JP2677415B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JP2677415B2 JP2677415B2 JP1123373A JP12337389A JP2677415B2 JP 2677415 B2 JP2677415 B2 JP 2677415B2 JP 1123373 A JP1123373 A JP 1123373A JP 12337389 A JP12337389 A JP 12337389A JP 2677415 B2 JP2677415 B2 JP 2677415B2
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- film
- conductor
- magnetic head
- conductor coil
- thin
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、面内記録再生用または垂直記録再生用の薄
膜磁気ヘッドに関し、薄膜磁気回路を構成する導体コイ
ル膜を、上記側が凸曲面となる断面形状とすることによ
り、電気的短絡及び配線密度低下を招くことなく、導体
コイル膜の断面積を増大し、電気抵抗を低減させた薄膜
磁気ヘッドを提供できるようにしたものである。
膜磁気ヘッドに関し、薄膜磁気回路を構成する導体コイ
ル膜を、上記側が凸曲面となる断面形状とすることによ
り、電気的短絡及び配線密度低下を招くことなく、導体
コイル膜の断面積を増大し、電気抵抗を低減させた薄膜
磁気ヘッドを提供できるようにしたものである。
＜従来の技術＞ 薄膜磁気ヘッドとしては、面内記録再生用と垂直記録
再生用の２種類の方式のものが知られている。第４図は
従来より知られた面内記録再生用薄膜磁気ヘッドの要部
の斜視図、第５図は同じく要部の断面図である。１は基
体、２は下部の磁性膜、３はアルミナ等でなるギャップ
膜、４は上部の磁性膜、５は導体コイル膜、61〜63はノ
ボラック樹脂等の有機絶縁樹脂で構成された絶縁膜、
７、８は引出リード部、９は絶縁膜、10はアルミナ等の
保護膜である。
再生用の２種類の方式のものが知られている。第４図は
従来より知られた面内記録再生用薄膜磁気ヘッドの要部
の斜視図、第５図は同じく要部の断面図である。１は基
体、２は下部の磁性膜、３はアルミナ等でなるギャップ
膜、４は上部の磁性膜、５は導体コイル膜、61〜63はノ
ボラック樹脂等の有機絶縁樹脂で構成された絶縁膜、
７、８は引出リード部、９は絶縁膜、10はアルミナ等の
保護膜である。
基体１は、Al2O3・TiC等のセラミック構造体101の上
にAl2O3等の絶縁膜102を被着させた構造となっている。
にAl2O3等の絶縁膜102を被着させた構造となっている。
磁性膜２及び磁性膜４の先端部はアルミナ等でなるギ
ャップ膜３を隔てて対向するポール部21、41となってお
り、このポール部21、41において読み書きを行なう。
ャップ膜３を隔てて対向するポール部21、41となってお
り、このポール部21、41において読み書きを行なう。
導体コイル膜５は、磁性膜２、４及びギャップ膜３と
共に薄膜磁気回路を構成している。この導体コイル膜５
は、CU/Tiのスパッタ膜でなる下地導体膜5Aの上にCUメ
ッキでなる導体膜5Bを積層して設けた構造となってお
り、磁性膜２、４のヨーク部22、42の結合部のまわりに
渦巻状に形成されている。導体コイル膜５は、第６図に
拡大して示すように、上面側が実質的に平面であって逆
台形状の断面形状となっている。
共に薄膜磁気回路を構成している。この導体コイル膜５
は、CU/Tiのスパッタ膜でなる下地導体膜5Aの上にCUメ
ッキでなる導体膜5Bを積層して設けた構造となってお
り、磁性膜２、４のヨーク部22、42の結合部のまわりに
渦巻状に形成されている。導体コイル膜５は、第６図に
拡大して示すように、上面側が実質的に平面であって逆
台形状の断面形状となっている。
上述の薄膜磁気ヘッドは、IC製造プロセスと同様のフ
ォトリソグラフィと称される高精度パターン形成技術に
よって製造される。次に、製造プロセスのうち、導体コ
イル膜の製造プロセスについて、その１例を第７図を参
照して説明する。
ォトリソグラフィと称される高精度パターン形成技術に
よって製造される。次に、製造プロセスのうち、導体コ
イル膜の製造プロセスについて、その１例を第７図を参
照して説明する。
まず、第７図（ａ）に示すように、基体１の上に形成
された磁性膜２及びギャップ膜３の上に、絶縁膜61を形
成する。絶縁膜61は、一般には、ノボラック系のポジタ
イプレジスト膜をコーティングし、所定の温度及び時間
的条件でソフトベースを行なった後、露光、現像及び水
洗の処理を施し、続いて、熱処理をそれぞれ行なって形
成する。
された磁性膜２及びギャップ膜３の上に、絶縁膜61を形
成する。絶縁膜61は、一般には、ノボラック系のポジタ
イプレジスト膜をコーティングし、所定の温度及び時間
的条件でソフトベースを行なった後、露光、現像及び水
洗の処理を施し、続いて、熱処理をそれぞれ行なって形
成する。
次に、第７図（ｂ）に示すように、絶縁膜61の表面に
CU/Tiの材料をスパッタリングて、下地導体膜5Aを形成
する。
CU/Tiの材料をスパッタリングて、下地導体膜5Aを形成
する。
次に、第７図（ｃ）に示すように、下地導体膜5Aの表
面にレジスト膜11を塗布し、所定の温度及び時間的条件
でソフトベークを行なう。
面にレジスト膜11を塗布し、所定の温度及び時間的条件
でソフトベークを行なう。
次に、第７図（ｄ）に示すように、レジスト膜11の上
にフォトマスク12を位置決めして露光し、続いて現像及
び水洗処理等の必要な処理を施す。これにより、第７図
（ｅ）に示すように、フォトマスク12のパターンと一致
したパターン13が得られる。フォトマスク12のパターン
は渦巻状であるので、パターン13も渦巻状となる。パタ
ーン13は、フォトリソグラフィによるパターン形成の特
性として、開口側の幅W1が底面側の幅W2よりも広くなる
ように形成される。
にフォトマスク12を位置決めして露光し、続いて現像及
び水洗処理等の必要な処理を施す。これにより、第７図
（ｅ）に示すように、フォトマスク12のパターンと一致
したパターン13が得られる。フォトマスク12のパターン
は渦巻状であるので、パターン13も渦巻状となる。パタ
ーン13は、フォトリソグラフィによるパターン形成の特
性として、開口側の幅W1が底面側の幅W2よりも広くなる
ように形成される。
次に、第７図（ｆ）に示すように、Cuメッキでなる導
体膜5Bをパターン13内に付着させる。これにより、導体
膜5Bによるコイル状パターンが形成される。パターン13
は、開口側の幅W1が底面側の幅W2よりも広い逆台形状と
なっているので、導体膜5Bも、上面側がほぼ平面状の逆
台形状になる。
体膜5Bをパターン13内に付着させる。これにより、導体
膜5Bによるコイル状パターンが形成される。パターン13
は、開口側の幅W1が底面側の幅W2よりも広い逆台形状と
なっているので、導体膜5Bも、上面側がほぼ平面状の逆
台形状になる。
次に、レジスト膜11を剥離した後、剥離されたレジス
ト膜11の下にある下地導体膜5Aを、イオンミーリングで
除去し、導体膜5Bによるコイルパターンに従ってパター
ン化する。これにより、第７図（ｇ）に示すように、絶
縁膜61の上に導体コイル膜５が形成される。導体膜5Bが
逆台形状となるので、得られる導体コイル膜５も、上面
側が平面状の逆台形状となる。
ト膜11の下にある下地導体膜5Aを、イオンミーリングで
除去し、導体膜5Bによるコイルパターンに従ってパター
ン化する。これにより、第７図（ｇ）に示すように、絶
縁膜61の上に導体コイル膜５が形成される。導体膜5Bが
逆台形状となるので、得られる導体コイル膜５も、上面
側が平面状の逆台形状となる。
この後、第７図（ａ）〜（ｇ）の工程を繰返し、絶縁
膜62、導体コイル膜５及び絶縁膜63を積層し、更に絶縁
膜63の表面に磁性膜４を形成し、その上から保護膜10を
スパッタリング等の手段によって付着させる。
膜62、導体コイル膜５及び絶縁膜63を積層し、更に絶縁
膜63の表面に磁性膜４を形成し、その上から保護膜10を
スパッタリング等の手段によって付着させる。
上記実施例では、面内記録再生用の薄膜磁気ヘッドの
製造方法を示したが、垂直記録再生用の薄膜磁気ヘッド
の製造方法も同様の工程となる。
製造方法を示したが、垂直記録再生用の薄膜磁気ヘッド
の製造方法も同様の工程となる。
＜発明が解決しようとする課題＞ この種の薄膜磁気ヘッドにおいては、主として、磁気
ディスク装置側の要求から、導体コイル膜５の電気抵抗
値を低下させることが重要な課題となっている。導体コ
イル膜５の電気抵抗値を低下させるためには、その幅ま
たは高さを増大させなければならない。
ディスク装置側の要求から、導体コイル膜５の電気抵抗
値を低下させることが重要な課題となっている。導体コ
イル膜５の電気抵抗値を低下させるためには、その幅ま
たは高さを増大させなければならない。
しかし、幅を増大させることは、導体コイル膜５の配
線密度から限界があり、現状では、極めて困難である。
一方、高さを増やして断面積を増大させようとすると、
第８図において、レジスト膜11の高さh1を高くする必要
がある。ところが、配線密度の要求から、レジスト膜11
の底面幅W3は２μｍ程度が限度であり、この底面幅W3で
確保できる高さh1は、いかに垂直性の良好なレジスト材
料を用いたとしても、現状では３μｍ程度が限度であ
る。導体膜5Bはこの高さh1内で、安全性を見込んで、△
h12け低くなるように形成しなければならない。もし、
下地導体膜5Aと導体膜5Bとを含む高さh2が、レジスト膜
11の高さh1を越えると、隣り合う導体膜5B−5Bが互いに
短絡してしまうからである。高さh2は、現状では、2.5
μｍ程度が限度である。このため、高さh2を高くして導
体コイル膜５の断面積を増大させることも、限界に達し
ている。
線密度から限界があり、現状では、極めて困難である。
一方、高さを増やして断面積を増大させようとすると、
第８図において、レジスト膜11の高さh1を高くする必要
がある。ところが、配線密度の要求から、レジスト膜11
の底面幅W3は２μｍ程度が限度であり、この底面幅W3で
確保できる高さh1は、いかに垂直性の良好なレジスト材
料を用いたとしても、現状では３μｍ程度が限度であ
る。導体膜5Bはこの高さh1内で、安全性を見込んで、△
h12け低くなるように形成しなければならない。もし、
下地導体膜5Aと導体膜5Bとを含む高さh2が、レジスト膜
11の高さh1を越えると、隣り合う導体膜5B−5Bが互いに
短絡してしまうからである。高さh2は、現状では、2.5
μｍ程度が限度である。このため、高さh2を高くして導
体コイル膜５の断面積を増大させることも、限界に達し
ている。
そこで、本発明の課題は、上述する従来の問題点を解
決し、電気的短絡及び配線密度低下を招くことなく、導
体コイル膜の断面積を増大し、電気抵抗を低減させた薄
膜磁気ヘッドを提供することである。
決し、電気的短絡及び配線密度低下を招くことなく、導
体コイル膜の断面積を増大し、電気抵抗を低減させた薄
膜磁気ヘッドを提供することである。
＜課題を解決するための手段＞ 上述する課題を解決するため、本発明は、基体上に磁
気膜及び導体コイル膜を含む薄膜磁気回路を有する薄膜
磁気ヘッドであって、 前記導体コイル膜は、上面側が凸曲面となる断面形状
を有すること を特徴とする。
気膜及び導体コイル膜を含む薄膜磁気回路を有する薄膜
磁気ヘッドであって、 前記導体コイル膜は、上面側が凸曲面となる断面形状
を有すること を特徴とする。
＜作用＞ 導体コイル膜は、上面側が凸曲面となる断面形状を有
するので、従来との比較において、凸曲面による突出分
だけ断面積が増大する。
するので、従来との比較において、凸曲面による突出分
だけ断面積が増大する。
また、導体コイル膜は、上面側が凸曲面となる断面形
状を有するので、導体膜のメッキ工程において、メッキ
膜をレジスト膜を越えて高く成長させた場合でも、隣接
する導体膜に短絡を生じることがない。このため、導体
コイル膜の断面形状を増大させ、電気抵抗を増大させる
ことが可能になる。
状を有するので、導体膜のメッキ工程において、メッキ
膜をレジスト膜を越えて高く成長させた場合でも、隣接
する導体膜に短絡を生じることがない。このため、導体
コイル膜の断面形状を増大させ、電気抵抗を増大させる
ことが可能になる。
＜実施例＞ 第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの要部における
断面、第２図は導体コイル膜部分の拡大断面図である。
図において、第４図及び第５図と同一の参照符号は同一
性ある構成部分を示している。導体コイル膜５は、上面
側が凸曲面（イ）となる断面形状を有する。凸曲面
（イ）は、円弧、放物線または楕円等の２次曲面によっ
て形成される曲面である。
断面、第２図は導体コイル膜部分の拡大断面図である。
図において、第４図及び第５図と同一の参照符号は同一
性ある構成部分を示している。導体コイル膜５は、上面
側が凸曲面（イ）となる断面形状を有する。凸曲面
（イ）は、円弧、放物線または楕円等の２次曲面によっ
て形成される曲面である。
第２図に示すように、導体コイル膜５の表面が平面状
である従来の高さh2に対し、凸曲面（イ）とした場合の
高さh3は、△h23だけ高くなっている。従って、△h23の
分だけ断面積が増大し、電気抵抗が低下する。
である従来の高さh2に対し、凸曲面（イ）とした場合の
高さh3は、△h23だけ高くなっている。従って、△h23の
分だけ断面積が増大し、電気抵抗が低下する。
第３図は導体膜のメッキ工程（第７図（ｆ）に対応す
る）を示す図で、CUメッキ膜でなる導体膜5Bを、レジス
ト膜11の高さh2を越えて、△h23だけ高く成長させた場
合でも、隣接する導体膜5B−5B間に短絡を生じることが
ない。このため、導体コイル膜５の断面形状を増大さ
せ、電気抵抗を増大させることが可能になる。上述のよ
うな凸曲面（イ）となるように、メッキ膜を成長させる
ことは、メッキ浴組成選定等によって容易に実現でき
る。
る）を示す図で、CUメッキ膜でなる導体膜5Bを、レジス
ト膜11の高さh2を越えて、△h23だけ高く成長させた場
合でも、隣接する導体膜5B−5B間に短絡を生じることが
ない。このため、導体コイル膜５の断面形状を増大さ
せ、電気抵抗を増大させることが可能になる。上述のよ
うな凸曲面（イ）となるように、メッキ膜を成長させる
ことは、メッキ浴組成選定等によって容易に実現でき
る。
＜発明の効果＞ 以上述べたように、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、
導体コイル膜は、上面側が凸曲面となる断面形状を有す
るので、電気的短絡及び配線密度低下を招くことなく、
導体コイル膜の断面積を増大し、電気抵抗を低減させた
薄膜磁気ヘッドを提供できる。
導体コイル膜は、上面側が凸曲面となる断面形状を有す
るので、電気的短絡及び配線密度低下を招くことなく、
導体コイル膜の断面積を増大し、電気抵抗を低減させた
薄膜磁気ヘッドを提供できる。
第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの要部における断
面、第２図は導体コイル膜部分の拡大断面図、第３図は
導体コイル膜形成工程を示す図、第４図は薄膜磁気ヘッ
ドの要部の斜視図、第５図は薄膜磁気ヘッドの要部の断
面図、第６図は従来の薄膜磁気ヘッドの導体コイル膜部
分の拡大断面図、第７図（ａ）〜（ｇ）は従来の薄膜磁
気ヘッドの製造方法における工程の要部を示す図、第８
図は同じくその問題点を説明する図である。 １……基体、２……磁性膜 ５……導体コイル膜
面、第２図は導体コイル膜部分の拡大断面図、第３図は
導体コイル膜形成工程を示す図、第４図は薄膜磁気ヘッ
ドの要部の斜視図、第５図は薄膜磁気ヘッドの要部の断
面図、第６図は従来の薄膜磁気ヘッドの導体コイル膜部
分の拡大断面図、第７図（ａ）〜（ｇ）は従来の薄膜磁
気ヘッドの製造方法における工程の要部を示す図、第８
図は同じくその問題点を説明する図である。 １……基体、２……磁性膜 ５……導体コイル膜
Claims (1)
- 【請求項１】基体上に磁性膜及び導体コイル膜を含む薄
膜磁気回路を有する薄膜磁気ヘッドであって、 前記導体コイル膜は、上面側が凸曲面となる断面形状を
有すること を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1123373A JP2677415B2 (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 薄膜磁気ヘッド |
| US07/524,565 US5065270A (en) | 1989-05-17 | 1990-05-17 | Thin film magnetic recording head with a low resistance coil formed by two processes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1123373A JP2677415B2 (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02302920A JPH02302920A (ja) | 1990-12-14 |
| JP2677415B2 true JP2677415B2 (ja) | 1997-11-17 |
Family
ID=14858979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1123373A Expired - Lifetime JP2677415B2 (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5065270A (ja) |
| JP (1) | JP2677415B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7397334B2 (en) | 2004-02-25 | 2008-07-08 | Tdk Corporation | Coil component and method of manufacturing the same |
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| JP3153947B2 (ja) * | 1993-04-28 | 2001-04-09 | ソニー株式会社 | 磁気ヘッド及び光磁気記録装置 |
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| WO2017111910A1 (en) | 2015-12-21 | 2017-06-29 | Intel Corporation | High performance integrated rf passives using dual lithography process |
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-
1989
- 1989-05-17 JP JP1123373A patent/JP2677415B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-05-17 US US07/524,565 patent/US5065270A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02302920A (ja) | 1990-12-14 |
| US5065270A (en) | 1991-11-12 |
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