JP2665231B2 - 光波形測定装置 - Google Patents
光波形測定装置Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
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- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
-
- G—PHYSICS
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-
- G—PHYSICS
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-
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-
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- G01J2001/4486—Streak tube
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
本発明は、光波形測定装置に係り、特に、赤外線域の
微弱光を高感度で且つ超高速で測定する際に用いるのに
好適な、ストリークカメラのような、光電面を有する光
検出器を備えた光波形測定装置の改良に関するものであ
る。
微弱光を高感度で且つ超高速で測定する際に用いるのに
好適な、ストリークカメラのような、光電面を有する光
検出器を備えた光波形測定装置の改良に関するものであ
る。
超高速光現象の過渡的挙動を計測する手段としては種
々のものがあるが、その一つに、入射光を電子に変換
し、高速掃引することにより、時間的に変化する入射光
強度を、画面上の位置に対する輝度変化として測定す
る、ストリークカメラによる方法がある。 このストリークカメラの心臓部であるストリーク管13
は、第13図に示す如く、入力光学系のスリツト板10及び
レンズ12を通して入射、結像される光（スリツト像）を
電子像に変換する光電面14と、該光電面14で発生した電
子像を加速する網状の加速電極16と、該加速電極16で加
速された電子をスリツトの長手方向に垂直（図の上下方
向）に高速で掃引する偏向電極22と、該偏向電極22によ
つて偏向された電子像を再び光学像（時間の経過が縦軸
方向の位置で表わされた輝度情報像であるストリーク
像）に変換する螢光面26を主に備えている。 図において、18は、前記加速電極16で加速された電子
を一定範囲に集束するための集束電極、20は、電子を更
に加速するためのアパーチヤ電極（陽極）、23は、電子
の通過に合わせて前記偏向電極22に所定の掃引電圧を印
加するための掃引回路、24は、前記偏向電極22を通過し
た電子を、螢光面26の前で増倍するためのマイクロチヤ
ンネルプレート（MCP）、25は、該MCP24の入力側に設け
られた、螢光面26の有効掃引域の外に偏向される電子を
遮断して計測精度を向上するためのコーン状の遮蔽電
極、28は、出力光学系のレンズ27を通して前記ストリー
ク像を撮像するための、SITカメラ、CCDカメラ等からな
る撮像装置である。 このストリークカメラは、その動作原理上、掃引方式
によつて、単掃引型とシンクロスキヤン型に大別され
る。単掃引型では、通常、パルスレーザ光と同期して、
数kHz程度以下で繰返す超高速鋸歯状波による直線掃引
を行う。又、シンクロスキヤン型では、80〜160MHzで繰
返すレーザ光と同期した正弦波による高速繰返し掃引を
行う。更に、第14図に示す如く、戻り掃引を横方向にず
らして螢光面26上を通過しないようにする楕円掃引を行
つて、主掃引のみの信号を正確に測定できるようにした
シンクロナスブランキング型も開発されている。 このような従来のストリークカメラは、例えば、日本
特許1149098号、同1149120号、同1099753号、特公昭57
−40709号、特開昭59−58745号、同61−183857号、米国
特許4232333号、同4352127号、同4611920号、同4661694
号、英国特許2042163号、同2044588号、同2131165号に
開示されている。 このストリークカメラによる方法は、時間分解能と検
出感度が極めて優れた、純電子的な直接法であること、
単一（非繰返し）現象の計測が可能であること、ストリ
ーク像は、元来２次元像であるから、時間分解分光計測
や空間・時間分解計測等の２次元計測又は多チヤンネル
計測ができること、光電面と入射窓の材質を選択するこ
とによつて、近赤外線域から真空紫外線域、更にはＸ線
域に及ぶ広い分光感度域での計測が可能であること等の
特徴を有する。 又、第15図に示す如く、前記ストリークカメラのスト
リーク像を空間的に制限するスリツト板32を、例えばス
トリーク管内に設けたサンプリングストリーク管30を用
いて、ストリーク像を電子的にサンプリングするように
した、サンプリング型光オシロスコープも実用化されて
いる。 図において、34は、螢光面26に当つた電子の発光強度
を検出する光検出器であり、光電子増倍管、高感度フオ
トダイオード、アバランシユフオトダイオード、PINダ
イオード等を利用することができる。 このサンプリング型光オシロスコープは、例えば、特
開昭59−104519号、同59−135330号、米国特許4645918
号、同4694154号、英国特許2133875号に開示されてい
る。 しかしながら、いずれにしても従来は、微弱光域の計
測において、感度、あるいは光−電子変換の効率に問題
があつた。これは、特に赤外線域、例えば光通信等に多
用されている波長1.3μｍ、1.5μｍにおいて、使用でき
る光電面14がＳ−１光電面であり、このＳ−１光電面の
量子（変換）効率は、第16図に示す如く、波長1.3μｍ
で10-4〜10-5、波長1.5μｍでは10-6程度となり、極め
て悪いため、光の利用率が悪く、微弱光域での測定がで
きなかつた。このことは、長距離光フアイバを通過して
きた光や、ホトンカウンテイング光通信分野における計
測では致命的な欠点である。
々のものがあるが、その一つに、入射光を電子に変換
し、高速掃引することにより、時間的に変化する入射光
強度を、画面上の位置に対する輝度変化として測定す
る、ストリークカメラによる方法がある。 このストリークカメラの心臓部であるストリーク管13
は、第13図に示す如く、入力光学系のスリツト板10及び
レンズ12を通して入射、結像される光（スリツト像）を
電子像に変換する光電面14と、該光電面14で発生した電
子像を加速する網状の加速電極16と、該加速電極16で加
速された電子をスリツトの長手方向に垂直（図の上下方
向）に高速で掃引する偏向電極22と、該偏向電極22によ
つて偏向された電子像を再び光学像（時間の経過が縦軸
方向の位置で表わされた輝度情報像であるストリーク
像）に変換する螢光面26を主に備えている。 図において、18は、前記加速電極16で加速された電子
を一定範囲に集束するための集束電極、20は、電子を更
に加速するためのアパーチヤ電極（陽極）、23は、電子
の通過に合わせて前記偏向電極22に所定の掃引電圧を印
加するための掃引回路、24は、前記偏向電極22を通過し
た電子を、螢光面26の前で増倍するためのマイクロチヤ
ンネルプレート（MCP）、25は、該MCP24の入力側に設け
られた、螢光面26の有効掃引域の外に偏向される電子を
遮断して計測精度を向上するためのコーン状の遮蔽電
極、28は、出力光学系のレンズ27を通して前記ストリー
ク像を撮像するための、SITカメラ、CCDカメラ等からな
る撮像装置である。 このストリークカメラは、その動作原理上、掃引方式
によつて、単掃引型とシンクロスキヤン型に大別され
る。単掃引型では、通常、パルスレーザ光と同期して、
数kHz程度以下で繰返す超高速鋸歯状波による直線掃引
を行う。又、シンクロスキヤン型では、80〜160MHzで繰
返すレーザ光と同期した正弦波による高速繰返し掃引を
行う。更に、第14図に示す如く、戻り掃引を横方向にず
らして螢光面26上を通過しないようにする楕円掃引を行
つて、主掃引のみの信号を正確に測定できるようにした
シンクロナスブランキング型も開発されている。 このような従来のストリークカメラは、例えば、日本
特許1149098号、同1149120号、同1099753号、特公昭57
−40709号、特開昭59−58745号、同61−183857号、米国
特許4232333号、同4352127号、同4611920号、同4661694
号、英国特許2042163号、同2044588号、同2131165号に
開示されている。 このストリークカメラによる方法は、時間分解能と検
出感度が極めて優れた、純電子的な直接法であること、
単一（非繰返し）現象の計測が可能であること、ストリ
ーク像は、元来２次元像であるから、時間分解分光計測
や空間・時間分解計測等の２次元計測又は多チヤンネル
計測ができること、光電面と入射窓の材質を選択するこ
とによつて、近赤外線域から真空紫外線域、更にはＸ線
域に及ぶ広い分光感度域での計測が可能であること等の
特徴を有する。 又、第15図に示す如く、前記ストリークカメラのスト
リーク像を空間的に制限するスリツト板32を、例えばス
トリーク管内に設けたサンプリングストリーク管30を用
いて、ストリーク像を電子的にサンプリングするように
した、サンプリング型光オシロスコープも実用化されて
いる。 図において、34は、螢光面26に当つた電子の発光強度
を検出する光検出器であり、光電子増倍管、高感度フオ
トダイオード、アバランシユフオトダイオード、PINダ
イオード等を利用することができる。 このサンプリング型光オシロスコープは、例えば、特
開昭59−104519号、同59−135330号、米国特許4645918
号、同4694154号、英国特許2133875号に開示されてい
る。 しかしながら、いずれにしても従来は、微弱光域の計
測において、感度、あるいは光−電子変換の効率に問題
があつた。これは、特に赤外線域、例えば光通信等に多
用されている波長1.3μｍ、1.5μｍにおいて、使用でき
る光電面14がＳ−１光電面であり、このＳ−１光電面の
量子（変換）効率は、第16図に示す如く、波長1.3μｍ
で10-4〜10-5、波長1.5μｍでは10-6程度となり、極め
て悪いため、光の利用率が悪く、微弱光域での測定がで
きなかつた。このことは、長距離光フアイバを通過して
きた光や、ホトンカウンテイング光通信分野における計
測では致命的な欠点である。
本発明は、前記従来の問題点を解消するべくなされた
もので、微弱光域においても、高感度の光波形計測が可
能な光波形測定装置を提供することを目的とする。
もので、微弱光域においても、高感度の光波形計測が可
能な光波形測定装置を提供することを目的とする。
本発明は、光波形測定装置を、被測定光を増幅するた
めの、半導体レーザの両端面に反射防止膜を施して両端
面での反射を抑えた非共振型の進行波型光増幅器と、該
光増幅器によつて増幅された光が入射される光電面を有
するストリーク管を用いた高時間分解能の光検出器とを
用いて構成し、前記光増幅器の利得を電気信号によつて
可変とし、該光増幅器が光ゲートとしても作動するよう
にして、前記目的を達成したものである。 又、前記光検出器にサンプリング用のスリツト板を設
けて、その出力を第２の光検出器で検出し、サンプリン
グのための遅延時間との関係から被測定光の光波形を計
測するようにしたものである。 更に、被測定光を所定周波数でオンオフするための光
チヨツプ素子と、前記検出器のサンプリング出力の中
の、該周波数成分だけを狭帯域で取出すロツクイン増幅
器とを備えたものである。 又、前記チヨツプ素子の機能を前記光増幅器に合せ持
たせたものである。 又、前記光増幅器を少くとも２個以上とし、それらの
出力を光フアイバで前記光検出器の光電面に導いて直線
状に並べたものである。 更に、前記光検出器の螢光面に形成された光学像を撮
像する撮像装置と、該撮像装置によつて得られた信号を
表示する表示器とを備えたものである。 又は、前記光検出器の螢光面に形成された光学像を光
電検出する第２の光検出器と、該第２の光検出器によつ
て得られた信号を表示する表示器とを備えたものであ
る。
めの、半導体レーザの両端面に反射防止膜を施して両端
面での反射を抑えた非共振型の進行波型光増幅器と、該
光増幅器によつて増幅された光が入射される光電面を有
するストリーク管を用いた高時間分解能の光検出器とを
用いて構成し、前記光増幅器の利得を電気信号によつて
可変とし、該光増幅器が光ゲートとしても作動するよう
にして、前記目的を達成したものである。 又、前記光検出器にサンプリング用のスリツト板を設
けて、その出力を第２の光検出器で検出し、サンプリン
グのための遅延時間との関係から被測定光の光波形を計
測するようにしたものである。 更に、被測定光を所定周波数でオンオフするための光
チヨツプ素子と、前記検出器のサンプリング出力の中
の、該周波数成分だけを狭帯域で取出すロツクイン増幅
器とを備えたものである。 又、前記チヨツプ素子の機能を前記光増幅器に合せ持
たせたものである。 又、前記光増幅器を少くとも２個以上とし、それらの
出力を光フアイバで前記光検出器の光電面に導いて直線
状に並べたものである。 更に、前記光検出器の螢光面に形成された光学像を撮
像する撮像装置と、該撮像装置によつて得られた信号を
表示する表示器とを備えたものである。 又は、前記光検出器の螢光面に形成された光学像を光
電検出する第２の光検出器と、該第２の光検出器によつ
て得られた信号を表示する表示器とを備えたものであ
る。
本発明は、第１図に基本構成を示す如く、被測定光を
増幅する光増幅器40を設け、該光増幅器40によつて増幅
された光を、光検出器42の光電面42Aに入射するように
している。従つて、光検出器42の光電面42Aには、光増
幅器40によつて増幅された光が入射されるので、高感
度、超高速の光波形計測が可能となり、微弱光域の計測
が可能となる。特に、光電面の変換効率の低い赤外線域
であつても、入射光を増幅することができるので、感度
を高めることができ、従来より長波長側（例えば800nm
以上）での計測も可能となり、特に、赤外線域の超高速
光波形計測が可能になる。又、光増幅器40の利得が制御
できる場合には、広い強度範囲の入射光の計測ができる
ようになる。更に、光増幅器40の利得を電気信号で制御
して光ゲートをかけるようにすれば、SN比の優れた高精
度計測も可能になる。 前記光検出器42としては、例えば単掃引型、シンクロ
スキヤン型、シンクロナスブランキング型等の各種スト
リークカメラや、サンプリングストリーク管を用いたサ
ンプリング型光オシロスコープ、あるいはこれらの一部
分を用いることができる。 一般にストリークカメラでは、ストリーク管13（第13
図参照）の中で、光電子が集束電極18、偏向電極22等に
衝突して散乱電子を発生させるので、不要な光電子を光
電面14から出た直後に遮断して、前記散乱電子によつて
生じるかぶり現象を防止するための電子ゲート（光電面
14に負のパルス電圧を印加するか、又は、加速電極16に
正のパルス電圧を印加する光電面−加速電極間ゲート）
が用いられている。又、後段の集束電極18に入射した光
による光電子やMCP24の中で発生する熱電子ノイズ等を
遮断するための、MCP24をパルス電圧で駆動するMCPゲー
トや、掃引によるゲート（シンクロナスブランキングの
ための楕円掃引等）が用いられている。 これらは、強い発光の直後に来る弱い発光の測定、高
速繰返しパルス光の測定、長い螢光の寿命時間測定等の
ときに、ストリークカメラの有効掃引期間外や戻り期間
に入射光があると、前記散乱電子や戻り期間の入射光に
よる偽信号が信号成分に重畳して誤計測となるので、こ
れを防止するためのものであるが、前記光増幅器40の利
得が電気信号によつて可変である場合には、この光増幅
器40を用いて、利得を零として、光を簡単にゲート（カ
ツト）することができる。この方法は、被測定光信号そ
のものを直接カツトするものであり、最も効率が良い。
又、ゲートがストリーク管への過大入射光を防ぐことが
でき、ストリーク管の保護にも有効である。なお、従来
方式の電子ゲートとの併用も可能である。更に、シンク
ロスキヤン周波数（80〜200MHz）と同期して光増幅器40
を駆動すれば、シンクロスキヤン型ストリークカメラの
戻り掃引時の偽信号を除去することができる。これに対
して、従来のストリークカメラによるゲートは、楕円掃
引以外では応答性が遅いので、このようなシンクロスキ
ヤン時のブランキングは不可能であつたものである。 入力光を、外部からの電気信号に依存した増幅度で増
幅して、光出力することができる前記光増幅器として
は、半導体レーザの両端面に反射防止膜を施し、両端面
での反射を抑えた非共振型の進行波型光増幅器（Travel
ing−Wave type optical Amplifier、TWA）を用いるこ
とができ、光増幅器の小型化や、制御の容易さから半導
体光増幅器が有利である。 TWAは、電気信号に対する高速応答、高速光信号の増
幅が可能で、共振器による波長選択性がないため、数十
nmに渡る広い利得帯域幅（約50nm）を持ち、増幅器の温
度や、入射光の波長が変化しても利得の変化が小さく、
安定した利得が得られるという大きな利点を有する。
又、光増幅器としての重要な基本特性である利得飽和や
雑音の面でも優れた特性を持つている。 更に、半導体光増幅器では、その注入電流を変えるこ
とで容易に利得が変えられるため、注入電流のオンオフ
により光スイツチとして用いることもできる。 本発明に用いるのに好適なTWAは、例えば第２図に示
すような、VIPS（Ｖ−grooved Inner stripe on P−Sub
strate）構造の半導体レーザ49の両端面に反射防止膜を
施したものとすることができる。 前記VIPS構造は、第２図に示した如く、１回目の液相
成長で、まずｐ−InP基板49A上に、p1−InPバツフア層4
9B、ｎ−InPブロツク層49C、p2−InPブロツク層49Dを成
長し、SiO2ストライプマスクを通常のフオトリソ工程で
作成し（111）Ｂ面を持つＶ溝をウエツトエツチングで
形成する。これに２回目の液相成長で、ｐ−InPクラツ
ド層49E、ｐ型乃至はノンドープGaInAsP活性層49F、ｎ
−InPクラツド層49G、n+−GaInAsPコンタクト層49Hを順
次成長する。このとき、GaInAsP活性層49FはＶ溝の底に
形成され、例えば幅約1.2μｍ、厚み約0.10μｍに制御
される。その後、電極を形成し、ヘキ開により端面を形
成して作成される。 TWAは、この半導体レーザ49の両端面に、例えばSiO2
をターゲツトにし、酸素雰囲気中で蒸着により反射防止
膜を施すことによつて作成される。VIPS構造の半導体レ
ーザ49は、活性層への注入効率が高く、優れた高出力特
性が得られるので、これを用いたTWAも、高利得で、高
飽和出力となる。 このようにして作成されたTWA50は、第３図に示すよ
うな基本構成を有し、該TWA50への入力光強度Iinが一定
である場合には、入力電流値ｉが変化すると、TWA50か
らの出力光強度Ioutは、第４図に示す如く変化する。一
方、TWA50への入力電流値ｉが一定であると、入力光強
度Iinに対して出力光強度Ioutは、第５図に示す如く変
化する。従つて、入力光強度Iinが一定である時は、出
力光強度Ioutを電流ｉで制御でき、電流ｉが一定である
時は、出力光強度Ioutを入力光強度Iinで制御できるこ
とがわかる。勿論、線形な部分のみを使うことにより、
線形な増幅器として取扱うこともできる。 なお、前記TWA50においては、その両端面に反射防止
膜を施すことによつて、両端面の反射を抑えていたが、
両端面の反射を抑える構成はこれに限定されず、第６図
に示す如く、両端面をブリユースタ角とすることによつ
て、両端面での反射を抑えることも可能である。この場
合には、偏光面が規定されるが、そのことを逆に利用す
ることも考えられる。即ち、偏光面を規定する必要があ
る場合には、そのための偏光子や検光子が不要となる。 又、前記光検出器42を、サンプリング用のスリツト板
が設けられたもの、例えばサンプリングストリーク管を
用いたサンプリング型光オシロスコープとすることもで
きる。又、これに更に被測定光を所定周波数でオンオフ
するための光チヨツプ素子と、前記光検出器42（サンプ
リング型光オシロスコープ）のサンプリング出力の中
の、該周波数成分だけを狭帯域で取出すロツクイン増幅
器とを備えた場合には、前記効果に加えて、ロツクイン
検出を行つて、更にSN比を向上させることができる。 前記光チヨツプ素子としては、通常の光チヨツパの
他、前記のような光増幅器、電気光学効果を用いた光変
調器、Ａ−Ｏ変調器、更には光カーシヤツタ、液晶シヤ
ツタ等を用いることができる。前記光チヨツプ素子とし
て、電気信号によつて利得が可変とされた光増幅器を用
いた場合には、増幅率を向上することができる。 又、前記光増幅器40自体が、前記光チヨツプ素子とし
ても動作するようにした場合には、別体の光チヨツプ素
子を設ける必要がなく、構成が簡略である。 又、被測定光の入力部、及び／又は、光増幅器40と前
記光電面42Aの間の結合部の光路に光フアイバを用い
て、光学系の調整を不要とすると共に、各構成要素の自
由度を高めて、例えば全体を小型化することもできる。 更に、例えば特開昭61−183857号に開示されたような
フアイバケーブル付ストリーク管を用いて、多チヤンネ
ルとすることもできる。
増幅する光増幅器40を設け、該光増幅器40によつて増幅
された光を、光検出器42の光電面42Aに入射するように
している。従つて、光検出器42の光電面42Aには、光増
幅器40によつて増幅された光が入射されるので、高感
度、超高速の光波形計測が可能となり、微弱光域の計測
が可能となる。特に、光電面の変換効率の低い赤外線域
であつても、入射光を増幅することができるので、感度
を高めることができ、従来より長波長側（例えば800nm
以上）での計測も可能となり、特に、赤外線域の超高速
光波形計測が可能になる。又、光増幅器40の利得が制御
できる場合には、広い強度範囲の入射光の計測ができる
ようになる。更に、光増幅器40の利得を電気信号で制御
して光ゲートをかけるようにすれば、SN比の優れた高精
度計測も可能になる。 前記光検出器42としては、例えば単掃引型、シンクロ
スキヤン型、シンクロナスブランキング型等の各種スト
リークカメラや、サンプリングストリーク管を用いたサ
ンプリング型光オシロスコープ、あるいはこれらの一部
分を用いることができる。 一般にストリークカメラでは、ストリーク管13（第13
図参照）の中で、光電子が集束電極18、偏向電極22等に
衝突して散乱電子を発生させるので、不要な光電子を光
電面14から出た直後に遮断して、前記散乱電子によつて
生じるかぶり現象を防止するための電子ゲート（光電面
14に負のパルス電圧を印加するか、又は、加速電極16に
正のパルス電圧を印加する光電面−加速電極間ゲート）
が用いられている。又、後段の集束電極18に入射した光
による光電子やMCP24の中で発生する熱電子ノイズ等を
遮断するための、MCP24をパルス電圧で駆動するMCPゲー
トや、掃引によるゲート（シンクロナスブランキングの
ための楕円掃引等）が用いられている。 これらは、強い発光の直後に来る弱い発光の測定、高
速繰返しパルス光の測定、長い螢光の寿命時間測定等の
ときに、ストリークカメラの有効掃引期間外や戻り期間
に入射光があると、前記散乱電子や戻り期間の入射光に
よる偽信号が信号成分に重畳して誤計測となるので、こ
れを防止するためのものであるが、前記光増幅器40の利
得が電気信号によつて可変である場合には、この光増幅
器40を用いて、利得を零として、光を簡単にゲート（カ
ツト）することができる。この方法は、被測定光信号そ
のものを直接カツトするものであり、最も効率が良い。
又、ゲートがストリーク管への過大入射光を防ぐことが
でき、ストリーク管の保護にも有効である。なお、従来
方式の電子ゲートとの併用も可能である。更に、シンク
ロスキヤン周波数（80〜200MHz）と同期して光増幅器40
を駆動すれば、シンクロスキヤン型ストリークカメラの
戻り掃引時の偽信号を除去することができる。これに対
して、従来のストリークカメラによるゲートは、楕円掃
引以外では応答性が遅いので、このようなシンクロスキ
ヤン時のブランキングは不可能であつたものである。 入力光を、外部からの電気信号に依存した増幅度で増
幅して、光出力することができる前記光増幅器として
は、半導体レーザの両端面に反射防止膜を施し、両端面
での反射を抑えた非共振型の進行波型光増幅器（Travel
ing−Wave type optical Amplifier、TWA）を用いるこ
とができ、光増幅器の小型化や、制御の容易さから半導
体光増幅器が有利である。 TWAは、電気信号に対する高速応答、高速光信号の増
幅が可能で、共振器による波長選択性がないため、数十
nmに渡る広い利得帯域幅（約50nm）を持ち、増幅器の温
度や、入射光の波長が変化しても利得の変化が小さく、
安定した利得が得られるという大きな利点を有する。
又、光増幅器としての重要な基本特性である利得飽和や
雑音の面でも優れた特性を持つている。 更に、半導体光増幅器では、その注入電流を変えるこ
とで容易に利得が変えられるため、注入電流のオンオフ
により光スイツチとして用いることもできる。 本発明に用いるのに好適なTWAは、例えば第２図に示
すような、VIPS（Ｖ−grooved Inner stripe on P−Sub
strate）構造の半導体レーザ49の両端面に反射防止膜を
施したものとすることができる。 前記VIPS構造は、第２図に示した如く、１回目の液相
成長で、まずｐ−InP基板49A上に、p1−InPバツフア層4
9B、ｎ−InPブロツク層49C、p2−InPブロツク層49Dを成
長し、SiO2ストライプマスクを通常のフオトリソ工程で
作成し（111）Ｂ面を持つＶ溝をウエツトエツチングで
形成する。これに２回目の液相成長で、ｐ−InPクラツ
ド層49E、ｐ型乃至はノンドープGaInAsP活性層49F、ｎ
−InPクラツド層49G、n+−GaInAsPコンタクト層49Hを順
次成長する。このとき、GaInAsP活性層49FはＶ溝の底に
形成され、例えば幅約1.2μｍ、厚み約0.10μｍに制御
される。その後、電極を形成し、ヘキ開により端面を形
成して作成される。 TWAは、この半導体レーザ49の両端面に、例えばSiO2
をターゲツトにし、酸素雰囲気中で蒸着により反射防止
膜を施すことによつて作成される。VIPS構造の半導体レ
ーザ49は、活性層への注入効率が高く、優れた高出力特
性が得られるので、これを用いたTWAも、高利得で、高
飽和出力となる。 このようにして作成されたTWA50は、第３図に示すよ
うな基本構成を有し、該TWA50への入力光強度Iinが一定
である場合には、入力電流値ｉが変化すると、TWA50か
らの出力光強度Ioutは、第４図に示す如く変化する。一
方、TWA50への入力電流値ｉが一定であると、入力光強
度Iinに対して出力光強度Ioutは、第５図に示す如く変
化する。従つて、入力光強度Iinが一定である時は、出
力光強度Ioutを電流ｉで制御でき、電流ｉが一定である
時は、出力光強度Ioutを入力光強度Iinで制御できるこ
とがわかる。勿論、線形な部分のみを使うことにより、
線形な増幅器として取扱うこともできる。 なお、前記TWA50においては、その両端面に反射防止
膜を施すことによつて、両端面の反射を抑えていたが、
両端面の反射を抑える構成はこれに限定されず、第６図
に示す如く、両端面をブリユースタ角とすることによつ
て、両端面での反射を抑えることも可能である。この場
合には、偏光面が規定されるが、そのことを逆に利用す
ることも考えられる。即ち、偏光面を規定する必要があ
る場合には、そのための偏光子や検光子が不要となる。 又、前記光検出器42を、サンプリング用のスリツト板
が設けられたもの、例えばサンプリングストリーク管を
用いたサンプリング型光オシロスコープとすることもで
きる。又、これに更に被測定光を所定周波数でオンオフ
するための光チヨツプ素子と、前記光検出器42（サンプ
リング型光オシロスコープ）のサンプリング出力の中
の、該周波数成分だけを狭帯域で取出すロツクイン増幅
器とを備えた場合には、前記効果に加えて、ロツクイン
検出を行つて、更にSN比を向上させることができる。 前記光チヨツプ素子としては、通常の光チヨツパの
他、前記のような光増幅器、電気光学効果を用いた光変
調器、Ａ−Ｏ変調器、更には光カーシヤツタ、液晶シヤ
ツタ等を用いることができる。前記光チヨツプ素子とし
て、電気信号によつて利得が可変とされた光増幅器を用
いた場合には、増幅率を向上することができる。 又、前記光増幅器40自体が、前記光チヨツプ素子とし
ても動作するようにした場合には、別体の光チヨツプ素
子を設ける必要がなく、構成が簡略である。 又、被測定光の入力部、及び／又は、光増幅器40と前
記光電面42Aの間の結合部の光路に光フアイバを用い
て、光学系の調整を不要とすると共に、各構成要素の自
由度を高めて、例えば全体を小型化することもできる。 更に、例えば特開昭61−183857号に開示されたような
フアイバケーブル付ストリーク管を用いて、多チヤンネ
ルとすることもできる。
以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明
する。 本発明の第１実施例は、前出第１図に示したような、
光増幅器40と、光検出器42とを有する光波形測定装置に
おいて、第７図に示す如く、前記光増幅器40を前記TWA5
0とすると共に、前記光検出器42を、前出第13図に示し
たような基本構成のストリーク管13を含み、鋸歯状掃引
電圧を発生する単掃引回路72を備えたもの、例えば単掃
引型ストリークカメラ70としたものである。 前記TWA50の利得は、電流源76から供給される電流信
号によつて制御されている。この電流源76は、前記TWA5
0の増幅率を一定とする場合には、定電流源とする。一
方、前記TWA50を光ゲートとしても用いる場合には、外
部から入力される制御信号によつて利得を制御すること
ができる。 以下、第１実施例の作用を説明する。 被測定光はTWA50に入射され、ここで、電流源76から
供給される電流信号に応じた一定利得又は可変利得によ
つて増幅された後、入力光学系のレンズ12を介して単掃
引型ストリークカメラ70のストリーク管13の光電面14に
入射する。光電面14に入射した光は、電子像に変換さ
れ、加速されて、MCP24に導かれる。このとき、その途
中にある偏向電極22に、単掃引回路72から高速の鋸歯状
波が印加されているので、電子線はそこで上方から下方
へ掃引されて、MCP24に到達する。掃引のタイミング
は、電子像が偏向電極22を通過する時期に合わせるよう
に、入射光や励起光の一部を分岐して受光し、トリガ信
号を得て、これで単掃引回路72をトリガしている。MCP2
4に当つた電子像はここで増倍され、螢光面26で再び光
学像に変換され、テレビカメラあるいはCCDカメラ等の
撮像装置28で撮像されて輝度情報像が分析、計測され、
表示器29にストリーク像に対応する画像、あるいは被測
定信号の強度の時間的変化が表示される。 本実施例においては、光検出器42として、単掃引型ス
トリークカメラ70が用いられているので、単に単発現象
や20kHz以下での繰返し現象の観測が可能である。な
お、TWA50自体による高速ゲート機能を併用することに
より、高速繰返し現象や連続現象の一部を抜き出して高
精度、高時間分解能で測定することもできる。 次に、第８図を参照して、本発明の第２実施例を詳細
に説明する。 この第２実施例は、前記第１実施例と同様の光波形測
定装置において、光検出器42を、正弦波掃引電圧を発生
するシンクロスキヤン回路86を備えたもの、例えばシン
クロスキヤン型ストリークカメラ84としたものである。 本実施例においては、シンクロスキヤン回路86から発
生される正弦波により掃引するので、75〜165MHz程度の
高速繰返し掃引が可能である。又、繰返し光現象と掃引
周波数とを同期させて螢光面上の同一位置にストリーク
像を重ね合わせて積算することによつて、微弱な光現象
を高SN比で測定することができる。更に、TWA50自体に
よる高速ゲート機能を併用することにより、高繰返し現
象や連続現象の一部を抜き出して高精度に計測したり、
又、シンクロスキヤンの戻り掃引時の信号をカツトする
こともできる。この場合には、シンクロスキヤン回路86
でブランキング電圧を発生し、これを電流源76の制御信
号として用いる。 次に、第９図を参照して、本発明の第３実施例を詳細
に説明する。 本実施例は、前記第１実施例と同様の光波形測定装置
において、前記単掃引型ストリークカメラ70の代わり
に、前出第15図に示したような基本構成のサンプリング
ストリーク管30を含むもの、例えばサンプリング型光オ
シロスコープ90を用いると共に、該光オシロスコープ90
の螢光面26に形成された光学像を光電検出する、光電子
増倍管の如き第２の光検出器34、及び、該第２の光検出
器34によつて得られた信号を表示する、第１実施例と同
様の表示器（図示省略）を備えたものである。 本実施例においては、被測定光が電子的にサンプリン
グされた信号を検出することができる。従つて、サンプ
リング操作を複数回、タイミングを順次ずらして繰返し
行うことにより、第10図に示す如く、被測定光の光強度
波形を求めることができる。この場合、TWA50自体によ
る高速ゲート機能を併用すれば、高繰返し現象や連続現
象の一部を抜き出すことができ、SN比の良い高精度計測
ができるようになる。又、戻り掃引時の信号をカツトす
ることもできる。この戻り掃引時のブランキング信号
は、掃引回路23で発生し、電流源76の制御信号として用
いる。 次に、第11図を参照して、本発明の第４実施例を詳細
に説明する。 本実施例は、前記第１実施例及び第２実施例と同様の
光波形測定装置において、前記TWA50及び電流源76を複
数個設け、各TWA50に光フアイバ92により被測定光１〜
ｎを入射すると共に、各TWA50の出力光を、特開昭61−1
83857号に開示されたような、多数の光フアイバ94が接
続されたフアイバプレート96を含むフアイバケーブル付
ストリーク管91を備えたストリークカメラに入射するよ
うにしたものである。 本実施例においては、螢光面26上のスリツト長さ方向
に、各被測定光信号１〜ｎに対応するストリーク像が発
生するので、多数の被測定光信号の並列観測が可能とな
る。又、各TWA50毎に、光フアイバ92あるいは94の長さ
を変える等して、被測定光の入射するタイミングを変え
ることによつて、単一の波形を順次直列的に測定するこ
とも可能となる。更に、被測定光を分光器で波長成分に
分けて各波長成分毎に各TWA50で増幅して検出するよう
に構成することもできる。 次に、第12図を参照して、本発明の第５実施例を詳細
に説明する。 本実施例は、第１実施例と同様の光波形測定装置にお
いて、光検出器42としてサンプリングストリーク管30を
用いたもの、例えばサンプリング型光オシロスコープ90
を用いると共に、ロツクイン検出用のパルス信号（ロツ
クイン信号）を発生するパルスゼネレータ100と、該パ
ルスゼネレータ100の出力により、光チヨツプ素子とし
ての機能も合わせ持つようにされた前記TWA50を駆動し
て、被測定光を所定周波数（ロツクイン周波数）でオン
オフすると共に、前記サンプリング型光オシロスコープ
90の出力の中の、該周波数成分だけを狭帯域で取出すロ
ツクイン増幅器102を備えたものである。 本実施例においては、サンプリング型光オシロスコー
プ90の出力（サンプリングストリーク管30の出力を光検
出器34で受光して得た電気信号出力）をロツクイン検出
することが可能となるので、検出信号のSN比を更に向上
することができる。 又、本実施例においては、光チヨツプ素子として、前
記TWA50自体を用いているので、構成が簡略である。な
お、光チヨツプ素子として、前記TWA50とは別体のTWA
を、該TWA50と直列に設けたり、あるいは、一般の光チ
ヨツプ素子を用いることも可能である。又、パルスゼネ
レータ100を省略して、外部ロツクインでなく、自己ロ
ツクインが行われるようにすることも可能である。
する。 本発明の第１実施例は、前出第１図に示したような、
光増幅器40と、光検出器42とを有する光波形測定装置に
おいて、第７図に示す如く、前記光増幅器40を前記TWA5
0とすると共に、前記光検出器42を、前出第13図に示し
たような基本構成のストリーク管13を含み、鋸歯状掃引
電圧を発生する単掃引回路72を備えたもの、例えば単掃
引型ストリークカメラ70としたものである。 前記TWA50の利得は、電流源76から供給される電流信
号によつて制御されている。この電流源76は、前記TWA5
0の増幅率を一定とする場合には、定電流源とする。一
方、前記TWA50を光ゲートとしても用いる場合には、外
部から入力される制御信号によつて利得を制御すること
ができる。 以下、第１実施例の作用を説明する。 被測定光はTWA50に入射され、ここで、電流源76から
供給される電流信号に応じた一定利得又は可変利得によ
つて増幅された後、入力光学系のレンズ12を介して単掃
引型ストリークカメラ70のストリーク管13の光電面14に
入射する。光電面14に入射した光は、電子像に変換さ
れ、加速されて、MCP24に導かれる。このとき、その途
中にある偏向電極22に、単掃引回路72から高速の鋸歯状
波が印加されているので、電子線はそこで上方から下方
へ掃引されて、MCP24に到達する。掃引のタイミング
は、電子像が偏向電極22を通過する時期に合わせるよう
に、入射光や励起光の一部を分岐して受光し、トリガ信
号を得て、これで単掃引回路72をトリガしている。MCP2
4に当つた電子像はここで増倍され、螢光面26で再び光
学像に変換され、テレビカメラあるいはCCDカメラ等の
撮像装置28で撮像されて輝度情報像が分析、計測され、
表示器29にストリーク像に対応する画像、あるいは被測
定信号の強度の時間的変化が表示される。 本実施例においては、光検出器42として、単掃引型ス
トリークカメラ70が用いられているので、単に単発現象
や20kHz以下での繰返し現象の観測が可能である。な
お、TWA50自体による高速ゲート機能を併用することに
より、高速繰返し現象や連続現象の一部を抜き出して高
精度、高時間分解能で測定することもできる。 次に、第８図を参照して、本発明の第２実施例を詳細
に説明する。 この第２実施例は、前記第１実施例と同様の光波形測
定装置において、光検出器42を、正弦波掃引電圧を発生
するシンクロスキヤン回路86を備えたもの、例えばシン
クロスキヤン型ストリークカメラ84としたものである。 本実施例においては、シンクロスキヤン回路86から発
生される正弦波により掃引するので、75〜165MHz程度の
高速繰返し掃引が可能である。又、繰返し光現象と掃引
周波数とを同期させて螢光面上の同一位置にストリーク
像を重ね合わせて積算することによつて、微弱な光現象
を高SN比で測定することができる。更に、TWA50自体に
よる高速ゲート機能を併用することにより、高繰返し現
象や連続現象の一部を抜き出して高精度に計測したり、
又、シンクロスキヤンの戻り掃引時の信号をカツトする
こともできる。この場合には、シンクロスキヤン回路86
でブランキング電圧を発生し、これを電流源76の制御信
号として用いる。 次に、第９図を参照して、本発明の第３実施例を詳細
に説明する。 本実施例は、前記第１実施例と同様の光波形測定装置
において、前記単掃引型ストリークカメラ70の代わり
に、前出第15図に示したような基本構成のサンプリング
ストリーク管30を含むもの、例えばサンプリング型光オ
シロスコープ90を用いると共に、該光オシロスコープ90
の螢光面26に形成された光学像を光電検出する、光電子
増倍管の如き第２の光検出器34、及び、該第２の光検出
器34によつて得られた信号を表示する、第１実施例と同
様の表示器（図示省略）を備えたものである。 本実施例においては、被測定光が電子的にサンプリン
グされた信号を検出することができる。従つて、サンプ
リング操作を複数回、タイミングを順次ずらして繰返し
行うことにより、第10図に示す如く、被測定光の光強度
波形を求めることができる。この場合、TWA50自体によ
る高速ゲート機能を併用すれば、高繰返し現象や連続現
象の一部を抜き出すことができ、SN比の良い高精度計測
ができるようになる。又、戻り掃引時の信号をカツトす
ることもできる。この戻り掃引時のブランキング信号
は、掃引回路23で発生し、電流源76の制御信号として用
いる。 次に、第11図を参照して、本発明の第４実施例を詳細
に説明する。 本実施例は、前記第１実施例及び第２実施例と同様の
光波形測定装置において、前記TWA50及び電流源76を複
数個設け、各TWA50に光フアイバ92により被測定光１〜
ｎを入射すると共に、各TWA50の出力光を、特開昭61−1
83857号に開示されたような、多数の光フアイバ94が接
続されたフアイバプレート96を含むフアイバケーブル付
ストリーク管91を備えたストリークカメラに入射するよ
うにしたものである。 本実施例においては、螢光面26上のスリツト長さ方向
に、各被測定光信号１〜ｎに対応するストリーク像が発
生するので、多数の被測定光信号の並列観測が可能とな
る。又、各TWA50毎に、光フアイバ92あるいは94の長さ
を変える等して、被測定光の入射するタイミングを変え
ることによつて、単一の波形を順次直列的に測定するこ
とも可能となる。更に、被測定光を分光器で波長成分に
分けて各波長成分毎に各TWA50で増幅して検出するよう
に構成することもできる。 次に、第12図を参照して、本発明の第５実施例を詳細
に説明する。 本実施例は、第１実施例と同様の光波形測定装置にお
いて、光検出器42としてサンプリングストリーク管30を
用いたもの、例えばサンプリング型光オシロスコープ90
を用いると共に、ロツクイン検出用のパルス信号（ロツ
クイン信号）を発生するパルスゼネレータ100と、該パ
ルスゼネレータ100の出力により、光チヨツプ素子とし
ての機能も合わせ持つようにされた前記TWA50を駆動し
て、被測定光を所定周波数（ロツクイン周波数）でオン
オフすると共に、前記サンプリング型光オシロスコープ
90の出力の中の、該周波数成分だけを狭帯域で取出すロ
ツクイン増幅器102を備えたものである。 本実施例においては、サンプリング型光オシロスコー
プ90の出力（サンプリングストリーク管30の出力を光検
出器34で受光して得た電気信号出力）をロツクイン検出
することが可能となるので、検出信号のSN比を更に向上
することができる。 又、本実施例においては、光チヨツプ素子として、前
記TWA50自体を用いているので、構成が簡略である。な
お、光チヨツプ素子として、前記TWA50とは別体のTWA
を、該TWA50と直列に設けたり、あるいは、一般の光チ
ヨツプ素子を用いることも可能である。又、パルスゼネ
レータ100を省略して、外部ロツクインでなく、自己ロ
ツクインが行われるようにすることも可能である。
第１図は、本発明の基本的な構成を示すブロツク線図、 第２図は、本発明で用いられる光増幅器の一例としての
進行波型光増幅器（TWA）を構成する半導体レーザの構
造の一例を示す断面図、 第３図は、前記TWAの動作特性を説明するためのブロツ
ク線図、 第４図及び第５図は、同じく出力光強度特性の一例を示
す線図、 第６図は、前記TWAの変形例の構成を示す概略図、 第７図は、本発明に係る光波形測定装置の第１実施例の
構成を示すブロツク線図、 第８図は、同じく第２実施例の構成を示すブロツク線
図、 第９図は、同じく第３実施例の構成を示すブロツク線
図、 第10図は、第３実施例の作用を説明するための線図、 第11図は、本発明の第４実施例の構成を示す斜視図、 第12図は、同じく第５実施例の構成を示すブロツク線
図、 第13図は、ストリークカメラの動作原理を説明するため
の断面図、 第14図は、シンクロナスブランキングでの掃引軌跡を示
す線図、 第15図は、サンプリング型光オシロスコープの動作原理
を示す断面図、 第16図は、従来の赤外線測定に用いられているＳ−１光
電面の分光感度特性を示す線図である。 13……ストリーク管、 14……光電面、 22……偏向電極、 23……掃引回路、 26……螢光面、 28……撮像装置、 29……表示器、 30……サンプリングストリーク管、 32……スリツト板、 34……光検出器、 40……光増幅器、 42……光検出器、 42A……光電面、 70……単掃引型ストリークカメラ、 72……単掃引回路、 84……シンクロスキヤン型ストリークカメラ、 86……シクロスキヤン回路、 90……サンプリング型光オシロスコープ、 91……フアイバケーブル付ストリーク管、 92、94……光フアイバ、 100……パルスゼネレータ、 102……ロツクイン増幅器。
進行波型光増幅器（TWA）を構成する半導体レーザの構
造の一例を示す断面図、 第３図は、前記TWAの動作特性を説明するためのブロツ
ク線図、 第４図及び第５図は、同じく出力光強度特性の一例を示
す線図、 第６図は、前記TWAの変形例の構成を示す概略図、 第７図は、本発明に係る光波形測定装置の第１実施例の
構成を示すブロツク線図、 第８図は、同じく第２実施例の構成を示すブロツク線
図、 第９図は、同じく第３実施例の構成を示すブロツク線
図、 第10図は、第３実施例の作用を説明するための線図、 第11図は、本発明の第４実施例の構成を示す斜視図、 第12図は、同じく第５実施例の構成を示すブロツク線
図、 第13図は、ストリークカメラの動作原理を説明するため
の断面図、 第14図は、シンクロナスブランキングでの掃引軌跡を示
す線図、 第15図は、サンプリング型光オシロスコープの動作原理
を示す断面図、 第16図は、従来の赤外線測定に用いられているＳ−１光
電面の分光感度特性を示す線図である。 13……ストリーク管、 14……光電面、 22……偏向電極、 23……掃引回路、 26……螢光面、 28……撮像装置、 29……表示器、 30……サンプリングストリーク管、 32……スリツト板、 34……光検出器、 40……光増幅器、 42……光検出器、 42A……光電面、 70……単掃引型ストリークカメラ、 72……単掃引回路、 84……シンクロスキヤン型ストリークカメラ、 86……シクロスキヤン回路、 90……サンプリング型光オシロスコープ、 91……フアイバケーブル付ストリーク管、 92、94……光フアイバ、 100……パルスゼネレータ、 102……ロツクイン増幅器。
Claims (7)
- 【請求項１】被測定光を増幅するための、半導体レーザ
の両端面に反射防止膜を施して両端面での反射を抑えた
非共振型の進行波型増幅器と、 該光増幅器によつて増幅された光が入射される光電面を
有するストリーク管を用いた高時間分解能の光検出器と
を備え、 前記光増幅器の利得が電気信号によつて可変とされ、該
光増幅器が光ゲートとしても作動することを特徴とする
光波形測定装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記光検出器にサンプ
リング用のスリツト板が設けられていることを特徴とす
る光波形測定装置。 - 【請求項３】請求項２において、更に、被測定光を所定
周波数でオンオフするための光チヨツプ素子と、前記光
検出器のサンプリング出力の中の、該周波数成分だけを
狭帯域で取出すロツクイン増幅器とを備えたことを特徴
とする光波形測定装置。 - 【請求項４】請求項３において、前記光チヨツプ素子の
機能を前記光増幅器に合せ持たせたことを特徴とする光
波形測定装置。 - 【請求項５】請求項１において、前記光増幅器が少くと
も２個以上あり、それらの出力を光フアイバで前記光検
出器の光電面に導いて直線状に並べたことを特徴とする
光波形測定装置。 - 【請求項６】請求項１、２又は５のいずれか１項におい
て、更に、前記光検出器の螢光面に形成された光学像を
撮像する撮像装置と、該撮像装置によつて得られた信号
を表示する表示器とが設けられていることを特徴とする
光波形測定装置。 - 【請求項７】請求項１、２又は５のいずれか１項におい
て、更に、前記光検出器の螢光面に形成された光学像を
光電検出する第２の光検出器と、該第２の光検出器によ
つて得られた信号を表示する表示器とが設けられている
ことを特徴とする光波形測定装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63116732A JP2665231B2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 光波形測定装置 |
| US07/350,273 US4988859A (en) | 1988-05-13 | 1989-05-11 | Optical waveform measuring device |
| GB8910949A GB2220263B (en) | 1988-05-13 | 1989-05-12 | Optical waveform measuring device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63116732A JP2665231B2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 光波形測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01287424A JPH01287424A (ja) | 1989-11-20 |
| JP2665231B2 true JP2665231B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=14694419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63116732A Expired - Lifetime JP2665231B2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 光波形測定装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4988859A (ja) |
| JP (1) | JP2665231B2 (ja) |
| GB (1) | GB2220263B (ja) |
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| US5055770A (en) * | 1989-04-12 | 1991-10-08 | Hamamatsu Photonics K. K. | Method and apparatus for detecting voltage |
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| KR101753312B1 (ko) * | 2010-09-17 | 2017-07-03 | 삼성전자주식회사 | 뎁스 영상 생성 장치 및 방법 |
Family Cites Families (24)
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-
1988
- 1988-05-13 JP JP63116732A patent/JP2665231B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-05-11 US US07/350,273 patent/US4988859A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-12 GB GB8910949A patent/GB2220263B/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4988859A (en) | 1991-01-29 |
| GB8910949D0 (en) | 1989-06-28 |
| JPH01287424A (ja) | 1989-11-20 |
| GB2220263A (en) | 1990-01-04 |
| GB2220263B (en) | 1991-12-18 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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