JP2679223B2 - 光変調方法及び光変調器 - Google Patents

光変調方法及び光変調器

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JP2679223B2
JP2679223B2 JP1061534A JP6153489A JP2679223B2 JP 2679223 B2 JP2679223 B2 JP 2679223B2 JP 1061534 A JP1061534 A JP 1061534A JP 6153489 A JP6153489 A JP 6153489A JP 2679223 B2 JP2679223 B2 JP 2679223B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 光ファイバを伝送路とする光通信システムにおいて、
高速のディジタル信号を長距離伝送する伝送装置に用い
る光変調方式に関し、数ギガビット/秒以上の伝送速度
においても,ファイバ波長分散の大きいファイバを長距
離伝送できる光変調方式を提供することを目的とし、マ
ッハツェンダ干渉計型光変調器において,二つの光導波
路を伝播する光の位相を非対称に変調することにより、
変調器出力光の立ち上がり部分の中心波長を長波長側に
動かし,立ち下がり部分の中心波長を短波長側に動かす
ものである。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ファイバ等を伝送路とし、高速のディジ
タル信号をのせた光信号を長距離にわたって伝送する光
通信システムにおいて、伝送路に光信号を送出する伝送
装置等に用いられるべき光変調方法及びその方法に具さ
れる光変調器に関する。
第14図は光通信システムの構成を示す図であり、従来
より良く知られた光通信システムを示している。図中、
10,20はそれぞれ送信側および受信側の光伝送装置であ
る。30は光ファイバ伝送路を示している。
送信側の光伝送装置10は、高速のディジタル信号を乗
せた電気信号により強度変調された光信号を生成し、生
成した光信号は光ファイバ伝送路30へ導入される。光信
号は、光ファイバ伝送路30内を伝搬し、受信側の光伝送
装置20へと伝送され、光伝送装置20内の図示しない光電
変換素子等により電気信号へ変換され、当初のディジタ
ル信号が受信されるものである。
第15図は光ファイバ伝送路の波長分散特性を説明する
図である。なお、第15図において、横軸は波長、縦軸は
波長分散を示しており、λは零分散波長を示す。
光ファイバ伝送路は、第15図に示すような、波長分散
特性を有している。すなわち、同一の光ファイバ伝送路
であっても、光の伝搬速度はその波長によって異なるも
のである。すなわち、零分散波長λより長い波長領域
では波長分散係数(ps/nm/km)は正の値をとり、短い値
では負の値をとる。
一方、半導体レーザ素子等の光電をディジタル信号で
直接駆動する周知の直接変調方式においては、光源の物
理的特性の要因によりパルス波形内で中心波長が変動す
ることが知られている。すなわち、光源がしきい値電圧
前後で駆動される光パルスの立ち上がり部分及び立ち下
がり部分では、発光波長が所定の中心波長付近で不安定
となる現象である。このような現象は波長チャーピング
または単にチャーピングと呼ばれ、上述の伝送路の波長
分散特性との相乗作用によりパルス波形劣化を及ぼすも
のである。
第16図は光パルス波形の劣化を説明する図である。
ここで、上記チャーピングの生じた光パルスが光ファ
イバ伝送路内をある相当の距離にわたって伝送される場
合を考えると、光パルス内には異なる波長の成分が存在
するので、これらの波長成分間に伝送遅延差が生じる。
すると、第16図の(a)に示したような当初の光パル
ス波形は、異なる伝送遅延を有する成分が合成された状
態となるため伝送路内でくずれていき、最終的には同図
の(b)に示すような波形劣化を生じるものである。
一方、このときのチャーピングは、光パルス波形内の
スペクトル広がりとしてとらえることができ、このよう
なスペクトル広がりをより少なくすることにより、波形
劣化をある程度抑制することができるものと考えられ
る。すなわち、変調による波長のチャーピングを零にで
きるような変調方法を採用すれば、スペクトル広がりが
緩和されることになり、波形劣化の抑制が期待できる。
このため、光源自体を信号によって直接駆動せずに、
外部に設けた干渉型光変調器により光パルスを生成する
ことで、スペクトル広がりの小さな変調を行うことがで
きるものとして、外部変調方式による光変調方法が注目
されている。
〔従来の技術〕
スペクトル広がりが最も小さく、したがって光ファイ
バの波長分散の影響を受けにくい光変調方式の一つに、
光の干渉を応用したマッハツェンダ干渉計型光変調器等
の光変調器(以下、干渉型光変調器)による外部変調方
式がある。
良く知られる一般的な干渉型変調器では、光源から導
入される光を分岐し、制御電極を設けた2つの光導波路
内を伝搬させて各々の光の位相を逆方向に同じ量だけ増
減させることによって0又はπの位相差を与え、互いに
干渉させることで波長チャーピングの少ない、強度変調
された光パルスが生成される。
すなわち、干渉型変調器は、変調波形のフーリエ成分
である変調側波帯による広がりまで波長チャーピングを
小さくすることができる(F.KOYAMA et al.,JOURNAL OF
LIGHTWAVE TECHNOLOGY,VOL.6,NO.1,1988,PP.87−9
3)。
ところが、数ギガビット/秒以上の伝送速度において
は、たとえ波長チャーピングを零にしても、変調側波帯
によるスペクトル広がりが本質的に存在するため、光フ
ァイバ伝送路の波長分散特性による光パルス波形の劣化
を完全に無視することはできない。
〔発明が解決しようとする課題〕
したがって、上述のような外部変調方式を採用するこ
とによって光パルスのスペクトル広がりを変調側波帯に
よるものにまで低減しても、数ギガビット/秒以上とい
った高速な伝送速度の領域では、例えば、使用する光源
の中心波長に対して零分散とならない光ファイバ伝送路
を用いた光伝送システムでは長距離伝送ができないとい
う問題があった。
本発明は、数ギガビット/秒以上の伝送速度であっ
て、波長分散の大きい光ファイバ伝送路においても長距
離伝送可能な光伝送方法を提供することを目的とする。
〔問題を解決するための手段〕
第1図および第2図は本発明の原理説明図である。第
1図は,マッハツェンダ干渉計型光変調器の各部の光の
電界を表している。図中E0は入力光の電界の振幅,ω
は電界の角周波数,tは時間,φAはそれぞれ光導波
路AおよびBにおいて変調された位相を表す。Eout
(t)は出力光の電界であり,詳細を(1)式に示す。
Eout(t) =E0/2(COS(ω0t+φ)+COS(ω0t+φ)) =E0/2(X2+Y21/2COS(ω0t−tan-1(Y/X)) …(1) ただし X=COS(φ)+COS(φ) Y=SIN(φ)+SIN(φ) (1)式からわかる様にEout(t)にはtan-1(Y/X)
の位相変調がかかっている。これは以下に示す様に波長
チャーピングとなる。
ω0t−tan-1(Y/X)をΦとおくと,角周波数は ω(t)=dΦ/dt=ω−d(tan-1(Y/X))/dt,ま
た波長はλ=2πc/ω(t)(cは光速)より,Δω=
−d(tan-1(Y/X))/dtが波長チャーピングを引き起
こす。
ここで位相の変調を以下のようにおこなう。
φ>0,φ<0,ABS(φ)>ABS(φ) ABS(φ−φ)≒0(光出力High), ABS(φ−φ)≒π(光出力Low) ただしABS(φ)はφの絶対値を表す。
この時の各部の動作波形を図2に示す。
fに示す様に出力光強度が立ち上がる部分で出力光の
位相が遅れ,立ち下がる部分では位相が進む。これに対
応して中心波長がgに示す様に立ち上がり部分で長波長
側に,立ち下がり部分で短波長側に動く。
従来はφ=−φという条件で変調をおこなってい
た。この場合Eout(t)は(2)式となる。
Eout(t)=E0COS(φ)COS(ω0t) …(2) ただしφ=φ=−φ この場合φの変調により光電界の振幅が変調されるだ
けで変調に伴う波長変動は生じない。
〔作用〕
本発明では、変調器の各導波路の位相を非対称に変調
することにより、出力光の中心波長を図2の(g)に示
すように、立ち上がり部分で長波長側に、また、立ち下
がり部分で短波長側に動くようにした。
一方、光ファイバ伝送路の波長分散係数は、第15図に
示すように、光伝送路に例えば、1.3μm帯で零分散波
長を示すシングルモードファイバを用い、信号光波長と
して、波長分散係数の正の領域、例えば損失の少ない1.
55μm帯で使用した場合等に大きな値となる。
このときの波長分散係数は例えば最大20ps/nm/kmであ
り、波長が長くなるほど光ファイバ内を伝搬する速度が
遅くなる。
したがって、上述のように非対称に位相を変調したこ
とにより生成された波長チャーピングと、光ファイバ伝
送路の正の波長分散の効果とにより、光パルスの立ち上
がり部分では波長が長くなるため相対的に伝搬速度が遅
れ、立ち下がり部分では波長が短くなるため逆に相対的
に伝搬速度は早まることとなる。以上のような作用によ
れば、本発明によって生成された光パルスは光ファイバ
伝送路を伝搬する間にパルス圧縮を生じる。
このパルス圧縮は、変調側波帯と光ファイバ伝送路の
波長分散によって生じる波形広がりを補償する方向に働
くことになり、したがって伝送可能な光ファイバ長を改
善する作用をする。
〔実施例〕 マッハツェンダ干渉計型光変調器において,光の位相
変調には電気光学効果を用いる。すなわち電気光学効果
を持つ物質の屈折率を電界により変化させることによ
り,光の位相を変化させる。
従って,マッハツェンダ干渉計型光変調器において,
二つの光導波路を伝播する光の位相を非対称に変調する
方法としていくつかの方法が考えられる。一つは,各導
波路をそれぞれ異なる駆動電圧で変調する方法である,
二つ目は駆動電圧は同じであるが電極の断面構造を非対
称にすることにより,光導波路への変調電界のかかり方
を非対称にする方法がある。三つ目は各導波路でそれぞ
れ電極長を変えて光が屈折率変化を感じる導波路長を変
える方法である。
図3に第1の実施例を示す。これは,駆動電圧振幅を
非対称にかける例であり,Z板電気光学結晶を想定してい
る。X板およびY板電気光学結晶でも同様に実施でき
る。図中,1は位相変調を大きくかける方の光導波路であ
り,2は位相変調を小さくかける方の光導波路である。3
は変調用電極であり,4はアース電極である。3と4で進
行波型電極を構成している。5は終端抵抗であり,進行
波型電極の特性インピーダンスと整合している。6は光
導波路1の位相変調を行うための駆動回路,7は光導波路
2の位相変調を行うための駆動回路である。
第4図は第1の実施例の動作を示すタイムチャート図
である。V1は光導波路1の位相変調を行う駆動波形であ
り,V2は光導波路2の位相変調を行う駆動波形である。V
1とV2で極性を逆にし,駆動電圧振幅はV1の方を大きく
ことにより位相変調を非対称にかける。
第5図に第2の実施例を示す。これは,電極長を非対
称にして位相変調を非対称にかけるものであり,Z板電気
光学結晶を想定している。第5図〜第11図まで図中の1
〜4の記号の意味は図3の記号の意味と同じである。
第6図に第3の実施例を示す。これは,電極長を非対
称にして位相変調を非対称にかけるものであり,X板また
はY板電気光学結晶を想定している。
第7図に第4の実施例を示す。図7は,変調器の断面
構造を示している。本実施例は,電極の断面構造を非対
称にすることにより位相変調を非対称にかけるものであ
り,Z板電気光学結晶を想定している。本例では,光導波
路2から少し位置をずらして電極を配置している。
第8図に第5の実施例を示す。本実施例は電極の断面
構造を非対称にすることにより位相変調を非対称にかけ
るものであり,X板またはY板電気光学結晶を想定してい
る。本例では,光導波路2と電極間の距離を大きくして
いる。
第9図に第6の実施例を示す。本実施例は電極の断面
構造を非対称にすることにより位相変調を非対称にかけ
るものであり,X板またはY板電気光学結晶を想定してい
る。一つの変調用電極で光導波路1,2を変調しており,
光導波路2と電極間の距離を大きくしている。
第10図に第7の実施例を示す。これは,光導波路1だ
けを変調するものであり,Z板電気光学結晶を想定してい
る。
第11図に第8の実施例を示す。これは,光導波路1だ
けを変調するものであり,X板またはY板電気光学結晶を
想定している。
〔発明の効果〕
第12図は波長分散によって生じる最小受光電力の劣
化,すなわちパワーペナルティの計算結果である。ファ
イバ伝送によって生じるパワーペナルティの許容値を0.
5dBとした場合,従来の変調方法では許容できる波長分
散値が500〜700ps/nmであるのに対し,位相変調比を5:1
にした場合には1500ps/nm以上と改善される。第13図は
異なる位相変調比で同様の計算をおこなったものであ
り,変調比が2:1以上あれば良いことがわかる。
以上の計算結果からわかる様に,本発明によれば従来
の変調方式に較べて,ファイバ伝送特性が改善され,高
速光通信装置の性能向上に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の原理を示す図, 第3図は本発明の第1の実施例の構成図, 第4図は第1の実施例の動作を示すタイムチャート図, 第5図は本発明の第2の実施例を示す図, 第6図は本発明の第3の実施例を示す図, 第7図は本発明の第4の実施例を示す図, 第8図は本発明の第5の実施例を示す図, 第9図は本発明の第6の実施例を示す図, 第10図は本発明の第7の実施例を示す図, 第11図は本発明の第8の実施例を示す図, 第12図および第13図は本発明によるファイバ伝送特性改
善の計算結果を示す図, 第14図は光通信システムの構成図, 第15図は伝送路の波長分散特性を説明する図, 第16図はパルス波形の劣化を説明する図である。 図中, 1:位相変調を大きくかける方の光導波路, 2:位相変調を小さくかける方の光導波路, 3:変調用電極, 4:アース電極, 5:終端抵抗, 6:光導波路1の位相変調を行うための駆動回路, 7:光導波路2の位相変調を行うための駆動駆回路であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沖山 正 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 清野 實 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−212125(JP,A) 特開 昭62−63917(JP,A) 特開 昭63−261220(JP,A) 特開 昭64−91111(JP,A) IEEE Journal of L ightwave Technolog y Vol.6 No.1 p.87〜 p.93 電子通信学会論文誌 Vol.J59− C No.3 p.155−p.162

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】二つの光導波路と、少なくとも1つの光導
    波路の屈折率を電気的に制御する制御手段とを有し、入
    力光をそれぞれ各光導波路に入力し、各光導波路を伝搬
    したそれぞれの光を合波して変調器出力光を出力する光
    変調器の光変調方法において、 前記制御手段により、 前記各光導波路を伝搬する光の位相変化量の絶対値がそ
    れぞれ異なり、 且つ、入力信号に応じて、伝搬する各光の位相変化量の
    差の絶対値が0又はπとなるように、 且つ、前記変調器出力光の立ち上がり部分の中心波長を
    長波長側に動かし、立ち下がり部分の中心波長を短波長
    側に動かすように少なくとも1つの光導波路の屈折率を
    制御することを特徴とする光変調方法。
  2. 【請求項2】二つの光導波路と、少なくとも1つの光導
    波路の屈折率を電気的に制御する制御手段とを有し、入
    力光をそれぞれ各光導波路に入力し、各光導波路を伝搬
    したそれぞれの光を合波して変調器出力光を出力する光
    変調器において、 前記制御手段は、 前記各光導波路を伝搬する光の位相変化量の絶対値がそ
    れぞれ異なり、 且つ、入力信号に応じて、伝搬する各光の位相変化量の
    差の絶対値が0又はπとなるように、 且つ、前記変調器出力光の立ち上がり部分の中心波長を
    長波長側に動かし、立ち下がり部分の中心波長を短波長
    側に動かすように少なくとも1つの光導波路の屈折率を
    制御することを特徴とする光変調器。
  3. 【請求項3】電気光学結晶からなり一方の面に光導波路
    が形成された基板と、前記光導波路の一部を並列に進行
    する第1及び第2の並列進行部に分岐する分岐部及び、
    該第1及び第2の並列進行部を集束する集束部を有する
    前記光導波路と、前記基板上であって前記光導波路の各
    々の並列進行部の近傍に沿ってそれぞれ一対に形成され
    た第1及び第2の進行波型電極と、前記第1と第2の進
    行波型電極を制御する制御手段を具備した干渉型光変調
    器において、 前記第1の進行波型電極は、前記第2の進行波型電極と
    は異なる電極長を有し、 前記制御手段は、 前記各光導波路を伝搬する光の位相変化量の絶対値がそ
    れぞれ異なり、 且つ、入力信号に応じて、伝搬する各光の位相変化量の
    差の絶対値が0又はπとなるように、 且つ、前記変調器出力光の立ち上がり部分の中心波長を
    長波長側に動かし、立ち下がり部分の中心波長を短波長
    側に動かすように前記各光導波路の屈折率を制御するこ
    とを特徴とする干渉型光変調器。
  4. 【請求項4】電気光学結晶からなり一方の面に光導波路
    が形成された基板と、前記光導波路の一部を並列に進行
    する第1及び第2の並列進行部に分岐する分岐部及び、
    該第1及び第2の並列進行部を集束する集束部を有する
    前記光導波路と、前記基板上であって前記光導波路の各
    々の並列進行部の近傍に沿ってそれぞれ一対に形成され
    た第1及び第2の進行波型電極と、前記第1と第2の進
    行波型電極を制御する制御手段を具備した干渉型光変調
    器において、 前記第1の進行波型電極は、前記第1の並列進行部上で
    あって、前記第1の並列進行部の中心線と異なる位置に
    中心線を有し、 前記第2の進行波型電極は、前記第2の並列進行部上で
    あって、前記第2の並列進行部の中心線と同じ位置に中
    心線を有し、 前記制御手段は、 前記各光導波路を伝搬する光の位相変化量の絶対値がそ
    れぞれ異なり、 且つ、入力信号に応じて、伝搬する各光の位相変化量の
    差の絶対値が0又はπとなるように、 且つ、前記変調器出力光の立ち上がり部分の中心波長を
    長波長側に動かし、立ち下がり部分の中心波長を短波長
    側に動かすように前記各光導波路の屈折率を制御するこ
    とを特徴とする干渉型光変調器。
  5. 【請求項5】電気光学結晶からなり一方の面に光導波路
    が形成された基板と、前記光導波路の一部を並列に進行
    する第1及び第2の並列進行部に分岐する分岐部及び、
    該第1及び第2の並列進行部を集束する集束部を有する
    前記光導波路と、前記基板上であって前記光導波路の各
    々の並列進行部の近傍に沿ってそれぞれ一対に形成され
    た第1及び第2の進行波型電極と、前記第1と第2の進
    行波型電極を制御する制御手段を具備した干渉型光変調
    器において、 前記第1及び第2の進行波型電極はその長さは同じ長さ
    で、対応する前記第1と第2の並列進行部との配置関係
    が対称となるように配置し、 前記制御手段は、 前記各光導波路を伝搬する光の位相変化量の絶対値がそ
    れぞれ異なり、 且つ、入力信号に応じて、伝搬する各光の位相変化量の
    差の絶対値が0又はπとなるように、 且つ、前記変調器出力光の立ち上がり部分の中心波長を
    長波長側に動かし、立ち下がり部分の中心波長を短波長
    側に動かすように第1の電極と第2の電極に異なる電圧
    を与え前記各光導波路の屈折率を制御することを特徴と
    する干渉型光変調器。
  6. 【請求項6】電気光学結晶からなり一方の面に光導波路
    が形成された基板と、前記光導波路の一部を並列に進行
    する第1及び第2の並列進行部に分岐する分岐部及び、
    該第1及び第2の並列進行部を集束する集束部を有する
    前記光導波路と、前記基板上であって前記光導波路の各
    々の並列進行部の近傍に沿ってそれぞれ一対に形成され
    た第1及び第2の進行波型電極と、前記第1と第2の進
    行波型電極を制御する制御手段を具備した干渉型光変調
    器において、 前記第1及び第2の進行波型電極間の中心線と、前記第
    1及び第2の光導波路間の中心線とが異なるように前記
    第1及び第2の進行波型電極を形成し、 且つ、前記第1及び第2の進行波型電極の電極間隔が、
    それぞれ異なるように形成し、 前記制御手段は、 前記各光導波路を伝搬する光の位相変化量の絶対値がそ
    れぞれ異なり、 且つ、入力信号に応じて、伝搬する各光の位相変化量の
    差の絶対値が0又はπとなるように、 且つ、前記変調器出力光の立ち上がり部分の中心波長を
    長波長側に動かし、立ち下がり部分の中心波長を短波長
    に動かすように前記各光導波路の屈折率を制御すること
    を特徴とする干渉型光変調器。
  7. 【請求項7】電気光学結晶からなり一方の面に光導波路
    が形成された基板と、前記光導波路の一部を並列に進行
    する第1及び第2の並列進行部に分岐する分岐部及び、
    該第1及び第2の並列進行部を集束する集束部を有する
    前記光導波路と、前記基板上であって前記光導波路の各
    々の並列進行部の近傍に沿って形成された電極と、前4
    記電極を制御する制御手段を具備した干渉型光変調器に
    おいて、 前記電極は、信号電極と第1のアース電極と第2のアー
    ス電極を有し、前記信号電極と前記第1のアース電極と
    の間に前記第1の並列進行部を前記信号電極と前記第2
    のアース電極との間に前記第2の並列進行部を設け、前
    記信号電極から前記第1のアース電極までの距離と前記
    信号電極から前記第2のアース電極までの距離を非対称
    に構成し、 前記制御手段は、 前記各光導波路を伝搬する光の位相変化量の絶対値がそ
    れぞれ異なり、 且つ、入力信号に応じて、伝搬する各光の位相変化量の
    差の絶対値が0又はπとなるように、 且つ、前記変調器出力光の立ち上がり部分の中心波長を
    長波長側に動かし、立ち下がり部分の中心波長を短波長
    に動かすように前記各光導波路の屈折率を制御すること
    を特徴とする干渉型光変調器。
  8. 【請求項8】電気光学結晶からなり一方の面に光導波路
    が形成された基板と、前記光導波路の一部を並列に進行
    する第1及び第2の並列進行部に分岐する分岐部及び、
    該第1及び第2の並列進行部を集束する集束部を有する
    前記光導波路と、前記基板上であって前記光導波路の並
    列進行部の近傍に沿って形成された電極と、前記電極を
    制御する制御手段を具備した干渉型光変調器において、 前記電極は、 前記光導波路の第1の並列進行部の近傍に設けられた変
    調用電極と、 前記第1の並列進行部を軸とし前記第2の並列進行部の
    形成された基板表面とは反対側の基板表面に設けられた
    アース電極とからなり、 前記制御手段は、 前記各光導波路を伝搬する光の位相変化量の絶対値がそ
    れぞれ異なり、 且つ、入力信号に応じて、伝搬する各光の位相変化量の
    差の絶対値が0又はπとなるように、 且つ、前記変調器出力光の立ち上がり部分の中心波長を
    長波長側に動かし、立ち下がり部分の中心波長を短波長
    側に動かすように前記各光導波路の屈折率を制御するこ
    とを特徴とする干渉型光変調器。
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