JP2697728B2 - Active matrix substrate manufacturing method - Google Patents
Active matrix substrate manufacturing methodInfo
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明のソーダガラス、ホウ
ケイ酸ガラス、あるいは石英等の透明基板上に少なくと
も多結晶シリコンあるいはアモルファスシリコンを主構
成部材としてなるアクティブマトリクス基板の製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年平板型液晶デイスプレーは腕時計、
電卓、玩具を始めとして自動車、計測器、情報機器端末
へと応用分野が拡大されつつあり、特に最近においては
半導体集積回路技術によってＳｉ基板上へステッチング
用トランジスタ回路をマトリクス状に形成しこのＳｉ基
板と透明ガラス板間に液晶を封入したテレビ画像表示用
の液晶ディスプレーパネルが開発されている。
【０００３】アクテイブマトリクス方式で液晶パネルを
構成した例では前記単結晶Ｓｉ基板を用いたものやガラ
ス基板上に薄膜トランジスタを形成したもの及びバリス
タ基板を用いたものなどが既に報告されているが中でも
大型パネル化ならびにコスト面から前記ガラス基板上に
薄膜トランジスタを形成してなるアクティブマトリクス
基板は将来有望な方式と考えられている。
【０００４】従来ガラス基板上に多結晶シリコン等を堆
積して形成される薄膜トランジスタは基板に対する熱制
約から低温プロセスを用いざるを得ないことは周知の通
りである。しかし前記薄膜トランジスタを用いてのアク
ティブマトリクス基板の場合アクティブマトリクス回路
はともかくとして周辺駆動回路は高周波動作を要求され
るため少なくとも移動度は単結晶シリコンに近いもので
なくてはならない。そのため周辺駆動回路は単結晶シリ
コン基板上に形成し、アクティブマトリクス基板にいわ
ゆる外づけすることが一般的である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の前記方
式では周辺駆動回路基板の製造費は勿論のことアクティ
ブマトリクス基板への外づけ費用を含めると当然の事な
がら大幅なコストアップにつながることは言うまでもな
い。又基板材として石英基板のように耐熱性を有する材
を用いてアクテイブマトリクス基板を形成した場合は１
０００℃以上の高温プロセスも可能となるため周辺駆動
回路を内蔵したアクティブマトリクス基板の製造は可能
となる。
【０００６】しかし、ここで一つ問題となるのは光リー
クについてである。本来平板液晶デイスプレーは携帯用
かつ野外用としての利用価値が大きく当然の事ながら太
陽光の下での使用頻度が多くなる。
【０００７】アクティブマトリクスＩＣ基板は直接太陽
光が表示面を照射するためにＩＣ基板内にも光が入射す
る。ＩＣ基板内への入射光は電子と正孔を発生させ基板
内に拡散しＰーＮ接合部に到達するとＰーＮ接合部に電
流が流れてしまう。すなわちこの光起電力効果はトラン
ジスタのソースドレインのＰーＮ接合部にリーク現象を
引き起こし、正しい画像表示が得られなくなり、画像が
ちらついたり消えたりする。このため前記光リーク現象
を押さえるための一手段としては基板の移動度を小さく
しリーク電流の低減を計ることであり、前述の如くアク
ティブマトリクス回路においてはそれがある程度可能で
あるからである。
【０００８】しかしながら前記高温プロセスは石英基板
上の多結晶シリコン全体を結晶化させることになり、当
然移動度が高くなり、光リークが増加し好ましい構造と
はいえない。
【０００９】又近来は周知の如くレーザー光あるいはＥ
Ｂ（エレクトロンビーム）を用いて無定型あるいは多結
晶のシリコン画に照射することにより、結晶化をはかっ
たり、あるいはイオン照射時のダメージを消去する技術
が開発されてきている。
【００１０】中でもレーザー加熱にはＣＷアルゴンレー
ザー、ＣＷクリプトンレーザー、パルスＹＡＧレーザ
ー、ＣＷ励起ＹＡＧレーザーなど種々の方式があり出
力、エネルギーあるいはスポット径をはじめとして生産
性安定性に至るまで構造上、動作上の本質的な違いを有
しており、目的による選択も重要な要素となる。
【００１１】このレーザ光を利用してのレーザーアニー
ル技術を用いれば、例えばガラス基板上に周辺駆動回路
を内蔵したアクティブマトリクス基板にレーザーアニー
ルし全体に移動度を高めることは可能となる。しかしレ
ーザーアニール効果はスポット径と照射時間によリスル
ープットが決定されるため基板全体にレーザーアニール
加工を行うと例えば１時間当たりの生産性は基板数枚程
度と小量であり効率の極めて悪い工程となってしまう。
【００１２】以上述べた如く光リークに強くしかも低価
格アクティブマトリクス基板を製造するに当たっては従
来方式における種々の欠点を改善する必要がある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は従来の欠点を除
去せしめるものであり、基板上に互いにマトリクス状に
配列されたデータ線及びゲート線と、該データ線及びゲ
ート線に接続された非単結晶シリコン薄膜トランジスタ
とを有するアクティブマトリクス表示部と、該ゲート線
の端部に設けられたゲート線駆動回路領域と、該データ
線の端部に設けられたデータ線駆動回路領域とを有し、
該ゲート線駆動回路領域及び該データ線駆動回路領域中
のトランジスタは非単結晶シリコン薄膜トランジスタか
らなるアクティブマトリクス基板の製造方法において、
該データ線駆動回路領域中の該非単結晶シリコン薄膜ト
ランジスタの非単結晶シリコン薄膜には、該データ線駆
動回路領域の長手方向に沿ってレーザーアニール照射を
行ない、該ゲート線駆動回路領域中の該非単結晶シリコ
ン薄膜トランジスタの非単結晶シリコン薄膜には、該ゲ
ート線駆動回路領域の長手方向に沿ってレーザーアニー
ル照射を行なうことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に本発明を下記に記す実施例に
基づいて詳細に説明する。
【００１５】（参考例１）
図１は本発明によるアクティブマトリクス基板であり、
ホウケイ酸ガラス基板１上にアクティブマトリクス回路
２を中心部に周辺駆動回路３を外周部に配置したもので
ある。
【００１６】図２（ａ）から（ｃ）は本発明のアクティ
ブマトリクス基板の製造過程を説明するための基板断面
図である。まず図２（ａ）の如くホウケイ酸ガラス基板
１上に６２５℃の減圧雰囲気中にて５０００Åの第１の
多結晶シリコン膜４を形成後該多結晶シリコン膜４をホ
トエッチングし部分的に開孔せしめる。次に基板上の周
辺部すなわち図１の周辺駆動回路３の領域内のみ図３
（ａ）の如くＣＷ励起ＹＡＧレーザーを光源としたビー
ム径２００μｍ、線速度５０ｃｍ／ｓｅｃでビームを左
右の方向にスキャンさせながら、しかも１から４の順序
にてレーザーアニール加工を行った。次に図２（ｂ）の
如くに全面にＣＶＤーＳｉＯ2 膜５を２０００Å堆積し
た後、前記第１の多結晶シリコン膜と同一形成方法で第
２の多結晶シリコン膜６を形成した後、多結晶シリコン
膜６のソースドレイン部の開孔をホトエッチングにて行
う。
【００１７】次に基板主面に１×１０／ｃｍ2 のリンイ
オンを照射し５５０℃１Ｈのフォーミングガス中にてア
ニールを行い拡散層を形成する。次に図２（ｃ）の如く
ＣＶＤーＳｉＯ2 膜７を形成した後コンタクトホールを
開孔し引き続き電極８の形成を行いアクティブマトリク
ス基板の形成を終了する。本実施例にもちいたアクティ
ブマトリクス回路のゲート及びデータ線のライン数は各
々２００本であり、本基板を用いてデーター線は約１Ｋ
ＭZ 、又ゲート線も２５ＫＭＨZ での動作が確認され液
晶表示ディスプレーとして充分な性能を有することが確
認されている。又レーザーアニール加工の効果としてア
ニールのスループットは従来に較べて数倍以上の向上を
見せており、さらに移動度はアクティブマトリクス回路
中では約１Ｏｃｍ／Ｖーｓｅｃであり、周辺駆動回路部
では約１００ｃｍ／Ｖーｓｅｃが得られている。
【００１８】（参考例２）
参考例１と同様に図１の多結晶シリコン膜を形成後ホト
エッチング２で部分的な開孔を行った後図３（ｂ）の如
く実施例１と同一条件にて周辺駆動回路の（１）と
（３）の領域をレーザーアニール加工した後周辺駆動回
路の（２）と（４）を（１）及び（３）に較べて低出力
の約１Ｊ／ｃｍ2 のエネルギー密度で照射した。すなわ
ち周辺駆動回路の（２）と（４）の領域はゲート線駆動
用であり、（１）及び（３）のデータ線用に較べて低周
波動作が可能なため周辺駆動回路部全体を同一エネルギ
ー密度で照射する必要性はなく本参考例の結果でもゲー
ト線を動作させるために充分な移動度を得ることが確認
され、しかも基板外周部の二辺は低エネルギー密度照射
のためスループットは参考例１に較べてさらに向上して
いる。
【００１９】（参考例３）
参考例１と同様に第１の多結晶シリコン膜を形成後ホト
エッチングにて部分的な開孔を行った後図３（ｃ）の如
く実施例１と同一条件にて周辺駆動回路の（１）と
（３）領域すなわちデータ線駆動回路領域のみをレーザ
ーアニールする。
【００２０】すなわち参考例（２）にて説明の如く特に
ゲート線のライン数の少ないアクティブマトリクス基板
については本方式でも充分対応が取れスループットの大
幅な向上が望める。
【００２１】（実施例１）
参考例１と同様に第１の多結晶シリコン膜を形成後ホト
エッチングにて部分的な開孔を行った後図３（ｄ）の如
く基板の周辺駆動回路領域へのレザーアニール照射をま
ず（１）の領域にビームを矢印の如く左右にスキャンさ
せて行い、つづいて基板を中心に対して９０度回転し
（２）の領域を（１）と同一方式にて照射し続いて同じ
方式にて基板を回転させて（３）（４）の領域を照射す
る。この方式では実施例１に較べビームのスキャン数が
大幅に減少できるため実施例１に較べてスループットが
向上できる利点を有する。
【００２２】以上実施例（１）から（４）にて説明した
如く、本発明は平板液晶ディスプレー等に用いられるア
クテイブマトリクス基板において、ガラス基板上にアク
ティブマトリクス回路と周辺駆動回路をワンチップ化す
ると同時にレーザーアニール技術を利用し駆動回路のみ
にレーザーアニール照射を行いアクティブマトリクス基
板に耐光リーク対策をほどこしたものであり、低コスト
でしかも光リークに強いアクテイブマトリクス基板の提
供を可能にしたものである。
【００２３】なお本実施例において透明基板としてホウ
ケイ酸ガラスを用いているが他にソーダガラスあるいは
石英板等の透明基板でも良く、さらにトランジスタ移動
度を高的手段としてレーザーアニールの他にＥＢ等にっ
いても効果は確認されており、これらの照射条件につい
ても目的に応じて自由に選択可能であり、なんら本発明
の目的から逸脱するものではない。
【００２４】
【発明の効果】上述の如く本発明は、基板上に互いにマ
トリクス状に配列されたデータ線及びゲート線と、該デ
ータ線及びゲート線に接続された非単結晶シリコン薄膜
トランジスタとを有するアクティブマトリクス表示部
と、該ゲート線の端部に設けられたゲート線駆動回路領
域と、該データ線の端部に設けられたデータ線駆動回路
領域とを有し、該ゲート線駆動回路領域及び該データ線
駆動回路領域中のトランジスタは非単結晶シリコン薄膜
トランジスタからなるアクティブマトリクス基板の製造
方法において、該データ線駆動回路領域中の該非単結晶
シリコン薄膜トランジスタの非単結晶シリコン薄膜に
は、該データ線駆動回路領域の長手方向に沿ってレーザ
ーアニール照射を行ない、該ゲート線駆動回路領域中の
該非単結晶シリコン薄膜トランジスタの非単結晶シリコ
ン薄膜には、該ゲート線駆動回路領域の長手方向に沿っ
てレーザーアニール照射を行なうことにより、各駆動回
路のトランジスタの移動度を高めることができ、各周辺
駆動回路の応答速度を高めることができる。また、レー
ザーアニール照射は、データ線駆動回路領域及びゲート
線駆動回路領域のそれぞれ長手方向に沿って行われるの
で、スキャン数を大幅に減少できるため、スループット
を向上させることができる。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix having at least polycrystalline silicon or amorphous silicon as a main component on a transparent substrate such as soda glass, borosilicate glass, or quartz. The present invention relates to a method for manufacturing a substrate. 2. Description of the Related Art In recent years, flat-panel liquid crystal displays have been used for watches,
Application fields are expanding to calculators, toys and other automobiles, measuring instruments, and information equipment terminals. In recent years, transistor circuits for stitching have been formed in a matrix form on a Si substrate by semiconductor integrated circuit technology. Liquid crystal display panels for displaying television images in which liquid crystal is sealed between a substrate and a transparent glass plate have been developed. In an example of a liquid crystal panel formed by an active matrix method, a liquid crystal panel using the single crystal Si substrate, a thin film transistor formed on a glass substrate, and a varistor substrate have already been reported. An active matrix substrate formed by forming a thin film transistor on the glass substrate is considered to be a promising method from the viewpoint of panel formation and cost. It is well known that a thin film transistor conventionally formed by depositing polycrystalline silicon or the like on a glass substrate has to use a low-temperature process due to thermal restrictions on the substrate. However, in the case of an active matrix substrate using the thin film transistor, the peripheral driving circuit is required to operate at a high frequency aside from the active matrix circuit, so that at least the mobility must be close to that of single crystal silicon. Therefore, it is general that the peripheral drive circuit is formed on a single crystal silicon substrate and is externally attached to the active matrix substrate. [0005] However, in the above-mentioned conventional method, not only the manufacturing cost of the peripheral drive circuit board but also the external mounting cost to the active matrix substrate is included, which naturally leads to a significant increase in cost. It goes without saying that it is connected. When the active matrix substrate is formed using a heat-resistant material such as a quartz substrate as the substrate material, 1
Since a high-temperature process of 000 ° C. or higher is possible, an active matrix substrate having a built-in peripheral drive circuit can be manufactured. However, one problem here is about light leakage. Originally, a flat liquid crystal display has a large utility value as a portable and outdoor use, and naturally, it is frequently used under sunlight. In the active matrix IC substrate, light directly enters the IC substrate because sunlight irradiates the display surface. Light incident on the IC substrate generates electrons and holes, diffuses into the substrate, and when it reaches the PN junction, a current flows through the PN junction. That is, this photovoltaic effect causes a leak phenomenon at the PN junction of the source and drain of the transistor, so that a correct image display cannot be obtained, and the image flickers or disappears. Therefore, as one means for suppressing the light leak phenomenon, the mobility of the substrate is reduced to reduce the leak current, and this is possible to some extent in the active matrix circuit as described above. However, the high temperature process causes the entire polycrystalline silicon on the quartz substrate to be crystallized, which naturally increases the mobility and increases the light leakage, which is not a preferable structure. Recently, as is well known, laser light or E
Techniques have been developed to irradiate amorphous or polycrystalline silicon images using B (electron beam) to crystallize or eliminate damage caused by ion irradiation. Among them, there are various types of laser heating such as CW argon laser, CW krypton laser, pulsed YAG laser, and CW-excited YAG laser. It has the above essential differences, and selection by purpose is also an important factor. If the laser annealing technique using the laser light is used, for example, it is possible to increase the mobility of the whole by performing laser annealing on an active matrix substrate having a built-in peripheral driving circuit on a glass substrate. However, since the laser annealing effect depends on the spot diameter and the irradiation time, the re-throughput is determined. If laser annealing is performed on the entire substrate, for example, the productivity per hour is as small as several substrates and the process is extremely inefficient. Will be. As described above, in manufacturing an active matrix substrate which is resistant to light leakage and inexpensive, it is necessary to improve various disadvantages in the conventional method. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to eliminate the conventional disadvantages, and has a structure in which data lines and gate lines are arranged in a matrix on a substrate and connected to the data lines and gate lines. An active matrix display section having a non-single-crystal silicon thin film transistor, a gate line drive circuit area provided at an end of the gate line, and a data line drive circuit area provided at an end of the data line. Have
The method for manufacturing an active matrix substrate, wherein the transistors in the gate line drive circuit region and the data line drive circuit region are formed of non-single-crystal silicon thin film transistors,
The non-single-crystal silicon thin film of the non-single-crystal silicon thin film transistor in the data line driving circuit region is irradiated with laser annealing along the longitudinal direction of the data line driving circuit region, and the non-single-crystal silicon thin film transistor in the gate line driving circuit region is irradiated. The non-single-crystal silicon thin film of the crystalline silicon thin film transistor is irradiated with laser annealing along the longitudinal direction of the gate line drive circuit region. Next, the present invention will be described in detail based on the following embodiments. FIG. 1 shows an active matrix substrate according to the present invention.
1. A borosilicate glass substrate 1 is provided with an active matrix circuit 2 at the center and a peripheral drive circuit 3 at the outer periphery. FIGS. 2A to 2C are cross-sectional views of a substrate for explaining a manufacturing process of the active matrix substrate of the present invention. First, as shown in FIG. 2A, a first polycrystalline silicon film 4 of 5000 ° C. is formed on a borosilicate glass substrate 1 in a reduced pressure atmosphere of 625 ° C., and the polycrystalline silicon film 4 is partially opened by photoetching. Make a hole. Next, only in the peripheral portion on the substrate, that is, in the region of the peripheral driving circuit 3 in FIG.
As shown in (a), laser annealing was performed in the order of 1 to 4 while scanning the beam in the left and right direction at a beam diameter of 200 μm and a linear velocity of 50 cm / sec using a CW-excited YAG laser as a light source. Next, as shown in FIG. 2 (b), after depositing a CVD-SiO2 film 5 on the entire surface at 2000.degree., A second polycrystalline silicon film 6 is formed by the same forming method as the first polycrystalline silicon film. Opening of the source / drain portion of the crystalline silicon film 6 is performed by photoetching. Next, the substrate main surface is irradiated with phosphorus ions of 1 × 10 / cm 2 and annealed in a forming gas at 550 ° C. and 1H to form a diffusion layer. Next, as shown in FIG. 2C, a CVD-SiO2 film 7 is formed, a contact hole is opened, an electrode 8 is continuously formed, and the formation of the active matrix substrate is completed. The number of lines of gates and data lines of the active matrix circuit used in this embodiment is 200 each, and the number of data lines is about 1K using this substrate.
The operation of MZ and the gate line at 25 KMHZ has been confirmed, and it has been confirmed that the liquid crystal display has sufficient performance. As an effect of laser annealing, the throughput of annealing has been improved several times or more as compared with the conventional one, and the mobility is about 10 cm / V-sec in the active matrix circuit and about 100 cm in the peripheral drive circuit section. / V-sec. (Reference Example 2) After forming the polycrystalline silicon film of FIG. 1 in the same manner as in Reference Example 1 and partially opening holes by photoetching 2, the same conditions as in Example 1 are applied as shown in FIG. After laser annealing the areas (1) and (3) of the peripheral drive circuit at (2), the peripheral drive circuits (2) and (4) are output at about 1 J / cm @ 2, which is lower than those of (1) and (3). Irradiation at an energy density of That is, the regions (2) and (4) of the peripheral drive circuit are for driving the gate lines, and can operate at a lower frequency than the data lines of (1) and (3). There is no need to irradiate at the energy density, and the results of this reference example confirm that sufficient mobility is obtained to operate the gate lines, and the two sides of the substrate outer periphery are irradiated with a low energy density, so the throughput is a reference. It is further improved compared to Example 1. (Reference Example 3) A first polycrystalline silicon film is formed in the same manner as in Reference Example 1, and a partial opening is formed by photo-etching. Then, as shown in FIG. Then, only the regions (1) and (3) of the peripheral driving circuit, that is, the data line driving circuit region are laser-annealed. That is, as described in the reference example (2), especially for an active matrix substrate having a small number of gate lines, it is possible to sufficiently cope with the present method, and a large improvement in throughput can be expected. Example 1 A first polycrystalline silicon film is formed and a partial opening is formed by photoetching in the same manner as in Reference Example 1, and then a peripheral drive circuit region of the substrate is formed as shown in FIG. Laser annealing is first performed on the area (1) by scanning the beam left and right as shown by the arrow, and then the substrate is rotated 90 degrees with respect to the center, and the area (2) is made in the same manner as (1). Then, the substrate is rotated in the same manner to irradiate the areas (3) and (4). This method has an advantage that the number of beam scans can be greatly reduced as compared with the first embodiment, and the throughput can be improved as compared with the first embodiment. As described in the above embodiments (1) to (4), the present invention relates to an active matrix substrate used for a flat panel liquid crystal display or the like, in which an active matrix circuit and a peripheral driving circuit are formed into one chip on a glass substrate. At the same time, laser annealing is applied only to the drive circuit using laser annealing technology to prevent light leakage from the active matrix substrate, making it possible to provide a low-cost, active matrix substrate that is resistant to light leakage. . In this embodiment, borosilicate glass is used as the transparent substrate. Alternatively, a transparent substrate such as soda glass or a quartz plate may be used. Even so, the effects have been confirmed, and these irradiation conditions can be freely selected according to the purpose, and do not depart from the object of the present invention at all. As described above, the present invention has a data line and a gate line arranged in a matrix on a substrate, and a non-single-crystal silicon thin film transistor connected to the data line and the gate line. An active matrix display portion, a gate line driving circuit region provided at an end of the gate line, and a data line driving circuit region provided at an end of the data line; In the method for manufacturing an active matrix substrate, wherein the transistors in the data line driving circuit region are formed of non-single-crystal silicon thin film transistors, the non-single-crystal silicon thin film of the non-single-crystal silicon thin film transistor in the data line driving circuit region includes the data line. Laser annealing irradiation is performed along the longitudinal direction of the drive circuit area, and the non-single bond in the gate line drive circuit area is The non-single-crystal silicon thin film of the polycrystalline silicon thin film transistor is irradiated with laser annealing along the longitudinal direction of the gate line driving circuit region, so that the mobility of the transistors in each driving circuit can be increased. Response speed can be increased. Further, since the laser annealing irradiation is performed along the longitudinal direction of each of the data line driving circuit region and the gate line driving circuit region, the number of scans can be greatly reduced, and the throughput can be improved.
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるアクテイブマトリクス基板におけ
る回路配置図。
【図２】（ａ）から（ｃ）は本発明におけるアクティブ
マトリクス基板の製造工程を示す基板断面図。
【図３】（ａ）から（ｃ）は本発明の参考例におけるア
クティブマトリクス基板上の周辺駆動回路領域へのレー
ザーアニール照射方法を示す平面図、（ｄ）は本発明の
実施例におけるアクティブマトリクス基板上の周辺回路
領域へのレーザーアニール照射方法を示す平面図。
【符号の説明】
１・・・ガラス基板
２・・・アクティブマトリクス基板
３・・・周辺駆動回路
４・・・多結晶シリコン膜
５・・・ＣＶＤーＳｉＯ2 膜
６・・・多結晶シリコン膜
７・・・ＣＶＤーＳｉＯ2 膜
８・・・電極BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a circuit layout diagram of an active matrix substrate according to the present invention. FIGS. 2A to 2C are substrate cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an active matrix substrate according to the present invention. FIGS. 3A to 3C are plan views showing a method for irradiating a peripheral drive circuit region on an active matrix substrate with laser annealing according to a reference example of the present invention, and FIG. 3D is an active matrix according to an example of the present invention; FIG. 4 is a plan view showing a method of irradiating a laser annealing on a peripheral circuit region on a substrate. [Description of Reference Numerals] 1 ... glass substrate 2 ... active matrix substrate 3 ... peripheral driving circuit 4 ... polycrystalline silicon film 5 ... CVD over SiO 2 film 6 ... polycrystalline silicon film 7 ... CVD over the SiO 2 film 8 ... electrode
Claims (1)
データ線及びゲート線と、該データ線及びゲート線に接
続された非単結晶シリコン薄膜トランジスタとを有する
アクティブマトリクス表示部と、該ゲート線の端部に設
けられたゲート線駆動回路領域と、該データ線の端部に
設けられたデータ線駆動回路領域とを有し、該ゲート線
駆動回路領域及び該データ線駆動回路領域中のトランジ
スタは非単結晶シリコン薄膜トランジスタからなるアク
ティブマトリクス基板の製造方法において、 該データ線駆動回路領域中の該非単結晶シリコン薄膜ト
ランジスタの非単結晶シリコン薄膜には、該データ線駆
動回路領域の長手方向に沿ってレーザーアニール照射を
行ない、該ゲート線駆動回路領域中の該非単結晶シリコ
ン薄膜トランジスタの非単結晶シリコン薄膜には、該ゲ
ート線駆動回路領域の長手方向に沿ってレーザーアニー
ル照射を行なうことを特徴とするアクティブマトリクス
基板の製造方法。(57) Claims 1. An active device having a data line and a gate line arranged in a matrix on a substrate, and a non-single-crystal silicon thin film transistor connected to the data line and the gate line. A matrix display portion, a gate line driving circuit region provided at an end of the gate line, and a data line driving circuit region provided at an end of the data line; A method of manufacturing an active matrix substrate in which a transistor in a data line driving circuit region is formed of a non-single-crystal silicon thin film transistor, wherein the non-single-crystal silicon thin film of the non-single-crystal silicon thin film transistor in the data line driving circuit region includes Laser annealing irradiation is performed along the longitudinal direction of the circuit area, and the non-single-crystal silicon thin film in the gate line drive circuit area is irradiated. A non-single-crystal silicon thin film transistor, a manufacturing method of the active matrix substrate and performing laser annealing irradiated along the longitudinal direction of the gate line driving circuit region.
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0915637A JPH0915637A (en) | 1997-01-17 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21260796A Expired - Lifetime JP2697728B2 (en) | 1996-08-12 | 1996-08-12 | Active matrix substrate manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2697728B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2302539A1 (en) | 2002-09-11 | 2011-03-30 | NEC LCD Technologies, Ltd. | Semiconductor integrated circuit, method of manufacturing semiconductor integrated circuit, charge pump circuit, layout designing apparatus, and layout designing program |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004054168A (en) * | 2002-07-24 | 2004-02-19 | Hitachi Ltd | Image display device |
| JP4464078B2 (en) * | 2003-06-20 | 2010-05-19 | 株式会社 日立ディスプレイズ | Image display device |
| JP4597730B2 (en) * | 2005-03-22 | 2010-12-15 | シャープ株式会社 | Thin film transistor substrate and manufacturing method thereof |
-
1996
- 1996-08-12 JP JP21260796A patent/JP2697728B2/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP2302539A1 (en) | 2002-09-11 | 2011-03-30 | NEC LCD Technologies, Ltd. | Semiconductor integrated circuit, method of manufacturing semiconductor integrated circuit, charge pump circuit, layout designing apparatus, and layout designing program |
| EP2320338A2 (en) | 2002-09-11 | 2011-05-11 | NEC LCD Technologies, Ltd. | Semiconductor integrated circuit, and method of manufacturing therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0915637A (en) | 1997-01-17 |
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