 7, and then a recording layer 8 are laminated on a substrate 5. Although grooves 9 for tracking servo are formed on the substrate 5, these may be pits. Further, a groove forming layer may be laminated on the substrate without directly forming the groove on the substrate 5. Each of the grooves may simply be for tracking servo, and pits corresponding to a format signal may be formed. The pit corresponding to the format signal may be formed in a land portion of the substrate. When pits are formed instead of grooves for tracking servo, pits corresponding to a format signal may be further included. In this optical recording medium, light is emitted from the substrate side.

【００４８】前記基板の材質は、特に制限されないが、
アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、
ポリオレフィン樹脂等の合成樹脂、ガラスなどがある。The material of the substrate is not particularly limited.
Acrylic resin, polycarbonate resin, epoxy resin,
Synthetic resin such as polyolefin resin, glass and the like.

【００４９】前記反射層としては、使用するレーザー光
を部分的に透過し、レーザー光の照射により溶融、分解
等の熱劣化（損傷）を受けないものが使用され、有機色
素及び無機物の中から材料を選択して使用することがで
きる。反射層の材料は消衰係数が０又はほぼ０のものが
好ましい。また、反射層の材料は、その屈折率が基板の
屈折率と大きく異なるもの、特に０．４以上異なるもの
が好ましい。As the reflection layer, a layer which partially transmits a laser beam to be used and does not undergo thermal deterioration (damage) such as melting and decomposition by irradiation of the laser beam is used. Materials can be selected and used. The material of the reflection layer preferably has an extinction coefficient of 0 or almost 0. The material of the reflective layer is preferably one whose refractive index is significantly different from the refractive index of the substrate, especially one that differs by 0.4 or more.

【００５０】反射層の材料としての有機色素としては、
例えば、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色
素、ピリドシアニン系色素、ピラゾシアニン系色素、キ
ノロシアニン系色素、キノキザロシアニン系色素等のテ
トラアザポルフィリン系色素、シアニン系色素、スチリ
ル系色素、スクアリリウム系色素などから適宜選択して
使用することができる。テトラアザポルフィリン系色素
は、これらの分子内の芳香族炭化水素環又は芳香族複素
環にアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシカ
ルボニル基、アルキルスルホニル基、アルキルチオ基、
アリール基等の置換基を有していてもよく、また、これ
らの分子構造中にＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ等の中心金属を有し
ていてもよく、この場合には中心金属にアルコキシ基、
アルキルシロキシ基、アリールシロキシ基、トリアルキ
ルシロキシ基、トリアリールシロキシ基等の置換基を１
個又は２個有していてもよい。これらの置換基の導入
は、有機溶媒への溶解性を改善する上及び／又は反射率
を向上させる上で有効である。これらの色素は、使用す
るレーザー光波長を考慮して選択して使用される。特に
シアニン系色素には、必要に応じて、反射層の安定性向
上、耐光性向上等のために一重項酸素クエンチャーとし
てジチオラートニッケル錯体等の遷移金属キレート化合
物、三級アミン化合物などを混合してもよい。これらの
色素を適当な有機溶媒に溶解した後、スピンコート法、
ソルベントキャスト法等により基板上に製膜し、また、
上記色素を真空蒸着法により基板上に製膜して反射層を
形成することができる。As an organic dye as a material of the reflection layer,
For example, phthalocyanine dyes, naphthalocyanine dyes, pyridocyanine dyes, pyrazocyanine dyes, quinolocyanine dyes, tetraazaporphyrin dyes such as quinoxalocyanine dyes, cyanine dyes, styryl dyes, squarylium dyes, and the like It can be appropriately selected and used. Tetraazaporphyrin-based dyes have an alkyl group, an alkoxyalkyl group, an alkoxycarbonyl group, an alkylsulfonyl group, an alkylthio group on an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocycle in these molecules.
It may have a substituent such as an aryl group, or may have a central metal such as Si, Ge, or Sn in its molecular structure. In this case, the central metal has an alkoxy group,
A substituent such as an alkylsiloxy group, an arylsiloxy group, a trialkylsiloxy group, or a triarylsiloxy group;
Or two. The introduction of these substituents is effective in improving the solubility in an organic solvent and / or in improving the reflectance. These dyes are selected and used in consideration of the laser light wavelength to be used. In particular, if necessary, a transition metal chelate compound such as a dithiolate nickel complex or a tertiary amine compound as a singlet oxygen quencher may be mixed with the cyanine-based dye as a singlet oxygen quencher to improve the stability and light resistance of the reflective layer. May be. After dissolving these dyes in an appropriate organic solvent, spin coating,
A film is formed on a substrate by a solvent casting method, etc.
The reflective layer can be formed by forming the above dye on a substrate by a vacuum evaporation method.

【００５１】前記シアニン系色素としては下記化１〔一
般式（Ｉ）〕、下記化２〔一般式（II）〕、下記化３
〔一般式（III）〕等で表わされる化合物がある。これ
らは、７８０ｎｍ以上又は８３０ｎｍ以上のレーザー波
長域に吸収がなく、基板上に積層することにより高い反
射率を示すので好ましい。The cyanine dyes are represented by the following general formula (I), the following general formula (II), the following general formula (II):
There is a compound represented by [General Formula (III)] or the like. These are preferable because they have no absorption in a laser wavelength region of 780 nm or more or 830 nm or more, and exhibit high reflectance by being laminated on a substrate.

【化８】 〔ただし、一般式（Ｉ）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁵、Ｒ⁶
及びＲ⁷は炭素原子数１〜３のアルキル基を表し、これ
らは同一でも異なっていてもよく、Ｒ⁴及びＲ⁸は炭素原
子数１〜８のアルキル基を表し、これらは同一でも異な
っていてもよく、Ｘ^-は対アニオンを表す〕。Embedded image [However, in the general formula (I), R ¹ , R ² , R ³ , R ⁵ , R ⁶
And R ⁷ represent an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, which may be the same or different; and R ⁴ and R ⁸ represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, which are the same or different. at best, X ^- represents a counter anion].

【化９】 〔ただし、一般式（II）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は炭
素原子数１〜３のアルキル基を表し、これらは同一でも
異なっていてもよく、Ｒ⁵及びＲ⁶は炭素原子数１〜８の
アルキル基を表し、これらは同一でも異なっていてもよ
く、Ｘ^-は対アニオンを表す〕。Embedded image [However, in the general formula (II), R ¹ , R ² , R ³ and R ⁴ represent an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, which may be the same or different, and R ⁵ and R ⁶ are Represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, which may be the same or different, and X ⁻ represents a counter anion].

【化１０】 〔ただし、一般式（III）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は
炭素原子数１〜３のアルキル基を表し、これらは同一で
も異なっていてもよく、Ｒ⁵及びＲ⁶は炭素原子数１〜８
のアルキル基を表し、これらは同一でも異なっていても
よく、Ｘ^-は対アニオンを表す〕。Embedded image [However, in the general formula (III), R ¹ , R ² , R ³ and R ⁴ represent an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, which may be the same or different, and R ⁵ and R ⁶ are 1-8 carbon atoms
It represents an alkyl group, which may be the same or different, X ^- represents a counter anion].

【００５２】反射層の材料としての無機物としては、シ
リコン、窒化シリコン、ＴｉＯ₂、ＺｎＯ等があり、こ
れらをスパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等によ
り製膜して反射層を形成することができる。これらの材
料からなる反射層は、記録感度及びＣ／Ｎ比の向上にも
有効である。As the inorganic material as the material of the reflection layer, there are silicon, silicon nitride, TiO ₂ , ZnO and the like, and these can be formed by sputtering, vacuum deposition, CVD or the like to form the reflection layer. it can. The reflective layer made of these materials is also effective for improving the recording sensitivity and the C / N ratio.

【００５３】前記保護層は、用いる半導体レーザー光の
透過性に優れるものが使用される。保護層はＳｉＯ₂等
の透明な無機物、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、熱可塑
性樹脂を用いて形成することができる。保護層は、この
上に記録層を形成する場合、使用する溶剤による前記反
射層の侵食、記録時に発生する熱による反射層の変形等
を防ぐために好ましい。また、記録層が変形を伴う場合
には、保護層として室温以下の温度で弾性を有する柔ら
かい材料、例えばシリコーンゴム、フルオロエラストマ
ー等を用いると、その変形を容易にするため好ましい。As the protective layer, one having excellent transparency for the semiconductor laser light to be used is used. The protective layer can be formed using a transparent inorganic substance such as SiO ₂ , a thermosetting resin, a photocurable resin, or a thermoplastic resin. When a recording layer is formed thereon, the protective layer is preferable in order to prevent erosion of the reflective layer by a solvent used, deformation of the reflective layer by heat generated during recording, and the like. When the recording layer is deformed, it is preferable to use a soft material having elasticity at a temperature of room temperature or lower, for example, a silicone rubber, a fluoroelastomer, or the like as the protective layer because the deformation is facilitated.

【００５４】本発明における記録層は、特定の重合体と
有機色素を含有してなる組成物によって形成され、記録
層への熱エネルギ−の附与により、重合体と有機色素間
の相互作用及び／又は有機色素同士の相互作用が変化
し、これにより吸光度、反射率又は透過率が変化するも
のが好ましい。この場合に記録層の形状の変化を伴うも
のであってもよい。熱エネルギ−の附与は、光照射、熱
輻射、加熱体の接触等により行われる。The recording layer in the present invention is formed of a composition containing a specific polymer and an organic dye. By applying heat energy to the recording layer, the interaction between the polymer and the organic dye and Preferably, the interaction between the organic dyes changes, and thereby the absorbance, the reflectance or the transmittance changes. In this case, the shape of the recording layer may be changed. The application of heat energy is performed by light irradiation, heat radiation, contact of a heating body, or the like.

【００５５】記録層に用いられる重合体としては、ジエ
ン系単量体の重合体、芳香族環を有するビニル系単量体
の重合体、ジエン系単量体及び芳香族環を有するビニル
系単量体を成分として含む共重合体、ジエン系単量体及
び／又は芳香族環を有するビニル系単量体とこれら以外
のビニル系単量体を成分として含む共重合体がある。ジ
エン系単量体としては、ブタジエン、イソプレン、クロ
ロプレン、ピペリレン、２−フェニルブタジエン等があ
る。芳香族環を有するビニル系単量体としては、スチレ
ン、α−メチルスチレン、４−エチルスチレン等のアル
キル基置換スチレン、４−エチルチオスチレン等のアル
キルチオ基置換スチレン、４−プロポキシスチレン等の
アルコキシ基置換スチレン、４−プロポキシメチルスチ
レン等のアルコキシアルキル基置換スチレン、４−プロ
ポキシカルボニルスチレン等のアルコキシカルボニル基
置換スチレン、ハロゲン化スチレンなどのスチレン誘導
体、ビニルナフタレン（ナフタレン環は、アルキル基、
アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルキルチオ
基、アルコキシカルボニル基等で置換されていてもよ
い）、ビニルアントラセン（アントラセン環は、アルキ
ル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルキル
チオ基、アルコキシカルボニル基等で置換されていても
よい）、Ｎ−ビニルカルバゾール（環は、アルキル基、
アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルキルチオ
基、アルコキシカルボニル基等で置換されていてもよ
い）等がある。ジエン系単量体及び芳香族環を有するビ
ニル系単量体以外のビニル系単量体としてはアクリロニ
トリル、メチルメタクリレート、メチルアクリレート、
ジビニルベンゼン等があり、これらは本発明の特性を阻
害しない程度に適宜使用される。記録層に用いられる重
合体の具体例としては、トランス−ポリブタジエン、
１，２−ポリブタジエン、シス−ポリブタジエン、トラ
ンス−ポリイソプレン、シス−ポリイソプレン、トラン
ス−ポリクロロプレン、１，２−ポリクロロプレン、ポ
リ（２−フェニル−１、３−ブタジエン）、ポリスチレ
ン、ポリクロロスチレン、ポリ−α−メチルスチレン、
ポリ（４−エチル）スチレン、ポリ（４−エチルチオ）
スチレン、ポリ（４−プロポキシ）スチレン、ポリ（２
−プロポキシメチル）スチレン、ポリ（４−プロポキシ
カルボニル）スチレン、ブタジエン−スチレン共重合体
（ランダム共重合体、ブロック共重合体）、イソプレン
−スチレン共重合体（ランダム共重合体、ブロック共重
合体）、クロロプレン−スチレン共重合体（ランダム共
重合体、ブロック共重合体）、ポリビニルナフタレン、
ポリビニル（ペンチル）ナフタレン、ポリビニル（ブト
キシ）ナフタレン、ポリビニルアントラセン、ポリビニ
ル（ヘプチル）アントラセン、ポリビニル（オクトキ
シ）アントラセン、ポリビニルカルバゾール、スチレン
−ビニルカルバゾール共重合体（ランダム共重合体、ブ
ロック共重合体）、スチレン−ジビニルベンゼン共重合
体等がある。Examples of the polymer used for the recording layer include a polymer of a diene monomer, a polymer of a vinyl monomer having an aromatic ring, a diene monomer and a vinyl monomer having an aromatic ring. There are a copolymer containing a monomer as a component, a diene monomer and / or a vinyl monomer having an aromatic ring, and a copolymer containing a vinyl monomer other than these as a component. Examples of the diene monomer include butadiene, isoprene, chloroprene, piperylene, and 2-phenylbutadiene. Examples of the vinyl monomer having an aromatic ring include styrene, α-methylstyrene, alkyl-substituted styrene such as 4-ethylstyrene, alkylthio-substituted styrene such as 4-ethylthiostyrene, and alkoxy such as 4-propoxystyrene. Group-substituted styrene, alkoxyalkyl-substituted styrene such as 4-propoxymethylstyrene, alkoxycarbonyl-substituted styrene such as 4-propoxycarbonylstyrene, styrene derivatives such as halogenated styrene, vinylnaphthalene (the naphthalene ring is an alkyl group,
May be substituted with an alkoxy group, an alkoxyalkyl group, an alkylthio group, an alkoxycarbonyl group, etc.), vinylanthracene (an anthracene ring is substituted with an alkyl group, an alkoxy group, an alkoxyalkyl group, an alkylthio group, an alkoxycarbonyl group, etc.) ), N-vinylcarbazole (the ring is an alkyl group,
Alkoxy group, alkoxyalkyl group, alkylthio group, alkoxycarbonyl group and the like). Vinyl monomers other than the diene monomer and the vinyl monomer having an aromatic ring include acrylonitrile, methyl methacrylate, methyl acrylate,
There are divinylbenzene and the like, which are appropriately used to the extent that the characteristics of the present invention are not impaired. Specific examples of the polymer used for the recording layer include trans-polybutadiene,
1,2-polybutadiene, cis-polybutadiene, trans-polyisoprene, cis-polyisoprene, trans-polychloroprene, 1,2-polychloroprene, poly (2-phenyl-1,3-butadiene), polystyrene, polychlorostyrene , Poly-α-methylstyrene,
Poly (4-ethyl) styrene, poly (4-ethylthio)
Styrene, poly (4-propoxy) styrene, poly (2
-Propoxymethyl) styrene, poly (4-propoxycarbonyl) styrene, butadiene-styrene copolymer (random copolymer, block copolymer), isoprene-styrene copolymer (random copolymer, block copolymer) , Chloroprene-styrene copolymer (random copolymer, block copolymer), polyvinyl naphthalene,
Polyvinyl (pentyl) naphthalene, polyvinyl (butoxy) naphthalene, polyvinyl anthracene, polyvinyl (heptyl) anthracene, polyvinyl (octoxy) anthracene, polyvinyl carbazole, styrene-vinyl carbazole copolymer (random copolymer, block copolymer), styrene -Divinylbenzene copolymer and the like.

【００５６】記録層に用いられる有機色素は使用する記
録光の波長に吸収を有するものであり、フタロシアニン
系色素、ナフタロシアニン系色素、ピリドシアニン系色
素、ピラゾシアニン系色素、キノロシアニン系色素、キ
ノキザロシアニン系色素等のテトラアザポルフィリン系
色素、シアニン系色素、スチリル系色素、スクアリリウ
ム系色素、ニッケルジチオール錯体等から選択して使用
される。The organic dye used in the recording layer has an absorption at the wavelength of the recording light to be used. The dye is selected from tetraazaporphyrin dyes such as dyes, cyanine dyes, styryl dyes, squarylium dyes, nickel dithiol complexes and the like.

【００５７】記録層に用いられる有機色素としては、特
に、前記テトラアザポルフィリン系色素が好ましく、こ
れらは、例えば、下記化４〔一般式（IV）〕、下記化５
〔一般式（Ｖ）〕下記化６〔一般式（VI）〕で表わされ
るものがある。As the organic dye used in the recording layer, the above-mentioned tetraazaporphyrin dyes are particularly preferable.
[General formula (V)] There is a compound represented by the following general formula (6) [General formula (VI)].

【００５８】[0058]

【化１１】 Embedded image

【００５９】[0059]

【化１２】 Embedded image

【００６０】[0060]

【化１３】 Embedded image

【００６１】一般式（IV）、一般式（Ｖ）及び一般式
（VI）において、Ｑは置換基を示し、ｋ，ｌ，ｍ及びｎ
は０又は１〜４の整数を示し、Ｑが複数個あるときは同
一でも異なつていてもよく、Ｍは、２個の水素、金属、
金属酸化物、金属水酸化物又は置換基を有する金属を示
す。Ｍとしての金属は、特にＳｉ、Ｇｅ又はＳｎが好ま
しい。Ｍとしては、特に、置換基を有する金属が好まし
く、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ等の金属に置換基としてアルキル
シロキシ基、トリアルキルシロキシ基、アルコキシシロ
キシ基、トリアルコキシシロキシ基、アリールシロキシ
基、トリアリールシロキシ基、アリールオキシシロキシ
基、トリアリールオキシシロキシ基、アルコキシル基、
アリールオキシ基、トリチルオキシ基、アシロキシ基等
が２個結合してなるものなどがあり、Ｑとしてはアルキ
ル基、アルキルチオ基、アルキルシリルチオ基、アルキ
ルシリル基、アルキルアミノ基、アルキルスルフォニル
基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシ
カルボニル基、アリール基、アリールチオ基、アリール
アミノ基、アリールオキシ基、アリールオキシカルボニ
ル基、アラルキル基等がある。上記の一般式（IV）及び
一般式（VI）において、同一の環に存在するＸ₁及びＸ₂
は、両方とも炭素原子若しくは窒素原子であり、また、
いずれか一方が炭素原子であって他方が窒素原子であ
り、複数個のＸ₁は同一でも異なっていてもよく、複数
個のＸ₂は同一でも異なっていてもよい。上記一般式
（Ｖ）において、同一の環に存在するＸ₃及びＸ₄は、い
ずれか一方が炭素原子であって他方が窒素原子であり、
複数個のＸ₃は同一でも異なっていてもよく、複数個の
Ｘ₄は同一でも異なっていてもよい。In the general formulas (IV), (V) and (VI), Q represents a substituent, and k, l, m and n
Represents 0 or an integer of 1 to 4, and when there are a plurality of Qs, they may be the same or different, and M is two hydrogens, a metal,
A metal oxide, a metal hydroxide, or a metal having a substituent is shown. The metal as M is particularly preferably Si, Ge or Sn. As M, a metal having a substituent is particularly preferable, and an alkylsiloxy group, a trialkylsiloxy group, an alkoxysiloxy group, a trialkoxysiloxy group, an arylsiloxy group, a triaryl is used as a substituent for a metal such as Si, Ge, or Sn. Siloxy group, aryloxysiloxy group, triaryloxysiloxy group, alkoxyl group,
Examples include those in which two aryloxy groups, trityloxy groups, acyloxy groups, and the like are bonded, and Q represents an alkyl group, an alkylthio group, an alkylsilylthio group, an alkylsilyl group, an alkylamino group, an alkylsulfonyl group, or an alkoxy group. Groups, alkoxyalkyl groups, alkoxycarbonyl groups, aryl groups, arylthio groups, arylamino groups, aryloxy groups, aryloxycarbonyl groups, aralkyl groups and the like. In the above general formulas (IV) and (VI), X ₁ and X ₂ existing on the same ring
Are both carbon atoms or nitrogen atoms, and
One of them is a carbon atom and the other is a nitrogen atom, a plurality of X ₁ may be the same or different, and a plurality of X ₂ may be the same or different. In the above general formula (V), one of X ₃ and X ₄ present on the same ring is a carbon atom and the other is a nitrogen atom,
A plurality of X ₃ may be the same or different, and a plurality of X ₄ may be the same or different.

【００６２】前記重合体と色素の割合は、特に限定され
るものではないが、重合体に対して色素を２〜３０重量
％使用するのが好ましい。色素が少なすぎると記録感度
およびＣ／Ｎが低下するおそれがあり、逆に色素が多す
ぎるとＣ／Ｎが低下するおそれがある。The ratio between the polymer and the dye is not particularly limited, but it is preferable to use 2 to 30% by weight of the dye based on the polymer. If the amount of the dye is too small, the recording sensitivity and the C / N may decrease. Conversely, if the amount of the dye is too large, the C / N may decrease.

【００６３】記録層は、前記重合体及び有機色素を、ク
ロロホルム、四塩化炭素、トルエン、シクロヘキサノ
ン、テトラヒドロフラン等の適当な有機溶媒に溶解した
後、スピンコート法、ソルベントキャスト法により製膜
することにより形成することができ、また、前記重合体
及び有機色素の混合物を加熱溶融して製膜することによ
り形成することができる。The recording layer is formed by dissolving the polymer and the organic dye in a suitable organic solvent such as chloroform, carbon tetrachloride, toluene, cyclohexanone, and tetrahydrofuran, and then forming a film by spin coating or solvent casting. It can be formed by heating and melting a mixture of the polymer and the organic dye to form a film.

【００６４】本発明における光記録媒体は、記録層の上
に、金、銀、銅、アルミニウム等の金属、シリコンなど
からなる反射層、紫外線硬化樹脂等の保護層を設けても
よい。In the optical recording medium of the present invention, a reflective layer made of a metal such as gold, silver, copper, or aluminum, silicon, or a protective layer made of an ultraviolet-curable resin may be provided on the recording layer.

【００６５】本発明における光記録媒体を構成する各層
の厚さは、材料の光学的、熱的性質等によって異なり、
一概に言えないが、フォーカッシング及びトラッキング
サーボに必要なプッシュプル信号特性が適正になるよう
に調整して決定される。さらに、記録特性（Ｃ／Ｎ）、
消去特性等を考慮して最も好ましい厚さに調整される。The thickness of each layer constituting the optical recording medium according to the present invention differs depending on the optical and thermal properties of the material.
Although it cannot be said unconditionally, it is determined by adjusting so that the push-pull signal characteristics necessary for focusing and tracking servo become appropriate. Further, recording characteristics (C / N),
The thickness is adjusted to the most preferable thickness in consideration of erasing characteristics and the like.

【００６６】本発明における光記録媒体に対して、次の
ようにして情報の記録、再生及び消去が行うことができ
る。情報の記録は、記録層に記録層中の有機色素の吸収
波長に対応する光を照射して光の照射部を加熱した後急
冷することにより行うことができる。また、加熱手段で
加熱後急冷することにより行うこともできる。これによ
り記録層中の光の照射部の重合体と色素の間の相互作用
及び／又は色素同士の相互作用が変化し、この結果、光
の照射部の吸光度又は反射率又は透過率が光の照射前に
比べ変化する。この時光の照射部は形状変化を伴っても
よいが、できるだけ形状が変化しないように光の強度、
照射時間を調制するのが好ましい。照射する光はレーザ
ー光が好ましく、半導体レーザー、ヘリウム−ネオンレ
ーザー、アルゴンレーザー、色素レーザー等を用いて行
うことができるが、好ましくは小型、軽量、安価の半導
体レーザーが用いられる。回転中の光記録媒体にレーザ
ー光を短時間照射して加熱する場合は、加熱部はレーザ
ースポットが通過すれば容易に急冷される。上記で記録
した情報の再生は、記録時及び下記する消去時に用いる
光の出力よりも弱い光を照射し、記録部と未記録部の吸
光度又は反射率又は透過率の差を検出して行うことがで
きる。また、上記で記録した情報の消去は、記録時の光
の出力よりも弱い光を照射するか又は記録時の光の照射
部の温度よりも低い温度で加熱することにより行う。加
熱は記録部又は記録部と未記録部をレーザー光の照射に
より加熱してもよく、情報記録媒体全体を加熱してもよ
い。基板に設けられたグルーブ又はランドのフォーカッ
シングサーボおよびトラッキングサーボは、ビーム径が
サブミクロンに絞り込まれた単一の特定波長のレーザー
光を、低いパワーで照射して行うことができる。Information recording, reproduction, and erasure can be performed on the optical recording medium of the present invention as follows. Information recording can be performed by irradiating the recording layer with light corresponding to the absorption wavelength of the organic dye in the recording layer, heating the light-irradiated portion, and then rapidly cooling. In addition, it can be performed by rapid cooling after heating by a heating means. This changes the interaction between the polymer and the dye and / or the interaction between the dyes in the light irradiating part in the recording layer, and as a result, the absorbance or the reflectance or the transmittance of the light irradiating part changes with the light. It changes compared to before irradiation. At this time, the light irradiation part may be accompanied by a shape change, but the light intensity,
It is preferable to control the irradiation time. Irradiation light is preferably laser light, which can be performed using a semiconductor laser, a helium-neon laser, an argon laser, a dye laser, or the like. Preferably, a small, light, and inexpensive semiconductor laser is used. When the rotating optical recording medium is heated by irradiating a laser beam for a short time, the heating unit is easily cooled rapidly when the laser spot passes. Reproduction of the information recorded above is performed by irradiating light that is weaker than the output of light used during recording and erasing described below, and detecting the difference in absorbance or reflectance or transmittance between the recorded part and the unrecorded part. Can be. Further, the information recorded above is erased by irradiating light weaker than the output of light at the time of recording or by heating at a temperature lower than the temperature of the light irradiation part at the time of recording. In the heating, the recording portion or the recording portion and the unrecorded portion may be heated by irradiating a laser beam, or the entire information recording medium may be heated. Focusing servo and tracking servo of grooves or lands provided on the substrate can be performed by irradiating a laser beam of a single specific wavelength whose beam diameter is narrowed to submicron with low power.

【００６７】光記録媒体は、（Ａ）基板、（Ｂ）基板の
上に形成された記録層、（Ｃ）記録層の上に形成された
反射層で構成されている。基板側から記録層に光を照射
し記録層の吸光度等の特性を光照射前に比べて変化させ
情報を記録する。情報の読み出し（再生）は、記録層の
前記特性変化を検知し得かつ記録層に新たな特性変化を
起こさせない光を基板側から照射し、記録層を通過した
反射層からの反射光の強度を検出する。情報が記録さて
いる箇所の反射光強度と、情報が記録されていない箇所
の反射光強度との差を利用して情報を読み取る。現在の
光記録システムでは、情報が記録されていない箇所の反
射光強度は高く、情報が記録さている箇所の反射光強度
は低くなっているものが主流である。本発明の情報記録
媒体では、記録層に光照射等により熱エネルギ−を与え
ると、光照射部の吸光度が増加する、すなわち透過率が
減少、反射率が減少することになり、現在の光記録シス
テムの主流となっている反射率変化が記録前後で高→低
に対応した記録媒体となる。（I）有機重合体と、（I
I）光吸収を有する色素とより成る、すなわち有機系の
記録層で、光照射により光照射部の吸光度を増加させる
ことができる記録層を有する情報記録媒体は、本発明に
より初めて提供することができるようになった。現在広
く普及しているＣｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｋ（ＣＤ）プレ
−ヤには低価格なレ−ザが用いられており、レ−ザパワ
−が小さく情報が記録されていない箇所の読み出し光の
反射率が６０％未満であると十分な記録信号を読み取る
ことができない。このため読み出し光（再生光例えば７
８０ｎｍ）における情報が記録されていない箇所の反射
率が６０％以上で、かつ反射率変化が記録前後で高→低
であれば、現在普及している再生専用型ＣＤと互換性が
ありながら、同時に記録可能なＣＤとすることができ
る。現在広く普及しているＣＤプレ−ヤのレ−ザとして
は半導体レ−ザが用いられている。この半導体レ−ザで
使用可能な光の波長域は７５０〜８４０ｎｍである。 （１）有機重合体と、（２）光吸収を有する色素とより
成る、すなわち有機系の記録層で、７５０〜８４０ｎｍ
の光照射により光照射部の吸光度を変化させることがで
きる記録層を有する情報記録媒体は、本発明により初め
て提供することができるようになった。The optical recording medium comprises (A) a substrate, (B) a recording layer formed on the substrate, and (C) a reflection layer formed on the recording layer. The recording layer is irradiated with light from the substrate side, and information such as absorbance of the recording layer is changed by changing the characteristics as compared with before the light irradiation. Reading (reproducing) information is performed by irradiating the recording layer with light that can detect the characteristic change of the recording layer and cause no new characteristic change in the recording layer, and the intensity of the reflected light from the reflective layer passing through the recording layer. Is detected. Information is read using the difference between the reflected light intensity at the location where information is recorded and the reflected light intensity at the location where no information is recorded. In the current optical recording system, the reflected light intensity at a portion where information is not recorded is high, and the reflected light intensity at a portion where information is recorded is low. In the information recording medium of the present invention, when thermal energy is applied to the recording layer by light irradiation or the like, the absorbance of the light irradiation part increases, that is, the transmittance decreases and the reflectance decreases. A recording medium that changes in reflectance, which is the mainstream of the system, from high to low before and after recording is obtained. (I) an organic polymer;
I) An information recording medium having a recording layer composed of a dye having light absorption, that is, an organic recording layer and having a recording layer capable of increasing the absorbance of a light-irradiated portion by light irradiation can be provided for the first time by the present invention. Now you can. A low-priced laser is used for a compact disk (CD) player that is widely used at present, and the reflectance of read light at a portion where laser power is small and information is not recorded is 60%. If it is less than this, a sufficient recording signal cannot be read. For this reason, the reading light (reproduction light,
If the reflectance of the portion where information is not recorded at (80 nm) is 60% or more, and the reflectance change is high → low before and after recording, while being compatible with the currently popular read-only CD, It can be a CD that can be recorded simultaneously. Semiconductor lasers have been used as lasers for CD players that are widely used at present. The wavelength range of light that can be used in this semiconductor laser is 750 to 840 nm. An organic recording layer comprising (1) an organic polymer and (2) a dye having light absorption, that is, 750 to 840 nm
According to the present invention, an information recording medium having a recording layer capable of changing the absorbance of a light-irradiated portion by the light irradiation of the present invention can be provided for the first time.

【００６８】[0068]

【実施例】次に本発明の実施例について詳細に説明す
る。Next, embodiments of the present invention will be described in detail.

【００６９】参考例１（共役系重合体の合成と樹脂組成
物の機能） マグネシウム２．３４ｇ（０．０９６モル）、ジエチル
エーテル５０ｍｌ、１−ブロモドデカン（０．０７７モ
ル）及び少量のヨウ素片をフラスコ内に入れ、約３０分
間撹拌下に還流し、グリニャール試薬である臭化ドデシ
ルマグネシウムのジエチルエーテル溶液を得た。この溶
液に３−ブロモチオフェン０．０６４モル及び１，３−
ビス（ジフェニルフォスフィノ）プロパンニッケル(II)
クロライド０．３７モルを加えて窒素気流下に室温で２
４時間反応させた。反応後、反応液を水で洗浄後、ジエ
チルエーテル層を分離し、減圧下にジエチルエーテルを
留去して３ードデシルチオフェンを得た。得られた３ー
ドデシルチオフェン０．０１２モルをクロロホルム１１
８．８ｍｌ中で、塩化第二鉄０．０４８モルの存在下に
重合させ、重合後、反応液をメタノール中に注ぎ、沈殿
を採取した。この沈殿をアセトン及びメタノールを用い
たソックスレー抽出で洗浄し、乾燥してポリ（３ードデ
シルチオフェン）を得た。ポリ（３ードデシルチオフェ
ン）１００重量部、ビス（トリエチルシロキシ）シリコ
ン−テトラキス（デシルチオ）ナフタロシアニン１０重
量部及びトルエン５０００重量部を混合して得た溶液を
ガラス基板上にスピンコートして薄膜（膜厚９００Å）
を形成させた。作製した膜の可視光吸収スペクトルと温
度との関係を調べるため、この膜を３０℃、１００℃、
１２０℃及び１４０℃に順次８分間加熱し、加熱状態で
分光光度計(日立製作所製、Uー３４００型)を使用して
４００ｎｍ〜９００ｎｍの吸収スペクトルを測定した。
これらの結果を図３に示す。図３中、グラフ１０は３０
℃に加熱時の吸収スペクトル、グラフ１１は１００℃に
加熱時の吸収スペクトル及びグラフ１２は１４０℃に加
熱時の吸収スペクトルを示す。図３に示す吸収スペクト
ルから明らかなように、加熱温度によってポリ（３ード
デシルチオフェン）に基づく４００ｎｍ〜６５０ｎｍ付
近の変化だけでなく、半導体レーザの波長領域（８３０
ｎｍ付近、色素の存在に基づく）でも吸収スペクトルの
変化が確認された。ついで、１４０℃、１００℃及び３
０℃に順次加熱し、上記と同様にして、可視光吸収スペ
クトルを測定したところ、それぞれの温度で、上記と同
様の吸収スペクトルを示した。また作製した膜は加熱
後、急冷することにより、加熱中の吸収スペクトル変化
を固定することができた。結果を図４に示す。図４中グ
ラフ１３は成膜状態で吸収スペクトル、グラフ１４は１
８０℃に１分間加熱後、氷水（１±１℃）中で急冷した
時の吸収スペクトルを示す。Reference Example 1 (Synthesis of Conjugated Polymer and Function of Resin Composition) 2.34 g (0.096 mol) of magnesium, 50 ml of diethyl ether, 1-bromododecane (0.077 mol) and a small amount of iodine fragments Was placed in a flask and refluxed with stirring for about 30 minutes to obtain a diethyl ether solution of dodecylmagnesium bromide as a Grignard reagent. 0.064 mol of 3-bromothiophene and 1,3-
Bis (diphenylphosphino) propane nickel (II)
Chloride was added at room temperature under a nitrogen stream at room temperature.
The reaction was performed for 4 hours. After the reaction, the reaction solution was washed with water, the diethyl ether layer was separated, and diethyl ether was distilled off under reduced pressure to obtain 3-dodecylthiophene. 0.012 mol of the obtained 3-dodecylthiophene was added to chloroform 11
Polymerization was performed in 8.8 ml in the presence of 0.048 mol of ferric chloride, and after the polymerization, the reaction solution was poured into methanol, and a precipitate was collected. This precipitate was washed by Soxhlet extraction using acetone and methanol, and dried to obtain poly (3-dodecylthiophene). A solution obtained by mixing 100 parts by weight of poly (3-dodecylthiophene), 10 parts by weight of bis (triethylsiloxy) silicon-tetrakis (decylthio) naphthalocyanine and 5000 parts by weight of toluene is spin-coated on a glass substrate to form a thin film ( 900Å)
Was formed. In order to investigate the relationship between the visible light absorption spectrum and the temperature of the prepared film, this film was subjected to 30 ° C., 100 ° C.,
Heating was sequentially performed at 120 ° C. and 140 ° C. for 8 minutes, and an absorption spectrum at 400 nm to 900 nm was measured in a heated state using a spectrophotometer (U-3400, manufactured by Hitachi, Ltd.).
These results are shown in FIG. In FIG. 3, the graph 10 is 30
The absorption spectrum at the time of heating to 100 ° C., the graph 11 shows the absorption spectrum at the time of heating to 100 ° C., and the graph 12 shows the absorption spectrum at the time of heating to 140 ° C. As is clear from the absorption spectrum shown in FIG. 3, not only the change in the vicinity of 400 nm to 650 nm based on poly (3-dodecylthiophene) depending on the heating temperature, but also the wavelength region (830
(near nm, based on the presence of the dye)). Then 140 ° C, 100 ° C and 3
Heating was sequentially performed at 0 ° C., and the visible light absorption spectrum was measured in the same manner as described above. At each temperature, the same absorption spectrum as described above was exhibited. Further, the film was rapidly cooled after heating, so that the absorption spectrum change during heating could be fixed. FIG. 4 shows the results. In FIG. 4, a graph 13 shows an absorption spectrum in a film forming state, and a graph 14 shows an absorption spectrum.
FIG. 4 shows an absorption spectrum when heated to 80 ° C. for 1 minute and then quenched in ice water (1 ± 1 ° C.).

【００７０】参考例２（共役系重合体の合成と樹脂組成
物の機能） 臭化ドデシルマグネシウムの代わりに臭化ヘキシルマグ
ネシウムを用い、参考例１に準じて３ーヘキシルチオフ
ェンを合成し、３ードデシルチオフェンの代わりに３ー
ヘキシルチオフェンを用いて参考例１に準じてポリ（３
ーヘキシルチオフェン）を得た。さらに、ポリ（３ード
デシルチオフェン）の代わりにポリ（３ーヘキシルチオ
フェン）を使用すること以外は参考例１に準じて行っ
た。加熱温度は、３０℃、１００℃及び１６０℃とし、
それぞれに加熱したときの吸収スペクトルをグラフ１
５、グラフ１６及びグラフ１７として示す。１６０℃、
１００℃及び３０℃に順次加熱したとき、それぞれの温
度で、上記と同様の吸収スペクトルを示した。図５中グ
ラフ１５、１６、１７はそれぞれ３０℃、１００℃、１
６０℃に加熱したときの吸収スペクトルである。また作
製した膜は参考例１と同様、加熱後、急冷することによ
り、加熱中の吸収スペクトル変化を固定することができ
た。結果を図６に示す。図６中グラフ１８は成膜状態で
の吸収スペクトル、グラフ１９は１８０℃に一分間加熱
後、氷水（１±１℃）中で急冷した時の吸収スペクトル
を示す。REFERENCE EXAMPLE 2 (Synthesis of conjugated polymer and function of resin composition) Poly (3) was prepared according to Reference Example 1 using 3-hexylthiophene instead of dodecylthiophene.
-Hexylthiophene). Further, the procedure was performed in the same manner as in Reference Example 1 except that poly (3-hexylthiophene) was used instead of poly (3-dodecylthiophene). The heating temperature is 30 ° C, 100 ° C and 160 ° C,
Graph 1 shows the absorption spectrum when each was heated.
5, graphs 16 and 17 are shown. 160 ° C,
When sequentially heated to 100 ° C. and 30 ° C., the same absorption spectrum as described above was shown at each temperature. Graphs 15, 16 and 17 in FIG.
It is an absorption spectrum at the time of heating to 60 ° C. Further, as in Reference Example 1, the produced film was heated and rapidly cooled, whereby the change in absorption spectrum during heating could be fixed. FIG. 6 shows the results. In FIG. 6, a graph 18 shows an absorption spectrum in a film forming state, and a graph 19 shows an absorption spectrum when heated to 180 ° C. for one minute and then rapidly cooled in ice water (1 ± 1 ° C.).

【００７１】参考例３ 臭化ドデシルマグネシウムの代わりに臭化ブチルマグネ
シウムを用い、参考例１に準じて３−ブチルチオフェン
を合成し、３−ドデシルチオフェンの代わりに３−ブチ
ルチオフェンを用いて参考例１に準じてポリ（３−ブチ
ルチオフェン）を得た。ポリ（３−ブチルチオフェン）
１００部（重量部、以下同じ）、ビス（トリエチルシロ
キシ）シリコン−テトラキス（デシルチオ）ナフタロシ
アニン１０部及びトルエン５０００部を混合して得た溶
液をガラス基板上にスピンコ−トして薄膜（膜厚９００
Å）を形成させた。作製した膜は、参考例１と同様、加
熱後急冷させることにより、加熱中の吸収スペクトル変
化を固定することができた。結果を図７に示す。図７中
グラフ２０は成膜状態での吸収スペクトル、グラフ２１
は１８０℃に１分間加熱後、氷水中で急冷した時の吸収
スペクトルを示す。Reference Example 3 3-butylthiophene was synthesized according to Reference Example 1, using butylmagnesium bromide instead of dodecylmagnesium bromide, and using 3-butylthiophene instead of 3-dodecylthiophene. Poly (3-butylthiophene) was obtained according to 1. Poly (3-butylthiophene)
A solution obtained by mixing 100 parts (parts by weight, hereinafter the same), 10 parts of bis (triethylsiloxy) silicon-tetrakis (decylthio) naphthalocyanine and 5000 parts of toluene was spin-coated on a glass substrate to form a thin film (film thickness). 900
Å) was formed. As in the case of Reference Example 1, the produced film was cooled rapidly after heating, whereby the change in absorption spectrum during heating could be fixed. FIG. 7 shows the results. In FIG. 7, a graph 20 is an absorption spectrum in a film formation state, and a graph 21 is shown.
Shows an absorption spectrum when heated to 180 ° C. for 1 minute and rapidly cooled in ice water.

【００７２】参考例４（機能性樹脂組成物の機能） 基板としてガラス板上にスパッタ法でＳｉ膜を６０ｎｍ
の厚さに積層した基板を用い、ポリ（３ードデシルチオ
フェン）の代わりにポリ（３ーヘキシルチオフェン）を
用いること以外は参考例１に準じて基板上に機能性樹脂
組成物の薄膜を形成した。作製した膜の反射スペクトル
と温度との関係を調べるため、この膜を３０℃、１２０
℃及び１５０℃に順次８分間加熱し、加熱状態で分光光
度計(日立製作所製、Uー３４００型)を使用して４００
ｎｍ〜９００ｎｍでの反射スペクトルをアルミニウム蒸
着膜を基準にして測定した。これらの結果、図８に示
す。図８中、グラフ２２は３０℃に加熱時の反射スペク
トル、グラフ２３は１２０℃に加熱時の反射スペクトル
及びグラフ２４は１５０℃に加熱時の反射スペクトルを
示す。図８の反射スペクトルから明らかなように加熱温
度によって反射スペクトルが変化することが確認され
た。ついで、１５０℃、１２０℃及び３０℃に順次加熱
し、上記と同様にして、反射スペクトルを測定したとこ
ろ、それぞれの温度で、上記と同様の反射スペクトルを
示した。Reference Example 4 (Function of Functional Resin Composition) A Si film was formed on a glass plate as a substrate by sputtering to a thickness of 60 nm.
A thin film of a functional resin composition was formed on a substrate according to Reference Example 1 except that a poly (3-hexylthiophene) was used in place of poly (3-dodecylthiophene) using a substrate laminated to a thickness of did. In order to investigate the relationship between the reflection spectrum and the temperature of the produced film, this film was heated at 30 ° C. and 120 ° C.
C. and 150.degree. C. sequentially for 8 minutes, and heated in a heated state using a spectrophotometer (U-3400, manufactured by Hitachi, Ltd.) for 400 minutes.
The reflection spectrum at nm to 900 nm was measured with reference to the aluminum deposited film. The results are shown in FIG. In FIG. 8, a graph 22 shows a reflection spectrum when heated to 30 ° C., a graph 23 shows a reflection spectrum when heated to 120 ° C., and a graph 24 shows a reflection spectrum when heated to 150 ° C. As is clear from the reflection spectrum of FIG. 8, it was confirmed that the reflection spectrum changed with the heating temperature. Then, the sample was heated to 150 ° C., 120 ° C., and 30 ° C. sequentially, and the reflection spectrum was measured in the same manner as described above. At each temperature, the same reflection spectrum as described above was shown.

【００７３】実施例１ 基板として、幅０．８μｍ、ピッチ１．６μｍのスパイ
ラル状のプレグルーブを有する厚さ１．２ｍｍ、外径１
２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート基板を用い
た。基板の上に、スパッタリング法により膜厚６０ｎｍ
のＳｉ薄膜を蒸着し、基板反射層を形成した。この上
に、ポリ（３ードデシルチオフェン）１０重量部、ビス
（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラキス（デシル
チオ）ナフタロシアニン１重量部、トルエン５００重量
部を混合して得た溶液をスピンコートして記録層（膜厚
９００Å）を形成した。こうして得られた光ディスクの
記録特性を光ディスク評価装置（ＤＭＳ−２０００、ナ
カミチ株式会社商品名）を用いて行った。すなわち、光
ディスクに波長８３０ｎｍの半導体レーザを用い、線速
３ｍ／ｓｅｃ、レーザパワー８ｍＷ、周波数１ＭＨｚで
記録を行ったところ、再生（レーザーパワー：０．５ｍ
Ｗ）時のＣ／Ｎは、４５ｄＢであった。また、レーザパ
ワー２ｍＷの連続光で記録部のあるトラックを走査した
ところ、再生（レーザーパワー：０．５ｍＷ）時のＣ／
Ｎは、１５ｄＢに下がり、消去することができた。この
記録・消去の繰り返しは１００回行っても同様の結果が
得られた。なお、レーザー光の照射は、すべて基板側か
ら行った。これは、以下も同様である。Example 1 A substrate having a spiral pre-groove having a width of 0.8 μm and a pitch of 1.6 μm, a thickness of 1.2 mm, and an outer diameter of 1 μm was used.
A polycarbonate substrate having a diameter of 20 mm and an inner diameter of 15 mm was used. A film thickness of 60 nm is formed on the substrate by a sputtering method.
Was deposited to form a substrate reflection layer. A solution obtained by mixing 10 parts by weight of poly (3-dodecylthiophene), 1 part by weight of bis (triethylsiloxy) silicon-tetrakis (decylthio) naphthalocyanine, and 500 parts by weight of toluene was spin-coated thereon to form a recording layer. (A film thickness of 900 °). The recording characteristics of the optical disk thus obtained were measured using an optical disk evaluation device (DMS-2000, trade name of Nakamichi Co., Ltd.). That is, when recording was performed at a linear velocity of 3 m / sec, a laser power of 8 mW, and a frequency of 1 MHz using a semiconductor laser having a wavelength of 830 nm on the optical disc, reproduction (laser power: 0.5 m
C / N at the time of W) was 45 dB. When a track having a recording portion was scanned with continuous light having a laser power of 2 mW, C / C at the time of reproduction (laser power: 0.5 mW) was obtained.
N dropped to 15 dB and could be erased. Similar results were obtained even when this recording / erasing was repeated 100 times. Note that the laser irradiation was all performed from the substrate side. This applies to the following.

【００７４】実施例２ 基板として、幅０．８μｍ、ピッチ１．６μｍのスパイ
ラル状のプレグルーブを有する厚さ１．２ｍｍ、外径１
２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート基板を用い
た。基板の上にスパッタリング法により膜厚６０ｎｍの
Ｓｉ薄膜を蒸着し、基板反射層を形成した。この上に、
ポリ（３ーヘキシルチオフェン）１０重量部、ビス（ト
リブチルシロキシ）シリコン−テトラキス（デシルチ
オ）ナフタロシアニン１重量部、トルエン５００重量部
を混合して得た溶液をスピンコートして記録層（膜厚９
００Å）を形成した。こうして得られた光デイスクを用
い、実施例１と同様にして評価した。この結果、記録後
における再生時のＣ／Ｎは、４５ｄＢであり、レーザパ
ワー２ｍＷの連続光で記録部のあるトラックを走査した
ところ、再生時のＣ／Ｎは、１５ｄＢに下がり、消去す
ることができた。この記録・消去の繰り返しは１００回
行っても同様の結果であった。Example 2 A substrate having a spiral pre-groove having a width of 0.8 μm and a pitch of 1.6 μm, a thickness of 1.2 mm, and an outer diameter of 1 was used as a substrate.
A polycarbonate substrate having a diameter of 20 mm and an inner diameter of 15 mm was used. A 60 nm-thick Si thin film was deposited on the substrate by a sputtering method to form a substrate reflection layer. On top of this,
A solution obtained by mixing 10 parts by weight of poly (3-hexylthiophene), 1 part by weight of bis (tributylsiloxy) silicon-tetrakis (decylthio) naphthalocyanine, and 500 parts by weight of toluene was spin-coated and a recording layer (film thickness 9) was obtained.
00Å). The optical disk thus obtained was evaluated in the same manner as in Example 1. As a result, the C / N at the time of reproduction after recording is 45 dB, and when a track having a recording portion is scanned with continuous light having a laser power of 2 mW, the C / N at the time of reproduction drops to 15 dB, and erasing is performed. Was completed. The same result was obtained even when this recording / erasing was repeated 100 times.

【００７５】実施例３ 基板として、幅０．８μｍ、ピッチ１．６μｍのスパイ
ラル状のプレグルーブを有する厚さ１．２ｍｍ、外径１
２０ｍｍ、内径１５ｍｍのガラス基板を用いた。基板の
上に、スパッタリング法により膜厚６０ｎｍのＳｉ薄膜
を蒸着し、基板反射層を形成した。この上に、ポリ（３
ーブチルチオフェン）１０重量部、ビス（トリエチルシ
ロキシ）シリコン−テトラキス（デシルチオ）ナフタロ
シアニン１重量部、トルエン５００重量部を混合して得
た溶液をスピンコートして記録層（膜厚９００Å）を形
成した。こうして得られた光ディスクの記録特性を光デ
ィスク評価装置（ＤＭＳ−２０００、ナカミチ株式会社
商品名）を用いて行った。すなわち、光ディスクに波長
８３０ｎｍの半導体レーザを用い、線速１．２５ｍ／ｓ
ｅｃ、レーザパワー８ｍＷ、周波数３０９ｋＨｚで記録
を行ったところ、再生（レーザーパワー：１ｍＷ）時の
Ｃ／Ｎは、４７ｄＢであった。この後、光ディスクをオ
ーブンで１００℃で５分間加熱し、ついで、加熱された
光ディスクをオーブンから取りだし、室温で放置するこ
とにより室温まで徐冷した。この光ディスクの再生（レ
ーザーパワー：１ｍＷ）時のＣ／Ｎは、１７ｄＢに下が
り、先の記録した情報を消去することができた。さら
に、この光ディスクに上記と同じ条件で記録したとこ
ろ、再生（レーザーパワー：１ｍＷ）時のＣ／Ｎは、４
７ｄＢであり、書換えが可能であった。Example 3 As a substrate, a spiral pre-groove having a width of 0.8 μm and a pitch of 1.6 μm, a thickness of 1.2 mm, and an outer diameter of 1
A glass substrate having a diameter of 20 mm and an inner diameter of 15 mm was used. A 60-nm-thick Si thin film was deposited on the substrate by a sputtering method to form a substrate reflection layer. On top of this, poly (3
-Butylthiophene) 10 parts by weight, bis (triethylsiloxy) silicon-tetrakis (decylthio) naphthalocyanine 1 part by weight, and toluene 500 parts by weight were mixed and spin-coated to form a recording layer (thickness 900 °). did. The recording characteristics of the optical disk thus obtained were measured using an optical disk evaluation device (DMS-2000, trade name of Nakamichi Co., Ltd.). That is, a semiconductor laser having a wavelength of 830 nm is used for the optical disk, and the linear velocity is 1.25 m / s.
When recording was performed at ec, laser power of 8 mW, and frequency of 309 kHz, the C / N during reproduction (laser power: 1 mW) was 47 dB. Thereafter, the optical disk was heated in an oven at 100 ° C. for 5 minutes, and then the heated optical disk was taken out of the oven and left at room temperature to be gradually cooled to room temperature. The C / N during reproduction (laser power: 1 mW) of this optical disk was reduced to 17 dB, and the previously recorded information could be erased. Further, when recording was performed on this optical disk under the same conditions as above, the C / N at the time of reproduction (laser power: 1 mW) was 4
7 dB, and could be rewritten.

【００７６】実施例４ 基板として、幅０．８μｍ、ピッチ１．６μｍのスパイ
ラル状のプレグルーブを有する厚さ１．２ｍｍ、外径１
２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート基板を用い
た。基板の上に、スパッタリング法により膜厚６０ｎｍ
のＳｉ薄膜を蒸着し、基板反射層を形成した。この上
に、ポリ（３ーヘキシルチオフェン）８．８重量部、ビ
ス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラキス（デシ
ルチオ）ナフタロシアニン０．８８重量部、四塩化炭素
１０００重量部を混合して得た溶液をスピンコートして
記録層（膜厚９００Å）を形成した。こうして得られた
光ディスクの記録特性を光ディスク評価装置（ＤＭＳ−
２０００、ナカミチ株式会社商品名）を用いて行った。
すなわち、光ディスクに波長７８０ｎｍの半導体レーザ
を用い、線速１．２５ｍ／ｓｅｃ、レーザパワー６ｍ
Ｗ、周波数３０９ｋＨｚで記録を行ったところ、再生
（レーザーパワー：１ｍＷ）時のＣ／Ｎは、４５ｄＢで
あった。この後、光ディスクをオーブン中、１００℃で
５分間加熱し、ついで、加熱された光ディスクをオーブ
ンから取りだし、室温で放置することにより室温まで徐
冷した。この光ディスクの再生（レーザーパワー：１ｍ
Ｗ）時のＣ／Ｎは、２０ｄＢに下がり、先の記録した情
報を消去することができた。さらに、この光ディスクに
上記と同じ条件（ただし、レーザパワーを８ｍＷとし
た）で記録したところ、再生（レーザーパワー：１ｍ
Ｗ）時のＣ／Ｎは、４５ｄＢであり、書換えが可能であ
った。Example 4 A substrate having a spiral pre-groove having a width of 0.8 μm and a pitch of 1.6 μm, a thickness of 1.2 mm and an outer diameter of 1 μm was used as a substrate.
A polycarbonate substrate having a diameter of 20 mm and an inner diameter of 15 mm was used. A film thickness of 60 nm is formed on the substrate by a sputtering method.
Was deposited to form a substrate reflection layer. A solution obtained by mixing 8.8 parts by weight of poly (3-hexylthiophene), 0.88 parts by weight of bis (triethylsiloxy) silicon-tetrakis (decylthio) naphthalocyanine, and 1,000 parts by weight of carbon tetrachloride was added thereto. The recording layer (thickness: 900 °) was formed by spin coating. The recording characteristics of the optical disk thus obtained are evaluated by using an optical disk evaluation device (DMS-
2000, Nakamichi Co., Ltd.).
That is, a semiconductor laser having a wavelength of 780 nm is used for the optical disk, and the linear velocity is 1.25 m / sec and the laser power is 6 m.
When recording was performed at W and a frequency of 309 kHz, the C / N during reproduction (laser power: 1 mW) was 45 dB. Thereafter, the optical disk was heated in an oven at 100 ° C. for 5 minutes, and then the heated optical disk was taken out of the oven and left at room temperature to be gradually cooled to room temperature. Reproduction of this optical disk (laser power: 1m
The C / N at time W) was reduced to 20 dB, and the previously recorded information could be erased. Further, when recording was performed on this optical disk under the same conditions as described above (laser power was set to 8 mW), reproduction (laser power: 1 mW) was performed.
The C / N at the time of W) was 45 dB, and rewritable.

【００７７】実施例５ 基板として、幅０．８μｍ、ピッチ１．６μｍのスパイ
ラル状のプレグルーブを有する厚さ１．２ｍｍ、外径１
２０ｍｍ、内径１５ｍｍのガラス基板を用いた。基板の
上に、スパッタリング法により膜厚６０ｎｍのＳｉ薄膜
を蒸着し、基板反射層を形成した。この上に、ポリ（３
ーヘキシルチオフェン）１５重量部、ビス（トリ−ｎ−
ヘキシルシロキシ）シリコン−ナフタロシアニン１．５
重量部、トルエン５００重量部を混合して得た溶液をス
ピンコートして記録層（膜厚１３００Å）を形成した。
こうして得られた光ディスクの記録特性を光ディスク評
価装置（ＤＭＳ−２０００、ナカミチ株式会社商品名）
を用いて行った。すなわち、光ディスクに波長７８０ｎ
ｍの半導体レーザを用い、線速１．２５ｍ／ｓｅｃ、レ
ーザパワー８ｍＷ、周波数３０９Ｈｚで記録を行ったと
ころ、再生（レーザーパワー：１ｍＷ）時のＣ／Ｎは、
４３ｄＢであった。この後、光ディスクをオーブンで１
００℃で５分間加熱し、ついで、加熱された光ディスク
をオーブンから取りだし、室温で放置することにより室
温まで徐冷した。この光ディスクの再生（レーザーパワ
ー：１ｍＷ）時のＣ／Ｎは、１８ｄＢに下がり、先の記
録した情報を消去することができた。さらに、この光デ
ィスクに上記と同じ条件で記録したところ、再生（レー
ザーパワー：１ｍＷ）時のＣ／Ｎは、４３ｄＢであり、
書換えが可能であった。Example 5 As a substrate, a 1.2-mm-thick spiral pre-groove having a width of 0.8 μm and a pitch of 1.6 μm, and an outer diameter of 1
A glass substrate having a diameter of 20 mm and an inner diameter of 15 mm was used. A 60-nm-thick Si thin film was deposited on the substrate by a sputtering method to form a substrate reflection layer. On top of this, poly (3
-Hexylthiophene) 15 parts by weight, bis (tri-n-
Hexylsiloxy) silicon-naphthalocyanine 1.5
A solution obtained by mixing 500 parts by weight of toluene and 500 parts by weight of toluene was spin-coated to form a recording layer (film thickness: 1300 °).
The recording characteristics of the optical disk thus obtained are evaluated by using an optical disk evaluation device (DMS-2000, trade name of Nakamichi Co., Ltd.)
This was performed using That is, the optical disk has a wavelength of 780n.
When recording was performed at a linear speed of 1.25 m / sec, a laser power of 8 mW, and a frequency of 309 Hz using a semiconductor laser of m, the C / N during reproduction (laser power: 1 mW) was:
43 dB. After this, place the optical disc in an oven for 1
After heating at 00 ° C. for 5 minutes, the heated optical disk was taken out of the oven and left at room temperature to be gradually cooled to room temperature. The C / N during reproduction (laser power: 1 mW) of this optical disk was reduced to 18 dB, and the previously recorded information could be erased. Further, when recording was performed on this optical disk under the same conditions as above, the C / N at the time of reproduction (laser power: 1 mW) was 43 dB,
Rewriting was possible.

【００７８】実施例６ 基板として、幅０．８μｍ、ピッチ１．６μｍのスパイ
ラル状のプレグルーブを有する厚さ１．２ｍｍ、外径１
２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート基板を用い
た。基板の上に、スパッタリング法により膜厚８０ｎｍ
のＳｉ薄膜を蒸着し、基板反射層を形成した。この上
に、ポリ（３ーヘキシルチオフェン）１５重量部、ビス
（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラキス（デシル
チオ）ナフタロシアニン１．５重量部、トルエン５００
重量部を混合して得た溶液をスピンコートして記録層
（膜厚１３００Å）を形成した。さらに、この上に、ス
パッタリング法により膜厚１００ｎｍのＣｕ薄膜を蒸着
し、反射層を形成した。こうして得られた光ディスクの
反射率（基板側入射）の波長７８０ｎｍにおける反射率
は、６５％であった。また、この光ディスクの記録特性
を光ディスク評価装置（ＤＭＳ−２０００、ナカミチ株
式会社商品名）を用いて行った。すなわち、光ディスク
に波長７８０ｎｍの半導体レーザを用い、線速１．２５
ｍ／ｓｅｃ、レーザパワー８ｍＷ、周波数３０９ｋＨｚ
で記録を行ったところ、再生（レーザーパワー：０．５
ｍＷ）時のＣ／Ｎは、４５ｄＢであった。この後、レー
ザーパワー２ｍＷの連続光を記録部に照射したところ、
再生（レーザーパワー：０．５ｍＷ）時のＣ／Ｎは、１
５ｄＢに下がり、先の記録した情報を消去することがで
きた。さらに、この光ディスクに上記と同じ条件で記録
したところ、再生（レーザーパワー：０．５ｍＷ）時の
Ｃ／Ｎは、４５ｄＢであり、書換えが可能であった。Example 6 As a substrate, a 1.2-mm-thick spiral pre-groove having a width of 0.8 μm and a pitch of 1.6 μm, and an outer diameter of 1
A polycarbonate substrate having a diameter of 20 mm and an inner diameter of 15 mm was used. On the substrate, the film thickness is 80 nm by the sputtering method.
Was deposited to form a substrate reflection layer. 15 parts by weight of poly (3-hexylthiophene), 1.5 parts by weight of bis (triethylsiloxy) silicon-tetrakis (decylthio) naphthalocyanine, 500 parts by weight of toluene
A solution obtained by mixing parts by weight was spin-coated to form a recording layer (film thickness: 1300 °). Furthermore, a Cu thin film having a thickness of 100 nm was deposited thereon by a sputtering method to form a reflective layer. The reflectance of the optical disk thus obtained (substrate incidence) at a wavelength of 780 nm was 65%. The recording characteristics of this optical disk were measured using an optical disk evaluation device (DMS-2000, trade name of Nakamichi Co., Ltd.). That is, a semiconductor laser having a wavelength of 780 nm is used for an optical disk, and a linear velocity of 1.25
m / sec, laser power 8mW, frequency 309kHz
When recording was performed, the reproduction (laser power: 0.5
C / N at mW) was 45 dB. After that, when a continuous light with a laser power of 2 mW was applied to the recording section,
The C / N during reproduction (laser power: 0.5 mW) is 1
It was lowered to 5 dB, and the previously recorded information could be erased. Further, when recorded on this optical disk under the same conditions as above, the C / N at the time of reproduction (laser power: 0.5 mW) was 45 dB, and rewritable.

【００７９】実施例７ 基板として、幅０．８μｍ、ピッチ１．６μｍのスパイ
ラル状のプレグルーブを有する厚さ１．２ｍｍ、外径１
２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート基板を用い
た。基板の上に、スパッタリング法により膜厚８０ｎｍ
のＳｉ薄膜を蒸着し、基板反射層を形成した。この上
に、ポリ（３ーヘキシルチオフェン）７重量部、ビス
（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラキス（デシル
チオ）ナフタロシアニン０．７重量部、四塩化炭素１０
００重量部を混合して得た溶液をスピンコートして記録
層（膜厚８００Å）を形成した。さらに、この上に、ス
パッタリング法により膜厚１００ｎｍのＡｌ薄膜を蒸着
し、反射層を形成した。こうして得られた光ディスクの
反射率（基板側入射）の波長７８０ｎｍにおける反射率
は、５５％であった。また、この光ディスクの記録特性
を光ディスク評価装置（ＤＭＳ−２０００、ナカミチ株
式会社商品名）を用いて行った。すなわち、光ディスク
に波長７８０ｎｍの半導体レーザを用い、線速１．２５
ｍ／ｓｅｃ、レーザパワー９ｍＷ、周波数３０９ｋＨｚ
で記録を行ったところ、再生（レーザーパワー：０．５
ｍＷ）時のＣ／Ｎは、４３ｄＢであった。この後、レー
ザーパワー２ｍＷの連続光を記録部に照射したところ、
再生（レーザーパワー：０．５ｍＷ）時のＣ／Ｎは、１
８ｄＢに下がり、先の記録した情報を消去することがで
きた。さらに、この光ディスクに上記と同じ条件（ただ
し、レーザーパワーは８ｍＷとした）で記録したとこ
ろ、再生（レーザーパワー：０．５ｍＷ）時のＣ／Ｎ
は、４３ｄＢであり、書換えが可能であった。Example 7 As a substrate, a 1.2-mm-thick spiral pre-groove having a width of 0.8 μm and a pitch of 1.6 μm, and an outer diameter of 1
A polycarbonate substrate having a diameter of 20 mm and an inner diameter of 15 mm was used. On the substrate, the film thickness is 80 nm by the sputtering method.
Was deposited to form a substrate reflection layer. 7 parts by weight of poly (3-hexylthiophene), 0.7 parts by weight of bis (triethylsiloxy) silicon-tetrakis (decylthio) naphthalocyanine, 10 parts by weight of carbon tetrachloride
A solution obtained by mixing 00 parts by weight was spin-coated to form a recording layer (film thickness: 800 °). Further, a 100 nm-thick Al thin film was deposited thereon by a sputtering method to form a reflective layer. The reflectance of the optical disk thus obtained (substrate incidence) at a wavelength of 780 nm was 55%. The recording characteristics of this optical disk were measured using an optical disk evaluation device (DMS-2000, trade name of Nakamichi Co., Ltd.). That is, a semiconductor laser having a wavelength of 780 nm is used for an optical disk, and a linear velocity of 1.25
m / sec, laser power 9mW, frequency 309kHz
When recording was performed, the reproduction (laser power: 0.5
C / N at mW) was 43 dB. After that, when a continuous light with a laser power of 2 mW was applied to the recording section,
The C / N during reproduction (laser power: 0.5 mW) is 1
It was reduced to 8 dB, and the previously recorded information could be erased. Further, when recording was performed on this optical disk under the same conditions as above (provided that the laser power was 8 mW), the C / N ratio during reproduction (laser power: 0.5 mW) was obtained.
Was 43 dB and could be rewritten.

【００８０】実施例８ 基板として、幅０．８μｍ、ピッチ１．６μｍのスパイ
ラル状のプレグルーブを有する厚さ１．２ｍｍ、外径１
２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート基板を用い
た。基板の上に、スパッタリング法により膜厚８０ｎｍ
のＳｉ薄膜を蒸着し、基板反射層を形成した。この上
に、ポリ（３ーブチルチオフェン）１５重量部、ビス
（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラキス（デシル
チオ）ナフタロシアニン１．５重量部、トルエン５００
重量部を混合して得た溶液をスピンコートして記録層
（膜厚１３００Å）を形成した。さらに、この上に、ス
パッタリング法により膜厚１００ｎｍのＣｕ薄膜を蒸着
し、反射層を形成した。こうして得られた光ディスクの
反射率（基板側入射）の波長７８０ｎｍにおける反射率
は、６５％であった。また、この光ディスクの記録特性
を光ディスク評価装置（ＤＭＳ−２０００、ナカミチ株
式会社商品名）を用いて行った。すなわち、光ディスク
に波長７８０ｎｍの半導体レーザを用い、線速１．２５
ｍ／ｓｅｃ、レーザパワー８ｍＷ、周波数３０９ｋＨｚ
で記録を行ったところ、再生（レーザーパワー：０．５
ｍＷ）時のＣ／Ｎは、４５ｄＢであった。この後、レー
ザーパワー２ｍＷの連続光を記録部に照射したところ、
再生（レーザーパワー：０．５ｍＷ）時のＣ／Ｎは、１
５ｄＢに下がり、先の記録した情報を消去することがで
きた。さらに、この光ディスクに上記と同じ条件で記録
したところ、再生（レーザーパワー：０．５ｍＷ）時の
Ｃ／Ｎは、４５ｄＢであり、書換えが可能であった。Example 8 As a substrate, a spiral pre-groove having a width of 0.8 μm and a pitch of 1.6 μm, a thickness of 1.2 mm, and an outer diameter of 1
A polycarbonate substrate having a diameter of 20 mm and an inner diameter of 15 mm was used. On the substrate, the film thickness is 80 nm by the sputtering method.
Was deposited to form a substrate reflection layer. 15 parts by weight of poly (3-butylthiophene), 1.5 parts by weight of bis (triethylsiloxy) silicon-tetrakis (decylthio) naphthalocyanine, and 500 parts of toluene
A solution obtained by mixing parts by weight was spin-coated to form a recording layer (film thickness: 1300 °). Furthermore, a Cu thin film having a thickness of 100 nm was deposited thereon by a sputtering method to form a reflective layer. The reflectance of the optical disk thus obtained (substrate incidence) at a wavelength of 780 nm was 65%. The recording characteristics of this optical disk were measured using an optical disk evaluation device (DMS-2000, trade name of Nakamichi Co., Ltd.). That is, a semiconductor laser having a wavelength of 780 nm is used for an optical disk, and a linear velocity of 1.25
m / sec, laser power 8mW, frequency 309kHz
When recording was performed, the reproduction (laser power: 0.5
C / N at mW) was 45 dB. After that, when a continuous light with a laser power of 2 mW was applied to the recording section,
The C / N during reproduction (laser power: 0.5 mW) is 1
It was lowered to 5 dB, and the previously recorded information could be erased. Further, when recorded on this optical disk under the same conditions as above, the C / N at the time of reproduction (laser power: 0.5 mW) was 45 dB, and rewritable.

【００８１】実施例９ 基板として、幅０．８μｍ、ピッチ１．６μｍのスパイ
ラル状のプレグルーブを有する厚さ１．２ｍｍ、外径１
２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート基板を用い
た。基板の上に、ポリ（３ーヘキシルチオフェン）１０
重量部、ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラ
キス（デシルチオ）ナフタロシアニン１重量部、四塩化
炭素９２０重量部を混合して得た溶液をスピンコートし
て記録層（膜厚１２００Å）を形成した。さらに、この
上に、スパッタリング法により膜厚１００ｎｍのＣｕ薄
膜を蒸着し、反射層を形成した。こうして得られた光デ
ィスクの反射率（基板側入射）の波長７８０ｎｍにおけ
る反射率は、５５％であった。また、この光ディスクの
記録特性を光ディスク評価装置（ＤＭＳ−２０００、ナ
カミチ株式会社商品名）を用いて行った。すなわち、光
ディスクに波長７８０ｎｍの半導体レーザを基板側を用
い、線速１．２５ｍ／ｓｅｃ、レーザパワー８ｍＷ、周
波数３０９ｋＨｚで記録を行ったところ、再生（レーザ
ーパワー：０．５ｍＷ）時のＣ／Ｎは、４５ｄＢであっ
た。この後、光ディスクをオーブンで１００℃で５分間
加熱し、ついで、加熱された光ディスクをオーブンから
取りだし、室温で放置することにより室温まで徐冷し
た。この光ディスクの再生（レーザーパワー：０．５ｍ
Ｗ）時のＣ／Ｎは、１５ｄＢに下がり、先の記録した情
報を消去することができた。さらに、この光ディスクに
上記と同じ条件で記録したところ、再生（レーザーパワ
ー：０．５ｍＷ）時のＣ／Ｎは、４５ｄＢであり、書換
えが可能であった。Example 9 As a substrate, a 1.2-mm-thick spiral pre-groove having a width of 0.8 μm and a pitch of 1.6 μm, and an outer diameter of 1
A polycarbonate substrate having a diameter of 20 mm and an inner diameter of 15 mm was used. On a substrate, poly (3-hexylthiophene) 10
By weight, a solution obtained by mixing 1 part by weight of bis (triethylsiloxy) silicon-tetrakis (decylthio) naphthalocyanine and 920 parts by weight of carbon tetrachloride was spin-coated to form a recording layer (1200 .mu.m thick). Furthermore, a Cu thin film having a thickness of 100 nm was deposited thereon by a sputtering method to form a reflective layer. The reflectance of the optical disk thus obtained (substrate incidence) at a wavelength of 780 nm was 55%. The recording characteristics of this optical disk were measured using an optical disk evaluation device (DMS-2000, trade name of Nakamichi Co., Ltd.). That is, when recording was performed on an optical disk using a semiconductor laser having a wavelength of 780 nm on the substrate side at a linear velocity of 1.25 m / sec, a laser power of 8 mW, and a frequency of 309 kHz, the C / N ratio during reproduction (laser power: 0.5 mW) was obtained. Was 45 dB. Thereafter, the optical disk was heated in an oven at 100 ° C. for 5 minutes, and then the heated optical disk was taken out of the oven and left at room temperature to be gradually cooled to room temperature. Reproduction of this optical disk (laser power: 0.5m
The C / N at time W) was reduced to 15 dB, and the previously recorded information could be erased. Further, when recorded on this optical disk under the same conditions as above, the C / N at the time of reproduction (laser power: 0.5 mW) was 45 dB, and rewritable.

【００８２】実施例１０ 基板として、幅０．８μｍ、ピッチ１．６μｍのスパイ
ラル状のプレグルーブを有する厚さ１．２ｍｍ、外径１
２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート基板を用い
た。基板の上に、ポリ（３ーブチルチオフェン）１０重
量部、ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラキ
ス（デシルチオ）ナフタロシアニン１重量部、四塩化炭
素９２０重量部を混合して得た溶液をスピンコートして
記録層（膜厚１２００Å）を形成した。さらに、この上
に、スパッタリング法により膜厚１００ｎｍのＣｕ薄膜
を蒸着し、反射層を形成した。こうして得られた光ディ
スクの反射率（基板側入射）の波長７８０ｎｍにおける
反射率は、７０％であった。また、この光ディスクの記
録特性を光ディスク評価装置（ＤＭＳ−２０００、ナカ
ミチ株式会社商品名）を用いて行った。すなわち、光デ
ィスクに波長７８０ｎｍの半導体レーザを用い、線速
１．２５ｍ／ｓｅｃ、レーザパワー８ｍＷ、周波数３０
９ｋＨｚで記録を行ったところ、再生（レーザーパワ
ー：０．５ｍＷ）時のＣ／Ｎは、４５ｄＢであった。こ
の後、光ディスクをオーブンで１００℃で５分間加熱
し、ついで、加熱された光ディスクをオーブンから取り
だし、室温で放置することにより室温まで徐冷した。こ
の光ディスクの再生（レーザーパワー：０．５ｍＷ）時
のＣ／Ｎは、１８ｄＢに下がり、先の記録した情報を消
去することができた。さらに、この光ディスクに上記と
同じ条件で記録したところ、再生（レーザーパワー：
０．５ｍＷ）時のＣ／Ｎは、４５ｄＢであり、書換えが
可能であった。Example 10 A substrate having a spiral pre-groove having a width of 0.8 μm and a pitch of 1.6 μm and a thickness of 1.2 mm and an outer diameter of 1 was used as a substrate.
A polycarbonate substrate having a diameter of 20 mm and an inner diameter of 15 mm was used. A solution obtained by mixing 10 parts by weight of poly (3-butylthiophene), 1 part by weight of bis (triethylsiloxy) silicon-tetrakis (decylthio) naphthalocyanine, and 920 parts by weight of carbon tetrachloride was spin-coated on the substrate. Thus, a recording layer (thickness: 1200 °) was formed. Furthermore, a Cu thin film having a thickness of 100 nm was deposited thereon by a sputtering method to form a reflective layer. The reflectance of the optical disk thus obtained (substrate incidence) at a wavelength of 780 nm was 70%. The recording characteristics of this optical disk were measured using an optical disk evaluation device (DMS-2000, trade name of Nakamichi Co., Ltd.). That is, a semiconductor laser having a wavelength of 780 nm is used for an optical disk, a linear velocity is 1.25 m / sec, a laser power is 8 mW, and a frequency is 30.
When recording was performed at 9 kHz, the C / N at the time of reproduction (laser power: 0.5 mW) was 45 dB. Thereafter, the optical disk was heated in an oven at 100 ° C. for 5 minutes, and then the heated optical disk was taken out of the oven and left at room temperature to be gradually cooled to room temperature. The C / N during reproduction (laser power: 0.5 mW) of this optical disk was reduced to 18 dB, and the previously recorded information could be erased. Furthermore, when recording was performed on this optical disk under the same conditions as above, reproduction (laser power:
The C / N at 0.5 mW) was 45 dB, and rewritable.

【００８３】実施例１１ 基板として、幅０．８μｍ、ピッチ１．６μｍのスパイ
ラル状のプレグルーブを有する厚さ１．２ｍｍ、外径１
２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート基板を用い
た。基板の上に、スパッタリング法により膜厚６０ｎｍ
のＳｉＯ₂薄膜を蒸着し（以下実施例１１の基板）その
上にポリ（３ーブチルチオフェン）４．５部、ビス（ト
リエチルシロキシ）シリコン−テトラキス（デシルチ
オ）ナフタロシアニン０．４５重量部、トルエン１００
重量部を混合して得た溶液をスピンコートして記録層
（膜厚３６００Å）を形成した。さらに、この上に、ス
パッタリング法により膜厚１００ｎｍのＣｕ薄膜を蒸着
し、反射層を形成した。こうして得られた光ディスクの
反射率（基板側入射）の波長７８０ｎｍにおける反射率
は、６７％であった。また、この光ディスクの記録特性
を光ディスク評価装置（ＤＭＳ−２０００、ナカミチ株
式会社商品名）を用いて行った。すなわち、光ディスク
に波長７８０ｎｍの半導体レーザを用い、線速１．４ｍ
／ｓｅｃ、レーザパワー８ｍＷ、周波数３０９ｋＨｚで
記録を行ったところ、再生（レーザーパワー：０．５ｍ
Ｗ）時のＣ／Ｎは、５０ｄＢであった。この後、光ディ
スクをオーブンで１００℃で５分間加熱し、ついで、加
熱された光ディスクをオーブンから取りだし、室温で放
置することにより室温まで徐冷した。この光ディスクの
再生（レーザーパワー：０．５ｍＷ）時のＣ／Ｎは、１
８ｄＢに下がり、先の記録した情報を消去することがで
きた。さらに、この光ディスクに上記と同じ条件で記録
したところ、再生（レーザーパワー：０．５ｍＷ）時の
Ｃ／Ｎは、５０ｄＢであり、書換えが可能であった。ま
た、この光ディスクにＥＦＭ信号を線速度１．４ｍ／
ｓ、記録パワ−８ｍＷで記録を行い、ついで市販のＣＤ
プレ−ヤで再生を行ったところ、再生が可能であった。Example 11 As a substrate, a 1.2-mm-thick spiral pre-groove having a width of 0.8 μm and a pitch of 1.6 μm, and an outer diameter of 1
A polycarbonate substrate having a diameter of 20 mm and an inner diameter of 15 mm was used. A film thickness of 60 nm is formed on the substrate by a sputtering method.
SiO (substrate below Example 11) ₂ thin film was deposited poly (3 over butylthiophene) thereon 4.5 parts of bis (triethylsiloxy) silicon - tetrakis (decylthio) naphthalocyanine 0.45 parts by weight of toluene 100
The solution obtained by mixing the parts by weight was spin-coated to form a recording layer (thickness: 3600 °). Furthermore, a Cu thin film having a thickness of 100 nm was deposited thereon by a sputtering method to form a reflective layer. The reflectance of the optical disk thus obtained (substrate incidence) at a wavelength of 780 nm was 67%. The recording characteristics of this optical disk were measured using an optical disk evaluation device (DMS-2000, trade name of Nakamichi Co., Ltd.). That is, a semiconductor laser having a wavelength of 780 nm is used for the optical disk, and the linear velocity is 1.4 m.
/ Sec, laser power of 8 mW, and frequency of 309 kHz, recording was performed (laser power: 0.5 m
C / N at the time of W) was 50 dB. Thereafter, the optical disk was heated in an oven at 100 ° C. for 5 minutes, and then the heated optical disk was taken out of the oven and left at room temperature to be gradually cooled to room temperature. The C / N during reproduction (laser power: 0.5 mW) of this optical disk is 1
It was reduced to 8 dB, and the previously recorded information could be erased. Further, when recording was performed on this optical disk under the same conditions as above, the C / N at the time of reproduction (laser power: 0.5 mW) was 50 dB, and rewritable. An EFM signal is applied to this optical disc at a linear velocity of 1.4 m /
s, recording power: 8 mW, and then a commercially available CD
When playback was performed on the player, playback was possible.

【００８４】実施例１２ 実施例１１の基板の上に、ポリ（３ーヘキシルチオフェ
ン）４．７重量部、ビス（トリエチルシロキシ）シリコ
ン−テトラキス（デシルチオ）ナフタロシアニン０．４
７重量部、トルエン１００重量部を混合して得た溶液を
スピンコートして記録層（膜厚３７００Å）を形成し
た。さらに、この上に、スパッタリング法により膜厚１
００ｎｍのＡｕ薄膜を蒸着し、反射層を形成した。こう
して得られた光ディスクの反射率（基板側入射）の波長
７８０ｎｍにおける反射率は、６６％であった。また、
この光ディスクの記録特性を光ディスク評価装置（ＤＭ
Ｓ−２０００、ナカミチ株式会社商品名）を用いて行っ
た。すなわち、光ディスクに波長７８０ｎｍの半導体レ
ーザを用い、線速１．４ｍ／ｓｅｃ、レーザパワー８ｍ
Ｗ、周波数３０９ｋＨｚで記録を行ったところ、再生
（レーザーパワー：０．５ｍＷ）時のＣ／Ｎは、５０ｄ
Ｂであった。この後、光ディスクをオーブンで１００℃
で５分間加熱し、ついで、加熱された光ディスクをオー
ブンから取りだし、室温で放置することにより室温まで
徐冷した。この光ディスクの再生（レーザーパワー：
０．５ｍＷ）時のＣ／Ｎは、１８ｄＢに下がり、先の記
録した情報を消去することができた。さらに、この光デ
ィスクに上記と同じ条件で記録したところ、再生（レー
ザーパワー：０．５ｍＷ）時のＣ／Ｎは、５０ｄＢであ
り、書換えが可能であった。また、この光デイスクにＥ
ＦＭ信号を線速度１．４ｍ／ｓ、記録パワ−７ｍＷで記
録を行い、ついで市販のＣＤプレ−ヤで再生を行ったと
ころ、再生が可能であった。Example 12 On the substrate of Example 11, 4.7 parts by weight of poly (3-hexylthiophene), bis (triethylsiloxy) silicon-tetrakis (decylthio) naphthalocyanine 0.4
A solution obtained by mixing 7 parts by weight and 100 parts by weight of toluene was spin-coated to form a recording layer (thickness: 3700 °). Further, a film having a thickness of 1
An Au thin film having a thickness of 00 nm was deposited to form a reflective layer. The reflectance of the optical disk thus obtained (substrate incidence) at a wavelength of 780 nm was 66%. Also,
The recording characteristics of this optical disk are evaluated by using an optical disk
S-2000, trade name of Nakamichi Co., Ltd.). That is, a semiconductor laser having a wavelength of 780 nm is used for an optical disk, a linear velocity is 1.4 m / sec, and a laser power is 8 m.
W was recorded at a frequency of 309 kHz, and the C / N during reproduction (laser power: 0.5 mW) was 50 d
B. After this, the optical disk is placed in an oven at 100 ° C.
For 5 minutes, and then the heated optical disk was taken out of the oven and left at room temperature to be gradually cooled to room temperature. Playback of this optical disk (laser power:
The C / N at 0.5 mW) dropped to 18 dB, and the previously recorded information could be erased. Further, when recording was performed on this optical disk under the same conditions as above, the C / N at the time of reproduction (laser power: 0.5 mW) was 50 dB, and rewritable. Also, this optical disk has E
The FM signal was recorded at a linear velocity of 1.4 m / s at a recording power of 7 mW, and then reproduced on a commercially available CD player. As a result, reproduction was possible.

【００８５】参考例５（本発明における記録層の機能） トランス−１，４−ポリブタジエンとポリスチレンのブ
ロック共重合体（アスマー、旭化成工業株式会社商品
名）１０重量部、ビス（トリエチルシロキシ）シリコン
−テトラキス（デシルチオ）ナフタロシアニン１重量部
をトルエン３２０重量部に溶解して得た溶液を、スパッ
タリング法により厚さ約５０ｎｍのシリコン薄膜が表面
に形成されたガラス基板上にスピンコートにより塗布製
膜し、厚さ約２９０ｎｍの記録層を形成した。作製した
膜の加熱による光学特性の変化を調べるために、この膜
を１８０℃に加熱後急冷し（記録に相当する）、ついで
１００℃に加熱後急冷した（消去に相当する）時の反射
スペクトル（Ａｌ相対値）を測定した。この結果を図９
に示す。図９中グラフ２５は加熱前の反射スペクトル、
グラフ２６は１８０℃に加熱した時の反射スペクトル、
グラフ２７は１００℃に加熱した時の反射スペクトルで
ある。図７から明らかなように、加熱の度合（温度）を
調節することにより可逆的に反射スペクトルが変化し
た。Reference Example 5 (Function of recording layer in the present invention) Trans-1,4-polybutadiene and polystyrene block copolymer (Asmer, trade name of Asahi Kasei Corporation) 10 parts by weight, bis (triethylsiloxy) silicon A solution obtained by dissolving 1 part by weight of tetrakis (decylthio) naphthalocyanine in 320 parts by weight of toluene is spin-coated on a glass substrate having a silicon thin film having a thickness of about 50 nm formed on its surface by sputtering to form a film. And a recording layer having a thickness of about 290 nm. In order to examine the change in optical properties of the formed film due to heating, the reflection spectrum when this film was heated to 180 ° C. and rapidly cooled (corresponding to recording), then heated to 100 ° C. and rapidly cooled (corresponding to erasing). (Al relative value) was measured. The result is shown in FIG.
Shown in Graph 25 in FIG. 9 is a reflection spectrum before heating,
Graph 26 is a reflection spectrum when heated to 180 ° C.,
Graph 27 is a reflection spectrum when heated to 100 ° C. As is clear from FIG. 7, the reflection spectrum was reversibly changed by adjusting the degree of heating (temperature).

【００８６】実施例１３ 直径１２０ｍｍのポリカーボネート製グルーブ付きディ
スク基板〔出光石油化学株式会社製、８３０ｎｍでの屈
折率１．５９〕上に、スパッタリング法により厚さ約５
０ｎｍのシリコン薄膜（８３０ｎｍでの屈折率３．５、
消衰係数０．０１）を形成させ反射層とした。次に、ト
ランス−１，４−ポリブタジエンとポリスチレンのブロ
ック共重合体〔アスマー、旭化成工業株式会社商品名〕
１０重量部及びビス（トリエチルシロキシ）シリコン−
テトラキス（デシルチオ）ナフタロシアニン１重量部を
トルエン３２０重量部に溶解させ均一溶液としたもの
を、スピンコートにより前記基板のシリコン膜表面上に
塗布製膜して厚さ約２９０ｎｍの記録層を形成し、光記
録媒体を作製した。Example 13 A polycarbonate substrate having a groove of 120 mm in diameter and having a refractive index of 1.59 at 830 nm (made by Idemitsu Petrochemical Co., Ltd.) having a thickness of about 5 mm was formed on a disk substrate by sputtering.
0 nm silicon thin film (refractive index 3.5 at 830 nm,
An extinction coefficient of 0.01) was formed to form a reflective layer. Next, a block copolymer of trans-1,4-polybutadiene and polystyrene [Asmer, trade name of Asahi Kasei Corporation]
10 parts by weight and bis (triethylsiloxy) silicon-
A solution obtained by dissolving 1 part by weight of tetrakis (decylthio) naphthalocyanine in 320 parts by weight of toluene to form a uniform solution is applied on the silicon film surface of the substrate by spin coating to form a recording layer having a thickness of about 290 nm. Then, an optical recording medium was manufactured.

【００８７】波長８３０ｎｍの半導体レーザーを搭載し
た光記録特性評価装置〔ＯＭＳ２０００、ナカミチ株式
会社商品名、この装置はレ−ザ光を基板側から照射する
ようになっている〕により、上記で作製した光記録媒体
に１ｍＷのレーザーパワーでトラッキングサーボをかけ
て、その記録特性及び消去特性を測定した。記録条件
は、回転速度３ｍ／ｓ、周波数1MHz、デューティ５０％
でレーザーパワーを変えて行った。Ｃ／Ｎは記録パワー
依存性を示しレーザーパワー５ｍＷで４５ｄＢが得られ
た。次に消去は、回転速度３ｍ／ｓで、記録したトラッ
ク全周を２ｍＷのレーザー光で照射した。Ｃ／Ｎは減少
し、消去比は２５ｄＢを示した。さらに、消去したトラ
ックに、記録の時と同じ５ｍＷのパワーで再記録したと
ころＣ／Ｎは記録時と同じ４５ｄＢが得られた。このよ
うな記録／消去／再記録によるＣ／Ｎの変化は繰り返し
認められ、上記で作製した光記録媒体は書換え可能であ
ることを確認した。また、光記録材料評価装置〔ＯＤＳ
−４１１ＸＡ、株式会社松井製作所商品名〕を用い、上
記で得られた光記録媒体に基板側から、波長８３０ｎ
ｍ、パワー８ｍＷのレーザー光を０．５μｓ照射し、照
射部を光学顕微鏡（倍率１０００倍）で観察したとこ
ろ、ピット（穴）、突起等の形状変化は観察されなかっ
た。An optical recording characteristic evaluation apparatus equipped with a semiconductor laser having a wavelength of 830 nm (OMS2000, trade name of Nakamichi Co., Ltd., which is designed to irradiate laser light from the substrate side) was manufactured as described above. Tracking servo was applied to the optical recording medium with a laser power of 1 mW, and its recording characteristics and erasing characteristics were measured. Recording conditions were: rotation speed 3 m / s, frequency 1 MHz, duty 50%
The laser power was changed by. C / N showed the dependence on the recording power, and 45 dB was obtained at a laser power of 5 mW. Next, at the rotation speed of 3 m / s, the entire circumference of the recorded track was irradiated with a laser beam of 2 mW. C / N was reduced and the erase ratio was 25 dB. Further, when re-recording was performed on the erased track at the same power of 5 mW as at the time of recording, the C / N was 45 dB as at the time of recording. Such a change in C / N due to recording / erasing / re-recording was repeatedly observed, and it was confirmed that the optical recording medium produced above was rewritable. In addition, an optical recording material evaluation device [ODS
-411XA, trade name of Matsui Seisakusho Co., Ltd.], and a wavelength of 830 nm was applied to the optical recording medium obtained above from the substrate side.
When a laser beam having a power of 8 mW and a power of 8 mW was irradiated for 0.5 μs and the irradiated portion was observed with an optical microscope (magnification: 1000), no change in the shape of pits (holes) or protrusions was observed.

【００８８】実施例１４ 波長８３０ｎｍでの屈折率２．３及び消衰係数０の化７Example 14 Refractive index 2.3 at wavelength 830 nm and extinction coefficient 0

【化１４】 のシアニン系色素１重量部を2,2,3,3-テトラフルオロ-1
-プロパノール１２４重量部に溶解し、この溶液を、直
径１２０ｍｍのポリカーボネート製グルーブ付きディス
ク基板〔出光石油化学株式会社製〕上にスピンコートに
より塗布製膜し厚さ約６５ｎｍの反射層を形成させた。
次いで、光硬化性シリコーン樹脂〔ＴＵＶ６０００、東
芝シリコーン株式会社商品名〕１０重量部をn-オクタン
５１重量部に溶解し、この溶液を、前記反射層を形成さ
せた基板上にスピンコートにより塗布製膜し、紫外線を
照射して硬化させ、厚さ約３９０ｎｍの保護層を形成し
た。次に、実施例１３と同じトランス−１，４−ポリブ
タジエンとポリスチレンのブロック共重合体１０重量
部、ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラキス
（デシルチオ）ナフタロシアニン１重量部をトルエン３
２０重量部に溶解させ均一溶液とした。この溶液を前記
保護層の上にスピンコートにより塗布製膜して厚さ約２
００ｎｍの記録層を形成し、光記録媒体を作製した。Embedded image 1 part by weight of cyanine dye of 2,2,3,3-tetrafluoro-1
-Dissolved in 124 parts by weight of propanol. This solution was spin-coated on a polycarbonate grooved disk substrate having a diameter of 120 mm (manufactured by Idemitsu Petrochemical Co., Ltd.) to form a reflective layer having a thickness of about 65 nm. .
Next, 10 parts by weight of a photocurable silicone resin [TUV6000, trade name of Toshiba Silicone Co., Ltd.] was dissolved in 51 parts by weight of n-octane, and this solution was applied by spin coating on the substrate on which the reflective layer was formed. The film was cured by irradiating ultraviolet rays to form a protective layer having a thickness of about 390 nm. Next, 10 parts by weight of the same block copolymer of trans-1,4-polybutadiene and polystyrene and 1 part by weight of bis (triethylsiloxy) silicon-tetrakis (decylthio) naphthalocyanine as in Example 13 were added to toluene 3
It was dissolved in 20 parts by weight to obtain a uniform solution. This solution is spin-coated on the protective layer to form a film having a thickness of about 2
An optical recording medium was manufactured by forming a recording layer of 00 nm.

【００８９】実施例１３で示した光記録特性評価装置を
用いて、実施例１と同じ条件下で上記で得られた光記録
媒体の記録特性及び消去特性を測定した。この結果、記
録パワー６ｍＷでＣ／Ｎは４０ｄＢを示し、消去パワー
２ｍＷでＣ／Ｎは減少し消去比２０ｄＢが得られた。さ
らに、再記録パワー６ｍＷでＣ／Ｎは４０ｄＢを示し
た。このようなＣ／Ｎの変化が繰り返し認められ、作製
した光記録媒体が書換え可能であることを確認した。Using the optical recording characteristic evaluation apparatus shown in Example 13, the recording characteristics and erasing characteristics of the optical recording medium obtained above were measured under the same conditions as in Example 1. As a result, when the recording power was 6 mW, the C / N was 40 dB, and when the erasing power was 2 mW, the C / N was reduced, and an erasing ratio of 20 dB was obtained. Further, the C / N was 40 dB at a re-recording power of 6 mW. Such a change in C / N was repeatedly observed, and it was confirmed that the manufactured optical recording medium was rewritable.

【００９０】実施例１５ 直径１２０ｍｍのポリカーボネート製グルーブ付きディ
スク基板〔出光石油化学株式会社製、８３０ｎｍでの屈
折率１．５９〕上に、スパッタリング法により厚さ約５
０ｎｍのシリコン薄膜（８３０ｎｍでの屈折率３．５、
消衰係数０．０１）を形成させ反射層とした。次に、
１，２−ポリブタジエン〔ＪＳＲ ＲＢ８１０、日本合
成ゴム株式会社商品名〕１０重量部及びビス（トリエチ
ルシロキシ）シリコン−テトラキス（デシルチオ）ナフ
タロシアニン１重量部をトルエン３２０重量部に溶解さ
せ均一溶液としたものを、スピンコートにより前記基板
のシリコン膜表面上に塗布製膜して厚さ約２５０ｎｍの
記録層を形成し、光記録媒体を作製した。実施例１３で
示した光記録特性評価装置により、実施例１と同じ条件
下で上記で得られた光記録媒体の記録特性及び消去特性
を測定した。その結果、記録パワー７ｍＷでＣ／Ｎは４
０ｄＢを示し、消去パワー２ｍＷでＣ／Ｎは減少し、消
去比は２０ｄＢであった。さらに、再記録パワー７ｍＷ
でＣ／Ｎは４０ｄＢを示した。これらのＣ／Ｎの変化が
繰り返し認められ、作製した光記録媒体が書換え可能で
あることを確認した。Example 15 A polycarbonate substrate having a groove of 120 mm in diameter and having a refractive index of 1.59 at 830 nm (made by Idemitsu Petrochemical Co., Ltd.) having a thickness of about 5 mm was formed by sputtering.
0 nm silicon thin film (refractive index 3.5 at 830 nm,
An extinction coefficient of 0.01) was formed to form a reflective layer. next,
10 parts by weight of 1,2-polybutadiene [JSR RB810, trade name of Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.] and 1 part by weight of bis (triethylsiloxy) silicon-tetrakis (decylthio) naphthalocyanine were dissolved in 320 parts by weight of toluene to form a homogeneous solution. Was applied on the silicon film surface of the substrate by spin coating to form a recording layer having a thickness of about 250 nm, thereby producing an optical recording medium. The recording characteristics and the erasing characteristics of the optical recording medium obtained above were measured under the same conditions as in Example 1 using the optical recording characteristics evaluation apparatus shown in Example 13. As a result, C / N was 4 at a recording power of 7 mW.
0 dB, the C / N ratio was reduced at an erase power of 2 mW, and the erase ratio was 20 dB. Furthermore, the re-recording power 7mW
And the C / N was 40 dB. These changes in C / N were repeatedly observed, and it was confirmed that the produced optical recording medium was rewritable.

【００９１】実施例１６ 直径１２０ｍｍのポリカーボネート製グルーブ付きディ
スク基板〔出光石油化学株式会社製、８３０ｎｍでの屈
折率１．５９〕上に、スパッタリング法により厚さ約５
０ｎｍのシリコン薄膜（８３０ｎｍでの屈折率３．５、
消衰係数０．０１）を形成させ反射層とした。次に、ア
タクチックポリスチレン（分子量９５８００、アルドリ
ッチ ケミカル カンパニー製）１０重量部及びビス（ト
リエチルシロキシ）シリコン−テトラキス（デシルチ
オ）ナフタロシアニン１重量部をトルエン３２０重量部
に溶解させ均一溶液としたものを、スピンコートにより
前記基板のシリコン膜表面上に塗布製膜して厚さ約２０
０ｎｍの記録層を形成し、光記録媒体を作製した。Example 16 A polycarbonate substrate having a groove of 120 mm in diameter and having a refractive index of 1.59 at 830 nm (made by Idemitsu Petrochemical Co., Ltd.) having a thickness of about 5 mm was formed by sputtering.
0 nm silicon thin film (refractive index 3.5 at 830 nm,
An extinction coefficient of 0.01) was formed to form a reflective layer. Next, 10 parts by weight of atactic polystyrene (molecular weight 95800, manufactured by Aldrich Chemical Company) and 1 part by weight of bis (triethylsiloxy) silicon-tetrakis (decylthio) naphthalocyanine were dissolved in 320 parts by weight of toluene to obtain a homogeneous solution. Spin coating to form a film having a thickness of about 20
An optical recording medium was manufactured by forming a recording layer of 0 nm.

【００９２】実施例１３で示した光記録特性評価装置を
用いて、実施例１と同じ条件下で上記で得られた光記録
媒体の記録特性及び消去特性を測定した。この結果、記
録パワー４．５ｍＷでＣ／Ｎは４０ｄＢを示した。次い
で、この光記録媒体をオーブンに入れ１２０℃で５分間
加熱処理を行ったところ、Ｃ／Ｎは減少し消去比２０ｄ
Ｂが得られた。さらに、再記録パワー４．５ｍＷでＣ／
Ｎは４０ｄＢを示した。このようなＣ／Ｎの変化が繰り
返し認められ、作製した光記録媒体が書換え可能である
ことを確認した。Using the optical recording characteristic evaluation apparatus shown in Example 13, the recording characteristics and erasing characteristics of the optical recording medium obtained above were measured under the same conditions as in Example 1. As a result, the C / N was 40 dB at a recording power of 4.5 mW. Next, when this optical recording medium was heated in an oven at 120 ° C. for 5 minutes, the C / N was reduced and the erasing ratio was 20 d.
B was obtained. Further, at a re-recording power of 4.5 mW, C /
N indicated 40 dB. Such a change in C / N was repeatedly observed, and it was confirmed that the manufactured optical recording medium was rewritable.

【００９３】実施例１７ 下記化１５Example 17

【化１５】 で表される構造式の化合物（波長８３０ｎｍにおいて、
屈折率２．４５及び消衰係数０）１重量部を２，２，
３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール１２４重量
部に溶解し、この溶液を、直径１２０ｍｍのポリカーボ
ネート製グルーブ付きディスク基板（出光石油化学株式
会社製）上にスピンコートにより塗布製膜し反射層を形
成させた。次いで、光硬化性シリコーン樹脂（ＴＵＶ６
０００、東芝シリコーン株式会社商品名）１０重量部を
ｎ−オクタン５１重量部に溶解し、この溶液を、前記基
板反射層を形成させた基板上にスピンコートにより塗布
製膜し、紫外線を照射して硬化させ、厚さ約３５０ｎｍ
の保護層を形成した。次に、実施例１３と同じトランス
−１，４−ポリブタジエンとポリスチレンとのブロック
共重合体（アスマー、旭化成工業株式会社商品名）１０
重量部、ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラ
キス（デシルチオ）ナフタロシアニン１重量部をトルエ
ン３２０重量部に溶解させ均一溶液とした。この溶液を
前記保護層の上にスピンコートにより塗布製膜して厚さ
約２５０ｎｍの記録層を形成し、光記録媒体を作製し
た。Embedded image (At a wavelength of 830 nm, a compound of the structural formula represented by
Refractive index 2.45 and extinction coefficient 0)
This solution was dissolved in 124 parts by weight of 3,3-tetrafluoro-1-propanol, and this solution was applied onto a disc substrate with a groove of 120 mm made of polycarbonate (manufactured by Idemitsu Petrochemical Co., Ltd.) by spin coating to form a reflective layer. Formed. Next, a photocurable silicone resin (TUV6
000, trade name of Toshiba Silicone Co., Ltd.) 10 parts by weight was dissolved in 51 parts by weight of n-octane, and this solution was spin-coated on the substrate on which the substrate reflective layer was formed to form a film. Cured to a thickness of about 350nm
Was formed. Next, the same block copolymer of trans-1,4-polybutadiene and polystyrene (Asmer, trade name of Asahi Kasei Corporation) 10 as in Example 13 was used.
1 part by weight of bis (triethylsiloxy) silicon-tetrakis (decylthio) naphthalocyanine was dissolved in 320 parts by weight of toluene to obtain a homogeneous solution. This solution was applied on the protective layer by spin coating to form a recording layer having a thickness of about 250 nm, thereby producing an optical recording medium.

【００９４】実施例１３で示した光記録特性評価装置を
用いて、実施例１と同じ条件で、上記で作製した光記録
媒体の記録特性及び消去特性を測定した。その結果、記
録パワー６ｍＷでＣ／Ｎは４０ｄＢを示し、消去はパワ
ー２ｍＷでＣ／Ｎは減少し、消去比は２０ｄＢであっ
た。さらに、再記録パワー６ｍＷでＣ／Ｎは４０ｄＢを
示した。これらのＣ／Ｎの変化が繰り返し認められ、作
製した光記録媒体が書換え可能であることを確認した。Using the optical recording characteristics evaluation apparatus shown in Example 13, the recording characteristics and erasing characteristics of the optical recording medium produced above were measured under the same conditions as in Example 1. As a result, the C / N was 40 dB at a recording power of 6 mW, the C / N was reduced at an erasing power of 2 mW, and the erasing ratio was 20 dB. Further, the C / N was 40 dB at a re-recording power of 6 mW. These changes in C / N were repeatedly observed, and it was confirmed that the produced optical recording medium was rewritable.

【００９５】実施例１８ 下記化１６Example 18

【化１６】 で表される構造式の化合物（波長８３０ｎｍにおいて、
屈折率２．７５及び消衰係数０）１重量部を２，２，
３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール１２４重量
部に溶解し、この溶液を、直径１２０ｍｍのポリカーボ
ネート製グルーブ付きディスク基板（出光石油化学株式
会社製）上にスピンコートにより塗布製膜し反射層を形
成させた。次いで、光硬化性シリコーン樹脂（ＴＵＶ６
０００、東芝シリコーン株式会社商品名）１０重量部を
ｎ−オクタン５１重量部に溶解し、この溶液を、前記基
板反射層を形成させた基板上にスピンコートにより塗布
製膜し、紫外線を照射して硬化させ、厚さ約３５０ｎｍ
の保護層を形成した。次に、実施例１３と同じトランス
−１，４−ポリブタジエンとポリスチレンとのブロック
共重合体（アスマー、旭化成工業株式会社商品名）１０
重量部、ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラ
キス（デシルチオ）ナフタロシアニン１重量部をトルエ
ン３２０重量部に溶解させ均一溶液とした。この溶液を
前記保護層の上にスピンコートにより塗布製膜して厚さ
約２５０ｎｍの記録層を形成し、光記録媒体を作製し
た。Embedded image (At a wavelength of 830 nm, a compound of the structural formula represented by
2.75 parts by weight of refractive index 2.75 and extinction coefficient 0)
This solution was dissolved in 124 parts by weight of 3,3-tetrafluoro-1-propanol, and this solution was applied onto a disc substrate with a groove of 120 mm made of polycarbonate (manufactured by Idemitsu Petrochemical Co., Ltd.) by spin coating to form a reflective layer. Formed. Next, a photocurable silicone resin (TUV6
000, trade name of Toshiba Silicone Co., Ltd.) 10 parts by weight was dissolved in 51 parts by weight of n-octane, and this solution was spin-coated on the substrate on which the substrate reflective layer was formed to form a film. Cured to a thickness of about 350nm
Was formed. Next, the same block copolymer of trans-1,4-polybutadiene and polystyrene (Asmer, trade name of Asahi Kasei Corporation) 10 as in Example 13 was used.
1 part by weight of bis (triethylsiloxy) silicon-tetrakis (decylthio) naphthalocyanine was dissolved in 320 parts by weight of toluene to obtain a homogeneous solution. This solution was applied on the protective layer by spin coating to form a recording layer having a thickness of about 250 nm, thereby producing an optical recording medium.

【００９６】実施例１３で示した光記録特性評価装置を
用いて、実施例１と同じ条件で、上記で作製した光記録
媒体の記録特性及び消去特性を測定した。その結果、記
録パワー６ｍＷでＣ／Ｎは４０ｄＢを示し、消去はパワ
ー２ｍＷでＣ／Ｎは減少し、消去比は２０ｄＢであっ
た。さらに、再記録パワー６ｍＷでＣ／Ｎは４０ｄＢを
示した。これらのＣ／Ｎの変化が繰り返し認められ、作
製した光記録媒体が書換え可能であることを確認した。Using the optical recording characteristics evaluation apparatus shown in Example 13, the recording characteristics and erasing characteristics of the optical recording medium produced above were measured under the same conditions as in Example 1. As a result, the C / N was 40 dB at a recording power of 6 mW, the C / N was reduced at an erasing power of 2 mW, and the erasing ratio was 20 dB. Further, the C / N was 40 dB at a re-recording power of 6 mW. These changes in C / N were repeatedly observed, and it was confirmed that the produced optical recording medium was rewritable.

【００９７】比較例１ 実施例１と同じトランス−１，４−ポリブタジエンとポ
リスチレンのブロック共重合体３３重量部、テトラキス
（ｔｅｒｔ−ブチル）フタロシアニンオキソバナジウム
１重量部をトルエン２１３０重量部に溶解させ均一溶液
とした。この溶液をスピンコート法により直径１３０ｍ
ｍのグルーブ付きガラス基板上に塗布製膜して、光記録
媒体を作製した。実施例１に示した光記録特性評価装置
により、実施例１と同じ条件下で記録特性及び消去特性
を測定した。この結果、記録パワー５ｍＷでＣ／Ｎは全
く検出されず、記録パワー１４ｍＷでＣ／Ｎは６ｄＢを
示し、消去パワー２ｍＷでＣ／Ｎは３ｄＢ減少し、消去
比はわずか３ｄＢであった。Comparative Example 1 Same as Example 1, 33 parts by weight of a block copolymer of trans-1,4-polybutadiene and polystyrene and 1 part by weight of tetrakis (tert-butyl) phthalocyanine oxovanadium were dissolved in 2130 parts by weight of toluene and homogenized. The solution was used. This solution is 130 m in diameter by spin coating.
An optical recording medium was produced by coating and forming a film on a glass substrate with a groove of m. The recording characteristics and the erasing characteristics were measured by the optical recording characteristics evaluation device shown in Example 1 under the same conditions as in Example 1. As a result, no C / N was detected at a recording power of 5 mW, the C / N was 6 dB at a recording power of 14 mW, the C / N was reduced by 3 dB at an erasing power of 2 mW, and the erasing ratio was only 3 dB.

【００９８】[0098]

【発明の効果】請求項１、請求項２、請求項３、請求項
４又は請求項５における情報記録媒体は、熱エネルギー
によって分散している色素と高分子及び/または色素同
志の相互作用変化を誘起させて吸光度変化及び/または
反射率変化を生じさせる新規な現象を利用するものであ
り、現在、広く用いられている半導体レーザで記録可能
で、かつレーザもしくは加熱により消去が可能であって
実用に供することができ、また、無毒である。請求項６
における方法により、上記情報記録媒体に容易に記録す
ることができる。請求項７における方法により、上記情
報記録媒体から容易に情報を消去することができる。請
求項８における方法により、反射率変化が記録前後で高
→低という現在主流の光記録システムに対応することが
できる。請求項１０における方法により、現在広く用い
られてる半導体レ−ザを使用しているＣＤプレ−ヤの使
用が可能となる。請求項１１における光情報媒体は、現
在広く用いられている半導体レ−ザを使用しているＣＤ
プレ−ヤでの使用が可能である。請求項１２における光
ディスクは、書換え可能であり、記録持性に優れ、消去
比が大きく消去持性にも優れる。According to the first, second, third, fourth, or fifth aspect of the present invention, the information recording medium changes the interaction between the dispersed dye and the polymer and / or the dye by thermal energy. Is a new phenomenon that causes a change in absorbance and / or a change in reflectivity by inducing a change in the light intensity, which can be recorded by a semiconductor laser that is currently widely used, and can be erased by laser or heating. It can be put to practical use and is non-toxic. Claim 6
According to the method described in the above, recording can be easily performed on the information recording medium. According to the method of claim 7, information can be easily erased from the information recording medium. According to the method of the eighth aspect, it is possible to cope with the current mainstream optical recording system in which the reflectance change is high → low before and after recording. The method according to claim 10 enables the use of a CD player using a semiconductor laser which is currently widely used. An optical information medium according to claim 11, wherein a CD using a semiconductor laser widely used at present.
It can be used on a player. The optical disk according to the twelfth aspect is rewritable, has excellent recording durability, has a large erasing ratio, and has excellent erasing durability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明における書換え可能な光記録媒体の一例
を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an example of a rewritable optical recording medium according to the present invention.

【図２】本発明における書換え可能な光記録媒体の他の
例を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing another example of a rewritable optical recording medium according to the present invention.

【図３】参考例１で得られた機能性樹脂組成物の可視光
吸収スペクトルである。FIG. 3 is a visible light absorption spectrum of the functional resin composition obtained in Reference Example 1.

【図４】参考例１で得られた機能性樹脂組成物の可視光
吸収スペクトルである。FIG. 4 is a visible light absorption spectrum of the functional resin composition obtained in Reference Example 1.

【図５】参考例２で得られた機能性樹脂組成物の可視光
吸収スペクトルである。FIG. 5 is a visible light absorption spectrum of the functional resin composition obtained in Reference Example 2.

【図６】参考例２で得られた機能性樹脂組成物の可視光
吸収スペクトルである。FIG. 6 is a visible light absorption spectrum of the functional resin composition obtained in Reference Example 2.

【図７】参考例３で得られた機能性樹脂組成物の可視光
吸収スペクトルである。FIG. 7 is a visible light absorption spectrum of the functional resin composition obtained in Reference Example 3.

【図８】参考例４で得られた機能性樹脂組成物の反射ス
ペクトルである。FIG. 8 is a reflection spectrum of the functional resin composition obtained in Reference Example 4.

【図９】参考例５で得られた機能性樹脂組成物の反射ス
ペクトルである。FIG. 9 is a reflection spectrum of the functional resin composition obtained in Reference Example 5.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１、５…基板、 ２、６、…反射層、 ３、８…記録層、 ４、９…グル−ブ、 ７…保護層、 １０…３０℃に加熱時の吸収スペクトル、 １１…１００℃に加熱時の吸収スペクトル、 １２…１４０℃に加熱時の吸収スペクトル、 １３…成膜状態のの吸収スペクトル、 １４…１８０℃に加熱後急冷した時の吸収スペクトル、 １５…３０℃に加熱時の、吸収スペクトル １６…１００℃に加熱時の吸収スペクトル、 １７…１６０℃に加熱時の吸収スペクトル、 １８…成膜状態のの吸収スペクトル、 １９…１８０℃に加熱後急冷した時の吸収スペクトル、 ２０…成膜状態のの吸収スペクトル、 ２１…１８０℃に加熱後急冷した時の吸収スペクトル、 ２２…３０℃に加熱時の反射スペクトル、 ２３…１２０℃に加熱時の反射スペクトル、 ２４…１５０℃に加熱時の反射スペクトル、 ２５…加熱前の反射スペクトル、 ２６…１８０℃に加熱後の反射スペクトル、 ２７…１００℃に加熱後の反射スペクトル、 1,5 ... substrate, 2,6 ... reflective layer, 3,8 ... recording layer, 4,9 ... groove, 7 ... protective layer, 10 ... absorption spectrum when heated to 30C, 11 ... 100C Absorption spectrum at the time of heating, 12: absorption spectrum at the time of heating to 140 ° C., 13: absorption spectrum at the time of film formation, 14: absorption spectrum at the time of rapid cooling after heating to 180 ° C., Absorption spectrum 16: Absorption spectrum when heated to 100 ° C., 17: Absorption spectrum when heated to 160 ° C., 18: Absorption spectrum when film is formed, 19: Absorption spectrum when rapidly cooled after heating to 180 ° C., 20 ... Absorption spectrum in a film-forming state, 21: absorption spectrum when cooled rapidly after heating to 180 ° C, 22: reflection spectrum when heated to 30 ° C, 23: reflection spectrum when heated to 120 ° C, 24 ... 15 Reflection spectrum when heated to 0 ° C., 25: reflection spectrum before heating, 26: reflection spectrum after heating to 180 ° C., 27: reflection spectrum after heating to 100 ° C.,

フロントページの続き (72)発明者 高根 信明 茨城県つくば市和台48番 日立化成工業 株式会社 筑波開発研究所内 (72)発明者 山田 三男 茨城県つくば市和台48番 日立化成工業 株式会社 筑波開発研究所内 (72)発明者 田井 誠司 茨城県日立市東町４丁目13番１号 日立 化成工業 株式会社 茨城研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−249691（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−155689（ＪＰ，Ａ)Continued on the front page (72) Inventor Nobuaki Takane 48, Wadai, Tsukuba, Ibaraki Prefecture Within Hitachi Chemical Co., Ltd.Tsukuba Development Laboratory (72) Inventor Mitsuo Yamada 48th, Wadai, Tsukuba, Ibaraki Prefecture Tsukuba Development Co., Ltd. Inside the research laboratory (72) Inventor Seiji Tai 4-3-1-1, Higashicho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Hitachi Chemical Co., Ltd. Ibaraki Research Center (56) References JP-A-63-249691 (JP, A) JP-A-2-155689 (JP, A)

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】記録層を有する情報記録媒体において、そ
の記録層が熱エネルギーによりコンフォーメーションが
変化する共役系重合体及び光吸収能を有する色素を含む
組成物からなる情報記録媒体であって、前記共役系重合
体が、化１〔一般式(Ｉ)〕 【化１】 〔ただし、一般式(Ｉ)中、Ｒ¹及びＲ²は、水素又は１価
の有機基を示し、これらは同一でも異なっていてもよい
が、少なくとも一方は１価の有機基であり、Ｘは、Ｓ、
Ｏ、Ｓｅ又はＮＲ³（ここで、Ｒ³は水素、アルキル基ま
たはアリール基を示す)〕で表される構成単位を含む重
合体であることを特徴とする情報記録媒体。1. An information recording medium having a recording layer,
Conformation due to thermal energy in the recording layer
Containing conjugated polymers that change and dyes that have light absorbing ability
An information recording medium comprising a composition, wherein the conjugated polymer is represented by the following general formula (I): [However, in the general formula (I), R ¹ and R ² represent hydrogen or a monovalent organic group, which may be the same or different, but at least one of them is a monovalent organic group, and X Is S,
An information recording medium, which is a polymer containing a structural unit represented by O, Se, or NR ³ (where R ³ represents hydrogen, an alkyl group, or an aryl group)]. 【請求項２】記録層を有する情報記録媒体において、そ
の記録層がジエン系単量体及び／又は芳香環を有するビ
ニル系単量体を成分として含む重合体並びに光吸収能を
有する色素を含む組成物からなる情報記録媒体。2. An information recording medium having a recording layer, wherein the recording layer contains a polymer containing a diene monomer and / or a vinyl monomer having an aromatic ring as a component, and a dye having a light absorbing ability. An information recording medium comprising a composition. 【請求項３】記録層が透明基板上に形成された基板反射
層上に形成されている請求項１又は２項記載の情報記録
媒体。3. A recording layer information recording medium according to claim 1 or 2 wherein wherein is formed on a substrate reflective layer formed on a transparent substrate. 【請求項４】記録層の上に反射層が形成されている請求
項１〜３各項記載の情報記録媒体。4. The information recording medium according to claim 1, wherein a reflective layer is formed on the recording layer. 【請求項５】請求項１〜４各項記載の情報記録媒体に、
熱エネルギ−を附与した後急冷することにより記録層中
の熱エネルギ−附与部の吸光度及び／又は反射率を熱エ
ネルギ−附与前に比べ変化させ、これによって情報を記
録することを特徴とする情報の記録方法。5. A data recording medium according to claim 1-4 sections described,
By applying heat energy and then quenching, the absorbance and / or reflectivity of the heat energy applied portion in the recording layer is changed as compared to before the heat energy was applied, thereby recording information. Method of recording information. 【請求項６】請求項１〜４各項記載の情報記録媒体に熱
エネルギ−附与した後急冷することにより記録層中の熱
エネルギ−附与部の吸光度及び／又は反射率を光の照射
前に比べ変化させ、これによって情報を記録した記録部
を少なくとも加熱した後徐冷することを特徴とする情報
の消去方法。6. An information recording medium according to any one of claims 1 to 4, wherein the information recording medium is subjected to heat energy and then quenched to irradiate light absorbance and / or reflectivity of a heat energy applying part in the recording layer with light. A method for erasing information, characterized in that the recording portion on which information is recorded is heated at least and then gradually cooled by changing the temperature as compared with before. 【請求項７】（１）有機重合体と、 （２）光吸収能を有する色素 とより成る記録層を有する情報記録媒体に、熱エネルギ
−を附与し、記録層の熱エネルギ−附与部の吸光度を熱
エネルギ−附与前に比べ増加させ、これによって情報を
記録することを特徴とする情報記録方法。7. Applying heat energy to an information recording medium having a recording layer comprising (1) an organic polymer and (2) a dye having a light absorbing ability, and applying the heat energy to the recording layer. An information recording method characterized by increasing the absorbance of a part as compared to before applying heat energy, thereby recording information. 【請求項８】熱エネルギ−の附与が色素の吸収波長に対
応する光の照射である請求項５〜７項各項記載の情報の
記録方法又は情報の消去方法。8. The information recording method or information erasing method according to claim 5, wherein the application of heat energy is irradiation of light corresponding to the absorption wavelength of the dye. 【請求項９】（１）有機重合体と、 （２）光吸収能を有する色素 とより成る記録層を有する情報記録媒体に、色素の吸収
波長に対応する７５０〜８４０ｎｍの光を照射させ、記
録層の光照射部の吸光度を光照射前に比べ変化させ、こ
れによって情報を記録することを特徴とする情報記録方
法。9. An information recording medium having a recording layer comprising (1) an organic polymer and (2) a dye having a light absorbing ability, is irradiated with light having a wavelength of 750 to 840 nm corresponding to the absorption wavelength of the dye. An information recording method, wherein the information is recorded by changing the absorbance of a light irradiating portion of a recording layer as compared to before the light irradiation. 【請求項１０】（Ａ）基板と、 （Ｂ）基板に上に形成された、（１）有機重合体と
（２）光吸収能を有する色素とより成る記録層と、 （Ｃ）記録層の上に形成された反射層とより成ってお
り、 記録層は、色素の吸収波長に対応する光を照射させると
光照射部の吸光度が光照射前に比べ増加するものでその
増加により情報を記録するものであり、情報の記録前の
基板側から入射した再生光における反射率が６０％以上
である情報記録媒体。10. A recording layer comprising: (A) a substrate; (B) a recording layer comprising (1) an organic polymer and (2) a light-absorbing dye formed on the substrate; and (C) a recording layer. When the recording layer is irradiated with light corresponding to the absorption wavelength of the dye, the absorbance of the light-irradiated part increases compared to before the light irradiation. An information recording medium for recording and having a reflectance of 60% or more for reproduction light incident from the substrate side before recording information. 【請求項１１】記録層を有する光ディスクにおいて、そ
の記録層が、 （１）（ａ）熱エネルギ−によりコンフォ−メ−ション
が変化する共役系重合体（ｂ）ジエン系単量体及び／又
は芳香環を有するビニル系単量体を成分として含む重合
体の少なくとも一種の有機重合体と （２)光吸収能を有する色素 を含む組成物からなる光ディスク。11. An optical disk having a recording layer, wherein the recording layer comprises: (1) (a) a conjugated polymer whose conformation changes due to heat energy; (b) a diene monomer and / or An optical disc comprising at least one organic polymer of a polymer containing a vinyl monomer having an aromatic ring as a component, and (2) a dye having a light absorbing ability.