JP2657321B2 - Ion implanter - Google Patents
Ion implanterInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、イオン注入装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to an ion implantation apparatus.
（従来の技術） 一般にイオン注入技術は、目的物例えばシリコン基板
やガリウム・ヒ素基板に不純物を注入する技術として広
く使用されており、半導体製造工程における不純物導入
技術として重要な位置を占めている。(Prior Art) Generally, an ion implantation technique is widely used as a technique for implanting impurities into a target object such as a silicon substrate or a gallium arsenide substrate, and occupies an important position as an impurity introduction technique in a semiconductor manufacturing process.
このようなイオン注入技術を用いた半導体ウエハへの
不純物の注入は、正に帯電したイオンを加速させた状態
で半導体ウエハに衝突させることによって行っている。
このため、正イオンが半導体ウエハ表面に衝突した際
に、表面の絶縁膜に正の電荷が蓄積する、いわゆるチャ
ージ・アップが起こり、これによって絶縁膜の絶縁破壊
や劣化を招くという問題があった。このチャージ・アッ
プは、特に高電流型イオン注入装置を用いて、高ドーズ
量のイオンを半導体ウエハに注入した場合に顕著に発生
する。The implantation of impurities into a semiconductor wafer using such an ion implantation technique is performed by colliding positively charged ions with the semiconductor wafer while accelerating the ions.
For this reason, when positive ions collide with the surface of the semiconductor wafer, a positive charge is accumulated in the insulating film on the surface, that is, a so-called charge-up occurs, which causes a dielectric breakdown or deterioration of the insulating film. . This charge-up is particularly noticeable when high dose ions are implanted into a semiconductor wafer using a high current ion implantation apparatus.
このチャージ・アップを解消する一手段として、電子
をイオンビームと共に照射し、半導体ウエハ表面の帯電
を消すことが行われている。しかし、現状における上記
電子ビームの照射は、イオンビームによって注入した正
電荷量に見合う量として行われており、多量の電子照射
は逆に絶縁膜の耐電圧等の性能低下を招く可能性があ
る。そこで、イオン注入によって生じる半導体ウエハ表
面の電荷量を正確に測定することが望まれている。As one means for eliminating the charge-up, irradiation of electrons together with an ion beam to eliminate the charge on the surface of the semiconductor wafer is performed. However, the current irradiation of the electron beam is performed in an amount commensurate with the amount of positive charges injected by the ion beam, and a large amount of electron irradiation may cause performance degradation such as withstand voltage of the insulating film. . Therefore, it is desired to accurately measure the amount of charge on the surface of a semiconductor wafer caused by ion implantation.
従来のチャージ・アップによる表面電荷の測定方法と
しては、例えば第６図に示すように、回転ディスク１に
円周方向に沿って配置された半導体ウエハ２と対向して
容量式センサ３を配設し、第７図に示すように、表面が
正に帯電した半導体ウエハ２がセンサ３に近づくとき
（第７図−ａ）、半導体ウエハ２がセンサ３の中央に位
置するとき（第７図−ｂ）、半導体ウエハ２がセンサ３
から離れていくとき（第７図−ｃ）のセンサ３に励起さ
れる電圧の変化分によって測定する方法が知られてい
る。As a conventional method of measuring the surface charge by charge-up, for example, as shown in FIG. 6, a capacitive sensor 3 is disposed facing a semiconductor wafer 2 arranged on a rotating disk 1 along a circumferential direction. As shown in FIG. 7, when the semiconductor wafer 2 whose surface is positively charged approaches the sensor 3 (FIG. 7-a), when the semiconductor wafer 2 is located at the center of the sensor 3 (FIG. 7-). b), the semiconductor wafer 2 is the sensor 3
A method is known in which the measurement is performed based on a change in the voltage applied to the sensor 3 when the sensor 3 moves away from the sensor (FIG. 7-c).
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述した測定対象となる半導体ウエハ
２は、第６図に示したように、回転ディスク１上に非常
に近接して配置されており、さらに高速で回転している
ため、実際には第７図（ｃ）に示すように、半導体ウエ
ハ2aがセンサ３から遠ざかり、負側に電圧が変化する前
に、次の半導体ウエハ2bがセンサ３に接近してしまい、
電圧の振幅を充分に得ることができないという問題があ
った。このため、従来の方式では半導体ウエハ２の表面
に電荷が存在するかどうか程度の判定しかできず、チャ
ージ・アップ量を絶対値として測定することは現実的に
は不可能であった。(Problems to be Solved by the Invention) However, as shown in FIG. 6, the semiconductor wafer 2 to be measured is disposed very close to the rotating disk 1 and rotates at a higher speed. Therefore, as shown in FIG. 7 (c), the semiconductor wafer 2a actually moves away from the sensor 3 and the next semiconductor wafer 2b approaches the sensor 3 before the voltage changes to the negative side. Sisters,
There has been a problem that the voltage amplitude cannot be sufficiently obtained. For this reason, in the conventional method, it is only possible to determine whether or not electric charges exist on the surface of the semiconductor wafer 2, and it is practically impossible to measure the charge-up amount as an absolute value.
このようなことから、イオン注入によって発生するチ
ャージ・アップ量を絶対電圧値として測定することが強
く望まれており、さらに進んでチャージ・アップ量の面
内分布の測定をも可能にすることが要求されている。For this reason, it is strongly desired to measure the amount of charge-up generated by ion implantation as an absolute voltage value, and it is possible to further measure the in-plane distribution of the amount of charge-up. Has been requested.
本発明は、このような課題に対処するためになされた
もので、例えばイオン注入によって発生するチャージ・
アップ量を絶対電圧値として正確に測定することが可能
で、さらにこの絶対電圧値を面内分布として検出するこ
とが可能なイオン注入装置を提供することを目的として
いる。The present invention has been made in order to address such a problem, and for example, a charge generation caused by ion implantation.
It is an object of the present invention to provide an ion implantation apparatus capable of accurately measuring the amount of increase as an absolute voltage value and detecting the absolute voltage value as an in-plane distribution.
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわち本発明のイオン注入装置は、回転軸の回りに
回転可能とされた回転ディスクであって、その一面に、
円周方向に沿って複数の被処理基板を支持可能とされた
回転ディスクと、 前記回転ディスクに支持された前記被処理基板にイオ
ンビームを照射する手段と、 前記回転ディスクを回転させる手段と、 前記回転ディスクの回転中に前記回転軸を揺動させる
手段と、 前記前記回転ディスクに支持された前記被処理基板に
近接対向する如く設けられ前記被処理体の表面電荷を測
定する電界検知センサと、この電界検知センサに到達す
る電界を断続的に遮断する回転遮断板とを具備し、回
転、揺動される前記被処理基板の表面の一部の電荷量を
瞬間電圧値として検出して、当該被処理基板の表面電荷
の面内分布を測定可能とされた表面電荷量測定手段と を備えたことを特徴とするものである。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) That is, the ion implantation apparatus of the present invention is a rotating disk rotatable around a rotation axis.
A rotating disk capable of supporting a plurality of substrates to be processed along a circumferential direction, a unit for irradiating the substrate to be processed supported by the rotating disk with an ion beam, and a unit for rotating the rotating disk; Means for oscillating the rotating shaft during rotation of the rotating disk; and an electric field detection sensor provided so as to be close to and opposed to the substrate to be processed supported by the rotating disk and measuring a surface charge of the object to be processed. A rotation blocking plate that intermittently blocks an electric field reaching the electric field detection sensor, and detects a charge amount of a part of the surface of the substrate to be rotated and swung as an instantaneous voltage value, Surface charge amount measuring means capable of measuring the in-plane distribution of the surface charge of the substrate to be processed.
（作 用） 被測定体表面が帯電していることによって生じた電界
は、電界検知手段に到達して表面電荷量として測定され
る。ここで、本発明のイオン注入装置においては、上記
電界の取り込みを断続的に実行する手段を設けているた
め、電界検知手段に検知される電界は、断続周波数に同
期したパルス信号として得られる。その結果、被測定体
表面の帯電量が瞬間値として得られ、正確に絶対電圧値
として表面電荷量を測定することが可能となる。また、
絶対電圧値が瞬間値として得られることから、被測定体
上の複数点の絶対電圧値を記憶しておくことによって、
表面電荷量の面内分布を測定することも可能となる。(Operation) The electric field generated by the charged surface of the measured object reaches the electric field detecting means and is measured as the surface charge amount. Here, in the ion implantation apparatus of the present invention, since the means for intermittently executing the electric field capture is provided, the electric field detected by the electric field detection means is obtained as a pulse signal synchronized with the intermittent frequency. As a result, the charge amount on the surface of the measured object is obtained as an instantaneous value, and the surface charge amount can be accurately measured as an absolute voltage value. Also,
Since the absolute voltage value is obtained as an instantaneous value, by storing the absolute voltage values at a plurality of points on the measured object,
It is also possible to measure the in-plane distribution of the surface charge.
（実施例） 以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明
する。Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図に示すように、電界侵入窓11を有する筐体12
は、回転ディスク１の円周方向面に沿って配置された半
導体ウエハ２と対接して配置されており、この筐体12は
電気的にアースされている。上記電界侵入窓11は、半導
体ウエハ２側からの電界を半導体ウエハ２の所定の微小
部位からの電界のみ（矢印に示す如く）に規制するもの
である。As shown in FIG. 1, a housing 12 having an electric field intrusion window 11 is provided.
Is arranged in contact with the semiconductor wafer 2 arranged along the circumferential surface of the rotating disk 1, and the housing 12 is electrically grounded. The electric field intrusion window 11 restricts an electric field from the semiconductor wafer 2 side to an electric field only from a predetermined minute portion of the semiconductor wafer 2 (as indicated by an arrow).
上記筐体12内には、上記電界侵入窓11から侵入した電
界を検知するセンサ13が電界侵入窓11と対向して配置さ
れている。この電界検知センサ13は、このセンサ13によ
って検知した電界の量を電圧値として出力する電界セン
サ用アンプ14に接続されている。A sensor 13 for detecting an electric field penetrating from the electric field intrusion window 11 is disposed in the housing 12 so as to face the electric field intrusion window 11. The electric field detection sensor 13 is connected to an electric field sensor amplifier 14 that outputs the amount of the electric field detected by the sensor 13 as a voltage value.
上記筐体12内における電界侵入窓11と電界検知センサ
13との間には、複数の電界通過穴15を有し、アースされ
た円板状の回転遮断板16が回転自在に配設されている。
この回転遮断板16には回転軸17が取付けられており、こ
の回転軸17に挿着した後、固着された第１のプーリ18と
DCモータ19に固着された第２のプーリ20間に掛渡された
ベルト21によって、回転遮断板16は所定の回転数で回転
制御可能とされている。上記DCモータ19は、電磁シール
ド22によって囲われており、筐体12内の他の機構部品と
は遮られている。Electric field intrusion window 11 and electric field detection sensor in the housing 12
13, a plurality of electric field passage holes 15 and a grounded disk-shaped rotation blocking plate 16 is rotatably disposed.
A rotation shaft 17 is attached to the rotation blocking plate 16. After the rotation shaft 17 is inserted into and fixed to the rotation shaft 17, the first pulley 18 is fixed to the rotation shaft 17.
The rotation of the rotation blocking plate 16 can be controlled at a predetermined rotation speed by a belt 21 stretched between second pulleys 20 fixed to the DC motor 19. The DC motor 19 is surrounded by an electromagnetic shield 22, and is shielded from other mechanical components in the housing 12.
ここで上記回転遮断板16は、第２図に示すように、円
板状部材16aによって形成されており、この円板状部材1
6aの円周方向に沿って等間隔で同形状の電界通過穴15が
複数例えば18個穿設されている。また、筐体12に設けら
れた電界侵入窓11は、第３図に示すように、上記電界通
過穴15と同形状で同配列の例えば２個の穴により構成さ
れている。これら電界侵入窓11と電界通過穴15とは、半
導体ウエハ２側から電界検知センサ13方向に向けて透視
した際に合致するよう設けられている。Here, as shown in FIG. 2, the rotation blocking plate 16 is formed by a disc-shaped member 16a.
A plurality of, for example, 18 electric field passage holes 15 having the same shape are formed at equal intervals along the circumferential direction of 6a. Further, as shown in FIG. 3, the electric field intrusion window 11 provided in the housing 12 is formed by, for example, two holes having the same shape and the same arrangement as the electric field passage holes 15. The electric field intrusion window 11 and the electric field passage hole 15 are provided so as to match when viewed from the semiconductor wafer 2 side toward the electric field detection sensor 13.
また、筐体12内における回転遮断板16の電界通過穴15
と対向する位置には、回転時における上記電界通過穴15
の位置を検出する位置センサ23が配設されている。な
お、符号24は位置センサ23用の波形整形用アンプであ
る。The electric field passage hole 15 of the rotation blocking plate 16 in the housing 12 is also provided.
The electric field passage hole 15 at the time of rotation
A position sensor 23 for detecting the position is provided. Reference numeral 24 denotes a waveform shaping amplifier for the position sensor 23.
なお、回転ディスク１上に配置された半導体ウエハ２
は、上記構成の表面電荷量測定装置による電荷量検出領
域とは別の領域でイオンビームによるイオン注入が施さ
れる。The semiconductor wafer 2 placed on the rotating disk 1
In the above, ion implantation by an ion beam is performed in a region different from the charge amount detection region by the surface charge amount measurement device having the above configuration.
次に、上記構成の表面電荷量測定装置を用いて、イオ
ン注入によるチャージ・アップによって発生する半導体
ウエハ表面の電荷量を測定する方法について、第４図を
参照して説明する。Next, a method for measuring the amount of charge on the surface of a semiconductor wafer generated by charge-up by ion implantation using the surface charge amount measuring device having the above configuration will be described with reference to FIG.
イオン注入は、回転ディスク１を所定の回転数で回転
させることによって、回転した状態の半導体ウエハ２に
対して行われる。なお、回転ディスク１は回転しつつ所
定の速度で上下に移動するよ構成されており、これによ
り半導体ウエハ２表面に対して平均的にイオン注入が行
われる。The ion implantation is performed on the rotated semiconductor wafer 2 by rotating the rotating disk 1 at a predetermined rotation speed. The rotating disk 1 is configured to move up and down at a predetermined speed while rotating, whereby ion implantation is performed on the surface of the semiconductor wafer 2 on average.
まず、回転遮断板16を所定の回転数で回転させること
により、表面電荷量測定装置を測定可能な状態とする。First, the surface of the surface charge measuring device is set in a measurable state by rotating the rotation blocking plate 16 at a predetermined rotation speed.
上記イオン注入によって半導体ウエハ２表面にチャー
ジ・アップによる電荷が発生すると、半導体ウエハ２が
筐体12の電界侵入窓11の正面を通過するたびに、電界侵
入窓11内部に上記半導体ウエハ２表面の電荷量に見合っ
た電界が侵入する。この侵入した電界は、電界検知セン
サ13上に上記電界面積（侵入面積）の強さに比例した電
荷を誘導する。この電界検知センサ13上に誘導された電
荷は電圧として現れ、電界検知センサ用アンプ14に送ら
れる。When electric charge due to charge-up is generated on the surface of the semiconductor wafer 2 by the ion implantation, every time the semiconductor wafer 2 passes in front of the electric field intrusion window 11 of the housing 12, the surface of the semiconductor wafer 2 is placed in the electric field intrusion window 11. An electric field commensurate with the amount of charge penetrates. The penetrating electric field induces charges on the electric field detection sensor 13 in proportion to the strength of the electric field area (penetrating area). The electric charge induced on the electric field detection sensor 13 appears as a voltage and is sent to the electric field detection sensor amplifier 14.
一方、筐体12の電界侵入窓11と電界検知センサ13間に
は、電界透過穴15を有する回転遮断板16が配設されてお
り、この回転遮断板16が所定の回転数で回転しているた
め、上記電界は回転遮断板16の電界通過穴15と電界侵入
窓11とが合致したときのみに電界検知センサ12に到達す
ることとなる。したがって、電界検知センサ13では、回
転遮断板16の電界透過穴15の通過周波数に同期したパル
ス信号として侵入した電界による電圧を検知する。On the other hand, between the electric field intrusion window 11 of the housing 12 and the electric field detection sensor 13, a rotation blocking plate 16 having an electric field transmission hole 15 is provided, and this rotation blocking plate 16 rotates at a predetermined rotation speed. Therefore, the electric field reaches the electric field detection sensor 12 only when the electric field passage hole 15 of the rotation blocking plate 16 and the electric field penetration window 11 match. Therefore, the electric field detection sensor 13 detects the voltage due to the electric field that has entered as a pulse signal synchronized with the passing frequency of the electric field transmission hole 15 of the rotation blocking plate 16.
ここで、電界センサ用アンプ14は、電界検知センサ13
からの微弱なパルス信号を増幅する交流増幅器14aと、
この増幅されたパルス信号からACノイズやDCモータ19か
ら発生するノイズ、DCモータ19の回転に伴う筐体12等の
ぶれから発生するノイズ等を除去する周波数フィルタ14
bと、後述するサンプル・パルス発生回路からの信号を
もとに原信号を復元するサンプル・ホールド回路14cと
から構成されている。また、位置センサ用波形整形アン
プ24は、位置センサ23により検出した回転遮断板16の電
界通過穴15位置から、上記サンプル・ホールドに必要な
サンプルパルスを作成するサンプルパルス発生回路を有
している。Here, the electric field sensor amplifier 14 is
An AC amplifier 14a for amplifying a weak pulse signal from
A frequency filter 14 that removes AC noise and noise generated from the DC motor 19 from the amplified pulse signal, and noise generated from blurring of the housing 12 and the like due to rotation of the DC motor 19.
b, and a sample and hold circuit 14c for restoring the original signal based on a signal from a sample pulse generation circuit described later. In addition, the waveform shaping amplifier for position sensor 24 has a sample pulse generation circuit that creates a sample pulse required for the sample and hold from the position of the electric field passage hole 15 of the rotation blocking plate 16 detected by the position sensor 23. .
そして、これらによって上記電界センサ用アンプ14に
送られた電圧のパルス信号を、位置センサ23により電界
通過穴15の位置から作成したサンプルパルスによってサ
ンプルホールドすることによって、電界侵入窓11に侵入
する元の電界の強度が正または負の電圧信号として再現
される。Then, the pulse signal of the voltage sent to the electric field sensor amplifier 14 is sampled and held by the position sensor 23 using a sample pulse created from the position of the electric field passage hole 15, so that the source signal that enters the electric field intrusion window 11 is obtained. Is reproduced as a positive or negative voltage signal.
例えば回転遮断板16に18個の電解通過穴15を設け、回
転ディスク１の回転数を1200rpm、回転遮断板16の移転
数を7200rpmとすると、１個の半導体ウエハ２が電解侵
入窓11を横切る間に、６回のサンプリングが行われ、こ
れらサンプリング１回毎に半導体ウエハ２表面の電荷量
が電圧値として測定される。For example, assuming that 18 electrolytic passage holes 15 are provided in the rotation blocking plate 16 and the rotation speed of the rotating disk 1 is 1200 rpm and the transfer number of the rotation blocking plate 16 is 7200 rpm, one semiconductor wafer 2 crosses the electrolytic intrusion window 11. In the meantime, sampling is performed six times, and the charge amount on the surface of the semiconductor wafer 2 is measured as a voltage value each time the sampling is performed.
このように、上記実施例の表面電荷量測定装置におい
ては、回転動作を行っている半導体ウエハ２表面の電荷
量を回転遮断板16によって断続的に遮ることにより、瞬
間電圧値として検出しているため、微小部位の電荷量を
正確にかつ絶対値として測定することが可能となる。よ
って、近接配置された回転している複数の半導体ウエハ
２表面の電荷量、すなわちイオン注入に伴うチャージ・
アップ量を正確に測定することが可能となる。As described above, in the surface charge amount measuring device of the above embodiment, the charge amount on the surface of the semiconductor wafer 2 that is rotating is intermittently blocked by the rotation blocking plate 16 to detect the instantaneous voltage value. Therefore, it is possible to accurately and absolutely measure the charge amount of the minute portion. Therefore, the charge amount on the surface of the plurality of rotating semiconductor wafers 2 arranged in close proximity, that is, the charge amount due to ion implantation.
The up amount can be measured accurately.
また、回転ディスク１は上下動しつつ回転しているた
め、上下動している半導体ウエハ２に対して連続してサ
ンプリングを行い、各測定値を記憶しておくことによっ
て、表面電荷の面内分布を測定することができる。In addition, since the rotating disk 1 is rotating while moving up and down, sampling is continuously performed on the semiconductor wafer 2 that is moving up and down, and each measured value is stored, so that the surface charge of the surface charge can be reduced. The distribution can be measured.
次に、上記構成の表面電荷量測定装置を用いて行った
表面電位測定試験について説明する。Next, a description will be given of a surface potential measurement test performed using the surface charge amount measurement device having the above-described configuration.
まず、上述した回転数で回転遮断板16および半導体ウ
エハ２を回転させ、半導体ウエハ２に−8V〜＋8Vの範囲
で一定の電圧を印加した際の出力電圧を、半導体ウエハ
２と回転遮断板16との距離（Ｌ）を5mm、10mm、15mm、2
0mmと変化させ、それぞれについて測定した。その結果
を第１表および第５図に示す。First, the rotation blocking plate 16 and the semiconductor wafer 2 are rotated at the above-mentioned rotation speed, and an output voltage when a constant voltage in the range of −8 V to +8 V is applied to the semiconductor wafer 2 is applied to the semiconductor wafer 2 and the rotation blocking plate 16. Distance (L) to 5mm, 10mm, 15mm, 2
It was changed to 0 mm and measured for each. The results are shown in Table 1 and FIG.
第５図に示すように、それぞれ比例関係を示し、正確
な測定が行われたことが分る。ただし、第５図から明ら
かなように、半導体ウエハ２と回転遮断板16との距離に
よって出力値が異なるため、これらから予め相関値を求
めておき、実際に測定にあたっては出力値を換算する必
要がある。 As shown in FIG. 5, each of them shows a proportional relationship, indicating that accurate measurement was performed. However, as is apparent from FIG. 5, since the output value differs depending on the distance between the semiconductor wafer 2 and the rotation blocking plate 16, it is necessary to obtain a correlation value from them in advance and convert the output value in actual measurement. There is.
なお、上記実施例では本発明の表面電荷量測定装置を
イオン注入に伴うチャージ・アップ量の測定に用いた例
について説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく被測定体間が近接して配置されているような場合
に有効である。In the above embodiment, an example was described in which the surface charge amount measuring apparatus of the present invention was used for measuring the amount of charge-up accompanying ion implantation, but the present invention is not limited to this, and This is effective when they are arranged close to each other.
なお、上記実施例ではイオン注入の例について説明し
たが、イオンや電子などの荷電粒子の衝突または表面電
荷の測定（検出）であれば何れにも適用できる。In the above embodiment, an example of ion implantation has been described. However, the present invention can be applied to any collision of charged particles such as ions and electrons or measurement (detection) of surface charges.
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明のイオン注入装置によれ
ば、高速で移動する被測定体表面の電荷量を正確に測定
することができる。よって、例えばイオン注入によって
発生するチャージ・アップ量を絶対電圧値として正確に
測定することが可能となり、さらにこの絶対電圧値を面
内分布として検出することも可能となる。[Effects of the Invention] As described above, according to the ion implantation apparatus of the present invention, it is possible to accurately measure the charge amount on the surface of the measurement target that moves at high speed. Therefore, for example, the charge-up amount generated by ion implantation can be accurately measured as an absolute voltage value, and this absolute voltage value can be detected as an in-plane distribution.
第１図は本発明の一実施例の表面電荷量測定装置の構成
を示す図、第２図はその回転遮断板を示す図、第３図は
第１図における筐体の正面図、第４図は第１図の表面電
荷量測定装置の電気回路を示す図、第５図は実施例の表
面電荷量測定装置を用いて行った試験測定の結果を示す
グラフ、第６図および第７図は従来の表面電荷量の測定
方法を示す図である。 １……回転ディスク、２……半導体ウエハ、11……電界
侵入窓、12……筐体、13……電界検知センサ、14……電
界検知センサ用アンプ、15……電界通過穴、16……回転
遮断板、19……DCモータ、23……位置センサ、24……位
置センサ用アンプ。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a surface charge measuring device according to one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing a rotation blocking plate thereof, FIG. 3 is a front view of a housing in FIG. FIG. 5 is a diagram showing an electric circuit of the surface charge measuring device of FIG. 1, FIG. 5 is a graph showing the results of a test measurement performed using the surface charge measuring device of the embodiment, FIG. 6 and FIG. FIG. 3 is a diagram showing a conventional method for measuring the amount of surface charge. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Rotating disk, 2 ... Semiconductor wafer, 11 ... Electric field penetration window, 12 ... Case, 13 ... Electric field detection sensor, 14 ... Electric field detection sensor amplifier, 15 ... Electric field passage hole, 16 ... ... Rotation blocking plate, 19 ... DC motor, 23 ... Position sensor, 24 ... Position sensor amplifier.
Claims (1)
スクであって、その一面に、円周方向に沿って複数の被
処理基板を支持可能とされた回転ディスクと、 前記回転ディスクに支持された前記被処理基板にイオン
ビームを照射する手段と、 前記回転ディスクを回転させる手段と、 前記回転ディスクの回転中に前記回転軸を揺動させる手
段と、 前記前記回転ディスクに支持された前記被処理基板に近
接対向する如く設けられ前記被処理体の表面電荷を測定
する電界検知センサと、この電界検知センサに到達する
電界を断続的に遮断する回転遮断板とを具備し、回転、
揺動される前記被処理基板の表面の一部の電荷量を瞬間
電圧値として検出して、当該被処理基板の表面電荷の面
内分布を測定可能とされた表面電荷量測定手段と を備えたことを特徴とするイオン注入装置。1. A rotating disk rotatable around a rotation axis, the rotating disk being capable of supporting a plurality of substrates to be processed along a circumferential direction on one surface thereof; Means for irradiating the supported substrate to be processed with an ion beam; means for rotating the rotating disk; means for swinging the rotating shaft during rotation of the rotating disk; and supported by the rotating disk. An electric field detection sensor that is provided so as to be close to and facing the substrate to be processed and that measures a surface charge of the object to be processed, and a rotation blocking plate that intermittently blocks an electric field reaching the electric field detection sensor,
Surface charge amount measurement means capable of detecting the amount of charge of a part of the surface of the substrate to be oscillated as an instantaneous voltage value and measuring the in-plane distribution of the surface charge of the substrate to be processed. An ion implanter characterized by the following.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2040180A JP2657321B2 (en) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | Ion implanter |
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| JP2040180A JP2657321B2 (en) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | Ion implanter |
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Family Applications (1)
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- 1990-02-20 JP JP2040180A patent/JP2657321B2/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
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