JP2699695B2 - 化学気相成長法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は化学気相成長法に関し、
特にシリコン酸化膜の形成方法に関する。
特にシリコン酸化膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の化学気相成長法は、ソー
スガスとしてテトラエチルオルソシリケート（化学式Ｓ
ｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）を用い、常圧でシリコン酸化膜を
形成する方法がある。すなわち、ソースガスとしてテト
ラエチルオルソシリケート（化学式Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）
4 ）、またドーピングガスとしてトリメトキシリン酸
（化学式ＰＯ（ＯＣＨ3 ）3 ）、トリメトキシボロン
（化学式Ｂ（ＯＣＨ3 ）3 ）を用い、チャンバー内でオ
ゾン発生器で発生させたオゾンを混合し、リン、ホウ素
含有シリコン酸化膜を形成していた。また、ドーピング
ガスを用いずにシリコン酸化膜の形成も行っていた（電
気化学および工業物理化学、ｖｏｌ５６、Ｎｏ７（１９
８８）、Ｐ５２７）。
スガスとしてテトラエチルオルソシリケート（化学式Ｓ
ｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）を用い、常圧でシリコン酸化膜を
形成する方法がある。すなわち、ソースガスとしてテト
ラエチルオルソシリケート（化学式Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）
4 ）、またドーピングガスとしてトリメトキシリン酸
（化学式ＰＯ（ＯＣＨ3 ）3 ）、トリメトキシボロン
（化学式Ｂ（ＯＣＨ3 ）3 ）を用い、チャンバー内でオ
ゾン発生器で発生させたオゾンを混合し、リン、ホウ素
含有シリコン酸化膜を形成していた。また、ドーピング
ガスを用いずにシリコン酸化膜の形成も行っていた（電
気化学および工業物理化学、ｖｏｌ５６、Ｎｏ７（１９
８８）、Ｐ５２７）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のオゾン
存在下でシリコン酸化膜を形成する方法は、以下の問題
点があった。すなわち、成膜温度が３５０〜４００℃と
高いにもかかわらず、形成された膜は良質なものとはい
えない。これは、ソースガスの分解温度が高いために加
熱による縮重合が不充分であることから、この程度の温
度では良質なシリコン酸化膜を得ることはできない。ま
た、従来の方法で形成したシリコン酸化膜は、その内部
応力が約１×１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 の強い引張応力であ
り、成膜温度が３５０〜４００℃と高いことから、厚膜
を形成したり多層化したりすると熱応力に起因する亀裂
が生じ、実用化は難しいものである。さらに、成膜温度
が高いことから、例えばアルミニウム配線上に形成した
時には、配線表面にヒロックと呼ばれる突起物が生成し
て上層配線と短縮してしまい、著しく製造歩留りを低下
させてしまうという問題も有している。
存在下でシリコン酸化膜を形成する方法は、以下の問題
点があった。すなわち、成膜温度が３５０〜４００℃と
高いにもかかわらず、形成された膜は良質なものとはい
えない。これは、ソースガスの分解温度が高いために加
熱による縮重合が不充分であることから、この程度の温
度では良質なシリコン酸化膜を得ることはできない。ま
た、従来の方法で形成したシリコン酸化膜は、その内部
応力が約１×１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 の強い引張応力であ
り、成膜温度が３５０〜４００℃と高いことから、厚膜
を形成したり多層化したりすると熱応力に起因する亀裂
が生じ、実用化は難しいものである。さらに、成膜温度
が高いことから、例えばアルミニウム配線上に形成した
時には、配線表面にヒロックと呼ばれる突起物が生成し
て上層配線と短縮してしまい、著しく製造歩留りを低下
させてしまうという問題も有している。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の化学気相成長法
は、アルコキシシラン（化学式Ｓｉ（ＯＲ）4 、Ｒ：ア
ルキル基）又はその重合体をソースガスとして用い、フ
ルオロアルコキシシラン（化学式Ｓｉ（ＯＲ’）n Ｆ
4-n 、Ｒ’：アルキル基、ｎ：１〜３の整数）を添加せ
しめることによって、フッ素を含有するシリコン酸化膜
を低温で形成することを特徴とする。
は、アルコキシシラン（化学式Ｓｉ（ＯＲ）4 、Ｒ：ア
ルキル基）又はその重合体をソースガスとして用い、フ
ルオロアルコキシシラン（化学式Ｓｉ（ＯＲ’）n Ｆ
4-n 、Ｒ’：アルキル基、ｎ：１〜３の整数）を添加せ
しめることによって、フッ素を含有するシリコン酸化膜
を低温で形成することを特徴とする。
【０００５】さらに、上記フッ素を含有するシリコン酸
化膜を形成する際に、有機リン、有機ホウ素等のリン原
子、ホウ素原子を含有する化合物のうちの少くとも１つ
を気化させてドーピングガスとして用い、上記フッ素を
含有するシリコン酸化膜中にリン又はホウ素を添加せし
めることを特徴とする。
化膜を形成する際に、有機リン、有機ホウ素等のリン原
子、ホウ素原子を含有する化合物のうちの少くとも１つ
を気化させてドーピングガスとして用い、上記フッ素を
含有するシリコン酸化膜中にリン又はホウ素を添加せし
めることを特徴とする。
【０００６】さらに、上記のフッ素含有シリコン酸化膜
は、オゾンガスの存在下、又は紫外光照射下、又はガス
プラズマの存在下で形成せしめることを特徴とする。
は、オゾンガスの存在下、又は紫外光照射下、又はガス
プラズマの存在下で形成せしめることを特徴とする。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１の実施例に基づくフッ素含有シ
リコン酸化膜形成のための装置の概略図である。同図に
おいて、Ｏ2 ガスを流量コントローラー１０６で流量を
１０ＳＬＭにコントロールし、オゾン発生器１０５に導
入し、約２００００ｐｐｍの濃度のオゾンを発生させ、
ディスパージョンヘッド１０４から反応室に導入する。
同時にＮ2 ガスを流量コントローラー１０７に導入し、
流量コントローラー１０８、１０９でそれぞれ流量２Ｓ
ＬＭにコントロールし、バブラー１１０、１１１に導入
し、それぞれ６０℃の温度に保たれたテトラエチルオル
ソシリケート（Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）、フルオロトリ
エトキシシラン（ＦＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 ）を気化させ
た後、ディスパージョンヘッド１０４から反応室に導入
する。これらのガスは反応室内で混合され、加熱用ヒー
タ１０２で２００℃の温度に保たれたサセプター１０３
上の半導体基板１０１上で成膜される。
る。図１は本発明の第１の実施例に基づくフッ素含有シ
リコン酸化膜形成のための装置の概略図である。同図に
おいて、Ｏ2 ガスを流量コントローラー１０６で流量を
１０ＳＬＭにコントロールし、オゾン発生器１０５に導
入し、約２００００ｐｐｍの濃度のオゾンを発生させ、
ディスパージョンヘッド１０４から反応室に導入する。
同時にＮ2 ガスを流量コントローラー１０７に導入し、
流量コントローラー１０８、１０９でそれぞれ流量２Ｓ
ＬＭにコントロールし、バブラー１１０、１１１に導入
し、それぞれ６０℃の温度に保たれたテトラエチルオル
ソシリケート（Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）、フルオロトリ
エトキシシラン（ＦＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 ）を気化させ
た後、ディスパージョンヘッド１０４から反応室に導入
する。これらのガスは反応室内で混合され、加熱用ヒー
タ１０２で２００℃の温度に保たれたサセプター１０３
上の半導体基板１０１上で成膜される。
【０００８】本装置によってシリコン基板上に厚さ約１
μｍのフッ素含有シリコン酸化膜を形成し、その膜特性
を調べた。まず、形成した膜をＸ線光電子分光分析によ
って膜の組成を調べた結果、その組成はＳｉＯ1.85Ｆ
0.15であり、フッ素原子は厚さ方向にほぼ均一に分布し
ていることがわかった。次に、膜の物理・化学特性、電
気特性について調べた。形成した膜の屈折率は約１．４
２５であり、従来法で形成した膜の屈折率１．４５に比
べて小さい値であった。
μｍのフッ素含有シリコン酸化膜を形成し、その膜特性
を調べた。まず、形成した膜をＸ線光電子分光分析によ
って膜の組成を調べた結果、その組成はＳｉＯ1.85Ｆ
0.15であり、フッ素原子は厚さ方向にほぼ均一に分布し
ていることがわかった。次に、膜の物理・化学特性、電
気特性について調べた。形成した膜の屈折率は約１．４
２５であり、従来法で形成した膜の屈折率１．４５に比
べて小さい値であった。
【０００９】図２は本実施例と従来法とを比較した図
で、本実施例によりシリコン基板上に基板温度２００℃
で形成したフッ素含有シリコン酸化膜の赤外吸収スペク
トル（ａ）と、従来法により基板温度４００℃で形成し
たフッ素を含有しないシリコン酸化膜の赤外吸収スペク
トル（ｂ）を示している。同図において、本実施例に基
づくフッ素含有シリコン酸化膜のＳｉ−Ｏ結合による吸
収ピーク位置は、波数約１０８０ｃｍ-1にあり、これは
従来法によって形成したシリコン酸化膜のＳｉ−Ｏ結合
による吸収ピーク位置（波数約１０６７ｃｍ-1）に比べ
て大きい値である。これは、本実施例に基づくフッ素含
有シリコン酸化膜のＳｉ−Ｏ結合が、従来法によって形
成したシリコン酸化膜のそれよりも、そのＳｉ−Ｏ結合
が強い結合であることを示している。
で、本実施例によりシリコン基板上に基板温度２００℃
で形成したフッ素含有シリコン酸化膜の赤外吸収スペク
トル（ａ）と、従来法により基板温度４００℃で形成し
たフッ素を含有しないシリコン酸化膜の赤外吸収スペク
トル（ｂ）を示している。同図において、本実施例に基
づくフッ素含有シリコン酸化膜のＳｉ−Ｏ結合による吸
収ピーク位置は、波数約１０８０ｃｍ-1にあり、これは
従来法によって形成したシリコン酸化膜のＳｉ−Ｏ結合
による吸収ピーク位置（波数約１０６７ｃｍ-1）に比べ
て大きい値である。これは、本実施例に基づくフッ素含
有シリコン酸化膜のＳｉ−Ｏ結合が、従来法によって形
成したシリコン酸化膜のそれよりも、そのＳｉ−Ｏ結合
が強い結合であることを示している。
【００１０】また、同図において、波数３４００ｃｍ-1
付近に見られるＯＨ基による吸収ピークの大きさは、従
来法で形成したシリコン酸化膜に比べて本実施例に基づ
くフッ素含有シリコン酸化膜よりも大きいことがわか
る。これは、本実施例に基づくフッ素含有シリコン酸化
膜の含有水分量が小さいことを示している。これらの赤
外吸収スペクトルから得られた結果から、本実施例に基
ずくフッ素含有シリコン酸化膜は２００℃の低温で形成
しているにもかかわらず、４００℃で形成した従来のシ
リコン酸化膜に比べて良質な膜であることを示してい
る。
付近に見られるＯＨ基による吸収ピークの大きさは、従
来法で形成したシリコン酸化膜に比べて本実施例に基づ
くフッ素含有シリコン酸化膜よりも大きいことがわか
る。これは、本実施例に基づくフッ素含有シリコン酸化
膜の含有水分量が小さいことを示している。これらの赤
外吸収スペクトルから得られた結果から、本実施例に基
ずくフッ素含有シリコン酸化膜は２００℃の低温で形成
しているにもかかわらず、４００℃で形成した従来のシ
リコン酸化膜に比べて良質な膜であることを示してい
る。
【００１１】また、１：３０のバッファード弗酸による
エッチングレートを調べた結果、従来法で形成したシリ
コン酸化膜では約１０００オングストローム／分あった
が、本実施例に基ずくフッ素含有シリコン酸化膜では、
約８００オングストローム／分であった。このことは、
本実施例に基づくフッ素含有シリコン酸化膜が、従来法
で形成したシリコン酸化膜に比べて緻密であることを示
している。膜中応力は、本実施例に基づくフッ素含有シ
リコン酸化膜では２×１０8ｄｙｎ／ｃｍ2 であり、従
来法で形成したシリコン酸化膜の膜中応力（１×１０9
ｄｙｎ／ｃｍ2 ）に比べて約１桁小さい値であった。
エッチングレートを調べた結果、従来法で形成したシリ
コン酸化膜では約１０００オングストローム／分あった
が、本実施例に基ずくフッ素含有シリコン酸化膜では、
約８００オングストローム／分であった。このことは、
本実施例に基づくフッ素含有シリコン酸化膜が、従来法
で形成したシリコン酸化膜に比べて緻密であることを示
している。膜中応力は、本実施例に基づくフッ素含有シ
リコン酸化膜では２×１０8ｄｙｎ／ｃｍ2 であり、従
来法で形成したシリコン酸化膜の膜中応力（１×１０9
ｄｙｎ／ｃｍ2 ）に比べて約１桁小さい値であった。
【００１２】電気的特性については、膜上に約４ｍｍ2
の面積のアルミニウム電極を形成し測定を行った。この
試料に５Ｖの電圧を印加した時のリーク電流密度は、本
実施例に基づくフッ素含有シリコン酸化膜では、約５×
１０-11 Ａ／ｃｍ2 であり、これは、従来法で形成した
シリコン酸化膜のリーク電流密度（約２×１０-10 Ａ／
ｃｍ2 ）に比べて小さい値であった。さらに、周波数１
ＭＨｚにおける容量−電圧特性から求めた比誘電率は、
本実施例に基づくフッ素含有シリコン酸化膜では約３．
７であり、従来法で形成したシリコン酸化膜の比誘電率
４．１に比べて小さい値であった。
の面積のアルミニウム電極を形成し測定を行った。この
試料に５Ｖの電圧を印加した時のリーク電流密度は、本
実施例に基づくフッ素含有シリコン酸化膜では、約５×
１０-11 Ａ／ｃｍ2 であり、これは、従来法で形成した
シリコン酸化膜のリーク電流密度（約２×１０-10 Ａ／
ｃｍ2 ）に比べて小さい値であった。さらに、周波数１
ＭＨｚにおける容量−電圧特性から求めた比誘電率は、
本実施例に基づくフッ素含有シリコン酸化膜では約３．
７であり、従来法で形成したシリコン酸化膜の比誘電率
４．１に比べて小さい値であった。
【００１３】次に本発明の第２の実施例について図面を
用いて説明する。図３は第２の実施例であるフッ素含有
シリコン酸化膜形成のためのプラズマ化学気相成長装置
の概略図である。同図において、反応室３０１は一定圧
力になるように排気されており、流量コントローラー３
０６を介してＯ2 ガスが反応室３０１に導入されてい
る。カソード電極３０３には周波数１３．５６ＭＨｚの
高周波電力が供給される。アノード電極３０２は接地さ
れており、加熱用ヒータ３０４によって半導体基板３０
５は一定温度に保たれている。反応ガスとしては、テト
ラエチルオルソシリケート（Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）
と、フルオロトリエトキシシラン（ＦＳｉ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）3 ）とが、それぞれバブラー３０９、３１０に
よって気化され、反応室に導入される。バブラー３０
９、３１０には、それぞれ流量コントローラ３０７、３
０８を通してＮ2 ガスが導入されている。
用いて説明する。図３は第２の実施例であるフッ素含有
シリコン酸化膜形成のためのプラズマ化学気相成長装置
の概略図である。同図において、反応室３０１は一定圧
力になるように排気されており、流量コントローラー３
０６を介してＯ2 ガスが反応室３０１に導入されてい
る。カソード電極３０３には周波数１３．５６ＭＨｚの
高周波電力が供給される。アノード電極３０２は接地さ
れており、加熱用ヒータ３０４によって半導体基板３０
５は一定温度に保たれている。反応ガスとしては、テト
ラエチルオルソシリケート（Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）
と、フルオロトリエトキシシラン（ＦＳｉ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）3 ）とが、それぞれバブラー３０９、３１０に
よって気化され、反応室に導入される。バブラー３０
９、３１０には、それぞれ流量コントローラ３０７、３
０８を通してＮ2 ガスが導入されている。
【００１４】本実施例では、成膜条件として、基板温度
２００℃、反応室内圧力０．３ｔｏｒｒ、高周波電力密
度０．５Ｗ／ｃｍ2 なる条件で、厚さ約１μｍのフッ素
含有シリコン酸化膜を形成した。形成したフッ素含有シ
リコン酸化膜の膜質を調べた結果、第１の実施例で述べ
た結果と同等の結果が得られた。
２００℃、反応室内圧力０．３ｔｏｒｒ、高周波電力密
度０．５Ｗ／ｃｍ2 なる条件で、厚さ約１μｍのフッ素
含有シリコン酸化膜を形成した。形成したフッ素含有シ
リコン酸化膜の膜質を調べた結果、第１の実施例で述べ
た結果と同等の結果が得られた。
【００１５】なお、第１及び第２の実施例においては、
フッ素含有シリコン酸化膜への不純物添加は行っていな
いが、必要に応じてリン又はホウ素のうちの少なくとも
１つを有する有機ソース、例えば、トリメトキシリン酸
（ＰＯ（ＯＣＨ3 ）3 ）、又はトリメトキシボロン（Ｂ
（ＯＣＨ3 ）3 ）等を同様にバブリングによって気化せ
しめてドーピングガスとして用い、リン又はホウ素のう
ちの少なくとも１つをフッ素含有シリコン酸化膜に添加
することができる。さらに、成膜温度は２００℃以上で
良く、また、その他の成膜条件は必要に応じて変化させ
ることができる。また、本発明は本実施例で述べた以
外、例えばガスプラズマ等の熱化学気相成長法、紫外光
を用いる光化学気相成長法などにも適用できるものであ
る。
フッ素含有シリコン酸化膜への不純物添加は行っていな
いが、必要に応じてリン又はホウ素のうちの少なくとも
１つを有する有機ソース、例えば、トリメトキシリン酸
（ＰＯ（ＯＣＨ3 ）3 ）、又はトリメトキシボロン（Ｂ
（ＯＣＨ3 ）3 ）等を同様にバブリングによって気化せ
しめてドーピングガスとして用い、リン又はホウ素のう
ちの少なくとも１つをフッ素含有シリコン酸化膜に添加
することができる。さらに、成膜温度は２００℃以上で
良く、また、その他の成膜条件は必要に応じて変化させ
ることができる。また、本発明は本実施例で述べた以
外、例えばガスプラズマ等の熱化学気相成長法、紫外光
を用いる光化学気相成長法などにも適用できるものであ
る。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、有機ソー
スを用いる化学気相成長法において、フルオロアルコキ
シシランを添加することによって、低温で膜特性の優れ
たシリコン酸化膜を形成することが可能となる。さら
に、低温形成にもかかわらず含有水分を減少させること
が可能となる。従って半導体装置に用いた場合には、そ
の信頼性を著しく向上せしめることが可能となる。
スを用いる化学気相成長法において、フルオロアルコキ
シシランを添加することによって、低温で膜特性の優れ
たシリコン酸化膜を形成することが可能となる。さら
に、低温形成にもかかわらず含有水分を減少させること
が可能となる。従って半導体装置に用いた場合には、そ
の信頼性を著しく向上せしめることが可能となる。
【００１７】また、アルミニウム配線等の多層配線層間
絶縁膜として用いる場合には、成膜温度が低いこと、緻
密な膜であること膜応力が小さいことなどから、厚膜を
形成しても亀裂の発生がなく、さらに、アルミニウムの
ヒロックの発生も全くない。従って、多層配線を有する
半導体装置の製造歩留り及び信頼性を著しく向上せしめ
ることができるという利点も有している。
絶縁膜として用いる場合には、成膜温度が低いこと、緻
密な膜であること膜応力が小さいことなどから、厚膜を
形成しても亀裂の発生がなく、さらに、アルミニウムの
ヒロックの発生も全くない。従って、多層配線を有する
半導体装置の製造歩留り及び信頼性を著しく向上せしめ
ることができるという利点も有している。
【図１】本発明の第１の実施例であるフッ素含有シリコ
ン酸化膜形成のための装置の概略図である。
ン酸化膜形成のための装置の概略図である。
【図２】第１の実施例と従来法とを比較するための赤外
吸収スペクトル図である。
吸収スペクトル図である。
【図３】本発明の第２の実施例であるフッ素含有シリコ
ン酸化膜形成のためのプラズマ化学気相成長装置の概略
図である。
ン酸化膜形成のためのプラズマ化学気相成長装置の概略
図である。
１０１ 半導体基板 １０２ 加熱用ヒータ １０３ サセプター １０４ ディスパージョンヘッド １０５ オゾン発生器 １０６ 流量コントローラー（Ｏ2 ガス） １０７ 流量コントローラー（Ｎ2 ガス） １０８ 流量コントローラー（テトラエチルオルソシ
リケート） １０９ 流量コントローラー（フルオロトリエトキシ
シラン） １１０ バブラー（テトラエチルオルソシリケート） １１１ バブラー（フルオロトリエトキシシラン） ３０１ 反応室 ３０２ アノード電極 ３０３ カソード電極 ３０４ 加熱用ヒータ ３０５ 半導体基板 ３０６ 流量コントローラー ３０７ 流量コントローラー ３０８ 流量コントローラー ３０９ バブラー（テトラエチルオルソシリケート） ３１０ バブラー（フルオロトリエトキシシラン）
リケート） １０９ 流量コントローラー（フルオロトリエトキシ
シラン） １１０ バブラー（テトラエチルオルソシリケート） １１１ バブラー（フルオロトリエトキシシラン） ３０１ 反応室 ３０２ アノード電極 ３０３ カソード電極 ３０４ 加熱用ヒータ ３０５ 半導体基板 ３０６ 流量コントローラー ３０７ 流量コントローラー ３０８ 流量コントローラー ３０９ バブラー（テトラエチルオルソシリケート） ３１０ バブラー（フルオロトリエトキシシラン）
Claims (3)
- 【請求項１】 アルコキシシラン又はその重合体をソー
スガスとして用い、フルオロアルコキシシランを添加せ
しめることによってフッ素を含有するシリコン酸化膜を
形成することを特徴とする化学気相成長法。 - 【請求項２】 前記フッ素を含有するシリコン酸化膜を
形成する際に、有機リン、有機ホウ素等のリン原子、ホ
ウ素原子を含有する化合物のうちの少くとも１つを気化
させ、前記フッ素を含有するシリコン酸化膜中にリン又
はホウ素を添加せしめる請求項１記載の化学気相成長
法。 - 【請求項３】 前記フッ素含有シリコン酸化膜は、オゾ
ンガスの存在下、又は紫外光照射下、又はガスプラズマ
の存在下で形成せしめる請求項１記載の化学気相成長
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3136426A JP2699695B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 化学気相成長法 |
| US07/894,584 US5288518A (en) | 1991-06-07 | 1992-06-05 | Chemical vapor deposition method for forming fluorine containing silicon oxide film |
| KR1019920009794A KR960013151B1 (ko) | 1991-06-07 | 1992-06-05 | 산화규소 막을 형성시키기 위한 화학 증착법 |
| DE69226814T DE69226814T2 (de) | 1991-06-07 | 1992-06-05 | CVD-Methode zur Bildung eines Siliziumoxydfilms |
| EP92305192A EP0517548B1 (en) | 1991-06-07 | 1992-06-05 | Chemical vapor deposition method for forming silicon oxide film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3136426A JP2699695B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 化学気相成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04360533A JPH04360533A (ja) | 1992-12-14 |
| JP2699695B2 true JP2699695B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=15174876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3136426A Expired - Fee Related JP2699695B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 化学気相成長法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
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| EP (1) | EP0517548B1 (ja) |
| JP (1) | JP2699695B2 (ja) |
| KR (1) | KR960013151B1 (ja) |
| DE (1) | DE69226814T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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