JP2646763B2 - Transistor module for power converter - Google Patents
Transistor module for power converterInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、トランジスタと、それらを保護するための
定電圧ダイオード及びコンデンサからなるスナバ回路と
によって構成された電力変換装置に使用されるトランジ
スタモジュールに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a transistor module used in a power conversion device including a transistor and a snubber circuit including a constant voltage diode and a capacitor for protecting the transistor. About.
トランジスタを用いた電力変換装置用の半導体装置
は、通常モジュールとして作られ、トランジスタだけ、
あるいはトランジスタと並列または直列に接続されてト
ランジスタとは逆方向または同方向に電流を流すダイオ
ードと組み合わされ、これらトランジスタとダイオード
は同一の基板上に固着され、さらに一つの容器に納めら
れ、かつ主たる電流を流すための外部端子とトランジス
タを駆動するための端子とが容器の外方に設けられてい
た。Semiconductor devices for power converters using transistors are usually made as modules, and only transistors are used.
Alternatively, it is combined with a diode connected in parallel or series with the transistor to flow a current in the opposite direction or the same direction as the transistor, and the transistor and the diode are fixed on the same substrate, further housed in one container, and An external terminal for flowing a current and a terminal for driving a transistor are provided outside the container.
このようなトランジスタモジュールで構成される電力
変換装置において、トランジスタのターンオフ時あるい
はダイオードの逆回復時に回路の浮遊インダクタンスに
よって発生するサージ電圧が素子に印加され、素子が破
壊するおそれがある。また、トランジスタの端子間の電
圧の立上り（dv/dt）が急峻な場合、他のトランジスタ
の誤動作あるいは制御回路の誤動作が起こることがあ
る。この対策としてトランジスタに抵抗とコンデンサと
の直列接続からなるＲ−Ｃスナバを並列に接続する方
法、あるいは並列接続されたダイオードと抵抗にコンデ
ンサを直列接続してなるＲ−Ｃ−Ｄスナバをトランジス
タに並列に接続する方法が知られている。しかし、Ｒ−
Ｃ−Ｄスナバでは、抵抗が大形になること、スナバダイ
オードの順電圧降下が大きいこと、スナバ回路のダイオ
ードが逆回復する際に高いdv/dtが生じるので制御回路
に誤動作を生じるおそれがあることなどの欠点があり、
Ｒ−Ｃスナバは、コンデンサの蓄積電荷が抵抗を通じて
放電するのでエネルギ損失が大きいこと、抵抗が大形に
なることなどの欠点がある。これらの欠点を解決するた
め、トランジスタの端子間に順方向電圧降下が小で逆方
向電圧降下が大であるダイオード、例えば、定電圧ダイ
オードとコンデンサの直列回路を並列接続する方法が、
平成元年電気学会全国大会（平成元年４月）にて発表さ
れ、また特願平１−8311号明細書に記載されている。第
４図はそのような回路の一例で、ダイオード22が逆並列
接続されたトランジスタ21のコレクタ・エミッタ間に定
電圧ダイオード23とコンデンサ24との直列回路を並列接
続したものである。In a power converter configured with such a transistor module, a surge voltage generated by a stray inductance of a circuit when a transistor is turned off or a diode reversely recovers is applied to an element, and the element may be destroyed. Further, when the voltage rise (dv / dt) between the terminals of a transistor is steep, a malfunction of another transistor or a malfunction of a control circuit may occur. As a countermeasure, a method of connecting an R-C snubber composed of a resistor and a capacitor in series to a transistor in parallel, or an R-C-D snubber composed of a diode and a resistor connected in parallel with a capacitor in series is connected to the transistor. A method of connecting in parallel is known. However, R-
In the CD snubber, the resistance becomes large, the forward voltage drop of the snubber diode is large, and a high dv / dt occurs when the diode of the snubber circuit reversely recovers, so that a malfunction may occur in the control circuit. There are disadvantages such as
The RC snubber has drawbacks such as a large energy loss and a large resistance because the accumulated charge of the capacitor is discharged through the resistor. In order to solve these drawbacks, a method in which a diode having a small forward voltage drop and a large reverse voltage drop between the terminals of a transistor, for example, a method of connecting a series circuit of a constant voltage diode and a capacitor in parallel is used.
It was announced at the 1989 National Conference of the Institute of Electrical Engineers of Japan (April 1989) and described in the specification of Japanese Patent Application No. 1-8311. FIG. 4 shows an example of such a circuit in which a series circuit of a constant voltage diode 23 and a capacitor 24 is connected in parallel between the collector and the emitter of a transistor 21 in which a diode 22 is connected in anti-parallel.
このようなトランジスタ回路を用いて電力変換装置を
構成する一例を第５図に示す。通常、この回路図に示す
ようにブリッジ回路のアーム用のトランジスタ回路100
及び下アーム用のトランジスタ回路101の２個を直列に
接続した１アーム対110が単位となり、これらが並列に
複数接続されて３相インバータ等の電力変換装置が構成
される。FIG. 5 shows an example of configuring a power conversion device using such a transistor circuit. Usually, as shown in this circuit diagram, a transistor circuit 100 for an arm of a bridge circuit is used.
One arm pair 110 in which two transistor circuits 101 for the lower arm are connected in series is a unit, and a plurality of these are connected in parallel to configure a power conversion device such as a three-phase inverter.
第４図に示すような回路を有するトランジスタモジュ
ールでは、トランジスタ21のコレクタ（Ｃ）端子と定電
圧ダイオード23のアノード（Ａ）端子を導体で接続し、
さらに定電圧ダイオード23のカソード（Ｋ）端子とトラ
ンジスタ21のエミッタ（Ｅ）端子との間にコンデンサ24
を接続していた。しかし、このような構成においては以
下の問題点があった。In a transistor module having a circuit as shown in FIG. 4, the collector (C) terminal of the transistor 21 and the anode (A) terminal of the constant voltage diode 23 are connected by a conductor,
Further, a capacitor 24 is connected between the cathode (K) terminal of the constant voltage diode 23 and the emitter (E) terminal of the transistor 21.
Was connected. However, such a configuration has the following problems.
（１）定電圧ダイオードが発熱するため、これを放熱さ
せなければならないが、一般にスナバ回路はトランジス
タ素子の容器の上部に設置される配線用導体に取り付け
られるため充分に放熱できず、大きなチップサイズの定
電圧ダイオード素子を必要とする。(1) Since the constant voltage diode generates heat, it must dissipate heat. However, in general, the snubber circuit cannot be sufficiently dissipated because it is attached to the wiring conductor installed on the upper part of the transistor element container. Requires a constant voltage diode element.
（２）前記の問題を解決するため、トランジスタ素子と
同一冷却体上に定電圧ダイオード素子を取り付けた場
合、トランジスタ素子の端子との距離が長くなり、接続
のために別の配線用導体が必要となる。さらにコンデン
サとトランジスタの端子との間の配線が長くなり、これ
らの配線のもつインダクタンス分によりスナバ回路のサ
ージ電圧吸収効果が少なくなる。(2) In order to solve the above problem, when a constant voltage diode element is mounted on the same cooling body as the transistor element, the distance from the terminal of the transistor element becomes long, and another wiring conductor is required for connection. Becomes Further, the wiring between the capacitor and the terminal of the transistor becomes longer, and the inductance of these wirings reduces the surge voltage absorbing effect of the snubber circuit.
本発明の課題は前述の問題点を解決して、定電圧ダイ
オードとコンデンサの直列回路からなるスナバ回路を有
する電力変換装置用トランジスタモジュールにおける配
線のもつインダクタンス分を低減するのに役立つと共に
定電圧ダイオードに発生する熱を充分放熱させることが
できる電力変換装置用トランジスタモジュールを提供す
ることにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-described problems and to reduce the inductance of wiring in a transistor module for a power conversion device having a snubber circuit composed of a series circuit of a constant voltage diode and a capacitor. It is an object of the present invention to provide a transistor module for a power conversion device that can sufficiently radiate heat generated in a power conversion device.
前述の課題を解決するために、本発明の電力変換装置
用トランジスタモジュールにおいては、直列に接続され
た２個のトランジスタと、定電圧のダイオード及びコン
デンサからなる２個の直列回路構成が前記トランジスタ
の各々に並列でかつ順方向にそれぞれ接続されて１つの
容器内に収容されるものにおいて、容器底板上に絶縁基
板を介して複数の接続導体を設け、その第１の接続導体
には一方のトランジスタのコレクタと一方の定電圧のダ
イオードのアノードがそれぞれ固着され、この第１の接
続導体は容器外に引き出されてコレクタ外部端子を形成
し、この一方のトランジスタの他面側のエミッタは金属
細線を介して第２の接続導体と接続され、この第２の接
続導体は容器外に引き出されて中間外部端子を形成し、
一方の定電圧のダイオードのカソードは金属細線を介し
て第３の接続導体と接続されて、この第３の接続導体は
容器外に引き出されてカソード外部端子を形成するとと
もに一方のコンデンサを介して前記一方のトランジスタ
のエミッタに接続され、 他方のトランジスタのコレクタは第４の接続導体に固
着され、この第４の接続導体は引き出されて前記中間外
部端子に接続され、他方のトランジスタのエミッタ及び
他方の定電圧のダイオードのカソードは金属細線を介し
て第５の接続導体に接続され、この第５の接続導体は容
器外に引き出されてエミッタ外部端子を形成し、他方の
定電圧のダイオードのアノードは第６の接続導体に接続
され、この第６の接続導体は容器外に引き出されてアノ
ード外部端子を形成するとともに他方のコンデンサを介
して他方のトランジスタのコネクタに接続するようにす
る。In order to solve the above-mentioned problem, in the transistor module for a power conversion device of the present invention, two series-connected transistors and two series circuit configurations each including a constant-voltage diode and a capacitor include the transistors. A plurality of connection conductors are connected to each other in parallel and in the forward direction and accommodated in one container, and a plurality of connection conductors are provided on the container bottom plate via an insulating substrate, and the first connection conductor has one transistor. And the first connection conductor is drawn out of the container to form a collector external terminal, and the emitter on the other side of this one transistor is a thin metal wire. Connected to a second connection conductor via the second connection conductor, which is drawn out of the container to form an intermediate external terminal;
The cathode of one of the constant voltage diodes is connected to a third connection conductor via a thin metal wire, and the third connection conductor is drawn out of the container to form a cathode external terminal and via one capacitor. The collector of the one transistor is connected to the emitter of the other transistor, the collector of the other transistor is fixed to a fourth connection conductor, and the fourth connection conductor is drawn out and connected to the intermediate external terminal, and the emitter of the other transistor and the other The cathode of the constant voltage diode is connected to a fifth connection conductor via a thin metal wire, and the fifth connection conductor is drawn out of the container to form an emitter external terminal, and the anode of the other constant voltage diode is connected. Is connected to a sixth connection conductor, which is drawn out of the container to form an anode external terminal and the other capacitor To connect to the connector of the other transistor.
容器底板上の接続導体に固着される定電圧ダイオード
に発生する熱は、容器底板に冷却体を取付けることによ
り容易に放熱させることができる。そして定電圧ダイオ
ードはトランジスタに接近して固着できるので接続配線
が不要で、配線によるインダクタンス分が省略される。
さらに、定電圧ダイオードとコンデンサを接続する端子
とトランジスタとコンデンサを接続する端子を接近して
設けることができるので、コンデンサの接続配線も短く
することができ、この部分の配線インダクタンスも低減
する。The heat generated in the constant voltage diode fixed to the connection conductor on the container bottom plate can be easily radiated by attaching a cooling body to the container bottom plate. Since the constant voltage diode can be fixed close to the transistor, no connection wiring is required, and the inductance due to the wiring is omitted.
Furthermore, since the terminal for connecting the constant voltage diode and the capacitor and the terminal for connecting the transistor and the capacitor can be provided close to each other, the wiring for connecting the capacitor can be shortened, and the wiring inductance at this portion is also reduced.
第１図は本発明の一実施例における各素子及び部品の
配置を示したものである。例えば、銅からなる容器底板
11の上に絶縁基板２を介して銅からなる接続導体31,32,
33,34,35,36,37,38が設けられている。第１の接続導体3
6の上にはトランジスタチップ41Aが下面のコレクタ電極
により、ダイオードチップ42Aが下面のカソード電極に
より、定電圧ダイオードチップ43Aが下面のアノード電
極によりそれぞれ固着されている。図を見やすくするた
めに、詳細な図示は省略したが、トランジスタチップ41
Aの上面のエミッタ電極は第２の接続導体35と、ベース
電極は接続導体38と、ダイオードチップ42Aの上面のア
ノード電極は第２の接続導体35と、また定電圧ダイオー
ドチップ43Aの上面のカソード電極は第３の接続導体37
とそれぞれ金属細線５によって接続されている。FIG. 1 shows an arrangement of elements and components in one embodiment of the present invention. For example, a container bottom plate made of copper
Connection conductors 31, 32, made of copper on
33, 34, 35, 36, 37 and 38 are provided. First connection conductor 3
The transistor chip 41A is fixed to the lower surface of the transistor chip 41A by the collector electrode, the diode chip 42A is fixed to the lower surface by the cathode electrode, and the constant voltage diode chip 43A is fixed to the lower surface by the anode electrode. Although a detailed illustration is omitted to make the figure easier to see, the transistor chip 41
The emitter electrode on the top surface of A is the second connection conductor 35, the base electrode is the connection conductor 38, the anode electrode on the top surface of the diode chip 42A is the second connection conductor 35, and the cathode on the top surface of the constant voltage diode chip 43A. The electrode is the third connection conductor 37
And each is connected by a thin metal wire 5.
第４の接続導体32の上には、トランジスタチップ41B
が下面のコレクタ電極により、ダイオードチップ42Bが
下面のカソード電極により固着されている。また、第６
の接続導体34の上には定電圧ダイオードチップ43Bが下
面のアノード電極により固着されている。前述と同様、
図を見やすくするために、詳細な図示は省略したが、ト
ランジスタチップ41Bの上面のエミッタ電極は第５の接
続導体33と、ベース電極は接続導体31と、ダイオードチ
ップ42Bの上面のアノード電極は第５の接続導体33と、
また、定電圧ダイオードチップ43Bの上面のカソード電
極は第５の接続導体33とそれぞれ金属細線５によって接
続されている。On the fourth connection conductor 32, a transistor chip 41B
Are fixed by the collector electrode on the lower surface, and the diode chip 42B is fixed by the cathode electrode on the lower surface. Also, the sixth
A constant voltage diode chip 43B is fixed on the connection conductor 34 by an anode electrode on the lower surface. As before,
Although the detailed illustration is omitted for the sake of clarity, the emitter electrode on the upper surface of the transistor chip 41B is the fifth connection conductor 33, the base electrode is the connection conductor 31, and the anode electrode on the upper surface of the diode chip 42B is the second connection conductor. 5 connection conductors 33,
Further, the cathode electrode on the upper surface of the constant voltage diode chip 43B is connected to the fifth connection conductor 33 by the thin metal wire 5, respectively.
第３の接続導体37と第２の接続導体35の間に個別スナ
バ用のコンデンサ7Aが、第６の接続導体34と第４の接続
導体32の間に個別スナバ用のコンデンサ7Bが接続され
る。本発明のトランジスタモジュールでは、個別スナバ
回路の他に、更にサージ吸収作用を高めるため、二つの
トランジスタ41A及び42Bにまたがるように一括スナバ用
のコンデンサ18を第３の接続導体37と第６の接続導体34
との間に接続することができる。図から明らかなよう
に、その接続リードは同一モジュール内で短く、従って
その配線インダクタンスは小さく、大きなサージ吸収効
果が得られる。An individual snubber capacitor 7A is connected between the third connection conductor 37 and the second connection conductor 35, and an individual snubber capacitor 7B is connected between the sixth connection conductor 34 and the fourth connection conductor 32. . In the transistor module of the present invention, in addition to the individual snubber circuits, the collective snubber capacitor 18 is connected to the third connection conductor 37 and the sixth connection so as to straddle the two transistors 41A and 42B in order to further enhance the surge absorbing effect. Conductor 34
Can be connected between As is clear from the figure, the connection leads are short in the same module, and therefore the wiring inductance is small, and a large surge absorbing effect can be obtained.
第２図は第１図に示した底板11上に側壁12及び上蓋13
を組み立ててなるトランジスタモジュール容器の外観を
示したものである。上蓋13上には、外部端子、すなわち
エミッタ（E2）端子61B、コレクタ（C1）端子62A,中間
（C2E1）端子66,カソード（K1）端子64A,アノード（A
2）端子65B,トランジスタ41A制御用のベース（B1）端子
63A及び制御用エミッタ（E1）端子67A,トランジスタ41B
制御用のベース（B2）端子63B及び制御用エミッタ（E
2）端子67Bが設けられている。図示されない立上り部を
介して、エミッタ端子61Bは第５の接続導体33と、コレ
クタ端子62Aは第１の接続導体36と、中間端子66は第2,4
の接続導体及び32と、カソード端子64Aは第３の接続導
体37と、アノード端子65Bは第６の接続導体34と、ベー
ス端子63Aは接続導体38と、制御用エミッタ端子67Aは第
２の接続導体35と、ベース端子63Bは接続導体31と、制
御用エミッタ端子67Bは第５の接続導体33とそれぞれ接
続されている。FIG. 2 shows the side wall 12 and the top cover 13 on the bottom plate 11 shown in FIG.
1 shows an appearance of a transistor module container obtained by assembling the above. On the top cover 13, external terminals, ie, an emitter (E2) terminal 61B, a collector (C1) terminal 62A, an intermediate (C2E1) terminal 66, a cathode (K1) terminal 64A, and an anode (A
2) Terminal 65B, base (B1) terminal for transistor 41A control
63A and control emitter (E1) terminal 67A, transistor 41B
Control base (B2) terminal 63B and control emitter (E
2) Terminal 67B is provided. Via a rising portion (not shown), the emitter terminal 61B is connected to the fifth connection conductor 33, the collector terminal 62A is connected to the first connection conductor 36, and the intermediate terminal 66 is connected to the second and fourth connection conductors.
, The cathode terminal 64A is the third connection conductor 37, the anode terminal 65B is the sixth connection conductor 34, the base terminal 63A is the connection conductor 38, and the control emitter terminal 67A is the second connection conductor. The conductor 35, the base terminal 63B are connected to the connection conductor 31, and the control emitter terminal 67B is connected to the fifth connection conductor 33, respectively.
一括スナバ用のコンデンサは前述のコンデンサ18のよ
うに、第３の接続導体37と第６の接続導体34との間に接
続して容器の内部に設置することもできるが、第２図の
220に示すようにカソード端子64Aとアノード端子65Bと
の間に接続して容器の端子部に設置することもできる。
また必要に応じて双方に取り付けることもでき、サージ
吸収効果上で必要とされる容量のコンデンサを容易に設
置することが可能となる。The capacitor for the collective snubber can be connected between the third connection conductor 37 and the sixth connection conductor 34 and installed inside the container as in the capacitor 18 described above.
As shown at 220, it may be connected between the cathode terminal 64A and the anode terminal 65B and installed at the terminal of the container.
If necessary, the capacitors can be attached to both sides, so that a capacitor having a capacity required for the surge absorption effect can be easily installed.
第３図はこのようにして得られたトランジスタモジュ
ールの回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of the transistor module thus obtained.
第３図から明らかなように、直列に接続されたトラン
ジスタ41A及びトランジスタ41Bはそれぞれ電力変換装置
におけるブリッジ回路の上アーム用トランジスタ及び下
アーム用トランジスタに対応し、本トランジスタモジュ
ールは全体として１アームに対応する。従って、これ
を、例えば、並列に接続することにより３相インバータ
等の電力変換装置を構成できる。As is clear from FIG. 3, the transistors 41A and 41B connected in series correspond to the upper arm transistor and the lower arm transistor of the bridge circuit in the power converter, respectively, and the present transistor module has one arm as a whole. Corresponding. Therefore, by connecting these in parallel, for example, a power converter such as a three-phase inverter can be configured.
本発明によれば、一つの容器の底板上に直列に接続さ
れた各トランジスタとそれを保護するスナバ回路の定電
圧ダイオードを固定することにより、これら素子接続の
ための配線インダクタンスを小さくするとともに、定電
圧ダイオードで発生する熱を容器底板から冷却体を通し
て充分に放熱させることが可能となるので、定電圧ダイ
オードのチップ寸法を小さくすることができる。また、
素子接続のための配線インダクタンスの低減によりサー
ジ電圧吸収効果を高めることが可能となる。According to the present invention, by fixing the transistors connected in series on the bottom plate of one container and the constant voltage diode of the snubber circuit that protects the transistors, the wiring inductance for connecting these elements is reduced, Since the heat generated by the constant voltage diode can be sufficiently radiated from the container bottom plate through the cooling body, the chip size of the constant voltage diode can be reduced. Also,
It is possible to enhance the surge voltage absorbing effect by reducing the wiring inductance for element connection.
第１図は本発明の一実施例の電力変換装置用トランジス
タモジュールにおける容器底板上の素子及び部品の配置
を示す斜視図、第２図は第１図の容器底板上に組み立て
られた本発明の電力変換装置用トランジスタモジュール
の斜視図、第３図は第２図に示した本発明の電力変換装
置用のトランジスタモジュールの回路図、第４図は従来
のトランジスタの端子間に定電圧ダイオードとコンデン
サの直列回路を並列接続する方法（平成元年電気学会全
国大会での発表及び特願平１−8311号明細書に記載）を
示す回路図、第５図は従来の第４図の回路を有する電力
変換装置用トランジスタモジュールを用いて電力変換装
置を構成した場合の一例の回路図である。 11:容器底板、12:容器側板、13:容器上蓋、2:絶縁基
板、36,35,37,32,33,34:第1,第2,第3,第4,第5,第６の接
続導体、41A,41B:トランジスタチップ、43A,43B:定電圧
ダイオードチップ、5:金属細線、61B:エミッタ端子（外
部端子）、62A:コレクタ端子（外部端子）、64A:カソー
ド端子（外部端子）、65B:アノード端子（外部端子）、
66:中間端子（外部端子）、7A,7B:コンデンサ（個別ス
ナバ用の）。FIG. 1 is a perspective view showing the arrangement of elements and components on a container bottom plate in a transistor module for a power converter according to one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a perspective view showing the present invention assembled on the container bottom plate of FIG. FIG. 3 is a perspective view of a transistor module for a power converter, FIG. 3 is a circuit diagram of the transistor module for a power converter of the present invention shown in FIG. 2, and FIG. 4 is a constant voltage diode and a capacitor between terminals of a conventional transistor. Circuit diagram showing the method of connecting the series circuits in parallel (presented at the National Meeting of the Institute of Electrical Engineers of Japan in 1989 and described in Japanese Patent Application No. 1-83111), and FIG. 5 has the conventional circuit of FIG. It is a circuit diagram of an example when a power converter is constituted using a transistor module for power converters. 11: container bottom plate, 12: container side plate, 13: container top cover, 2: insulating substrate, 36, 35, 37, 32, 33, 34: first, second, third, fourth, fifth, sixth Connection conductor, 41A, 41B: transistor chip, 43A, 43B: constant voltage diode chip, 5: thin metal wire, 61B: emitter terminal (external terminal), 62A: collector terminal (external terminal), 64A: cathode terminal (external terminal) , 65B: anode terminal (external terminal),
66: Middle terminal (external terminal), 7A, 7B: Capacitor (for individual snubber).
Claims (1)
定電圧のダイオード及びコンデンサからなる２個の直列
回路構成が前記トランジスタの各々に並列でかつ順方向
にそれぞれ接続されて１つの容器内に収容されるものに
おいて、容器底板上に絶縁基板を介して複数の接続導体
を設け、その第１の接続導体には一方のトランジスタの
コレクタと一方の定電圧のダイオードのアノードとがそ
れぞれ固着され、この第１の接続導体は容器外に引き出
されてコレクタ外部端子を形成し、この一方のトランジ
スタの他面側のエミッタは金属細線を介して第２の接続
導体と接続され、この第２の接続導体体は容器外に引き
出されて中間外部端子を形成し、一方の定電圧のダイオ
ードのカソードは金属細線を介して第３の接続導体と接
続されて、この第３の接続導体は容器外に引き出されて
カソード外部端子を形成するとともに一方のコンデンサ
を介して前記一方のトランジスタのエミッタに接続さ
れ、 他方のトランジスタのコレクタは第４の接続導体に固着
され、この第４の接続導体は引き出されて前記中間外部
端子に接続され、他方のトランジスタのエミッタ及び他
方の定電圧のダイオードのカソードは金属細線を介して
第５の接続導体に接続され、この第５の接続導体は容器
外に引き出されてエミッタ外部端子を形成し、他方の定
電圧のダイオードのアノードは第６の接続導体に接続さ
れ、この第６の接続導体は容器外に引き出されてアノー
ド外部端子を形成するとともに他方のコンデンサを介し
て他方のトランジスタのコレクタに接続されたことを特
徴とする電力変換装置用トランジスタモジュール。1. Two transistors connected in series;
Two series circuit configurations each consisting of a constant voltage diode and a capacitor are connected in parallel to each of the transistors in the forward direction, and are housed in one container, and are placed on a container bottom plate via an insulating substrate. A plurality of connection conductors are provided, and the collector of one transistor and the anode of one constant voltage diode are fixed to the first connection conductor, respectively, and the first connection conductor is drawn out of the container and is connected to the outside of the collector. A terminal is formed, and the emitter on the other side of the one transistor is connected to a second connection conductor via a thin metal wire, and the second connection conductor is drawn out of the container to form an intermediate external terminal. The cathode of one of the constant voltage diodes is connected to a third connection conductor via a thin metal wire, and the third connection conductor is drawn out of the container and is connected to a cathode external terminal. It is formed and connected to the emitter of the one transistor via one capacitor, the collector of the other transistor is fixed to a fourth connection conductor, and the fourth connection conductor is drawn out and connected to the intermediate external terminal The emitter of the other transistor and the cathode of the other constant voltage diode are connected to a fifth connection conductor via a thin metal wire, and the fifth connection conductor is drawn out of the container to form an emitter external terminal. , The anode of the other constant voltage diode is connected to a sixth connection conductor, which is drawn out of the container to form an anode external terminal and the collector of the other transistor via the other capacitor. A transistor module for a power converter, wherein the transistor module is connected to a power converter.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1284028A JP2646763B2 (en) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | Transistor module for power converter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1284028A JP2646763B2 (en) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | Transistor module for power converter |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH03145756A JPH03145756A (en) | 1991-06-20 |
| JP2646763B2 true JP2646763B2 (en) | 1997-08-27 |
Family
ID=17673370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1284028A Expired - Lifetime JP2646763B2 (en) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | Transistor module for power converter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998001939A1 (en) * | 1996-07-03 | 1998-01-15 | Hitachi, Ltd. | Power converter |
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-
1989
- 1989-10-31 JP JP1284028A patent/JP2646763B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20180375426A1 (en) * | 2015-11-23 | 2018-12-27 | IFP Energies Nouvelles | Regenerative undeland snubber circuit for half-arm of an inverter |
| US11444530B2 (en) * | 2015-11-23 | 2022-09-13 | Mavel edt S.p.A. | Regenerative undeland snubber circuit for half-arm of an inverter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03145756A (en) | 1991-06-20 |
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