JP2679861B2 - 電気導電性高分子及び電気導電性高分子を用いた液晶スイッチ及びディスプレー素子における配向層 - Google Patents
電気導電性高分子及び電気導電性高分子を用いた液晶スイッチ及びディスプレー素子における配向層Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はスイッチ及びディスプレー媒体（FLCディス
プレー）として用いられる強誘電性液晶であるスイッチ
及びディスプレー素子に関する。
プレー）として用いられる強誘電性液晶であるスイッチ
及びディスプレー素子に関する。
［従来の技術］ そのような例は、US−A4,367,924に記載されている。
スイッチ及びディスプレー素子は強誘電性液晶媒体（FL
C）よりなり、強誘電性液晶媒体は両側から電気絶縁
層、電極及び境界板によって挟まれている。境界板は通
常、ガラス板である。加えて、ゲスト−ホスト（guest
−host）方式で動作するときは偏向子を含み、複屈折方
式で動作するときは二の偏向子を含む。電気絶縁層は、
電極間の短絡と、境界板としてのガラスから液晶層への
イオンの拡散を防止するために用いられる。さらに、少
なくとも一方、好ましくは両側の絶縁層は、液晶層の分
子がその分子の長手方向にお互いに平行に配列し、スメ
クチック平面が直角に配列するか又は配向層と角度をな
すための、配向層としての役割を果たす。この配列にお
いては、FLC分子は二種類の可能な等価の配向をもち、
電場のパルスを印加することによって配向を変化させる
ことができる。その配向は、電場が途絶えても又はディ
スプレーが短絡しても常に最後の配向形態が保持され
る。それゆえFLCディスプレーは双安定スイッチに用い
ることができる。スイッチ開閉時間はマイクロ秒の範囲
にあり、この時間は使用する液晶材料の自然分極が高く
なるほど短くなる。
スイッチ及びディスプレー素子は強誘電性液晶媒体（FL
C）よりなり、強誘電性液晶媒体は両側から電気絶縁
層、電極及び境界板によって挟まれている。境界板は通
常、ガラス板である。加えて、ゲスト−ホスト（guest
−host）方式で動作するときは偏向子を含み、複屈折方
式で動作するときは二の偏向子を含む。電気絶縁層は、
電極間の短絡と、境界板としてのガラスから液晶層への
イオンの拡散を防止するために用いられる。さらに、少
なくとも一方、好ましくは両側の絶縁層は、液晶層の分
子がその分子の長手方向にお互いに平行に配列し、スメ
クチック平面が直角に配列するか又は配向層と角度をな
すための、配向層としての役割を果たす。この配列にお
いては、FLC分子は二種類の可能な等価の配向をもち、
電場のパルスを印加することによって配向を変化させる
ことができる。その配向は、電場が途絶えても又はディ
スプレーが短絡しても常に最後の配向形態が保持され
る。それゆえFLCディスプレーは双安定スイッチに用い
ることができる。スイッチ開閉時間はマイクロ秒の範囲
にあり、この時間は使用する液晶材料の自然分極が高く
なるほど短くなる。
これまで用いられてきた、一般には強誘電性ではない
液晶ディスプレーと比較すると、FLCディスプレーは特
にマルチプレックス動作、すなわちタイム・シーケンシ
ャル法（マルチプレックス法）における一区画当たりの
最大線数が既知の非強誘電性ディスプレーよりも優れて
いる。
液晶ディスプレーと比較すると、FLCディスプレーは特
にマルチプレックス動作、すなわちタイム・シーケンシ
ャル法（マルチプレックス法）における一区画当たりの
最大線数が既知の非強誘電性ディスプレーよりも優れて
いる。
［発明が解決しようとする課題］ しかし、FLCディスプレーは二つの安定状態（静止画
像）のうちの一方に長時間ある場合、他の状態へのスイ
ッチの切り替えに非常な困難を伴う点で不利である。す
なわち、FLCディスプレーは非常に高い振幅を与えたと
きか又は電圧を非常に長いパルス持続時間で印加した場
合にスイッチ動作をする。換言すればFLCディスプレー
は著しい光学的ヒステリシスを呈する。画像ディスプレ
ーにおいては、長い時間にわたって描かれていた画像が
次の画像のなかにいわゆるゴースト画像として認められ
る状態となる。この光学的ヒステリシス現象は、FLC材
料の自然分極が高くなるほど著しい。他方、FLC材料の
スイッチ開閉時間は自然分極の程度に反比例するため、
FLCディスプレーの利点はこのヒステリシスによって生
かされなくなってしまう。この現象の原因はこれまで明
確に解明されていないが、FLC中のイオン性の不純物が
その原因ではないかといわれている。
像）のうちの一方に長時間ある場合、他の状態へのスイ
ッチの切り替えに非常な困難を伴う点で不利である。す
なわち、FLCディスプレーは非常に高い振幅を与えたと
きか又は電圧を非常に長いパルス持続時間で印加した場
合にスイッチ動作をする。換言すればFLCディスプレー
は著しい光学的ヒステリシスを呈する。画像ディスプレ
ーにおいては、長い時間にわたって描かれていた画像が
次の画像のなかにいわゆるゴースト画像として認められ
る状態となる。この光学的ヒステリシス現象は、FLC材
料の自然分極が高くなるほど著しい。他方、FLC材料の
スイッチ開閉時間は自然分極の程度に反比例するため、
FLCディスプレーの利点はこのヒステリシスによって生
かされなくなってしまう。この現象の原因はこれまで明
確に解明されていないが、FLC中のイオン性の不純物が
その原因ではないかといわれている。
前公表されていないDE−Ａ 3,843,228の先の出願に
おいては、FLCにおける光学的ヒステリシス現象を著し
く減少させるか又は抑制させるために、電極の少なくと
も一を液晶媒体と電気的に直接の接触をとることが既に
提案されている。
おいては、FLCにおける光学的ヒステリシス現象を著し
く減少させるか又は抑制させるために、電極の少なくと
も一を液晶媒体と電気的に直接の接触をとることが既に
提案されている。
［課題を解決するための手段］ 驚くべきことに、特にFLCディスプレーにおける光学
的ヒステリシスを効果的に抑制するには、FLCディスプ
レーに液晶スイッチ及びディスプレー素子を用いればよ
いことが分かった。そのディスプレーに液晶スイッチ及
びディスプレー素子は、強誘電性液晶媒体、二の電極、
少なくとも一の偏光子、二の透明キャリア板及び少なく
とも一の配向層からなり、配向層の少なくとも一は電極
と直接の導通がとられ、前記配向層は電気導電性高分子
を含む。
的ヒステリシスを効果的に抑制するには、FLCディスプ
レーに液晶スイッチ及びディスプレー素子を用いればよ
いことが分かった。そのディスプレーに液晶スイッチ及
びディスプレー素子は、強誘電性液晶媒体、二の電極、
少なくとも一の偏光子、二の透明キャリア板及び少なく
とも一の配向層からなり、配向層の少なくとも一は電極
と直接の導通がとられ、前記配向層は電気導電性高分子
を含む。
好ましくは、配向層は式（Ｉ）の繰り返し単位をもつ
電気導電性高分子を含む。
電気導電性高分子を含む。
ここで、 R1,R2は互いに独立であり、Ｈ、炭素数１乃至16であ
る直鎖若しくは分岐のアルキル基若しくはアルコキシ基
又はハロゲンである。
る直鎖若しくは分岐のアルキル基若しくはアルコキシ基
又はハロゲンである。
ＸはＳ又はNHである。
Y-はBF4 -,PF6 -,PO4 3-,AsF6 -,SbCl6 -,SO4 2-,HSO4 -、ア
ルキル−SO3 -,パーフルオロアルキル−SO3 -,アリル−SO
3 -,F-又はCl-である。
ルキル−SO3 -,パーフルオロアルキル−SO3 -,アリル−SO
3 -,F-又はCl-である。
ｎは４乃至100の整数である。
ｍは１乃至30の整数である。
電気導電性高分子は、DE−A3,717,668、DE−A3,628,8
95及びDE−A3,736,114により公知である。電気導電性高
分子は室温において非プロトン性双極子溶媒中に酸化物
の形で溶解し、式（II）の単量体より導かれる。
95及びDE−A3,736,114により公知である。電気導電性高
分子は室温において非プロトン性双極子溶媒中に酸化物
の形で溶解し、式（II）の単量体より導かれる。
二つのラジカルR3及びR4の少なくとも一つはアルコキ
シ基であり他方は炭素数１乃至６であるアルキル基又は
水素である。正にドープされた高分子の調製法、安定性
及び電気導電性についてもそれらの文献中で研究されて
いる。
シ基であり他方は炭素数１乃至６であるアルキル基又は
水素である。正にドープされた高分子の調製法、安定性
及び電気導電性についてもそれらの文献中で研究されて
いる。
式（Ｉ）の電気導電性高分子を液晶スイッチ及びディ
スプレー素子に応用するには、（正の）ドーピングの程
度が10乃至30％であることが特にふさわしい。ドーピン
グの程度は高分子の電荷（ｍ）と高分子をなす単量体の
数（ｎ）の割合で表される。ドーピングされていない高
分子は僅かに無視できる程度の小さな電気導電性しかも
たず、高度にドーピングされた高分子（重合性ラジカル
カチオン）は通常不安定か又は得るのが困難である。
スプレー素子に応用するには、（正の）ドーピングの程
度が10乃至30％であることが特にふさわしい。ドーピン
グの程度は高分子の電荷（ｍ）と高分子をなす単量体の
数（ｎ）の割合で表される。ドーピングされていない高
分子は僅かに無視できる程度の小さな電気導電性しかも
たず、高度にドーピングされた高分子（重合性ラジカル
カチオン）は通常不安定か又は得るのが困難である。
式（Ｉ）で表される導電性高分子は、ｎが４乃至30の
整数で、ｍが１乃至９の整数であり、特にFLCディスプ
レーの配向層の組成物として用いられることが好まし
く、特にｎが４乃至10の整数、ｍが１乃至４の整数であ
ることが好ましい。
整数で、ｍが１乃至９の整数であり、特にFLCディスプ
レーの配向層の組成物として用いられることが好まし
く、特にｎが４乃至10の整数、ｍが１乃至４の整数であ
ることが好ましい。
さらに好ましくは導電性高分子は、式（Ｉ）中のＸが
硫黄原子であり、アニオン（Y-）としてBF4 -,PO4 3-,SO4
2-,HSO4 -、F-及び／又はCl-が用いられる。
硫黄原子であり、アニオン（Y-）としてBF4 -,PO4 3-,SO4
2-,HSO4 -、F-及び／又はCl-が用いられる。
好ましくは、配向層は30乃至100重量％の式（Ｉ）で
表される導電性高分子を含む。配向層の他の構成成分と
しては、電気導電性材料と非導電性材料の双方ともふさ
わしく、特にふさわしいのは有機高分子である。
表される導電性高分子を含む。配向層の他の構成成分と
しては、電気導電性材料と非導電性材料の双方ともふさ
わしく、特にふさわしいのは有機高分子である。
本発明をさらに具体的に説明すれば、液晶スイッチ及
びディスプレー素子中の配向層は、式（Ｉ）で表される
高分子に加えて、非導電性の高分子を含む。それらは例
えば、ポリビニルホルマール、ポリビニルアセタール、
ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニ
ル、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルメチルケト
ン、ポリ無水マレイン酸、ポリスチレン、ポリ−Ｎ−ビ
ニルカルバゾール、ポリ−Ｎ−ビニルピロリドン、ポリ
ビニルピリジン、ポリメチルアクリレート、ポリメチル
メタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリアセトア
ルデヒド、ポリアクロレイン、ポリエチレンオキシド、
ポリテトラヒドロフラン、脂肪族ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリブチルイソシアネート、天然ゴム、ポ
リウレタン、メチルセルロース、エチルセルロース、セ
ルローストリアセテート及びポリメチルシロキサンであ
る。しかし、配向層には更に他の導電性高分子を含んで
もよい。特に、広面積のディスプレーの場合、短絡を避
けるために配向層のうちの一つを電気導電性高分子と
し、他方を電気絶縁層とすることが都合がよい。
びディスプレー素子中の配向層は、式（Ｉ）で表される
高分子に加えて、非導電性の高分子を含む。それらは例
えば、ポリビニルホルマール、ポリビニルアセタール、
ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニ
ル、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルメチルケト
ン、ポリ無水マレイン酸、ポリスチレン、ポリ−Ｎ−ビ
ニルカルバゾール、ポリ−Ｎ−ビニルピロリドン、ポリ
ビニルピリジン、ポリメチルアクリレート、ポリメチル
メタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリアセトア
ルデヒド、ポリアクロレイン、ポリエチレンオキシド、
ポリテトラヒドロフラン、脂肪族ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリブチルイソシアネート、天然ゴム、ポ
リウレタン、メチルセルロース、エチルセルロース、セ
ルローストリアセテート及びポリメチルシロキサンであ
る。しかし、配向層には更に他の導電性高分子を含んで
もよい。特に、広面積のディスプレーの場合、短絡を避
けるために配向層のうちの一つを電気導電性高分子と
し、他方を電気絶縁層とすることが都合がよい。
高分子の電気導電性が高くなるほど光学的ヒステリシ
スの減退は著しい。それゆえ配向面と直角方向の導電率
は少なくとも10-5Siemens/m、コンダクタンスは少なく
とも100Siemens/m2必要である。
スの減退は著しい。それゆえ配向面と直角方向の導電率
は少なくとも10-5Siemens/m、コンダクタンスは少なく
とも100Siemens/m2必要である。
本発明は図面によって更に詳細に説明される。
第１図は光学的ヒステリシスの現象を示す図である。
FLCディスプレーは両極性電圧パルスを連続的に印加
され（第１図ａ）、特に、リセットパルスＲの後に逆の
テストパルスＴが続く。リセットパルスはディスプレー
を常にスイッチさせるのに十分大きい。テストパルスVt
cが十分大きいとき、ディスプレーは反対方向であるリ
セットパルス側にスイッチし、これはディスプレーのフ
ラッシュによって認識される。同時に、テストパルスの
スイッチングに必要である最小の電圧（テストパルスの
臨界電圧）Vt cはそれ以前のディスプレーのスイッチン
グ状態に左右される（第１図ｂ）。初期状態におけるテ
ストパルスがスイッチングさせるは小さすぎるときは、
ディスプレーは静止状態となり、テスト電圧Vtが増加す
るほどスイッチングするようになる。すなわち比較的高
い電圧Vt2 c（第１図ｂ）の場合にのみディスプレーはフ
ラッシュする（第１図ａ上）。テストパルスの高さ（第
１図ａ下）が初期の電圧Vt2 cより小さくなるとディスプ
レーはスイッチ動作を続ける（ディスプレーがフラッシ
ュする）。テストパルスの高さが減少しVt2 cより著しく
低くなると、テストパルスはもはやディスプレーをスイ
ッチしなくなり（Vt1 c）、ディスプレーは再び静止す
る。光学的ヒステリシスを第１図ｂに示す（Trは光の透
過率を表しVtはテストパルスの電圧を表す）。
され（第１図ａ）、特に、リセットパルスＲの後に逆の
テストパルスＴが続く。リセットパルスはディスプレー
を常にスイッチさせるのに十分大きい。テストパルスVt
cが十分大きいとき、ディスプレーは反対方向であるリ
セットパルス側にスイッチし、これはディスプレーのフ
ラッシュによって認識される。同時に、テストパルスの
スイッチングに必要である最小の電圧（テストパルスの
臨界電圧）Vt cはそれ以前のディスプレーのスイッチン
グ状態に左右される（第１図ｂ）。初期状態におけるテ
ストパルスがスイッチングさせるは小さすぎるときは、
ディスプレーは静止状態となり、テスト電圧Vtが増加す
るほどスイッチングするようになる。すなわち比較的高
い電圧Vt2 c（第１図ｂ）の場合にのみディスプレーはフ
ラッシュする（第１図ａ上）。テストパルスの高さ（第
１図ａ下）が初期の電圧Vt2 cより小さくなるとディスプ
レーはスイッチ動作を続ける（ディスプレーがフラッシ
ュする）。テストパルスの高さが減少しVt2 cより著しく
低くなると、テストパルスはもはやディスプレーをスイ
ッチしなくなり（Vt1 c）、ディスプレーは再び静止す
る。光学的ヒステリシスを第１図ｂに示す（Trは光の透
過率を表しVtはテストパルスの電圧を表す）。
高情報密度ディスプレーの場合、光学的ヒステリシス
の存在下、個々の画像点がスイッチされているか否か
は、電圧が変化する以前の状態に左右され、いわゆるゴ
ースト画像が現れる。その電圧は実際にはテストパルス
と等価である。
の存在下、個々の画像点がスイッチされているか否か
は、電圧が変化する以前の状態に左右され、いわゆるゴ
ースト画像が現れる。その電圧は実際にはテストパルス
と等価である。
第２図ａ及び第２図ｂは、縦軸に強度（単位Ｖ）をプ
ロットし（透過率に比例する）、横軸に電界の強さ（単
位V/μｍ）をプロットしたものである。
ロットし（透過率に比例する）、横軸に電界の強さ（単
位V/μｍ）をプロットしたものである。
第２図は前述の方法で得られたヒステリシス曲線を比
較したものである。第２図ａは配向層によってFLCが電
極から絶縁されている既知のディスプレーのヒステリシ
ス曲線であり、第２図ｂは導電性高分子からなる二つの
配向層がFLCと直接の導通がある本発明のディスプレー
のヒステリシス曲線である。後者では広い範囲にわたっ
てヒステリシスが抑制されていることが明瞭に分かる。
較したものである。第２図ａは配向層によってFLCが電
極から絶縁されている既知のディスプレーのヒステリシ
ス曲線であり、第２図ｂは導電性高分子からなる二つの
配向層がFLCと直接の導通がある本発明のディスプレー
のヒステリシス曲線である。後者では広い範囲にわたっ
てヒステリシスが抑制されていることが明瞭に分かる。
式（III）で表される高分子は、配向性に優れ、電気
導電率が高いため、ディスプレーの配向層に用いること
が特に有利である。
導電率が高いため、ディスプレーの配向層に用いること
が特に有利である。
ｎは５又は６である。
塗布の方法と、電気的及び光学的結果を実施例１に述
べる。
べる。
高い光の透過性を達成するために、単一の高分子の代
わりに高分子をブレンドしたものを用いることが有利で
ある。式（III）で表される高分子と式（IV）で表され
るポリメタクリレートよりなる混合系では著しい光の透
過性を示した。前述した非導電性高分子をさらにブレン
ドしたものを用いることも特にふさわしい方法である。
わりに高分子をブレンドしたものを用いることが有利で
ある。式（III）で表される高分子と式（IV）で表され
るポリメタクリレートよりなる混合系では著しい光の透
過性を示した。前述した非導電性高分子をさらにブレン
ドしたものを用いることも特にふさわしい方法である。
以下、本発明を実施例によって説明する。
実施例 １ 次の構造をもつ電気導電性高分子の濃度２％ニトロメ
タン溶液を1500rpm、30秒の条件でスピンコート法によ
り透明電極の1mm厚のガラス基板上に塗布する。
タン溶液を1500rpm、30秒の条件でスピンコート法によ
り透明電極の1mm厚のガラス基板上に塗布する。
ｎは５又は６である。
基板上に塗布された膜を120℃の乾燥機中で乾燥させ
溶媒を蒸発させる。得られた高分子膜は100nmの厚さが
あり、ストローク機を用いて二度同じ方向になでつけ
る。均一な、やや青味を帯び、100nmの厚みをもち導電
率が8.0×10-3S/cmである高分子膜が得られる。同じ高
分子を塗布したガラス基板を平行に及び逆平行に配列さ
せる。ガラス基板をスペーサーを用いて封入しセルとな
す。電極の間隔は2.4μｍである。セルは市販の強誘電
性の混合物であるFelix002（Hoechst AGの登録商標）
で満たす。このセルの双安定性は優れており、第２図ｂ
の結果より光学的ヒステリシスをほとんど示さない。55
0nmの波長における高分子膜の光の透過率は約50％であ
った。
溶媒を蒸発させる。得られた高分子膜は100nmの厚さが
あり、ストローク機を用いて二度同じ方向になでつけ
る。均一な、やや青味を帯び、100nmの厚みをもち導電
率が8.0×10-3S/cmである高分子膜が得られる。同じ高
分子を塗布したガラス基板を平行に及び逆平行に配列さ
せる。ガラス基板をスペーサーを用いて封入しセルとな
す。電極の間隔は2.4μｍである。セルは市販の強誘電
性の混合物であるFelix002（Hoechst AGの登録商標）
で満たす。このセルの双安定性は優れており、第２図ｂ
の結果より光学的ヒステリシスをほとんど示さない。55
0nmの波長における高分子膜の光の透過率は約50％であ
った。
実施例 ２ 実施例１の電気導電性高分子1.0gと、50乃至100の単
量体（＝50−100）からなる式（IV）で表されるポリ
メタクリル酸メチル1.0gとを100cm3のγ−ブチロラクト
ンに撹拌しながら溶解させる。この溶液を実施例１と同
様にガラス基板上に塗布する。180℃で１時間乾燥させ1
50nmの厚さをもつ高分子膜が得られる。実施例１と同様
の方法で基板の整列処理を行い厚さ２μｍの液晶層をも
つ液晶セルが得られる。セルを市販の強誘電性液晶混合
物であるFelix002（Hoechst AG製）で満たす。このセ
ルの双安定性は優れ、液晶スイッチ素子は光学的ヒステ
リシスをほとんど示さない。波長550nmにおける配向層
の光の透過率は77％である。
量体（＝50−100）からなる式（IV）で表されるポリ
メタクリル酸メチル1.0gとを100cm3のγ−ブチロラクト
ンに撹拌しながら溶解させる。この溶液を実施例１と同
様にガラス基板上に塗布する。180℃で１時間乾燥させ1
50nmの厚さをもつ高分子膜が得られる。実施例１と同様
の方法で基板の整列処理を行い厚さ２μｍの液晶層をも
つ液晶セルが得られる。セルを市販の強誘電性液晶混合
物であるFelix002（Hoechst AG製）で満たす。このセ
ルの双安定性は優れ、液晶スイッチ素子は光学的ヒステ
リシスをほとんど示さない。波長550nmにおける配向層
の光の透過率は77％である。
第１図は光学的ヒステリシスの現象を示す図である。 第２図は縦軸に強度をプロットし、横軸に電界の強さを
プロットした図である。
プロットした図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ミハエル・フェルトフエス ドイツ連邦共和国デー‐6232 バート・ ゾーデン・アム・タウヌス，イム・ヴァ イバー 18 (72)発明者 原田 隆正 ドイツ連邦共和国デー‐6370 オーバー ウルゼル，コルベルガー・シュトラーセ 26 (72)発明者 ゲーアハルト イリアン ドイツ連邦共和国デー‐6000 フランク フルト・アム・マイン・ラウエントハラ ー・ヴェーク 32 (72)発明者 トマス・メクレンブルク ドイツ連邦共和国デー‐6308 ブッツバ ッハ，フライヘル‐フォム‐シュタイ ン‐シュトラーセ 20 (72)発明者 村上 幹男 静岡県掛川市南２丁目８番１号 ニュー タウンビル202号 (72)発明者 ディーター・オーレンドルフ ドイツ連邦共和国デー‐6237 リーデル バッハ，アム・キューレン・グルント ４ (72)発明者 カルル・パンプス ドイツ連邦共和国デー‐6233 ケルクハ イム／タウヌス，パルクシュトラーセ 14
Claims (6)
- 【請求項１】強誘電性液晶媒体、二の電極、少なくとも
一の偏光子、二の透明キャリア板及び少なくとも一の配
向層からなる液晶スイッチ及びディスプレー素子であっ
て、配向層の少なくとも一は電極と直接の導通があり、
前記配向層は式（Ｉ）で表される電気導電性高分子を含
み、 R1,R2は互いに独立であり、Ｈ、炭素数１乃至16である
直鎖若しくは分岐のアルキル基若しくはアルコキシ基又
はハロゲンであり、 ＸはＳ又はNHであり、 Y-はBF4 -,PF6 -,PO4 3-,AsF6 -,SbCl6 -,SO4 2-,HSO4 -、アル
キル−SO3 -,パーフルオロアルキル−SO3 -,アリル−S
O3 -,F-又はCl-であり、 ｎは４乃至100の整数であり、 ｍは１乃至30の整数である、 液晶スイッチ及びディスプレー素子。 - 【請求項２】ｎが４乃至30の整数であり、ｍが１乃至９
の整数であり、R1,R2,X及びY-は明示された意味であ
る、請求項１に記載の液晶スイッチ及びディスプレー素
子。 - 【請求項３】Ｘが硫黄原子であり、Y-がBE4 -,PO4 3-,SO4
2-,HSO4 -,F-又はCl-と等しく、R1,R2,n及びｍは明示さ
れた意味である、請求項２に記載の液晶スイッチ及びデ
ィスプレー素子。 - 【請求項４】配向層は式（Ｉ）で表される高分子に加え
て、少なくとも一の非導電性高分子を含む請求項１に記
載の液晶スイッチ及びディスプレー素子。 - 【請求項５】配向層は式（Ｉ）で表される高分子に加え
て、少なくともさらに一の導電性高分子を含む請求項１
に記載の液晶スイッチ及びディスプレー素子。 - 【請求項６】式（Ｉ）で表される請求項１に記載の電気
導電性高分子を用いた液晶スイッチ及びディスプレー素
子中の配向層又は多重配向層。
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