JP2682630B2 - 磁気検出装置 - Google Patents
磁気検出装置Info
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- JP2682630B2 JP2682630B2 JP63036913A JP3691388A JP2682630B2 JP 2682630 B2 JP2682630 B2 JP 2682630B2 JP 63036913 A JP63036913 A JP 63036913A JP 3691388 A JP3691388 A JP 3691388A JP 2682630 B2 JP2682630 B2 JP 2682630B2
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はエンコーダ等に使用される磁気検出装置に関
する。
する。
(従来の技術) エンコーダ等に使用される磁気検出装置としては一定
波長λの繰り返し信号が着磁記録された磁気記録媒体
と、該磁気記録媒体と対向する磁気ストライプを有する
磁気抵抗素子を備えた磁気検出装置であって、互いに
(n−1/2)λ(nは自然数)の間隔で配置し、かつ直
列に接続した2m本(mは自然数)の磁気抵抗ストライプ
を単位セグメントとして上記磁気抵抗素子を形成すると
共に、上記磁気抵抗素子を定電流源により駆動すること
を特徴とするものが提案されている。この磁気検出装置
は例えば第7図に示すように磁気ドラム1、磁気抵抗素
子2、定電流源3〜6及び差動増幅器7,8により構成さ
れる。磁気ドラム1は回転方向へN極とS極が一定の間
隔で交互に着磁されることにより一定波長λの繰い返し
信号が着磁された磁気記録媒体であり、磁気抵抗素子2
は複数本の磁気抵抗(以下MRという)ストライプ9〜16
により構成されて引出し端子17〜20,電流端子21,22が設
けられている。このMRストライプ9〜16は磁気ドラム1
と対向してその回転方向へλ/2,λ/4,λ/2,λ/8,λ/2,
λ/4,λ/2の間隔をおいて配置され、一対ずつ直列に接
続されてその電圧Vcの直流電源に接続されて他端がそれ
ぞれ定電流源3〜6に接続される。このMRストライプ9
〜16は定電流源3〜6により電流Iが供給され、磁気ド
ラム1から受ける磁気信号によりそれぞれ抵抗値R
11(x),R12(x),R13(x),R14(x),R15(x),R
16(x),R17(x),R18(x)が磁気ドラム1とMR素子
2との相対的移動距離に応じて変化する。差動増幅器7
は定電流源3,4の電圧V11(x),V14(x)の差動増幅を
行い、差動増幅器8が定電流源5,6の電圧V15(x),V18
(x)の差動増幅を行う。磁気ドラム1とMR素子2が矢
印方向へ相対的に移動すると、MRストライプ9と10、11
と12の抵抗値R11(x)とR12(x)、R13(x)とR
14(x)がそれぞれ同相で変化し、さらにMRストライブ
9と11の抵抗値R11(x)、R13(x)が逆相で変化し、
かつMRストライプ9と11の抵抗値R11(x),R13(x)
が90゜の位相差で変化して差動増幅器7,8から90゜の位
相差を有する正弦波e11(x),e12(x)が得られる。
波長λの繰り返し信号が着磁記録された磁気記録媒体
と、該磁気記録媒体と対向する磁気ストライプを有する
磁気抵抗素子を備えた磁気検出装置であって、互いに
(n−1/2)λ(nは自然数)の間隔で配置し、かつ直
列に接続した2m本(mは自然数)の磁気抵抗ストライプ
を単位セグメントとして上記磁気抵抗素子を形成すると
共に、上記磁気抵抗素子を定電流源により駆動すること
を特徴とするものが提案されている。この磁気検出装置
は例えば第7図に示すように磁気ドラム1、磁気抵抗素
子2、定電流源3〜6及び差動増幅器7,8により構成さ
れる。磁気ドラム1は回転方向へN極とS極が一定の間
隔で交互に着磁されることにより一定波長λの繰い返し
信号が着磁された磁気記録媒体であり、磁気抵抗素子2
は複数本の磁気抵抗(以下MRという)ストライプ9〜16
により構成されて引出し端子17〜20,電流端子21,22が設
けられている。このMRストライプ9〜16は磁気ドラム1
と対向してその回転方向へλ/2,λ/4,λ/2,λ/8,λ/2,
λ/4,λ/2の間隔をおいて配置され、一対ずつ直列に接
続されてその電圧Vcの直流電源に接続されて他端がそれ
ぞれ定電流源3〜6に接続される。このMRストライプ9
〜16は定電流源3〜6により電流Iが供給され、磁気ド
ラム1から受ける磁気信号によりそれぞれ抵抗値R
11(x),R12(x),R13(x),R14(x),R15(x),R
16(x),R17(x),R18(x)が磁気ドラム1とMR素子
2との相対的移動距離に応じて変化する。差動増幅器7
は定電流源3,4の電圧V11(x),V14(x)の差動増幅を
行い、差動増幅器8が定電流源5,6の電圧V15(x),V18
(x)の差動増幅を行う。磁気ドラム1とMR素子2が矢
印方向へ相対的に移動すると、MRストライプ9と10、11
と12の抵抗値R11(x)とR12(x)、R13(x)とR
14(x)がそれぞれ同相で変化し、さらにMRストライブ
9と11の抵抗値R11(x)、R13(x)が逆相で変化し、
かつMRストライプ9と11の抵抗値R11(x),R13(x)
が90゜の位相差で変化して差動増幅器7,8から90゜の位
相差を有する正弦波e11(x),e12(x)が得られる。
今、磁気ドラム1とMRストライプ9との相対的移動距
離をxとすると、MRストライプ9の抵抗値R11(x)を
基準として各MRストライプ10〜16の抵抗値R12(x)〜R
18(x)は次の式で表わされる。
離をxとすると、MRストライプ9の抵抗値R11(x)を
基準として各MRストライプ10〜16の抵抗値R12(x)〜R
18(x)は次の式で表わされる。
R12(x)=R11(x+λ/2) R13(x)=R11(x+3λ/4) R14(x)=R11(x+5λ/4) =R11(x+λ/4) R15(x)=R11(x+11λ/8) =R11(x+3λ/8) R16(x)=R11(x+15λ/8) =R11(x+7λ/8) R17(x)=R11(x+17λ/8) =R11(x+λ/8) R18(x)=R11(x+21λ/8) =R11(x+5λ/8) また各定電流源3〜6の電圧V11(x),V14(x),V
15(x),V18(x)は V11(x)=Vc−{R12(x)+R11(x)}I V14(x)=Vc−{R13(x)+R14(x)}I V15(x)=Vc−{R16(x)+R15(x)}I V18(x)=Vc−{R17(x)+R18(x)}I となる。差動増幅器7,8の増幅率を1とすると、差動増
幅器7,8の出力信号e11(x),e12(x)は次式のように
なる。
15(x),V18(x)は V11(x)=Vc−{R12(x)+R11(x)}I V14(x)=Vc−{R13(x)+R14(x)}I V15(x)=Vc−{R16(x)+R15(x)}I V18(x)=Vc−{R17(x)+R18(x)}I となる。差動増幅器7,8の増幅率を1とすると、差動増
幅器7,8の出力信号e11(x),e12(x)は次式のように
なる。
e11(x)=V11(x)−V14(x) ={R13(x)+R14(x)−R12(x)−R11(x)}I ={R11(x+3λ/4)+R11(x+λ/4) −R11(x+λ/2)−R11(x)}I e12(x)=V15(x)−V18(x) ={R17(x)+R18(x)−R16(x)−R15(x)}I ={R11(x+λ/8)+R11(x+5λ/8) −R11(x+7λ/8)−R11(x+3λ/8)}I (発明が解決しようとする課題) 上記磁気検出装置ではMRストライプ9〜16は直流電源
と定電流電源3〜6との各間に直列に接続されている数
が少なくて抵抗値が小さいので、消費電流が大きい。ま
たMRストライプ9〜16の配置の広がりが大きいので、そ
の外側のMRストライプは磁気ドラム1との間隔が大きく
なって磁気ドラム1から受ける信号磁界が小さくなり、
抵抗値変化が小さくて検出信号電圧が小さくなる。
と定電流電源3〜6との各間に直列に接続されている数
が少なくて抵抗値が小さいので、消費電流が大きい。ま
たMRストライプ9〜16の配置の広がりが大きいので、そ
の外側のMRストライプは磁気ドラム1との間隔が大きく
なって磁気ドラム1から受ける信号磁界が小さくなり、
抵抗値変化が小さくて検出信号電圧が小さくなる。
(課題を解決するための手段) 本発明は、一定波長λの繰り返し信号を着磁記録した
磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に対向する磁気抵抗素
子とを備えた磁気検出装置において、上記磁気抵抗素子
は少なくとも1往復折り返した磁気抵抗ストライプを単
位セグメントとし、該単位セグメントをλ/4毎の間隔で
単位セグメントからの引き出し線導出方向が互い違いに
なるよう複数個並列に配置して2相分の磁気抵抗素子を
構成し、各相分毎の磁気抵抗素子はそれぞれ奇数番目に
位置する単位セグメント同士を直列に接続すると共に偶
数番目に位置する単位セグメント同士を直列に接続して
構成し、かつ、各相分毎の磁気抵抗素子は上記直列に接
続した奇数番目の単位セグメントを定電流源によりそれ
ぞれ駆動すると共に、上記直列に接続した偶数番目の単
位セグメントを定電流源によりそれぞれ駆動し、各相分
毎に上記直列に接続した奇数番目の単位セグメントを駆
動する定電流源の電圧と、上記直列に接続した偶数番目
の単位セグメントを駆動する定電流源の電圧とを差動増
幅器に入力してこれらの差動増幅器から90゜の位相差を
有する2相の差動信号を出力するようにしたものであ
る。
磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に対向する磁気抵抗素
子とを備えた磁気検出装置において、上記磁気抵抗素子
は少なくとも1往復折り返した磁気抵抗ストライプを単
位セグメントとし、該単位セグメントをλ/4毎の間隔で
単位セグメントからの引き出し線導出方向が互い違いに
なるよう複数個並列に配置して2相分の磁気抵抗素子を
構成し、各相分毎の磁気抵抗素子はそれぞれ奇数番目に
位置する単位セグメント同士を直列に接続すると共に偶
数番目に位置する単位セグメント同士を直列に接続して
構成し、かつ、各相分毎の磁気抵抗素子は上記直列に接
続した奇数番目の単位セグメントを定電流源によりそれ
ぞれ駆動すると共に、上記直列に接続した偶数番目の単
位セグメントを定電流源によりそれぞれ駆動し、各相分
毎に上記直列に接続した奇数番目の単位セグメントを駆
動する定電流源の電圧と、上記直列に接続した偶数番目
の単位セグメントを駆動する定電流源の電圧とを差動増
幅器に入力してこれらの差動増幅器から90゜の位相差を
有する2相の差動信号を出力するようにしたものであ
る。
(作 用) 各相分毎の磁気抵抗素子は直列に接続した奇数番目の
単位セグメントが定電流源によりそれぞれ駆動されると
共に、直列に接続した偶数番目の単位セグメントが定電
流源によりそれぞれ駆動され、各相分毎に直列に接続し
た奇数番目の単位セグメントを駆動する定電流源の電圧
と、直列に接続した偶数番目の単位セグメントを駆動す
る定電流源の電圧とが差動増幅器に入力されてこれらの
差動増幅器から90゜の位相差を有する2相の差動信号が
出力される。
単位セグメントが定電流源によりそれぞれ駆動されると
共に、直列に接続した偶数番目の単位セグメントが定電
流源によりそれぞれ駆動され、各相分毎に直列に接続し
た奇数番目の単位セグメントを駆動する定電流源の電圧
と、直列に接続した偶数番目の単位セグメントを駆動す
る定電流源の電圧とが差動増幅器に入力されてこれらの
差動増幅器から90゜の位相差を有する2相の差動信号が
出力される。
(実施例) 第1図は本発明の一実施例を示す。
この実施例は前述の磁気検出装置においてMR素子1の
代りにMRストライプ31〜38で構成したMR素子39用いると
共に定電流源3〜6の代りに定電流源40〜43を用いたも
のであり、MRストライプ31〜38は一対のMRストライプ31
と32,33と34,35と36,37と38がそれぞれ直列に接続され
てその各一端が電源端子44,45に接続されると共に他端
がそれぞれ引出し端子46〜49に接続される。このMRスト
ライプ31〜38はそれぞれ1往復折り返して2つのMRスト
ライプ部311,312……381,382を直列に接続したものと
し、この各2つのMRストライプ部311,322……381,382の
間隔を近くして磁気ドラム1との相対的移動距離xに対
して抵抗値変化が従来のような折り返し無しの1つのMR
ストライプと同じであると近似できるようにする。この
ようなMRストライプ31〜38は抵抗値が従来のような折り
返し無しの1つのMRストライプの2倍となる。MR素子39
の電源端子44,45は電圧Vcの直流電源に接続され、MR素
子39の引出し端子46〜49はそれぞれ定電流源40〜43に接
続される。このMRストライプ31〜38は磁気ドラム1と対
向してその回転方向へ31,34,32,33,36,37,35,38の順に
λ/4,λ/4,λ/4,λ/8,λ/4,λ/4,λ/4の間隔で引出し導
線出方向が互い違いになるように並列に配置される。
代りにMRストライプ31〜38で構成したMR素子39用いると
共に定電流源3〜6の代りに定電流源40〜43を用いたも
のであり、MRストライプ31〜38は一対のMRストライプ31
と32,33と34,35と36,37と38がそれぞれ直列に接続され
てその各一端が電源端子44,45に接続されると共に他端
がそれぞれ引出し端子46〜49に接続される。このMRスト
ライプ31〜38はそれぞれ1往復折り返して2つのMRスト
ライプ部311,312……381,382を直列に接続したものと
し、この各2つのMRストライプ部311,322……381,382の
間隔を近くして磁気ドラム1との相対的移動距離xに対
して抵抗値変化が従来のような折り返し無しの1つのMR
ストライプと同じであると近似できるようにする。この
ようなMRストライプ31〜38は抵抗値が従来のような折り
返し無しの1つのMRストライプの2倍となる。MR素子39
の電源端子44,45は電圧Vcの直流電源に接続され、MR素
子39の引出し端子46〜49はそれぞれ定電流源40〜43に接
続される。このMRストライプ31〜38は磁気ドラム1と対
向してその回転方向へ31,34,32,33,36,37,35,38の順に
λ/4,λ/4,λ/4,λ/8,λ/4,λ/4,λ/4の間隔で引出し導
線出方向が互い違いになるように並列に配置される。
このように、この実施例は、一定波長λの折り返し信
号を着磁記録した磁気記録媒体1と、該磁気記録媒体1
に対向するMR素子39とを備えた磁気検出装置において、
上記MR素子は少なくとも1往復折り返したMRストライプ
31〜28を単位セグメントとし、該単位セグメント31〜38
をλ/4毎の間隔で単位セグメントからの引き出し線導出
方向が互い違いになるよう複数個並列に配置して2相分
のMR抗素子を構成し、各相分毎のMR素子はそれぞれ奇数
番目に位置する単位セグメント同士を直列に接続すると
共に偶数番目に位置する単位セグメント同士を直列に接
続して構成し、かつ、各相分毎のMR素子は上記直列に接
続した奇数番目の単位セグメントを定電流源40、43によ
りそれぞれ駆動すると共に、上記直列に接続した偶数番
目の単位セグメントを定電流源41、42によりそれぞれ駆
動し、各相分毎に上記直列に接続した奇数番目の単位セ
グメントを駆動する定電流源40、43の電圧と、上記直列
に接続した偶数番目の単位セグメントを駆動する定電流
源41、42の電圧とを差動増幅器7、8に入力してこれら
の差動増幅器7、8から90゜の位相差を有する2相の差
動信号を出力するようにしたものである。
号を着磁記録した磁気記録媒体1と、該磁気記録媒体1
に対向するMR素子39とを備えた磁気検出装置において、
上記MR素子は少なくとも1往復折り返したMRストライプ
31〜28を単位セグメントとし、該単位セグメント31〜38
をλ/4毎の間隔で単位セグメントからの引き出し線導出
方向が互い違いになるよう複数個並列に配置して2相分
のMR抗素子を構成し、各相分毎のMR素子はそれぞれ奇数
番目に位置する単位セグメント同士を直列に接続すると
共に偶数番目に位置する単位セグメント同士を直列に接
続して構成し、かつ、各相分毎のMR素子は上記直列に接
続した奇数番目の単位セグメントを定電流源40、43によ
りそれぞれ駆動すると共に、上記直列に接続した偶数番
目の単位セグメントを定電流源41、42によりそれぞれ駆
動し、各相分毎に上記直列に接続した奇数番目の単位セ
グメントを駆動する定電流源40、43の電圧と、上記直列
に接続した偶数番目の単位セグメントを駆動する定電流
源41、42の電圧とを差動増幅器7、8に入力してこれら
の差動増幅器7、8から90゜の位相差を有する2相の差
動信号を出力するようにしたものである。
MRストライプ31〜38の各抵抗値をR21(x)〜R
28(x)とすれば次の式が成り立つ。
28(x)とすれば次の式が成り立つ。
R21(x)=2R11(x) R22(x)=R21(x+λ/2) =2R11(x+λ/2) R23(x)=R21(x+3λ/4) =2R11(x+3λ/4) R24(x)=R21(x+λ/4) =2R11(x+λ/4) R25(x)=R21(x+11λ/8) =2R11(x+3λ/8) R26(x)=R21(x+7λ/8) =2R11(x+7λ/8) R27(x)=R21(x+9λ/8) =2R11(x+λ/8) R28(x)=R21(x+13λ/8) =2R11(x+5λ/8) この実施例では前述の磁気検出装置に比べてMRストラ
イプ31〜38の抵抗値が2倍となって定電流源40〜43の電
流値がI/2となり、動作は前述の磁気検出装置と同様で
ある。
イプ31〜38の抵抗値が2倍となって定電流源40〜43の電
流値がI/2となり、動作は前述の磁気検出装置と同様で
ある。
この実施例によれば、直列に接続されたMRストライプ
31〜38が1往復折り返されているので、直列ラインにお
けるMRストライプの本数が増えてその抵抗値が大きくな
り、消費電力を小さくすることができる。また、MRスト
ライプ31〜38はλ/4毎の間隔で単位セグメントからの引
き出し線導出方向が互い違いになるよう複数個並列に配
置し、しかも、1相分の単位にセグメントの内奇数番目
に位置する同士を直列に接続すると共にこの直列ライン
の一端を第1の定電流源40、43に接続し、偶数番目に位
置する同士を直列に接続すると共にこの直列ラインの一
端を第2の定電流源41、42に接続して、上記2本の直列
ラインをそれぞれ差動増幅器7、8の入力端子に接続し
て該差動増幅器7、8ら差動信号を出力し、磁気抵抗素
子を定電流源により駆動するように構成したので、2本
の直列ラインからλ/4(即ち90゜)位相のずれた位相信
号を効率良く得ることができるとともに、MRストライプ
の配置の広がりを小さくすることができ、外側のMRスト
ライプも十分に強い信号磁界を受けて、もって検出信号
電圧を増大させることができる。特に、当該磁気抵抗素
子を定電流源により駆動することにより、複数の単位セ
グメントを接続した直列ラインと差動増幅器の入力端子
との接続点よりも接地電位側には定電流源を設けるだけ
で出力信号を得ることができ、必要とするMRストライプ
数を半減することができる。したがって、直列ラインの
配線をクロスオーバーさせることなく一層構造で磁気抵
抗素子を形成することができて低コストにでき、MRスト
ライプの配置の拡がりを小さくすることができる。この
MRストライプ31〜38の配置の拡がりは13λ/8となって前
述の磁気検出装置の21λ/8に比べてλだけ狭くなる。
31〜38が1往復折り返されているので、直列ラインにお
けるMRストライプの本数が増えてその抵抗値が大きくな
り、消費電力を小さくすることができる。また、MRスト
ライプ31〜38はλ/4毎の間隔で単位セグメントからの引
き出し線導出方向が互い違いになるよう複数個並列に配
置し、しかも、1相分の単位にセグメントの内奇数番目
に位置する同士を直列に接続すると共にこの直列ライン
の一端を第1の定電流源40、43に接続し、偶数番目に位
置する同士を直列に接続すると共にこの直列ラインの一
端を第2の定電流源41、42に接続して、上記2本の直列
ラインをそれぞれ差動増幅器7、8の入力端子に接続し
て該差動増幅器7、8ら差動信号を出力し、磁気抵抗素
子を定電流源により駆動するように構成したので、2本
の直列ラインからλ/4(即ち90゜)位相のずれた位相信
号を効率良く得ることができるとともに、MRストライプ
の配置の広がりを小さくすることができ、外側のMRスト
ライプも十分に強い信号磁界を受けて、もって検出信号
電圧を増大させることができる。特に、当該磁気抵抗素
子を定電流源により駆動することにより、複数の単位セ
グメントを接続した直列ラインと差動増幅器の入力端子
との接続点よりも接地電位側には定電流源を設けるだけ
で出力信号を得ることができ、必要とするMRストライプ
数を半減することができる。したがって、直列ラインの
配線をクロスオーバーさせることなく一層構造で磁気抵
抗素子を形成することができて低コストにでき、MRスト
ライプの配置の拡がりを小さくすることができる。この
MRストライプ31〜38の配置の拡がりは13λ/8となって前
述の磁気検出装置の21λ/8に比べてλだけ狭くなる。
第2図は本発明の他の実施例を示す。
この実施例は上記実施例においてMR素子39の代りにMR
ストライプ51〜58で構成したMR素子59を用いると共に定
電流源40〜43の代りに定電流源70〜73を用いたものであ
り、MRストライプ51〜58は一対のMRストライプ51と52,5
3と54,55と56,57と58がそれぞれ直列に接続されてその
各一端が電源端子64,65に接続されると共に他端がそれ
ぞれ引出し端子66〜69に接続される。このMRストライプ
51〜58はそれぞれ2往復折り返して4つのMRストライプ
部511〜514……581〜582を直列に接続したものとし、こ
の各4つのMRストライプ部511〜514……581〜584をその
間隔を狭くすることによりベタ配置として磁気ドラム1
との相対的移動距離xに対して抵抗値変化が従来のよう
な折り返し無しの1つのMRストライプと同じであると近
似できるようにする。このようなMRストライプ51〜58は
抵抗値が従来のような折り返し無しの1つのMRストライ
プの4倍となる。MR素子59の電源端子64,65は電圧Vcの
直流電源に接続され、MR素子59の引出し端子66〜69はそ
れぞれ定電流源70〜73に接続される。このMRストライプ
51〜58は磁気ドラム1と対向してその回転方向へ51,54,
52,53,57,55,58,56の順にλ/4,λ/4,λ/4,3λ/8,λ/4,
λ/4,λ/4の間隔で引出し導線出方向が互い違いになる
ように並列に配置される。
ストライプ51〜58で構成したMR素子59を用いると共に定
電流源40〜43の代りに定電流源70〜73を用いたものであ
り、MRストライプ51〜58は一対のMRストライプ51と52,5
3と54,55と56,57と58がそれぞれ直列に接続されてその
各一端が電源端子64,65に接続されると共に他端がそれ
ぞれ引出し端子66〜69に接続される。このMRストライプ
51〜58はそれぞれ2往復折り返して4つのMRストライプ
部511〜514……581〜582を直列に接続したものとし、こ
の各4つのMRストライプ部511〜514……581〜584をその
間隔を狭くすることによりベタ配置として磁気ドラム1
との相対的移動距離xに対して抵抗値変化が従来のよう
な折り返し無しの1つのMRストライプと同じであると近
似できるようにする。このようなMRストライプ51〜58は
抵抗値が従来のような折り返し無しの1つのMRストライ
プの4倍となる。MR素子59の電源端子64,65は電圧Vcの
直流電源に接続され、MR素子59の引出し端子66〜69はそ
れぞれ定電流源70〜73に接続される。このMRストライプ
51〜58は磁気ドラム1と対向してその回転方向へ51,54,
52,53,57,55,58,56の順にλ/4,λ/4,λ/4,3λ/8,λ/4,
λ/4,λ/4の間隔で引出し導線出方向が互い違いになる
ように並列に配置される。
このように、この実施例は、一定波長λの繰り返し信
号を着磁した磁気記録媒体1と、該磁気記録媒体1に対
向するMR素子59とを備えた磁気検出装置において、上記
MR素子59は少なくとも1往復折り返したMRストライプ51
〜58を単位セグメントとし、該単位セグメント51〜58を
λ/4毎の間隔で単位セグメントからの引き出し線導出方
向が互い違いになるよう複数個並列に配置して2相分の
MR素子を構成し、各相分毎のMR素子はそれぞれ奇数番目
に位置する単位セグメント同士を直列に接続すると共に
偶数番目に位置する単位セグメント同士を直列に接続し
て構成し、かつ、各相分毎のMR素子は上記直列に接続し
た奇数番目の単位セグメントを定電流源70、73によりそ
れぞれ駆動すると共に、上記直列に接続した偶数番目の
単位セグメントを定電流源71、72によりそれぞれ駆動
し、各相分毎に上記直列に接続した奇数番目の単位セグ
メントを駆動する定電流源70、73の電圧と、上記直列に
接続した偶数番目の単位セグメントを駆動する定電流源
71、72の電圧とを差動増幅器7、8に入力してこれらの
差動増幅器7、8から90゜の位相差を有する2相の差動
信号を出力するようにしたものである。
号を着磁した磁気記録媒体1と、該磁気記録媒体1に対
向するMR素子59とを備えた磁気検出装置において、上記
MR素子59は少なくとも1往復折り返したMRストライプ51
〜58を単位セグメントとし、該単位セグメント51〜58を
λ/4毎の間隔で単位セグメントからの引き出し線導出方
向が互い違いになるよう複数個並列に配置して2相分の
MR素子を構成し、各相分毎のMR素子はそれぞれ奇数番目
に位置する単位セグメント同士を直列に接続すると共に
偶数番目に位置する単位セグメント同士を直列に接続し
て構成し、かつ、各相分毎のMR素子は上記直列に接続し
た奇数番目の単位セグメントを定電流源70、73によりそ
れぞれ駆動すると共に、上記直列に接続した偶数番目の
単位セグメントを定電流源71、72によりそれぞれ駆動
し、各相分毎に上記直列に接続した奇数番目の単位セグ
メントを駆動する定電流源70、73の電圧と、上記直列に
接続した偶数番目の単位セグメントを駆動する定電流源
71、72の電圧とを差動増幅器7、8に入力してこれらの
差動増幅器7、8から90゜の位相差を有する2相の差動
信号を出力するようにしたものである。
この実施例では前述の磁気検出装置に比べてMRストラ
イプ51〜58の抵抗値が4倍となって定電流源70〜73の電
流値がI/4となり、動作は前述の磁気検出装置と同様で
ある。
イプ51〜58の抵抗値が4倍となって定電流源70〜73の電
流値がI/4となり、動作は前述の磁気検出装置と同様で
ある。
MRストライプ51は4つのMRストライプ部511〜514がλ
/16の間隔で配置されていて4つのMRストライプ部511〜
514の各抵抗値をR311(x),R312(x),R313(x),R
314(x)とすると、MRストライプ51の抵抗値R31(x)
は R31(x)=R311(x)+R312(x)+R313(x)+R
314(x) =R11(x−3λ/32)+R11(x−λ/32) +R11(x+λ/32)+R11(x+3λ/32) となる。他のMRストライプ52〜58も同様である。
/16の間隔で配置されていて4つのMRストライプ部511〜
514の各抵抗値をR311(x),R312(x),R313(x),R
314(x)とすると、MRストライプ51の抵抗値R31(x)
は R31(x)=R311(x)+R312(x)+R313(x)+R
314(x) =R11(x−3λ/32)+R11(x−λ/32) +R11(x+λ/32)+R11(x+3λ/32) となる。他のMRストライプ52〜58も同様である。
今、信号磁界の磁気記録媒体1に平行な磁束密度成分
を B(x)=B0+Ba sin(2π/λ)x とする。ここでB0は外乱磁束密度、Baは磁気ドラム1の
磁気記録信号から発生する信号磁束密度の振幅、λは磁
気記録信号の波長である。MRストライプの印加磁束密度
に対する抵抗変化率は第3図に示すように2次曲線に近
似して ρ=(B(x))=A{B(x)}2 と仮定する。ρは減少率である。この場合MRストライプ
の相対的移動距離xに対する抵抗値R11(x)は R11(x)=R0{1−ρ(B(x))} で表わされる。MRストライプは外部から印加される磁束
密度B(x)がO[gauss]のときR0の抵抗値を示す
が、磁束密度B(x)が加わると、R0−R0ρ(B
(x))となってR0ρ(B(x))だけ減少することが
わかる。R11(x)を書き直すと、 R11(x)=R0{1−A(B0+Basin(2π/λ)
x)2} =R0{1−A(B0 2+Ba2/2+2B0Basin(2π/λ)x −(Ba2/2)cos(4π/λ)x)} となる。同様に R311(x)=R11(x−3λ/32) =R0{1−A(B0 2+Ba2/2 +2B0Basin(2π/λ)(x−3λ/32) −(Ba2/2)cos(4π/λ)(x−3λ/32))} R312(x)=R11(x−λ/32) =R0{1−A(B0 2+Ba2/2 +2B0Basin(2π/λ)(x−λ/32) −(Ba2/2)cos(4π/λ)(x−λ/32))} R313(x)=R0{1−A(B0 2+Ba2/2 +2B0Basin(2π/λ)(x−λ/32) −(Ba2/2)cos(4π/λ)(x+λ/32))} R314(x)=R0{1−A(B0 2+Ba2/2 +2B0Basin(2π/λ)(x+3λ/32) −(Ba2/2)cos(4π/λ)(x+3λ/32))} となり、MRストライプ51の抵抗値R31(x)は R31(x)=R0[4−A{4B0 2+4Ba2/2 +2B0Ba{sin(2π/λ)(x−3λ/32) +sin(2π/λ)(x+3λ/32) +sin(2π/λ)(x−λ/32) +sin(2π/λ)(x+λ/32) −(Ba2/2){cos(4π/λ)(x−3λ/32) +cos(4π/λ)(x+3λ/32) +cos(4π/λ)(x−3λ/32) +cos(4π/λ)(x+3λ/32)}}] =R0[4−A{4B0 2+4Ba2/2 +2B0Ba(2sin(2π/λ)xcos(3π/16) +2sin(2π/λ)xcos(π/16) −(Ba2/2)(2cos(4π/λ)xcos(3π/8) +2cos(4π/λ)xcos(π/8))}] =R0[4−A{4(B0 2+Ba2/2) +2B0Ba×4sin(2π/λ)x ×(cos3π/16+cosπ/16) ÷2−(Ba2/2)×4cos(4π/λ)x ×(cos(3π/8)+cos(π/8))÷2)}] =4R0[1−A{B0 2+Ba2/2 +2B0Basin(2π/λ)x ×(cos3π/16+cosπ/16) ÷2−(Ba2/2)cos(4π/λ)x ×(cos(3π/8)+cos(π/8))÷2)}] となる。以上の解析より抵抗値R11(x)を有するMRス
トライプを4本、λ/16の間隔で配置して直列に接続す
ると、その抵抗値変化の振幅は となる。ここに例えば 4×(cos3π/16+cos/16)/2≒4×0.906=3.62 4×(cos3π/8+cosπ/8)/2≒4×0.654=2.62 であり、この4本のMRストライプを接続したものは2π
/λ成分がR11(x)の3.62倍の振幅になって4π/λ
成分がR11(x)の2.62倍の振幅になる。またこの4本
のMRストライプを接続したものは印加磁束密度B(x)
=0(B0=Ba=0)のときの抵抗値がR11(x)の4倍
になる。更にこの4本のMRストライプを接続したものは
抵抗値R11(x)を有するMRストライプと比べて第4図
に示すように中心線を一致させれば抵抗変化の位相が全
く同くなり、抵抗変化の交流分の振幅のみが異なって R13(x)=4R11′(x)とおくことができる。MRスト
ライプ52〜58の抵抗値R32(x)〜R38(x)は次のよう
に表わされる。
を B(x)=B0+Ba sin(2π/λ)x とする。ここでB0は外乱磁束密度、Baは磁気ドラム1の
磁気記録信号から発生する信号磁束密度の振幅、λは磁
気記録信号の波長である。MRストライプの印加磁束密度
に対する抵抗変化率は第3図に示すように2次曲線に近
似して ρ=(B(x))=A{B(x)}2 と仮定する。ρは減少率である。この場合MRストライプ
の相対的移動距離xに対する抵抗値R11(x)は R11(x)=R0{1−ρ(B(x))} で表わされる。MRストライプは外部から印加される磁束
密度B(x)がO[gauss]のときR0の抵抗値を示す
が、磁束密度B(x)が加わると、R0−R0ρ(B
(x))となってR0ρ(B(x))だけ減少することが
わかる。R11(x)を書き直すと、 R11(x)=R0{1−A(B0+Basin(2π/λ)
x)2} =R0{1−A(B0 2+Ba2/2+2B0Basin(2π/λ)x −(Ba2/2)cos(4π/λ)x)} となる。同様に R311(x)=R11(x−3λ/32) =R0{1−A(B0 2+Ba2/2 +2B0Basin(2π/λ)(x−3λ/32) −(Ba2/2)cos(4π/λ)(x−3λ/32))} R312(x)=R11(x−λ/32) =R0{1−A(B0 2+Ba2/2 +2B0Basin(2π/λ)(x−λ/32) −(Ba2/2)cos(4π/λ)(x−λ/32))} R313(x)=R0{1−A(B0 2+Ba2/2 +2B0Basin(2π/λ)(x−λ/32) −(Ba2/2)cos(4π/λ)(x+λ/32))} R314(x)=R0{1−A(B0 2+Ba2/2 +2B0Basin(2π/λ)(x+3λ/32) −(Ba2/2)cos(4π/λ)(x+3λ/32))} となり、MRストライプ51の抵抗値R31(x)は R31(x)=R0[4−A{4B0 2+4Ba2/2 +2B0Ba{sin(2π/λ)(x−3λ/32) +sin(2π/λ)(x+3λ/32) +sin(2π/λ)(x−λ/32) +sin(2π/λ)(x+λ/32) −(Ba2/2){cos(4π/λ)(x−3λ/32) +cos(4π/λ)(x+3λ/32) +cos(4π/λ)(x−3λ/32) +cos(4π/λ)(x+3λ/32)}}] =R0[4−A{4B0 2+4Ba2/2 +2B0Ba(2sin(2π/λ)xcos(3π/16) +2sin(2π/λ)xcos(π/16) −(Ba2/2)(2cos(4π/λ)xcos(3π/8) +2cos(4π/λ)xcos(π/8))}] =R0[4−A{4(B0 2+Ba2/2) +2B0Ba×4sin(2π/λ)x ×(cos3π/16+cosπ/16) ÷2−(Ba2/2)×4cos(4π/λ)x ×(cos(3π/8)+cos(π/8))÷2)}] =4R0[1−A{B0 2+Ba2/2 +2B0Basin(2π/λ)x ×(cos3π/16+cosπ/16) ÷2−(Ba2/2)cos(4π/λ)x ×(cos(3π/8)+cos(π/8))÷2)}] となる。以上の解析より抵抗値R11(x)を有するMRス
トライプを4本、λ/16の間隔で配置して直列に接続す
ると、その抵抗値変化の振幅は となる。ここに例えば 4×(cos3π/16+cos/16)/2≒4×0.906=3.62 4×(cos3π/8+cosπ/8)/2≒4×0.654=2.62 であり、この4本のMRストライプを接続したものは2π
/λ成分がR11(x)の3.62倍の振幅になって4π/λ
成分がR11(x)の2.62倍の振幅になる。またこの4本
のMRストライプを接続したものは印加磁束密度B(x)
=0(B0=Ba=0)のときの抵抗値がR11(x)の4倍
になる。更にこの4本のMRストライプを接続したものは
抵抗値R11(x)を有するMRストライプと比べて第4図
に示すように中心線を一致させれば抵抗変化の位相が全
く同くなり、抵抗変化の交流分の振幅のみが異なって R13(x)=4R11′(x)とおくことができる。MRスト
ライプ52〜58の抵抗値R32(x)〜R38(x)は次のよう
に表わされる。
R32(x)=R31(x+λ/2) =4R11′(x+λ/2) R33(x)=R31(x+3λ/4) =4R11′(x+3λ/4) R34(x)=R31(x+λ/4) =4R11′(x+λ/4) R35(x)=R31(x+11λ/8) =R31(x+3λ/8) =4R11′(x+3λ/8) R36(x)=R31(x+15λ/8) =R31(x+7λ/8) =4R11′(x+7λ/8) R37(x)=R31(x+9λ/8) =R31(x+λ/8) =4R11′(x+λ/8) R38(x)=R31(x+13λ/8) =R31(x+5λ/8) =4R11′(x+5λ/8) したがってMRストライプ52〜58の抵抗変化の位相は前
述した磁気検出装置におけるMRストライプ9〜16と同じ
であり、差動増幅器7,8の出力信号e31(x),e32(x)
は前述した磁気検出装置の出力信号e11(x),e
12(x)と位相が同じで振幅が異なることになる。また
第5図に示すように各MRストライプ部511〜514……581
〜584を等間隔でしかも等しい幅,隙間で配置すると、
各MRストライプ部511〜514……581〜584が同じ感度(ρ
(B(x))=A{B(x)}2のAが同じ)になるの
で、出力波形のひずみがなくなり、望ましい。
述した磁気検出装置におけるMRストライプ9〜16と同じ
であり、差動増幅器7,8の出力信号e31(x),e32(x)
は前述した磁気検出装置の出力信号e11(x),e
12(x)と位相が同じで振幅が異なることになる。また
第5図に示すように各MRストライプ部511〜514……581
〜584を等間隔でしかも等しい幅,隙間で配置すると、
各MRストライプ部511〜514……581〜584が同じ感度(ρ
(B(x))=A{B(x)}2のAが同じ)になるの
で、出力波形のひずみがなくなり、望ましい。
磁気検出装置は用途によってはMRストライプ配置の広
がりを上記実施例より少し広くても消費流をもっとも小
さくしたい場合が有る。この場合にはMRストライプを偶
数個づつ直列に接続するようにしてもよく、例えば第6
図に示すように上記実施例において、直流電流と定電流
源81〜84との各間にMRストライプ85〜100を4つづつ直
列に接続して定電流源81〜84でこれらにI/8の電流を供
給するようにしてもよい。このMRストライプ85〜100は
それぞれ2往復に折り返したものであってMR素子101を
構成し、磁気ドラム1と対向してその回転方向へ85,89,
86,90,87,91,88,92,93,97,94,98,95,99,96,100の順にλ
/4,λ/4,λ/4,λ/4,λ/4,λ/4,λ/4,3λ/8,λ/4,λ/4,
λ/4,λ/4,λ/4,λ/4,λ/4の間隔で引き出し導線出方向
が互い違いになるように並列に配置されている。
がりを上記実施例より少し広くても消費流をもっとも小
さくしたい場合が有る。この場合にはMRストライプを偶
数個づつ直列に接続するようにしてもよく、例えば第6
図に示すように上記実施例において、直流電流と定電流
源81〜84との各間にMRストライプ85〜100を4つづつ直
列に接続して定電流源81〜84でこれらにI/8の電流を供
給するようにしてもよい。このMRストライプ85〜100は
それぞれ2往復に折り返したものであってMR素子101を
構成し、磁気ドラム1と対向してその回転方向へ85,89,
86,90,87,91,88,92,93,97,94,98,95,99,96,100の順にλ
/4,λ/4,λ/4,λ/4,λ/4,λ/4,λ/4,3λ/8,λ/4,λ/4,
λ/4,λ/4,λ/4,λ/4,λ/4の間隔で引き出し導線出方向
が互い違いになるように並列に配置されている。
第8図は本発明の他の実施例を示す。
この実施例は上記第1図の実施例においてMRストライ
プ111〜118からなるMR素子119を用いたものであり、MR
ストライプ111〜118は磁気ドラム1と対向してその回転
方向へ111,113,112,114,115,117,116,118の順にλ/4,λ
/4,λ/4,3λ/8,λ/4,λ/4,λ/4の間隔で引き出し導線出
方向が互い違いになるように並列に配置される。MRスト
ライプ111〜118は2つづつの直列に接続されてその各一
端が電源端子120,125に接続されると共に他端がそれぞ
れ引出し端子121〜124に接続され、電源端子120,125が
直流電源に接続されて引出し端子121〜124が定電流源40
〜43に接続される。
プ111〜118からなるMR素子119を用いたものであり、MR
ストライプ111〜118は磁気ドラム1と対向してその回転
方向へ111,113,112,114,115,117,116,118の順にλ/4,λ
/4,λ/4,3λ/8,λ/4,λ/4,λ/4の間隔で引き出し導線出
方向が互い違いになるように並列に配置される。MRスト
ライプ111〜118は2つづつの直列に接続されてその各一
端が電源端子120,125に接続されると共に他端がそれぞ
れ引出し端子121〜124に接続され、電源端子120,125が
直流電源に接続されて引出し端子121〜124が定電流源40
〜43に接続される。
この実施例は電源端子120,125を境にして奇数番目同
士,偶数番目同士のMRストライプ111と112,113と114,11
5と116,117と118が接続されているが、第1図の実施例
と同様に動作する。
士,偶数番目同士のMRストライプ111と112,113と114,11
5と116,117と118が接続されているが、第1図の実施例
と同様に動作する。
このように、この実施例は、一定波長λの繰り返し信
号を着磁記録した磁気記録媒体1と、該磁気記録媒体1
に対向するMR素子119とを備えた磁気検出装置におい
て、上記MR素子119は少なくとも1往復折り返したMRス
トライプ111〜118を単位セグメントとし、該単位セグメ
ント111〜118をλ/4毎の間隔で単位セグメントからの引
き出し線導出方向が互い違いになるよう複数個並列に配
置して2相分のMR素子を構成し、各相分毎のMR素子はそ
れぞれ奇数番目に位置する単位セグメント同士を直列に
接続すると共に偶数番目に位置する単位セグメント同士
を直列に接続して構成し、かつ、各相分毎のMR素子は上
記直列に接続した奇数番目の単位セグメントを定電流源
40、43によりそれぞれ駆動すると共に、上記直列に接続
した偶数番目の単位セグメントを定電流源41、42により
それぞれ駆動し、各相分毎に上記直列に接続した奇数番
目の単位セグメントを駆動する定電流源40、43の電圧
と、上記直列に接続した偶数番目の単位セグメントを駆
動する定電流源41、42の電圧とを差動増幅器7、8に入
力してこれらの差動増幅器7、8から90゜の位相差を有
する2相の差動信号を出力するようにしたものである。
号を着磁記録した磁気記録媒体1と、該磁気記録媒体1
に対向するMR素子119とを備えた磁気検出装置におい
て、上記MR素子119は少なくとも1往復折り返したMRス
トライプ111〜118を単位セグメントとし、該単位セグメ
ント111〜118をλ/4毎の間隔で単位セグメントからの引
き出し線導出方向が互い違いになるよう複数個並列に配
置して2相分のMR素子を構成し、各相分毎のMR素子はそ
れぞれ奇数番目に位置する単位セグメント同士を直列に
接続すると共に偶数番目に位置する単位セグメント同士
を直列に接続して構成し、かつ、各相分毎のMR素子は上
記直列に接続した奇数番目の単位セグメントを定電流源
40、43によりそれぞれ駆動すると共に、上記直列に接続
した偶数番目の単位セグメントを定電流源41、42により
それぞれ駆動し、各相分毎に上記直列に接続した奇数番
目の単位セグメントを駆動する定電流源40、43の電圧
と、上記直列に接続した偶数番目の単位セグメントを駆
動する定電流源41、42の電圧とを差動増幅器7、8に入
力してこれらの差動増幅器7、8から90゜の位相差を有
する2相の差動信号を出力するようにしたものである。
(発明の効果) 以上のように本発明によれば、直列に接続された磁気
抵抗ストライプが少なくとも1往復折り返されているの
で、磁気抵抗ストライプが直列に接続されたラインにお
ける磁気抵抗ストライプに本数が増えてその抵抗値が大
きくなり、消費電流を小さくすることができる。また、
単位セグメントをλ/4毎の間隔で単位セグメントからの
引き出し線導出方向が互い違いになるよう複数個並列に
配置して2相分の磁気抵抗素子を構成し、各相分毎の磁
気抵抗素子はそれぞれ奇数番目に位置する単位セグメン
ト同士を直列に接続すると共に偶数番目に位置する単位
セグメント同士を直列に接続して構成し、かつ、各相分
毎の磁気抵抗素子は上記直列に接続した奇数番目の単位
セグメントを定電流源によりそれぞれ駆動すると共に、
上記直列に接続した偶数番目の単位セグメントを定電流
源によりそれぞれ駆動し、各相分毎に上記直列に接続し
た奇数番目の単位セグメントを駆動する定電流源の電圧
と、上記直列に接続した偶数番目の単位セグメントを駆
動する定電流源の電圧とを差動増幅器に入力してこれら
の差動増幅器から90゜の位相差を有する2相の差動信号
を出力するようにしたので、2つの差動増幅器からλ/4
(即ち90゜)位相のずれた2層の差動信号を効率良く得
ることができるとともに、磁気抵抗ストライプの配置の
広がりを小さくすることができ、外側の磁気抵抗ストラ
イプも十分に強い信号磁界を受けて、もって検出信号電
圧を増大させることができる。特に、当該磁気抵抗素子
を定電流源により駆動することにより、複数の単位セグ
メントを接続した直列ラインと差動増幅器の入力端子と
の接続点よりも接地電位側には定電流源を設けるだけで
出力信号を得ることができ、必要とする磁気抵抗ストラ
イプ数を半減することができる。したがって、直列ライ
ンの配線をクロスオーバーさせることなく一層構造で磁
気抵抗素子を形成することができ、磁気抵抗ストライプ
の配置の拡がりを小さくすることができる。
抵抗ストライプが少なくとも1往復折り返されているの
で、磁気抵抗ストライプが直列に接続されたラインにお
ける磁気抵抗ストライプに本数が増えてその抵抗値が大
きくなり、消費電流を小さくすることができる。また、
単位セグメントをλ/4毎の間隔で単位セグメントからの
引き出し線導出方向が互い違いになるよう複数個並列に
配置して2相分の磁気抵抗素子を構成し、各相分毎の磁
気抵抗素子はそれぞれ奇数番目に位置する単位セグメン
ト同士を直列に接続すると共に偶数番目に位置する単位
セグメント同士を直列に接続して構成し、かつ、各相分
毎の磁気抵抗素子は上記直列に接続した奇数番目の単位
セグメントを定電流源によりそれぞれ駆動すると共に、
上記直列に接続した偶数番目の単位セグメントを定電流
源によりそれぞれ駆動し、各相分毎に上記直列に接続し
た奇数番目の単位セグメントを駆動する定電流源の電圧
と、上記直列に接続した偶数番目の単位セグメントを駆
動する定電流源の電圧とを差動増幅器に入力してこれら
の差動増幅器から90゜の位相差を有する2相の差動信号
を出力するようにしたので、2つの差動増幅器からλ/4
(即ち90゜)位相のずれた2層の差動信号を効率良く得
ることができるとともに、磁気抵抗ストライプの配置の
広がりを小さくすることができ、外側の磁気抵抗ストラ
イプも十分に強い信号磁界を受けて、もって検出信号電
圧を増大させることができる。特に、当該磁気抵抗素子
を定電流源により駆動することにより、複数の単位セグ
メントを接続した直列ラインと差動増幅器の入力端子と
の接続点よりも接地電位側には定電流源を設けるだけで
出力信号を得ることができ、必要とする磁気抵抗ストラ
イプ数を半減することができる。したがって、直列ライ
ンの配線をクロスオーバーさせることなく一層構造で磁
気抵抗素子を形成することができ、磁気抵抗ストライプ
の配置の拡がりを小さくすることができる。
第1図及び第2図は本発明の各実施例を示す概略図、第
3図はMRストライプの特性図、第4図及び第5図は上記
実施例を説明するための図、第6図は本発明の他の実施
例を示す図、第7図は磁気検出装置の一例を示す概略
図、第8図は本発明の他の実施例を示す図である。 1……磁気記録媒体、31〜38,51〜58,85〜100,111〜118
……MRストライプ、39,59,101,108,119……MR素子、40
〜43,70〜73,81〜84……定電流源。
3図はMRストライプの特性図、第4図及び第5図は上記
実施例を説明するための図、第6図は本発明の他の実施
例を示す図、第7図は磁気検出装置の一例を示す概略
図、第8図は本発明の他の実施例を示す図である。 1……磁気記録媒体、31〜38,51〜58,85〜100,111〜118
……MRストライプ、39,59,101,108,119……MR素子、40
〜43,70〜73,81〜84……定電流源。
Claims (1)
- 【請求項1】一定波長λの繰り返し信号を着磁記録した
磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に対向する磁気抵抗素
子とを備えた磁気検出装置において、上記磁気抵抗素子
は少なくとも1往復折り返した磁気抵抗ストライプを単
位セグメントとし、該単位セグメントをλ/4毎の間隔で
単位セグメントからの引き出し線導出方向が互い違いに
なるよう複数個並列に配置して2相分の磁気抵抗素子を
構成し、各相分毎の磁気抵抗素子はそれぞれ奇数番目に
位置する単位セグメント同士を直列に接続すると共に偶
数番目に位置する単位セグメント同士を直列に接続して
構成し、かつ、各相分毎の磁気抵抗素子は上記直列に接
続した奇数番目の単位セグメントを定電流源によりそれ
ぞれ駆動すると共に、上記直列に接続した偶数番目の単
位セグメントを定電流源によりそれぞれ駆動し、各相分
毎に上記直列に接続した奇数番目の単位セグメントを駆
動する定電流源の電圧と、上記直列に接続した偶数番目
の単位セグメントを駆動する定電流源の電圧とを差動増
幅器に入力してこれらの差動増幅器から90゜の位相差を
有する2相の差動信号を出力するようにしたことを特徴
とする磁気検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63036913A JP2682630B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 磁気検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63036913A JP2682630B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 磁気検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01212313A JPH01212313A (ja) | 1989-08-25 |
JP2682630B2 true JP2682630B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=12483008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63036913A Expired - Fee Related JP2682630B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 磁気検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2682630B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006208296A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Canon Inc | 磁性体センサおよび検出キット |
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---|---|---|---|---|
JP2924236B2 (ja) * | 1991-03-20 | 1999-07-26 | ソニー・プレシジョン・テクノロジー株式会社 | 磁気センサおよび位置検出装置 |
DE69331895T2 (de) * | 1992-12-29 | 2002-12-19 | Eastman Kodak Co., Rochester | Magnetoresistiver Magnetfeldsensor mit sehr langem Wirkbereich |
EP1052473B1 (fr) * | 1997-12-22 | 2003-05-02 | Brown & Sharpe Tesa S.A. | Dispositifs de mesure magnétique avec reduction de la dissipation d'énergie ou mode de veille |
EP1295081B1 (fr) * | 2000-06-27 | 2004-11-03 | Tesa Sa | Dispositif de mesure a electrodes magnetoresistives |
US7969148B2 (en) * | 2006-03-06 | 2011-06-28 | Nidec Sankyo Corporation | Magnetic sensor device, magnetic encoder device and magnetic scale manufacturing method |
Family Cites Families (5)
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---|---|---|---|---|
JPS5868615A (ja) * | 1981-10-20 | 1983-04-23 | Sharp Corp | 磁気式ロ−タリ・エンコ−ダの出力回路 |
JPS58106462A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回転検出装置 |
JPS5918458A (ja) * | 1982-07-23 | 1984-01-30 | Nippon Denso Co Ltd | 回転検出装置 |
JPS5994010A (ja) * | 1982-11-20 | 1984-05-30 | Kawaguchiko Seimitsu Kk | 検出器 |
JP2526913B2 (ja) * | 1987-07-13 | 1996-08-21 | ソニー株式会社 | 回転検出装置 |
-
1988
- 1988-02-19 JP JP63036913A patent/JP2682630B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006208296A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Canon Inc | 磁性体センサおよび検出キット |
US8486334B2 (en) | 2005-01-31 | 2013-07-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic sensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01212313A (ja) | 1989-08-25 |
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Legal Events
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