JP2676092B2 - 電気光学装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、アクティブ型液晶電気
光学装置、特にアクティブ型液晶電気光学装置に関する
もので、明確な階調のレベルを設定できるようにしたも
のである。

【０００２】

【従来の技術】液晶組成物はその物質特性から、分子軸
に対して水平方向と垂直方向の誘電率が異なるため、外
部の電界に対して水平方向に配列したり、垂直方向に配
列したりさせることが容易にできる。液晶電気光学装置
はこの誘電率の異方性を利用して、光の透過光量または
分散量を制御することで、ＯＮ／ＯＦＦの表示を行って
いる。

【０００３】図１にネマチック液晶の電気光学特性を示
す。印加電圧が小さいＶａ（Ａ点１０１）のときには、
透過光量がほぼ０％、Ｖｂ（Ｂ点１０２）の場合には３
０％ほど、Ｖｃ（Ｃ点１０３）の場合には８０％ほど、
Ｖｄ（Ｄ点１０４）の場合には１００％ほどになる。つ
まり、Ａ、Ｄ点のみを利用すれば、白黒の２階調表示
が、Ｂ、Ｃ点のように電気光学特性の立ち上がりの部分
を利用すれば、中間階調表示が可能となる。本発明者が
確認した具体的電圧としては、Ｖａ＝２．０Ｖ、Ｖｂ＝
２．１８Ｖ、Ｖｃ＝２．３Ｖ、Ｖｄ＝２．５Ｖであっ
た。

【０００４】従来、ＴＦＴを利用した液晶電気光学装置
の階調表示の場合、ＴＦＴのゲート印加電圧もしくはソ
ース・ドレイン間の印加電圧を変化させてアナログ的に
電圧を調整し、階調表示をおこなっていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ＴＦＴを利用した液晶
電気光学装置の階調表示の方法に関して、さらに詳しい
説明をくわえる。従来液晶電気光学装置に用いられてい
るｎチャネル型薄膜トランジスタは、図２に示すような
電圧電流特性を持っている。図２に示した電圧電流特性
はアモルファスシリコンを用いたｎチャネル型薄膜トラ
ンジスタの特性２０１と、ポリシリコンを用いたｎチャ
ネル型薄膜トランジスタの特性２０２である。

【０００６】ゲート電極に加える電圧をアナログ的に制
御することで、ドレイン電流を制御することが出来ひい
てはソース・ドレイン間の抵抗値を変化させることとな
る。その結果、直列接合された液晶に加わる電界の大き
さをその抵抗分割によって、任意に変化させることがで
きる。これによって、階調表示が可能になっている。ま
た、この逆でゲート電極を走査側信号線に接続し、ソー
ス・ドレイン間電圧を変化させて、液晶に加える電界値
そのものを任意に制御する方法もある。

【０００７】どちらの手法にしても、ＴＦＴの特性に大
きく依存したアナログ的な階調表示方式であることに違
いはない。しかしながら、マトリクス構成をなす多数の
ＴＦＴ素子の全てが均一な特性を有するように作成する
のは難しく、特に階調表示に必要な中間の電圧の微調整
は今の技術では、非常な困難を要しているのが現状であ
る。図２に示したネマチック液晶の電気光学的特性から
もわかる様に、暗状態の境界値である２．０８Ｖ付近か
ら明状態の境界値である２．４０Ｖ付近までの０．３２
Ｖ間で全ての階調表示を行なわねばならない。１６階調
を過程した場合、平均０．０２Ｖ間隔でのコントロール
が必要となる。

【０００８】もし、図１に示すＡ点１０１とＤ点１０４
の様な、液晶が完全にＯＮ／ＯＦＦする部分でコントロ
ールした場合、その電圧差は０．５Ｖ以上とることが出
来るために、ＴＦＴの面内特性ばらつきを十分緩和する
に値する。複数の書込みフレームを利用して、例えば１
０フレーム中６フレームをＯＮ（２．５Ｖ）にして、残
り４フレームをＯＦＦ（２．０Ｖ）にしてやることで、
書込み平均電圧は２．３Ｖとなり、中間階調表示が可能
となる。

【０００９】しかしながらこの様にした場合、複数フレ
ームを利用するために、人間の視覚で確認できる３０Ｈ
ｚ以下の表示になる危険性が発生して、条件によっては
フリッカー等の表示不良の原因となっていた。これを防
止する方法として、駆動周波数の高速化も提案されてい
るが、ドライバーＩＣのデーター転送速度にも、２０Ｍ
Ｈｚ程度と限界があり、困難を要していた。

【００１０】

【問題を解決するための手段】そこで本発明では、従来
のアナログ的階調表示ではなく、デジタル的階調表示を
行うことで、明確な階調表示レベルを液晶に供給する手
段を提案するものであり、且つその際に、従来提案され
ているような単純に駆動周波数を上げて階調表示を行う
方法ではなく、データの転送周波数と階調表示用周波数
を独立させて、フレーム周波数の変化をさせない状態で
デジタル階調表示を行うことに特徴を有する。

【００１１】アクティブマトリクス型液晶電気光学装置
において、任意の画素に書き込む単位時間ｔと１画面を
書き込む時間Ｆで関係される表示タイミングを有する表
示駆動方式を用いた電気光学装置の階調表示を、前記時
間Ｆを変更すること無しに前記時間ｔの書込み時間中の
信号を時分割とし、このことによって時間ｔに画素の液
晶に加わる電界の平均値を分割の割合に応じて変化さ
せ、階調を表示可能にしたことを特徴としている。

【００１２】詳細な説明のために図３に示す様な４×４
のマトリクスを用いる。図４には、図３に示すマトリク
スを駆動させる駆動波形を示す。従来の電気光学装置の
場合図３に示す様に、データ方向の信号線３０１〜３０
４の電界の強さの強弱で３０５〜３０８に示すような画
素電極にかかる電界が決まり、それによって液晶の透過
率が決定される。なお図３と図４の符号が対応している
ことはいうまでもない。

【００１３】本発明では、このようなアナログ的な階調
制御を行うのでは無く、図５に示す様に、任意の画素に
書き込む単位時間ｔ５０１の書込み時間中の信号を時分
割とし、分割数分の階調を表示可能にしている。その
際、書き込み時間における電界変化５０３、５０５、５
０７が図１のように変化した場合、非書き込み時間では
その平均値５０４、５０６、５０８のようになり、明快
な階調表示が可能となっている。

【００１４】情報信号側のデーター転送速度は、例えば
１９２０×４００ドット構成の液晶電気光学装置の場
合、８ビットパラレル転送で、５．７６ＭＨｚのクロッ
ク周波数が必要となる。これに、従来の複数フレーム方
式を用いた場合、１０フレームを利用するならば単純に
５７．６ＭＨｚのクロック周波数が必要となるのであ
る。しかしながら、本発明の場合、階調表示用のクロッ
ク周波数を独立してとるため、最大８ＭＨｚの駆動能力
を有するＩＣを用いた場合、約１６６階調まで、表示可
能となる。１２．３ＭＨｚの駆動ＩＣをもてば、ビジュ
アル用に必要と言われている２５６階調表示まで十分可
能な値になり、従来のアナログ方式および複数フレーム
方式のデジタル階調表示とは格段の優位性が生じる。以
下に実施例をもってさらに詳細な説明を加える。

【００１５】本発明における液晶組成物は、強誘電性を
示すもの、ネマチック液晶を主体とするもの、コレステ
ィック液晶を主体とするもの、また混合物としてネマチ
ック液晶を有機樹脂中に分散させたもの、コレスティッ
ク液晶を有機樹脂中に分散させたもの、スメクチィク液
晶を有機樹脂中に分散させたものを用いることができ
る。

【００１６】

【実施例】

『実施例１』 本実施例では図６に示すような回路構成
を用いた液晶電気光学装置を用いて、画像表示装置であ
る壁掛けテレビを作製したので、その説明を行う。また
その際のＴＦＴは、レーザーアニールを用いた多結晶シ
リコンで、スタガ型とした。

【００１７】図６において、符号７００はゲート電極、
７０１はソース、７０２はドレイン、７０３はＮＭＯＳ
ＴＦＴ、７０４は画素電極を表す。

【００１８】この回路構成に対応する実際の電極等の配
置構成を図７に示している。これらは説明を簡単にする
為２×２（またはそれ以下）に相当する部分のみ記載さ
れている。また符号は図６に対応する部分には同一の番
号を付した。また７０５はリードコンタクトを、７０６
は画素コンタクトを示している。さらに実際の駆動信号
波形を図５に示す。これも説明を簡単にする為に２×２
のマトリクス構成とした場合の信号波形で説明を行う。

【００１９】まず、本実施例で使用する液晶パネルの作
製方法を図８を使用して説明する。図８（Ａ）におい
て、石英ガラス等の高価でない７００℃以下、例えば約
６００℃の熱処理に耐え得るガラス８００上にマグネト
ロンＲＦ（高周波) スパッタ法を用いてブロッキング層
８０１としての酸化珪素膜を１０００〜３０００Åの厚
さに作製する。プロセス条件は酸素１００％雰囲気、成
膜温度１５℃、出力４００〜８００Ｗ、圧力０．５Ｐａ
とした。タ−ゲットに石英または単結晶シリコンを用い
た成膜速度は３０〜１００Å／分であった。

【００２０】この上にシリコン膜をプラズマＣＶＤ法に
より珪素膜を作製した。成膜温度は２５０℃〜３５０℃
で行い本実施例では３２０℃とし、モノシラン(SiH₄)を
用いた。モノシラン(SiH₄)に限らず、ジシラン(Si₂H₆)
またトリシラン(Si₃H₈) を用いてもよい。これらをＰＣ
ＶＤ装置内３Ｐａの圧力に導入し、１３．５６ＭＨｚの
高周波電力を加えて成膜した。この際、高周波電力は
０．０２〜０．１０Ｗ／ｃｍ² が適当であり、本実施例
では０．０５５Ｗ／ｃｍ² を用いた。また、モノシラン
(SiH₄)の流量は２０ＳＣＣＭとし、その時の成膜速度は
約１２０Å/ 分であった。

【００２１】ＮＴＦＴのスレッシュホ−ルド電圧（Ｖt
h）を制御するため、ホウ素をジボランを用いて１×10
¹⁵〜１×10¹⁸cm^-3の濃度として成膜中に添加してもよ
い。またＴＦＴのチャネル領域となるシリコン層の成膜
にはこのプラズマＣＶＤだけでなく、スパッタ法、減圧
ＣＶＤ法を用いても良く、以下にその方法を簡単に述べ
る。

【００２２】スパッタ法で行う場合、スパッタ前の背圧
を１×10^-5Ｐａ以下とし、単結晶シリコンをタ−ゲット
として、アルゴンに水素を２０〜８０％混入した雰囲気
で行った。例えばアルゴン２０％、水素８０％とした。
成膜温度は１５０℃、周波数は１３．５６ＭＨｚ、スパ
ッタ出力は４００〜８００Ｗ、圧力は０．５Ｐａであっ
た。

【００２３】減圧気相法で形成する場合、結晶化温度よ
りも１００〜２００℃低い４５０〜５５０℃、例えば５
３０℃でジシラン(Si₂H₆) またはトリシラン(Si₃H₈) を
ＣＶＤ装置に供給して成膜した。反応炉内圧力は３０〜
３００Ｐａとした。成膜速度は５０〜２５０Å/ 分であ
った。

【００２４】これらの方法によって形成された被膜は、
酸素が５×10²¹cm^-3以下であることが好ましい。結晶化
を助長させるためには、酸素濃度を７×10¹⁹cm^-3以下、
好ましくは１×10¹⁹cm^-3以下とすることが望ましいが、
少なすぎると、バックライトによりオフ状態のリ−ク電
流が増加してしまうため、この濃度を選択した。この酸
素濃度が高いと、結晶化させにくく、レーザーアニ−ル
温度を高くまたはレーザーアニ−ル時間を長くしなけれ
ばならない。水素は４×10²⁰cm^-3であり、珪素４×10²²
cm^-3として比較すると１原子％であった。

【００２５】また、ソ−ス、ドレインに対してより結晶
化を助長させるため、酸素濃度を７×10¹⁹cm^-3以下、好
ましくは１×10¹⁹cm^-3以下とし、ピクセル構成するＴＦ
Ｔのチャネル形成領域のみに酸素をイオン注入法により
５×10²⁰〜５×10²¹cm^-3となるように添加してもよい。

【００２６】上記方法によって、アモルファス状態の珪
素膜８０２を５００〜５０００Å、本実施例では１００
０Åの厚さに成膜した。

【００２７】その後、図７（Ｂ）に示すように、フォト
レジスト８０３をマスク１を用いてソース・ドレイン領
域のみ開孔したパターンを形成した。その上に、プラズ
マＣＶＤ法によりｎ型の活性層となる珪素膜８０４を作
製した。成膜温度は２５０℃〜３５０℃で行い本実施例
では３２０℃とし、モノシラン(SiH₄)とモノシランベー
スのフォスフィン(PH₃) ３％濃度のものを用いた。これ
らをＰＣＶＤ装置内５Ｐａの圧力に導入し、１３．５６
ＭＨｚの高周波電力を加えて成膜した。この際、高周波
電力は０．０５〜０．２０Ｗ／ｃｍ² が適当であり、本
実施例では０．１２０Ｗ／ｃｍ² を用いた。

【００２８】この方法によって出来上がったｎ型シリコ
ン層の比導電率は２×１０^-1〔Ωｃｍ^-1〕程度となっ
た。膜厚は５０Åとした。その後リフトオフ法を用い
て、ソース・ドレイン領域８０５、８０６を形成した。
その後、マスクＰ２を用いてＮチャネル型薄膜トランジ
スタ用アイランド領域８０７を形成した。

【００２９】その後ＸｅＣｌエキシマレーザーを用い
て、ソース・ドレイン・チャネル領域をレーザーアニー
ルすると同時に、活性層にレーザードーピングを行なっ
た。この時のレーザーエネルギーは、閾値エネルギーが
１３０ｍＪ／ｃｍ² で、膜厚全体が溶融するには２２０
ｍＪ／ｃｍ² が必要となる。しかし、最初から２２０ｍ
Ｊ／ｃｍ² 以上のエネルギーを照射すると、膜中に含ま
れる水素が急激に放出されるために、膜の破壊が起き
る。そのために低エネルギーで最初に水素を追い出した
後に溶融させる必要がある。本実施例では最初１５０ｍ
Ｊ／ｃｍ² で水素の追い出しを行なった後、２３０ｍＪ
／ｃｍ² で結晶化をおこなった。

【００３０】アニ−ルにより、珪素膜はアモルファス構
造から秩序性の高い状態に移り、一部は結晶状態を呈す
る。特にシリコンの成膜後の状態で比較的秩序性の高い
領域は特に結晶化をして結晶状態となろうとする。しか
しこれらの領域間に存在する珪素により互いの結合がな
されるため、珪素同志は互いにひっぱりあう。レ−ザラ
マン分光により測定すると単結晶の珪素のピ−ク５２２
cm^-1より低周波側にシフトしたピ−クが観察される。そ
れの見掛け上の粒径は半値巾から計算すると、５０〜５
００Åとなっているが、実際はこの結晶性の高い領域は
多数あってクラスタ構造を有し、各クラスタ間は互いに
珪素同志で結合（アンカリング) がされた構造の被膜を
形成させることができた。

【００３１】結果として、被膜は実質的にグレインバウ
ンダリ（以下ＧＢという）がないといってもよい状態を
呈する。キャリアは各クラスタ間をアンカリングされた
個所を通じ互いに容易に移動し得るため、いわゆるGBの
明確に存在する多結晶珪素よりも高いキャリア移動度と
なる。即ち電子移動度（μe ）＝１５〜３００cm² ／Ｖ
Ｓｅｃが得られた。

【００３２】この上に酸化珪素膜８０８をゲイト絶縁膜
として５００〜２０００Å例えば１０００Åの厚さに形
成した。これはブロッキング層としての酸化珪素膜の作
製と同一条件とした。この成膜中に弗素を少量添加し、
ナトリウムイオンの固定化をさせてもよい。

【００３３】この後、この上側にリンが１〜５×10²¹cm
^-3の濃度に入ったシリコン膜またはこのシリコン膜とそ
の上にモリブデン(Mo)、タングステン(W),MoSi₂ または
WSi₂との多層膜を形成した。これを第３のフォトマスク
６９にてパタ−ニングして図８(E) を得た。ゲイト電極
８０９を形成し、例えばチャネル長７μｍ、ゲイト電極
としてリンド−プ珪素を０．２μｍ、その上にモリブデ
ンを０．３μｍの厚さに形成した。

【００３４】また、ゲート電極材料としてアルミニウム
（Al）を用いた場合、これを第３のフォトマスク３にて
パタ−ニング後、その表面を陽極酸化することで、セル
ファライン工法が適用可能なため、ソース・ドレインの
コンタクトホールをよりゲートに近い位置に形成するこ
とが出来るため、移動度、スレッシュホールド電圧の低
減からさらにＴＦＴの特性を上げることができる。

【００３５】かくすると、４００℃以上にすべての工程
で温度を加えることがなくＣ／ＴＦＴを作ることができ
る。そのため、基板材料として、石英等の高価な基板を
用いなくてもよく、本発明の大画面の液晶表示装置にき
わめて適したプロセスであるといえる。

【００３６】図８（Ｆ）において、層間絶縁物８１０を
前記したスパッタ法により酸化珪素膜の形成として行っ
た。この酸化珪素膜の形成はＬＰＣＶＤ法、光ＣＶＤ
法、常圧ＣＶＤ法を用いてもよい。例えば０．２〜０．
６μｍの厚さに形成し、その後、第４のフォトマスク４
を用いて電極用の窓８１１を形成した。その後、さら
に、これら全体にアルミニウムを０．３μｍの厚みにス
パッタ法により形成し第５のフォトマスク５を用いてリ
−ド８１２およびコンタクト８１３を作製した後、表面
を平坦化用有機樹脂８１４例えば透光性ポリイミド樹脂
を塗布形成し、再度の電極穴あけを第６のフォトマスク
６にて行った。

【００３７】さらに、これら全体にＩＴＯ（インデゥー
ム酸化錫）を０．１μｍの厚みにスパッタ法により形成
し第７のフォトマスク７を用いて画素電極８１５を形成
した。このＩＴＯは室温〜１５０℃で成膜し、２００〜
４００℃の酸素または大気中のアニ−ルにより成就し
た。

【００３８】得られたＴＦＴの電気的な特性である移動
度は８０（cm²/Vs）、Ｖthは５．０（Ｖ）であった。こ
の様な方法に従って作製された液晶電気光学装置用の一
方の基板を得ることが出来た。

【００３９】他方の基板の作製方法を図９に示す。ガラ
ス基板９００上にポリイミドに黒色顔料を混合したポリ
イミド樹脂をスピンコート法を用いて１μｍの厚みに成
膜し、第１のフォトマスク１１を用いてブラックストラ
イプ９０１を作製した。その後、赤色顔料を混合したポ
リイミド樹脂をスピンコート法を用いて１μｍの厚みに
成膜し、第２のフォトマスク１２を用いて赤色フィルタ
ー９０２を作製した。同様にして第３のフォトマスク１
３を用いて緑色フィルター９０３および第４のフォトマ
スク１４を用いて青色フィルター９０４を作製した。こ
れらの作製中各フィルターは３５０℃にて窒素中で６０
分の焼成を行なった。その後、やはりスピンコート法を
用いて、レベリング層９０５を透明ポリイミドを用いて
制作した。

【００４０】その後、これら全体にＩＴＯ（インデゥー
ム酸化錫）を０．１μｍの厚みにスパッタ法により形成
し第５のフォトマスク１５を用いて共通電極９０６を形
成した。このＩＴＯは室温〜１５０℃で成膜し、２００
〜３００℃の酸素または大気中のアニ−ルにより成就
し、第２の基板を得た。

【００４１】前記基板上に、オフセット法を用いて、ポ
リイミド前駆体を印刷し、非酸化性雰囲気たとえば窒素
中にて３５０℃１時間焼成を行った。その後、公知のラ
ビング法を用いて、ポリイミド表面を改質し、少なくと
も初期において、液晶分子を一定方向に配向させる手段
を設けた。

【００４２】その後、前記第一の基板と第二の基板によ
って、ネマチック液晶組成物を挟持し、周囲をエポキシ
性接着剤にて固定した。基板上のリードにＴＡＢ形状の
駆動ＩＣと共通信号、電位配線を有するＰＣＢを接続
し、外側に偏光板を貼り、透過型の液晶電気光学装置を
得た。

【００４３】図１０に本実施例による電気光学装置の概
略構造図を示す。前記の工程にて得た液晶パネル１００
０を冷陰極管を３本配置した後部照明装置１００１と組
み合わせて設置を行った。その後、テレビ電波を受信す
るチューナー１００２を接続し、電気光学装置として完
成させた。従来のＣＲＴ方式の電気光学装置と比べて、
平面形状の装置となったために、壁等に設置することも
出来る様になった。

【００４４】次に本発明を完結させるための、液晶電気
光学装置の周辺回路の説明を図１１を用いて加える。液
晶電気光学装置のマトリクス回路に接続された情報信号
側配線１１０１、１１０２に駆動回路１１０３を接続し
た構成を取っている。駆動回路１１０３は駆動周波数系
で分割すると２つの部分よりなっている。１つは従来の
駆動方式と同様のデーターラッチ回路系１１０４、これ
はデーター１１０５を順に転送するための基本クロック
ＣＬＫ１、１１０６が主な構成であり、１ビット〜１２
ビット並列処理がおこなわれている。他の１つは本発明
による構成部分で、階調表示に必要な分割の割合に応じ
たクロックＣＬＫ２、１１０７とフリップフロップ回路
１１０８、カウンター１１０９よりなっている。データ
ーラッチ系１１０４より送られた階調表示データーに応
じたパルスをカウンター１１０９で作っている。

【００４５】本発明で特徴としているところは、まさに
これらの部分であり、駆動周波数を２種類とることによ
って、画面書換えのフレーム数を変化させることなく、
明快なデジタル階調表示が可能になっていることにあ
る。フレーム数の低下に伴うフリッカーの発生等が回避
できるものである。

【００４６】かたや走査側の信号線１１１０、１１１１
に接続された駆動回路１１１２は、電圧レベル１１１３
より伝達した電位をクロックＣＬＫ１１１４のフリップ
フロップ回路１１１５で制御し、選択信号を加える。

【００４７】本実施例によるＴＦＴは、移動度を８０
（cm²/Vs）とすることが出来たため、駆動の周波数を約
１ＭＨｚまであげることができた。このため、

【００４８】

【数１】

【００４９】で計算できる４２階調表示まで可能になっ
ている。

【００５０】アナログ的な階調表示を行った場合、ＴＦ
Ｔの特性ばらつきから１６階調表示が限界であった。し
かしながら、本発明によるデジタル階調表示をおこなっ
た場合、ＴＦＴ素子の特性ばらつきの影響を受けにくい
ために、４２階調表示まで可能になりカラー表示では７
４，０８８色の多彩であり微妙な色彩の表示が実現でき
ている。

【００５１】『実施例２』本実施例では、対角１インチ
を有する液晶電気光学装置を用いた、ビデオカメラ用ビ
ューファインダーを作製し、本発明を実施したので説明
を加える。

【００５２】本実施例では、画素数が３８７×１２８の
構成にして、低温プロセスによるアモルファスＴＦＴを
用いた素子を形成し、ビューファインダーを構成した。
本実施例で使用する液晶表示装置の作製方法を図１２を
使用して説明する。図１２（Ａ）において、青板ガラス
等の安価なガラス１２００上にマグネトロンＲＦ（高周
波) スパッタ法を用いてブロッキング層１２０１として
の酸化珪素膜を１０００〜３０００Åの厚さに作製す
る。プロセス条件は酸素１００％雰囲気、成膜温度１５
℃、出力４００〜８００Ｗ、圧力０．５Ｐａとした。タ
−ゲットに石英または単結晶シリコンを用いた成膜速度
は３０〜１００Å／分であった。

【００５３】この後、この上側にリンが１〜５×10²¹cm
^-3の濃度に入ったシリコン膜またはこのシリコン膜とそ
の上にモリブデン(Mo)、タングステン(W),MoSi₂ または
WSi₂との多層膜を形成した。これを第１のフォトマスク
２１にてパタ−ニングしてゲイト電極１２０２を形成
し、図１２（Ａ）を得た。本実施例では、チャネル長は
１０μｍ、ゲイト電極としてリンド−プ珪素を０．２μ
ｍ、その上にモリブデンを０．３μｍの厚さに形成し
た。

【００５４】また、ゲート電極材料としてアルミニウム
（Al）を用いた場合、これを第１のフォトマスク２１に
てパタ−ニング後、その表面を陽極酸化することによ
り、ゲート電極上の絶縁膜またはチャネル領域にヒロッ
ク、ボイド等が発生せず、移動度、スレッシュホールド
電圧の低減からさらにＴＦＴの特性を上げることができ
る。

【００５５】この上に酸化珪素膜をゲイト絶縁膜１２０
３として５００〜２０００Å例えば１０００Åの厚さに
形成した。これはブロッキング層としての酸化珪素膜の
作製と同一条件とした。この成膜中に弗素を少量添加
し、ナトリウムイオンの固定化をさせてもよい。

【００５６】この上にアモルファスシリコン膜をプラズ
マＣＶＤ法により形成した。プラズマＣＶＤ法により珪
素膜を作製する場合、温度は例えば３００℃とし、モノ
シラン(SiH₄)またはジシラン(Si₂H₆) を用いた。これら
をＰＣＶＤ装置内に導入し、１３．５６ＭＨｚの高周波
電力を加えて成膜した。

【００５７】この方法によって形成された被膜は、酸素
が５×10²¹cm^-3以下であることが好ましい。この酸素濃
度が高いと移動度が低下し、また少なすぎると、バック
ライトによりオフ状態のリ−ク電流が増加してしまう。
そのため４×10¹⁹〜４×10²¹cm^-3の範囲とした。水素は
４×10²⁰cm^-3であり、珪素４×10²²cm^-3として比較する
と１原子％であった。前記方法によって、アモルファス
状態の珪素膜を５００〜５０００Å、例えば１５００Å
の厚さに作製した。

【００５８】その後、リフトオフ法を用いてコンタクト
領域を形成するためのレジスト１２０４を第２のフォト
マスク２２で作製し、その上部にプラズマＣＶＤ法によ
ってｎ型の活性層となる珪素膜１２０５を作製した。成
膜温度は２５０℃〜３５０℃で行い本実施例では３２０
℃とし、モノシラン（ＳｉＨ₄ ）とモノシランベースの
フォスフィン（ＰＨ₃ ）１％濃度のものを用いた。加え
て水素（Ｈ₂ ）をそれぞれ５：３：２０の割合で、ＰＣ
ＶＤ装置内５Ｐａの圧力で導入し、１３．５６ＭＨｚの
高周波電界を加えて成膜した。この際、高周波電力は
０．０５〜０．２０Ｗ／ｃｍ² が適当であり、本実施例
では０．１２０Ｗ／ｃｍ² を用いた。

【００５９】この方法によって出来上がったｎ型の活性
層となる珪素膜１２０５の比導電率は２×１０^-1〔Ωcm
^-1〕程度となった。膜厚は５０Åとした。その後、リー
ドおよびコンタクト電極として、Ａｌをスパッタ法で３
０００Å成膜１２０６し、その後リフトオフ法によって
余分な部分を取り除き、ソース１２０７およびドレイン
１２０８領域を形成した。

【００６０】その後、第３のマスク２３でアイランド上
に個々のＴＦＴ１２０９を形成後、さらに、図１２
（Ｄ）に示す如く表面を平坦化用有機樹脂１２１０例え
ば透光性ポリイミド樹脂を塗布形成し、再度の電極穴あ
けをフォトマスク２４にて行った。

【００６１】出力端を液晶装置の一方の画素の電極を透
明電極としてそれに連結するため、スパッタ法によりＩ
ＴＯ（インジュ−ム・スズ酸化膜）を形成した。それを
フォトマスク２５によりエッチングし、電極１２１１を
構成させた。このＩＴＯは室温〜１５０℃で成膜し、２
００〜４００℃の酸素または大気中のアニ−ルにより成
就した。かくの如くにしてＮＴＦＴ１２０９と透明導電
膜の電極１２１１とを同一ガラス基板１２００上に作製
した。得られたＴＦＴの電気的な特性の移動度は０．２
（cm²/Vs）、Ｖthは５．３（Ｖ）であった。

【００６２】次に絶縁基板上に『実施例１』と同様の方
法を用いて、カラーフィルターおよび透明導電膜ＩＴＯ
を１０００Å成膜し、第二の基板を得た。

【００６３】前記基板上に、オフセット法を用いて、ポ
リイミド前駆体を印刷し、非酸化性雰囲気たとえば窒素
中にて３５０℃１時間焼成を行った。その後、公知のラ
ビング法を用いて、ポリイミド表面を改質し、少なくと
も初期において、液晶分子を一定方向に配向させる手段
を設けて第一および第二の基板とした。

【００６４】その後、前記第一の基板と第二の基板によ
って、ネマチック液晶組成物を挟持し、周囲をエポキシ
性接着剤にて固定した。基板上のリードはそのピッチが
４６μｍと微細なため、ＣＯＧ法を用いて接続をおこな
った。本実施例ではＩＣチップ上に設けた金バンプをエ
ポキシ系の銀パラジウム樹脂で接続し、ＩＣチップと基
板間を固着と封止を目的としたエポキシ変成アクリル樹
脂にて埋めて固定する方法を用いた。その後、外側に偏
光板を貼り、透過型の液晶表示装置を得た。

【００６５】本実施例によるＴＦＴは、移動度をアモル
ファス状態でありながら０．２（cm²/Vs）とすることが
出来たため、駆動の周波数を約１００ＫＨｚまであげる
ことができた。このため、

【００６６】

【数２】

【００６７】で計算できる、１３階調表示まで可能にな
っている。例えば３８４×１２８ドットの４９，１５２
組のＴＦＴを５０ｍｍ角（３００ｍｍ角基板から３６枚
の多面取り）に作成した液晶電気光学装置に対し通常の
アナログ的な階調表示を行った場合、アモルファスＴＦ
Ｔの特性ばらつきが約±１０％存在するために、８階調
表示が限界であった。しかしながら、本発明によるデジ
タル階調表示をおこなった場合、ＴＦＴ素子の特性ばら
つきの影響を受けにくいために、１３階調表示以上まで
可能になりカラー表示では２，２０７色の多彩であり微
妙な色彩の表示が実現できている。

【００６８】『実施例３』本実施例では、図１３に示す
様なプロジェクション型画像表示装置を作製したので説
明を加える。

【００６９】本実施例では３枚の液晶電気光学装置１３
００を使用して、プロジェクション型画像表示装置用造
映部を組み立てている。その一つ一つは６４０×４８０
ドットの構成を有し、対角４インチの中に３０７，２０
０画素を作製した。１画素当りの大きさは１２７μｍ角
とした。

【００７０】プロジェクション型画像表示装置の構成と
して、液晶電気光学装置１３００を光の３原色である赤
・緑・青色用に分割して設置しており、赤色フィルター
１３０１、緑色フィルター１３０２、青色フィルター１
３０３と、反射板１３０４、１５０Ｗのメタルハライド
系光源１３０７とフォーカス用光学系１３０８より構成
されている。

【００７１】本実施例の電気光学装置に用いた液晶電気
光学装置の基板は、ＮＭＯＳ構成のマトリクス回路を有
する基板とした。低温プロセスによる高移動度ＴＦＴを
用いた素子を形成し、プロジェクション型液晶電気光学
装置を構成した。本実施例で使用する液晶表示装置の作
製方法を図１４を使用して説明する。図１４（Ａ）にお
いて、石英ガラス等の高価でない７００℃以下、例えば
約６００℃の熱処理に耐え得るガラス１４００上にマグ
ネトロンＲＦ（高周波) スパッタ法を用いてブロッキン
グ層１４０１としての酸化珪素膜を１０００〜３０００
Åの厚さに作製する。プロセス条件は酸素１００％雰囲
気、成膜温度１５℃、出力４００〜８００Ｗ、圧力０．
５Ｐａとした。タ−ゲットに石英または単結晶シリコン
を用いた成膜速度は３０〜１００Å／分であった。

【００７２】この上にシリコン膜をＬＰＣＶＤ（減圧気
相）法、スパッタ法またはプラズマＣＶＤ法により形成
した。減圧気相法で形成する場合、結晶化温度よりも１
００〜２００℃低い４５０〜５５０℃、例えば５３０℃
でジシラン(Si₂H₆) またはトリシラン(Si₃H₈) をＣＶＤ
装置に供給して成膜した。反応炉内圧力は３０〜３００
Ｐａとした。成膜速度は５０〜２５０Å/ 分であった。
ＰＴＦＴとＮＴＦＴとのスレッシュホ−ルド電圧（Ｖt
h）に概略同一に制御するため、ホウ素をジボランを用
いて１×10¹⁵〜１×10¹⁸cm^-3の濃度として成膜中に添加
してもよい。

【００７３】スパッタ法で行う場合、スパッタ前の背圧
を１×10^-5Ｐａ以下とし、単結晶シリコンをタ−ゲット
として、アルゴンに水素を２０〜８０％混入した雰囲気
で行った。例えばアルゴン２０％、水素８０％とした。
成膜温度は１５０℃、周波数は１３．５６ＭＨｚ、スパ
ッタ出力は４００〜８００Ｗ、圧力は０．５Ｐａであっ
た。

【００７４】プラズマＣＶＤ法により珪素膜を作製する
場合、温度は例えば３００℃とし、モノシラン(SiH₄)ま
たはジシラン(Si₂H₆) を用いた。これらをＰＣＶＤ装置
内に導入し、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を加えて成
膜した。

【００７５】これらの方法によって形成された被膜は、
酸素が５×10²¹cm^-3以下であることが好ましい。この酸
素濃度が高いと、結晶化させにくく、熱アニ−ル温度を
高くまたは熱アニ−ル時間を長くしなければならない。
また少なすぎると、バックライトによりオフ状態のリ−
ク電流が増加してしまう。そのため４×10¹⁹〜４×10²¹
cm^-3の範囲とした。水素は４×10²⁰cm^-3であり、珪素４
×10²²cm^-3として比較すると１原子％であった。

【００７６】上記方法によって、アモルファス状態の珪
素膜を５００〜５０００Å、例えば１５００Åの厚さに
作製の後、４５０〜７００℃の温度にて１２〜７０時間
非酸化物雰囲気にて中温の加熱処理、例えば水素雰囲気
下にて６００℃の温度で保持した。珪素膜の下の基板表
面にアモルファス構造の酸化珪素膜が形成されているた
め、この熱処理で特定の核が存在せず、全体が均一に加
熱アニ−ルされる。即ち、成膜時はアモルファス構造を
有し、また水素は単に混入しているのみである。

【００７７】アニ−ルにより、珪素膜はアモルファス構
造から秩序性の高い状態に移り、一部は結晶状態を呈す
る。特にシリコンの成膜後の状態で比較的秩序性の高い
領域は特に結晶化をして結晶状態となろうとする。しか
しこれらの領域間に存在する珪素により互いの結合がな
されるため、珪素同志は互いにひっぱりあう。レ−ザラ
マン分光により測定すると単結晶の珪素のピ−ク５２２
cm^-1より低周波側にシフトしたピ−クが観察される。そ
れの見掛け上の粒径は半値巾から計算すると、５０〜５
００Åとマイクロクリスタルのようになっているが、実
際はこの結晶性の高い領域は多数あってクラスタ構造を
有し、各クラスタ間は互いに珪素同志で結合（アンカリ
ング) がされたセミアモルファス構造の被膜を形成させ
ることができた。

【００７８】結果として、被膜は実質的にグレインバウ
ンダリ（以下ＧＢという）がないといってもよい状態を
呈する。キャリアは各クラスタ間をアンカリングされた
個所を通じ互いに容易に移動し得るため、いわゆるGBの
明確に存在する多結晶珪素よりも高いキャリア移動度と
なる。即ちホ−ル移動度（μｈ）＝１０〜２００cm²／
ＶＳｅｃ、電子移動度（μe ）＝１５〜３００cm² ／Ｖ
Ｓｅｃが得られる。

【００７９】他方、上記の如き中温でのアニ−ルではな
く、９００〜１２００℃の高温アニ−ルにより被膜を多
結晶化すると、核からの固相成長により被膜中の不純物
の偏析がおきて、ＧＢには酸素、炭素、窒素等の不純物
が多くなり、結晶中の移動度は大きいが、ＧＢでのバリ
ア（障壁）を作ってそこでのキャリアの移動を阻害して
しまう。結果として１０cm²/Vsec以上の移動度がなかな
か得られないのが実情である。即ち、本実施例ではかく
の如き理由により、セミアモルファスまたはセミクリス
タル構造を有するシリコン半導体を用いている。

【００８０】図１４（Ａ）において、珪素膜を第１のフ
ォトマスク３１にてフォトエッチングを施し、ＴＦＴ用
の領域１４０２（チャネル巾２０μm)を作製した。

【００８１】この上に酸化珪素膜をゲイト絶縁膜１４０
３として５００〜２０００Å例えば１０００Åの厚さに
形成した。これはブロッキング層としての酸化珪素膜の
作製と同一条件とした。この成膜中に弗素を少量添加
し、ナトリウムイオンの固定化をさせてもよい。

【００８２】この後、この上側にリンが１〜５×10²¹cm
^-3の濃度に入ったシリコン膜またはこのシリコン膜とそ
の上にモリブデン(Mo)、タングステン(W),MoSi₂ または
WSi₂との多層膜を形成した。これを第２のフォトマスク
３２てパタ−ニングして図１４（Ｂ）に示すように、ゲ
イト電極１４０４を形成した。本実施例では、チャネル
長は１０μｍ、ゲイト電極としてリンド−プ珪素を０．
２μｍ、その上にモリブデンを０．３μｍの厚さに形成
した。 図１４（Ｃ）において、ソ−ス１４０５、ドレ
イン１４０６としてリンを１〜５×１０¹⁵cm^-2のドーズ
量でイオン注入法により添加した。

【００８３】また、ゲート電極材料としてアルミニウム
（Al）を用いた場合、これを第２のフォトマスク３２に
てパタ−ニング後、その表面を陽極酸化することで、セ
ルファライン工法が適用可能なため、ソース・ドレイン
のコンタクトホールをよりゲートに近い位置に形成する
ことが出来るため、移動度、スレッシュホールド電圧の
低減からさらにＴＦＴの特性を上げることができる。

【００８４】次に、６００℃にて１０〜５０時間再び加
熱アニ−ルを行った。ソ−ス１４０５、ドレイン１４０
６の不純物を活性化してＮ⁺ として作製した。またゲイ
ト電極１４０４下にはチャネル形成領域１４０７がセミ
アモルファス半導体として形成されている。

【００８５】かくすると、セルフアライン方式でありな
がらも、７００℃以上にすべての工程で温度を加えるこ
とがなくＮＴＦＴを作ることができる。そのため、基板
材料として、石英等の高価な基板を用いなくてもよく、
本発明の大画素の液晶表示装置にきわめて適したプロセ
スである。

【００８６】本実施例では熱アニ−ルは図１４（Ａ）、
（Ｃ）で２回行った。しかし図１４（Ａ）のアニ−ルは
求める特性により省略し、双方を図１４（Ｃ）のアニ−
ルにより兼ね製造時間の短縮を図ってもよい。図１４
（Ｄ）において、層間絶縁物１４０８を前記したスパッ
タ法により酸化珪素膜の形成として行った。この酸化珪
素膜の形成はＬＰＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法
を用いてもよい。例えば０．２〜０．６μｍの厚さに形
成し、その後、フォトマスク３３を使って電極用の窓１
４０９を形成した。さらに、図１４（Ｅ）に示す如くこ
れら全体にアルミニウムをスパッタ法により形成し、リ
−ド１４１０、およびコンタクト１４１１をフォトマス
ク３４を用いて作製した後、表面を平坦化用有機樹脂１
４１２例えば透光性ポリイミド樹脂を塗布形成し、再度
の電極穴あけをフォトマスク３５にて行った。

【００８７】出力端を液晶装置の一方の画素の電極を透
明電極としてそれに連結するため、スパッタ法によりＩ
ＴＯ（インジュ−ム・スズ酸化膜）を形成した。それを
フォトマスク３６によりエッチングし、電極１４１３を
構成させた。このＩＴＯは室温〜１５０℃で成膜し、２
００〜４００℃の酸素または大気中のアニ−ルにより成
就した。かくの如くにしてＮＴＦＴ１４０２と透明導電
膜の電極１４１３とを同一ガラス基板１４００上に作製
した。得られたＴＦＴの電気的な特性の移動度は１２０
（cm²/Vs）、Ｖthは５．０（Ｖ）であった。

【００８８】図１５に構造の概略を示す。該基板上１５
００に、フマル酸系高分子樹脂とネマチック液晶を６
５：３５の割合で共通溶媒であるキシレンに溶解させた
混合物をダイキャスト法を用いて１０μｍの厚さに形成
した。その後窒素雰囲気中１２０℃で１８０分で溶媒を
取り除いて液晶分散層１５０１を形成した。この場合、
大気圧よりも若干減圧にすると、タクトタイムの短縮が
はかれることがわかった。

【００８９】その後、スパッタ法によりＩＴＯ（インジ
ュ−ム・スズ酸化膜）を形成し、対向電極２１２を得
た。このＩＴＯは室温〜１５０℃で成膜した。その後印
刷法を用いて、透光性のシリコン樹脂を３０μｍの厚み
で塗布し、１００℃で３０分焼成し、液晶電気光学装置
を得た。

【００９０】本実施例に用いた駆動用ＩＣの機能構成は
『実施例１』と同様である。６４０×４８０ドットの３
０７，２００組のＴＦＴを３００ｍｍ角に作成した液晶
電気光学装置に対し通常のアナログ的な階調表示を行っ
た場合、ＴＦＴの特性ばらつきが約±１０％存在するた
めに、１６階調表示が限界であった。本実施例によるＴ
ＦＴは駆動周波数を２．５ＭＨｚまであげることが出来
たため、

【００９１】

【数３】

【００９２】で計算できる、８６諧調まで表示まで可能
になっている。

【００９３】従って、本実施例によるデジタル階調表示
をおこなった場合、ＴＦＴ素子の特性ばらつきの影響を
受けにくいために、６４階調表示まで可能になりカラー
表示ではなんと２６２，１４４色の多彩であり微妙な色
彩の表示が実現できている。

【００９４】テレビ映像の様なソフトを映す場合、例え
ば同一色からなる『岩』でもその微細な窪み等にあたる
光の加減から微妙に色合いが異なる。自然の色彩に近い
表示を行おうとした場合、１６階調では困難を要し、こ
れらの微妙な窪みの表現には向かない。本発明による階
調表示によって、これらの微細な色調の変化を付けるこ
とが可能になった。

【００９５】この液晶電気光学は、図１３に示したフロ
ント型のプロジェクションテレビだけでなく、リヤ型の
プロジェクションテレビにも使用が出来る。

【００９６】

【実施例４】本実施例では、図１６に示すような反射型
の液晶分散型表示装置を用いた携帯用コンピューター用
電気光学装置を作製したので説明を加える。

【００９７】本実施例に使用した第一の基板は、『実施
例１』と同一工程で作成した物を用いた。図１５に示さ
れた液晶電気光学装置を用いて本実施例を説明する。基
板上１５００に、フマル酸系高分子樹脂と黒色色素を１
５％混合させたネマチック液晶を６５：３５の割合で共
通溶媒であるキシレンに溶解させた混合物をダイキャス
ト法を用いて１０μｍの厚さに形成し、その後窒素雰囲
気中１２０℃で１８０分溶媒を取り除いて液晶分散層１
５０１を形成した。

【００９８】ここで、黒色色素を用いたため、分散型液
晶表示では困難であった平面ディスプレイも、光の散乱
時（無電界時）に黒色がでて、透過時（電界印加時）に
白色を表示出来、紙上に書いた文字のような表示が可能
になっている。

【００９９】またこの逆の構造として、黒色色素を混入
せず、散乱時に白色を表現し、透過時に黒色を表現する
ことも可能である。ただしこの際には、以下に示す裏面
側を黒色にする必要がある。これもまた紙上に書いた文
字のような表示が可能になっている。

【０１００】その後、スパッタ法によりＩＴＯ（インジ
ュ−ム・スズ酸化膜）を形成し、対向電極１５０２を得
た。このＩＴＯは室温〜１５０℃で成膜した。その後印
刷法を用いて、白色のシリコン樹脂を５５μｍの厚みで
塗布し、１００℃で９０分焼成し、液晶電気光学装置を
得た。

【０１０１】

【発明の効果】本発明では、従来のアナログ方式の階調
表示に対し、デジタル方式の階調表示を独立した２つの
駆動周波数を用いて行うことを特徴としている。その効
果として、例えば６４０×４００ドットの画素数を有す
る液晶電気光学装置を想定したばあい、合計２５６，０
００個のＴＦＴすべての特性をばらつき無く作製するこ
とは、非常に困難を有し、現実的には量産性、歩留りを
考慮すると、１６階調表示が限界と考えられているのに
対し印加電圧レベルを明確にするために、アナログ値で
は無く、基準電圧値を信号としてコントローラー側から
入力し、その基準信号をＴＦＴに接続するタイミングを
デジタル値で制御することによって、ＴＦＴに印加され
る電圧を制御することで、ＴＦＴの特性ばらつきをカバ
ーする方法を本発明ではとっている事を特徴としている
ことから、明快なデジタル階調表示が可能になっている
ことにある。

【０１０２】また、駆動周波数を２種類とることによっ
て、画面書換えのフレーム数を変化させることなく、明
快なデジタル階調表示が可能になっていることにある。
フレーム数の低下に伴うフリッカーの発生等が回避でき
るものである。

【０１０３】本発明によるデジタル階調表示をおこなっ
た場合、ＴＦＴ素子の特性ばらつきの影響を受けにくい
ために、６４階調程度まで可能になりカラー表示ではな
んと２６２，１４４色の多彩であり微妙な色彩の表示が
実現できている。テレビ映像の様なソフトを映す場合、
例えば同一色からなる『岩』でもその微細な窪み等から
微妙に色合いが異なる。自然の色彩に近い表示を行おう
とした場合、１６階調４０９６色では困難を要する。本
発明による階調表示によって、これらの微細な色調の変
化を付けることが可能になった。

【図面の詳細な説明】

【図１】ネマチック液晶の電気光学特性を示す。

【図２】ポリシリコンとアモルファスシリコンによるＴ
ＦＴの電気特性を示す。

【図３】従来例によるマトリクス回路を示す。

【図４】従来例による駆動波形を示す。

【図５】本発明による駆動波形を示す。

【図６】本実施例によるマトリクス回路を示す。

【図７】本実施例による素子の平面構造を示す。

【図８】本実施例によるＴＦＴのプロセスを示す。

【図９】本実施例による対向電極の工程を示す。

【図１０】本実施例による液晶表示装置（テレビ）の構
成を示す。

【図１１】本実施例による駆動回路のシステム構成を示
す。

【図１２】本実施例によるＴＦＴのプロセスを示す。

【図１３】本実施例によるプロジェクション方式の液晶
電気光学装置の構造を示す。

【図１４】本実施例によるＴＦＴのプロセスを示す。

【図１５】本実施例による液晶電気光学装置の断面図を
示す。

【図１６】本実施例による携帯型コンピューターの構成
を示す。

【符号の説明】

５０１ 単位時間 ５０３ 電界変化 ５０５ 電界変化 ５０７ 電界変化

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/786 (56)参考文献 特開 平２−16596（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−154996（ＪＰ，Ｕ)

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上にマトリックス構成を有する信号線
   とそれぞれの画素電極にｎチャンネル型薄膜トランジス
   タを設け、 該薄膜トランジスタの入出力側の一方を前記画素電極
   へ、他の一方を前記マトリックス構成を有する一対の信
   号線の第１の信号線へ接続し、 かつ前記薄膜トランジスタのゲートを前記マトリックス
   構成を有する信号線の第２の信号線へ接続した電気回路
   を有する第一の基板と、基板上に電極およびリードを有
   する第２の基板によって、 少なくとも液晶組成物または液晶組成物を含む混合物を
   挟持した液晶表示装置において、１フレームを書き込む時間を周期とする、データの転送
   周波数を発生する手段と、 任意の１画素に書き込む単位時間を階調表示に必要な数
   で時分割した時間を周期とする、階調表示用周波数を発
   生する手段とを有すること を特徴とする電気光学装置。
2. 【請求項２】請求項１において、液晶組成物は強誘電性
   を示すことを特徴とする電気光学装置。
3. 【請求項３】請求項１において、液晶組成物はネマチッ
   ク液晶を主体とすることを特徴とする電気光学装置。
4. 【請求項４】請求項１において、液晶組成物はコレステ
   イック液晶を主体とすることを特徴とする電気光学装
   置。
5. 【請求項５】請求項１において、液晶組成物を含む混合
   物はネマチック液晶を有機樹脂中に分散させたことを特
   徴とする電気光学装置。
6. 【請求項６】請求項１において、液晶組成物を含む混合
   物はコレステイック液晶を有機樹脂中に分散させたこと
   を特徴とする電気光学装置。
7. 【請求項７】請求項１において、液晶組成物を含む混合
   物はスメクチイク液晶を有機樹脂中に分散させたことを
   特徴とする電気光学装置。