JP2666263B2 - Sintering aid used in dielectric ceramics containing TiO2 as a main component - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明はセラミクス用焼結助剤に関し、特にTiO₂を
主たる成分として含有する誘電体材料に添加混合される
セラミクス用焼結助剤に関する。 （従来技術） たとえば、チタン酸バリウム（BaTiO₃）、チタン酸ス
トロンチウム（SrTiO₃）、酸化チタン（TiO₂）などを主
体とする誘電体磁器は、通常1,300℃以上の温度で焼成
される。 （発明が解決しようとする問題点） このような磁器組成物を用いてたとえば積層コンデン
サを製造する場合には、各セラミック層の間に内部電極
が介在されるが、誘電体組成物は上述したように1,300
℃以上の温度で焼成されるため、未焼成のセラミック積
層体には、内部電極として高融点の白金，パラジウムな
どの貴金属のペーストが用いられる。しかしながら、こ
れらの貴金属は高価なため、積層コンデンサに占める内
部電極の材料費が30〜50％にものぼり、積層コンデンサ
のコストダウンに対応できないことになる。 また、焼成温度が1,300℃以上になれば、使用される
焼成炉の損傷が激しいので、焼成炉の保守，管理コスト
が使用時間の経緯とともに高くなり、しかも、焼成温度
が高いため、磁器化に要するエネルギコストも膨大なも
のとなる。 このため、最近では、低温焼結用の材料として鉛系の
コンデンサ材料、内部電極に安価なニッケルを用いた非
還元性のコンデンサ材料、さらには、内部電極として
鉛，鉛−錫合金を用い、あらかじめ積層体に内部電極が
形成される領域に空隙層を形成しておき、この空隙層に
溶融した鉛，鉛−錫合金を注入し、冷却，固化すること
により、積層コンデンサとしたものがある。 しかしながら、従来よりすでに存在する誘電体材料に
ついて、そのものが有する特性が使用要求レベルに十分
に応えられるものである以上、この特性を損なわずに低
温で焼成できれば、それに越したことはない。 それゆえに、この発明の主たる目的は、TiO₂を主たる
成分とする誘電体材料の焼成温度を下げることができ
る、セラミクス用焼結助剤を提供することである。 （問題点を解決するための手段） この発明は、ZnOが５〜40モル％、RO（ただし、ＲはB
a,Sr,CaおよびMgのうち少なくとも１種）が５〜40モル
％、および（Ti,Si）O₂が30〜70モル％（ただし、（Ti,
Si）O₂のうちSiO₂成分が15モル％以上）からなる主成分
に、100重量部の主成分に対して、Al₂O₃,B₂O₃,CuO,Nb₂O
₅,Ta₂O₅,Ga₂O₃,GeO₂,Y₂O₃,ZrO₂,WO₃,MoO₃,Fe₂O₃,CoO,Ni
O,PbO,およびBiO₂O₃のうち少なくとも１種を０〜20重量
部（ただし、Y₂O₃,ZrO₂,WO₃,MoO₃,Fe₂O₃,CoO,NiO,PbOお
よびBi₂O₃については10重量部以下）添加した、TiO₂を
主たる成分とする誘電体セラミクスに用いられる焼結助
剤である。 この発明のTiO₂を主たる成分とする誘電体セラミクス
に用いられる焼結助剤を上述のような組成範囲に限定し
たのは次の理由による。 つまり、ZnOが５モル％未満では焼成温度が1,300℃を
超えてしまい、この発明の目的が達成できなくなるから
である。一方、ZnOが40モル％を超える場合も焼成温度
が1,300℃を超えてしまうからである。 また、ROが５モル％未満あるいは40モル％を超える
と、焼成温度が1,300℃を超えてしまうからである。 さらに、（Ti,Si）O₂が30モル％未満あるいは70モル
％を超えると、焼成温度が1,300℃を超えてしまい、こ
の発明の目的が達成できなくなってしまうからである。
（Ti,Si）O₂のうち、SiO₂が15モル％未満あるいはTiO₂
が含有されない場合にも、焼成温度の低減化が実現され
ないからである。 また、ZnO,ROおよび（Ti,Si）O₂からなる主成分に、1
00重量部の主成分に対して、Al₂O₃,B₂O₃,CuO,Nb₂O₅,Ta₂
O₅,Ga₂O₃,GeO₂,Y₂O₃,ZrO₂,WO₃,MoO₃,Fe₂O₃,CoO,NiO,PbO
およびBi₂O₃のうち少なくとも１種を20重量部（Y₂O₃,Zr
O₂,WO₃,MoO₃,Fe₂O₃,CoO,NiO,PbOおよびBi₂O₃については
10重量部）を超えた範囲で添加した場合にも、焼成温度
の低減化が実現されないからである。 （発明の効果） この発明によれば、TiO₂を主たる成分とする誘電体材
料の焼成温度を下げることができる。しかも、この場
合、焼結された誘電体磁器はその誘電損失に悪影響が与
えられない。 この発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利
点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろ
う。 （実施例） この発明のTiO₂を主たる成分とする誘電体セラミクス
に用いられる焼結助剤は、主体となる誘電体材料を焼結
する際に、あらかじめ所定の割合で誘電体材料の主成分
に添加混合された後成形体とされ、その後焼成プロセス
にもたらされる。この場合、誘電体セラミクス用焼結助
剤は誘電体材料の主成分に対して、個々に添加してもよ
いが、あらかじめ誘電体セラミクス用焼結助剤を配合し
ておき、これを熱処理して溶融し、その後ガラス化して
粉砕したものを、誘電体材料の主成分に添加混合しても
よい。 なお、この発明の誘電体セラミクス用焼結助剤を誘電
体材料の主成分に添加する割合は、誘電体材料の主成分
によって異なるが、全体の0.05〜25.0重量％の範囲であ
る。これは、誘電体セラミクス用焼結助剤の添加する割
合が0.05重量％未満では焼成温度の低減化が実現され
ず、一方、25.0重量％を超えると誘電体特性が著しく損
なわれるからである。 実施例１ まず、別表１に示した組成の焼結助剤が得られるよう
に、各成分の酸化物，炭酸塩あるいは水酸化物を調合し
た。これらをアルミナボールを玉石としてポリポットミ
ルで16時間湿式混合，粉砕した後蒸発乾燥して、粉末を
得た。得られた粉末をジルコニア質の匣に入れて800℃
の温度で２時間焼成した後、200メッシユの篩を通過す
るように粗粉砕して、焼結助剤を準備した。 一方、セラミック原料として、84BaTiO₃−10CaSnO₃−
6CaZrO₃（モル比）の主成分にMnOが１重量％添加された
組成物が得られるように、各原料の酸化物または炭酸塩
を調合した。これらをアルミナボールを玉石としてポリ
ポットミルで16時間湿式混合，粉砕した後蒸発乾燥し
て、粉末を得た。得られた粉末をジルコニア質の匣にい
れて1,100℃の温度で２時間焼成した後、200メッシュの
篩を通過するように粗粉砕して、誘電体粉末を準備し
た。 次に、準備した誘電体粉末に焼結助剤を別表１に示す
割合で添加し、これにポリビニルアルコール系のバイン
ダを加えてポリポットミルで16時間湿式混合した。これ
を蒸発乾燥し、造粒した後、1,000kg/cm²の圧力で加圧
して直径10mm,厚み1mmの円板に成形して成形体を得た。
この成形体を自然雰囲気中で1,000℃〜1,350℃の温度で
２時間焼成して、焼結体を得た。 得られた焼結体について、ふくしん液に漬けて焼結度
の試験を行い、最適焼成温度を決定した。 また、得られた焼結体の両面に電極となる銀ペースト
を印刷塗布し、銀ペーストを空気中で800℃の温度で30
分間焼いて、電極を形成して、コンデンサ（試料）を得
た。得られたコンデンサ（試料）について25℃の温度に
おける1KHz,1Vr.m.sでの誘電率（ε）、誘電損失（Tan
δ）および＋20℃を基準にした−25〜＋85℃の温度範囲
で誘電率の温度特性を測定した。この測定結果を別表２
に示した。 なお、別表１および別表２中、＊印のものはこの発明
範囲外のものである。 また、別表２において、温度特性について、B,C,D,E
およびＦの各特性はJIS規格による温度特性を意味し、
各特性について詳細に説明すれば次のとおりである。 Ｂ特性:20℃における静電容量を基準として、−25℃〜
＋85℃における容量変化率が−10〜＋10％を超えない。 Ｃ特性:20℃における静電容量を基準として、−25℃〜
＋85℃における容量変化率が−20〜＋20％を超えない。 Ｄ特性:20℃における静電容量を基準として、−25℃〜
＋85℃における容量変化率が−30〜＋20％を超えない。 Ｅ特性:20℃における静電容量を基準として、−25℃〜
＋85℃における容量変化率が−55〜＋20％を超えない。 Ｆ特性:20℃における静電容量を基準として、−25℃〜
＋85℃における容量変化率が−80〜＋30％を超えない。 この実施例１においては、この発明の焼結助剤をTiO₂
を主たる成分とする誘電体材料に添加して焼成すること
によって、焼結助剤を未添加のものに比べて、焼結温度
を低減できることがわかる。また、焼結助剤の添加量を
増加していくと、室温における誘電率は低下するが、一
方では、誘電率の温度特性がＦ特性→Ｅ特性→Ｄ特性→
Ｃ特性→Ｂ特性のように変化し、その変化率を徐々に少
なくでき、温度特性の改善に効果がみられることがわか
る。さらに、100重量％の誘電体材料に対して0.05重量
％の焼結助剤が添加されているときには、誘電率の低下
現象はみられないことがわかる。また、室温における誘
電損失は焼結助剤の添加量にほとんど影響されないこと
がわかる。 実施例２ セラミック原料として、35SrTiO₃−15PbTiO₃−17CaTi
O₃−7Bi₂O₃−26TiO₂（モル比）にMnOが0.1重量％添加さ
れた組成の誘電体粉末を実施例１と同様に準備し、別表
３に示した組成の焼結助剤を添加して、実施例１と同様
に評価した。得られた結果を別表４に示した。なお、別
表３および別表４中、＊印のものはこの発明範囲外のも
のである。 この実施例２においても、実施例１と同様に、この発
明の焼結助剤をTiO₂を主たる成分とする誘電体材料に添
加して焼成することによって、焼結助剤を未添加のもの
に比べて、焼結温度を低減できることがわかる。また、
焼結助剤の添加量を増加していくと、室温における誘電
率は低下するが、一方では、誘電率の温度特性がＣ特性
→Ｂ特性のように変化し、その変化率を徐々に少なくで
き、温度特性の改善に効果がみられることがわかる。さ
らに、焼結助剤が0.05重量％添加されているときには、
誘電率の低下現象はみられないことがわかる。また、室
温における誘電損失は焼結助剤の添加量にほとんど影響
されないことがわかる。 実施例３ セラミック原料として、81.5BaTiO₃−8BaZrO₃−10CaZ
rO₃−0.5MgO（モル比）にMnOが0.3重量％添加された組
成の誘電体粉末を実施例１と同様に準備し、別表５に示
した組成の焼結助剤を添加して実施例１と同様に評価し
た。ただし、この実施例３ではその焼成雰囲気として還
元性雰囲気（H₂を１％含むN₂雰囲気）を用いて焼成し
た。得られた結果を別表６に示した。なお、別表５およ
び別表６中、＊印のものはこの発明範囲外のものであ
る。 この実施例３のように、還元性雰囲気で焼成した場合
でも、他の実施例と同様に、この発明の焼成助剤をTiO₂
を主たる成分とする誘電体材料に添加して焼成すること
によって、焼結助剤を未添加のものに比べて、焼結温度
を低減できることがわかる。また、焼結助剤の添加量を
増加していくと、室温における誘電率は低下するが、一
方では、誘電率の温度特性がＦ特性→Ｅ特性→Ｄ特性の
ように変化し、その変化率を徐々に少なくでき、温度特
性の改善に効果がみられることがわかる。さらに、焼結
助剤が0.1重量％のときには、誘電率の低下現象は認め
られないことがわかる。また、室温における誘電損失は
焼結助剤の添加量にほとんど影響されないこともわか
る。 上述の各実施例から明らかなように、この発明の焼結
助剤を、TiO₂を主たる成分として含有する誘電体材料に
添加することによって、誘電体損失に悪影響を与えず焼
結温度の低減化を図ることができる。これは、焼結助剤
にも、TiO₂が含まれ、それと誘電体材料中のTiO₂との焼
結温度域における濡れ性がよくなり、緻密な誘電体セラ
ミクス焼結体が得られるように働くことによるものであ
る。 Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a sintering aid for ceramics, and more particularly to a sintering aid for ceramics added to and mixed with a dielectric material containing TiO ₂ as a main component. (Prior Art) For example, a dielectric porcelain mainly composed of barium titanate (BaTiO ₃ ), strontium titanate (SrTiO ₃ ), titanium oxide (TiO ₂ ) or the like is usually fired at a temperature of 1,300 ° C. or more. (Problems to be Solved by the Invention) When a multilayer capacitor is manufactured using such a porcelain composition, for example, an internal electrode is interposed between the ceramic layers, but the dielectric composition is as described above. 1,300 as
Since the ceramic laminate is fired at a temperature of not less than ° C., a paste of a noble metal such as platinum or palladium having a high melting point is used as an internal electrode in the unfired ceramic laminate. However, since these noble metals are expensive, the material cost of the internal electrodes in the multilayer capacitor is as high as 30 to 50%, which makes it impossible to cope with the cost reduction of the multilayer capacitor. In addition, if the firing temperature exceeds 1,300 ° C, the firing furnace used will be severely damaged, and the maintenance and management costs of the firing furnace will increase over time and the firing temperature will be high. The required energy costs are enormous. For this reason, recently, lead-based capacitor materials as materials for low-temperature sintering, non-reducing capacitor materials using inexpensive nickel for the internal electrodes, and lead, lead-tin alloys as the internal electrodes, In some cases, a void layer is formed in a region where an internal electrode is formed in the laminate, and molten lead or a lead-tin alloy is injected into the void layer, and then cooled and solidified to form a multilayer capacitor. . However, as long as the characteristics of the existing dielectric material can sufficiently meet the required level of use, firing at a low temperature without deteriorating these characteristics is nothing less than that. Therefore, a main object of the present invention is to provide a sintering aid for ceramics that can lower the firing temperature of a dielectric material containing TiO ₂ as a main component. (Means for Solving the Problems) In the present invention, ZnO is 5 to 40 mol%, and RO (where R is B
a, Sr, Ca and Mg) of at least 5 to 40 mol% and (Ti, Si) O ₂ at 30 to 70 mol% (provided that (Ti,
Si) The main component composed of O ₂ , the SiO ₂ component of which is 15 mol% or more), and the main component of 100 parts by weight, Al ₂ O ₃ , B ₂ O ₃ , CuO, Nb ₂ O
_{5, Ta 2 O 5, Ga} 2 O 3, GeO 2, Y 2 O 3, ZrO 2, WO 3, MoO 3, Fe 2 O 3, CoO, Ni
O, PbO, and BiO ₂ O ₃ at least one of 0 to 20 parts by weight (provided that Y ₂ O ₃ , ZrO ₂ , WO ₃ , MoO ₃ , Fe ₂ O ₃ , CoO, NiO, PbO and Bi ₂ O ₃ is 10 parts by weight or less), and is a sintering additive added to dielectric ceramics containing TiO ₂ as a main component. The sintering aid used in the dielectric ceramics containing TiO ₂ as a main component of the present invention is limited to the above composition range for the following reasons. That is, if ZnO is less than 5 mol%, the firing temperature exceeds 1,300 ° C., and the object of the present invention cannot be achieved. On the other hand, when ZnO exceeds 40 mol%, the firing temperature exceeds 1,300 ° C. If the RO is less than 5 mol% or more than 40 mol%, the firing temperature exceeds 1,300 ° C. Furthermore, if (Ti, Si) O ₂ is less than 30 mol% or more than 70 mol%, the firing temperature exceeds 1,300 ° C., and the object of the present invention cannot be achieved.
Of (Ti, Si) O ₂ , SiO ₂ is less than 15 mol% or TiO ₂
This is because, even when no is contained, reduction of the firing temperature cannot be realized. In addition, the main components consisting of ZnO, RO and (Ti, Si) O ₂
Al ₂ O ₃ , B ₂ O ₃ , CuO, Nb ₂ O ₅ , Ta ₂
O ₅ , Ga ₂ O ₃ , GeO ₂ , Y ₂ O ₃ , ZrO ₂ , WO ₃ , MoO ₃ , Fe ₂ O ₃ , CoO, NiO, PbO
And at least one of Bi ₂ O ₃ and 20 parts by weight (Y ₂ O ₃ , Zr
O ₂ , WO ₃ , MoO ₃ , Fe ₂ O ₃ , CoO, NiO, PbO and Bi ₂ O ₃
This is because, even when added in a range exceeding 10 parts by weight, reduction in the firing temperature cannot be realized. (Effect of the Invention) According to the present invention, the firing temperature of a dielectric material containing TiO ₂ as a main component can be reduced. Moreover, in this case, the sintered dielectric porcelain does not adversely affect its dielectric loss. The above and other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of the embodiments. (Example) The sintering aid used in the dielectric ceramics mainly composed of TiO _{2 according} to the present invention is used for sintering the main dielectric material in advance at a predetermined ratio in the main component of the dielectric material. After being added and mixed into a molded product, it is brought into a firing process. In this case, the sintering aid for dielectric ceramics may be individually added to the main component of the dielectric material. However, the sintering aid for dielectric ceramics is blended in advance, and this is heat-treated. Melted, then vitrified and ground, may be added to and mixed with the main component of the dielectric material. The ratio of adding the sintering aid for dielectric ceramics of the present invention to the main component of the dielectric material varies depending on the main component of the dielectric material, but is in the range of 0.05 to 25.0% by weight of the whole. This is because if the proportion of the sintering additive for dielectric ceramics is less than 0.05% by weight, the firing temperature cannot be reduced, while if it exceeds 25.0% by weight, the dielectric properties are significantly impaired. Example 1 First, oxides, carbonates or hydroxides of the respective components were prepared so as to obtain a sintering aid having the composition shown in Table 1. These were wet-mixed with a polypot mill using alumina balls for 16 hours, pulverized, and then evaporated to dryness to obtain a powder. Place the resulting powder in a zirconia box at 800 ° C
After baking at a temperature of 2 hours, the mixture was roughly pulverized so as to pass through a 200 mesh sieve to prepare a sintering aid. On the other hand, 84BaTiO ₃ -10CaSnO ₃ −
Oxides or carbonates of each raw material were prepared so as to obtain a composition in which 1% by weight of MnO was added to the main component of 6CaZrO ₃ (molar ratio). These were wet-mixed with a polypot mill using alumina balls for 16 hours, pulverized, and then evaporated to dryness to obtain a powder. The obtained powder was placed in a zirconia box and calcined at a temperature of 1,100 ° C. for 2 hours, and then roughly pulverized so as to pass through a 200-mesh sieve to prepare a dielectric powder. Next, a sintering aid was added to the prepared dielectric powder at the ratio shown in Table 1, and a polyvinyl alcohol-based binder was added thereto, followed by wet mixing with a polypot mill for 16 hours. This was evaporated to dryness, granulated, and then pressed under a pressure of 1,000 kg / cm ² to form a disk having a diameter of 10 mm and a thickness of 1 mm to obtain a molded body.
This molded body was fired in a natural atmosphere at a temperature of 1,000 ° C. to 1,350 ° C. for 2 hours to obtain a sintered body. The obtained sintered body was immersed in a cleaning solution and subjected to a sintering degree test to determine an optimum firing temperature. A silver paste to be an electrode was printed and coated on both surfaces of the obtained sintered body, and the silver paste was applied in air at a temperature of 800 ° C. for 30 minutes.
After baking for minutes, an electrode was formed to obtain a capacitor (sample). Dielectric constant (ε) and dielectric loss (Tan) at 1 KHz and 1 Vr.ms at a temperature of 25 ° C for the obtained capacitor (sample)
Temperature characteristics of dielectric constant were measured in the temperature range of -25 to + 85 ° C based on δ) and + 20 ° C. Table 2 shows the measurement results.
It was shown to. In addition, in the attached tables 1 and 2, those marked with * are outside the scope of the present invention. Table 2 shows the temperature characteristics of B, C, D, E
Each characteristic of F and F means the temperature characteristic according to JIS standard,
The details of each characteristic are as follows. B characteristic: -25 ° C ~ based on the capacitance at 20 ° C
Capacity change rate at + 85 ° C does not exceed -10 to + 10%. C characteristic: -25 ° C or more based on the capacitance at 20 ° C
The rate of change of capacity at + 85 ° C does not exceed -20 to + 20%. D characteristic: -25 ° C ~, based on capacitance at 20 ° C
The capacity change rate at + 85 ° C does not exceed -30 to + 20%. E characteristic: -25 ° C ~ based on capacitance at 20 ° C
The capacity change rate at + 85 ° C does not exceed -55 to + 20%. F characteristic: -25 ° C ~ based on capacitance at 20 ° C
The rate of change of capacity at + 85 ° C does not exceed -80 to + 30%. In Example 1, the sintering aid of the present invention was TiO ₂
It can be seen that the sintering temperature can be reduced by adding the sintering aid to a dielectric material containing sintering aid as a main component and firing it. Further, as the amount of the sintering aid added increases, the dielectric constant at room temperature decreases, but on the other hand, the temperature characteristic of the dielectric constant changes from F characteristic to E characteristic to D characteristic.
It can be seen that the characteristic changes like C characteristic → B characteristic, the rate of change can be gradually reduced, and the effect of improving the temperature characteristic is observed. Further, it can be seen that when 0.05% by weight of the sintering aid is added to 100% by weight of the dielectric material, no decrease in the dielectric constant is observed. It is also found that the dielectric loss at room temperature is hardly affected by the amount of the sintering aid added. Example 2 As a ceramic raw material, 35SrTiO ₃ -15PbTiO ₃ -17CaTi
O ₃ -7Bi ₂ O ₃ -26TiO ₂ a (molar ratio) in the composition MnO was added 0.1 wt% dielectric powder was prepared in the same manner as in Example 1, the sintering aid compositions shown in Appendix 3 It was added and evaluated in the same manner as in Example 1. Table 4 shows the obtained results. In Tables 3 and 4, those marked with * are outside the scope of the present invention. In Example 2, as in Example 1, the sintering aid of the present invention was added to a dielectric material containing TiO ₂ as a main component, followed by firing, whereby no sintering aid was added. It can be seen that the sintering temperature can be reduced as compared with. Also,
As the addition amount of the sintering aid increases, the dielectric constant at room temperature decreases, but on the other hand, the temperature characteristic of the dielectric constant changes from C characteristic to B characteristic, and the rate of change gradually decreases. It can be seen that there is an effect in improving the temperature characteristics. Further, when 0.05% by weight of the sintering aid is added,
It can be seen that no decrease in the dielectric constant is observed. It is also found that the dielectric loss at room temperature is hardly affected by the amount of the sintering aid added. Example 3 81.5BaTiO ₃ -8BaZrO ₃ -10CaZ as a ceramic raw material
A dielectric powder having a composition in which 0.3% by weight of MnO was added to rO ₃ -0.5MgO (molar ratio) was prepared in the same manner as in Example 1, and a sintering aid having a composition shown in Table 5 was added. Evaluation was performed in the same manner as in Example 1. However, in Example 3, the firing was performed using a reducing atmosphere (N ₂ atmosphere containing 1% of H ₂ ) as the firing atmosphere. Table 6 shows the obtained results. In Tables 5 and 6, those marked with * are outside the scope of the present invention. Even in the case of sintering in a reducing atmosphere as in Example 3, the sintering aid of the present invention is TiO ₂ as in the other examples.
It can be seen that the sintering temperature can be reduced by adding the sintering aid to a dielectric material containing sintering aid as a main component and firing it. As the amount of the sintering aid increases, the dielectric constant at room temperature decreases. On the other hand, the temperature characteristic of the dielectric constant changes from F characteristic to E characteristic to D characteristic. It can be seen that the rate can be gradually reduced, and an effect is seen in the improvement of the temperature characteristics. Further, when the sintering aid is 0.1% by weight, it can be seen that the phenomenon of lowering the dielectric constant is not recognized. It can also be seen that the dielectric loss at room temperature is hardly affected by the amount of the sintering aid added. As is clear from the above-described embodiments, the sintering aid of the present invention is added to a dielectric material containing TiO ₂ as a main component, thereby reducing the sintering temperature without adversely affecting the dielectric loss. Can be achieved. This is also the sintering aid, is TiO ₂ contained, at the same wettability becomes good at the sintering temperature range between TiO ₂ of dielectric material, such dense dielectric ceramic sintered body is obtained It is due to working.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 １．ZnOが５〜40モル％、 RO（ただし、ＲはBa,Sr,CaおよびMgのうち少なくとも１
種）が５〜40モル％、および （Ti,Si）O₂が30〜70モル％（ただし、（Ti,Si）O₂のう
ちSiO₂成分が15モル％以上）からなる主成分に、 100重量部の前記主成分に対して、Al₂O₃,B₂O₃,CuO,Nb₂O
₅,Ta₂O₅,Ga₂O₃,GeO₂,Y₂O₃,ZrO₂,WO₃,MoO₃,Fe₂O₃,CoO,Ni
O,PbOおよびBiO₂O₃のうち少なくとも１種を０〜20重量
部（ただし、Y₂O₃,ZrO₂,WO₃,MoO₃,Fe₂O₃,CoO,NiO,PbOお
よびBi₂O₃については10重量部以下）添加した、TiO₂を
主たる成分とする誘電体セラミクスに用いられる焼結助
剤。(57) [Claims] 5 to 40 mol% of ZnO, RO (where R is at least one of Ba, Sr, Ca and Mg)
(Ti, Si) O ₂ is 30 to 70 mol% (provided that the SiO ₂ component in (Ti, Si) O ₂ is 15 mol% or more). Al ₂ O ₃ , B ₂ O ₃ , CuO, Nb ₂ O
_{5, Ta 2 O 5, Ga} 2 O 3, GeO 2, Y 2 O 3, ZrO 2, WO 3, MoO 3, Fe 2 O 3, CoO, Ni
O, PbO and BiO ₂ O ₃ at least one of 0 to 20 parts by weight (provided that Y ₂ O ₃ , ZrO ₂ , WO ₃ , MoO ₃ , Fe ₂ O ₃ , CoO, NiO, PbO and Bi ₂ O ₍₃ : 10 parts by weight or less) Added sintering aid used for dielectric ceramics containing TiO ₂ as a main component.