JP2694534B2 - Image forming apparatus and image forming method - Google Patents
Image forming apparatus and image forming methodInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は画像形成装置及び画像形成方法に関し、特に
電気、磁気的に読み出される、または一時蓄積された電
気画像信号を用いて画像を出力、印写するプリント装置
に関する。The present invention relates to an image forming apparatus and an image forming method, and particularly to outputting an image using an electric image signal which is read out electrically, magnetically, or temporarily stored, The present invention relates to a printing device for printing.
[従来の技術] 従来、デジタル型電子写真方式においては、情報信号
を感光体に記録するために、半導体レーザー光をポリゴ
ンミラーにて感光体上を走査させながら情報信号に応じ
てon−offしていた。しかし、この方式では高精細な画
像或いは高速に画像を記録、特に同一画像を多数枚記録
する場合にレーザーの出力を高くしたり長時間出力した
りする必要があるため、レーザー自体の耐久性に問題が
生じやすかった。また、連続して画像の読み込み記録を
行なう場合には、同一画像を繰返し読み込むため、光学
スキャナーに大きな負荷がかかっていた。[Prior Art] Conventionally, in a digital electrophotographic system, in order to record an information signal on a photoconductor, a semiconductor laser beam is turned on and off according to the information signal while scanning the photoconductor with a polygon mirror. Was there. However, with this method, it is necessary to increase the output of the laser or output for a long time when recording a high-definition image or an image at high speed, especially when recording a large number of the same image, the durability of the laser itself is reduced. It was easy to cause problems. Further, when the images are continuously read and recorded, the same image is repeatedly read, which imposes a heavy load on the optical scanner.
アナログ記録方式では、例えば電子写真方式において
スクリーンプロセスと呼ばれる中間転写体にイオン記録
の形で中間像を得る方式がある。しかし、この方式にお
いてはイオンの帯電に起因する不安定性があり、上記中
間像は長期のメモリー性を得ることができなかった。In the analog recording method, for example, in the electrophotographic method, there is a method called a screen process for obtaining an intermediate image in the form of ion recording on an intermediate transfer body. However, in this system, there is instability due to the electrification of ions, and the intermediate image cannot obtain a long-term memory property.
[発明が解決しようとする問題点] 本発明は上記に鑑み、メモリー性を有し高コントラス
トで鮮明に情報を記憶しうる像保持体を応用し、情報を
光学的に最適記録して繰り返し使用しうる画像形成装置
及び画像形成方法を提供することを目的とする。[Problems to be Solved by the Invention] In view of the above, the present invention applies an image carrier having a memory property and capable of clearly storing information with high contrast, and optically optimally records information for repeated use. An object of the present invention is to provide an image forming apparatus and an image forming method capable of performing the same.
[問題点を解決するための手段及び作用] 本発明の第一は、導電基板上に少なくとも光導電層及
び光学的に透明または不透明状態を記憶し得る高分子膜
を形成してなる電荷像保持体上に表面電位像を形成する
画像形成装置であって、前記電荷保持体に透明または不
透明状態のパターンを形成する手段と、前記透明または
不透明状態のパターンが形成された電荷像保持体表面を
一様に帯電させる手段と、前記電荷像保持体の高分子膜
側から全面光照射及び除電を行なう手段と、前記電荷像
保持体の導電基体側から全面光照射を行なって、該電荷
像保持体の高分子膜側表面に、上記透明または不透明状
態のパターンに従った電荷分布像による表面電位像を形
成する手段と、を有することを特徴とする画像形成装置
である。[Means and Actions for Solving Problems] The first aspect of the present invention is to hold a charge image formed by forming at least a photoconductive layer and a polymer film capable of storing an optically transparent or opaque state on a conductive substrate. An image forming apparatus for forming a surface potential image on a body, comprising means for forming a transparent or opaque pattern on the charge carrier, and a charge image carrier surface on which the transparent or opaque pattern is formed. A means for uniformly charging, a means for irradiating the entire surface of the charge image carrier with a polymer film and discharging electricity, and a means for irradiating the entire surface of the charge image carrier with a conductive substrate to retain the charge image. An image forming apparatus comprising: a means for forming a surface potential image by a charge distribution image according to the transparent or opaque pattern on the polymer film side surface of the body.
また本発明の第二は、導電基板上に少なくとも光導電
層及び光学的に透明または不透明状態を記録し得る高分
子膜を形成してなる電荷保持体上に表面電位像を形成す
る画像形成方法であって、前記電荷像保持体に透明また
は不透明状態のパターンを形成し、前記透明または不透
明状態のパターンが形成された電荷像保持体表面を一様
に帯電させ、前記電荷像保持体の高分子膜側から全面光
照射及び除電を行ない、前記電荷像保持体の導電基体側
から全面光照射を行なって、該電荷像保持体の高分子膜
側表面に、上記透明または不透明状態のパターンに従っ
た電荷分布像による表面電位像を形成する、ことを特徴
とする画像形成方法である。A second aspect of the present invention is an image forming method in which a surface potential image is formed on a charge carrier formed by forming at least a photoconductive layer and a polymer film capable of recording an optically transparent or opaque state on a conductive substrate. And forming a transparent or opaque pattern on the charge image carrier and uniformly charging the surface of the charge image carrier on which the transparent or opaque pattern is formed. The entire surface is irradiated with light and discharged from the molecular film side, and the entire surface is irradiated with light from the conductive substrate side of the charge image carrier to form the transparent or opaque pattern on the polymer film side surface of the charge image carrier. An image forming method is characterized in that a surface potential image is formed by a following charge distribution image.
以下、本発明を詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.
本発明に用いることのできる、光学的に透明または不
透明状態を記録しうる高分子膜としては、サーモトロピ
ック液晶性を示す材料が好適である。この例としては、
メタクリル酸ポリマーやシロキサンポリマー等を主鎖と
した低分子液晶をペンダント状に付加したいわゆる側鎖
型高分子液晶、または高強度高弾性耐熱性繊維や樹脂の
分野で用いられているポリエステル系またはポリアミド
系等を主鎖型高分子液晶等である。また相としてスメク
チック、ネマティック、コレステリックその他の相をと
るもの、またディスコティッウ液晶等が用いうる。As the polymer film capable of recording an optically transparent or opaque state that can be used in the present invention, a material exhibiting thermotropic liquid crystallinity is suitable. For this example,
So-called side chain type polymer liquid crystal in which low molecular weight liquid crystal having methacrylic acid polymer or siloxane polymer as a main chain is pendantly added, or polyester or polyamide used in the field of high strength and high elasticity heat resistant fiber or resin The system is a main chain type polymer liquid crystal or the like. Further, as the phase, smectic, nematic, cholesteric, or any other phase-taking phase, or discotic liquid crystal can be used.
さらに、高分子液晶中に不斉炭素を導入したSmC*を
示す相を有し、強誘電性を示す高分子液晶も好ましく用
いうる。Further, a polymer liquid crystal having a phase exhibiting SmC * in which asymmetric carbon is introduced into the polymer liquid crystal and exhibiting ferroelectricity can be preferably used.
以下、高分子液晶の具体例を例示するが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。Hereinafter, specific examples of the polymer liquid crystal will be described, but the present invention is not limited thereto.
また、これらを塗布成膜するための溶媒としては、ジ
クロロエタン,DMF,シクロヘキサン等の他、テトラヒド
トフラン(THF),アセトン,エタノールその他の極性
または非極性溶媒又はこれらの混合溶媒が使用され、こ
れらは使用する高分子液晶との溶解性並びにこれを塗工
する基体の材質または基体の表面に設けた表面層との濡
れ性、成膜性等の要因によって選択しうることは言うま
でもない。これらの物質は大面積化が容易、メモリー性
を有する等の特徴を有している。 Further, as a solvent for coating and forming these, in addition to dichloroethane, DMF, cyclohexane, etc., tetrahydrtofuran (THF), acetone, ethanol and other polar or nonpolar solvents or mixed solvents thereof are used, It goes without saying that these can be selected depending on factors such as solubility in the polymer liquid crystal to be used, wettability with the material of the substrate on which the polymer liquid crystal is used, wettability with the surface layer provided on the surface of the substrate, and film-forming property. These substances have the characteristics that they can be easily enlarged and have a memory property.
次に、前記(I)式により示される高分子液晶を用い
て、本発明に係る記録層の作用・特性を詳しく説明す
る。Next, the action and characteristics of the recording layer according to the present invention will be described in detail by using the polymer liquid crystal represented by the formula (I).
前記高分子液晶をジクロロエタンにより溶解し、これ
をアルコール洗浄を施したポリエステル系透明基体上に
アプリケーターにより塗布した。その後、95℃雰囲気中
に10分間放置したところ、白色の散乱膜が形成された。
この膜厚は塗布面における高分子液晶の重量%が20%の
場合において10μm強のものが得られた。The polymer liquid crystal was dissolved in dichloroethane, and the solution was applied by an applicator onto a polyester-based transparent substrate washed with alcohol. After that, when left in an atmosphere of 95 ° C. for 10 minutes, a white scattering film was formed.
This film thickness was 10 μm or more when the weight% of the polymer liquid crystal on the coated surface was 20%.
このようにして得られた白色シート上を感熱ヘッドで
走査したところ、文字,図形パターンに従って透明部分
が固定された。このシートを光学濃度が1.2の黒色バッ
クグラウンド上に導くと、白地に黒の鮮明な表示が得ら
れた。When the white sheet thus obtained was scanned with a thermal head, the transparent portion was fixed in accordance with the character and graphic patterns. When this sheet was guided on a black background having an optical density of 1.2, a clear display of black on a white background was obtained.
次に上記パターンが記録されたシートの全面を約120
℃にまで加熱し、その後約90℃で数秒保ったところ、元
の白色散乱状態に全面が復帰し、このまま常温に戻して
も安定であり、再度の記録,表示がなされ得た。この現
象は、前記高分子液晶が安定したメモリー状態を維持す
るガラス転移点以下におけるフィルム状態、実質的に光
学的散乱状態に推移することのできる液晶フィルム状態
およびこれより高温で等方的分子配列となる等方性フィ
ルム状態の少なくとも3状態をとり得ることに起因して
制御することができる。Next, the entire surface of the sheet on which the pattern was recorded
When heated to about 90 ° C. and then kept at about 90 ° C. for several seconds, the whole surface returned to the original white scattering state, was stable even when returned to room temperature, and could be recorded and displayed again. This phenomenon is caused by the film state below the glass transition point where the polymer liquid crystal maintains a stable memory state, the liquid crystal film state capable of substantially shifting to an optical scattering state, and the isotropic molecular alignment at higher temperatures. Can be controlled because at least three states of the isotropic film state can be taken.
ここで、透明基体上に高分子液晶層を設けた中間像保
持体による画像形成の原理的プロセスを、第1図を用い
て説明する。Here, the principle process of image formation by an intermediate image carrier having a polymer liquid crystal layer provided on a transparent substrate will be described with reference to FIG.
第1図において、前述した散乱状態は図中の状態で
ある。これを例えば感熱ヘッドあるいはレーザー等の加
熱手段によりaのようにT2(Tiso=等方状態移行温
度)以上に加熱した後急冷すると、図中の様にほぼ等
方状態と同様の光透過状態が固定される。この急冷状態
は、特に冷却手段を用いることもなく、基体を空気中に
自然放熱するもので充分である。この等方状態は、T
1(Tg=ガラス転移温度)以下における室温または常温
状態においては安定であり、画像メモリーとして安定な
状態である。In FIG. 1, the above-mentioned scattering state is the state in the figure. When this is heated to a temperature of T 2 (T iso = isotropic state transition temperature) or higher as shown by a by a heating means such as a thermal head or a laser, and then rapidly cooled, light transmission similar to that in the isotropic state is obtained as shown in the figure. The state is fixed. In this quenched state, it is sufficient that the substrate is naturally radiated into the air without using any cooling means. This isotropic state is T
It is stable at room temperature or room temperature below 1 (T g = glass transition temperature) and stable as an image memory.
一方aのようにT2以上に加熱した後、液晶温度T1〜
T2間に一例として1秒ないし数秒にかけて保持すると、
bのごとく、この保持時間において散乱強度を再び増
し、常温においては再び元の散乱状態に復帰し、この
状態はT1以下において安定に保持される。Meanwhile after heating to T 2 or more as a, liquid crystal temperature T 1 ~
Holding toward one second to several seconds as an example between T 2,
b as described, increasing the scattering strength again in this retention time, return to the original scattering state again at room temperature, this state is stably retained in the T 1 or less.
また図中で示すごとく、液晶温度T1〜T2間に一例と
して10ミリ秒〜1秒程度の時間保持する様にすれば、そ
の部分においては中間の透過状態を常温で保持すること
ができ、階調表現として使用することも可能である。Further, as shown in the figure, if the liquid crystal temperature is maintained between T 1 and T 2 for about 10 milliseconds to 1 second, for example, an intermediate transmission state can be maintained at room temperature. It is also possible to use it as a gradation expression.
すなわち、本例ではいったん等方状態に加熱した後常
温に至るまでに、液晶温度でどれ程の時間保持するかで
透過率または散乱強度を制御することができ、またこれ
をT1以下においては安定に保持することができる。さら
に上記において散乱状態に復帰させる場合の温度は、液
晶温度内でT2に近い方がより早く、また、液晶温度に比
較的長時間放置する様な場合は、いったん等方状態に加
熱しないでも、以前の状態にかかわらずの散乱状態に
戻らしめることは可能である。That is, up to the room temperature after heating to the isotropic state once in this example, the transmittance or the scattering intensity at either time held in how much the liquid crystal temperature can be controlled, also this in the T 1 or less It can be held stably. Further, in the above case, the temperature when returning to the scattering state is faster when it is closer to T 2 within the liquid crystal temperature, and when it is left at the liquid crystal temperature for a relatively long time, it is not necessary to heat it to the isotropic state once. , It is possible to return to the scattered state regardless of the previous state.
以下、上述の作用・特性を有する高分子膜を電荷像保
持体に応用した本発明に係る画像形成装置及び画像形成
方法を、実施例を示して詳しく説明する。Hereinafter, an image forming apparatus and an image forming method according to the present invention, in which a polymer film having the above-described actions and characteristics is applied to a charge image carrier, will be described in detail with reference to Examples.
[実施例] 実施例1 本実施例は高分子液晶を電子写真画像形成プロセスの
電荷像保持体に適用したものである。EXAMPLES Example 1 In this example, a polymer liquid crystal is applied to a charge image carrier in an electrophotographic image forming process.
本実施例においては、所望の形成画像メモリーからの
像情報或いは光学スキャナにより原稿画像を読み取った
電気画像信号を前記高分子液晶上に熱的に記録し、この
後はこの熱的に記録された画像を中間像として一様な光
照射により高速複数枚の出力を行なわせることができる
ものである。In the present embodiment, image information from a desired formed image memory or an electric image signal obtained by reading an original image with an optical scanner is thermally recorded on the polymer liquid crystal, and thereafter, this is thermally recorded. It is possible to output a plurality of sheets at high speed by uniformly irradiating light as an intermediate image.
以下、第2図に示す装置図、第3図に示す記録行程図
(第3a〜3j図)をもとに説明する。Hereinafter, description will be given based on the apparatus diagram shown in FIG. 2 and the recording process diagram (FIGS. 3a to 3j) shown in FIG.
第2図、第3図中1は電入像保持体であって、ここで
は導電基体2、光導電層3、前記高分子液晶層を含む高
分子膜4から成っている。In FIG. 2 and FIG. 3, reference numeral 1 designates a charge-injection image carrier, which is composed of a conductive substrate 2, a photoconductive layer 3 and a polymer film 4 containing the polymer liquid crystal layer.
高分子液晶としては1例として下記構造式で表わした
前記高分子液晶(II) を用いることができるが、この電荷像保持体1について
さらに詳しく説明する。An example of the polymer liquid crystal is the polymer liquid crystal (II) represented by the following structural formula. Can be used, but the charge image carrier 1 will be described in more detail.
導電基体2としては、ここではプラスチック、ガラス
等の透明基体上にITO(インジウム・ティンオキサイ
ド)等の透明導電層を設けたものである。光導電層3は
前記透明導電層上にGdS(硫化カドミウム)、ZnO(酸化
亜鉛)あるいは種々のOPC(有機感光体)その他の光導
電材料を適当な膜厚、1例として5μm〜70μm程度に
設けられたものであり、代表的には銅、インジウム等で
増感したCdS等が40μm程度に設けられる。As the conductive substrate 2, here, a transparent conductive layer such as ITO (indium tin oxide) is provided on a transparent substrate such as plastic or glass. The photoconductive layer 3 is made of GdS (cadmium sulfide), ZnO (zinc oxide) or various OPC (organic photoconductor) or other photoconductive material on the transparent conductive layer with an appropriate film thickness, for example, about 5 μm to 70 μm. CdS sensitized with copper, indium or the like is typically provided in a thickness of about 40 μm.
高分子膜4としては、上記高分子液晶を適当な溶剤に
溶解させ前記光導電層3上に塗布しても良いが、必要に
応じて前記光導電膜3上に1例として10μm程度のポリ
エチレンテレフタレート等の絶縁層のラミネートを施し
た後、または適当なコーティングフィルムを得たあと前
記高分子液晶を設けるようにしても良い。高分子液相層
の設け方の1例としては上記高分子液晶(II)をジクロ
ロエタンに溶解して20%溶液とし、これを前記絶縁層上
に、または光導電層3上にディッピング(他のコーティ
ング方法によっても良い)によりオーブン中に70℃で5
分間放置し、ほど15μm膜厚の白色散乱層として得るこ
とが出来る。The polymer film 4 may be prepared by dissolving the polymer liquid crystal in a suitable solvent and coating it on the photoconductive layer 3. However, if necessary, the photoconductive film 3 may be coated with polyethylene of about 10 μm, for example. The polymer liquid crystal may be provided after laminating an insulating layer such as terephthalate or after obtaining an appropriate coating film. As one example of the method of providing the polymer liquid phase layer, the polymer liquid crystal (II) is dissolved in dichloroethane to prepare a 20% solution, which is dipped on the insulating layer or the photoconductive layer 3 (other Depending on the coating method) 5 in an oven at 70 ° C
After leaving for a minute, a white scattering layer having a thickness of about 15 μm can be obtained.
以下、図面に従って作像プロセスを説明する。 The image forming process will be described below with reference to the drawings.
中間像形成プロセス 第3a図 初期状態 高分子膜4の液晶層は散乱状態を示しており、またこ
の表面は非帯電状態である。Intermediate image forming process Fig. 3a Initial state The liquid crystal layer of the polymer film 4 shows a scattering state, and this surface is in a non-charged state.
第3b図 中間像記録 高分子膜4に対して、感熱ヘッド8で所定の画像情報
に従って像加熱し、高分子膜の加熱部は等方状態を示し
透明となり、中間像が形成される。FIG. 3b Intermediate image recording Image heating is performed on the polymer film 4 by the thermal head 8 according to predetermined image information, and the heating portion of the polymer film shows an isotropic state and becomes transparent to form an intermediate image.
次の第3c図以下はここでは電子写真方向の1つである
NPプロセスの変形として挙げることが出来る。The following Figure 3c and below is one of the electrophotographic directions here
It can be mentioned as a modification of the NP process.
表面電位像形成プロセス 第3c図 高分子膜4の表面を帯電器(ロ)10により一様
に帯電する(使用する光導電層3によっては帯電で
あるが、以下、ここで帯電をしたものとして説明)。
この時、導電基体2からはチャージが光導電層3内に
注入される。Surface potential image formation process Fig. 3c The surface of the polymer film 4 is uniformly charged by the charger (b) 10 (this may be charged depending on the photoconductive layer 3 used, but hereinafter, it is assumed that charging is performed here. Description).
At this time, charges are injected from the conductive substrate 2 into the photoconductive layer 3.
第3d図 帯電器(イ)5によってAC除電するとともに露
光ランプ6により、高分子膜4側から露光する。前記し
た様に高分子膜4には、散乱部−透明部のコントラスト
により画像が形成されており、光導電層3に対しては透
明部を通過した光による画像露光がなされ、該部分のチ
ャージは除電されほぼ消滅する。FIG. 3d AC charge is removed by the charger (a) 5 and exposure is performed from the polymer film 4 side by the exposure lamp 6. As described above, an image is formed on the polymer film 4 by the contrast between the scattering portion and the transparent portion, and the photoconductive layer 3 is image-exposed by the light passing through the transparent portion, and the portion of the charge is charged. Is eliminated and almost disappears.
第3e図 次にランプ7により導電基体2側から光導電層
3全面を露光することにより、高分子膜4の表面に電荷
分布像による表面電位像が形成される。Next, the entire surface of the photoconductive layer 3 is exposed from the side of the conductive substrate 2 by the lamp 7 to form a surface potential image based on the charge distribution image on the surface of the polymer film 4.
現像プロセス 第3f図 公知の2成分現像、あるいはジャンピング現
像、または液式現像その他の現像方式のいずれかの現像
方式を用いた現像器aにより、前記表面電位像に従って
トナー像を形成する。図においては高分子膜4の散乱部
にトナーが付着するものとしたが、公知の電圧バイアス
を印加することにより透明部分にトナーを付着させる反
転現像も可能である。Developing process FIG. 3f A toner image is formed according to the surface potential image by a developing device a using a known two-component developing method, jumping developing method, liquid developing method or any other developing method. Although toner is attached to the scattering portion of the polymer film 4 in the figure, reversal development in which toner is attached to the transparent portion is also possible by applying a known voltage bias.
第3g図 転写紙11をドラム1上に送り転写帯電器12によ
りトナー像を転写紙上に静電転写する。転写方式として
はローラー転写、バイアス転写、その他公知の方法が使
用される。トナー像を転写された転写紙は定着器14(熱
定着器あるいは圧力定着器)に送られ、トナー像がハー
ドコピーとして定着される。FIG. 3g Transfer paper 11 is transferred onto drum 1 and a transfer charger 12 electrostatically transfers a toner image onto the transfer paper. As a transfer method, roller transfer, bias transfer, and other known methods are used. The transfer paper on which the toner image is transferred is sent to a fixing device 14 (a heat fixing device or a pressure fixing device), and the toner image is fixed as a hard copy.
第3h図 高分子膜4上に残余したトナーは、クリーナー
15により除去される。クリーナー15としてはファーブラ
シ、ブレードクリーナその他のクリーニング方法を使用
することが出来る。Fig. 3h The toner left on the polymer film 4 is a cleaner
Removed by 15. As the cleaner 15, a fur brush, a blade cleaner or other cleaning method can be used.
第3i図 次回の画像プリントに備えて除電器16及び裏面
からのランプ13による全面露光の同時付与により高分子
膜4は全面除電される。FIG. 3i Next, in preparation for the next image printing, the entire surface of the polymer film 4 is neutralized by simultaneously providing the static eliminator 16 and the entire surface of the lamp 13 from the rear surface.
第3j図 前記第3c図のプロセスに戻り、以下繰り返し、
トナー像を形成することができる。Figure 3j Return to the process of Figure 3c and repeat the following,
A toner image can be formed.
なお、繰り返しプリント中は感熱ヘッド8は不図示の
解除機構により高分子膜4より引き離しておくことで不
用のキズの防止等になる。During repeated printing, the thermal head 8 is separated from the polymer film 4 by a release mechanism (not shown) to prevent unnecessary scratches.
○中間像の消去 1例としてハロゲンヒータ17を点灯し、電荷像保持体
1を比較的低速で回転させることにより、ハロゲンヒー
タ17部分の通過時間を比較的長くすることにより、高分
子膜4の中間像を消去できた。なお、この時ハロゲンヒ
ータ17による高分子膜4上の最大温度は85℃となる様に
し、いったん全面が透明になる様にしたのち徐冷条件と
なり白色散乱状態に復帰する様にハロゲンヒータ17の畜
熱板18を調整した。なお、ハロゲンヒータ17は電荷像保
持体1の外側に設けてもよい。○ Erase of intermediate image As an example, the halogen heater 17 is turned on, and the charge image carrier 1 is rotated at a relatively low speed to make the passage time of the halogen heater 17 relatively long. The intermediate image could be erased. At this time, the maximum temperature on the polymer film 4 by the halogen heater 17 is set to 85 ° C., and once the entire surface is made transparent, it is gradually cooled so that the white scattering state is restored. The heat storage plate 18 was adjusted. The halogen heater 17 may be provided outside the charge image carrier 1.
また上記の画像の消去は電荷像保持体1を複数回回転
させることにより行なっても良い。すなわち1例として
第1回転目でハロゲンヒータ17付近のドラム温度を等方
状態に昇温させ、第2回転目以下においては、ハロゲン
ヒータ17付近の電荷像保持体1の温度を液晶温度にする
様にして数回回転させることで、前記散乱状態に復帰せ
しめることができる。この場合、電荷像保持体1の回転
速度は適宜選択することが可能である。Further, the erasing of the image described above may be performed by rotating the charge image carrier 1 a plurality of times. That is, as an example, the drum temperature near the halogen heater 17 is raised to an isotropic state in the first rotation, and the temperature of the charge image carrier 1 near the halogen heater 17 is set to the liquid crystal temperature in the second rotation and thereafter. By thus rotating several times, the scattering state can be restored. In this case, the rotation speed of the charge image carrier 1 can be appropriately selected.
上記の作像プロセスによるプリント速度は中間像を高
分子膜に形成する時間を除けば電荷像保持体1の周速20
0mm/sec以上の高速プリントが可能であった。The printing speed by the above-mentioned image forming process is the peripheral speed 20 of the charge image carrier 1 except the time for forming the intermediate image on the polymer film.
High-speed printing of 0 mm / sec or more was possible.
なお、本例においては、サーマルヘッドを中間像記録
ヘッドとしたが、高分子膜表面にポリイミド、アラミド
その他の耐熱性樹脂等の保護層を設けることによりさら
に耐久性を上げる様にしても良い。Although the thermal head is the intermediate image recording head in this example, the durability may be further improved by providing a protective layer of polyimide, aramid or other heat resistant resin on the surface of the polymer film.
また、上記中間像は、画像部を透明化しても良いし、
また必要に応じて非画像部を透明化する方式であっても
良い。Further, the intermediate image may have an image portion made transparent,
Further, a method of making the non-image portion transparent may be used as necessary.
なお、上記高分子膜の抵抗値としては1013Ω・cm以上
となる様に形成することが望ましい。The polymer film is preferably formed so that the resistance value is 10 13 Ω · cm or more.
実施例2 前記した導電基体2は、アルミニウム、SUS等の導電
体とする。Example 2 The conductive substrate 2 described above is a conductor such as aluminum or SUS.
本実施例では特に前記工程第3d図における露光ランプ
6の照射波長を比較的短波長(ほぼ550nm程度以下)と
なる様にするとともに、工程第3e図におけるランプ7、
及び工程第3i図におけるランプ13による照射波長を比較
的長波長(ほぼ550nm以上)とすることで、前記ランプ
7、ランプ13もドラム外側に配置する様にすることがで
きる。In this embodiment, in particular, the irradiation wavelength of the exposure lamp 6 in the step 3d is set to be a relatively short wavelength (about 550 nm or less), and the lamp 7 in the step 3e,
Also, by setting the irradiation wavelength of the lamp 13 in FIG. 3i to be a relatively long wavelength (approximately 550 nm or more), the lamp 7 and the lamp 13 can be arranged outside the drum.
これは前記した高分子液晶(II)の散乱状態における
分光透過率が比較的短波長側で小さく、長波長側で大き
い結果が得られたためである。従って、全面露光を行な
わしめるランプ7、13が長波長側の照明光であれば、前
記高分子膜を介した露光であっても、光導電層3に対し
充分全面に照射光を供給することが出来る。This is because the spectral transmittance of the polymer liquid crystal (II) in the scattering state is small on the relatively short wavelength side and large on the long wavelength side. Therefore, if the lamps 7 and 13 for performing the whole surface exposure are the illumination light on the long wavelength side, the irradiation light should be sufficiently supplied to the photoconductive layer 3 even if the exposure is through the polymer film. Can be done.
照射ランプの例としては、ランプ6を蛍光燈に550nm
以上をカットするフィルタを施したもの、またランプ7,
13としてハロゲンランプに600nm以下および遠赤外域を
カットするフィルタを施したものを用いた。As an example of the irradiation lamp, the lamp 6 is a fluorescent lamp at 550 nm.
A filter that cuts the above, lamp 7,
As 13, a halogen lamp provided with a filter that cuts wavelengths below 600 nm and in the far infrared region was used.
なお、ランプ6,7,13の各波長の選択は使用する各種高
分子膜4の分光特性等を考慮した上で適宜選択する様に
する。The wavelengths of the lamps 6, 7, and 13 are selected appropriately in consideration of the spectral characteristics of the various polymer films 4 to be used.
実施例3 本実施例では赤外(半導体)レーザーで熱的に記録を
行なった場合を示す。Example 3 In this example, recording is performed thermally with an infrared (semiconductor) laser.
第4図は実施例1の変形例であって、熱的記録手段が
赤外レーザー19であり外部よりポリゴンミラー20により
走査して記録を行なっている点が異る。FIG. 4 is a modification of the first embodiment, except that the thermal recording means is an infrared laser 19 and recording is performed by scanning with a polygon mirror 20 from the outside.
ここでは実施例1の高分子液晶を溶媒シクロヘキサン
に溶解させ、赤外線吸収染料 (ただし、Et=−C2H5) を加えてその重量混合比(高分子液晶/レーザー吸収染
料/溶媒)が(20/1/100)の割合となる混合溶液を調製
し、この調製液を、前記実施例1と同様ディッピングに
て約15μm厚に塗布することで、高分子膜4を設けた。Here, the polymer liquid crystal of Example 1 was dissolved in a solvent cyclohexane to prepare an infrared absorbing dye. (However, Et = -C 2 H 5 ) is added to prepare a mixed solution having a weight mixing ratio (polymer liquid crystal / laser absorption dye / solvent) of (20/1/100). Was applied by dipping in the same manner as in Example 1 to a thickness of about 15 μm to form a polymer film 4.
例として出力30mWのレーザーを上記ポリゴンミラーで
走査したところ、上記高分子膜4の散乱状態中に画像状
の等方状態部分を固定することが出来た。以下実施例1
の作像プロセスに従った。As an example, when a laser having an output of 30 mW was scanned by the polygon mirror, the image-like isotropic state portion could be fixed in the scattering state of the polymer film 4. Example 1 below
Followed the imaging process of.
本例ではレーザーを記録源としたことで、より高密度
な画像を前記高分子膜に形成出来、高精細プリント画像
を得ることが出来た。In this example, by using a laser as a recording source, a higher density image could be formed on the polymer film, and a high-definition printed image could be obtained.
以上、本発明を説明したが、本発明においては使用す
る高分子膜は前記した高分子液晶の上記画像形成モード
に限らず可逆的にフィルム上にメモリされた中間像とし
て光学的な画像を形成しうる画像形成モード、あるいは
その他の媒体、たとえば相分離ポリマー等も使用可能で
ある。The present invention has been described above. However, in the present invention, the polymer film used is not limited to the above-mentioned image forming mode of the polymer liquid crystal, but reversibly forms an optical image as an intermediate image stored in the film. Possible imaging modes, or other media such as phase-separated polymers can also be used.
また、上記光学的な画像についてコントラストをより
上げるために偏光膜等を再度使用してもよい。In addition, a polarizing film or the like may be used again in order to further increase the contrast of the optical image.
[発明の効果] 以上本発明によれば、高コントラストの中間像を光導
電層に密着した状態で繰り返しプリント原稿として使用
しうるため、高速にまた忠実な電子写真プリントを行な
うことが出来る。[Effects of the Invention] According to the present invention, since a high-contrast intermediate image can be repeatedly used as a print original in a state of being in close contact with the photoconductive layer, high-speed and faithful electrophotographic printing can be performed.
第1図は本願発明の原理を示す説明図であり、第2図、
第3図、第4図は本願発明の実施態様を表す説明図であ
る。 1……電荷像保持体、2……導電基体 3……光導電層、4……高分子膜 5……帯電器(イ)、6……露光ランプ 7……ランプ、8……感熱ヘッド 9……現像器、10……帯電器(ロ) 11……転写紙、12……転写帯電器 13……ランプ、14……定着器 15……クリーナー、16……除電器 17……ハロゲンヒーター、18……畜熱板 19……赤外レーザー、20……ポリゴンミラーFIG. 1 is an explanatory view showing the principle of the present invention, and FIG.
3 and 4 are explanatory views showing an embodiment of the present invention. 1 ... Charge image carrier, 2 ... Conductive substrate 3 ... Photoconductive layer, 4 ... Polymer film 5 ... Charger (a), 6 ... Exposure lamp 7 ... Lamp, 8 ... Thermal head 9 …… Developer, 10 …… Charger (b) 11 …… Transfer paper, 12 …… Transfer charger 13 …… Lamp, 14 …… Fixer 15 …… Cleaner, 16 …… Electrifier 17 …… Halogen Heater, 18 ... Heat storage plate 19 ... Infrared laser, 20 ... Polygon mirror
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−119365(JP,A) 特開 昭58−40560(JP,A) 特開 平1−221265(JP,A) 特開 平1−222262(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-57-119365 (JP, A) JP-A-58-40560 (JP, A) JP-A-1-221265 (JP, A) JP-A-1-221265 222262 (JP, A)
Claims (2)
的に透明または不透明状態を記録し得る高分子膜を形成
してなる電荷像保持体上に表面電位像を形成する画像形
成装置であって、 前記電荷像保持体に透明または不透明状態のパターンを
形成する手段と、 前記透明または不透明状態のパターンが形成された電荷
像保持体表面を一様に帯電させる手段と、 前記電荷像保持体の高分子膜側から全面光照射及び除電
を行なう手段と、 前記電荷像保持体の導電基体側から全面光照射を行なっ
て、該電荷像保持体の高分子膜側表面に、上記透明また
は不透明状態のパターンに従った電荷分布像による表面
電位像を形成する手段と、 を有することを特徴とする画像形成装置。1. An image forming apparatus for forming a surface potential image on a charge image carrier comprising at least a photoconductive layer and a polymer film capable of recording an optically transparent or opaque state on a conductive substrate. And means for forming a transparent or opaque pattern on the charge image carrier, means for uniformly charging the surface of the charge image carrier on which the transparent or opaque pattern is formed, and the charge image carrier Means for irradiating the entire surface of the electric charge image carrier with static electricity, and irradiating the entire surface of the electric charge image carrier with light from the conductive substrate side, and the transparent or opaque surface And a means for forming a surface potential image by a charge distribution image according to a pattern of states.
的に透明または不透明状態を記録し得る高分子膜を形成
してなる電荷保持体上に表面電位像を形成する画像形成
方法であって、 前記電荷像保持体に透明または不透明状態のパターンを
形成し、 前記透明または不透明状態のパターンが形成された電荷
像保持体表面を一様に帯電させ、 前記電荷像保持体の高分子膜側から全面光照射及び除電
を行ない、 前記電荷像保持体の導電基体側から全面光照射を行なっ
て、該電荷像保持体の高分子膜側表面に、上記透明また
は不透明状態のパターンに従った電荷分布像による表面
電位像を形成する ことを特徴とする画像形成方法。2. An image forming method for forming a surface potential image on a charge carrier comprising at least a photoconductive layer and a polymer film capable of recording an optically transparent or opaque state formed on a conductive substrate. A transparent or opaque pattern is formed on the charge image carrier, and the surface of the charge image carrier on which the transparent or opaque pattern is formed is uniformly charged, and the polymer film side of the charge image carrier is From the conductive substrate side of the charge image carrier, and the polymer film side surface of the charge image carrier is charged according to the pattern in the transparent or opaque state. An image forming method characterized by forming a surface potential image by a distribution image.
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---|---|---|---|
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US07/291,443 US5038166A (en) | 1987-12-29 | 1988-12-28 | Optical image recording apparatus |
DE3850237T DE3850237T2 (en) | 1987-12-29 | 1988-12-28 | Optical image capture device. |
EP88121811A EP0322903B1 (en) | 1987-12-29 | 1988-12-28 | Optical image recording apparatus |
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---|---|---|---|
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JPS57119365A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-24 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic method |
JPS5840560A (en) * | 1981-09-04 | 1983-03-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Formation of electrostatic latent image |
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1988
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