JP2675263B2 - 反射型マスクを用いた露光装置および露光方法 - Google Patents
反射型マスクを用いた露光装置および露光方法Info
- Publication number
- JP2675263B2 JP2675263B2 JP19016094A JP19016094A JP2675263B2 JP 2675263 B2 JP2675263 B2 JP 2675263B2 JP 19016094 A JP19016094 A JP 19016094A JP 19016094 A JP19016094 A JP 19016094A JP 2675263 B2 JP2675263 B2 JP 2675263B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- ray
- substrate
- soft
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、軟Ｘ線や真空紫外線を
用いたリソグラフィーに好適な、反射型マスクを用いた
露光装置や露光方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来、Ｘ線を使用した露光装置や露光方
法に用いられる反射型マスクのＸ線反射部としては、単
結晶板が用いられていた（特願昭５２−５４１２６
号）。しかしこのＸ線露光用の反射型マスクは、単結晶
のＢｒａｇｇ回折を利用するため、Ｘ線入射を斜入射と
しなくてはならず、マスクによるエネルギロスも大きか
った。その結果、またマスク面積が非常に大きくなり、
大きいゆえに平面性よく均一に作成するのが困難であ
る、入射光の利用効率が低い等の問題が生じていた。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来例
の問題点に鑑み、露光装置の大幅な小型化や、露光転写
の高精度化を達成することを目的とするものである。 【０００４】 【課題を解決するための手段】本発明は前記の課題を解
決しようとするもので、その要旨は光学定数の異なる２
種類の層を交互に積層した多層膜構造を有する反射層と
吸収体によるパターンとが基板上に形成された反射型マ
スクに対して、軟Ｘ線又は真空紫外線を入射する手段
と、該反射型マスクで反射された軟Ｘ線又は真空紫外線
を露光基板に入射して露光基板に該パターンを結像する
投影光学系とを有することを特徴とする露光装置および
光学定数の異なる２種類の層を交互に積層した多層膜構
造を有する反射層と吸収体によるパターンとが基板上に
形成された反射型マスクに対して、軟Ｘ線又は真空紫外
線を入射する工程と、該反射型マスクで反射された軟Ｘ
線又は真空紫外線を露光基板に入射して露光基板に該パ
ターンを結像する工程とを有することを特徴とする露光
方法にある。 【０００５】以下本発明を図面に基づき説明する。 【０００６】図１は軟Ｘ線又は真空紫外線露光用の多層
膜反射型マスクの構造の一例の摸式断面図である。 【０００７】この多層膜反射型マスクは、図中に示すよ
うに平面の基板１上に第１の物質の層２，４…及び第２
の物質の層３，５…が交互に積層されて反射鏡部分が形
成され、その最上層の上に所望の形状にパターニングさ
れている軟Ｘ線・真空紫外線用の吸収体Ａが配されてい
る。 【０００８】各々の層の膜厚ｄ1 ，ｄ2 …は１０Ａ以上
であり、交互に等しい膜厚であって（ｄ1 ＝ｄ3 ＝…，
ｄ2 ＝ｄ4 ＝…）も、全ての膜厚を変えても差しつかえ
ないが、それぞれの層中における軟Ｘ線・真空紫外線の
吸収による振幅の減少およびそれぞれの層の界面におけ
る反射光の位相の重なりによる反射光の強め合いの両者
を考慮し、反射鏡全体として最も高い反射率が得られる
ような厚さとすることが好ましい。各層の厚さは１０Å
より小さい場合は界面における２つの物質の拡散の効果
により、反射鏡として高い反射率が得られず好ましくな
い。層数を増加させればさせるほど反射率は上昇する
が、その一方で製作上の困難さが発生してくる。そのた
め積層数は２００層以内が好ましく用いられる。 【０００９】吸収体は、軟Ｘ線・真空紫外線を吸収し、
高熱伝導性、低熱膨張性ならばどのようなものでもよい
が、具体的には線膨張率が５×１０-5／ｄｅｇ以下であ
り、熱伝導率が０．１Ｊ／ｃｍ・ｓ・ｄｅｇ以上である
ものがよい。それより大きな線膨張率、熱伝導率である
場合は、吸収体と多層構造の反射鏡とがずれたり剥離し
たりする問題が発生しやすい。このような吸収体をなす
物質としては、例えば、金、タンタル、タングステンな
どの金属、ケイ素などの半導体、窒化ケイ素、炭化ケイ
素、窒化タンタルなどの絶縁体が好ましく用いられる。 【００１０】図３は上記反射型マスクを用いた露光装置
の投影光学系の光路図である。 【００１１】光学定数の異なる第１の物質の層２，４と
第２の物質の層３，５とを交互に積層した多層膜構造を
有する反射層と吸収体Ａによる露光パターンとが基板１
上に形成された反射型マスクＭ0 に対して発散Ｘ線源か
ら発生し正入射で入射した軟Ｘ線はマスクＭ0 の反射部
を介して投影光学系に入り、凹面鏡Ｍ1 、凸面鏡Ｍ2、
凹面鏡Ｍ3 の順に反射しマスクＭ0 の像を露光基板上に
結像するようにして露光パターンを転写し得るようにし
た露光装置及び露光方法である。 【００１２】 【実施例】以下に本発明の実施例を挙げて本発明を更に
詳細に説明する。 実施例１ 図２（ａ）に示す様に、基板１として面粗さがｒｍｓ値
で１０Å以下になるように研磨されたケイ素単結晶板を
用い、第１の層２，４…をなす物質としてルテニウム
（Ｒｕ）、第２の層３，５…をなす物質として炭化ケイ
素（ＳｉＣ）を用い、１×１０-6Ｐａ以下の超高真空に
到達後、アルゴン圧力を５×１０-1Ｐａに保ち、スパッ
タ蒸着法により膜厚をそれぞれ２９．８Å、３３．９Å
として４１層（Ｒｕ層２１層、ＳｉＣ：２０層）積層
し、更にその上に保護膜Ｂとして炭素（Ｃ）を１０Å積
層し多層積層板を得た。この場合、第１の層が屈折率の
実数部分が小であり第２の層が屈折率の実数部分が大で
ある。 【００１３】次に図２（ｂ）に示すように、この多層積
層板上にレジストとしてのＰＭＭＡの層を０．５μｍ厚
に形成し、ＥＢ描画により１．７５μｍライン＆スペー
スのパターニングを行い、このＰＭＭＡよりなるパター
ン状レジストＣ上に軟Ｘ線吸収体である金（線膨張率
１．４２×１０-5／ｄｅｇ、熱伝導率３．１６Ｊ／ｃｍ
・ｓ・ｄｅｇ）をＥＢ蒸着により０．１μｍ厚形成し
た。次にＰＭＭＡをハクリし、多層膜上に金パターンＡ
を得た（図２（ｃ））。 【００１４】次に作成した多層膜反射型マスクを用いて
軟Ｘ線露光を行った。 【００１５】図３は投影光学系の光路図で、図中の軟Ｘ
線反射ミラーＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 はそれぞれ凹面鏡、凸面
鏡、凹面鏡であり、Ｗは露光基板を示している。Ｍ0 は
上記多層膜反射型マスクである。図中にその位置を示
す。発散Ｘ線源から発生しマスクＭ0 に対して１．７°
の角度（正入射）で入射した軟Ｘ線はマスクＭ0 の反射
部を介して投影光学系に入り、凹面鏡Ｍ1 、凸面鏡Ｍ
2 、凹面鏡Ｍ3 の順に反射し、マスクＭ0 の像を露光基
板Ｗ上に結像する。本投影光学系の仕様は投影倍率１／
５、有効Ｆナンバーが１３、像面サイズが２８×１４ｍ
ｍ2 、像高が２０〜３７ｍｍ、解像力が０．３５μｍで
ある。 【００１６】光源には１２４Åの軟Ｘ線を用い、露光基
板ＷにはＰＭＭＡ１μｍを塗布した。軟Ｘ線を発生さ
せ、投影露光系により、露光基板Ｗ上のＰＭＭＡレジス
トを露光し現像を行ったところ、０．３５μｍライン＆
スペースが解像した。 実施例２ 実施例１と同様に研摩されたケイ素単結晶板１上に、第
１の層２，４…をなす物質として窒化タンタル（Ｔａ
Ｎ）、第２の層３，５…をなす物質としてケイ素（Ｓ
ｉ）を用い、１×１０-6Ｐａ以下の超高真空に到達後、
アルゴン圧力を５×１０-1Ｐａに保ち、スパッタ蒸着法
により膜厚をそれぞれ２０．３Å、４０．６Åとして、
４１層（ＴａＮ：２１層、Ｓｉ：２０層）積層し、更に
その上に保護膜Ｂとして炭素（Ｃ）を１０Å積層した。
この場合、第１の層が屈折率の実数部分が小であり第２
の層が屈折率の実数部分が大である。 【００１７】次に得られた多層積層板上にＰＭＭＡ０．
５μｍを形成しＥＢ描画によりパターニングを行った。
このＰＭＭＡパターン上に軟Ｘ線吸収体であるタンタル
（Ｔａ）（線膨張率６．３×１０-6／ｄｅｇ、熱伝導率
０．５７５Ｊ／ｃｍ・ｓ・ｄｅｇ）をＥＢ蒸着により
０．１μｍ厚形成した後、ＰＭＭＡをハクリし、多層膜
上にタンタルパターンＡを得た。 【００１８】ここで作製したマスクを用いて、実施例１
で示した縮小光学系により露光基板Ｗ上のＰＭＭＡを露
光した。その結果、０．３５μｍラインアンドスペース
が解像した。 実施例３ 実施例１と同様に研摩されたケイ素単結晶板上に、第１
の層２，４…をなす物質としてパラジウム（Ｐｄ）、第
２の層３，５…をなす物質としてケイ素（Ｓｉ）を用
い、１×１０-6Ｐａ以下の超高真空中においてＥＢ蒸着
法により、膜厚をそれぞれ２１．１Å、４０．３Åとし
て、４１層（Ｐｄ：２１層、Ｓｉ：２０層）積層し、更
にその上に保護膜として炭素（Ｃ）を１０Å積層した。
この場合、第１の層が屈折率の実数部分が小であり第２
の層が屈折率の実数部分が大である。 【００１９】次に得られた多層積層板上にＰＭＭＡ０．
５μｍを形成しＥＢ描画によりパターニングを行った。
このＰＭＭＡパターン上に軟Ｘ線吸収体であるケイ素
（Ｓｉ）（線膨張率２．６×１０-6／ｄｅｇ、熱伝導率
１．４９Ｊ／ｃｍ・ｓ・ｄｅｇ）をＥＢ蒸着により０．
１μｍ厚形成した後、ＰＭＭＡをハクリし、多層膜上に
ケイ素パターンＡを得た。 【００２０】ここで作製したマスクを用いて、実施例１
で示した縮小光学系により露光基板Ｗ上のＰＭＭＡを露
光した。その結果、０．３５μｍラインアンドスペース
が解像した。 【００２１】尚本発明の実施例においては、図３に示し
た構成の１／５倍縮小光学系（０．３５μｍ解像）を仮
定したが、もちろん他の仕様や構成の露光用光学系を使
用してもよい。 【００２２】また実施例においては、多層膜の形成にお
いてＥＢ蒸着法及びスパッタリング法を用いたが、これ
に限定されるものではなく、その他抵抗加熱、ＣＶＤ、
反応性スパッタリング等のさまざまな薄膜を形成する方
法を用いることができる。また基板としてＳｉ単結晶板
を用いたが、それに限らずガラス、溶融石英、炭化ケイ
素等の基板であってその表面が使用波長に比べて十分に
なめらかになるように研摩されたものであればよい。 【００２３】 【発明の効果】本発明によれば、光学定数の異なる２つ
の物質を交互に積層した多層膜構造を有する反射層を反
射部として用いた反射型マスクを用いて露光基板に露光
を行うため、従来の単結晶のＢｒａｇｇ回折を利用した
反射鏡のように軟Ｘ線または真空紫外線を水平方向から
斜入射させる必要がなく、マスクに対して正入射させる
ことが可能であり、軟Ｘ線又は真空紫外線の利用効率も
高い。その結果、露光装置の大幅な小型化や、露光転写
の高精度化を達成することができる。
用いたリソグラフィーに好適な、反射型マスクを用いた
露光装置や露光方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来、Ｘ線を使用した露光装置や露光方
法に用いられる反射型マスクのＸ線反射部としては、単
結晶板が用いられていた（特願昭５２−５４１２６
号）。しかしこのＸ線露光用の反射型マスクは、単結晶
のＢｒａｇｇ回折を利用するため、Ｘ線入射を斜入射と
しなくてはならず、マスクによるエネルギロスも大きか
った。その結果、またマスク面積が非常に大きくなり、
大きいゆえに平面性よく均一に作成するのが困難であ
る、入射光の利用効率が低い等の問題が生じていた。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来例
の問題点に鑑み、露光装置の大幅な小型化や、露光転写
の高精度化を達成することを目的とするものである。 【０００４】 【課題を解決するための手段】本発明は前記の課題を解
決しようとするもので、その要旨は光学定数の異なる２
種類の層を交互に積層した多層膜構造を有する反射層と
吸収体によるパターンとが基板上に形成された反射型マ
スクに対して、軟Ｘ線又は真空紫外線を入射する手段
と、該反射型マスクで反射された軟Ｘ線又は真空紫外線
を露光基板に入射して露光基板に該パターンを結像する
投影光学系とを有することを特徴とする露光装置および
光学定数の異なる２種類の層を交互に積層した多層膜構
造を有する反射層と吸収体によるパターンとが基板上に
形成された反射型マスクに対して、軟Ｘ線又は真空紫外
線を入射する工程と、該反射型マスクで反射された軟Ｘ
線又は真空紫外線を露光基板に入射して露光基板に該パ
ターンを結像する工程とを有することを特徴とする露光
方法にある。 【０００５】以下本発明を図面に基づき説明する。 【０００６】図１は軟Ｘ線又は真空紫外線露光用の多層
膜反射型マスクの構造の一例の摸式断面図である。 【０００７】この多層膜反射型マスクは、図中に示すよ
うに平面の基板１上に第１の物質の層２，４…及び第２
の物質の層３，５…が交互に積層されて反射鏡部分が形
成され、その最上層の上に所望の形状にパターニングさ
れている軟Ｘ線・真空紫外線用の吸収体Ａが配されてい
る。 【０００８】各々の層の膜厚ｄ1 ，ｄ2 …は１０Ａ以上
であり、交互に等しい膜厚であって（ｄ1 ＝ｄ3 ＝…，
ｄ2 ＝ｄ4 ＝…）も、全ての膜厚を変えても差しつかえ
ないが、それぞれの層中における軟Ｘ線・真空紫外線の
吸収による振幅の減少およびそれぞれの層の界面におけ
る反射光の位相の重なりによる反射光の強め合いの両者
を考慮し、反射鏡全体として最も高い反射率が得られる
ような厚さとすることが好ましい。各層の厚さは１０Å
より小さい場合は界面における２つの物質の拡散の効果
により、反射鏡として高い反射率が得られず好ましくな
い。層数を増加させればさせるほど反射率は上昇する
が、その一方で製作上の困難さが発生してくる。そのた
め積層数は２００層以内が好ましく用いられる。 【０００９】吸収体は、軟Ｘ線・真空紫外線を吸収し、
高熱伝導性、低熱膨張性ならばどのようなものでもよい
が、具体的には線膨張率が５×１０-5／ｄｅｇ以下であ
り、熱伝導率が０．１Ｊ／ｃｍ・ｓ・ｄｅｇ以上である
ものがよい。それより大きな線膨張率、熱伝導率である
場合は、吸収体と多層構造の反射鏡とがずれたり剥離し
たりする問題が発生しやすい。このような吸収体をなす
物質としては、例えば、金、タンタル、タングステンな
どの金属、ケイ素などの半導体、窒化ケイ素、炭化ケイ
素、窒化タンタルなどの絶縁体が好ましく用いられる。 【００１０】図３は上記反射型マスクを用いた露光装置
の投影光学系の光路図である。 【００１１】光学定数の異なる第１の物質の層２，４と
第２の物質の層３，５とを交互に積層した多層膜構造を
有する反射層と吸収体Ａによる露光パターンとが基板１
上に形成された反射型マスクＭ0 に対して発散Ｘ線源か
ら発生し正入射で入射した軟Ｘ線はマスクＭ0 の反射部
を介して投影光学系に入り、凹面鏡Ｍ1 、凸面鏡Ｍ2、
凹面鏡Ｍ3 の順に反射しマスクＭ0 の像を露光基板上に
結像するようにして露光パターンを転写し得るようにし
た露光装置及び露光方法である。 【００１２】 【実施例】以下に本発明の実施例を挙げて本発明を更に
詳細に説明する。 実施例１ 図２（ａ）に示す様に、基板１として面粗さがｒｍｓ値
で１０Å以下になるように研磨されたケイ素単結晶板を
用い、第１の層２，４…をなす物質としてルテニウム
（Ｒｕ）、第２の層３，５…をなす物質として炭化ケイ
素（ＳｉＣ）を用い、１×１０-6Ｐａ以下の超高真空に
到達後、アルゴン圧力を５×１０-1Ｐａに保ち、スパッ
タ蒸着法により膜厚をそれぞれ２９．８Å、３３．９Å
として４１層（Ｒｕ層２１層、ＳｉＣ：２０層）積層
し、更にその上に保護膜Ｂとして炭素（Ｃ）を１０Å積
層し多層積層板を得た。この場合、第１の層が屈折率の
実数部分が小であり第２の層が屈折率の実数部分が大で
ある。 【００１３】次に図２（ｂ）に示すように、この多層積
層板上にレジストとしてのＰＭＭＡの層を０．５μｍ厚
に形成し、ＥＢ描画により１．７５μｍライン＆スペー
スのパターニングを行い、このＰＭＭＡよりなるパター
ン状レジストＣ上に軟Ｘ線吸収体である金（線膨張率
１．４２×１０-5／ｄｅｇ、熱伝導率３．１６Ｊ／ｃｍ
・ｓ・ｄｅｇ）をＥＢ蒸着により０．１μｍ厚形成し
た。次にＰＭＭＡをハクリし、多層膜上に金パターンＡ
を得た（図２（ｃ））。 【００１４】次に作成した多層膜反射型マスクを用いて
軟Ｘ線露光を行った。 【００１５】図３は投影光学系の光路図で、図中の軟Ｘ
線反射ミラーＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 はそれぞれ凹面鏡、凸面
鏡、凹面鏡であり、Ｗは露光基板を示している。Ｍ0 は
上記多層膜反射型マスクである。図中にその位置を示
す。発散Ｘ線源から発生しマスクＭ0 に対して１．７°
の角度（正入射）で入射した軟Ｘ線はマスクＭ0 の反射
部を介して投影光学系に入り、凹面鏡Ｍ1 、凸面鏡Ｍ
2 、凹面鏡Ｍ3 の順に反射し、マスクＭ0 の像を露光基
板Ｗ上に結像する。本投影光学系の仕様は投影倍率１／
５、有効Ｆナンバーが１３、像面サイズが２８×１４ｍ
ｍ2 、像高が２０〜３７ｍｍ、解像力が０．３５μｍで
ある。 【００１６】光源には１２４Åの軟Ｘ線を用い、露光基
板ＷにはＰＭＭＡ１μｍを塗布した。軟Ｘ線を発生さ
せ、投影露光系により、露光基板Ｗ上のＰＭＭＡレジス
トを露光し現像を行ったところ、０．３５μｍライン＆
スペースが解像した。 実施例２ 実施例１と同様に研摩されたケイ素単結晶板１上に、第
１の層２，４…をなす物質として窒化タンタル（Ｔａ
Ｎ）、第２の層３，５…をなす物質としてケイ素（Ｓ
ｉ）を用い、１×１０-6Ｐａ以下の超高真空に到達後、
アルゴン圧力を５×１０-1Ｐａに保ち、スパッタ蒸着法
により膜厚をそれぞれ２０．３Å、４０．６Åとして、
４１層（ＴａＮ：２１層、Ｓｉ：２０層）積層し、更に
その上に保護膜Ｂとして炭素（Ｃ）を１０Å積層した。
この場合、第１の層が屈折率の実数部分が小であり第２
の層が屈折率の実数部分が大である。 【００１７】次に得られた多層積層板上にＰＭＭＡ０．
５μｍを形成しＥＢ描画によりパターニングを行った。
このＰＭＭＡパターン上に軟Ｘ線吸収体であるタンタル
（Ｔａ）（線膨張率６．３×１０-6／ｄｅｇ、熱伝導率
０．５７５Ｊ／ｃｍ・ｓ・ｄｅｇ）をＥＢ蒸着により
０．１μｍ厚形成した後、ＰＭＭＡをハクリし、多層膜
上にタンタルパターンＡを得た。 【００１８】ここで作製したマスクを用いて、実施例１
で示した縮小光学系により露光基板Ｗ上のＰＭＭＡを露
光した。その結果、０．３５μｍラインアンドスペース
が解像した。 実施例３ 実施例１と同様に研摩されたケイ素単結晶板上に、第１
の層２，４…をなす物質としてパラジウム（Ｐｄ）、第
２の層３，５…をなす物質としてケイ素（Ｓｉ）を用
い、１×１０-6Ｐａ以下の超高真空中においてＥＢ蒸着
法により、膜厚をそれぞれ２１．１Å、４０．３Åとし
て、４１層（Ｐｄ：２１層、Ｓｉ：２０層）積層し、更
にその上に保護膜として炭素（Ｃ）を１０Å積層した。
この場合、第１の層が屈折率の実数部分が小であり第２
の層が屈折率の実数部分が大である。 【００１９】次に得られた多層積層板上にＰＭＭＡ０．
５μｍを形成しＥＢ描画によりパターニングを行った。
このＰＭＭＡパターン上に軟Ｘ線吸収体であるケイ素
（Ｓｉ）（線膨張率２．６×１０-6／ｄｅｇ、熱伝導率
１．４９Ｊ／ｃｍ・ｓ・ｄｅｇ）をＥＢ蒸着により０．
１μｍ厚形成した後、ＰＭＭＡをハクリし、多層膜上に
ケイ素パターンＡを得た。 【００２０】ここで作製したマスクを用いて、実施例１
で示した縮小光学系により露光基板Ｗ上のＰＭＭＡを露
光した。その結果、０．３５μｍラインアンドスペース
が解像した。 【００２１】尚本発明の実施例においては、図３に示し
た構成の１／５倍縮小光学系（０．３５μｍ解像）を仮
定したが、もちろん他の仕様や構成の露光用光学系を使
用してもよい。 【００２２】また実施例においては、多層膜の形成にお
いてＥＢ蒸着法及びスパッタリング法を用いたが、これ
に限定されるものではなく、その他抵抗加熱、ＣＶＤ、
反応性スパッタリング等のさまざまな薄膜を形成する方
法を用いることができる。また基板としてＳｉ単結晶板
を用いたが、それに限らずガラス、溶融石英、炭化ケイ
素等の基板であってその表面が使用波長に比べて十分に
なめらかになるように研摩されたものであればよい。 【００２３】 【発明の効果】本発明によれば、光学定数の異なる２つ
の物質を交互に積層した多層膜構造を有する反射層を反
射部として用いた反射型マスクを用いて露光基板に露光
を行うため、従来の単結晶のＢｒａｇｇ回折を利用した
反射鏡のように軟Ｘ線または真空紫外線を水平方向から
斜入射させる必要がなく、マスクに対して正入射させる
ことが可能であり、軟Ｘ線又は真空紫外線の利用効率も
高い。その結果、露光装置の大幅な小型化や、露光転写
の高精度化を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に用いられる軟Ｘ線・真空紫外線露光用
多層膜反射型マスクの基本断面図。 【図２】図２（ａ）（ｂ）（ｃ）は本発明に用いられる
多層膜反射マスクの作製工程図。 【図３】本発明の露光装置の投影光学系の光路図。 【符号の説明】 １ Ｓｉ基板 ２，４ 第１の物質の層 ３，５ 第２の物質の層 Ａ 軟Ｘ線・真空紫外線吸収体 Ｂ 保護膜 Ｃ レジスト（ＰＭＭＡ） Ｍ0 軟Ｘ線・真空紫外線露光用多層膜反射型マスク Ｍ1 凹型Ｘ線ミラー Ｍ2 凸型Ｘ線ミラー Ｍ3 凹型Ｘ線ミラー Ｗ 露光基板 ｄ1 〜ｄ4 各層の厚さ
多層膜反射型マスクの基本断面図。 【図２】図２（ａ）（ｂ）（ｃ）は本発明に用いられる
多層膜反射マスクの作製工程図。 【図３】本発明の露光装置の投影光学系の光路図。 【符号の説明】 １ Ｓｉ基板 ２，４ 第１の物質の層 ３，５ 第２の物質の層 Ａ 軟Ｘ線・真空紫外線吸収体 Ｂ 保護膜 Ｃ レジスト（ＰＭＭＡ） Ｍ0 軟Ｘ線・真空紫外線露光用多層膜反射型マスク Ｍ1 凹型Ｘ線ミラー Ｍ2 凸型Ｘ線ミラー Ｍ3 凹型Ｘ線ミラー Ｗ 露光基板 ｄ1 〜ｄ4 各層の厚さ
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．光学定数の異なる２種類の層を交互に積層した多層
膜構造を有する反射層と吸収体によるパターンとが基板
上に形成された反射型マスクに対して、軟Ｘ線又は真空
紫外線を入射する手段と、該反射型マスクで反射された
軟Ｘ線又は真空紫外線を露光基板に入射して露光基板に
該パターンを結像する投影光学系とを有することを特徴
とする露光装置。 ２．光学定数の異なる２種類の層を交互に積層した多層
膜構造を有する反射層と吸収体によるパターンとが基板
上に形成された反射型マスクに対して、軟Ｘ線又は真空
紫外線を入射する工程と、該反射型マスクで反射された
軟Ｘ線又は真空紫外線を露光基板に入射して露光基板に
該パターンを結像する工程とを有することを特徴とする
露光方法。 ３．前記投影光学系は、反射ミラーを備えた縮小投影光
学系である請求項１記載の露光装置。 ４．前記投影光学系は、反射型マスクから露光基板まで
の光路に沿って順に、凹面鏡、凸面鏡、凹面鏡の３枚の
反射ミラーを有する請求項３記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19016094A JP2675263B2 (ja) | 1994-07-21 | 1994-07-21 | 反射型マスクを用いた露光装置および露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19016094A JP2675263B2 (ja) | 1994-07-21 | 1994-07-21 | 反射型マスクを用いた露光装置および露光方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3352387A Division JPH0727198B2 (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 多層膜反射型マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0749561A JPH0749561A (ja) | 1995-02-21 |
| JP2675263B2 true JP2675263B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=16253429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19016094A Expired - Lifetime JP2675263B2 (ja) | 1994-07-21 | 1994-07-21 | 反射型マスクを用いた露光装置および露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2675263B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5200327B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2013-06-05 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク及びその製造方法、並びに、極端紫外光の露光方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0727198B2 (ja) * | 1987-02-18 | 1995-03-29 | キヤノン株式会社 | 多層膜反射型マスク |
-
1994
- 1994-07-21 JP JP19016094A patent/JP2675263B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0749561A (ja) | 1995-02-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5052033A (en) | Reflection type mask | |
| JP3047541B2 (ja) | 反射型マスクおよび欠陥修正方法 | |
| US6833223B2 (en) | Multilayer-film reflective mirrors and optical systems comprising same | |
| US20030128810A1 (en) | Protective layer for multilayers exposed to x-rays | |
| JPH0727198B2 (ja) | 多層膜反射型マスク | |
| JP2545905B2 (ja) | 反射型マスクならびにこれを用いた露光方法 | |
| JP2723955B2 (ja) | 軟ｘ線・真空紫外線用多層膜反射鏡 | |
| JP2566564B2 (ja) | 軟ｘ線又は真空紫外線用多層膜反射鏡 | |
| JP2675263B2 (ja) | 反射型マスクを用いた露光装置および露光方法 | |
| JP2615741B2 (ja) | 反射型マスクならびにこれを用いた露光装置と露光方法 | |
| US6830851B2 (en) | Photolithographic mask fabrication | |
| JPH06177019A (ja) | 光学素子およびその製造方法 | |
| JP2675263C (ja) | ||
| TW202111419A (zh) | Euv掩模胚及製造方法 | |
| JP2005099571A (ja) | 多層膜反射鏡、反射多層膜の成膜方法、成膜装置及び露光装置 | |
| JPH01175734A (ja) | 反射型マスク及びその製造方法 | |
| JP3065706B2 (ja) | 多層膜反射鏡および該多層膜反射鏡を有する光学装置 | |
| JPH01175735A (ja) | 反射型マスク及びその製造方法 | |
| JP2615741C (ja) | ||
| JP2545905C (ja) | ||
| JP2008151983A (ja) | 多層膜反射鏡 | |
| JPH05283322A (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| TW202309645A (zh) | 多層極紫外反射器材料 | |
| KR20240004892A (ko) | 극자외선 마스크 흡수체 재료들 | |
| JPH0271198A (ja) | Ｘ線用ハーフミラー |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |