JP2685573B2 - Waveguide type optical head - Google Patents
Waveguide type optical headInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光学的に情報を記録し又は再生する装置に
係り、特に多量の情報を取り扱う分野において光ディス
クや光カード等の情報を安定して記録再生するのに好適
な情報記録再生用光ヘッドに関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to an apparatus for optically recording or reproducing information, and particularly for stabilizing information such as an optical disk or an optical card in the field of handling a large amount of information. The present invention relates to an information recording / reproducing optical head suitable for recording / reproducing.
従来の装置は、特開昭60−202553号に記載のように、
半導体レーザと薄膜導波路、コリメートレンズ、分割
器、グレーティング、検出器などのハイブリッド構造と
なっているが、個々の部品機能の構成に主点を置いてい
た。The conventional device, as described in JP-A-60-202553,
Although it has a hybrid structure of a semiconductor laser and a thin film waveguide, a collimator lens, a divider, a grating, a detector, etc., the focus was on the configuration of individual component functions.
上記従来技術は、光源として用いている半導体レーザ
の温度変動などに起因する波長変動や端面の反射による
光量の変動、組立調整の点について配慮がされておら
ず、レーザと導波路のカップリング効率や光路の変動な
どの点に於いて問題があった。The above prior art does not consider the wavelength variation due to the temperature variation of the semiconductor laser used as the light source, the variation of the light amount due to the reflection on the end face, the point of the assembly adjustment, and the coupling efficiency of the laser and the waveguide. There was a problem in terms of fluctuations in the optical path.
本発明の目的は、端面反射の影響による導波光の減少
を押え、効率の良い半導体レーザと薄膜導波路とのカッ
プリングを得ることにより、低パワーで情報の記録及び
再生が安定して行なえる、薄膜導波路を用いた光を提供
することにある。An object of the present invention is to suppress the reduction of guided light due to the influence of end face reflection and obtain an efficient coupling between a semiconductor laser and a thin film waveguide, so that information can be stably recorded and reproduced with low power. , To provide light using a thin film waveguide.
本発明の他の目的は、光源測及び導波路側それぞれに
調整機構を付加することにより、光源である半導体レー
ザと薄膜導波路とが最良なカップリング効率で光を導波
できる薄膜導波路を用いたヘッドを提供することにあ
る。Another object of the present invention is to provide a thin film waveguide in which a semiconductor laser as a light source and a thin film waveguide can guide light with the best coupling efficiency by adding an adjusting mechanism to each of the light source measurement and the waveguide side. It is to provide the used head.
本発明のさらに他の目的は、レーザの出射光が導波路
端面での反射光との干渉によって導波光量の変動があっ
た場合でも、常に一定の出射光量を維持できる、情報記
録再生用ヘッドを提供することにある。Still another object of the present invention is to provide an information recording / reproducing head capable of always maintaining a constant amount of emitted light even when the amount of emitted light of the laser fluctuates due to interference with the reflected light at the end face of the waveguide. To provide.
上記目的は、半導体レーザと薄膜導波路の入射端面を
波長オーダの精度で位置合わせをすることによって達成
できる。The above object can be achieved by aligning the incident end faces of the semiconductor laser and the thin film waveguide with accuracy of the order of wavelength.
上記他の目的は、薄膜導波路を弾性変形させる加圧手
段を設け、また、薄膜導波路に対し半導体レーザをすべ
り移動可能に支持することにより達成できる。The above-mentioned other object can be achieved by providing a pressurizing means for elastically deforming the thin film waveguide and supporting the semiconductor laser so that the semiconductor laser can slide on the thin film waveguide.
さらに、半導体レーザの出力をモニターし、そのモニ
タ出力に応じて半導体レーザの出力光量を制御すること
により、出射光量を一定に保持することができる。Further, by monitoring the output of the semiconductor laser and controlling the output light amount of the semiconductor laser according to the monitor output, the emitted light amount can be kept constant.
半導体レーザの出射端面と薄膜導波路の端面とを半導
体レーザの発振波長の1/2波長の整数倍とすることによ
り、導波路端面からの反射光による干渉の影響を相殺で
きる。そのため、半導体レーザと薄膜導波路の組立の際
に、レーザの出力端面と導波路の入射端面の距離が1/2
波長の整数倍となるように距離を設定し、出射光の低下
を防ぐことができる。By setting the emission end face of the semiconductor laser and the end face of the thin film waveguide to be an integral multiple of 1/2 wavelength of the oscillation wavelength of the semiconductor laser, it is possible to cancel the influence of interference due to the reflected light from the end face of the waveguide. Therefore, when assembling a semiconductor laser and a thin-film waveguide, the distance between the laser output end face and the waveguide entrance end face should be 1/2.
The distance can be set to be an integral multiple of the wavelength to prevent the emitted light from decreasing.
薄膜導波路側に取り付けた加圧手段によって導波路を
弾性変形させることがきるので、レーザの出射端面と導
波路の入射端面の高さ方向の精密な位置合わせ可能とな
る。Since the waveguide can be elastically deformed by the pressurizing means attached to the thin film waveguide side, it is possible to precisely align the emitting end face of the laser and the incident end face of the waveguide in the height direction.
また、半導体レーザは、薄膜導波路に対してすべり移
動が可能なスライダに取り付けられているので、レーザ
光をコリメートするジオデシックレンズへの入射位置を
変えることが可能であり、コリメートされた光は最良な
入射角度で、櫛形電極から発せられる表面弾性液へ入
り、効率良い光の偏向が可能となる。Also, since the semiconductor laser is mounted on a slider that can slide with respect to the thin film waveguide, it is possible to change the incident position on the geodesic lens that collimates the laser light, and the collimated light is the best. At various incident angles, the light enters the surface elastic liquid emitted from the comb-shaped electrode, and the light can be efficiently deflected.
以下、本発明の一実施例を第１図から第３図を用いて
説明する。Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
本発明によるヘッドの構成は、大きく分けて半導体レ
ーザ部、導波偏向部、インピーダンスのマッチングをと
るマッチングコイル部及び導波偏向部からの光を記録媒
体へ集光する集光部からなるが、第１図では集光部を省
略してある。第１図で半導体レーザ部は、半導体レーザ
チップ１、サブマウント２、ステム３、保持ブロック
４、電極５、絶縁部６よりなる。サブマウント２上にレ
ーザチップ１が、保持ブロック４へ片面だけで固定され
ているステップ３の端面よりわずかに飛び出して取り付
けられている。レーザチップ１に電流を供給する一方の
電極５−ａは、セラミックなどの絶縁部６を介してステ
ム３に取り付けられている。もう一方の電極５−ｂはス
テム３に直接取り付けられている。レーザチップ１から
出射された光101は、ニオブ酸リチウムなどの圧電材料
の上にチタンを熱拡散などの方法によって作製された薄
膜導波路を形成する導波路基板７の端面から直接入射さ
れる。導波路基板７には、機械的な方法によって作製さ
れたくぼみを通過することによって拡散光が平行光に変
換されるジオデシックレンズ８が作られている。ジオデ
シックレンズ８を通過し、平行光に変換された光は、次
に櫛型電極９から発せられる表面弾性波部102を通過す
る。この時、光束は回折現象を受けて向きが変えられた
１次光103とそのまま直進する０次光104に分けられる。
櫛型電極９に高周波を加えて表面弾性波102を発生させ
るために、外部の電圧制御発振器で作られた高周波をコ
ネクタ17から取り込み、50Ωマイクロストリップライン
18上に取り付けたマッチングコイル19によりインピーダ
ンスの整合を取り、アルミワイヤ13−ａ、13−ｂなどで
櫛型電極９へと結ばれる。１次光103の偏向方向は、櫛
形電極９に加える周波数によって変えることが可能であ
る。導波路基板７とベース10の固定は、押え板11と押え
板12によって、３点支持構造で固定されている。50Ωマ
イクロストリップライン18は、ガラスエポキシなどのパ
ターン基板15に金メッキなどで作り、アースパターン23
とスルーホール24でつながっている裏面を、銅の膜など
でアース面に用い、取付基板16はネジなどで固定し、コ
ネクタ17との接続が行われる。取付基板16とベース10の
固定はベークライトなどの絶縁板14を介在させて取り付
け、絶縁状態を確保する。導波路基板７の弾性表面波10
2の進行方向端面は反射の影響を受けないように銀ペー
スト22などを塗ることにより、反射波を散乱させること
などの工夫が必要である。導波路基板７のレーザ光101
の入射端面７−１と出射端面７−２は、均一なレーザ光
を作り出すために、可視光の波長の1/4程度以下にまで
鏡面に研磨しておく。導波路基板７の導の導波層と、レ
ーザ光101が出射されるレーザチップ１の活性層とは、
共に１μｍ程度と小さいために、レーザ光101を導波路
基板７の端面に効率よく入射させるために、精密な微調
整を行わせる導波路基板の押えネジ21が導波路基板の端
に固定された調整部材20に取り付けられている。この押
えネジ21によって導波路基板７を弾性変形させ、レーザ
チップ１との最終的な精密位置合わせを行う。The configuration of the head according to the present invention is roughly divided into a semiconductor laser section, a waveguide deflection section, a matching coil section for impedance matching, and a condensing section for condensing light from the waveguide deflection section onto a recording medium. In FIG. 1, the light collecting part is omitted. In FIG. 1, the semiconductor laser section includes a semiconductor laser chip 1, a submount 2, a stem 3, a holding block 4, electrodes 5, and an insulating section 6. The laser chip 1 is mounted on the submount 2 slightly protruding from the end surface of the step 3 which is fixed to the holding block 4 on only one surface. One electrode 5-a that supplies a current to the laser chip 1 is attached to the stem 3 via an insulating portion 6 made of ceramic or the like. The other electrode 5-b is directly attached to the stem 3. The light 101 emitted from the laser chip 1 is directly incident from the end face of the waveguide substrate 7 which forms a thin film waveguide made of titanium by a method such as thermal diffusion on a piezoelectric material such as lithium niobate. The waveguide substrate 7 is provided with a geodesic lens 8 in which diffused light is converted into parallel light by passing through a recess made by a mechanical method. The light that has passed through the geodesic lens 8 and converted into parallel light then passes through the surface acoustic wave portion 102 emitted from the comb-shaped electrode 9. At this time, the luminous flux is divided into a first-order light 103 whose direction is changed by a diffraction phenomenon and a 0th-order light 104 which goes straight.
In order to generate a surface acoustic wave 102 by applying a high frequency to the comb-shaped electrode 9, a high frequency generated by an external voltage controlled oscillator is taken in from the connector 17, and a 50Ω microstrip line is used.
Impedance is matched by a matching coil 19 mounted on 18 and connected to the comb-shaped electrode 9 by aluminum wires 13-a, 13-b. The deflection direction of the primary light 103 can be changed by the frequency applied to the comb-shaped electrode 9. The waveguide substrate 7 and the base 10 are fixed by a holding plate 11 and a holding plate 12 in a three-point support structure. The 50Ω microstrip line 18 is made by patterning a pattern substrate 15 such as glass epoxy by gold plating or the like, and grounding pattern 23
The back surface connected to the through hole 24 is used as a ground surface with a copper film or the like, and the mounting substrate 16 is fixed with a screw or the like to be connected to the connector 17. The mounting substrate 16 and the base 10 are fixed to each other by interposing an insulating plate 14 such as bakelite to secure the insulating state. Surface acoustic wave 10 of waveguide substrate 7
It is necessary to devise such as scattering the reflected wave by applying silver paste 22 or the like to the end face in the traveling direction of 2 so as not to be affected by reflection. Laser light 101 on waveguide substrate 7
The entrance end face 7-1 and the exit end face 7-2 are mirror-polished to about 1/4 or less of the wavelength of visible light in order to produce uniform laser light. The guiding waveguide layer of the waveguide substrate 7 and the active layer of the laser chip 1 from which the laser light 101 is emitted are
Since both are as small as about 1 μm, in order to allow the laser light 101 to efficiently enter the end face of the waveguide substrate 7, the holding screw 21 of the waveguide substrate for performing fine adjustment is fixed to the end of the waveguide substrate. It is attached to the adjusting member 20. The holding screw 21 elastically deforms the waveguide substrate 7 to perform final precision alignment with the laser chip 1.
レーザチップ１の横方向への移動機構を第２図を用い
て説明する。第２図は第１図で示した導波路基板７を取
り外した状態であり，レーザのステム３を固定している
保持ブロック４はスライダと固定されており、スライダ
27はレール25−a,25−ｂによって横方向へすべり移動で
きる構造となっている。スライダ27はその重心を押すネ
ジ26などによってレーザチップ１に対するジオテシック
レンズ８及び櫛形電極９との位置関係を調整することが
できる。コリメートされた光束が弾性表面波102と交差
し、効率よく回折光103をだすためには、最適な角度で
あるブラッグ回折角となるようにしなければならない。
ジオデシックレンズ８と櫛形電極９の位置関係は一義的
に決ってしまうため、最終的な調整はレーザチップ１の
位置を微小に移動させることによって行なう。そのため
に横方向に精密に移動する機構が必要となる。A lateral movement mechanism of the laser chip 1 will be described with reference to FIG. FIG. 2 shows a state in which the waveguide substrate 7 shown in FIG. 1 is removed, and the holding block 4 fixing the laser stem 3 is fixed to the slider.
The rail 27 has a structure capable of sliding laterally by rails 25-a and 25-b. The slider 27 can adjust the positional relationship between the geothetic lens 8 and the comb-shaped electrode 9 with respect to the laser chip 1 by a screw 26 or the like that pushes the center of gravity of the slider 27. In order that the collimated light flux intersects with the surface acoustic wave 102 and efficiently emits the diffracted light 103, the Bragg diffraction angle, which is the optimum angle, must be set.
Since the positional relationship between the geodesic lens 8 and the comb-shaped electrode 9 is uniquely determined, the final adjustment is performed by slightly moving the position of the laser chip 1. Therefore, a mechanism for precisely moving laterally is required.
半導体レーザ部と導波偏向部を組み立てる際、レーザ
チップ１の出射端と導波路基板７の入射端７−１のギャ
ップが変化すると第３図に示すようにレーザ出力に変動
が生じる。これは導波路基板７の入射端面７−１からの
反射の影響によるものであり、一定の繰り返しの現象を
示す。繰り返し周期は使用しているレーザ光の波長1/2
波長毎である。反射の影響によるレーザの出力低下を防
ぐには、レーザチップ１の出射端と導波路基板７の入射
端７−１の距離をレーザ光の発振波長の1/2波長の整数
倍に設定すれば、反射光の干渉によるレーザ出力の低下
を防ぐことが可能である。従って、半導体レーザを導波
路基板７の端面７−１に組み立てる際には、顕微鏡やギ
ャップセンセなどでその距離を確認しながら、正確に1/
2波長の整数倍となるようにした後にレーザを固定す
る。When the semiconductor laser portion and the waveguide deflection portion are assembled, if the gap between the emission end of the laser chip 1 and the incident end 7-1 of the waveguide substrate 7 changes, the laser output changes as shown in FIG. This is due to the influence of reflection from the incident end face 7-1 of the waveguide substrate 7, and shows a constant repetitive phenomenon. The repetition period is 1/2 the wavelength of the laser light used
It is for each wavelength. In order to prevent the laser output from decreasing due to the influence of reflection, the distance between the emitting end of the laser chip 1 and the incident end 7-1 of the waveguide substrate 7 should be set to an integral multiple of 1/2 wavelength of the oscillation wavelength of the laser light. It is possible to prevent a decrease in laser output due to interference of reflected light. Therefore, when assembling the semiconductor laser on the end face 7-1 of the waveguide substrate 7, while checking the distance with a microscope or a gap sensor, 1 /
The laser is fixed after making it an integral multiple of two wavelengths.
本実施例によれば、端面反射によるレーザの出力低下
がなく、容易に調整が行なえ最適な導波効率が得られる
光ヘッドを実現することが可能になる。According to the present embodiment, it is possible to realize an optical head in which the output of the laser does not decrease due to the reflection on the end face, the adjustment is easily performed, and the optimum waveguide efficiency is obtained.
第２の実施例を第４図を用いて説明する。第３図に示
したようにレーザチップ１と導波路基板９端面のギャッ
プが変化することによって発光パワーが変動する。第３
図は、半導体レーザの出射端面近傍に反射板を置き、そ
れをレーザに近づけていった場合のレーザーチップ１の
反対側の光量をフォトディテクタで受けたものである。
この変化は光の波長のオーダで変化することにより、位
相が180゜ずれて導波路基板９端面からの反射波の影響
で打ち消されてしまうために起こる現象である。この影
響を電気的に補正するのが第４図の実施例である。A second embodiment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 3, the emission power fluctuates as the gap between the laser chip 1 and the end face of the waveguide substrate 9 changes. Third
In the figure, a photodetector receives the amount of light on the opposite side of the laser chip 1 when a reflector is placed near the emitting end face of the semiconductor laser and is brought closer to the laser.
This change is a phenomenon that occurs because the phase changes by 180 ° and is canceled by the influence of the reflected wave from the end face of the waveguide substrate 9 by changing in the order of the wavelength of light. The embodiment of FIG. 4 electrically corrects this influence.
出射されるレーザパワーを一定に保つため、レーザ光
量をモニターするディテクタ28を出射端面と反対側に取
り付ける。もし、熱的変形などの影響を受けてレーザチ
ップ１と導波路基板７間のギャップが光の波長オーダで
変化した場合、レーザの出力変動が起こるためディテク
タ28での出力も変化する。その変化量をレーザの入力に
フィードバックし、ディテクタ28の出力低下をなくする
ように電流値を大きくすることにより常に一定のレーザ
出力とすることできる。さらに、導波路基板７の大きさ
は最低限、コリメータレンズであるジオデシックレンズ
８の幅だけあれば良く、導波路基板７の押え板29と、第
１図で示すパターン基板15を取り付ける取付基板16と導
波路基板７の固定用のベース10を兼用した固定ブロック
30を採用し、50Ωマイクロストリップライン31を側面ま
で設けることによりマッチングコイル19も側面に設置す
ることができる。In order to keep the emitted laser power constant, a detector 28 for monitoring the amount of laser light is attached to the side opposite to the emitting end face. If the gap between the laser chip 1 and the waveguide substrate 7 changes on the order of the wavelength of light under the influence of thermal deformation, the output of the laser changes because the output of the laser also changes. The amount of change is fed back to the input of the laser, and the current value is increased so that the output of the detector 28 is not lowered, so that a constant laser output can be obtained. Further, the size of the waveguide substrate 7 is at least the width of the geodesic lens 8 which is a collimator lens, and the holding plate 29 of the waveguide substrate 7 and the mounting substrate 16 for mounting the pattern substrate 15 shown in FIG. And a fixed block that also serves as a base 10 for fixing the waveguide substrate 7
The matching coil 19 can also be installed on the side surface by adopting 30 and providing the 50Ω microstrip line 31 up to the side surface.
本実施例によれば、周囲温度の変動による素子の変形
などに起因するレーザの出力の変動がなくなり、さらに
光偏向素子の小型化をすることが可能となり、光ピック
アップの軽量化、線材の引き回しが容易となる効果があ
る。According to the present embodiment, the fluctuation of the laser output due to the deformation of the element due to the fluctuation of the ambient temperature is eliminated, and it becomes possible to further reduce the size of the optical deflection element, reduce the weight of the optical pickup, and route the wire rod. Has the effect of making it easier.
本発明によれば、反射光の影響を相殺できるのでレー
ザ光の出力の低下を防ぐことができ、その結果小さな出
力で効率よく光のカップリングが実現できる。According to the present invention, since the influence of reflected light can be canceled out, a reduction in the output of laser light can be prevented, and as a result, efficient light coupling can be realized with a small output.
また、組立後にレーザと導波路基板との上下方向の微
調整を行なうことができるので、組立による位置ずれが
あった場合でも最往終的な補正が可能となる。Further, since the laser and the waveguide substrate can be finely adjusted in the vertical direction after the assembly, even if there is a positional deviation due to the assembly, the most final correction is possible.
また、レーザを横方向に精密に移動させられるので、
導波路基板に作製したジオデシックレンズと櫛形電極の
相対的な位置関係が多少ずれてしまっても、最終的にレ
ーザの位置を微調整できるので導波路基板の製作精度を
下げられる。Also, because the laser can be precisely moved laterally,
Even if the relative positional relationship between the geodesic lens formed on the waveguide substrate and the comb-shaped electrode is slightly deviated, the position of the laser can be finally finely adjusted, so that the precision of manufacturing the waveguide substrate can be lowered.
さらに、熱的な変形が起こった場合でも、レーザの出
力を常にモニターしレーザの入力へフィードバックする
ことができるので、より安定した光ヘッドを実現でき
る。Further, even when thermal deformation occurs, the output of the laser can be constantly monitored and fed back to the input of the laser, so that a more stable optical head can be realized.
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は導波
路基板を取り除いた部分的な斜視図、第３図は半導体レ
ーザと導波路基板端面間のギャップ変化に対するレーザ
の出力変動を示した図、第４図は本発明の第２の実施例
を示す斜視図である。 符号の説明 １……レーザチップ、２……サブマウント、３……ステ
ム、４……保持ブロック、５……電極、６……絶縁部、
７……導波路基板、８……ジオデシックレンズ、７−１
……入射端面、７−２……出射端面、９……櫛形電極、
10……ベース、11……押え板、12……押え板、13……ア
ルミワイヤ、14……絶縁板、15……パターン基板、16…
…取付基板、17……コネクタ、18……50Ωマイクロスト
リップライン、19……マッチングコイル、20……調整部
材、21……押えネジ、22……銀ペースト、23……アース
パターン、24……スルーホール、25……レール、26……
ネジ、27……スライダ、28……ディテクタ、29……押え
板、30……固定ブロック、31……50Ωマイクロストリッ
プライン、101……レーザ出射光、102……表面弾性波、
103……１次回折光、104……０次光。FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a partial perspective view with a waveguide substrate removed, and FIG. 3 is a laser output with respect to a gap change between a semiconductor laser and an end face of a waveguide substrate. FIG. 4 is a perspective view showing a variation, and FIG. 4 is a perspective view showing a second embodiment of the present invention. Explanation of reference numerals 1 ... Laser chip, 2 ... Submount, 3 ... Stem, 4 ... Holding block, 5 ... Electrode, 6 ... Insulation part,
7 ... Waveguide substrate, 8 ... Geodesic lens, 7-1
...... Injection end face, 7-2 …… Emission end face, 9 …… Comb shaped electrode,
10 …… Base, 11 …… Holding plate, 12 …… Holding plate, 13 …… Aluminum wire, 14 …… Insulating plate, 15 …… Pattern board, 16…
… Mounting board, 17 …… Connector, 18 …… 50Ω microstrip line, 19 …… Matching coil, 20 …… Adjusting member, 21 …… Holding screw, 22 …… Silver paste, 23 …… Ground pattern, 24 …… Through hole, 25 …… rail, 26 ……
Screws, 27 …… Slider, 28 …… Detector, 29 …… Holder plate, 30 …… Fixed block, 31 …… 50Ω microstrip line, 101 …… Laser emission light, 102 …… Surface acoustic wave,
103 ... 1st order diffracted light, 104 ... 0th order light.
Claims (3)
を導く導波路を有する光ヘッドにおいて、上記半導体レ
ーザの出射端面と上記導波路の入射端面との距離を上記
半導体レーザの発振波長の1/2波長の整数倍としたこと
を特徴とする導波路型光ヘッド。1. An optical head having a semiconductor laser and a waveguide for guiding light from the semiconductor laser, wherein the distance between the emitting end face of the semiconductor laser and the incident end face of the waveguide is set to 1 of the oscillation wavelength of the semiconductor laser. A waveguide type optical head characterized in that it is an integral multiple of / 2 wavelength.
することを特徴とする請求項１記載の導波路型光ヘッ
ド。2. A waveguide type optical head according to claim 1, further comprising a pressing means for elastically deforming the waveguide.
方向に移動させる機構を有することを特徴とする請求項
１または２記載の導波路型光ヘッド。3. The waveguide type optical head according to claim 1, further comprising a mechanism for moving the semiconductor laser laterally with respect to the waveguide.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1078226A JP2685573B2 (en) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | Waveguide type optical head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1078226A JP2685573B2 (en) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | Waveguide type optical head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260141A JPH02260141A (en) | 1990-10-22 |
| JP2685573B2 true JP2685573B2 (en) | 1997-12-03 |
Family
ID=13656135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1078226A Expired - Lifetime JP2685573B2 (en) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | Waveguide type optical head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2685573B2 (en) |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP1078226A patent/JP2685573B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH02260141A (en) | 1990-10-22 |
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