JP2705021B2 - キャリア伝導時間測定方法および装置 - Google Patents
キャリア伝導時間測定方法および装置Info
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- JP2705021B2 JP2705021B2 JP5036753A JP3675393A JP2705021B2 JP 2705021 B2 JP2705021 B2 JP 2705021B2 JP 5036753 A JP5036753 A JP 5036753A JP 3675393 A JP3675393 A JP 3675393A JP 2705021 B2 JP2705021 B2 JP 2705021B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体材料中における
キャリアの伝導時間の測定方法および装置に関するもの
である。
キャリアの伝導時間の測定方法および装置に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】図1は、従来のキャリア伝導時間測定装
置の構成図である。同図において、符号1は極短光パル
ス光源、2は前記極短光パルス光源1からの極短光パル
スを2光路に分岐するための光学分岐素子、3は分岐し
た一方のポンプ光パルスの光軸、4は分岐した他方のプ
ローブ光パルスの光軸、5は前記ポンプ光パルスを極短
電気パルスに変換する極短電気パルス発生素子、6は前
記極短電気パルス発生素子5にポンプ光パルスを照射す
るための光学系、7は測定試料、8は内部に非線形光学
結晶を有する電気応答波形検出素子、9は前記電気応答
波形検出素子8に前記プローブ光パルスを照射すると共
に、その反射光を集光するための光学系、10は偏光素
子、11は光検出器、12は光学遅延路、13は前記光
検出器11の出力信号を計測するための信号解析装置、
14は光学遅延路12と信号解析装置13を自動制御す
るための制御器である。
置の構成図である。同図において、符号1は極短光パル
ス光源、2は前記極短光パルス光源1からの極短光パル
スを2光路に分岐するための光学分岐素子、3は分岐し
た一方のポンプ光パルスの光軸、4は分岐した他方のプ
ローブ光パルスの光軸、5は前記ポンプ光パルスを極短
電気パルスに変換する極短電気パルス発生素子、6は前
記極短電気パルス発生素子5にポンプ光パルスを照射す
るための光学系、7は測定試料、8は内部に非線形光学
結晶を有する電気応答波形検出素子、9は前記電気応答
波形検出素子8に前記プローブ光パルスを照射すると共
に、その反射光を集光するための光学系、10は偏光素
子、11は光検出器、12は光学遅延路、13は前記光
検出器11の出力信号を計測するための信号解析装置、
14は光学遅延路12と信号解析装置13を自動制御す
るための制御器である。
【0003】この従来のキャリア伝導時間測定装置で
は、まず、ポンプ光パルスを素子5に照射し、素子5の
光−電気変換機能により素子5から発生した電気パルス
を測定試料7に入力する。そして、測定試料7の出力応
答波形を素子8における光学定数変化として計測する。
この素子8における光学定数変化は、プローブ光パルス
の反射率変化により計測する。
は、まず、ポンプ光パルスを素子5に照射し、素子5の
光−電気変換機能により素子5から発生した電気パルス
を測定試料7に入力する。そして、測定試料7の出力応
答波形を素子8における光学定数変化として計測する。
この素子8における光学定数変化は、プローブ光パルス
の反射率変化により計測する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前記従来のキャリア伝
導時間測定装置では、ポンプ光パルスを極短電気パルス
発生素子5に照射することで発生する電気パルスを被測
定試料7に入力する。この時の試料7の出力応答波形の
強度は、電気応答波形検出素子8内に設けられている非
線形光学結晶の電気光学効果によって生ずる光学定数変
化として表れる。そのため、この光学定数変化を素子8
の表面にプローブ光パルスを照射し、その反射率変化と
して計測し、この計測値から試料7のキャリア伝導時間
を算出ている。
導時間測定装置では、ポンプ光パルスを極短電気パルス
発生素子5に照射することで発生する電気パルスを被測
定試料7に入力する。この時の試料7の出力応答波形の
強度は、電気応答波形検出素子8内に設けられている非
線形光学結晶の電気光学効果によって生ずる光学定数変
化として表れる。そのため、この光学定数変化を素子8
の表面にプローブ光パルスを照射し、その反射率変化と
して計測し、この計測値から試料7のキャリア伝導時間
を算出ている。
【0005】したがって、上記した測定方法における空
間分解能は、素子8内の非線形光学結晶の寸法、あるい
は、プローブ光パルスの空間的広がりによって制限さ
れ、測定試料7の入力、出力間のキャリアの伝導時間を
測定するに留まっており、測定試料7内部の各領域にお
ける伝導時間を計測することは不可能である、といった
欠点があった。
間分解能は、素子8内の非線形光学結晶の寸法、あるい
は、プローブ光パルスの空間的広がりによって制限さ
れ、測定試料7の入力、出力間のキャリアの伝導時間を
測定するに留まっており、測定試料7内部の各領域にお
ける伝導時間を計測することは不可能である、といった
欠点があった。
【0006】また、従来のキャリア伝導時間測定装置
は、極短電気パルスを測定試料7に印加し、その出力応
答波形のみを検出するため、極短電気パルスを測定試料
7に印加した時間原点を決定することが不可能である、
といった欠点もあった。
は、極短電気パルスを測定試料7に印加し、その出力応
答波形のみを検出するため、極短電気パルスを測定試料
7に印加した時間原点を決定することが不可能である、
といった欠点もあった。
【0007】従って、本発明は、測定試料内部の各領域
からの発光の時間変化を精度良く測定する方法および装
置を提供することを、課題とするものである。
からの発光の時間変化を精度良く測定する方法および装
置を提供することを、課題とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記課題を達成するた
め、本発明の測定方法および装置は、従来例とは異な
り、電気パルスを測定試料に印加することにより、測定
試料の各領域から発生する発光スペクトルを測定し、そ
の発光スペクトルの時間分解を行うことを特徴としてい
る。
め、本発明の測定方法および装置は、従来例とは異な
り、電気パルスを測定試料に印加することにより、測定
試料の各領域から発生する発光スペクトルを測定し、そ
の発光スペクトルの時間分解を行うことを特徴としてい
る。
【0009】すなわち、本発明のキャリア伝導時間測定
方法は、半導体試料に電気パルスを印加することによ
り、前記半導体試料からの発光を生じさせ、前記半導体
試料から発光した光と前記電気パルスに同期したレーザ
光との交差相関光を非線形光学結晶により発生させ、前
記交差相関光の時間変化を計測し、この計測値から前記
半導体試料中のキャリア伝導時間を算出する、ことを特
徴とする。
方法は、半導体試料に電気パルスを印加することによ
り、前記半導体試料からの発光を生じさせ、前記半導体
試料から発光した光と前記電気パルスに同期したレーザ
光との交差相関光を非線形光学結晶により発生させ、前
記交差相関光の時間変化を計測し、この計測値から前記
半導体試料中のキャリア伝導時間を算出する、ことを特
徴とする。
【0010】また、本発明のキャリア伝導時間測定装置
は、電気パルスを発生させる電気パルス発生手段と、前
記電気パルスに同期したレーザ光を発生させる同期レー
ザ光発生手段と、前記電気パルスを半導体試料に印加す
ることにより生ずる半導体試料からの発光と、前記同期
レーザ光とを同時に非線形光学結晶に入射させることに
より前記発光光と前記同期レーザ光との交差相関光を発
生させる交差相関光発生手段と、前記交差相関光の時間
変化を自動計測することで、前記半導体試料中のキャリ
アの伝導時間を算出する計測・算出手段と、を有するこ
とを特徴とする。
は、電気パルスを発生させる電気パルス発生手段と、前
記電気パルスに同期したレーザ光を発生させる同期レー
ザ光発生手段と、前記電気パルスを半導体試料に印加す
ることにより生ずる半導体試料からの発光と、前記同期
レーザ光とを同時に非線形光学結晶に入射させることに
より前記発光光と前記同期レーザ光との交差相関光を発
生させる交差相関光発生手段と、前記交差相関光の時間
変化を自動計測することで、前記半導体試料中のキャリ
アの伝導時間を算出する計測・算出手段と、を有するこ
とを特徴とする。
【0011】
【作用】本発明は、測定半導体試料に極短電気パルスを
印加することでキャリアを走行させ、キャリアが測定試
料の各領域を伝導する際に発生する発光の時間分解測定
を行い、各領域固有の時間分解スペクトルを比較し、そ
の遅延時間差からキャリアの伝導時間を算出するように
している。したがって、従来不可能であった、測定試料
内部の各領域個々におけるキャリアの伝導時間の測定が
可能となる効果を有する。
印加することでキャリアを走行させ、キャリアが測定試
料の各領域を伝導する際に発生する発光の時間分解測定
を行い、各領域固有の時間分解スペクトルを比較し、そ
の遅延時間差からキャリアの伝導時間を算出するように
している。したがって、従来不可能であった、測定試料
内部の各領域個々におけるキャリアの伝導時間の測定が
可能となる効果を有する。
【0012】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を用いて詳細
に説明する。
に説明する。
【0013】図2は、本発明のキャリア伝導時間測定装
置のブロック図である。図2において、図1と同一構成
要素には同一符号を付して説明を簡略化する。図中の符
号20は非線形光学結晶、21は回転ステージ、22は
測定試料7からの発光を前記非線形光学結晶20に集光
するための光学系、23はプローブ光パルスを非線形光
学結晶20に照射するための光学系、24は分光器、2
5は非線形光学結晶20で発生する交差相関光を前記分
光器24に入射させるための光学系、前記分光器24で
分光された交差相関光は、光検出器11で検出される。
この光検出器11からの出力信号は、信号解析装置13
で計測される。そして、26は、回転ステージ21、光
学遅延路12、分光器24、信号解析装置13を制御す
るための制御器である。
置のブロック図である。図2において、図1と同一構成
要素には同一符号を付して説明を簡略化する。図中の符
号20は非線形光学結晶、21は回転ステージ、22は
測定試料7からの発光を前記非線形光学結晶20に集光
するための光学系、23はプローブ光パルスを非線形光
学結晶20に照射するための光学系、24は分光器、2
5は非線形光学結晶20で発生する交差相関光を前記分
光器24に入射させるための光学系、前記分光器24で
分光された交差相関光は、光検出器11で検出される。
この光検出器11からの出力信号は、信号解析装置13
で計測される。そして、26は、回転ステージ21、光
学遅延路12、分光器24、信号解析装置13を制御す
るための制御器である。
【0014】なお、前記構成において、極短光パルス光
源1、光学分岐素子2、光軸3、極短電気パルス発生素
子5および光学系6は、電気パルス発生手段を構成して
いる。また、極短光パルス光源1、光学分岐素子2、光
軸4、光学遅延路12および光学系23は、同期レーザ
光発生手段を構成している。さらに、非線形光学結晶2
0および回転ステージ21は、交差相関光発生手段を構
成している。さらにまた、光学系25、分光器24、光
検出器11、信号解析装置13および制御器26は、計
測・算出手段を構成している。
源1、光学分岐素子2、光軸3、極短電気パルス発生素
子5および光学系6は、電気パルス発生手段を構成して
いる。また、極短光パルス光源1、光学分岐素子2、光
軸4、光学遅延路12および光学系23は、同期レーザ
光発生手段を構成している。さらに、非線形光学結晶2
0および回転ステージ21は、交差相関光発生手段を構
成している。さらにまた、光学系25、分光器24、光
検出器11、信号解析装置13および制御器26は、計
測・算出手段を構成している。
【0015】前記構成の測定装置では、測定試料7に印
加する極短電気パルスは、極短パルス光源1から発生さ
れる光パルスを光学素子2にて2光路に分岐し、その片
方の光を極短電気パルス発生用素子5内に設けられた電
気的絶縁領域に照射し、素子5の光−電気変換機能によ
り、発生させる。すなわち、極短パルス光の照射により
極短電気パルス発生用素子5内に発生するキャリアによ
って、素子5は、導通状態になり、極短光パルスのパル
ス幅に応じた極短電気パルスを発生させる。この極短電
気パルスを測定試料7に印加することで、測定試料7中
にキャリアが注入され、試料7内部の各領域における材
料および電界強度に応じて発光(エレクトロルミネセン
ス光、以下、EL光と略す)が生じる。
加する極短電気パルスは、極短パルス光源1から発生さ
れる光パルスを光学素子2にて2光路に分岐し、その片
方の光を極短電気パルス発生用素子5内に設けられた電
気的絶縁領域に照射し、素子5の光−電気変換機能によ
り、発生させる。すなわち、極短パルス光の照射により
極短電気パルス発生用素子5内に発生するキャリアによ
って、素子5は、導通状態になり、極短光パルスのパル
ス幅に応じた極短電気パルスを発生させる。この極短電
気パルスを測定試料7に印加することで、測定試料7中
にキャリアが注入され、試料7内部の各領域における材
料および電界強度に応じて発光(エレクトロルミネセン
ス光、以下、EL光と略す)が生じる。
【0016】一方、光学素子2にて分岐された一方の光
パルスを、プローブ光パルスとして利用することで、前
記極短電気パルスに同期をとることは容易である。ま
た、複数の光の交差相関は、これら複数の光を非線形光
学結晶20に入射させることで実現できる。したがっ
て、試料7から放出されるEL光を光学系22で集光し
て、非線形光学結晶20上の一点に照射すると共に、光
学遅延路12を経由したプローブ光パルスを光学系23
を通して非線形光学結晶20上の前記EL光の照射点と
同じ位置に照射することで、交差相関光を得ることがで
きる。
パルスを、プローブ光パルスとして利用することで、前
記極短電気パルスに同期をとることは容易である。ま
た、複数の光の交差相関は、これら複数の光を非線形光
学結晶20に入射させることで実現できる。したがっ
て、試料7から放出されるEL光を光学系22で集光し
て、非線形光学結晶20上の一点に照射すると共に、光
学遅延路12を経由したプローブ光パルスを光学系23
を通して非線形光学結晶20上の前記EL光の照射点と
同じ位置に照射することで、交差相関光を得ることがで
きる。
【0017】次に、非線形光学結晶20を回転ステージ
21にて回転させ、非線形光学結晶20中で試料7から
の発光光とプローブ光パルスとによって交差相関光が最
も効率的に発生するように回転角を設定する。発生した
交差相関光は、光学系25により分光器24に集光され
る。分光器24にて分光された交差相関光は、光検出器
11にて検出され、同光検出器11で電気信号に変換さ
れた後、信号解析装置13にて計測される。次に、制御
器26にて光学遅延路12の光路差を変化させ、それと
連動して交差相関光の強度変化を計測する。これによ
り、測定試料7のある領域からの発光の時間分解スペク
トルが計測できることになる。
21にて回転させ、非線形光学結晶20中で試料7から
の発光光とプローブ光パルスとによって交差相関光が最
も効率的に発生するように回転角を設定する。発生した
交差相関光は、光学系25により分光器24に集光され
る。分光器24にて分光された交差相関光は、光検出器
11にて検出され、同光検出器11で電気信号に変換さ
れた後、信号解析装置13にて計測される。次に、制御
器26にて光学遅延路12の光路差を変化させ、それと
連動して交差相関光の強度変化を計測する。これによ
り、測定試料7のある領域からの発光の時間分解スペク
トルが計測できることになる。
【0018】さらに、測定試料7の別の領域における発
光の時間分解スペクトルを計測するため、回転ステージ
21の角度、分光器24の波長を、制御器26にて任意
に設定し、上記した操作を繰り返し行うことで、測定試
料7の各領域からの発光の時間分解スペクトルが測定さ
れることになり、それらを対比させることで測定試料7
中のキャリアの伝導時間を評価できることになる。
光の時間分解スペクトルを計測するため、回転ステージ
21の角度、分光器24の波長を、制御器26にて任意
に設定し、上記した操作を繰り返し行うことで、測定試
料7の各領域からの発光の時間分解スペクトルが測定さ
れることになり、それらを対比させることで測定試料7
中のキャリアの伝導時間を評価できることになる。
【0019】図3は、上記した測定方法および装置によ
り実測したもので、試料7から放出される発光および光
パルスの時間分解スペクトルを示すグラフである。以下
においては、便宜的に測定試料7を電気パルスの入力端
から出力端にかけてA,B,Cの材料、すなわち、3つ
の領域から構成されているものと想定して説明を行う。
従って、キャリアは、試料中A,B,Cの順に走行する
ことになる。
り実測したもので、試料7から放出される発光および光
パルスの時間分解スペクトルを示すグラフである。以下
においては、便宜的に測定試料7を電気パルスの入力端
から出力端にかけてA,B,Cの材料、すなわち、3つ
の領域から構成されているものと想定して説明を行う。
従って、キャリアは、試料中A,B,Cの順に走行する
ことになる。
【0020】図3のグラフにおいて、光パルスの時間分
解スペクトルは、電気パルス発生素子5の表面における
ポンプ光パルスの散乱光と、プローブ光パルスとの自己
相関により得られ、その強度が最大となる時刻t0 、す
なわち電気パルスが測定試料7に印加された時刻が高精
度に決定される。
解スペクトルは、電気パルス発生素子5の表面における
ポンプ光パルスの散乱光と、プローブ光パルスとの自己
相関により得られ、その強度が最大となる時刻t0 、す
なわち電気パルスが測定試料7に印加された時刻が高精
度に決定される。
【0021】ポンプ光パルスの照射により素子5におい
て発生した電気パルスは、測定試料7に印加され、発生
したキャリアは、測定試料7のA領域を伝導する。この
とき、A領域における発光再結合過程、あるいは高電界
効果などにより、材料Aのバンドギャップを反映した発
光が生じる。この発光光とプローブ光パルスとの交差相
関による時間分解スペクトル強度は、時間原点よりやや
遅れて立ち上がり始め、時刻と共に増加し、ある時刻に
おいて最大点に達し、その後、緩やかに減少する。時間
分解スペクトル強度の立ち上がる時刻は、測定試料に電
気パルスが印加され、キャリアが試料に注入され始める
時刻(tA r)に対応する。つづいて、スペクトルが最大
点に達する時刻は、キャリアが領域Aに十分注入された
時刻(tA (max))に対応する。また、立ち下がる
過程は、キャリアが領域AからBへ流出していく過程を
反映するものである。したがって、立ち上がり時刻(t
A r)と立ち下がり時刻(tA f)の差の時間が、キャ
リアが領域Aを伝導する時間になる。
て発生した電気パルスは、測定試料7に印加され、発生
したキャリアは、測定試料7のA領域を伝導する。この
とき、A領域における発光再結合過程、あるいは高電界
効果などにより、材料Aのバンドギャップを反映した発
光が生じる。この発光光とプローブ光パルスとの交差相
関による時間分解スペクトル強度は、時間原点よりやや
遅れて立ち上がり始め、時刻と共に増加し、ある時刻に
おいて最大点に達し、その後、緩やかに減少する。時間
分解スペクトル強度の立ち上がる時刻は、測定試料に電
気パルスが印加され、キャリアが試料に注入され始める
時刻(tA r)に対応する。つづいて、スペクトルが最大
点に達する時刻は、キャリアが領域Aに十分注入された
時刻(tA (max))に対応する。また、立ち下がる
過程は、キャリアが領域AからBへ流出していく過程を
反映するものである。したがって、立ち上がり時刻(t
A r)と立ち下がり時刻(tA f)の差の時間が、キャ
リアが領域Aを伝導する時間になる。
【0022】次に、領域Bにおける発光とプローブ光パ
ルスとの交差相関光強度が最も効率的に発生するように
回転ステージ21の角度を設定し、領域Bにおける発光
の時間分解スペクトルを測定する。時間分解スペクトル
強度の変化は、領域Aにおけるものと同様の変化を示
し、立ち上がり時刻(tB r)と立ち下がり時刻(tB f)
との差の時間から、領域Bをキャリアが走行する時間を
求めることができる。また、立ち上がり時刻(tB r)
が、領域Aの時間分解スペクトルの立ち下がり時刻(t
A f)にほぼ一致していることは、キャリアが領域Aから
流出すると共に領域Bへ伝導し始めることを表してい
る。したがって、領域A,Bの時間分解スペクトルの立
ち上がり時刻の差からも領域Aをキャリアが伝導する時
間を求めることが可能になる。
ルスとの交差相関光強度が最も効率的に発生するように
回転ステージ21の角度を設定し、領域Bにおける発光
の時間分解スペクトルを測定する。時間分解スペクトル
強度の変化は、領域Aにおけるものと同様の変化を示
し、立ち上がり時刻(tB r)と立ち下がり時刻(tB f)
との差の時間から、領域Bをキャリアが走行する時間を
求めることができる。また、立ち上がり時刻(tB r)
が、領域Aの時間分解スペクトルの立ち下がり時刻(t
A f)にほぼ一致していることは、キャリアが領域Aから
流出すると共に領域Bへ伝導し始めることを表してい
る。したがって、領域A,Bの時間分解スペクトルの立
ち上がり時刻の差からも領域Aをキャリアが伝導する時
間を求めることが可能になる。
【0023】同様に領域Cにおける時間分解スペクトル
から、キャリアが領域Cを伝導する時間を、求めること
が可能である。
から、キャリアが領域Cを伝導する時間を、求めること
が可能である。
【0024】本実施例においては、すでに述べたよう
に、測定半導体試料中においてキャリアが伝導し、試料
の各領域を通過する際、発光再結合あるいは高電界効果
などによる試料の各領域固有の発光現象の時間分解能測
定を行い、時間遅延の比較からキャリアの伝導時間を求
める方法である。すなわち、従来例のように電気応答波
形検出素子に設けられる非線形光学結晶の寸法やプロー
ブ光パルスの空間的広がりによる空間分解能の制限が無
く、微細構造試料中の各領域におけるキャリアの伝導時
間の測定が可能となる。したがって、測定試料に関して
は上記したような1つの測定試料および測定試料が3つ
の領域から構成されるといった条件に限定されることは
なく、測定試料の個数、測定試料の構成領域が任意に選
択できることは明白である。
に、測定半導体試料中においてキャリアが伝導し、試料
の各領域を通過する際、発光再結合あるいは高電界効果
などによる試料の各領域固有の発光現象の時間分解能測
定を行い、時間遅延の比較からキャリアの伝導時間を求
める方法である。すなわち、従来例のように電気応答波
形検出素子に設けられる非線形光学結晶の寸法やプロー
ブ光パルスの空間的広がりによる空間分解能の制限が無
く、微細構造試料中の各領域におけるキャリアの伝導時
間の測定が可能となる。したがって、測定試料に関して
は上記したような1つの測定試料および測定試料が3つ
の領域から構成されるといった条件に限定されることは
なく、測定試料の個数、測定試料の構成領域が任意に選
択できることは明白である。
【0025】また、本実施例においては、測定試料から
放出される発光の強度の時間変化そのものを測定するの
では無く、非線形光学結晶中における光パルスと発光光
との、非線形光学効果によって変換された交差相関光を
測定するものである。すなわち、本実施例における時間
分解能は、光パルスの時間幅、非線形光学結晶の寸法お
よび材質、光学遅延路における光路差量にて決定され
る。したがって、要求する時間分解能、相関光強度に応
じて、任意に光パルスの時間幅、非線形光学結晶の種
類、寸法および、光学遅延路12における光路差量を任
意に設定できることは明白である。
放出される発光の強度の時間変化そのものを測定するの
では無く、非線形光学結晶中における光パルスと発光光
との、非線形光学効果によって変換された交差相関光を
測定するものである。すなわち、本実施例における時間
分解能は、光パルスの時間幅、非線形光学結晶の寸法お
よび材質、光学遅延路における光路差量にて決定され
る。したがって、要求する時間分解能、相関光強度に応
じて、任意に光パルスの時間幅、非線形光学結晶の種
類、寸法および、光学遅延路12における光路差量を任
意に設定できることは明白である。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、測定半
導体試料に極短電気パルスを印加することでキャリアを
走行させ、キャリアが測定試料の各領域を伝導する際発
生する発光の時間分解測定を行い、各領域固有の時間分
解スペクトルを比較し、その遅延時間差からキャリアの
伝導時間を算出するようにしたので、従来不可能であっ
た、測定試料内部の各領域個々におけるキャリアの伝導
時間の測定が可能となる効果を有する。
導体試料に極短電気パルスを印加することでキャリアを
走行させ、キャリアが測定試料の各領域を伝導する際発
生する発光の時間分解測定を行い、各領域固有の時間分
解スペクトルを比較し、その遅延時間差からキャリアの
伝導時間を算出するようにしたので、従来不可能であっ
た、測定試料内部の各領域個々におけるキャリアの伝導
時間の測定が可能となる効果を有する。
【図1】従来のキャリア伝導時間測定装置の構成図であ
る。
る。
【図2】本発明のキャリア伝導時間測定装置の構成図で
ある。
ある。
【図3】本発明のキャリア伝導時間測定装置による光パ
ルスと測定試料中の各領域における発光の時間分解測定
例を示すグラフである。
ルスと測定試料中の各領域における発光の時間分解測定
例を示すグラフである。
1 極短光パルス光源 2 光学分岐素子 3 光軸 4 光軸 5 極短電気パルス発生用素子 6 光学系 7 測定試料 11 光検出器 12 光学遅延路 13 信号解析装置 20 非線形光学結晶 21 回転ステージ 22 光学系 23 光学系 24 分光器 25 光学系 26 制御器
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体試料に電気パルスを印加すること
により、前記半導体試料からの発光を生じさせ、 前記半導体試料から発光した光と前記電気パルスに同期
したレーザ光との交差相関光を非線形光学結晶により発
生させ、 前記交差相関光の時間変化を計測し、この計測値から前
記半導体試料中のキャリア伝導時間を算出する、ことを
特徴とするキャリア伝導時間測定方法。 - 【請求項2】 電気パルスを発生させる電気パルス発生
手段と、 前記電気パルスに同期したレーザ光を発生させる同期レ
ーザ光発生手段と、 前記電気パルスを半導体試料に印加することにより生ず
る半導体試料からの発光と、前記同期レーザ光とを同時
に非線形光学結晶に入射させることにより、前記発光光
と前記同期レーザ光との交差相関光を発生させる交差相
関光発生手段と、 前記交差相関光の時間変化を自動計測することで、前記
半導体試料中のキャリアの伝導時間を算出する計測・算
出手段と、 を有するキャリア伝導時間測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5036753A JP2705021B2 (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | キャリア伝導時間測定方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5036753A JP2705021B2 (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | キャリア伝導時間測定方法および装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06249780A JPH06249780A (ja) | 1994-09-09 |
JP2705021B2 true JP2705021B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=12478503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5036753A Expired - Fee Related JP2705021B2 (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | キャリア伝導時間測定方法および装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2705021B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10196101T1 (de) * | 2000-04-21 | 2003-04-03 | Advantest Corp | Verfahren und Vorrichtung zum Prüfen von Schaltungen |
JP6040162B2 (ja) * | 2011-11-25 | 2016-12-07 | 学校法人慶應義塾 | 偏波解析装置、偏波解析方法、物性測定装置、及び物性測定方法 |
-
1993
- 1993-02-25 JP JP5036753A patent/JP2705021B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06249780A (ja) | 1994-09-09 |
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