JP2671683B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2671683B2 JP2671683B2 JP34566291A JP34566291A JP2671683B2 JP 2671683 B2 JP2671683 B2 JP 2671683B2 JP 34566291 A JP34566291 A JP 34566291A JP 34566291 A JP34566291 A JP 34566291A JP 2671683 B2 JP2671683 B2 JP 2671683B2
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- Japan
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- hole
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- resin
- semiconductor chip
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特にフィルムキャリア方式の半導体装置の製造方
法に関する。
関し、特にフィルムキャリア方式の半導体装置の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフィルムキャリア方式の半導体装
置の製造方法を図９（ａ），（ｂ）を用いて説明する。
置の製造方法を図９（ａ），（ｂ）を用いて説明する。
【０００３】図９（ａ），（ｂ）の平面図及びＦ−Ｆ線
断面図に示すように、搬送及び位置決め用のスプロケッ
トホール９と半導体チップ１が入るデバイスホール３を
有するポリイミド等の絶縁フィルム上に銅等の金属箔を
接着し、この金属箔をエッチング等により所望の形状の
インナーリード５，アウターリード６及び電気選別の為
のパッド７等を形成してテープ状のフィルムキャリア１
０を構成する。
断面図に示すように、搬送及び位置決め用のスプロケッ
トホール９と半導体チップ１が入るデバイスホール３を
有するポリイミド等の絶縁フィルム上に銅等の金属箔を
接着し、この金属箔をエッチング等により所望の形状の
インナーリード５，アウターリード６及び電気選別の為
のパッド７等を形成してテープ状のフィルムキャリア１
０を構成する。
【０００４】次にインナーリード５を支えるフィルム枠
であるサスペンダー８上に必要に応じて密着性を向上さ
せる為のポリイミド樹脂等からなるコーティング層１５
を形成したフィルムキャリア１０と、あらかじめ電極端
子上に金属突起物であるバンプ２を設けた半導体チップ
１とを準備する。次でこのフィルムキャリア１０のイン
ナーリード５の先端部と半導体チップ１のバンプ２とを
熱圧着法または共晶法等により接続する。
であるサスペンダー８上に必要に応じて密着性を向上さ
せる為のポリイミド樹脂等からなるコーティング層１５
を形成したフィルムキャリア１０と、あらかじめ電極端
子上に金属突起物であるバンプ２を設けた半導体チップ
１とを準備する。次でこのフィルムキャリア１０のイン
ナーリード５の先端部と半導体チップ１のバンプ２とを
熱圧着法または共晶法等により接続する。
【０００５】次にダイレクト・トランスファーモールド
法により樹脂封止を行なう。この方法は、コーティング
層１５の部分を含むサスペンダー８部をトランスファー
モールド金型で挟み込み、樹脂１６を流し込んでトラン
スファーモールドを実施し、トランスファーモールド・
パッケージを形成するものである。更にフィルムキャリ
アテープの状態で電気選別用パッド７上に接触子を接触
させて、電気選別やデバイスの特性試験を実施し半導体
装置を完成させる。
法により樹脂封止を行なう。この方法は、コーティング
層１５の部分を含むサスペンダー８部をトランスファー
モールド金型で挟み込み、樹脂１６を流し込んでトラン
スファーモールドを実施し、トランスファーモールド・
パッケージを形成するものである。更にフィルムキャリ
アテープの状態で電気選別用パッド７上に接触子を接触
させて、電気選別やデバイスの特性試験を実施し半導体
装置を完成させる。
【０００６】上記のようなフィルムキャリア方式の半導
体装置の製造方法は、ボンディングがリードの数と無関
係に一度で可能であるため、スピードが速いこと、フィ
ルムキャリアテープを使用するためボンディング等の組
立と電気選別作業の自動化がはかれ量産性が優れている
こと、トランスファーモールドにより樹脂で半導体装置
を保護する為、従来のトランスファーモールド型半導体
装置と同等の包装形態及び取扱いが可能となる等の利点
を有している。
体装置の製造方法は、ボンディングがリードの数と無関
係に一度で可能であるため、スピードが速いこと、フィ
ルムキャリアテープを使用するためボンディング等の組
立と電気選別作業の自動化がはかれ量産性が優れている
こと、トランスファーモールドにより樹脂で半導体装置
を保護する為、従来のトランスファーモールド型半導体
装置と同等の包装形態及び取扱いが可能となる等の利点
を有している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この従来のフィルムキ
ャリア方式の半導体装置でダイレクト・トランスファー
モールド法で樹脂封止が実施されたものは、液状樹脂を
チップ上に滴下する樹脂封止方法と比べ、外形が一定と
なる等の利点がある。
ャリア方式の半導体装置でダイレクト・トランスファー
モールド法で樹脂封止が実施されたものは、液状樹脂を
チップ上に滴下する樹脂封止方法と比べ、外形が一定と
なる等の利点がある。
【０００８】しかしながらモールド時の樹脂の流れによ
り半導体チップの傾きが発生したり、又薄型のパッケー
ジ形態である為、表面にボイドが発生するという問題が
あった。更に高圧の型締を必要とする為、ポリイミド等
のフィルムの強度不足から、型締後のフィルムキャリア
方式の半導体装置に反りが発生し作業の自動化等が困難
になるという問題があった。
り半導体チップの傾きが発生したり、又薄型のパッケー
ジ形態である為、表面にボイドが発生するという問題が
あった。更に高圧の型締を必要とする為、ポリイミド等
のフィルムの強度不足から、型締後のフィルムキャリア
方式の半導体装置に反りが発生し作業の自動化等が困難
になるという問題があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、絶縁フィルムに設けられたデバイスホールと
このデバイスホールの周辺部に設けられたアウターリー
ド用ホールとこのアウターリード用ホールに囲まれたサ
スペンダーとデバイスホールの周辺部に設けられアウタ
ーリードと一体的に形成された金属箔からなるインナー
リードとを少くとも有するフィルムキャリアと、バンプ
が形成された半導体チップと、トランスファーモールド
時の通気口となるスリットが設けられたカバーテープと
を準備する工程と、前記フィルムキャリアのデバイスホ
ール内に延在して設けられた前記インナーリードの先端
部に前記半導体チップのバンプを接続したのち前記サス
ペンダー上に前記カバーテープを貼りつける工程と、前
記フィルムキャリアのトランスファーモールド金型にお
けるゲート部に相当する部分を打抜いたのちトランスフ
ァーモールド金型で前記半導体チップを樹脂封止する工
程とを含むものである。
造方法は、絶縁フィルムに設けられたデバイスホールと
このデバイスホールの周辺部に設けられたアウターリー
ド用ホールとこのアウターリード用ホールに囲まれたサ
スペンダーとデバイスホールの周辺部に設けられアウタ
ーリードと一体的に形成された金属箔からなるインナー
リードとを少くとも有するフィルムキャリアと、バンプ
が形成された半導体チップと、トランスファーモールド
時の通気口となるスリットが設けられたカバーテープと
を準備する工程と、前記フィルムキャリアのデバイスホ
ール内に延在して設けられた前記インナーリードの先端
部に前記半導体チップのバンプを接続したのち前記サス
ペンダー上に前記カバーテープを貼りつける工程と、前
記フィルムキャリアのトランスファーモールド金型にお
けるゲート部に相当する部分を打抜いたのちトランスフ
ァーモールド金型で前記半導体チップを樹脂封止する工
程とを含むものである。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の第１の実施例に用いるフィ
ルムキャリアの上面図であり、半導体チップを接続した
場合を示している。
て説明する。図１は本発明の第１の実施例に用いるフィ
ルムキャリアの上面図であり、半導体チップを接続した
場合を示している。
【００１１】図１においてフィルムキャリア１０は、搬
送及び位置決め用のスプロケットホール９と半導体チッ
プ１が入るデバイスホール３とその周囲に設けられたア
ウターリード用ホール４とを有するポリイミド等の絶縁
フィルム上に、厚さ約３５μｍの銅等の金属箔を接着
し、この金属箔をエッチング等により所望の形状のイン
ナーリード５とアウターリード６及び電気選別の為のパ
ッド７を形成して構成される。
送及び位置決め用のスプロケットホール９と半導体チッ
プ１が入るデバイスホール３とその周囲に設けられたア
ウターリード用ホール４とを有するポリイミド等の絶縁
フィルム上に、厚さ約３５μｍの銅等の金属箔を接着
し、この金属箔をエッチング等により所望の形状のイン
ナーリード５とアウターリード６及び電気選別の為のパ
ッド７を形成して構成される。
【００１２】図２（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施
例に用いるカバーテープの上面図、Ａ−Ａ線断面図及び
側面図である。
例に用いるカバーテープの上面図、Ａ−Ａ線断面図及び
側面図である。
【００１３】図２（ａ）〜（ｃ）に示すようにカバーテ
ープ１１は、厚さ５０μｍ程度の耐熱性のポリイミド等
のテープから構成されており、その外形寸法は、図１に
示したフィルムキャリアテープ１０のアウターリード用
ホール４に囲まれた部分以下としてある。そして、その
中央部には、デバイスホール３の寸法以上の大きさのホ
ール１３が設けられており、その周囲のテープの表面に
は、トランスファーモールド時の通気口（エアベント）
となる幅５００μｍ，深さ２５μｍ程度の複数のスリッ
ト１２が設けられている。
ープ１１は、厚さ５０μｍ程度の耐熱性のポリイミド等
のテープから構成されており、その外形寸法は、図１に
示したフィルムキャリアテープ１０のアウターリード用
ホール４に囲まれた部分以下としてある。そして、その
中央部には、デバイスホール３の寸法以上の大きさのホ
ール１３が設けられており、その周囲のテープの表面に
は、トランスファーモールド時の通気口（エアベント）
となる幅５００μｍ，深さ２５μｍ程度の複数のスリッ
ト１２が設けられている。
【００１４】図３（ａ），（ｂ）は、図１に示したキャ
リアテープ１０に半導体チップ１を接続したのち、図２
に示したカバーテープ１１をキャリアテープ１０のサス
ペンダー８の上に貼り付けた場合の上面図及びＢ−Ｂ線
断面図である。
リアテープ１０に半導体チップ１を接続したのち、図２
に示したカバーテープ１１をキャリアテープ１０のサス
ペンダー８の上に貼り付けた場合の上面図及びＢ−Ｂ線
断面図である。
【００１５】図４は実施例に用いるトランスファーモー
ルド用金型の断面図である。上金型２１には、金型のゲ
ート部に相当するフィルムキャリア１０の部分を打ち抜
く為のポンチ２３が設けられている。このポンチ２３の
高さは、例えばフィルムキャリア１０とカバーテープ１
１との合計の厚さが２１０μｍである場合、２１０〜２
３０μｍである。
ルド用金型の断面図である。上金型２１には、金型のゲ
ート部に相当するフィルムキャリア１０の部分を打ち抜
く為のポンチ２３が設けられている。このポンチ２３の
高さは、例えばフィルムキャリア１０とカバーテープ１
１との合計の厚さが２１０μｍである場合、２１０〜２
３０μｍである。
【００１６】また下金型２２には、ポンチ２３により打
ち抜かれたフィルムキャリア１０を受入れ、かつトラン
スファーモールド時に樹脂をゲートからキャビティ２５
の方向に導入するような所望の形状に加工された溝２４
が設けられている。そして、この溝２４の深さは、例え
ば半導体チップ１とバンプ２とを含めた高さからサスペ
ンダー８の厚さ１２５μｍ程度を引いた値に１００μｍ
程度を加えた値であり、パッケージとなる深さと同値で
ある。
ち抜かれたフィルムキャリア１０を受入れ、かつトラン
スファーモールド時に樹脂をゲートからキャビティ２５
の方向に導入するような所望の形状に加工された溝２４
が設けられている。そして、この溝２４の深さは、例え
ば半導体チップ１とバンプ２とを含めた高さからサスペ
ンダー８の厚さ１２５μｍ程度を引いた値に１００μｍ
程度を加えた値であり、パッケージとなる深さと同値で
ある。
【００１７】次に第１の実施例の製造方法について説明
する。
する。
【００１８】まず図１に示したフィルムキャリア１０
と、図３で示したバンプ２を有する半導体チップ１を用
意し、デバイスホール３内に延在して設けられたインナ
ーリード２の先端部に熱圧着法によりバンプ２を接続す
る。
と、図３で示したバンプ２を有する半導体チップ１を用
意し、デバイスホール３内に延在して設けられたインナ
ーリード２の先端部に熱圧着法によりバンプ２を接続す
る。
【００１９】次で図３（ａ），（ｂ）に示したように、
図２に示したカバーテープ１１をフィルムキャリア１０
のサスペンダー８の上部に貼り付ける。
図２に示したカバーテープ１１をフィルムキャリア１０
のサスペンダー８の上部に貼り付ける。
【００２０】次に図４に示したトランスファーモールド
用の下金型２２上に、このフィルムキャリア１０を位置
合せしてセットして上金型２１で挟むと同時に、ポンチ
２３にてフィルムキャリア１０のトランスファーモール
ド金型のゲート部に当時する部分を打ち抜く。この操作
により図３（ａ）に示したフィルムキャリア１０のゲー
ト部２０が打ち抜かれる。
用の下金型２２上に、このフィルムキャリア１０を位置
合せしてセットして上金型２１で挟むと同時に、ポンチ
２３にてフィルムキャリア１０のトランスファーモール
ド金型のゲート部に当時する部分を打ち抜く。この操作
により図３（ａ）に示したフィルムキャリア１０のゲー
ト部２０が打ち抜かれる。
【００２１】次で従来の方法と同様に樹脂封止を行うこ
とにより、図５（ａ），（ｂ）に示すように、半導体チ
ップ１を樹脂封止してなるトランスファーモールドパッ
ケージ３０がトランスファーモールドゲート３１と共に
形成される。
とにより、図５（ａ），（ｂ）に示すように、半導体チ
ップ１を樹脂封止してなるトランスファーモールドパッ
ケージ３０がトランスファーモールドゲート３１と共に
形成される。
【００２２】このように第１の実施例によれば、樹脂封
止時にカバーテープ１１を設けたフィルムキャリア１０
の、上金型２１のポンチ２３に接触する部分は打ち抜か
れ、下金型２２の溝２４内に落る。その後樹脂がゲート
を通る際に、ポンチ２３で打ち抜かれたフィルムキャリ
ア１０の表面部とポンチ２３の表面部間を通過する。よ
って樹脂は、下金型２２側からキャビティ２５内の半導
体チップ１の方向へ流出する様になるが、カバーテープ
１１がインナーリード５及び半導体チップ１の傾きを抑
える架台となる為、傾きや反りのない信頼性の高い形態
のパッケージを有する半導体装置が生産性良く製造でき
る。
止時にカバーテープ１１を設けたフィルムキャリア１０
の、上金型２１のポンチ２３に接触する部分は打ち抜か
れ、下金型２２の溝２４内に落る。その後樹脂がゲート
を通る際に、ポンチ２３で打ち抜かれたフィルムキャリ
ア１０の表面部とポンチ２３の表面部間を通過する。よ
って樹脂は、下金型２２側からキャビティ２５内の半導
体チップ１の方向へ流出する様になるが、カバーテープ
１１がインナーリード５及び半導体チップ１の傾きを抑
える架台となる為、傾きや反りのない信頼性の高い形態
のパッケージを有する半導体装置が生産性良く製造でき
る。
【００２３】またフィルムキャリア１０の表側にスリッ
ト１２からなる通気口を設けてあるため、圧力によるフ
ィルムキャリア１０の変形で金型側の通気口をふさぐ現
象がなくなるため、ボイド発生率を減少させる事が可能
となる。更に、カバーテープ１１の形状及び厚みを変更
することにより、金型側の加工を必要としないで樹脂の
流出を制御でき、且つパッケージの形態を容易に変更す
ることができる。
ト１２からなる通気口を設けてあるため、圧力によるフ
ィルムキャリア１０の変形で金型側の通気口をふさぐ現
象がなくなるため、ボイド発生率を減少させる事が可能
となる。更に、カバーテープ１１の形状及び厚みを変更
することにより、金型側の加工を必要としないで樹脂の
流出を制御でき、且つパッケージの形態を容易に変更す
ることができる。
【００２４】次に第２の実施例について説明する。図６
（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施例に用いるカバー
テープの上面図、Ｄ−Ｄ線断面図及び側面図である。
（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施例に用いるカバー
テープの上面図、Ｄ−Ｄ線断面図及び側面図である。
【００２５】図６（ａ）〜（ｃ）において、カバーテー
プ１１Ａは図２に示したカバーテープ１１と同様の外形
寸法を有する厚さ５０μｍ程度のポリイミドテープから
構成されており、その裏面の中央部は矩形状の溝１４が
設けられている。そしてこの溝１４からカバーテープ１
１Ａの端部に達する複数のスリット１２Ａが設けられて
いる。このように構成されたカバーテープ１１Ａを、図
７に示すように、第１の実施例で用いたキャリアテープ
１０のサスペンダー８の上部に貼り付ける。
プ１１Ａは図２に示したカバーテープ１１と同様の外形
寸法を有する厚さ５０μｍ程度のポリイミドテープから
構成されており、その裏面の中央部は矩形状の溝１４が
設けられている。そしてこの溝１４からカバーテープ１
１Ａの端部に達する複数のスリット１２Ａが設けられて
いる。このように構成されたカバーテープ１１Ａを、図
７に示すように、第１の実施例で用いたキャリアテープ
１０のサスペンダー８の上部に貼り付ける。
【００２６】そして、このカバーテープ１１Ａを設けた
フィルムキャリア１０を前記第１の実施例の製造方法と
同様に、上金型２１と下金型２２とを用いて樹脂封止を
実施すれば、図８（ａ），（ｂ）の上面図及びＥ−Ｅ線
断面図に示すように、トランスファーモールドパッケー
ジ３０Ａは、トランスファーモールドゲート３１Ｂを設
けて形成される。
フィルムキャリア１０を前記第１の実施例の製造方法と
同様に、上金型２１と下金型２２とを用いて樹脂封止を
実施すれば、図８（ａ），（ｂ）の上面図及びＥ−Ｅ線
断面図に示すように、トランスファーモールドパッケー
ジ３０Ａは、トランスファーモールドゲート３１Ｂを設
けて形成される。
【００２７】この第２の実施例では、カバーテープ１１
Ａの溝１４の寸法が特に制約されないため、第１の実施
例に用いるカバーテープ１１より量産性に優れ、且つ上
金型２１とカバーテープ１１Ａとの密着性によるスリッ
ト１２Ａの変形がほとんど生じないため、通気性の向上
が可能となり、樹脂の流通がスムーズになる。
Ａの溝１４の寸法が特に制約されないため、第１の実施
例に用いるカバーテープ１１より量産性に優れ、且つ上
金型２１とカバーテープ１１Ａとの密着性によるスリッ
ト１２Ａの変形がほとんど生じないため、通気性の向上
が可能となり、樹脂の流通がスムーズになる。
【００２８】尚、上記第１及び第２の実施例において
は、トランスファー封止と同時にフィルムキャリアのゲ
ート部の打ち抜きを行なっているが、あらかじめゲート
部のみを打ち抜いてから樹脂封止してもよい。この場合
トランスファーモールド用金型のポンチ２３と溝２４は
不要となる。
は、トランスファー封止と同時にフィルムキャリアのゲ
ート部の打ち抜きを行なっているが、あらかじめゲート
部のみを打ち抜いてから樹脂封止してもよい。この場合
トランスファーモールド用金型のポンチ２３と溝２４は
不要となる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、樹脂封止時
における金型内の空気を通す通気口となるスリットを設
けたカバーテープを、フィルムキャリアの上部に貼り付
けて、ポンチを設けた上金型と溝を設けた下金型とで挟
み込んで樹脂封止を実施し、トランスファーモールドパ
ッケージを形成するため、リード及び半導体チップの傾
きや反りの発生を抑制でき、信頼性の高いパッケージ形
態の半導体装置が得られ作業の自動化が容易になるとい
う効果がある。
における金型内の空気を通す通気口となるスリットを設
けたカバーテープを、フィルムキャリアの上部に貼り付
けて、ポンチを設けた上金型と溝を設けた下金型とで挟
み込んで樹脂封止を実施し、トランスファーモールドパ
ッケージを形成するため、リード及び半導体チップの傾
きや反りの発生を抑制でき、信頼性の高いパッケージ形
態の半導体装置が得られ作業の自動化が容易になるとい
う効果がある。
【００３０】更にフィルムキャリアの上面に通気口が形
成されるため、圧力によるフィルムキャリアの変形で金
型側の通気口をふさぐ現象がなくなるため、ボイド発生
率を減少させる事ができるという効果もある。
成されるため、圧力によるフィルムキャリアの変形で金
型側の通気口をふさぐ現象がなくなるため、ボイド発生
率を減少させる事ができるという効果もある。
【図１】本発明の第１の実施例に用いるフィルムキャリ
アの上面図。
アの上面図。
【図２】本発明の第１の実施例に用いるカバーテープの
上面図，断面図及び側面図。
上面図，断面図及び側面図。
【図３】本発明の第１の実施例を説明するための半導体
チップとカバーテープを接続したフィルムキャリアの上
面図及び断面図。
チップとカバーテープを接続したフィルムキャリアの上
面図及び断面図。
【図４】本発明の第１の実施例に用いる金型の断面図。
【図５】本発明の第１の実施例を説明するための半導体
装置の上面図及び断面図。
装置の上面図及び断面図。
【図６】本発明の第２の実施例に用いるカバーテープの
上面図，断面図及び側面図。
上面図，断面図及び側面図。
【図７】本発明の第２の実施例を説明するための半導体
チップとカバーテープを接続したフィルムキャリアの断
面図。
チップとカバーテープを接続したフィルムキャリアの断
面図。
【図８】本発明の第２の実施例を説明するための半導体
チップとカバーテープを接続したフィルムキャリアの上
面図及び断面図。
チップとカバーテープを接続したフィルムキャリアの上
面図及び断面図。
【図９】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
上面図及び断面図。
上面図及び断面図。
１ 半導体チップ ２ バンプ ３ デバイスホール ４ アウターリード用ホール ５ インナーリード ６ アウターリード ７ 選別用パッド ８ サスペンダー ９ スプロケットホール １０ フィルムキャリア １１，１１Ａ カバーテープ １２，１２Ａ スリット １３ ホール １４ 溝 １５ コーティング層 １６ 樹脂 ２０ ゲート部 ２１ 上金型 ２２ 下金型 ２３ ポンチ ２４ 溝 ２５ キャビティ ３０，３０Ａ トランスファーモールドパッケージ ３１，３１Ａ トランスファーモールドゲート
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁フィルムに設けられたデバイスホー
ルとこのデバイスホールの周辺部に設けられたアウター
リード用ホールとこのアウターリード用ホールに囲まれ
たサスペンダーとデバイスホールの周辺部に設けられア
ウターリードと一体的に形成された金属箔からなるイン
ナーリードとを少なくとも有するフィルムキャリアと、
バンプが形成された半導体チップと、トランスファーモ
ールド時の通気口となるスリットが設けられたカバーテ
ープとを準備する工程と、前記フィルムキャリアのデバ
イスホール内に延在して設けられた前記インナーリード
の先端部に前記半導体チップのバンプを接続したのち前
記サスペンダー上に前記カバーテープを貼りつける工程
と、前記フィルムキャリアのトランスファーモールド金
型におけるゲート部に相当する部分を打抜いたのちトラ
ンスファーモールド金型で前記半導体チップを樹脂封止
する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】 ゲート部に相当する部分のフィルムキャ
リアを打抜くためのポンチを有する上金型と、打抜かれ
たフィルムキャリアを受け入れると共にキャビティ内へ
樹脂を導入するための溝を有する下金型とを用い、フィ
ルムキャリアの打抜きと樹脂封止とを連続して行う請求
項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 カバーテープの中央にはデバイスホール
にほぼ等しい開口部が設けられている請求項１記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 カバーテープの裏面の中央部にスリット
に接続する溝が設けられている請求項１記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34566291A JP2671683B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34566291A JP2671683B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05211186A JPH05211186A (ja) | 1993-08-20 |
| JP2671683B2 true JP2671683B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=18378118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34566291A Expired - Lifetime JP2671683B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2671683B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3011233B2 (ja) * | 1997-05-02 | 2000-02-21 | 日本電気株式会社 | 半導体パッケージ及びその半導体実装構造 |
| SG145564A1 (en) * | 2003-09-09 | 2008-09-29 | Micron Technology Inc | Systems for degating packaged semiconductor devices with tape substrates |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP34566291A patent/JP2671683B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05211186A (ja) | 1993-08-20 |
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